正激变换器及其控制电路的设计及仿真
使用FPS设计正激AC-DC变换器(完整版)实用资料
使用FPS设计正激AC-DC变换器(完整版)实用资料(可以直接使用,可编辑完整版实用资料,欢迎下载)使用FPS 设计正激AC/DC变换器.概要本文给出一个使用FPS 设计绕线正激式开关电源的过程。
开关电源设计是一个需要多次锻炼的多次(大量)实践的工作。
本文给出设计的步骤的等程序. 以帮助工程师设计开关电源时变得更容易, 为使设计程序更有致, 给出一套FPS 设计助于软件, 它包含了所有的公式的方程式, 并给出详尽的描述。
图1 使用FPS 的基本正激变换器电路1. 介绍由于元件少, 电路简单, 正激电路广泛用于中, 小功率电源中。
图1给出使用FPS 的基本上激电路, 也作为设计程序的参考电路。
由于功率MOSFET 和PWM 控制器做成了一体封装, 所以比分成主控元件和功率器件来得容易些。
本文提供一步步的设计过程, 它包括变压器设计, 复位电路设计, 输出滤波设计。
元件选取做循环设计。
设计过程描述可以适用于各种应用中, 此设计程序也可以设计成软件工具, 以便工程师更方便快捷地设计开关电源。
2. 设计程序的步骤该部份采用图1。
导致电路. 通常多数端子都相似。
第一步:确定系统规范.线路电压范围:V line min~ Vline max . 通常都是90~264V AC全电压范围:线路电压频率:f L. 最大输出功率P 。
预估计的效率.n ,这是为设计最大P in 预估计的数值. 通常低输出电压估为75%,高输出电压估为85% 。
有了预估的n ,则: P in =(11考滤最大功率. 据此选择FPS (或功率MOS ). 由于MOSFET 电压应为2倍V IN. 所以FPS 要800V MOSFET.FPS要有足够功率耐量.第二步:决定DC 线路电容(C). 及其耐压电磁波为:△V DC max =此外,D ch 是DC 线路电容充电的占空比. 它取决于图面. 典型为0.2, 设△V DC max 为10~15% (2 的√2V line min, 对于信压整流. 可用两电容串联, 每个电容的量要加倍.有了最大纹波电压, 则最大最DC 线路电压由下式给出:V DC min=√2V line min - △V DC (3V DC max=√2V line max (4第三步:确定变压器复位方法设最大占空比. (D max ).正激变换器一个图有的限制即是在MOSFET 关断时, 使须复位. 于是, 必须使用复位电路. 有两种最常用的方法为辅助绕组复位法, 设RCD 复位法. 根据复位方式, 设计程序有关变革.(a ). 辅助绕组复位, 图3展示出用辅助绕组复位的基本电路, 其优点是效率高,由于储存在电感中的磁能返回了输入电源,当然, 它使变压器结构变得复杂.MOSFET 上的最大电压设最大占空比电下式给出:2V ds max D max =(5 (6此处N P 及N r 为初级的复位绕组匝数.从(5),(6式见到.MOSFET 上的最大电压可随D max 减小.当然, 减小D max 会增加二次组件的电压应力. 因此一般设D max =0.45.含N P =Nr. 对辅助绕组复位,FPS 的占空比在内部已经限在50%.用于防止磁芯饱含.(b )RCD 复位, 图4给出基本电路, 用于RCD 复位的正激拓材.主要缺点为储存在励磁电感中的磁能都消耗吸收回路中了. 而不系复位绕组方式, 当然由于简单, 它也广泛用于低成本的开关电源电路中.通常的吸收回路电容上的电压电下式给出V max max (7V sn > (8由于吸收回路电容电压固定, 总是取决于输入电压,MOSFET 的电压应力, 可此用复位绕组方式减小一些, 当输入电压变化较宽时,RCD 另一优点是占空比可大于50%, 从而减轻MOSFET 电压应力. 同时, 也减小了二次侧组件的电压应力.第四步:决定输出电感电流的纹波因子.图5展示出输出电感电流, 其纹波因子由下式给出:△I3K RF =(9此处I O 是最大输出电流, 对多数实际设计, 设为K PF =0.1~0.2.一旦纹波因子确定, 则峰值电流及rms 电流由下式给出:I ds peak =IEDC × (1+KRF (10I ds rms=IEDC ×(11)此外: I EDC (12栓查MOSFET 最大峰值电流(I ds )如下:逐下电流栓侧取限流的PFS 由它选择. 第五步:确定合适的磁芯的最小级匝数, 以防磁芯饱含.实际上, 初始选择磁芯系结合向上有许多种可能. 一种方法选择合适的磁芯可参照制造商的选择便览. 如果没有合适的参照可以使用下面的公式做起始点.A P =AW ×A e =[ 1.31×104(mm4 (13此处A W 窗口面积,A e 是以mm 为单位的芯栓截面积. 如图b 所示.f s 是开关频率, △B 是最高磁密(以特斯柱为单位). △B 典型值为0.2~0.3T 对多数功率铁氧体芯. 工作在正激拓材. 注意, 最大磁密的变化量与改激拓材比是小的. 因其有剩磁.4二片定了磁芯,.N P min = ×106 (匝(14)第六步:决定变压器每个独立组匝数. 首先, . .N=(15 此处NP 及N S1为初级及次级参政的匝数.VO1为输出电压. VF1为整流二极管压降. 然后, 决定N S1及N P 整匝数. 初级磁化电感值如下式:L m =AL × NP 2 × 10-9 (16此处A L 为以nH/N2为单位的无气隙时的AL 值.第n 个输出, 则为:N S(n NS1 (17此处, VO(n为第n 组输出电压, VF(n为第n 组二极管的正向压降.下一步决定V CC 的绕组匝数, VCC 绕组匝数要根据没的复位方法.(a )辅助绕组复位. VCC 绕组由下式给出:Na= × Nr (18此处V CC *为 V CC 与整流二极管V F 之和. 由于V CC 在采用复位绕组时正比于输入电压. 因此要防止V CC 造成过压保护.(b ) RCD 复位, 对绕组匝数由下式给出:Na= × Np (19此处, V CC *对V CC 为正常电压, 由于V CC 在RCD 复位时几乎恒定. 只要选V CC *等于V CC 2~3V即可.第七步:决定每个绕组的导线直径.第n 组均方根电流由下式获得.I sec(nnm9=IO(nRF 2 × Dmax /3 (20此处I O(n是n 输出的最大电流.当采用辅助绕组复位时,复位绕组的均方根电流由下式给出:I reset rms= (21 5导线长时, 电流密度典型先为5A/mm2. 而导线短时, 匝数较少, 可选为6~10A/mm2. 为防止导线直径>1mm. 防止高频损耗,采用多根并联方式, 减小超肤数应损耗.如果是窗口面积足够, 所用面积为:A W =(22此处A C 是实际导线面积, KF 是填充系数典型为0.2 ~0.3.第八步:决定输出电感的合适的磁芯和匝数.当正激变换器有一个以上输出时, 通常采用电路一起的耦合电感. 以改善交叉调整率. 它们导用一个共同的磁芯绕向的电感.首先, 决定第n 个绕组与基准绕组的匝数, 其与变压器的匝数基本相同. 然后, 计算基准输出的电感量.L1=D min 为防止饱合,L1最小匝数为N L1 min=×106 (26min (24(23)(25此处I lim 为FPS 限流的水平,A e 是电感芯截面积. (mm 2). B sat 为饱合磁密. (物斯粒).如果没有参政数据, 可以选用0.35~0.4T.一旦N L1决定, 则N L (n )也就定出来了.第九步:决定电感每路导线直径.第Nwh 电感绕组的均方根电流由下式求出:I L(nvms = Io(n(27电密典型选5A/mm2(6~10A/ mm2. 为防漏流损耗, 并使绕制容易, 对大电流输出可用多根并联. 第十步:决定二次测的二极管的电压的电流.整流二极管的最大电压的均方根电流由下式求得:V D(n= VDC (28I D(nrms =Io(n×(29第十一步:决定输出电容及其电流纹波.输出电容的纹波电流由下式求得:I c(nrms = (30纹波电流要等于或小于电容规格给定值. 电压纹波为:△V o(nRF × Io(nR c(n (31此处C o(n为n 组输出电容的容量.R c(n为率效串联电阻. (ESR )有时, 用原一输出电容满足对驻纹波的要求是有困难的, 因其有的ESR 这样可再加一的LC. 滤波器, 注意, 不要让其在频率拐角处. 之可能会使系统不稳定, 限制系统的带绕向频为开关频率的1/5~1/10是合适的. 第十二步:设计复位电路. (a )辅助绕组复位.复位二极管的最大电压和电流为:V Dreset =V (32 I Dreset rms (33(bRCD复位对RCD 复位. 二极管最大电压和电流如下式:V DR =VDC max + Vsn (34I DRrms(35=吸收网络功耗通常用下式计算:L oss sn=-(36此处V sn 为吸收回路电容上的电压, Rsn 为吸收回路电阻,n 为N P /NSI 及Coss 是MOSFET的输出电容. 基于此功耗吸收回路电阻要合适的功耗正数, 吸收回路电容的电压由下式给出:△V sn =通常为5~10%纹波电压.(37第十三步:设计反馈环路.由于FPS 采用电流型控制方式, 如图9示, 反馈还可以简化为一个单极点和更零点的补偿电路.对于连续导通型. (CCM )工作方式, 变扶器导用FPS 给出:G VC此处W Z =.×(38R L 是控制输出V O1/PO 的有效总负载电阻.当变换器有多个输出时,DC 及低频控制-输出的传输正数正比于所有输出负载电阻的并联值, 可用匝数比的平方调整, 因此, 整个有效负载电阻用于(38)或以替代V O1的实际负载电阻, 电压电流变换比率. 个定义作:= (39此处, IPK 是峰值漏电流, VFB 为反馈电压, (在经是条件下)图10展示出控制到输出传输函数的变化,这是CCM 型正激变换器固有的好调整率. 传输函数还与输入电压变化有关系. 此时, 系统机关与DC 增益变化一起变化. 它由负载条件决定.(40此处,W 1PC .在图10中可见, 对CCM 型正激变换器最坏情况设计的反馈改就是满载条件. 因此, 用合适的相位增高反馈环设计工作于低线电压满负荷时, 要确保整个工作范围的稳定. 设计反馈环的过程如下:(a )确定交越频率f c , 当使用附加的L C 滤波器时, 交越频率位于其角频率的1/3以下,因其插入了一180°的相移, 为此, 绝不可以在附加滤波器高频之外的交叉频率处. 如果交叉频率太靠近高频率. 变换器将设计得有足够相移. 此时不管附加滤波器的影响, 要令相移大过90°.(b )确定补偿器(W i /WZC )的直流增遂, 参f c 处取消对输出增益的控制. (c )在f c /3处位于补偿器的零点. (f zc ). (d )在3f c 以上时位于补偿器的极点(f pc ).当决定了反馈电路的组件时, 还有一些限制如下:(a )电容要接到反馈端(C )在过载饱合时与点断延迟时间有关.T delay = (41此处,V SD 为点断反馈电压, 而I delay 为点断延迟电流. 这些值由数据表给定. 通常10~100ms的延迟时间对多数实际应用都是合适的, 有些情况下, 带宽可以限定. 由于在过载保护时需要延迟.(b )电阻R bios 及R D 和光耦和TL431一起用, 要设计提供给TL431合适的工作电流. 以确保FPS 的反馈电压的全涌动. 通常TL431的最小阻极电压和电流是2.5V 和1mA.因此, Rbios 及R D 设计条件如下:(43>I FB (42此处, VOP 为光耦发光二极管的正向压降, 典型为1V . IFB 反FPS 反馈电流, 它典型为1mA. 例如:R bias <1K Ω. RD <1.5K Ω.(VO1=5V时.综合资讯在线阅读原文阅读在线商城下载专区 D A T A S H E E T技术论坛商务频道嵌入式系统单片机 D S PEDA/PLD接口电路存储技术显示光电电源技术传感/控制模拟技术通信网络无线通信电测仪表消费电子汽车电子所在的位置:首页→ 技术文章→ 电源技术→ 正文入门最佳:O K-2440-I I I S3C2440A R M9开发板(开发板+培训教程+源码+开发工具红色飓风I I代-A l t e r a版USB2.0-CY7C68013-128S开发板红色飓风I I代-X i l i n x版一种基于正激变换器的开关电源设计方法发布日期:2006-03-15 作者:郑慧汤天浩韩金刚来源:变频器世界摘要:本文通过对正激变换器拓扑进行等效变换,推导出其参数计算公式,并用P s p i c e对正激变换器电路进行仿真验证。
正激变换器电流峰值控制建模
由于正激变换电路与Buck变换电路作用相似,因此在这里主要分析Buck变换电 路的cpm控制动态模型。
图 1-1 DCM Buck 变换器的 CPM 控制 图中点划线部分为二端口开关网络。电感电流与波形表 示在图 1-1b 中,这 里电流峰值控制中引入锯齿波补偿。
求解输入输出端口的受控电流源
如图 1-1b 所示,电感电流峰值为
(
s
)
0
Gvg
Fm FgGvd Fm (GvgGid GigGvd 1 Fm (Gid FvGvd )
)
其中 GvgGid GigGvd 0
Gvg cpm
(s)
Gvg 1 Fm
Fm FgGvd (Gid FvGvd
)
DR N
1 den(s)
Fm Fg
VR D
1 den(s)
1
Fm
(
V D
图 1-2 开关网络端口变量
1 sCR den(s)
其中,den(s) s2LCR sL R
Gvg
(s)
vˆ(s) vˆg (s)dˆ(s)0
DR N
1 den(s)
Gig (s)
iˆL (s) vˆg (s)dˆ(s)0
D N
1 sCR den(s)
锯齿波补偿的峰值电流控制中:
dˆ(t)
1 M aTs
iˆc (t)
Fm
1 M aTs
Fg
D2Ts 2NL
Fv
(1 2D)Ts 2L
电流控制器的框图
电流峰值控制正激变换器的小信号模型
正激变换器的传递函数 dˆ
vˆ(s) Gvd (s)dˆ(s) Gvg (s)vˆg (s) iˆL (s) Gid (s)dˆ(s) Gig (s)vˆg (s)
正激式零电压转换开关电源设计及PSPICE仿真
2001年第19卷第3,4期 长春邮电学院学报 2001 V o l119 N o13,4 JOU RNAL O F CHAN GCHUN PO ST AND TEL ECOMMUN I CA T I ON I N ST ITU TE文章编号:100021794(2001)0320094205正激式零电压转换开关电源设计及PSP I CE仿真α刘大年(扬州大学工学院,江苏扬州 225009)摘要:利用电子电路分析程序PSP I CE(Pers onal Si m ulati on P rogram w ith In tegrated C ircuit)软件,设计了一种基于正激式Z V T2P WM(零电流转换脉宽调制)变换器的开关稳压电源,分析了变换电路的工作过程,仿真结果表明了理论分析和参数计算的正确性。
关键词:脉宽调制:开关电源;仿真;正激式;零电流转换中图分类号:TN702 文献标识码:A引 言 传统的P WM(脉宽调制)开关电源中应用的硬开关技术,其主要缺点是随着开关频率的提高,开关过程引起的功耗占功率元件总损耗的比重较大,且元件易受过电压和过电流损坏。
目前较好的解决途径是采用软开关技术。
软开关技术可较大地减小开关损耗,提高开关变换器的效率,其开关频率可达到几十千赫兹,从而使DC DC变换器的高性能、小型化成为可能。
笔者利用PSP I CE(Pers onal Si m ulati on P rogra m w ith In tegrated C ircuit)设计了基于正激式零电压转换脉宽调制变换器的稳压电源,它是在Z V T2P WM变换器的基础上,引入了反馈控制环节,从而构成开关稳压电源,使其输出电压对输入电压和负载参数的变化不敏感。
文中对Z V T2P WM电路的工作过程作了分析,进行了参数设计,针对具体的电路模型作了电路动态和稳态的仿真,给出了运行波形和分析结果。
1 PSP I CE的功能和特点 随着计算机技术的发展,计算机辅助设计与分析(CAD CAA)技术也有了较大的发展,而在电子设计领域中,该技术发展成为电子设计自动化(EDA),并已在电路与系统的设计中发挥了极其重要的作用,PSP I CE是美国M icroSi m公司开发的电子线路设计仿真的微机版EDA软件,具有较高的分析计算能力和精度,其主要功能有:1)直流的工作点、直流小信号传输函数、直流转移特性曲线分析;2)交流小信号的频域分析、噪声α收稿日期:2001208226作者简介:刘大年(1962— ),男,江苏扬州人,扬州大学工学院电气工程系讲师,主要从事高频功率电子电力变换技术及感应电机变频技术的研究。
正激变换器及其控制电路的设计及仿真设计
正激变换器及其控制电路的设计及仿真设计要求:1、输入电压:100V(±20%);2、输出电压:12V;3、输出电流:1A;4、电压纹波:<70mV(峰峰值);5、效率:η>78%;6、负载调整率:1%;7、满载到半载,十分之一载到半载纹波<200mV。
第一章绪论1.课题研究意义:对于大部分DC/DC变换器电路结构,其共同特点是输入和输出之间存在直接电连接,然而许多应用场合要求输入、输出之间实现电隔离,这时就可以在基本DC/DC 变换电路中加入变压器,从而得到输入输出之间电隔离的DC/DC 变换器。
而正激变化器就实现了这种功能。
2.课题研究容:1、本文首先介绍了正激变换器电路中变比、最大占空比和最小占空比、电容、电感参数的计算方法,并进行了计算。
2、正激变换器的控制方式主要通过闭环实现。
其中闭环方式又分为PID 控制和fuzzy 控制。
本文分别针对开环、PID 控制,fuzzy 控制建立正激变换器的Matlab 仿真模型,并进行仿真分析了,最后对得出的结果进行比较。
第二章:正激电路的参数计算本章首先给出正激变换器的等值电路图,然后列出了正激变换器的四个主要参数的计算方法,并进行了计算。
1、正激变换器的等值电路图图1 正激变换器等值电路图2、参数计算 (1)变比n根据设计要求,取占空比D=0.4,根据输入电压和输出电压之间的关系得到变比:n=D U U out in ⨯=4.012100⨯=3.3 (2) 最大、最小占空比最大占空比D max 定义为D max =()nU U U in dout 1min ⨯+, 式中U in(min) =100-20=80V ,U out =12V ,n=3.3,,U d 为整流二极管压降, 所以D max =0.495。
最小占空比D min 定义为D min =()nU U U in dout 1max ⨯+, 式中U in(max) =120V , 所以D min =0.333。
正激变换器的设计40页PPT
41、实际上,我们想要的不是针对犯 罪的法 律,而 是针对 疯狂的 法律。 ——马 克·吐温 42、法律的力量应当跟随着公民,就 像影子 跟随着 身体一 样。— —贝卡 利亚 43、法律和制度必须跟上人类思想进 步。— —杰弗 逊 44、人类受制于法律,法律受制于情 理。— —人 自由发 挥自己 的才能 ,而不 是为了 束缚他 的才能 。—— 罗伯斯 庇尔
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71、既然我已经踏上这条道路,那么,任何东西都不应妨碍我沿着这条路走下去。——康德 72、家庭成为快乐的种子在外也不致成为障碍物但在旅行之际却是夜间的伴侣。——西塞罗 73、坚持意志伟大的事业需要始终不渝的精神。——伏尔泰 74、路漫漫其修道远,吾将上下而求索。——屈原 75、内外相应,言行相称。——韩非
双管正激电路的设计与仿真3-10(开环设计与仿真)2010
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(1)滤波电感设计
① 电感量计算; ② 磁芯选取
a. 电感磁芯材料的选取:
•
有较大的直流偏磁,磁通摆幅小,相应交流损耗 也小,因此可以选择较高的饱和磁密。应选取( 铁氧体、铁粉芯、铁铝硅Kool u、MPP、 high flux 、非晶等 );----
49
(2)滤波电感设计
② 磁芯选取
b. 初选磁芯型号:
双管正激电路的设计
一.开环设计;
二.开环仿真(瞬态)、分析与模型细化; 三.闭环设计与仿真; 四.闭环仿真; 五.元件级仿真。
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开环仿真(瞬态)、分析与模型细化
(1)原理图编辑 (2)仿真模拟 (3)仿真结果分析 (4)模型细化
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(3)仿真结果分析
① 输出电压纹波;
– 电容电流波形
② 电感电流波形(DCM、CCM);
– Vout 28VDC – Vout(p-p) <100mV – Iout 2- 20A,在所有负载下,电路工作于CCM
• 其他性能:
– 开关频率 100kHz
5
(2)双管正激电路的工作原理
• 主电路拓扑选择
– 非隔离式拓扑 X
– 隔离式拓扑:单端正激、单端反激、推 挽、全桥、半桥、双管正激等;
• 其他设置
– 基本、输入输出、校准、数值积分、算法
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Analysis > Time Domain > Transient :
Basic
• End Time:定义瞬态分 析结束时间; • Time Step:步长;
– 设计中有关时间常数的 1/10; – 驱动源最小的上升或下 降沿; – 正弦驱动源输入周期的 1/100。
单端正励变换器的建模及应用仿真
单端正励变换器的建模及应用仿真按照输入与输出间是否有电气隔离,可分为非隔离DC/DC变换电路和带隔离变压器的隔离DC/DC变换电路。
根据电路中主功率开关器件的个数,分可为单管、双管和四管三类。
单管隔离:正激(Forward)和反激(Flyback);双管隔离:推挽(Push-Pull)和半桥(Half-Bridge);四管隔离:全桥(Full-Bridge)。
根据变压器的磁芯磁复位方法的不同,正激电路包含多种不同的拓扑结构。
在电路输入端接复位绕组是最基本的磁芯磁复位方法。
单端正励变换器的电路,如图1所示。
开关S采用PWM控制方式、VD1是输出整流二极管、VD2是续流二极管、L和C是输出滤波电感和滤波电容。
隔离变压器有三个绕组,原边绕组W1,匝数N1;副边绕组W2,匝数N2;复位绕组W3,匝数N3。
绕组中标有“•”的一端为同名端。
VD3是复位绕组W3的串连二极管。
图1单端正励变换器原理图图2开关S导通图3开关S 关断单端正励变换器工作原理分析正激电路在一个开关周期内经历开关导通、关断2个开关状态,如图2和图3所示。
对应于一个开关周期T 的两个时段:t 0~t 1和t 1~t 2。
① t 0~t 1时段在t =t 0时刻,开关S 受激励导通,变压器励磁,绕组W 1的电压u W1为上正下负,副边绕组W 2的电压也是上正下负,输出整流二极管VD 1导通,续流二极管VD 2截止,输出滤波电感L 电流i L 逐渐增长。
11W in d u N U dt Φ==(1) 22W d u N dt Φ= (2) 由(1)和(2)可得:221W in N u U N = (3)在这一时段,加在滤波电感L 上的电压为u W2-U o ,于是有221iL W o in o t d N u U L U U d N -==- (4)当t =t 1,Δt 1=t 1-t 0=t ∞时,i L 从最小值I Lmin ,i L 的增加量221in o W o L on N N U U u U i t DT L L +--∆== (5)式中,D=t on /T ,称为占空比;t on 为开关S 的导通时间。
saber的双管正激变换器的设计与模拟
doi:10.3969/j.issn.1009-3230.2019.10.003Saber的双管正激变换器的设计与模拟王㊀丹(黑龙江省能源研究所ꎬ哈尔滨150001)摘㊀要:为设计一款高效率㊁低功耗的双管正激DC/DC直流变换器ꎬ研究了系统主电路㊁控制电路及反馈回路ꎬ计算个电路中的主要参数ꎬ采用数模混合仿真软件Saber对变换器模型进行模拟ꎬ利用仿真结构优化了电路参数ꎮ结果表明:动态响应速度很快ꎬ输出电压上升时间接近0sꎬ经过2ms达到稳定ꎬ而且稳定后振荡很小ꎬ电压为15Vꎬ电流为2Aꎬ该研究有助于缩短开发周期㊁降低设计成本ꎮ关键词:双管正激ꎻSaberꎻ控制环路ꎻ仿真中图分类号:TM769㊀㊀文献标志码:B㊀㊀文章编号:1009-3230(2019)10-0009-03DesignandSimulationofSaber sDouble-TubeForwardConverterWANGDan(EnergyResearchInstituteofHeilongjiangProvinceꎬHarbin150001ꎬChina)Abstract:Inordertodesignahighefficiencyꎬlowpowerconsumptionꎬdouble-switchforwardDC/DCconverterꎬthemaincircuitꎬcontrolcircuitandfeedbackloopofthesystemarestudiedandthemainparametersinthecircuitarecalculated.Thedigital-analoghybridsimulationsoftwareSaberisusedtosimulatetheconvertermodelandthecircuitparametersareoptimizedusingthesimulationstructure.Theresultsshowthatthedynamicresponsespeedisveryfastꎬtheoutputvoltagerisetimeiscloseto0sꎬtheoutputvoltageisstableafter2msꎬandtheoscillationissmallafterstabilization.Thevoltageis15Vandthecurrentis2A.Thisstudyhelpstoshortendevelopmentcycleandreducedesigncost.Keywords:two-transistorforwardꎻSaberꎻcontrolloopꎻsimulation0㊀引㊀言收稿日期:2019-09-10㊀㊀修订日期:2019-09-26作者简介:王㊀丹(1986-)ꎬ女ꎬ主要从事电气工程与节能技术研究ꎮ双管正激变换器相对于单管正激变换器ꎬ优势在于开关管所承受电压降低ꎬ输入端的直流电压可以更大ꎬ而且不需要磁复位电路来防止高频变压器磁饱和ꎬ该电路结构采用二极管与开关管串联ꎬ简单可靠ꎬ因此双管正激变换器具有其他变换器无法比拟的优点ꎬ被广泛应用与高输入电压的中㊁大功率等级的电源产品中ꎮ笔者具体阐述了双管正激电路中补偿网络以及调制器的设计ꎬ拟采用仿真来证明系统具有瞬态响应特性好㊁输出电压纹波小等优点和所设计系统的正确性ꎮ1㊀工作原理一次绕组侧从全桥电路对角线ab间接出ꎬ两Mos管栅压同相ꎬ脉宽均为DT(D<0.5)ꎬ当Q1㊁Q2同时导通时ꎬD3正偏导通ꎬ直流电源向负载供电ꎻ当t>DT时ꎬQ1㊁Q2同时关断时ꎬ为了维持负载电流连续ꎬ反并二极管D4正偏导通ꎬ电感电流由D3移到D4中ꎻ为了维持变压器磁化电流连续ꎬD1和D2正偏导通ꎬD3反偏截止ꎬ磁化电流移到D1和D2中ꎬ磁化电流开始线形下降ꎬ起着磁复位电路的作用[1]ꎮ92019年第10期(总第262期)㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀应用能源技术㊀2㊀电路参数设计指标为:输入直流电压范围144~156Vꎻ输出直流电压15Vꎻ输出额定电流2Aꎻ效率85%ꎻ开关频率200kHzꎻ是参数的计算:(Vout:输出直流电压ꎬVin:输入直流电压ꎬVd:输出整流二极管压降ꎬΔVo:输出纹波电压ꎬD:额定占空比ꎬIoc:临界电流ꎮ)VoutʈVinˑ1/nˑD(1)其中ꎬ输出直流电压15Vꎬ输入直流电压150Vꎮ因为磁复位ꎬ正激变换器占空比D<0.5ꎬ取D=0.3ꎮ故得n=3ꎮ根据公式:D=Vout+VdVinˑ1/n(2)㊀㊀当输入电压取最小值Vin(min)=144VꎬVd=0.7ꎬ可得Dmax=0.3302ꎻ当输入电压取最小值Vin(min)=156VꎬVd=0.7ꎬ可得Dmin=0.3048ꎻ考虑输出二极管压降ꎬ输入电压取Vin=150Vꎬ重新求占空比D=0.317ꎮ本次工作在连续模式ꎬ最大的临界电流ꎬ该电流以上绝对为连续模式ꎮ令Ioc(max)=10%ˑIon=纹波电流一半:L=(Vout+Vd)ˑ(1-Dmin)2ˑIoc(max)ˑf=0.53μH(3)㊀㊀实际情况中ꎬ电容中有ESR引起的纹波主要由ESR引起ꎬ而不是电容值ꎬ电容值足够大ꎬ放充电引起的纹波可忽略ꎮ令输出纹波:ΔVo(max)=ESRˑΔiL(max)=1%ˑVout(4)ESR=1%ˑVoutΔiL(max)=0.120.2ˑ2=0.3㊀㊀因为一般情况电容值与ESR值是一个常数ꎬ该常数等于65ˑ10-6ꎬ因此ꎬC=260μFꎮ3㊀仿真模型3.1㊀平均电路模型Saber将DC/DC功率变换电路简化为一个模型 平均模型电路[2]ꎬ在平均模型电路中ꎬ用双管正激变换器替换功率转换电路的理想开关ꎬ消除了与开关管有关的非线性后ꎬ波形中存在开关分量ꎬ平均模型可在电路中分析小信号频率ꎮ3.2㊀设计补偿电路反馈回路未进行补偿ꎬ先将控制电压作为平均模型的输入信号源进行瞬态响应仿真ꎬ然后以瞬态分析的最终点作为交流分析的工作点ꎬ改小信号电压源为信号源执行小信号交流分析[3]ꎮ对1000个对数空间数据点采样ꎬ在SaberScope中ꎬ即可绘制没有补偿的输出电压Vout的增益与相移ꎮ可以看出ꎬ没有补偿的传递函数的穿越频率为2.2kHzꎬ相位裕量为47.03ʎꎮ此时系统相位裕量大于45ʎꎬ穿越频率处的增益曲线斜率为-1ꎬ缺点是静态增益太小ꎬ仅仅25.9dBꎮ为了消除或减小系统静态误差ꎬ在曲线0Hz处就以-1或-2的斜率下降ꎮ根据稳定环路的第一准则:在系统开环增总增益为1处ꎬ在交越频率的总开环相移必须要小于360ʎꎮ第二个准则是:为防止-2增益斜率电路引起相位迅速变化ꎬ应在交越频率处的斜率应为-1ꎬ防止相移随频率变化速度过快ꎮ第三个准则是:开环传递函数的相移应该与180ʎ保持足够的的裕量ꎬ通常选取45ʎꎬ因为过大的相位裕量会导致动态响应变慢(过阻尼)ꎮ选择交越频率Fzo为开关频率的1/5ꎬ在40kHz交越频率时ꎬ系统的总相移等于360ʎ-45ʎ=315ʎꎬ选取45ʎ的相位裕量ꎮ因此ꎬ误差放大器只允许有315ʎ-97ʎ=218ʎ的相位滞后ꎮ取K值接近3时ꎬ误差放大器的相位滞后后可以满足218ʎ的要求[4]ꎮ为了有足够的相位裕量ꎬ故取K值为4ꎬ此时相位滞后为208ʎꎬ系统中LC滤波器存在97ʎ相位滞后ꎬ得到了305ʎ的总开环相位滞后ꎬ那么在交越频率Fzo处的相位裕量360ʎ-305ʎ=55ʎꎬR2/R1=28.7dBꎬ取R1=1kꎬR2=27kꎮ01㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀应用能源技术㊀㊀㊀㊀㊀㊀2019年第10期(总第262期)当K值等于4时ꎬ零点频率为Fz=5kHzꎬFz=1/(2πR2C1)ꎮ由于R2前面已经确定为27kꎬ因此C1=1.17nFꎮ极点频率为Fp=80kHzꎬFp=1/(2πR2C2)ꎬ因此C2=73pFꎮ3.3㊀设计调制电路设计完补偿环节ꎬ另一部分是PWM的调制比ꎬ即占空比为控制电压与调制锯齿波电压幅值之间的比例[5]ꎮ可知时钟脉冲变高ꎬ开关开通ꎻ当斜坡电压高于控制电压时ꎬ开关关断ꎮ根据D=VrVcꎬ其中D=0.317ꎬ令Vr=2.5Vꎬ可知Vc=2.5ˑ0.317=0.79V将信号源接上use3ꎬ设置仿真瞬态响应时间长度为10msꎮ可见ꎬ动态响应速度很快ꎬ输出电压上升时间接近0sꎬ经过2ms达到稳定ꎬ而且稳定后振荡很小ꎬ电压为15Vꎬ电流为2Aꎬ完全满足设计指标要求ꎮ4㊀结束语(1)系统发生振荡时ꎬ因为正弦波傅里叶分量的频谱很宽ꎬ经过输出滤波器ꎬ误差放大器及PWM调制器后都会有增益变化和相移ꎬ影响系统稳定ꎮ故反馈环路对系统的补偿作用能有效防止系统振荡ꎮ(2)双管正激比单管正激拓扑简单ꎬ不存在单管正激磁芯复位问题ꎬ可靠性高ꎬ有利于散热系统的设计ꎬ而且较少考虑励磁电感和漏感的影响[6]ꎬ所以完全理想条件下得到的仿真结果更具有参考意义ꎮ(3)设计的变换器能够输出稳定的直流电压15Vꎬ对于动态响应速度仅需2msꎮ通过软件仿真方法可以简化控制环路设计ꎬ缩短研发周期和方便调试ꎮ参考文献[1]㊀黄㊀鹰ꎬ李㊀勇ꎬ姜学想.基于Saber的DC-DC变换器控制环路仿真研究[J].湖南工业大学学报ꎬ2014ꎬ28(1):53-57.[2]㊀谢华林ꎬ杨金明.基于SABER仿真器的双管正激参数及控制环路的设计[J].电源技术应用ꎬ2009ꎬ12(10):8-11.[3]㊀范立荣ꎬ杨㊀帆ꎬ张凯强.双管正激变换器Saber仿真应用研究[J].微型机与应用ꎬ2014ꎬ33(18):86-89.[4]㊀王红刚.基于Saber的开关电源设计与仿真[J].新乡学院学报:自然科学版ꎬ2012ꎬ29(4):316-318. [5]㊀何艳丽ꎬ陈㊀鸣ꎬ王克城ꎬ等.基于UC3844的反激稳压电源的设计[J].电源技术应用ꎬ2008ꎬ55(4):75-77.[6]㊀郑鹏程ꎬ石㊀玉ꎬ周立文ꎬ等.基于MATLAB的DC/DC变换器设计与闭环仿真[J].磁性材料及器件ꎬ2011ꎬ42(4):63-65.112019年第10期(总第262期)㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀应用能源技术㊀。
基于SABER仿真器的双管正激参数及控制环路的设计
基于SABER仿真器的双管正激参数及控制环路的设计目前,正激变流器在中、大功率场合得到广泛的应用,但单管正激变换器的开关管承受两倍输入电压应力,不能用在较高输入场合。
双管正激变换器解决了这个问题,其开关管的电压应力等于输入电压,关断时也不会出现漏感尖峰,加上结构简单、可靠性高,在高输入电压的中、大功率场合得到广泛的应用。
在开关电源的设计过程中,控制环路设计的优劣关系到系统的稳定与否。
因此优良的控制环路,对开关电源系统是至关重要的。
对于PWM变换器的控制环路,传统的方法使用状态空间平均法,求出小信号模型,来设计控制环路。
此方法计算量大,效率低,不利于工程应用。
高效的方法是用仿真软件得出电路开环BODE图来设计控制环路。
市面的仿真软件非常多,功能也很强大,如Matlab、Pspice等,然而Pspice软件的收敛算法不好,带来了非常多的不便;Matlab软件建模复杂,其补偿器为传递函数或状态方程,需利用电网络理论转化为具体的电路,诸多不便。
SABER与其他仿真软件相比,具有更丰富的元件库和更精确的仿真描述能力,真实性更好。
特别是在电源领域的先天优势,借助其强大的仿真功能缩短电源产品的上市时间。
目前,用SABER软件设计控制环路尚不多见,基于此,提出用SABER仿真设计双管正激参数及控制环路。
1 电路结构双管正激拓扑结构如图1所示,工作原理为:VT1、VT2同时导通,同时关断;VT1与VT2导通时,电源经高频变压器T,快恢复二极管VD3向负载输出能量,经L给C充电;VT1与VT2关断时,输出电流由快恢复二极管VD4续流,同时变压器原边绕组的励磁电流经VD1-UiN-VD2向电源反馈能量。
由于VD1与VD2的箝位,VT1与VT2的开关应力等于电源电压。
与单管正激电路相比,多用一个开关管,电压应力为单管的一半,不存在漏感尖峰,变压器无需磁通复位绕组,适用于较高输入电压的中、大功率等级场合。
2 控制环路的设计方法系统稳定的条件:系统回路开环BODE图,在剪切频率处幅值斜率为-20dB/dec,且至少有45°的相位裕度。
正激式直流变换器的设计
计算变压器、扼流圈
2. 技术指标
• • • • • • 输入电压 单相交流100V
输入电压变动范围 交流85~132V 输入频率 输出电压 50/60Hz V0=5V
输出电压变动范围 4.5~5.5V 输出电流 I0=20A
3.工作频率的确定
工作频率对电源体积以及特性影响很大,必须很好选择。 选用较高工作频率较高时 •优点: 可使输出滤波器小型化; 可使输出变压器可小型化; 1 1 暂态响应速度快。 T s 3 f 0 20010 •缺点: 主开关元件的热损耗增大; 噪声增多; 所使用的元器件(控制IC、主开关元件、输出二极 管、输出电容以及输出变压器的铁心等)受到限制。 零部件及配置型式,都受到限制。 输出变压器绕组要格外注意。 还有电路设计等都受到限制。另外还要注意输出变压 器绕组匝数。因此这里基本工作频率选为200KHz。
p
2
V
I
p
V
2
D
V
V
1
1
3
D
3
Q
b) a) (1)复位电路如上图a)所示,开关Q导通期间,变压器T1的 磁通增加,磁能就储存在变压器T1中;又当开关Q关断期间, 即释放出已励磁的磁能,以使磁通恢复为剩余磁通。T1上绕有
复位专用的绕组,在关断期间可使磁能通过D3向输入端回馈。
_
_
Q
2
变压器初级绕组N1上的电压为:
1950 2200 2390 1630 2070 2350
8200
10000
0.022
0.018
0.055
0.045
2550
2900
6800
8200
0.022
0.018
双管正激电路的设计与仿真3-10(开环设计与仿真)2010
– Vout 28VDC – Vout(p-p) <100mV – Iout 2- 20A,在所有负载下,电路工作于CCM
• 其他性能:
– 开关频率 100kHz
5
(2)双管正激电路的工作原理
• 主电路拓扑选择
– 非隔离式拓扑 X
– 隔离式拓扑:单端正激、单端反激、推 挽、全桥、半桥、双管正激等;
Dmax<0.5
11
滤波电感设计
• 电感量,2A时(1/10负载),电感电流临 界连续。
ΔI L L = UL → ΔT Lmin(CCM )
U −28 (1 − 0.33)10u ≈ 46.9uH = L ΔTmax = ΔI L −4
12
滤波电容设计
• If>Io充电,If<Io放电;
Cf =
8
占空比、匝比设计 (1)占空比
拓扑限制:Dmax<0.5; 控制芯片限制:Dmax<0.45Æ Dmax=0.42
(2)变压器匝比Æ变压器设计
输入、输出关系:
Vout
V D 240*0.42 n = in min max = = 3.6 28 Vout
1 = Vin *( ) * D n
设经计算,原副边匝比=24:7=3.43(注意匝数取整)
• 其他设置
– 基本、输入输出、校准、数值积分、算法
34
Analysis > Time Domain > Transient :
Basic
• End Time:定义瞬态分 析结束时间; • Time Step:步长;
– 设计中有关时间常数的 1/10; – 驱动源最小的上升或下 降沿; – 正弦驱动源输入周期的 1/100。
正激变换器工作原理及基本及基本设计
U P Vin UP(rms) DUP DVin U P(ave) DU P DVin
IP(rms) DIP I P(ave) DI P
由(1)得
I P(rms)
1 D
I in
I P(ave) Iin
IP
1 D
I in
(2) (3)
8
四. 输出端电流电压关系
Pout Vout Iout U I S (rms) S (rms) I SVD (4)
W1
d dt
Vin
( )
Vin W1
D
Ts
iMP
Vin LP
t
正激变换器
4
二, 基本工作原理(续) [Ton, Tr]
Q turned OFF
复位绕组的电压为: VW 3 Vin
原副边绕组上的电压为:
VW1 K13Vin VW 2 K23Vin
Where K13 = W1/W3, K23 = W2/W3
Q oQff,tu&rnedreOseFtF
励磁电流iM从W1转移到W3上后, 减小到零:
iW3
K13[VLiPn
Ton
Vin LP
(t Ton )
到Tr时刻后, 所有绕组中电流为零, 电压也为零.
Q上的电压: VQ Vin
正激变换器
7
UP,IP
正激变换器
三. 输入端电流电压关系
Pin Vin Iin U I P(rms) P(rms) (1)
L f min
(1 D)(VD Vout ) 2Iout fs
(27)
iLf
毕业设计(论文)-DC-DC变换器电路设计及仿真
1.1 研究背景
在人们的生活中,电力已成为与生产生活息息相关的一部分,在各个场合,人们都需要各式各样的电力来为其服务,然而并不是所有的电力都能在一开始就能满足需要,于是就要求有电力变换的过程。在电子设备领域中,通常将整流器称为一次电源,而将DC/DC变换器称为二次电源。一次电源的作用是将单相或三相交流电网变换成安全的直流电源。目前,在电子设备中用的一次电源中,传统的相控式稳压电源己被高频开关电源取代,高频开关电源通过MOSFET或IGBT实现高频工作,开关频率一般控制在50kHz~100kHz范围内,实现高效率和小型化。电子设备中所用的集成电路的种类繁多,其电源电压也各不相同,在电子供电系统中,采用高功率密度的高频DC/DC隔离电源模块,从中间主线电压变换成所需的各种直流电压,可以大大减小损耗、方便维护,且安装和增容非常方便。一般都可直接装在标准控制板上,对二次电源的要求是高功率密度。因为电子设备容量的不断增加,其电源容量也将不断增加。
负载电流平均值I=Ud/R(2-2)
电流断续时,Uo平均值会被抬高,一般不希望出现
斩波电路三种控制方式
a脉冲宽度调制(PWM)或脉冲调宽型——T不变,调节ton,应用最多
b频率调制或调频型——ton不变,改变T
c混合型——ton和T都可调,使占空比改变
图2-1降压斩波电路的原理图及波形
a)电路图b)电流连续时的波形c)电流断续时的波形
1.2 课题意义
(1)DC/DC变换器将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压,这种技术被广泛应用于无轨电车、地铁、列车、电动车的无级变速和控制,同时使上述控制具有加速平稳、快速响应的性能,并同时收到节约电能的效果。用直流斩波器代替变阻器可节约20%~30%的电能。直流斩波器不仅能起到调压的作用(开关电源),同时还能起到有效抑制电网侧谐波电流噪声的作用。
正激式变换器(正激开关电源)的设计实例
正激式变换器(正激开关电源)的设计实例作为功率变压器的一个设计实例,下面我们将设计正激式变换器中的变压器。
显然,这种变压器也不是用于我们的buck变换器中。
现在,我们考虑设计要求:输入电压为直流48V(简便起见,不需要考虑进线电压的波动范围),输出电压为5V,功率100W,开关频率为250kHz,基本电路图如图所示。
容易得到,输出电流为100W/5V=20A。
这个电流值是比较大的,为了减少绕组电阻,副边的线圈匝数应该尽量取小。
这意味着取变比(原边匝数除以副边匝数)的时候,副边最少匝数取为1。
我们来看看变比为整数时会出现什么问题。
1 匝数比=1:1匝数比=1:1,即原边与副边的匝数相等。
当开关导通时,48V输入电压全部加在变压器的原边。
同样,副边也得到48V的电压(忽略漏感),并加于续流二极管两端。
实际上,具有低通态电压的肖特基功率二极管其最大阻断电压为45V左右。
48V的电路中,至少要采用电压为60V的器件,如果电压有过冲或者输入电压有波动,那么要求采用更高电压的器件。
二极管的反向阻断电压越高,其通态电压也越高,变换器的效率将会降低。
在低输出电压的变换器中,整流二极管的通态电压是一个常见的问题。
原因很明显:电感中的电流要么流过整流二极管,要么流过续流二极管,无论哪种情况,在二极管中总会产生一个大小为VfI的损耗。
二极管的损耗使变换器效率进一步下降。
这部分功率不在总功率V outI之中。
解决这个问题的唯一方法是采用同步整流器,但是其驱动非常复杂(同样的道理,当输出Vout降到3.3V,甚至更低时,必须使用同步整流器)。
不管怎么样,对于一个高效率的变换器而言,如果不采用同步整流器,1:1的变压器匝数变比不是一个很好的选择(对我们的例子而言)。
2 匝数比=2:1这时原边匝数是副边的2倍,所以加在原边的电压为48V,副边和二极管上的电压为24V,可以使用肖特基功率二极管。
正激式变换器占空比近似为DC=V out/Vsec=5V/24V=21%(忽略肖特基功率二极管的通态电压Vf)。
实验49-DC-DC 单端正激式变换电路设计实验
实验四十九 DC/DC 单端正激式变换电路设计实验(信号与系统—电力电子学—检测技术综合实验)一、 实验原理1. 单端正激变换器单端正激变换电路是隔离式DC/DC 变换电路中的一种,采用一个单管实现DC/DC 变换,例如图49-1所示的电路。
它在开关管Q 导通时电源的能量经隔离变压器T 、整流二极管和滤波电感直接送至负载,故称为正激;由于其变压器磁通只在单方向上变化而被称为单端。
这样的电路被称为单端正激式变换电路。
V O图49-1采用辅助绕组复位的单管正激变换器正激变换器由于具有电路结构简单、成本较低、输出电流大、工作可靠性高等优点而广泛应用于中小功率变换场合,更成为低压大电流功率变换器的首选拓扑结构。
正激变换器中,由于变压器的磁芯是单方向磁化的,每个周期都需要采用相应的措施,使磁芯回到磁化曲线的起点,否则磁芯磁会很快饱和而导致开关器件损坏,因此需要采用专门的复位电路,使变压器的磁芯磁复位。
当输入电压及占空比固定的时候,输出电压与负载电流无关。
因此DC/DC 单端正激变换电路具有低输出阻抗的特点。
在同等功率条件下,单端正激变换电路的集电极峰值电流很小,所以该变换器适合应用在低压,大电流,功率较大的场合。
2. 不同复位方式的正激变换器[2]通常采用的磁复位方法主要有以下几种: (1) 辅助绕组复位正激变换器采用辅助绕组复位的正激变换器见图49-1。
其中隔离变压器有三个绕组:一次绕组N 、二次绕组N 和去磁绕组N 。
在T 时间内,Q 导通,D 导通,D 、D 123ON 213截止,电源向负载传递能量,此时,磁通增量为I 1ON I 1(V /N )T (V /N )DT S ΔΦ=⋅=⋅,输出电压为V O =V N /N 。
I 21时间内,Q 阻断,D 截止,D 导通续流,D 在T OFF 213导通向电源回馈能量。
如果在整个T I S V (1D)T /N 3′ΔΦ=−时间内,D ,输出电压为V OFF 3都导通,磁通减少量最大为O =0,此时开关管Q 两端的反压为V (1+N I 1/N )。
正激式变换器(正激开关电源)的设计实例
正激式变换器(正激开关电源)的设计实例作为功率变压器的一个设计实例,下面我们将设计正激式变换器中的变压器。
显然,这种变压器也不是用于我们的buck变换器中。
现在,我们考虑设计要求:输入电压为直流48V(简便起见,不需要考虑进线电压的波动范围),输出电压为5V,功率100W,开关频率为250kHz,基本电路图如图所示。
容易得到,输出电流为100W/5V=20A。
这个电流值是比较大的,为了减少绕组电阻,副边的线圈匝数应该尽量取小。
这意味着取变比(原边匝数除以副边匝数)的时候,副边最少匝数取为1。
我们来看看变比为整数时会出现什么问题。
1 匝数比=1:1匝数比=1:1,即原边与副边的匝数相等。
当开关导通时,48V输入电压全部加在变压器的原边。
同样,副边也得到48V的电压(忽略漏感),并加于续流二极管两端。
实际上,具有低通态电压的肖特基功率二极管其最大阻断电压为45V左右。
48V的电路中,至少要采用电压为60V的器件,如果电压有过冲或者输入电压有波动,那么要求采用更高电压的器件。
二极管的反向阻断电压越高,其通态电压也越高,变换器的效率将会降低。
在低输出电压的变换器中,整流二极管的通态电压是一个常见的问题。
原因很明显:电感中的电流要么流过整流二极管,要么流过续流二极管,无论哪种情况,在二极管中总会产生一个大小为VfI的损耗。
二极管的损耗使变换器效率进一步下降。
这部分功率不在总功率V outI之中。
解决这个问题的唯一方法是采用同步整流器,但是其驱动非常复杂(同样的道理,当输出Vout降到3.3V,甚至更低时,必须使用同步整流器)。
不管怎么样,对于一个高效率的变换器而言,如果不采用同步整流器,1:1的变压器匝数变比不是一个很好的选择(对我们的例子而言)。
2 匝数比=2:1这时原边匝数是副边的2倍,所以加在原边的电压为48V,副边和二极管上的电压为24V,可以使用肖特基功率二极管。
正激式变换器占空比近似为DC=V out/Vsec=5V/24V=21%(忽略肖特基功率二极管的通态电压Vf)。
改进型双管正激电源变换器的仿真及设计
原边 主开关 管驱 动方 式 和 副 边整 流 电路 两个 方 面 ,
对传 统双 管正激 电路做 出改 进 , 将两 个 开 关 管 分 成 主管和辅 管 , 管 为主管 利 用 P 下 WM 芯 片 直接 驱 动 , 上管为 辅管利 用 主变压 器辅助 绕组 上 的电压实 现 自 驱动 , 同时辅 管工 作 在零 电流 开 通 和零 电流关 断状 态 , 利 于电路 整流效 率 的提高 。实验证 明 , 有 电路 简
图 3 额 定 输 入 下 满 载 输 出 电 压 波 形
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收 稿 日期 :2 1 -72 0 10 -1
3 同 步 整流 原 理分 析
图 2所 示 为 一 种 自绕 组 驱 动 同 步 整 流 电 路 , MO S管 的驱动是 通过 变压 器 副 边绕 组 实 现 的 , 当原 边开关 管 Q 开 通 时 , , 副边 绕 组感 应 出 电压 , 时 s 此 :
率 。
4 双 管 正 激 同 步 整 流 电流 仿 真 分 析
利用 sb r 件对 主 电路 进 行 开 环仿 真 。主 电 ae 软 路 所 用 参 数 : 入 电压 :5—10 5 H , 出 电压 输 9 5 V,0 z 输
30 , 0 W 得相 关 波形如 图 4所示
电 流 : 5 2 A, 开 关 频 率 : 0 H , 出 功 率 : 1 V, 0 5k z 输 。
第 3 1卷 第 3期
21 0 2年 7月
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正激变换器及其控制电路的设计及仿真电气工程张朋13S053081设计要求:1、输入电压:100V(±20%);2、输出电压:12V;3、输出电流:1A;4、电压纹波:<70mV(峰峰值);5、效率:η>78%;6、负载调整率:1%;7、满载到半载,十分之一载到半载纹波<200mV。
第一章绪论1.课题研究意义:对于大部分DC/DC变换器电路结构,其共同特点是输入和输出之间存在直接电连接,然而许多应用场合要求输入、输出之间实现电隔离,这时就可以在基本DC/DC变换电路中加入变压器,从而得到输入输出之间电隔离的DC/DC变换器。
而正激变化器就实现了这种功能。
2.课题研究内容:1、本文首先介绍了正激变换器电路中变比、最大占空比和最小占空比、电容、电感参数的计算方法,并进行了计算。
2、正激变换器的控制方式主要通过闭环实现。
其中闭环方式又分为PID控制和fuzzy控制。
本文分别针对开环、PID控制,fuzzy控制建立正激变换器的Matlab仿真模型,并进行仿真分析了,最后对得出的结果进行比较。
第二章:正激电路的参数计算本章首先给出正激变换器的等值电路图,然后列出了正激变换器的四个主要参数的计算方法,并进行了计算。
1、正激变换器的等值电路图图1 正激变换器等值电路图2、参数计算(1)变比n根据设计要求,取占空比D=0.4,根据输入电压和输出电压之间的关系得到变比:n=D U U out in ⨯=4.012100⨯=3.3 (2) 最大、最小占空比最大占空比D max 定义为D max =()nU U U in dout 1min ⨯+, 式中U in(min) =100-20=80V ,U out =12V ,n=3.3,,U d 为整流二极管压降, 所以D max =0.495。
最小占空比D min 定义为D min =()nU U U in dout 1max ⨯+, 式中U in(max) =120V , 所以D min =0.333。
(3) 电容电容的容量大小影响输出纹波电压和超调量的大小。
取开关频率f=200KHZ ,则T=5×10-6 s ,根据公式:C=rippleripple V f I ⨯⨯81, 式中取I ripple =0.2A ,V ripple =0.07mV ,所以C=1.79μF 。
为稳定纹波电压,放大电容至50μF 。
(4) 电感可使用下列方程组计算电感值:U out =L ×dt di , dt=fD m in1-,式中U out =12V ,di 取为0.2A ,D min =0.333, 所以L=0.334mH 。
第三章 正激变换器开环的Matlab 仿真本章首先建立了正激变换器开环下的Matlab 仿真模型,然后对其进行了仿真分析。
1、仿真模型的建立根据之前的等值电路图和参数的计算结果,可以对正激电路进行建模,其开环模型如图2:图2 正激电路的开环仿真模型2、仿真结果在Matlab上进行仿真,得到如下的输出电压,及其纹波,输出电流及其纹波的波形:图3 开环电压波形图4 开环纹波电压图5 开环电流波形图6 开环纹波电流从图中可以看出,开环占空比为40%时输出电压不能达到12V,只能稳定在11.98V 左右,纹波电压为1mV ,输出电流是0.998A ,纹波电流不到0.1mA 。
虽然纹波电压符合要求,但输出电压值和电流值不符合要求,且电压有较大超调。
分析其原因,可能是由于电路中的二极管压降以及变压器参数的影响。
需要调大占空比才能稳定到12V 。
且开环系统有较弱的抗干扰性,不够稳定,因此应采用闭环。
第四章 正激变换器闭环PID 的Matlab 仿真本章首先介绍了工程上对系统的闭环稳定条件的要求,然后对开环系统绘制了伯德图,接着根据其开环幅频和相频特性曲线来确定所加PID 环节的三个主要参数,进行闭环系统的Matlab 仿真,得到经过两次切载后的输出电压波形和输出电流波形,并进行了分析。
1、闭环稳定的条件:(1)开环Bode 图的幅频特性曲线中增益为1的穿越频率应等于开关角频率的1/5~1/10。
(2)幅频特性曲线应以-20dB 的斜率穿越横轴。
(3)相位裕量γ>45°。
2、开环传递函数:查阅资料得到未补偿的开环传递函数为:G 0 (S)=)1(11++⨯RsC RsLnU i,代入数据,得到G 0 (S)=110783.21067.13.30528+⨯+⨯--s s 。
3、未补偿的开环传函的Bode 图图7 开环传递函数伯德图从图中可以看出,穿越频率为 6.89⨯103 Hz ,小于要求的最小开关频率K 200101⨯=20000Hz ,且以-40dB 穿越横轴,相位裕度仅为1°。
三项指标都不符合。
因此必须加入补偿环节。
4、补偿函数的确定首先确定补偿后系统的剪切频率fc1 =K200 81⨯=2.5×104 Hz,ωc1 =2πf c1=1.57×105 rad/s。
在f=2.5×104 Hz处,原伯德图的增益为-22.6dB,相角为-179°。
取相位裕度为50°,则需补偿49°。
新补偿的函数可分为PD和PI两部分(1)PD环节设PD环节的传递函数为G1=Kp(1+τs),作出其伯德图,得到以下比例关系:149tan11=τωc,所以τ=7.33×10-6 。
又20lgKp2121cωτ+=22.6,所以Kp=8.848。
得到G1=8.848(1+7.33×10-6s)(2)PI环节取PI环节传函为G2=ss1000+。
(3)补偿传函G3G3=G1×G2=sss8848848.8104856.625++⨯-。
即Kp=8.848, Ki=8848, KD=6.5e-5。
5、补偿后系统的新开环传函GnGn=GG3=sssss+⨯+⨯++⨯---25382310783.21067.14.2680940944.2681096514.1。
其伯德图如下:图8 补偿后系统伯德图从图中可以看出,此时系统的幅频特性曲线以-20dB穿越横轴,且剪切频率为2.49×104 Hz,相位裕度为49°,完全符合工程要求。
6、闭环PID控制的Matlab仿真模型用Mosfet 1和2控制切载过程。
用Timer和Timer1控制切载情况,在t=0.02s处负载由12Ω切到24Ω,在t=0.03s处负载由24Ω切到120Ω,在0.05s 处由120Ω切到24Ω。
输出电压值与12V比较后进入PID,再与三角载波形比较,在交点处控制Mosfet通断,从而控制占空比。
图9 闭环PID控制电路图7、闭环PID仿真结果在Matlab上进行仿真,得到如下的电压波形:图10 初始PID参数下的输出电压波形通过此图可以看出输出电压超调过大,已超过额定输出电压的1倍。
尽管输出电压值、纹波、切载的尖峰都符合要求。
此时需要对PID参数进行调整。
在这里选取Kp=0.5,Ki=500,K=7.3e-5。
D此时可得到如下电压和电流波形:图11 调整PID参数后的输出电压波形图12 满载电压纹波波形图图13 切载后第一个尖峰图14 切载后第二个尖峰图15 输出电流波形图16 满载输出电流纹波波形从图中可以看出,此时输出电压基本稳定在12V ,且无超调。
满载输出平均电压约为11.9995V, 满载时电压纹波最大,约为0.7mA 。
切载时的电压尖峰也低于200mV 。
半载输出平均电压为11.99935V ,所以负载调整率为9995.1199935.119995.11-×100%=0.00125%<1%。
满载,半载,1/10载的电流纹波基本相等,均不到1mA 。
变压器原边电流为0.1521A,所以效率η=1001521.010019995.11⨯⨯⨯%=78.9%。
均符合要求。
8、 补偿后系统的伯德图图17 PID 补偿后系统的伯德图从图中可以看出,补偿后系统的剪切频率为2.12×104Hz ,约为开关频率的0.106倍,并以-20dB 穿越横轴,且相位裕度为88°,符合工程要求。
第五章 正激变换器基于Fuzzy 控制的Matlab仿真分析本章针对正激变换器进行了模糊控制。
首先进行了模糊化的设计,然后建立了规则库,最后针对其Matlab 模型进行了仿真分析。
1、模糊化设计对误差e 、误差变化率dtde和控制量U 的模糊集和域定义如下:(1)模糊集合均为{NB,NM,NS,ZE,PS,PM,PB},e 的域为{-1,+1},dtde的域为{-0.5,+0.5}。
U 的域为{-1,+1}。
(2)隶属度函数均选三角函数,input1为e ,input2为dtde,output 为U 。
例如,变量dtde的隶属度函数如下图所示:图18 输入dtde的隶属度函数2、模糊规则的建立(1)模糊规则表如下:(2)Fuzzy 控制器规则库如下:图19控制器规则库3、Matlab 仿真分析通过开环的输出电压范围,初步确定对于e ,Gain1=65,对于dtde ,Gain2=10-5。
由采样定理,采样频率 为开关频率的2倍,即400KHz ,从而采样时间为2.5×10-6s 。
还要加入限幅模块和零阶保持器模块,然后进行仿真。
其仿真模型如下图:E EC NB NM NS ZE PS PM PB NB PB PB PM PM PS PS ZE NM PB PB PM PM PS ZE NS NS PM PM PS PS ZE NS NS ZE PM PM PS ZE NS NM NM PS PS PS ZE NS NS NM NM PM PS ZE NS NM NM NB NB PBZENSNSNMNMNBNB图20 基于Fuzzy控制的Matlab仿真模型仿真后得到的电压和电流波形如下:图21 输出电压波形图图22 切载前后纹波及切载尖峰电压波形图图23 输出电流波形图24 满载及半载电流纹波图25 1/10载电流纹波从图中可以看出,输出电压基本稳定在12V,在满载时纹波为350mV;半载时纹波为170mV;1/10载时纹波为30mV。
两次切载的尖峰电压分别为300mV和150mV。
未切载输出电流基本稳定在1A,在满载时纹波为30mA;半载时纹波为7mA;1/10载时纹波为0.3mA。
输出基本上符合要求。
第六章总结从闭环PID控制和Fuzzy控制的仿真结果的对比中可以看出,Fuzzy控制的控制方式更加简单,稳定度高,且纹波也基本满足要求。
由于不用进行大量的数学模型的计算,更加快捷。
且Fuzzy具有较好的鲁棒性和适应性。