模拟电子技术基础习题.pptx

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书山有 路 二、思考和讨论题
4 多级放大电路级间耦合方式及其特点如何？各级耦合应满足什么条件？ 5 对于直接耦合多级放大电路的静态工作点 Q 的计算应注意什么问题？
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迅速增加。
（）
（6）发射结正向偏置的晶体三极管一定工作在放大状态。
（）
（7）发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。
（）
（8）放大电路的交流负载线比直流负载线陡。
（）
（9）近似估算法同样可以应用于功率放大器。
（）
（10）功率放大器的电压和电流放大倍数都大于 1。
（）
（11）自激振荡器建立振荡的条件是 AUF>1。 （12）石英晶体震荡器的特点是频率稳定度高。
）；N 型半导体的多数载流子是
（ 电子 ），少数载流子是（ 空穴 ）。
3）PN 结具有（ 单向导电性 ）性能，即加正向电压时 PN 结导通，加反向电压时的 PN 结截止。
4 硅二极管导通时的正向压降约（ 0.7 ）V，锗二极管导通时的正向压降约（ 0.2 ）V。
5 交流电流可以无失真地通过二极管. （ 错 ） 6晶体三极管有两个 PN 结，即（ ）结和（ ）结；有三个点极，即（ 极，分别用字母（ ）、（ ）、（ ）表示。
18 人们总希望放大器有（
）输入电阻和（
）输出电阻。
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二、判断题
书山有 路
（1）在硅或锗晶体中掺入五价元素形成 P 型半导体。 （2）PN 结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。 （3）晶体二极管是线性元件。
（） （） （）
4 无论哪种类型的晶体二极管，其正向电压都是 0.3V 左右。 （ ）
5 当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流
8 假设用万用表的 R×10 挡测得某二极管的正向电阻为 200Ω，若改用 R×100 挡量同一个二极管，则测得的结果将比 200Ω大
还是小，还是正好相等？为什么？ 9 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们得三个未知电极 X、Y、Z 对地电压分别为：甲管：VX=9V，VY=6V，
1-4 NPN 型三极管接成如图所示三种电路，试分析三极管 T 处于何种工作状态。设 T 的 UBE=0.7V
二、思考题
5 掺杂半导体中影响多数和少数载流子数量的最主要的因素是什么？温度变化时受影响更大的是哪种载流子？试说明原因。 6 有二个晶体管，一个β=200，ICEO=200µA；另一个β=50， ICEO=10µA，其它参数大致相同。你认为应选用哪个管子较稳定？ 7 FET 有多种类型，它们的输出特性及转移特性各不相同，试总结出判别 FET 类型及电压极性的规律。 三、 讨论题
8 在画小信号等效电路时，常将电路中的直流电源短路，即把直流电源 Vcc 的正端看成是直流正电位、交流地电位。对此如 何理解？
2-9 在简化的 BJT 的小信号模型中，两个参数 rbe 和β怎么求得？若用万用表的“Ω”档测量 b、e 两极的电阻，是否为 rbe？ 2-10 试比较图解分析法和小信号模型分析法的特点及应用范围？
4 画出直流、交流负载线 DCLL、ACLL；
5 计算电路的最大输出幅度 Uomax；
6 信号增大时，首先出现什么失真？怎样消除？
7 调整 Rb 的阻值，使电路有尽可能大的输出幅度 Uomax，此时 Rb =？，Uomax=？
2-4 已知电路参数如图所示 ,FET 工作点上的互导 gm=1ms, 设 rd 》 Rd 。 画出电路的小信号模型 ;(2) 求电压增益 Av;(3) 求放大器的输入电阻 Ri 。
第三章 多级放大电路
3-1 CC-CE 两级放大电路如图所示，已知 Vcc=12V，Rb1=180kΩ，Re1=2.7kΩ， R1=100 kΩ，R2=50 kΩ，Rc2=2 kΩ，Re2=1.6 kΩ，Rs=1 kΩ，RL=8 kΩ，β1=β2=50，rbe1=rbe2=900Ω 。 1） 画出微变等效电路
2-3 PNP 管接成如图所示电路，已知三极管的 UBE=–0.2V，β=60，Rb=472kΩ， Rc=4 kΩ，Rs=300Ω，RL=6 kΩ，Vcc=12V，UCES=–0.2V，rbb’=100Ω。
1 试计算电路的静态工作点 Q； 2 画出微变等效电路图；
3 试计算输入电阻 Ri、输出电阻 Ro、电压放大倍数 Au、Aus；
7
2 电压放大倍数 Au、Aus； 3 输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro。
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2-2 电路如图所示，已知 BJT 的β=100，VBE=-0.7V。（1）试估算该电路的 Q 点 ;(2) 画出简化的 H 参数小信号等效电路 ;(3) 求该电路的电压增益 Av , 输入电阻 Ri 、输出电阻 Ro； (4) 若 Uo 中的交流成分出现图（b） 所示的失真现象 , 问是 截止失真还是饱和失真 ? 为消除此失真 , 应调整电路中的哪个元件 ? 如何调整 ?
）极、（ ）极、（
）
7 晶体三极管的输出特性可分为三个区域，即（
）区、（
）区、（
）区。
8 放大电路按三极管的连接方式可分为（
）、（
）、（
）。
9 在放大状态下的ＮＰＮ型三极管,必定Vc（ ）VB，Ve（ ）VB.
在饱和状态下的ＰＮＰ型三极管,必定Vc（ ）VB，Ve（ ）VB.
10 三极管的共射直流电流放大系数βo 的定义是（
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《模拟电子技术》考试题型 一、判断/思考题 二、填空/改错题 三、分析与选择题 四、计算题
五、设计题
模拟电子技术习题（部分）
一、填空题
1）根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为（ 绝缘体 ）、（ 导体 ）和（ 半导体 ）三
类。
2）P 型半导体的多数载流子是（ 空穴 ），少数载流子是（ 电子
（） （）
（13）零漂一般是折算到输出端来衡量的。
（）
（14）差动放大电路的共模放大倍数实际上为零。 （15）共模抑制比越小，差动放大电路的性能越好。
（） （）
三、简答题 1 为什么温度对二极管的正向特性影响小，而对反向特性却影响很大？ 2 放大器为什么要设置静态工作点？ 3 如何确定放大器的静态工作点？ 4 什么叫作运算放大器的“虚短”“虚断”和“虚地”？ 5 功率放大器与小信号电压放大器有哪些不同？
VZ=6.7 V；乙管： VX= – 9V，VY= – 6V，VZ= – 6.2V。试分析三个电极中，哪个是发射极、基极、集电极？它们是 NPN 型 还是 PNP 型？是锗管还是硅管？
第二章 基本放大电路
一、作业题 2-1 如图所示单级共射放大电路，已知三极管的 UBE=0.7V，β=50，Rb=377kΩ，Rc=6 kΩ，Rs=100Ω，RL=3 kΩ，Vcc=12V。 试计算： 1） 电路的静态工作点 Q；
①
②
③
2
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3
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4
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4、
5、
5
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五、设计题 1、画出用运算放大器实现 Vo ＝2V1＋4V2－V3 要求的电路。 2、设计一个最大输出功率为 10W 的 OCL 功率放大器(RL=8)，确定该功率放大器的工作电压，确定该功率放大器 中的功率放大输出三极管的参数值（功耗、耐压、最大允许 IC 电流等），画出电路图，给出所用元件的参数。 3、用 78/79 系列的三端稳压芯片为 2 题的功率放大器设计其要求的直流电源，画出电路图，给出所用元件的参 数。 一、思考题：
1-1 二极管电路如下图所示 , 试判断图中的二极管是导通还是截止 , 并求 出 AO 两端电压 VA0， 设二极管是理想的。
1-2 试判断图中二极管导通还是截止 , 为什么 ?
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1-3 如图所示画出了某固定偏流放大电路中 BJT 的输出特性及交、直流负载线 , 试求 :(1) 电源电压 Vcc, 静态电流 IB 、 Ic 和管压降 VCE 的值 ;(2) 电阻 Rb ,Rc 的值 ; (3 )输出电压的最大不失真幅度 ;(4) 要使该电路能不失真地放大 , 基极正弦电流 的最大幅值是多少 ?
2 求电路的输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro。 3 计算电压放大倍数 Au、Aus
3-2 CC-CC 两级放大电路如图所示，已知三极管的β1=β2=60，rbe1=5kΩ，rbe2=1kΩ， 求电路的输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro。
3-3 三级放大电路如图所示，已知三极管 b、e 的等效电阻分别为 rbe1、rbe2、rbe3，电流放大系数分别为β1、β2、β3，写出 Ri、Ro、Au 的表达式。
四、分析题
1、用万用表测得处在放大状态的晶体三极管三个电极的对地电位是 UA=9.5V，UB=-5.9V，UC=-6.2V，试根 据此
判断晶体三极管的管脚、材料与类型。 2 测得某三极管，其电流如图（P186）所示，在图中标出各管的管脚，并说明三极管是 NPN 型还是 PNP 型？
五、计算题 4.3.5 4.3.11 4.4.3
）.
共射交流电流放大系数 β的定义是（
）.
11 三极管的交流输入电阻RBe 与管子的电流放大系数β无关（
），与集电极电流Ｉc 有关（
）。
12 ） 为 防 止失 真， 放 大 器 发 射结 电压 直 流 分 量 UBEO 应 比 输 入 信号 峰值 （ ），并 且 要 大 于 发射 结 的
（
）。
13 负反馈可分为有（
），（
），（
）和（
）等四种基本形式。
14 功率放大器一般按工和（
）放大三类。
15 单级共射放大器的输出电阻与负载电阻有关（
），与三极管的集电极电流Ｉc 无关（
）。
16 某个放大电路的电压放大增益是 100DB、80DB、40DB，所表示的放大倍数各是（