模拟电子技术基础课后答案(共10篇)

模拟电子技术根底课后答案(共10篇)
模拟电子技术根底课后答案〔一〕: 模拟电子技术根底第三版课后习题答案
网上有很多课后题答案网站,我知道一个天天learn网站,我之前在上面找过英语的答案,没找过模电的,因为我模电买的参考书,上网找太费力了,你还不如去买本参考书了,理科的东西只看是不行的
模拟电子技术根底课后答案〔二〕: 求模拟电子技术作业答案,
单项选择题:
1.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时,其空载差模电压增益〔〕
A.增加一倍
B.不变
C.减少一半
D.减少一倍
2.表征场效应管放大能力的重要参数是( ).
A.夹断电压Vp
B.开启电压Vi
C.低频互(跨)导gm
D.饱和漏电流IDss
3.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为〔〕.
A.选频正反应
B.选频负反应
C.放大负反应
D.稳幅正反应
4.某传感器产生的是电压信号〔几乎不提供电流〕,经过放大后希望输出电压与信号成正比,放大电路应是〔〕电路.
A.电流串联负反应
B.电压串联负反应
C.电流并联负反应
D.电压并联负反应
5.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态是〔〕
A.截止或放大
B.截止或饱和
C.饱和或截止
D.已损坏
多项选择题:
1.放大电路的三种组态中,只能放大电压或放大电流的是〔〕.
A.共射组态
B.共集组态
C.共基组态
D.0
2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔〕
A.起振电路
B.选频网络
C.稳压电路
D.滤波电路
3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔〕
A.抑制共模信号
B.放大差模信号
C.虚短
D.虚断
4.差动放大电路〔〕
A.能抑制零漂
B.提高输入电阻
C.减小输出电阻
D.增益与输出方式有关
5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔〕工作状态.
A.甲类
B.乙类
C.甲乙类
D.丙类
判断题:
1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔〕
A.错误
B.正确
2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔〕
A.错误
B.正确
3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔〕
A.错误
B.正确
4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔〕
A.错误
B.正确
5.正弦振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的负反应放大电路.〔〕
A.错误
B.正确
6.反相比例运算电路引入的是负反应,同相比例运算电路引入的是正反应.〔〕
A.错误
B.正确
7.电流负反应可以稳定输出电流,电压反应可以稳定输出电压.( )
A.错误
B.正确
2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔BCD 〕
A.起振电路
B.选频网络
C.稳压电路
D.滤波电路
5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔ABD 〕工作状态.
A.甲类
B.乙类
C.甲乙类
D.丙类
3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔CD 〕
A.抑制共模信号
B.放大差模信号
C.虚短
D.虚断
4.差动放大电路〔AD 〕
A.能抑制零漂
B.提高输入电阻
C.减小输出电阻
D.增益与输出方式有关
判断题:
1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔A 〕
A.错误
B.正确
2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔B 〕
A.错误
B.正确
3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔A 〕
A.错误
B.正确
4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔A 〕
A.错误
B.正确
模拟电子技术根底课后答案〔三〕: 有没有《电工与电子技术根底》主编毕淑娥的课后练习答案
我有不齐全的
模拟电子技术根底课后答案〔四〕: 模拟电子技术根底题,
1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在〔〕状态,但其两端电压必须〔〕,它的稳压值才有导通电流,否那么处于〔〕状态.
A、正偏
B、反偏
C、大于
D、小于
E、导通
F、截止
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,那么三个电极分别是〔〕,该管是〔〕型.
A、〔
B、
C、E〕 B、〔C、B、E〕 C、〔E、C、B〕
D、〔NPN〕
E、〔PNP〕
3、对功率放大器的要求主要是〔〕、〔〕.
A、Uo高
B、Po大
C、功率大
D、Ri大
E、波形不失真
4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、增大
E、减小
5、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、增大
E、减小
很简单.
1、B；C；F；
2、C；D；
3、B、E
4、B、E；
5、B、E〔重复了〕
模拟电子技术根底课后答案〔五〕: 模拟电子技术晶体管放大电路
问题来自课本,《模拟电子技术根底》第四版华成英童诗白主编
1.第96页中图
2.
3.13〔d〕中1/h22〔即rce〕的电流方向如何请看97页式〔2.3.7b〕是不是可以判断.
2.再看第103页图2.2.5〔a〕,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾
3.再看第194页图
4.2.10〔b〕中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗
1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.
请问rce中的电流方向到底如何
谢谢requis能答复得这么详细,不过对你的答复我有些疑问,以下为疑问和我的理解：
1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的
电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13〔c〕中的负载线,可以知道dic(即Ic)和
duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13〔c〕中的负载线上直观的看到ic增大〔相当于dic为正〕,Q点上
移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明：Ic与rce电流相反.
2.我2问中的图是103页图2.
3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问：如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.
1问
其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.
在文中下一页的对h参数方程2．3．7a／b的解释.我们可以知道1／h22为晶体管ce结动态电阻,或称交流内阻.
形象的说,如果ib＝0,那么模型中的h12ib为零,等效去掉受控恒流源的时候,ce结就成为一个大电阻,在UBE的作用下产生一个微小的ic值.所以我们可以知道了,1／h22中真实的电流方向是与ic一致的,即图中为向下.因为它本身就是ic的一局部.这点在97页的h参数方程中,ic＝h21eib+h22eUbe,下文中也有说到“第二项由UBE产生一个电流,因而h22e为电导〞.
2问：
没搞明白,你说的页码跟图号都不对头,“如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,〞也没找到,略过.
3问：
rce1与1／h22e是一样的,所以电流方向自然一样.而rce2,从图4．2．10b
中,或公式4．2．15中,都可以看出,rce1/rce2/RL是并联关系,所以其真实方向也是一致的.不要被图4．2．10a迷惑,那是直流电路,标的也都是直流态的方向.
4.2.15公式,表示在RL大到不可忽略rce1/rce2的情况下的Au,这个时候实际上镜流源的意义已经失去.镜流源是为了在实用电路的交流模型中剔除掉Rc 电阻,使实用电路的交流模型能够与图2．3．13d一致〔2．3．13d并非实用电路的交流模型,这点要搞清楚〕.所以实际上4．2．15公式的Au,是不具有实用价值的,因为rce在实际中是不可控参量.所以实际电路,都把RL【模拟电子技术根底课后答案】
模拟电子技术根底课后答案〔六〕: 关于PN结的问题
《模拟电子技术根底》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N 指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的自由电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——自由电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.
你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合
模拟电子技术根底课后答案〔七〕: 某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应
某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应
A．(A) 电压串联
B．(B) 电压并联
C．(C) 电流串联
D．(D) 电流并联
这是注册电气工程师考试的一道真题,按照一本参考书的理论解释所选答案绝非网上流传的答案,请高手帮助看看哪个才是正确答案,劳烦说明理由.
1、要稳定电流,必须用电流反应.
2、信号源内阻很大,可以把它视作一个恒流源,可以通过减小放大电路的输入电阻,以使得电路获得更大输入电流,应该使用并联反应.
所以D是正确答案.这个题目你可以参考,童诗白的《模拟电子技术根底》第四版,P292页,写得非常清楚.
前面的朋友答复的结果不准确.【模拟电子技术根底课后答案】
模拟电子技术根底课后答案〔八〕: 电路与模拟电子的简单问题求解
判断〔1〕半导体三极管的集电极电流仅由多数载流子的扩散运动形成。

〔2〕场效应管是一种电压控制器件，由漏-源电压Uds控制漏极电流Id。

第一题：错。

集电极电流是少子漂移运动形成的。

参考童诗白的《模拟电子技术根底》第四版，大概是第30页吧；
第二题，错。

第一半句是对的，后半句错误，应该是栅源电压UGS控制漏极电流Id。

这个问题随便找一本模电书都可以找到。

模拟电子技术根底课后答案〔九〕: PN结正向偏置处于导通状态下载流子扩
散的疑惑
根据《模拟电子技术根底〔第四版》,PN结不接外电压时,P区的空穴向N区扩散,与自由电子复合；同理N区的自由电子向P区扩散,与空穴复合,形成空间电荷区.于是阻止扩散运动的进行.
但是,当PN结正向偏置时,正向电压削弱了内电场,扩散运动加剧.但是这时为什么扩散的自由电子和空穴不会复合,从而增宽空间电荷区来阻止扩散的进行PN结的内电压究竟有多大
因为这时有外加电压使PN结中的空穴和电子定向移动,就向导体中的自由电子永远和导体中的之子量相等,只不过有后续补充,对导体断电后,电流立即消失,永远呈中性.
一般硅结为0.6~0.7V,锗结为0.2~0.3V,计算时均去低的.
你不了解为何会源源不断有电流,因为电源就是那个强大的“源〞,同时当外加电源电压小于PN结内部电势,克服不了内部压差,就不会有电流,这就是你说的源会断的,因为复合完了,后续复合跟不上了.而当外加电源大于时内部压差时,就会扭转内部局势而出现电流.
模拟电子技术根底课后答案〔十〕: 反向比例运算电路采用了电压并联负反应输入电阻不是应该很低吗可是在电路中的R1不是是根据我们自己的需
是很低,不过你观察一下反应接入的位置,是在R1后面,这个输入电阻R"与R1是串联关系.R"可以很小,而对于整个系统而言,系统的输入电阻是〔R1+R"〕,主要由R1来决定,所以你还可以挑.
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