M723原理图
SM2123EGL高压线性恒流IC智能球泡灯2.4G方案原理图
SM2123E 2.4G遥控球泡灯方案一、方案原理图:图1 球泡灯调色调温方案原理图(RF控制方案)二、方案实物图:三、方案BOM清单:型号: SM2123E控制板和灯板(RF) 版本:V-1.0日期: 140716 NO. 元件类型 型号描述 用量 单位 位号 价格 备注控制板1 绕线电阻 RES-FUS-10.00R-0.5W 1 Pcs FR12 桥堆 BR-MBS-1.00A-600V-MB6S 1 Pcs DB13 贴片二极管 DIO-FAS-SMA-01.00A-600V-ES1J 1 Pcs D14 贴片二极管 DIO-FAS-SMA-01.00A-1000V-RS1M 1 Pcs D25 贴片电阻 RES-SMD-0805-68K-5%-0.125W 1 Pcs R16 贴片电阻 RES-SMD-0805-39K-5%-0.125W 1 Pcs R27 贴片电阻 RES-SMD-0805-1K-5%-0.125W 1 Pcs R38 贴片电阻 NC 1 Pcs R4,R5 此器件在RF模组上9 工字电感 CD54封装470uH 贴片电感 1 Pcs L110 色环电感 色环电感 1mH/0.5W 1 Pcs L211 贴片电容 CAP-SMD-0805 -4.7uF-10%-50V 1 Pcs C112 电解电容 CAP-ELE-4.7uf-400V-Ф8*12 1 Pcs E113 电解电容 CAP-ELE-470uf-10V-Ф5*11 1 Pcs E214 电解电容 CAP-ELE-2.2uf-400V-Ф6.3*12 1 Pcs E215 芯片 IC-SM-SM7035P_SOP8 1 PCS U116 无线模组 RF模组 1 PCS P117 排线 4PIN 40mm长排线含2PCS 公头 1 PCS 配1.0mm母座18 贴片母座 4PIN 间距1.0mm 1 PCS CON119 输入线 WIR-CE-0.5mm*mm-white 2 PCS20 PCB板 47mm*26mm*1mm 双面板RF-4 1 PCS合计 22灯板21 芯片 IC-SM-SM2123E_ESOP8 1 PCS U222 贴片母座 4PIN 间距1.0mm 1 PCS CON223 高压灯珠 SMD-2835高压灯珠 VF=19 28 PCS LED1-LED28 冷白暖白各14PCS24 贴片电阻 RES-SMD-0805-22R-5%-0.125W 1 Pcs R6,R725 贴片电容 NC 1 Pcs C3,C426 PCB板 铝基板-直径47.8mm-厚度1.0mm 1 Pcs合计遥控器27 RF 遥控器 成品 1 Pcs型号: 智能调色调温球泡(RF) 版本:V-1.0日期: 1407161 控制板 1 Pcs2 灯板 1 Pcs3 遥控器 1 Pcs4 灯具 1 Pcs合计 4。
各PLC与LEVI通信线接法
S7-200 RS485 9 针 male
3 DATE+ 8 DATE 5 GND
4 LEVI908T/LEVI910T/LEVI910T COM2 与 S7-200 的通信线做法
HMI(COM2)
S7-200 RS485 9 针 male
1 485+ 6 4855 GND
3 DATE+ 8 DATE 5 GND
5 LEVI430T COM1 与 S7-200 的通信线做法
HMI(COM1) 1 485+ 6 4855 GND
S7-200 RS485 9 针 male
3 DATE+ 8 DATE 5 GND
( 2 西门子 S7-300 PLC 与 LEVI 通信线接法 通信线接法( RS232 9 针 D-SUB male)
第二部分 通信针头
1 通信针头
1 RS232 9 针 male
2
RS422 8 针 male
3 RS422 8 针 RJ45 Connector
4 RS232 8 针 mini-din female
5 RS232 4 针 S 型 male
6 RS232 15P D-SUB Female
7 RS232 25P D-SUB Female
S7-200 RS485 9 针 male
3 DATE+ 8 DATE 5 GND
2 LEVI777T COM2 与 S7-200 的通信线做法 HMI(COM2) 1 485+ 6 4855 GND
S7-200 RS485 9 针 male
3 DATE+ 8 DATE 5 GND
3 LEVI908T/LEVI910T/LEVI910T COM1 与 S7-200 的通信线做法 HMI(COM1) 14 485+ 15 4857 GND
电动车充电器电源原理图与解析之欧阳道创编
常用电动车充电器根据电路结构可大致分为两种。
第一种是以uc3842驱动场效应管的单管开关电源,配合LM358双运放来实现三阶段充电方式。
其电原理图和元件参数见(图表1)220v交流电经T0双向滤波抑制干扰,D1整流为脉动直流,再经C11滤波形成稳定的300V 左右的直流电。
U1 为TL3842脉宽调制集成电路。
其5脚为电源负极,7脚为电源正极,6脚为脉冲输出直接驱动场效应管Q1(K1358) 3脚为最大电流限制,调整R25(2.5欧姆)的阻值可以调整充电器的最大电流。
2脚为电压反馈,可以调节充电器的输出电压。
4脚外接振荡电阻R1,和振荡电容C1。
T1为高频脉冲变压器,其作用有三个。
第一是把高压脉冲将压为低压脉冲。
第二是起到隔离高压的作用,以防触电。
第三是为uc3842提供工作电源。
D4为高频整流管通电开始时,C11上有300v左右电压。
此电压一路经T1加载到Q1。
第二路经R5,C8,C3, 达到U1的第7脚。
强迫U1启动。
U1的6脚输出方波脉冲,Q1工作,电流经R25到地。
同时T1副线圈产生感应电压,经D3,R12给U1提供可靠电源。
T1输出线圈的电压经D4,C10整流滤波得到稳定的电压。
此电压一路经D7(D7起到防止电池的电流倒灌给充电器的作用)给电池充电。
第二路经R14,D5,C9, 为LM358(双运算放大器,1脚为电源地,8脚为电源正)及其外围电路提供12V工作电源。
D9为LM358提供基准电压,经R26,R4分压达到LM358的第二脚和第5脚。
正常充电时,R27上端有0.15-0.18V左右电压,此电压经R17加到LM358第三脚,从1脚送出高电压。
此电压一路经R18,强迫Q2导通,D6(红灯)点亮,第二路注入LM358的6脚,7脚输出低电压,迫使Q3关断,D10(绿灯)熄灭,充电器进入恒流充电阶段。
当电池电压上升到44.2V左右时,充电器进入恒压充电阶段,输出电压维持在44.2V左右,充电器进入恒压充电阶段,电流逐渐减小。
1.山东大学发电厂变电所控制-答案
发电厂变电所控制-答案一、灯光监视的断路器控制回路如图所示,M100(+)为闪光小母线,M708为事故音响小母线。
1.试说明断路器手动及自动合、跳闸时灯光信号是如何发出的。
2. 进行手动合闸操作时,将控制开关SA从“跳闸后”位置切换至“预备合闸”(PC)位置,试分析说明此时绿灯HG和红灯HR的状态(平光、闪光、不亮)。
3.若发生事故断路器跳闸,事故音响信号怎样启动?答:1.手动跳闸 SA至“跳闸后”位置时,触点10-11闭合,绿灯HG发平光。
自动跳闸 SA在“合闸后”位置,触点9-10闭合,此时若断路器自动跳闸,其常闭辅助触点接通,绿灯(HG)经SA的9-10触点接至闪光小母线M100(+),闪光。
手常开闸 SA在“合闸后”位置,触点13-16闭合,红灯(HR)发平光。
自常开闸 SA在“跳闸后”位置,触点14-15闭合,此时若自动装置使断路器自常开闸,红灯(HR)经触点14-15接至闪光小母线,发闪光。
2.断路器仍属跳闸状态,因此其辅助常闭触点闭合。
另外,控制开关SA处于预备合闸位,节点9-10接通。
因此,绿灯(HG)闪光,红灯不亮。
3.若断路器因事故跳闸,SA仍在合闸后位置,其触点1-3、19-17同时接通。
另外,因断路器跳闸,QF辅助常闭触点闭合,事故音响小母线M708接至负电源-700,事故音响回路启动,发出事故音响信号。
二、电压互感器二次侧b相接地的接线图如下图所示。
1、试说明B相接地点设置在m点的理由,以及击穿保险器FA的作用。
2、试说明开口三角形辅助二次绕组不装设熔断器的原因。
3、试说明隔离开关QS1的作用。
4、试说明绝缘监察继电器KVI的动作原理。
答:1.b相接地点的设置。
接地点设在端子箱内FU2之后m点,是因为若设在FU2之前n 点,则当中性线发生接地故障时将使b相绕组短路而无熔断器保护。
而在m点接地也有缺点:一旦熔断器熔断,则电压互感器整个二次侧将失去保护接地点,如果高低压绝缘破坏高电压侵入将危及设备及人身安全。
一颗电机驱动芯片的内部版图
本文将以DC/DC降压电源芯片为例详细解说一颗电源芯片的内部设计,它和板级的线路设计有何异同?芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压,值为1.2V左右。
同时开关电源的基本原理是利用PWM方波来驱动功率MOS管。
这是一颗电机驱动芯片的内部版图(类比如PCB的LayOut)颜色是根据不同材质结构染的色。
可以看到芯片的内部结构也和PCB设计一样,模块结构布局清晰明了,接下来我们看看芯片的内部线路图是如何设计的,和板级的线路设计有何异同。
以TI的一颗常用芯片LM2675为例,打开DataSheet,首先看框图:这个图包含了电源芯片的内部全部单元模块,BUCK结构我们已经很理解了,这个芯片的主要功能是实现对MOS管的驱动,并通过FB脚检测输出状态来形成环路控制PWM驱动功率MOS管,实现稳压或者恒流输出。
这是一个非同步模式电源,即续流器件为外部二极管,而不是内部MOS管。
一、基准电压类似于板级电路设计的基准电源,芯片内部基准电压为芯片其他电路提供稳定的参考电压。
这个基准电压要求高精度、稳定性好、温漂小。
芯片内部的参考电压又被称为带隙基准电压,因为这个电压值和硅的带隙电压相近,因此被称为带隙基准。
这个值为1.2V左右,如下图的一种结构:这里要回到课本讲公式,PN结的电流和电压公式:可以看出是指数关系,Is是反向饱和漏电流(即PN结因为少子漂移造成的漏电流)。
这个电流和PN结的面积成正比!即Is-》S。
如此就可以推导出Vbe=VT*ln(Ic/Is)!回到上图,由运放分析VX=VY,那么就是I1*R1+Vbe1=Vbe2,这样可得:I1=△Vbe/R1,而且因为M3和M4的栅极电压相同,因此电流I1=I2,所以推导出公式:I1=I2=VT*ln(N/R1)N是Q1 Q2的PN结面积之比!这样我们最后得到基准Vref=I2*R2+Vbe2,关键点:I1是正温度系数的,而Vbe 是负温度系数的,再通过N值调节一下,可是实现很好的温度补偿!得到稳定的基准电压。
SPMC75F2313A介绍
5.3.
5.3.1. 5.3.2. 5.3.3. 5.3.4. 5.3.5.
晶振 ................................................................................................................................................................... 23 锁相环(PLL)...................................................................................................................................................... 24 外部时钟 ........................................................................................................................................................... 24 时钟监控 ........................................................................................................................................................... 24
LD单梁起重机说明书
LD电动单梁起重机使用说明书1、产品简介1.1综述LD-A型电动单梁起重机(以下简称起重机)是按JB/T1306-1994标准设计制造的,与CD1、MD1等形式的电动葫芦配套使用,成为一种油运行轨道的轻型起重设备。
其额定载荷1t~10t;跨度7.5m~22.5m,适应温度-25℃~+40℃,湿度≤85﹪,无火灾,爆炸危险和腐蚀性介质环境中工作,禁止吊运熔化金属,有毒、易燃、易爆物品。
为方便用户,设有地面和操纵室两种操纵形式,操纵室又设有端面及侧面开门两种形式,供用户选择使用。
本产品广泛用于机械制造,装配,仓库等场所。
1.2机构特点1.2.1金属结构部分主梁采用钢板压延成形的U型槽,再与工字钢组焊成箱形腹梁,横梁也是用钢板压延成U 型槽组焊成箱形横梁,为贮运方便,主、横梁之间用高强度螺栓连接。
1.2.2运行机构本产品是采用分别驱动形式,驱动制动靠锥形电动机来完成,传动是采用“开→闭”“闭→开”式齿轮传动。
1.2.3电气设备本产品所运行电机为单速异步电动机,运行速度:地面操作20 m/min、30 m/min;操纵室作为45 m/min、60 m/min、75 m/min。
起重机设有安全装置,可靠性高。
1.2.4 电动葫芦电动葫芦可起升重物,并沿主梁纵向移动,其结构特征点详见有关电动葫芦说明书。
1.2.5产品型号注解a)地面操纵、起重量3t、跨度10.5m、工作级别A5表示方法为:LD3t-10.5A5D.b)操纵室操纵、起重量5t、跨度16.5m、工作级别A5表示方法:LD5t-16.5A5S.3、性能参数表1续(三)表1续(四)4.安装图2-1 用于10t图2-2 用于1-54.1主横梁连接4.1.1在现场将起重机运行机构的驱动装置安装在横梁上。
4.1.2按图2所示,将主横梁用螺栓连接起来,此螺栓为精制螺栓,其性能可保证主、横梁连接可靠,为更安全允许用户按图2在a、b、c处稍加间断施焊不宜焊得太满,以防变形。
推挽式电源的设计
• (1) 功率管中器件通态压降存在差异。如图 1 中开关管M1、M2 的压降不等。这将导致加在变压器原边绕 组上的电压波形正、负幅值不等。
• (2) 两路驱动信号传输过程中的延迟不同,功率器件自身开关速度上存在差异。这将导致变压器绕组上的电 压波形正、负脉宽不等。
第9页/共20页
第6页/共20页
• 当电感电流不连续时:如果输出电感电流不
连续,输出电压U0将高于连续模式的计算值,
并随负载减小而升高,在负载为零的极限情
况下,
Uo
Ns
Ui
Np 2
第7页/共20页
变压器偏磁的原因
• 理论上的正,负对称。由于正,负半周的电压波形对称,磁通在正负两个方向变化,在一个管道通时有正 的增量,另一个管导通时有负的增量,理论上无直流磁化分量,故磁通正负对称,励磁电流也正负对称。 但是在实际中导致变压器偏磁的原因主要有以下几种:
S1和S2同时导通,相当于变压器一次侧绕组短 路,因此应 避免两个开关同时导通。 推挽变换器实际上就是两个相位相差180度的正激式变换器的 组合。
第4页/共20页
推挽电路的工作波形
第5页/共20页
输入输出电压的关系
• 当滤波电感L的电流连续时:
Uo Ns Ton Ui Np T
• Ton为两个开关管导通时间之和
• 以上四种原因导致在原边绕组正、反两个方向激励时,相应的伏秒面积不相等,此时变压器处于不平衡运 行状态,磁心的工作磁化曲线不再对于原点对称。即所谓变压器磁心出现了偏磁现象。当偏磁严重到一定 程度,磁心工作将进入单向饱和区,此时磁心的导磁率将急剧下降,变压器原边等效电感迅速减少,回路 电流瞬间上升,最终导致功率管烧毁
推挽式电源电路框图
135MW发变组试验方案设计
#7机组发变组大修后整套启动试验方案1. 编制依据1.1《火电工程启动调试工作规定》1.2 部颁《继电保护及自动装置检验条例》1.3大屯发电厂运行规程2. 编制目的通过电气整套启动试验,对投入的电气一次、二次设备进行全面检查,对发电机、励磁系统、发变组保护等设备进行系统考核,确保机组安全、可靠的投运。
3.试验对象及范围上海大屯能源股份有限公司发电厂#7机电气整套启动试验范围见试验内容及#7机电气一次系统图及励磁系统图。
3.1 发电机(空冷汽轮发电机)型号:WX21Z-073LLT额定功率:135MW额定容量:159MVA额定功率因数:0.85额定电压:13.8kV额定电流:6645A额定频率:50HZ额定转速:3000r/min接法:YY空载励磁电流:440A额定励磁电压:233V额定励磁电流:1408A制造厂:济南发电设备厂转子直流电阻:0.1589欧3.2 励磁变型号:ZSCB9-1000/13.8容量:1000KVA额定电压:(13.8±2×2.5%) / 0.46KV额定电流:41.8/1255A接线组别:Yd11相数,频率:3相,50Hz3.3 调节器型号:SAVR-2000交流输入:450V输入电压频率:50HZ电压调整范围:(1-130)%额定电压3.4 主变型号:SFP9-170000/220容量:170000KVA额定电压:242±2×2.5% / 13.8KV额定电流:405.6/7112A接线组别:YN,d11相数,频率:3相,50Hz阻抗电压:13.23%3.5 厂高变型号:SF9-25000/13.8额定容量:25000KVA额定电压:13.8±2×2.5% / 6.3KV额定电流:1046/2291A接线组别:Y,y0相数,频率:3相,50Hz阻抗电压:10.88%3.6 保护设备3.6.1发电机保护发电机差动、低压过流保护(带电流记忆)、定子绕组过负荷、转子表层过负荷、发电机定子接地(3ω,3U0)、定子匝间保护、失磁保护、转子一点接地保护、转子两点接地保护、励磁绕组过负荷、主汽门关闭。
复旦大学模拟电路二级运放实例
3.6.1 定义 ........................................................................................................ 16 3.6.2 两级运放的 CMRR .................................................................................. 17 3.7 电源抑制比(PSRR) ................................................................................ 18 3.7.1 定义 ........................................................................................................ 18 3.7.2 两级运放的 PSRR ................................................................................... 19 3.8 转换速率(Slew Rate) ............................................................................. 21 3.8.1 定义 ........................................................................................................ 21 3.8.2 两级放大器的 Slew Rate ......................................................................... 22 3.8.3 单位增益带宽 GBW 和压摆率 SR............................................................ 23 3.9 噪声 ............................................................................................................ 24 3.9.1 低频噪声 ................................................................................................. 24
某净水厂毕业设计完整版含图纸
某净水厂毕业设计完整版含图纸课程设计设计题目:专业班级:姓名:指导教师:山东农业大学水利土木工程学院2006年12月《给水工程》课程设计前言自从有了人类的生活和生产活动,人类活动就受制于水的自然循环和社会循环所产生的水量和水质。
城市给水工程的建设是一项系统工程,包括工程的前期立项和环境影响评价、工程的设计与建设资金的筹集。
为了设计好建设好城市给水工程,需要在项目的立项和设计各个环节充分了解工程的内容、要求和设计计算方法,掌握必要的专业知识,使工程建成后达到预期的效果。
为了与理论结合,在课程结束时进行课程设计,可以巩固课堂知识,增加对实际情况的理解。
同时可以涉及新兴工艺,对各个工艺流程进行比较选择。
水处理厂工艺的选择是水处理厂设计最为关键的问题,直接关系到工程建设造价、运行成本何处水水质。
常规水处理工艺(即所谓的混凝、沉淀、过滤、消毒工艺)无论在理论还是在实践上并无重大技术突破。
1( 混合工艺其主导工艺仍然是水泵混合、管式静态混合器混合、机械混合和跌水混合等。
2(1《给水工程》课程设计第1章总论 1.1给水处理课程设计任务及要求1.1.1设计题目某市净水厂设计1.1.2基本资料31、水厂产水量:1组:30000m/d。
32组:50000 m/d。
33组:80000 m/d。
2、水源为河水,原水水质如下:项目数量项目数量100~500mmg/l 浑浊度总硬度 40度1度色度碳酸盐硬度 4度0~20? 21mg/l 水温氯根7.2 32mg/l PH值硫酸根0.05mg/l 12000个/ml 细菌总数硝酸根1mg/l 3000个/ml 大肠菌数铁 0.033mg/l 略有臭和味亚硝酸根 4度7.69ml/l 耗氧量碱度3、厂区地形平坦,地面标高为黄海高程160.0m,水厂占地(1、2组):2.26公顷(155×145m)。
3组:2.4公顷(155×155m)4、当地气象资料:2《给水工程》课程设计风向:东北气温(月平均):最高28?,最低-1.9?。
老夫聊发少年狂,赛扬X200S换U超频折腾记,更新上SP9400!
⽼夫聊发少年狂,赛扬X200S换U超频折腾记,更新上SP9400!时光如梭,不经意间已经在51nb混10年了。
⼈⽼了,但⼼未⽼,最近偶然从论坛上⼗⼋⼸XD那⾥购得⼀台最低配赛扬723的X200S,虽然配置很低,但贵在成⾊很好,⽽且还是LED屏的,到⼿后对机器的成⾊很满意,上ssd硬盘装系统,开机速度很快,只是cpu确实太差了,开⽹页的时候明显有种⼒不从⼼的感觉,更别说游戏等耗资源的软件,顿时燃起了给这台阉割版的X200S换U超频的念头。
附俺喜欢的⼤⽂豪苏东坡的⼀⾸词:⽼夫聊发少年狂,左牵黄,右擎苍。
锦帽貂裘,千骑卷平冈。
为报倾城随太守,亲射虎,看孙郎。
酒酣胸胆尚开张,鬓微霜,⼜何妨,持节云中,何⽇遣冯唐?会挽雕⼸如满⽉,西北望,射天狼。
更新⼀下,上次换SP9400失败⼀直不⽢⼼,经多次研究,宣布换SP9400成功!本次折腾的成本和性能的提升SU9400某宝上可以搜到的,基本上属于被淘汰的CPU,价格也就100左右吧剩下的就是做BGA的⼿⼯成本了原机器是从论坛上⼗⼋⼸XD那⾥购⼊,完美成⾊+LED屏幕=1149⽶(事实上LCD的同类机器的价格还要低些,估计在1K左右)很简单即可算出这次折腾的成本投⼊⽽所获得的是,性能从最低配阉割版的赛扬723提升到了⼏乎达到最⾼配的SL9600(当然⼆级缓存少了⼀半)另外,所获得的不仅仅是性能上的巨⼤提升,更主要的是,达到了⽤最低的投⼊产出最⼤的效益的所谓DIY的⽬的呵呵,⼏年前,俺曾经发过⼀个X31换U超频的帖⼦,这台好成⾊最低配的X200S⼜让俺有了折腾的动⼒。
机器成⾊确实不错,就是⽇⽂键盘很蛋疼,顺便在论坛上求⼀块英⽂的键盘,有出⼿的请PM。
5年前俺发的x31换u超频的帖⼦在将低配的X40升级为迅驰⼆代1.4G之后,X31升级迅驰⼆代并超频⼜⼀次成功。
特此说明,本贴是代西南区⼩松XD发的。
本次X31升级迅驰⼆代并超频由西南区⼩松XD技术⽀持,本⼈只是代为发帖。
EMS防护电路设计规范
EMS防护电路设计规范篇一:EMC设计规范篇二:SPS电源安规设计规范1.目的为了规范SPS电源及类似产品的统一设计,能够符合国际标准,国家标准,行业标准,企业标准。
2. 范围适用于SPS研发部及相关部门对SPS电源及类似产品(家用/IT类/AV类等)的设计,检验及判定,并以此作为产品设计的依据,使产品在设计阶段就处于安全可靠的状态。
3.定义3.1. 额定参数,指公司依据产品的特性而制定的额定的电压,频率,功率,电流等参数或参数范围。
3.2. 绝缘等级,分为基本绝缘,附加绝缘,双重绝缘,加强绝缘,功能绝缘基本绝缘:依据本身的基本的电击防护措施的绝缘,只有一层介质的绝缘;附加绝缘:除基本绝缘以外的附加的独立的绝缘,基本绝缘外的另一层介质的绝缘;双重绝缘:由基本绝缘和附件绝缘构成的绝缘系统,从而达到防电击的要求,即含有两层介质的绝缘;加强绝缘:施加在带电零件上的单一绝缘体,其防护电击的要求相当于双重绝缘或以上的要求,它可能含有两层介质以上的绝缘,也可能是单一均质体。
功能绝缘:为了产品能够正常工作而在导电体之间施加的绝缘。
3.3. 器具类别,分为0类,0I类,I类,II类,III类O类:器具整体至少具有基本绝缘﹐并带有一个接地端子﹐但其电源线不带接地导线,插头也无接地片。
0I类:器具不仅带有基本绝缘,而且带有附加的安全防护措施﹐即将导电性可触及零件连接到设施固定线路中的接地保护导体﹐这样﹐万一基本绝缘失效,导电性可触及零件也不会带电。
I类:器具不仅带有基本绝缘,而且带有双重绝缘或加强绝缘之安全防护措施﹐但没有接地保护措施。
II类:器具的一部分依靠双重绝缘或加强绝缘提供电击防护措施,产品LOG上经常用“回”来表示。
III类:用安全特低电压来供电的器具,其内部不产生比安全特低电压高的电压。
3.4. 安全距离,分为爬电距离和电气间隙爬电距离:指两个导体间沿物体表面爬行的最小距离;电气间隙:指两个导体间空间直线的最小距离3.5 Class 2: 功率小于660W,输出电压不超过交流42.4VDC/60VAC,最大输出电流不超过5A,输出小于100VA3.6 限流电路:在正常工作或有单一的故障的情况下,其电路中是非危险的电流的电路3.7 一次电路,与交流电直接连接的并在变压器之前的电路二次电路,不与一次电路直接连接的电路,如变压器,电池等之后的电路3.8 功能接地:用于安全目的以外的接地,通常是电路原理需要的接地。
lte测试电路图设计集锦电路图天天读(66)-全文
LTE测试电路图设计集锦—电路图天天读(66)- 全文LTE是由3GPP组织制定的UMTS,通用移动通信系统)技术标准的长期演进。
LTE系统引入了OFDM(正交频分复用)和MIMO(多输入多输出)等关键传输技术,显著增加了频谱效率和数据传输速率,并支持多种带宽分配:1.4MHz,3MHz,5MHz,10MHz,15MHz和20MHz等,且支持全球主流2G/3G频段和一些新增频段,因而频谱分配更加灵活,系统容量和覆盖也显著提升。
LTE系统网络架构更加扁平化简单化,减少了网络节点和系统复杂度,从而减小了系统时延,也降低了网络部署和维护成本。
LTE系统支持与其他3GPP系统互操作。
为此,本文介绍一些关于LTE 测试电路设计。
TOP1 实现电压非接触稳定测量电路非接触电压测量原理非接触电压测量的原理类似于磁力仪测量磁场,不需要直接电气连接,通过电容耦合,利用位移电流来测量物体表面或自由空间的电压。
将传感器电极放在电场中,感应电极与信号源之间将形成耦合电容,通过耦合电容信号源经过测量系统与地之间将构成一个分压电路,如图1所示。
图1非接触电压铡量原理图当耦合阻抗与系统输入阻抗相比可忽略不计时,系统相当于一个具有理想特性的电压计,可有效测量电压信号。
因此,为了提高系统的灵敏度,在系统设计过程中,应该采用反馈等技术提高系统前端传感器的输入电阻,降低输入电容。
通过测量空中两点电压的大小,根据电压与电场的关系,可以推导出空中电场的情况。
揭秘STM32多路电压测量电路ADC控制电路模块为了扩大测量范围和测量精度,本设计在STM32的ADC前加入匹配电路。
在ADC控制电路中,输入信号先经过射极电压跟随电路,然后经过分压电路,使输入信号满足AD603的输入要求。
然后再经过射极电压跟随电路,输入ADC输入端。
AD603的控制输入使用STM32的DAC,可以满足增益的要求。
匹配电路以AD603为核心。
AD603 为单通道、低噪声、增益变化范围线性连续可调的可控增益放大器。
无私奉献常用的各种电器原理图
无私奉献常用的各种电器原理图贴子发表于:2008/7/3 13:43:04燃气热水器的控制电路燃气热水器是常用的小家电。
各种品牌的控制电路大同小异,现以附图的“光辉牌”燃气热水器电路进行剖析,以供读者参考。
LM339是一种电源电压适应范围宽的四电压比较器。
优点是两个输入端电压差大于1 0mv,就能使输出端电压翻转,因此该IC大量使用在燃气热水器控制电路中。
电路中的比较器A1为控制产生高压点火用;A2、A3为启动电磁阀用。
图中的电磁阀线圈L由两线圈串接组成。
A、B之间用中0.1 mm漆包线绕约4000~6000匝,B、C之间用中0.23mm漆包线绕约150-200匝。
要让电磁阀开启,两部分线圈中必须同时都有电流通过;一旦启动后,其维持电流很小。
当开启热水器出水阀门后,足够的水压就可使图中水压联动开关K接通,此时A1的同相输入端(11脚)因C3初始充电,其电压低于⑩脚。
此时输出端(13)脚处于低电位,振荡管Q1振荡,产生高压打火。
由于D3的钳位作用,A3的正相输入端⑤脚为低电位,输出端②脚也为低电位,Q3正偏导通,电磁阀线圈L中有电流通过产生吸力,但不能开启电磁阀;同时A2的同相输入端⑦脚因C2充电初始时处于低电位,因此输出端①脚为低电位,为Q2提供正偏,使Q2导通。
电磁阀B、C线圈中有较大的电流.这两部分线圈产生的吸力叠加,电磁阀才能开启。
一旦点火成功后,熄火保护探针因高温产生离子电流(此时打火已停止.A1输出端已为高电位,D3无钳位),因此A 3的同相输入端⑤脚仍为低电位,为Q3继续导通提供保证。
经过约5-6秒的高压打火时间后,c3已充足电,A1的输出端(13)脚转变为高电位,振荡打火停止,启动指示LED也熄灭。
当C2充足电,A2正相输入端(7)脚为高电位时,输出端(1)脚转变为高电位,Q2截止,电磁阀线圈中只有Q3提供的;小电流来维持开启。
使用过程中,若出现熄火,离子电流消失,A3的正相输入端⑤脚转变为高电位,输出端②脚为高电位,Q 3截止,将电磁阀关闭,燃烧室中不会充满燃气。
UP23N原理图
NAND Type Flash TSOP 3V3 3V3 0.1u/0402/16V/Z
Mount R49 for Toshiba 8K
R49 0R/0402/5% 2 SEL
C
3V3
BC10
BC11
BC12 0.1u/0402/16V/Z
R48 and R49 NC for Micron
Test
U8 U7 FCLE0 FCLE0 FnRD0 FALE0 FnWE0
V33 VCC5A GND AG33 AV33 DP DM VREF AG18 AV18 V18 PVBUS
0.1u/0402/16V/Z/NA BC6
3V3 A
3V3 A
UP23N-48P
D1
C
D2
C5 0.1u/0402/16V/Z
C
LED
PBPIO1 PS2251-68-48P
T3 NC/0603
3V3
D
FRDY0 FnRD0 FnCE0 FnCE1
FRDY0 FnRD0 FnCE2 FnCE3
FDATA7 FDATA6 FDATA5 FDATA4
Other's Flash BC9
0.1u/0402 0.1u/0402 0.1u/0402 0.1u/0402
Intel & Micron 34nm Flash
3
2
1
5
4
3
2
1
3V3 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
U2 VCC VSS NC R/BJ3 R/BJ2 R/BJ1 R/BJ0 REJ CEJ0 CEJ1 NC VCC VSS CEJ2 CEJ3 CLE ALE WEJ WPJ VSSQ VCCQ NC VSS VCC VSS NC VSSQ VCCQ IO7 IO6 IO5 IO4 VSSQ VCCQ VCCQ VCC VSS DQS VCCQ VSSQ IO3 IO2 IO1 IO0 VCCQ VSSQ NC VSS 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
靠近PMIC(ATC2603A)放置
CP26 RP37 NC 200R 5% RP39 LI_BAT RP1 BAT 0R 5% LP3 NC 4.7uH CP51 10uF DCR<0.07ohm NC NC 104
SYSPWR BAT LDO3OUT LDO3LDO7IN--NC LDO7OUT AUXIN0/WKUP/IR REMCON DC4OUT--NC DC4IN--NC DC4LX--LDO6OUT LDO5OUT LDO5IN DC2LX DC2IN DC2OUT DC3OUT DC3IN
POWER POR EXTIRQ XLO I2S_MCLK0 I2S_LRCLK0 I2S_D0 I2S_D1 SPI_CLK SPI_MOSI SPI_MISO SPI_SS LDO DC-DC
ATM7029
DDR3
DDR3_DQ[0:7] DDR3_DM0 DDR3_DQS0 DDR3_DQS0# DDR3_DQ[8:15] DDR3_DM1 DDR3_DQS1 DDR3_DQS1# DDR3_CK DDR3_CK# DDR3_A[0:15] DDR3_BA[0:2] DDR3_RAS DDR3_CAS DDR3_ODT DDR3_DQ[0:7] DDR3_DM0 DDR3_DQS0 DDR3_DQS0# DDR3_DQ[8:15] DDR3_DM1 DDR3_DQS1 DDR3_DQS1# DDR3_CK DDR3_CK# DDR3_A[0:15] DDR3_BA[0:2] DDR3_RAS DDR3_CAS DDR3_ODT
ATM7029标案原理图
Sheets List
1. Version 2. Block Diagram 3. Power Tree 4. PMIC 5. CPU1 6. CPU2 7. DDR3 8. Flash&Card&HDMI 9. USB 10. WIFI 11. Camera&3G 12. MISC 13. RGB&LCD Power 14. LVDS
RMII_CRSDV
GPIOA18
YZ1 32k768 1 2 4 3
RP2 10M 5%
Option : ATC2603A
LDO4OUT/VDD RP6 0R 5% VDD1V8 DC4LX/LDO6OUT RP7 0R 5% AVDD
LOSCO
C
充电指示灯
C
WIFI 3V3
LDO1_3V3 UW2 XC6221B33MR/LP3992-33B5F/DT4501 105 WIFI_3V3 5 SYSPWR 1 OUT VIN 3 GND CTRL NC 4 CW2 225
ATC2603X
BAT WALL
Other Device
FMINL FMINR
FM
SD0_CMD SD0_CLK SD0_D[0:3]
SD1_CMD SD1_CLK SD1_D[0:3]
TXOP0 TXON0 TXOP1 TXON1 TXOP2 TXON2 HPD CEC
HOSCO
HOSCI
SD0_CMD SD0_CLK SD0_D[0:3]
CP27 NC
LDO2AVCC LDO2LDO8IN--LDO2IN LDO8OUT--HOSC SVCC POR ONOFF LOSCO LOSCI RTCVDD CMN--NC CMP--NC SW_CHR_IN--NC SW_CHR_LX--NC WALLFET_EN BATFET_EN WALL VBUS
G-Sensor CTP
ATM7029 CMU_AVDD USB_AVDD ATC2603A LDO3/7 IN LDO1/4 IN VCC SWITCH IN ATM7029 VCC NAND VCC
VBAT 锂电池 +5VPOW (HDMI) SYSPWR
BAT
ATC2603A
DCDC1 DCDC2
4
PMIC&CODEC
D
AVCC SYSPWR LDO8OUT/XLO SVCC POR ONOFF LOSCO LOSCI RTCVDD CMN CMP SYSPWR BAT_SW WALLFET_EN I>2.5A BATFET_EN WALL USB3_VBUS0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17
Revision History
V1.3 Release. 2012-12-01
ATM7029方案框图
TV OUT Sensor Camera FLASH NAND USB1 USB0 USB2
NAND_D[0:7] NAND_CEB[0:3]
BT_D[0:7] BT_VSYNC BT_HSYNC BT_PCLK BT_CLKOUT
Decoupling CAP
SYSPWR
3
SVCC
2 DCDC
RTCVDD SYSPWR DC1LX LP1 SWPA5020S2R2NT 2.2uH DCR<0.05ohm CP5 10uF CP6 104
1
VDD0
GND 69
OUTP--DC0LX OUTN--DC0IN CDP--DC0OUT OUTFR OUTFL FMINL FMINR VROS VREFI VRO MICIN VMICEXT VCC NC--LDO6OUT EXTIR0 I2S_MCLK0 I2S_LRCLK0
NAND_RB0 NAND_CLE NAND_ALE NAND_RD# NAND_WR#
USB_DP1 USB_DM1
USB_DP0 USB_DM0
USB_DP2 USB_DM2
TV_CVBS
TFT-LCD Panel
OUTFR
OUTFL
POWER_EN
VMICEXT MICIN
LCD_D[0:23] LCD_DCLK HSYNC VSYNC DE PWM0
DCDC
WALL WIFI 模组 WIFI_3V3 ATM7029 LVDS_AVCC CMU_AVCC DAC_AVCC TMDS_AVCC USB_AVCC
USB 接口
VBUS
DCDC
OTG_5V
限流IC
LDO1 LDO2 VBUS WALL LDO3 VDD LDO5 LDO6 SYSPWR
TPVCC3V1 AVDD SENS_1V8 SD_VCC VDD1V8
LDO4OUT/VDD
Crystal
LOSCI
18 SYSPWR 19 BAT 20 VDD1V8 21 VCC 22 SENS_1V8 23 AUXIN 24 REM_CON 25 VDD2 26 SYSPWR 27 DC4LX/LDO6OUT 28 TPVCC3V1 29 SYSPWR 30 DC2LX 31 SYSPWR 32 DDR_VP 33 VCC 34 SYSPWR
USB_DP1 USB_DM1
USB_DP0 USB_DM0
USB_DP2 USB_DM2
TV_CVBS
MICLeabharlann MICInterrupt Capacitive Touch Panel Reset
I2C
I2C_1 SIRQ0 KS_IN0
POWER POR# SIRQ2 CLKO I2S_MCLK0 I2S_LRCLK0 I2S_D0 I2S_D1 SPI1_SCLK SPI1_MOSI SPI1_MISO SPI1_SS Power OK Signal Interrupt 24MHz
CP39 CP40 NC/10uF NC/104
LDO8OUT/XLO RP3 NC/0R 5%LDO8_3V3 LDO4OUT/VDD RP4 NC/0R 5% SENS_2V8
CW1 RMII_REFCLK
RW2 1K 5%
GPIOA21
RW3 NC
2
VDD1 SYSPWR DC0LX/OUTP LP6 NC SWPA4020S2R2NT 2.2uH DCR<0.05ohm DC0IN/OUTN RP21 NC SYSPWR
51 I2S_D0 50 I2S_D1 49 SPI1_MISO 48 SPI1_MOSI 47 SPI1_SCLK 46 SPI1_SS 45 LDO4OUT/VDD 44 VCC 43 LDO1_3V3 42 VDD0 41 SYSPWR 40 SYSPWR 39 DC1LX 38 DC1LX 37 VCC 36 SD_VCC 35 DC3LX
LDO7 SWITCH
Camera Sensor SD Card
ATC2603A SYSPWR LDO2/8 IN DCDC1/2/3 DCDC3 VCC
NAND FLASH
LDO
SENS_2V8
VDD0
SENS_2V8 Camera Sensor
DDR_VP
Camera Sensor DOVDD
LCD G-Sensor Motor VCC
Option : ATC2603B
DC4LX/LDO6OUT SYSPWR LP5 NC SWPA4020S2R2NT 2.2uH DCR<0.05ohm CP44 NC/10uF CP45 NC/104 I>2A
VDD2
LDO8OUT/XLO RP8 100R 5% KS_OUT1 CP43 22pF
LCD_D[0:23] LCD_DCLK LCD_HSYNC LCD_VSYNC LCD_LDE KS_IN2 KS_IN1
NAND_CEB[0:3]
NAND_RB0 NAND_CLE NAND_ALE NAND_RD# NAND_WR# NAND_D[0:7]
BT_D[0:7] BT_HSYNC BT_HSYNC BT_PCLK BT_CLKOUT