模拟电子技术 4、场效应管

模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本

（2） A um
( Rc // Rc )
rbe

30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1）画出直流通路和微变等效电路（6 分）。（2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4

U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C

模拟电子技术判断题

模拟电子技术判断题-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII1，在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

√2，因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

×3，二极管在工作电流大于最大整流电流If时会损坏。

×4，只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

×1，可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。

×2，MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。

√3，NMOS管存在异电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。

×4，结型场效应管外加的栅源电压应是栅源间的PN结反偏。

√5，场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。

√1，放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。

×2，共发射极放大电路由于输出电压与输入电压反相，输入电阻不是很大而且输出电阻又较大，估很少应用。

×3，单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的横流特性来抑制温漂。

√4，乙类互补对称功率放大电路输出功率越大，功率管的损耗也就越大，所以放大器效率也越小。

×5，OCL电路中输入信号越大，交越失真也越大。

×6，直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。

√1，直流负反馈只存在于直接耦合电路中，交流负反馈只存在于阻容耦合电路中。

×2，若放大电路的A＞0，则接入的反馈一定是正反馈，若A＜0，则接入的反馈一定是负反馈。

×3，共集电极放大电路，由于Au≤1，估该电路没有负反馈。

×4，当输入信号是一个失真的正弦波，加入负反馈后能使失真减小。

×5，负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能，对反馈环路之外电路无效。

√6，在深度负反馈放大电路中，只有尽可能的增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。

《模拟电子技术》试卷(十套附答案)

《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。

2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。

３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。

４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。

５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。

６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。

二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则（）。

A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。

Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。

Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。

模拟电子技术(填空题)

5．某差分式放大电路两输入端的信号为vi1=12mV，vi2=4mV，差模电压放大倍数为Avd＝－75，共模电压放大倍数为Avc＝－0.5，则输出电压vo为 -604mV 。
7．理想情况下，_高通滤波器___________________在f→无穷时的电压增益就是其通带电压增益。
6、在电压放大电路中，输入交流信号在整个周期内都有电流流过放大器件，这种工作方式通常称为甲类放大。
7、产生正弦波振荡的条件是 1 。
8、集成运放电路由差分输入级电压放大级输出级（电流放大）、直流偏置电路等四部分组成。
6、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、___选频网络、稳幅环节____四部分组成。
7，在小功率稳压电源中，其整流电路的任务是_____将交流电变成直流电（或将交流电变成小幅脉冲直流）____。
ten
1．当PN结外加正向电压时，扩散电流远大于，漂移电流，耗尽层变窄。
three
1．稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
2．在有源滤波器中，运算放大器工作在线性区；在电压比较器中，运算放大器工作在非线性区。
3．差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。
5、乙类互补对称功率放大电路的效率较高，但具有交越失真，如设置合适的偏置电路使其工作在甲乙类，就能克服这一缺点。
6、根据反馈信号在放大电路输入端与输入信号的求和形式不同，可将反馈分为串联反馈和并联反馈，其中以电流形式求和的为并联 ห้องสมุดไป่ตู้ 反馈，以电压形式求和的为串联反馈。
one
1．PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，所以PN结具有单向导电性。

模拟电子技术重要知识点整理

模拟电⼦技术重要知识点整理模拟电⼦技术重要知识点整理第⼀章绪论1．掌握放⼤电路的主要性能指标都包括哪些。

2．根据增益，放⼤电路有哪些分类。

并且会根据输出输⼊关系判断是哪类放⼤电路，会求增益。

第⼆章运算放⼤器1．集成运放适⽤于放⼤何种信号?2．会判断理想集成运放两个输⼊端的虚短、虚断关系。

如：在运算电路中，集成运放的反相输⼊端是否均为虚地。

3．运放组成的运算电路⼀般均引⼊负反馈。

4．当集成运放⼯作在⾮线性区时，输出电压不是⾼电平，就是低电平。

5．在运算电路中，集成运放的反相输⼊端不是均为虚地。

6．理解同相放⼤电路、反相放⼤电路、求和放⼤电路等，会根据⼀个输出输⼊关系表达式判断何种电路能够实现这⼀功能。

7．会根据虚短、虚断分析含有理想运放的放⼤电路。

第三章⼆极管及其基本电路1．按导电性能的优劣可将物质分为导体、半导体、绝缘体三类，导电性能良好的⼀类物质称为导体，⼏乎不导电的物质称为绝缘体，导电性能介于中间的称为半导体。

2．在纯净的单晶硅或单晶锗中，掺⼊微量的五价或三价元素所得的掺杂半导体是什么，其多数载流⼦和少数载流⼦是是什么，⼜称为什么半导体。

3．半导体⼆极管由⼀个PN结做成，管⼼两侧各接上电极引线，并以管壳封装加固⽽成。

4．半导体⼆极管可分为哪两种类型，其适⽤范围是什么。

5．⼆极管最主要的特性是什么。

6．PN结加电压时，空间电荷区的变化情况。

7．杂质半导体中少数载流⼦浓度只与温度有关。

8．掺杂半导体中多数载流⼦主要来源于掺杂。

9．结构完整完全纯净的半导体晶体称为本征半导体。

10．当掺⼊三价元素的密度⼤于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；当掺⼊五价元素的密度⼤于三价元素的密度时，可将P型转型为N型。

11．温度升⾼后，⼆极管的反向电流将增⼤。

12．在常温下，硅⼆极管的开启电压约为0．3V，锗⼆极管的开启电压约为0．1V。

13．硅⼆极管的正向压降和锗管的正向压降分别是多少。

14．PN结的电容效应是哪两种电容的综合反映。

模拟电子技术填空题答案

1，半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2，本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是自由电子，若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。

3，PN结在正偏是导通，反偏是截止，这种特性称为单向导电性。

4，当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向电压将减小。

5，整形电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单项脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6，发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7，光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8，测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。

1，晶体管从结构上可以分为PNP和NPN两种类型，它工作时有两种载流子参与导电。

2，晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。

3，晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。

4，当温度升高时，晶体管的参数增大，I增大，导通电压减小。

5，某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10uA变化到20uA时，集电极从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数约为99.6，场效应管从结构上可分为两大类：MOS场效应管、结型场效应管；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：增强型、耗尽型。

7，Ugs(off)表示夹断电压，Idss表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。

1，放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压Uo=1V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。

2，放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电阻也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。

3，共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。

模拟电子技术基础第四版习题解答完整版

模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。

( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。

图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。

五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。

模拟电子技术试卷四

试卷四一. 选择合适答案填入空内.(每空2分,共20分)1. u GS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有________。

A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管2.已知图所示电路中V CC=12V，Rc=3KΩ，静态管压降U CEQ=6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3KΩ。

若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将____。

A.R w减小B.R c减小C.V CC减小3.选用差动放大电路的原因是____。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数4. 集成运放制造工艺使得同类半导体管的______。

A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一致性好5. 当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的_____。

A.0.5B.0.7C.0.9即增益下降_____。

A.3dBB.4dBC.5dB6. 交流负反馈是指_____。

A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B.只有放大交流信号时才有的负反馈C.在交流通路中的负反馈7. 若图所示电路中晶体管饱和管压降的数值为∣U CES∣，则最大输出P om=_______。

8. 在整流电路中，是利用二极管的单相导通性将交流电转变为（）A.脉动的直流电B.电压C.电量D.功率9.电压串联反馈与电流串联反馈的放大类型为（）A.电压、互阻B.电压、互导C. 电流、互导D.电流、互阻二. 判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入空内. (每空1分,共10分)1. 结型场效应管外加的栅—源电压应使栅—源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。

（）2. 电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；（）3.只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度变化而变化。

（ C ）4.有源负载可以增大放大电路的输出电流。

（ Y ）5. 阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。

模拟电子技术基础习题(选择题)2

模拟电子技术基础习题（选择题）在下列每小题的四个备选答案中选出一个正确的答案，并将其字母标号填入题干的括号内。

（注意：括号外的字母不是参考答案）二、半导体二极管及其基本电路1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体缺陷2.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A．增大B．减小C．不变D．很难说3.在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷4.当PN结外加反向电压时，耗尽层宽度（）。

A．变宽B．变窄C．不变D．不确定5.温度升高时，晶体二极管的V D(on)将（）。

A.增大B.减小C.不变D.近似不变6.P 型半导体可以在纯净半导体中掺入（）价元素实现。

A．3 B．4 C．5 D．67.当P 型半导体和N 型半导体相接触时，在P 型和N 型半导体交界处形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域（）？A.阻挡层B.耗尽层C.空间电荷区D.突变层三、半导体三极管及放大电路基础8.下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（）。

A．共射组态B．共基组态C．共集组态D．共漏组态9.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的方法是测量（）。

A.I BB.V CEC.V BED.I C10.某个放大电路的电压增益为60dB，相当于多大的电压放大倍数？（）。

A．120倍B．60倍C．100倍D．1000倍11.由PNP 管组成的共射放大电路，若测得V CEQ=-V CC,-V CC 为电源电压，则可判断该三极管处于（）状态。

A.放大B.饱和C.截止D.击穿12.由NPN 型管组成的共射放大电路，输入u i 为正弦波，输出u0为波形，则该电路产生了（）失真。

A.频率B.交越C.截止D.饱和13.某单级放大电路的通频带为f Bω1，由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路，其总的通频带f Bω为（）。

模拟电子技术期末试卷答案

《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变，称为幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差随信号频率而变，称为相频特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；。

（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈。

（A ）感性阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）ββ2（C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

模拟电子技术1.4 场效应管.ppt

场效应管图片
半导体三极管图片
1.4.1 结型场效应管
一、结型场效应管的结构
N沟道结型场效应管：在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将
这两个P区连接在一起，引出一个电极（栅极g），在N 极两端各引出一个电极（漏极d和源极s）
导电沟道
场效应管的输入电阻很高，远远超过BJT。即外加电压时，输入电流近似为0，因此外加工作电压，应保证栅源之间耗尽层承受反向电压.
存在一定宽度的导电沟道
①UDS=0，ID=0
预夹断：UDS=UGS-UGS(off)
②UDS增大进入预夹断之前，电流iD随UDS的增大而线性增大
③UDS增大进入预夹断形成漏极饱和电流IDSS
④UDS增大进入夹断区后，电流 iD表现出恒流特性。
同样的UDS，增大|UGS|，由于导电沟道变窄，电流iD减小。
增强型N沟道耗尽型N沟道
增强型P沟道耗尽型P沟道
说明：
1、栅极和沟道用短线隔开，表示绝缘栅； 2、箭头：衬底与沟道之间由P区指向N区； 3、D、S之间是沟道：
虚线：增强型MOS管；实线：耗尽型MOS管。
二、N沟道增强型MOS管的工作原理
在通常情况下，源极一般与衬底相连，即UBS=0。
为保证N沟道增强型MOS管正常工作，应保证：
在UGS=0V时ID=0，只有当UGS＞UGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。
增强型：UGS=0时管子内没有原始的导电沟道，漏极电流是逐渐增大的。
耗尽型： UGS=0时管子有原始的导电沟道，只要漏源之间加正电压，就存在漏极电流。因此，漏极电流是逐渐减小的。
2、UDS对沟道导电能力的控制
①UDS=0，ID=0 ②UDS从零开始增大存在漏极电流，漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压UDS沿沟道递降，造成漏端电位高于源端电位。近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。即靠近漏极处的耗尽层厚度加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布。

模拟电子技术试题及答案(共18套)

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。

2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。

模拟电子技术基础第四版课件-第一章

60A 40A
20A IB=0 9 12 UCE(V)
(1-51)
4
IC(mA
) 此区域中UC1E00UBAE,
集电结正偏，
3
IB>IC，UCE800.3VA 称为饱和区。
60A
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
(1-52)
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
I,UB=B80E0<,ICA死=I区CEO 电压60，A称为截止40区A。
变薄
+ P
－+ －+ －+ －+
内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。
_ N
外电场
R
内电场
E
(1-22)
2、PN 结反向偏置
_ P
变厚
－+ －+ －+ －+
内电场被被加强，多子
的扩散受抑制。少子漂
移加强，但少子数量有
限，只能形成较小的反
向电流。
+
N
内电场
外电场
R
E
(1-23)
3 PN 结方程
I
U
I I S (e UT 1)
U
三 PN结的击穿
(1-24)
四 PN结的电容效应
PN结高频小信号时的等效电路： rd
势垒电容和扩散电容的综合效应
(1-25)
1. 2 半导体二极管
1.2. 1 半导体二极管的结构和符号
PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
点接触型
触丝线
PN结
引线外壳线

模拟电子技术期末试卷答案

《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变，称为幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差随信号频率而变，称为相频特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；。

（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈。

（A ）感性阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）ββ2（C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

模拟电子技术期末试卷5套及答案

《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴，掺杂越多，则其数量一定越少。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子扩散形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变，称为幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差随信号频率而变，称为相频特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；。

（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈。

（A ）感性（B ）阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

模拟电子技术场效应管题目与答案

我的答案：√
10【判断题】
耗尽型MOS管g-s间等效电阻与g-s所加电压的极性无关
答案：√
B、电压控制电流
C、电压控制电压
答案：B
窗体底端
4【单选题】某绝缘栅型场效应管的转移特性如图，由此可判断它是（）
窗体顶端
A、.N沟道耗尽型
B、P沟道耗尽型
C、N沟道增强型
D、P沟道增强型ห้องสมุดไป่ตู้
答案：A
窗体底端
5【单选题】场效应管的三个工作区域为( )
窗体顶端
A、截止区、放大区、可变电阻区
B、截止区、恒流区、可变电阻区
1
【单选题】结型场效应管利用栅源间所加的（）来改变导电沟道的电阻
窗体顶端
A、反向电流
B、反偏电压
C、正偏电压
D、正向电流
答案：B
窗体底端
2【单选题】绝缘栅P沟道耗尽型场效应管的图形符号是（）
窗体顶端
A、
B、
C、
D、
答案：B
窗体底端
3【单选题】场效应管的控制特性可描述为（）
窗体顶端
A、电流控制电压
C、截止区、放大区、饱和区
D、截止区、恒流区、饱和区
答案：B
窗体底端
6【判断题】
结型场效应管在uGS=0时不存在导电沟道
答案：×
7【判断题】
增强型MOS管在uGS=0时不存在导电沟道；
答案：√
8【判断题】
耗尽型MOS管在uGS=0时不存在导电沟道；
答案：×
9【判断题】
结型场效应管只有当g-s反偏时，g-s间等效电阻才很大

模拟电子技术基础第四版课后答案解析

模拟电子技术基础第1章常用半导体器件选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小电路如图所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图解图解：i u 与o u 的波形如解图所示。

电路如图所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图解图电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为。

试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：；14V ；；。

(2)并联相接可得2种：；6V 。

已知图所示电路中稳压管的稳定电压6ZU V =，最小稳定电流min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。

(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35IU V=时负载开路，则会出现什么现象？为什么？解：(1)只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。