集成电路工艺mooc测试题

第一周作业返回

1单选(1分)

在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向? A.（100）B.（111）C.（110)D.(211)

正确答案：B

解析：B、硅的解理面是（111），在（111）面上两[111]晶向相交呈60 o

2多选(1分)

关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确

A.可以多次缩颈

B.为了能拉出与籽晶相同的硅锭

C.为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸

D.为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸

正确答案：A、C、D

解析：A、目的是彻底终止线缺陷等向晶锭的延伸

3判断(1分)

在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭

正确答案：对

解析：因硅熔体温度梯度带来的密度（重力）差造成的干锅内熔体强对流减弱的缘故

4单选(1分)

磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：

A.轴向均匀

B.轴向递减

C.轴向递増

D.径向递减

正确答案：B

解析：B、因为掺入硅锭的杂质是轴向递增的。

5填空(1分)

拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的造成。

正确答案：O 或氧

第二周作业返回

1填空(1分)

外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长薄膜。

正确答案：晶体或单晶

2判断(1分)

如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。

正确答案：错

解析：只在一定范围成立，如SiCl4为硅源超过临界值会生成多晶、甚至腐蚀衬底。

3填空(1分)

VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在完成的分解。

可从下面选择：气相硅片表面正确答案：硅片表面

4单选(1分)

VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：

A.自掺杂效应

B.互扩散效应

C.衬底表面没清洗干净的缘故。

D.掺杂气体不纯

正确答案：B

解析：B、在外延过程中外延层重掺杂n型杂质扩散进入轻掺杂衬底。

5多选(1分)

在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？

A.MBE

B.VPE、LPE

C.UHV/CVD

D.SEG、SPE

正确答案：A、C

第三周作业返回

1单选(1分)

通常掩膜氧化采用的工艺方法为：

A.干氧

B.低压氧化

C.干氧-湿氧-干氧

D.掺氯氧化

正确答案：C

解析：C、既有较好的质量，利于光刻；又有较快的氧化速率

2多选(1分)

关于氧化速率下面哪种描述是正确的：

A.生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律

B.温度升高氧化速率迅速增加

C.（111）硅比（100）硅氧化得快

D.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低

E.生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律

正确答案：A、B、C

3判断(1分)

制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。

正确答案：错

4填空(1分)

热氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。

（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）

正确答案：水汽、湿氧、干氧

5填空(1分)

热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质引起的。（两个字）正确答案：分凝

1单选(1分)

A.图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散

B.图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散

C.图（a）、（b）都是限定源扩散

D.图（a）、（b）都是恒定源扩散

正确答案：C

解析：C、限定源扩散，时间越长，结深越深，表面浓度就越低；温度越高，结深也越深，表面浓度也降低越快。

2单选(1分)

扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。

A.大，场助扩散

B.大，氧化增强

C.小，横向扩散

D.大，横向扩散

正确答案：D

3多选(1分)

扩散系数在何时不可以看成是常数：

A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。

B.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。

C.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；

D.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；

正确答案：B、C

4判断(1分)CC

一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。

正确答案：错

5填空(1分)

在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩分钟。（只保留整数）正确答案：104

1单选(1分)

在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是。当偏离晶向ψc注入时，可以避免。

A.沟道效应，<

B.横向效应，<

C.沟道效应，>

D.横向效应，>

正确答案：C

2单选(1分)

形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？

A.不可以

B.可以，实际注硼：QB+QSb

C.可以，实际注硼：QB-QSb

D.可以，实际注硼：QB

正确答案：B

3多选(1分)

基于LSS理论，判断对下图分析的对错：

A.入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞；

B.入射离子在靶中由A运动到B主要受到靶原子核阻滞；

C.该入射离子是高能注入；

D.入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。

正确答案：A、C

4多选(1分)

关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：

A.靶温升高，临界剂量上升；

B.注入离子能量越高，临界剂量越低；

C.注入离子剂量率增大，临界剂量降低。

D.注入离子越轻，临界剂量越小；

正确答案：A、B、C

5判断(1分)CCC

离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。

正确答案：错

第二单元测验返回

1单选(1分)

在p-Si中扩磷20分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到0.8μm，在原条件下还要扩散多长时间？

A.104min

B.51.2min

C.117min

D.31.2min正确答案：D