FQPF13N50CF中文资料
FQP13N50C中文资料
--
--
IGSSF IGSSR
Gate-Body Leakage Current, Forward VGS = 30 V, VDS = 0 V Gate-Body Leakage Current, Reverse VGS = -30 V, VDS = 0 V
--
--
--
--
--
--
1 10 100 -100
FQP13N50C FQPF13N50C
500
13
13 *
8
8*
52
52 *
± 30
860
13
19.5
4.5
195
48
1.56
0.39
-55 to +150
300
Units V A A A V mJ A mJ
V/ns W
W/°C °C
°C
Thermal Characteristics
Symbol RθJC RθJS RθJA
2.0 --
4.0
V
VGS = 10 V, ID = 6.5 A
-- 0.39 0.48
Ω
VDS = 40 V, ID = 6.5 A
(Note 4) --
15
--
S
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
Coss
Output Capacitance
Crss
Drain Current - Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C)
IDM
Drain Current - Pulsed
FAIRCHILD FQP13N50C FQPF13N50C 说明书
现货库存、技术资料、百科信息、热点资讯,精彩尽在鼎好!FQP13N50C/FQPF13N50CNotes:1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature2. L =6.0 mH, I AS = 13A, V DD = 50V, R G = 25 Ω, Starting T J = 25°C3. I SD ≤ 13A, di/dt ≤ 200A/µs, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C4. Pulse Test : Pulse width ≤ 300µs, Duty cycle ≤ 2%5. Essentially independent of operating temperatureV GS(th)Gate Threshold Voltage V DS = V GS , I D = 250 µA 2.0-- 4.0V R DS(on)Static Drain-Source On-ResistanceV GS = 10 V, I D = 6.5 A--0.390.48Ωg FSForward TransconductanceV DS = 40 V, I D = 6.5 A (Note 4)--15--SDynamic CharacteristicsC iss Input Capacitance V DS = 25 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz--15802055pF C oss Output Capacitance--180235pF C rssReverse Transfer Capacitance--2025pFSwitching Characteristicst d(on)Turn-On Delay Time V DD = 250 V, I D = 13 A,R G = 25 Ω(Note 4, 5)--2560ns t r Turn-On Rise Time --100210ns t d(off)Turn-Off Delay Time --130270ns t f Turn-Off Fall Time --100210ns Q g Total Gate Charge V DS = 400 V, I D = 13 A,V GS = 10 V(Note 4, 5)--4356nC Q gs Gate-Source Charge --7.5--nC Q gdGate-Drain Charge--18.5--nCDrain-Source Diode Characteristics and Maximum RatingsI S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current ----13A I SM Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current----52A V SD Drain-Source Diode Forward Voltage V GS = 0 V, I S = 13 A ---- 1.4V t rr Reverse Recovery Time V GS = 0 V, I S = 13 A,dI F / dt = 100 A/µs (Note 4)--410--ns Q rrReverse Recovery Charge-- 4.5--µCDISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body,or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of TermsDatasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative or In Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.PreliminaryFirst ProductionThis datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.No Identification Needed Full ProductionThis datasheet contains final specifications. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without notice in order to improve design.Obsolete Not In ProductionThis datasheet contains specifications on a product that has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.TRADEMARKSThe following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.FACT™FACT Quiet series™FAST ®FASTr™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I 2C™ImpliedDisconnect™ISOPLANAR™LittleFET™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR™PACMAN™POP™Power247™PowerTrench ®QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™SILENT SWITCHER ®SMART START™SPM™Stealth™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TinyLogic ®TruTranslation™UHC™UltraFET ®VCX™ACEx™ActiveArray™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT ™DOME™EcoSPARK™E 2CMOS™EnSigna™Across the board. Around the world.™The Power Franchise™Programmable Active Droop™。
逆变器用到的IC
KA5H0165RN 原装正品 06年份 FSC 4000 现货
FSDM0265RNB 原装正品 06年份 FSC 40000 香港现货
FSDL0165RN 原装正品 06年份 FSC 9000 香港现货
FSDH321 原装正品 06年份 FSC 12000 香港现货
STP10NK60 原装正品 04年份 ST 10000 现货
IRF640B 原装正品 04年份 FSC 3800 现货
IRF630B 原装正品 06年份 FSC 2000 现货
FDP2532 原装正品 06年份 FSC 4200 现货
FQP50N06 原装正品 07年份 FSC 20000 现货
SSH70N10A 原装正品 07年份 FSC 480 香港现货
FQA160N08 原装正品 06年份 FSC 1300 现货
FQA40N25 原装正品 05年份 FSC 340 现货
FQA16N50 原装正品 04年份 FSC 2600 现货
FQPF10N60C 原装正品 07年份 FSC 6000 现货
FQPF12N60C 原装正品 07年份 FSC 550 现货
KA5L0380RYDTU 原装正品 07年份 FSC 10000 香港现货
FQPF8N60C 原装正品 07年份 FSC 20000 香港现货
2SK2645 原装正品 06年份 FUJI 5400 现货
2SK2765 原装正品 06年份 FUJI 2500 现货
FQA90N15 原装正品 06年份 FSC 500 现货
IRFP460C 原装正品 06.07年份 FSC 5600 香港现货
中微爱芯达林顿管AIP2003 AIP2002 AIP2001系列-奥伟斯科技
AiP2003是一块高压、大电流的达林顿管阵列驱动电路,内含七组NPN型达林顿管,各组达林顿管发射机均连在一起,集电极开路输出。
主要应用于驱动继电器、电铃锤、照明设备及LED显示等系统。
其主要特点如下:●单个通道灌电流最大可达500mA●连续输出高电压最小可达50V●在5V工作条件下,输出端可TTL、CMOS直接相连●输出端集成钳位二极管●封装形式:DIP16/SOP162、功能框图及引脚说明AiP2002是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列,电路内部包含五个独立的达林顿管驱动单路。
电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。
单个达林顿管集电极可输出500mA电流。
将达林顿管并联可实现更高的输出电流能力。
该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。
AiP2002的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接,可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
其主要特点如下:●500mA集电极输出电流(单路)●耐高压50V●输入兼容TTL/CMOS逻辑信号●广泛应用于继电器驱动;●封装形式:DIP14/SOP14产品型号封装形式印标识管装数盒装管盒装数箱装盒箱装数AiP2002 PA DIP14 AiP200225PCS/管40管/盒1000PCS/盒10盒/箱10000PCS/箱AiP2002 VA SOP14 AiP200250PCS/管200管/盒10000PCS/盒5盒/箱50000PCS/箱产品型号封装形式打印标识编带盘装数编带盒装数箱装数AiP2002 VA SOP14 AiP20022500PCS/盘5000PCS/盒40000PCS/箱引脚排列图AiP2001是一块高压、大电流的达林顿管阵列驱动电路,内含三组NPN型达林顿管,各组达林顿管发射极均连在一起,集电极开路输出。
主要应用于驱动继电器、电铃锤、照明设备及LED显示等系统。
fqpf13n60c参数
fqpf13n60c参数标题:探索FQPF13N60C的魅力引言:在当今科技飞速发展的时代,电子元器件的创新和应用变得越来越重要。
其中,FQPF13N60C作为一种常用的功率MOSFET,具有许多令人惊叹的特性。
本文将深入探讨FQPF13N60C的特点和应用,带领读者了解这款元器件的魅力。
1. FQPF13N60C的基本特性FQPF13N60C是一款N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和优异的耐压能力。
它的导通电阻仅为几个欧姆,能够承受较高的电流和电压。
这使得FQPF13N60C在功率电子应用中广泛使用,并且具有出色的性能。
2. FQPF13N60C的应用领域(1)电源管理:FQPF13N60C的低导通电阻和高开关速度使其成为电源管理领域的理想选择。
它可以有效地控制电流和电压,提高系统的效率和稳定性。
(2)电动汽车:随着电动汽车的快速发展,FQPF13N60C在电动汽车的电源系统中发挥着重要作用。
它能够承受高电流和高温环境,并且具有长寿命和可靠性。
(3)工业控制:FQPF13N60C的高性能使其成为工业控制领域的首选元器件。
它可以实现精确的电流和电压控制,帮助实现自动化生产和精密控制。
3. FQPF13N60C的优势与挑战(1)优势:FQPF13N60C具有低导通电阻、高开关速度和优异的耐压能力,这些特点使其在功率电子领域具有竞争力。
此外,它的长寿命和可靠性也是其优势之一。
(2)挑战:尽管FQPF13N60C具有许多优点,但也面临一些挑战。
例如,高温环境下的散热问题需要解决,以确保器件的稳定工作。
此外,与其他型号的元器件相比,FQPF13N60C的成本可能较高。
结论:FQPF13N60C作为一款功率MOSFET,具有出色的特性和广泛的应用领域。
它在电源管理、电动汽车和工业控制等领域发挥着重要作用。
尽管面临一些挑战,但FQPF13N60C的优势和竞争力仍然不可忽视。
相信随着科技的不断进步,FQPF13N60C将会在更多领域展现其魅力,并为人类带来更多便利和创新。
场效应管型号资料
常用场效应管(25N120等)参数及代换FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用)FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 (MOSFET)250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 (MOSFET)250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 (MOSFET)500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 (MOSFET)500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 (MOSFET)500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 (MOSFET)500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 (MOSFET) 600V/24A/TO3PFQA10N80 (MOSFET)800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 (MOSFET) 800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 (MOSFET)900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C (MOSFET)900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C (MOSFET)900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN (快恢复二极管)200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S (快恢复二极管) 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN (快恢复二极管)600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU (肖特基) 100V/30A/TO-220MBRA3045NTU (肖特基) 45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 (快恢复二极管) 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 (快恢复二极管) 600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 (MOSFET) 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540NFQP70N10 (MOSFET)100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B (MOSFET)500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C (MOSFET)500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 (Drive IC)单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860 (快恢复二极管) 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 (快恢复二极管) 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 (快恢复二极管) 1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 (快恢复二极管) 1200V/15A/TO220RHRP30120 (快恢复二极管) 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 (快恢复二极管) 1200V/30A/T03PSSH45N20B (MOSFET) 200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D (IGBT) 1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD (IGBT) 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND (IGBT) 1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND (IGBT) 1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND (IGBT) 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C (MOSFET)500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代:IRF830,用于35WFQPF5N50C (MOSFET)500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代:IRF830,用于35W FQP9N50C (MOSFET)500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代:IRF840,用于75W FQPF9N50C (MOSFET)500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代:IRF840,用于75W FQP13N50 (MOSFET)500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 (MOSFET)500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C (MOSFET)500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35WFQA16N50 (MOSFET) 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 (MOSFET)500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 (MOSFET)500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 (MOSFET)500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 (MOSFET)500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 (MOSFET)500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 (MOSFET)600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 (MOSFET)500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 (MOSFET)500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B (MOSFET)400V/10A/0.55Ω/134W/T O220IRF730B (MOSFET)400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B (MOSFET)500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B (MOSFET)500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B (MOSFET)500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C (MOSFET)500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C (MOSFET) 600V/5A/TO220FFQPF8N60C (MOSFET) 600V/8A/TO220FFQPF10N60C (MOSFET) 600V/10A/TO220FQPF12N60 (MOSFET)600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 (MOSFET)650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S (快恢复二极管) 600V/6A/TO-252RHRP860 (快恢复二极管) 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 (快恢复二极管) 600V/15A/TO-220单2N7002 (三极管)60V/0.12A/SOT-23HUF76629D3S (MOSFET) 100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S (MOSFET) 100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S (IGBT) 430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S (IGBT) 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S (IGBT) 360V/46A/250W/TO262FQP33N10L (MOSFET)100V/33A/52MΩ127W/TO220。
fqpf7n80c场效应管参数
一、场效应管概述场效应管(Field-Effect Transistor,简称FET),是一种可以用来控制电流的电子元件。
它的工作原理是利用外加电场调节电子的传输情况,因此得名。
相比双极晶体管,场效应管具有输入阻抗大、失真小、噪声低等优点,因此在现代电子电路中得到广泛应用。
二、场效应管的类型根据不同的工作原理和结构,场效应管可以分为MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和JFET(结型场效应晶体管)两种类型。
其中,MOSFET主要应用在大规模集成电路和功率器件中,而JFET则多用于低噪声放大器和高输入电阻的电路中。
三、场效应管的参数1. 静态参数静态参数是指场效应管在静态工作状态下所表现出的特性。
主要包括沟道阻抗、漏极电流、栅极截止电压和饱和电流等。
这些参数对于确定场效应管的工作状态和放大特性具有重要的意义。
2. 动态参数动态参数是指场效应管在变化的工作状态下所表现出的特性。
主要包括输入电容、跨导、截止频率和噪声系数等。
这些参数对于评估场效应管在高频放大和信号处理中的性能具有重要的意义。
四、场效应管参数的影响因素1. 材料场效应管所采用的半导体材料对其性能具有重要的影响。
不同的材料具有不同的载流子迁移率、禁带宽度和掺杂浓度等特性,直接影响场效应管的电路特性。
2. 结构场效应管的结构形式会影响其输入输出特性和频率响应。
MOSFET 和JFET的结构差异导致其工作特性不同,因此在电路设计中需要根据实际需求选择合适的结构。
3. 工艺制造工艺对场效应管参数的稳定性和一致性具有重要的影响。
良好的工艺能够保证场效应管的性能稳定,并且可以生产出一致性较高的器件,满足现代电子产品对于性能和品质的要求。
五、场效应管参数的测试方法场效应管参数的测试通常采用直流和交流两种方法。
直流测试可以测量场效应管的静态参数,如漏极电流和栅极截止电压;而交流测试则可以测量场效应管的动态参数,如频率响应和噪声特性。
根据实际需求,选择合适的测试方法可以准确评估场效应管的性能。
FQPF32N20C中文资料
(Note 4) --
20
--
S
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
Coss
Output Capacitance
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz
-- 1700 2220 pF
BVDSS ∆BVDSS / ∆TJ
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
VGS = 0 V, ID = 250 µA
200 --
ID = 250 µA, Referenced to 25°C -- 0.24
元器件交易网
FQP32N20C/FQPF32N20C
FQP32N20C/FQPF32N20C
200V N-Channel MOSFET
QFET ®
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters, switch mode power supplies, DC-AC converters for uninterrupted power supplies and motor controls.
AO-R123_R123系列OEC红外线遥控器接收头-奥伟斯
AO-R123C6E-SS(T)描述该封装由高速PIN光电二极管和包装中的前置放大器IC组成。
红外遥控系统接收器2.特点◆2.7〜5.5 V供电电压,低功耗◆屏蔽电场干扰◆高抗环境光◆与主板的便捷接口◆TTL和CMOS兼容性◆一包模具◆符合RoHS3. Applications◆电视,VTR,音频,空调,汽车立体声设备,计算机,室内控制设备,和需要远程控制的设备R123M-10H(S)DescriptionThe R123M-10H(S) consist of a PIN Photodiode of high speed and a preamplifier IC in the package as anreceiver for Infrared remote control systems2. Features2.7〜5.5伏电源电压低功耗◆屏蔽电场干扰◆高抗环境光◆与主板的便捷接口◆TTL和CMOS兼容性◆一包模具◆符合RoHSe3. Applications◆电视,VTR,音频,空调,汽车立体声设备,计算机,室内控制设备以及需要远程控制的设备4. Package OutlinesSee the attached Drawing No. RM-R12□□-4PIN-ASY-01描述:AO-R123C6E-SS(S)由高速pin光电二极管和包装中的前置放大器IC组成,作为红外遥控系统的接收器Features◆2.7〜5.5 V供电电压,低功耗◆屏蔽电场干扰◆高抗环境光◆与主板的便捷接口◆TTL和CMOS兼容性◆一包模具◆符合RoHS3. Applications电视,VTR,音频,空调,汽车立体声设备,计算机,室内控制设备,和需要远程控制的设备4.Package OutlinesSee the attached Drawing No. RM-R12□□-4PIN-ASY-011. DescriptionThe R123M-10H(S) consist of a PIN Photodiode of high speed and a preamplifier IC in the package as an receiver for Infrared remote control systems2. Features2.7〜5.5伏电源电压低功耗◆屏蔽电场干扰◆高抗环境光◆与主板的便捷接口◆TTL和CMOS兼容性◆一包模具◆符合RoHSe3. Applications◆电视,VTR,音频,空调,汽车立体声设备,计算机,室内控制设备以及需要远程控制的设备4. Package OutlinesSee the attached Drawing No. RM-R12□□-4PIN-ASY-015.Absolute Maximum Ratings [Ta = 25℃ ] Reliability Test注意:* 1。
飞兆快捷(仙童)半导体选用指南 - FairChild
Video switch & filter
FMS6400 FMS6414 FSAV330 FSAV433 FMS6501 FMS6151 FMS6410 FSAV430 FSHDMI04AS/86AS FDS6982AS/84AS/86AS FDS6900AS FDS6900AS FDS8884/FDS8878 FDS8884/FDS8878 FDS6680AS/90AS FDS6680AS/90AS FDQ7238AS FDQ7238AS FDMS9600 FDMS9600 FDMS9620 FDMS9620
FAN5067 Dual switch FAN5068 DDR/ACPI FAN5077/78 DDR/ACPI iAMT FAN1582 FAN1655 2.5V RAMBUS 3.3V SDRAM 5V DUAL 3.3V DUAL
AGP
SMBus
North Bridge
uBGA
1.8V 2.5V SMBus
我们的承诺 一流的品质,一流服务,一流的价格.满足客户的要求! 所有出售产品均符合ROHS声明,达到环保要求,以保护环境为己任! 只销售全新原装现货,做有诚信的企业!
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企业文化
专业 分工 提供高效率服务的组织架构 在组织的规划上,飞捷首重专业与分工。配合各品牌的业务需求,我们采行独立运作团队的方式 落实效率管理,专业的产品经理,业务精英及应用工程师,我们坚持用最高绩效的要求,提供客 户最佳化的完美服务;为缩短客户产品上市时程,我们更成立了坚强的研发团队,以 Total Solution 的方式协同开发,共同创造产品的附加价值。「实时有效的服务」才是通路的真价值,为 了贯彻此一目标,我们不但广设据点仓库,就近服务客户,并成立高品质的信息及储运工作团 队,结合无形的信息服务以及实体的运筹作业上,让客户感受最佳化的服务。不但如此,针对策 略性客户的需求,飞捷更提供单一窗口,全员服务的效率运作,我们深信唯有不断的提升自我, 才能在剧烈多变的竞争中出。 品牌精耕 为各品牌产品设计最适切的经营策略,确实精耕。 异域专责 根据不同产品应用领域,提 供具有专门经验之销售团队为客户提供最专业的务 单一窗口针对策略性客户,由营运管理中心设 立专属部门,单 一窗口,全员服务。 精实后勤架构坚强信息及储运工作团队,提供一流运筹绩 效。 协同开发专业研发部门提供完整产品行销解决方案,缩短客户产品上市时程。 Flypowers +86 755 8825 7825
中微爱芯LCD显示驱动系应用方案
笔段式LCD驱动> 概述笔段式LCD驱动是指在某一指定的位置显示或不显示固定显示屏,可以用于字符和数字的简单显示,主要用于替代LED数码管。
电路内部基本由电源、内部RC振荡、通讯接口、内部RAM区、逻辑控制几大模块构成。
部分产品还具备蜂鸣器输出、看门狗定时、按键扫描、背光及驱动VA 液晶等特色功能。
根据电路的不同功能主要分为传统型、强驱动型、低功耗型、带按键和背光驱动型以及全静态型五类。
>>应用领域传统型主要应用于小家电产品、智能音响、仪器仪表、电动车仪表盘、电子秤等精密仪器的显示驱动强驱动型主要应用于烤箱、车载等大屏显示驱动低功耗型主要应用于仪器仪表、便携式设备、家用电子装置等带按键和背光驱动型主要应用于油烟机、VA液晶显示屏、仪器仪表等全静态型主要应用于洗衣机显示面板、电子标签等低功耗产品选型指南:传统型显示模式4*32、8*32、8*48三线和四线通讯带蜂鸣器输出功能带看门狗定时器功能芯片衬底接VDD或浮空强驱动型显示模式3*52、4*51、3*40~3*42三线通讯,串行数据通讯支持CCB格式带按键矩阵驱动能力可通过外部电阻调整,可驱动大屏芯片衬底接VDD或浮空低功耗型超低功耗(工作电流程序可控)2线通讯显示闪烁功能(程序可控制)AiP9792推出COG产品带按键和背光驱动型带按键扫描PWM背光LCD工作电压可调AiP31721显示帧频65Hz,200Hz程序可选,可驱动VA液晶全静态型显示模式2*118全静态驱动,工作电流典型300uA4线串行接口具有关机指令,典型静态电流小于0.5uA字符型LCD驱动>概述字符型点阵LCD驱动电路本身具有字符发生器,可以显示字母、数字符号、中文汉字以及自定义图形,显示容量大,功能丰富。
电路内部由显示RAM、字库、字符生成器、显示驱动和控制逻辑组成,可以通过通讯接口与微处理器进行通讯,实现LCD的显示驱动。
另部分产品具有内建两倍压、显示图形等特色功能。
FSC型号
DIP-7 DIP-8 7-MLSOP DIP-8 SOP-8 DIP-8 SOP-8 DIP-8 SOP-8 DIP-8 SOP-8 DIP-8 SOP-8 TO-220F-5L TO-220F-5L TO-220F-5L TO-220F-5L TO-220F-5L TO-220F-5L TO-3PL-7L DIP-8 SOP-8 DIP-8 SOP-8 SOP-8 DIP-8
备注
★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ 7 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77
FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC FSC
DIP-8 DIP-8 DIP-8 DIP-8 DIP-8 DIP-8 DIP-8
FAN7530M FAN7530MX FAN7930M FAN7930MX FAN7930BM FAN7930BMX FAN7930CM FAN7930CMX FAN6961SZ FAN6961DZ FAN6961SY FAN6921MLMY FSFR2100U FSFR2100 FSFR2000 FSFR1900 FSFR1800 FSFR1700 FSFR1600 FSFR1600L FSFR1700L FSFR1800L FSFR2100US FSFR1800US FSFR1700US FSFR2100USL FSFR1800USL FSFR1700USL FSFR2100XS FSFR1800XS FSFR1700XS FSFR1600XS FSFR2100XSL FSFR1800XSL FSFR1700XSL FSFR1600XSL
9n50c资料
2.0
VGS = 10V 1.5
1.0 VGS = 20V
0.5 ※ Note : TJ = 25℃
0
5
10
15
20
25
I , Drain Current [A]
D
Figure 3. On-Resistance Variation vs Drain Current and Gate Voltage
2000 1600 1200
D
!
GDS
TO-220
FQP Series
GD S
TO-220F
FQPF Series
G!
●
◀▲
● ●
!
S
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDSS
Drain-Source Voltage
ID
-- 18
45
ns
--
65 140
ns
--
93 195
ns
(Note 4, 5)
--
64 125
ns
VDS = 400 V, ID = 9 A,
-- 28
35
nC
VGS = 10 V
--
4
--
nC
(Note 4, 5) --
15
--
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
500 --
ID = 250 µA, Referenced to 25°C -- 0.57
光电子KODESHI AUK选型和参考设计-奥伟斯科技为你提供
KODENSHI AUK专注于硅半导体,化合物半导体,光传感器领域33年,集团根据不同的哑群分别独立设立公司,这些公司已发展成为各自领域的专业公司,向全球提供国际水准的核心器件,广泛应用于人类未来泛在信息社会重要铸成部分的家用电器,工业设备,IT 产品等尖端数码技术产品。
KODENSHI AUK集团1972年创始于日本京都,行业内亦称为光电子集团。
经过40多年的发展,集团在全球拥有多个研发、生产基地及全球化销售网络,成员遍及中国、日本、韩国、美国、新加坡等多个国家,如今已成为世界一流的半导体公司。
为了致力于中国市场,服务中国客户,集团早在1992年即进入中国,先后在沈阳、大连、深圳、上海等地投资创建沈阳中光电子有限公司、可天士半导体(沈阳)有限公司等多家企业。
并在北京、上海、深圳、青岛、合肥、成都、厦门、西安、香港、台湾等地设有销售公司及办事处。
可天士半导体(沈阳)有限公司作为KODENSHI AUK集团在华拓展中国市场的的主导品牌,继承了集团产品的高品质、高信赖性的基因,用高品质产品和一流的技术服务于大中国区客户。
拥有从Wafer制作、IC设计到产品封装,直至模块开发,OEM/ODM等业务的专业能力。
主要大中国区域的新产品开发、市场开拓、渠道管理、技术支持、售后服务等相关业务。
公司自成立以来,始终坚持以快速设计开发能力和高品质保证提供给客户优质的产品,荟萃业界精英,将国外先进的技术、管理方法及企业经验与国内企业的具体实际相结合,使企业在激烈的市场竞争中始终保持竞争力,实现企业快速、稳定地发展。
公司先后通过了TS16949、ISO9001、ISO14001、OHSAS18001等认证。
沈阳中光电子有限公司成立于1992年8月,注册资本17,452,140美元。
公司位于沈阳经济技术开发区,现有员工2000多名,主要从事光电二极管、光电三极管、光电开关、光电编码器、纸张感应器,光电耦合器等光电器件的开发、生产与销售。
FQP12N60C中文资料
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, October 2003
元器件交易网
FQP12N60C/FQPF12N60C
Typical Characteristics
V Top : 15.0GSV
10.0 V 8.0 V 7.0 V 6.0 V 5.5 V 5.0 V 101 Bottom : 4.5 V
(Note 2)
IAR
Avalanche Current
(Note 1)
EAR
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
PD
Power Dissipation (TC = 25°C)
- Derate above 25°C
Figure 5. Capacitance Characteristics
Capacitance [pF]
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
VGS, Gate-Source Voltage [V]
IDR, Reverse Drain Current [A]
2.0 --
4.0
V
VGS = 10 V, ID = 6 A
-- 0.53 0.65
Ω
VDS = 40 V, ID = 6 A
(Note 4) --
13
--
S
Dynamic Characteristics
Ciss
Input Capacitance
Coss
特灵风机盘管机组技术参数
5.69
7.2
8.82 10.73 14.17 17.61 20.16 23.43
0.18 0.23 0.27 0.33 0.44 0.53 0.62 0.71
20
30
30
34
35
40
40
50
3.56 4.52
5.6
7.24 8.79 10.76 12.22 14.02
5.4
6.72 8.43 10.37 13.35 16.64 18.87 21.79
56
72
86
108
40
41.5
44
47
66
84
99
118
42.5
45
47
48.5
13
15
16
19
1
1
1
1
2排 1.8MPa 铜管串亲水铝翅片 离心前向多翼型 单相电容型 Rc 3/4" 一次冲压成型 R 3/4" 回风箱,过滤器,温控器,电加热,特殊水盘
备注:
1、冷、热量,水量及水阻力参数均为高速档参数。 2、制冷工况:进风干湿球温度DB/WB: 27/19.5℃,冷冻水进出水温度:7/12℃。 3、制热工况:进风干球温度DB: 21℃,热水进水温度60℃,水流量与制冷工况相同。 4、附件的选项可参考型号编码表。
备注: 各型号电加热配置的电加热量如下:
单位:kW
型号
02
03
04
05
06
08
10
12
14
加热功率
0.5
1.0
1.4
1.6
1.8
2.8
3.2
3.6
4.6
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Notes:
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 5.6mH, I AS = 13A, V DD = 50V, R G = 25 Ω, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ 13A, di/dt ≤ 200A/µs, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Pulse Test: Pulse width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%
5. Essentially Independent of Operating Temperature Typical Characteristics
f = 1.0MHz
C oss Output Capacitance
--180235pF C rss Reverse Transfer Capacitance --
2025pF Switching Characteristics
t d(on)Turn-On Delay Time V DD = 250V, I D = 13A R G = 25Ω
(Note 4, 5)
--2560ns t r Turn-On Rise Time --100210ns t d(off)Turn-Off Delay Time --130270ns t f Turn-Off Fall Time --100210ns Q g Total Gate Charge V DS = 400V, I D = 13A V GS = 10V
(Note 4, 5)
--4356nC Q gs Gate-Source Charge --7.5--nC Q gd Gate-Drain Charge
--18.5--nC Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current ----13A I SM Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ----52A V SD Drain-Source Diode Forward Voltage V GS = 0V, I S = 13A
---- 1.4V t rr Reverse Recovery Time V GS = 0V, I S = 13A
dI F /dt =100A/µs (Note 4)
--100160ns Q rr
Reverse Recovery Charge
--
0.35
--µC
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
LIFE SUPPORT POLICY
FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.
As used herein:
1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user.
2. A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.
PRODUCT STATUS DEFINITIONS
Definition of Terms
Datasheet Identification Product Status Definition
Advance Information Formative or In
Design This datasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.
Preliminary First Production This datasheet contains preliminary data, and
supplementary data will be published at a later date.
Fairchild Semiconductor reserves the right to make
changes at any time without notice in order to improve
design.
No Identification Needed Full Production This datasheet contains final specifications. Fairchild
Semiconductor reserves the right to make changes at
any time without notice in order to improve design. Obsolete Not In Production This datasheet contains specifications on a product
that has been discontinued by Fairchild semiconductor.
The datasheet is printed for reference information only.
Rev. I19。