40EPU06单芯片40A,600V大功率快恢复整流二极管
6n50场效应管参数
6n50场效应管参数
6N50场效应管是一种N沟道MOSFET场效应管，常用于功率放
大和开关电路中。
它具有以下参数：
1. 饱和漏源电压（VDS），这是场效应管在完全导通状态下的
漏源电压。
对于6N50管来说，通常在20V至100V之间。
2. 最大漏极电流（ID），这是场效应管能够承受的最大漏极电流。
对于6N50管来说，通常在6安培至10安培之间。
3. 阈值电压（VGS(th)），这是场效应管开始导通的门极电压。
对于6N50管来说，通常在2V至4V之间。
4. 导通电阻（RDS(on)），这是场效应管导通时的漏源电阻。
对于6N50管来说，通常在0.3欧姆至0.6欧姆之间。
5. 最大耗散功率（PD），这是场效应管能够承受的最大功率。
对于6N50管来说，通常在100瓦至150瓦之间。
6. 开关时间，包括上升时间和下降时间，是场效应管从关断到
导通或从导通到关断的时间。
这些时间会受到电路设计和工作条件的影响。
7. 输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这些参数描述了场效应管的输入和输出电容，对于高频应用和开关速度有重要影响。
以上是6N50场效应管的一些基本参数，这些参数会影响到场效应管在电路中的具体应用和性能表现。
在实际使用中，还需要根据具体的电路设计和要求来选择合适的场效应管，并结合其他元器件进行综合设计和优化。
希望这些信息能够对你有所帮助。
快恢复整流二极管参数FR101--FR107
汕头市森源科技电子商行
Plastic Fast Recover Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000V Forward Current 1.0A
特征 Features
·低的反向漏电流 Low reverse leakage ·较强的正向浪涌承受能力 High forward surge capability ·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:
trr
MAX. Reverse Recovery Time
典型结电容
Type junction capacitance
VR = 4.0V, f = 1MHz
Cj
150 15
FR FR 106 107
300 8
单位 Unit
V µA
nS pF
正向电流 IF(A) IF Instantaneous Forward Current (A)
ＦＲ１０１－１０７产品规格书
塑封快恢复整流二极管
反向电压 50 --- 1000 V 正向电流 1.0 A
DO-41
1.0(25.4) MIN
.034(0.9) .028(0.7)
DIA
.205(5.2) .166(4.2)
1.0(25.4) MIN
.107(2.7) DIA
.080(2.0)
Unit：inch（mm）
特性曲线 Characteristic Curves
正向特性曲线（典型值） TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC 10
2 1
0.2 Tj = 25 °C
0.1
大功率 场效应管 40A 600V的型号有哪些？
TK6A60D TO-220F定型脚 TOSHIBA DIP/MOS N场 600V 6A 1.25Ω
K6A60D TO-220F定型脚 TOSHIBA DIP/MOS N场 600V 6A 1.25Ω
2SK4026 TOSHIBA TO-251
WFW24N60,TO-3P,600V,24A,0.27Ω
WFW20N60,TO-3P,600V,20A,0.32Ω
AP01L60J AP/富鼎 TO-251
FQU2N60 FAIRCHILD TO-251
SPU02N60C3 infineon TO-251
SPP03N60S5 infineon TO-220
SPP04N60C3 infineon TO-220
SPP04N60S5 infineon TO-220
SSP2N60B FAIRCHILD TO-220
SSP6N60B FAIRCHILD TO-220
SSP7N60 FAIRCHILD TO-220
2SK2003-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,600V,4A
2SK2002-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,600V,3A
FMV06N60E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,600V,6A
SPU04N60S5,TO251,Infineon,DIP/MOS,N场,600V,4.5A,0.95Ω
KIA4N60 TO-220F KIA DIP/MOS N场 600V 4A
KIA2N60 TO-220F KIA DIP/MOS N场 600V 2A 4.4Ω
50n06参数及应用
50n06参数及应用50N06是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它具有以下参数和应用。
参数：1. 额定电压（Vds）：50V，表示器件可以承受的最大电压。
2. 额定电流（Id）：50A，表示器件可以承受的最大电流。
3. 静态电阻（Rds(on)）：0.02Ω，表示当MOSFET处于导通状态时的电阻。
4. 阈值电压（Vth）：2-4V，表示当控制电压（Gate-Source电压）超过该值时，MOSFET开始导通。
5. 最大功耗（Pd）：110W，表示器件可以承受的最大功耗。
应用：1. 开关电源：50N06可以用作开关电源中的开关管，通过控制Gate电压来控制电路的导通和断开，实现电源的开关功能。
由于50N06具有较高的额定电压和电流，可以在高功率开关电源中使用。
2. 电机驱动：50N06可以用作电机驱动电路中的开关管，通过控制Gate电压来控制电机的启停和转向。
由于50N06具有较低的静态电阻，可以减小电路的功耗和热量，提高电机的效率。
3. LED照明：50N06可以用作LED照明电路中的开关管，通过控制Gate电压来控制LED的亮灭。
由于50N06具有较高的额定电压和电流，可以在高亮度LED照明中使用。
4. 电源管理：50N06可以用作电源管理电路中的开关管，通过控制Gate电压来控制电路的开关和调节。
由于50N06具有较低的静态电阻和较高的额定电压，可以在高效率的电源管理中使用。
5. 汽车电子：50N06可以用作汽车电子中的开关管，通过控制Gate电压来控制电路的导通和断开，实现汽车电子系统的控制功能。
由于50N06具有较高的额定电压和电流，可以在汽车电子系统中承受较大的负载。
总结：50N06是一种N沟道MOSFET，具有较高的额定电压和电流，较低的静态电阻和较高的额定功耗。
它可以广泛应用于开关电源、电机驱动、LED照明、电源管理和汽车电子等领域。
通过控制Gate电压，可以实现电路的开关、调节和控制功能。
士兰微 SGT40N60NPFDPN 说明书 40A、600V绝缘栅双极型晶体管 说明书
40A 、600V 绝缘栅双极型晶体管描述SGT40N60NPFDPN 绝缘栅双极型晶体管采用新一代场截止（Field Stop ）工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。
该产品可应用于感应加热UPS ，SMPS 以及PFC 等领域。
特点♦ 40A ，600V ，V CE(sat)(典型值)=1.8V@I C =40A ♦ 低导通损耗 ♦ 超快开关速度 ♦高击穿电压命名规则SGT 40 N E 60 □□□□ PNIGBT 产品系列名称电流值,20表示20AN ChannelE:表示有带ESD空白:表示不带ESD电压值:120表示1200VNP:表示NPT 工艺 P: 表示PT 工艺T: 表示Trench 工艺空白: 表示非Trench 工艺 F: 表示采用了Field stop 工艺空白: 表示非采用Field stop 工艺 D: 表示内置了FRD 空白: 表示没有内置了FRD表示封装形式,如PN 表示TO-3P 封装形式产品规格分类产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装 SGT40N60NPFDPNTO-3P40N60NPFD无铅料管极限参数 (除非特殊说明，T C =25°C)参 数符 号 参数范围 单位 集电极-射极电压 V CE 600 V 栅极-射极电压V GE±20 V 集电极电流 T C =25°CI C 80 A T C =100°C40 集电极脉冲电流 I CM 120 A 耗散功率（T C =25°C ） - 大于25°C 每摄氏度减少 P D 290 W 2.32 W/°C 工作结温范围 T J -55～+150 °C 贮存温度范围 T stg -55～+150°C热阻特性参数符号参数范围单位芯片对管壳热阻（IGBT）RθJC0.24 °C/W 芯片对管壳热阻（FRD）RθJC 1.4 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA35.5 °C/WIGBT电性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压BV CE V GE=0V,I C=250uA 600 -- -- V 集射漏电流I CES V CE=600V,V GE=0V -- -- 200 uA 栅射漏电流I GES V GE=20V,V CE=0V -- -- ±500 nA 栅极开启电压V GE(th)I C=250μA,V CE=V GE 4.0 5.0 6.5 V 饱和压降V CE(sat)I C=40A,V GE=15V -- 1.8 2.7 VI C=40A, V GE=15V, T C=125°C -- 2.1 -- V输入电容C ies VCE=30VV GE=0Vf=1MHz -- 1850 --pF输出电容C oes-- 180 -- 反向传输电容C res-- 50 --开启延迟时间T d(on)V CE=400VI C=40AR g=10ΩV GE=15V感性负载-- 18 --ns开启上升时间T r-- 80 --关断延迟时间T d(off)-- 110 --关断下降时间T f-- 105 --导通损耗E on-- 1.87 --mJ 关断损耗E off-- 0.68 --开关损耗E st-- 2.55 --栅电荷Q gV CE = 300V, I C=20A,V GE = 15V -- 100 --nC发射极栅电荷Q ge-- 11 --集电极栅电荷Q gc-- 52 --FRD电性参数(除非特殊说明，T C=25°C)参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位二极管正向压降V fm I F = 20A T C=25°C -- 1.9 2.6V I F = 20A T C=125°C -- 1.5 --二极管反向恢复时间T rr I ES =20A, dI ES/dt = 200A/μs-- 32 -- ns 二极管反向恢复电荷Q rr I ES =20A, dI ES/dt = 200A/μs-- 74 -- nC典型特性曲线图1. 典型输出特性集电极电流 – I C (A )0401201.53.06.0集电极-发射极电压 – V CE (V)集电极电流 – I C (A )集电极-发射极电压 – V CE (V)图3. 典型饱和电压特性802060100 4.5图2. 典型输出特性集电极电流 – I C (A )401200 1.5 3.0 6.0集电极-发射极电压 – V CE (V)8020601004.5040120012580206010043集电极电流 – I C (A )栅极-发射极电压 – V GE (V)图4. 传输特性40120456128020601001089711图5. 饱和电压vs. V GE集电极-发射极电压 – V C E (V )0420481220栅极-发射极电压 – V GE (V)1281616图6. 饱和电压vs. V GE集电极-发射极电压 – V C E (V )0420481220栅极-发射极电压 – V GE (V)1281616典型特性曲线（续）图7. 电容特性电容(p F )0200050000.11.010.030.0集电极-发射极电压 – V CE (V)开关时间 [n s ]栅极电阻 - R G (Ω)图9. 开启特性 vs. 栅极电阻300010004000102001020501004030图8. 栅极电荷特性栅极-发射极电压 - V G E (V )06153060120栅极电荷量 – Q G (nC)931290开关时间 [n s ]栅极电阻 - R G (Ω)图10. 关闭特性 vs. 栅极电阻10550010205010004030开关损耗 [m J ]栅极电阻 - R G (Ω)图11. 开关损耗 vs. 栅极电阻0.310.01020504030正向电流 - I F (A )正向电压 - V F (V)图12. 正向特性0.280.01410.0321.0典型特性曲线（续）图14. IGBT 瞬态热阻抗峰值功率阻抗 (°C /W )00.10.2510-510-410-310-1脉冲持续时间(S)0.150.050.210-210-110101100101102103102集电极电流 - I C (A )图13. SOA 特性集电极-射极电压 - V CE(V)封装外形图声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
ASEMI品牌大功率肖特基二极管MBR60200PT
MBR60200PT，肖特基二极管 ASEMI品牌型号：MBR60200PT
品牌：ASEMI
封装：TO-247/3P
特性：肖特基二极管
电性参数：60A，200V
芯片材质：SI
正向电流(Io)：60A
芯片个数：2
正向电压(VF)：0.85V
芯片尺寸：150MIL
浪涌电流Ifsm：500A
漏电流(Ir)：10UA
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：<5nS
引线数量：3
ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件，主要生产销售整流桥系列封装（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模块（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽车整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；肖特基二极管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管)；玻璃钝化（GPP）六英寸晶圆等，各种封装参数在ASEMI都有详细介绍。
大功率超快恢复二极管型号
大功率超快恢复二极管型号一、引言大功率超快恢复二极管是一种高性能的半导体器件，具有快速恢复时间和较低的反向恢复电荷等优点，在电力电子、通讯、计算机等领域得到了广泛应用。
本文将介绍大功率超快恢复二极管的型号及其特点。
二、大功率超快恢复二极管的特点1. 快速恢复时间：大功率超快恢复二极管的恢复时间一般在50ns以下，远远快于普通整流二极管。
2. 低反向恢复电荷：由于采用了优化的PN结结构和材料，大功率超快恢复二极管具有较低的反向恢复电荷，可以减小开关损耗。
3. 高温性能好：大功率超快恢复二极管采用高温稳定材料制造，可以在高温环境下稳定工作。
4. 低漏电流：由于PN结结构和材料的优化，大功率超快恢复二极管具有较低的漏电流，可以减小系统功耗。
三、常见型号1. STTH系列：STTH系列是ST公司生产的大功率超快恢复二极管，具有低反向恢复电荷、高温性能好等特点，广泛应用于电力电子领域。
2. MUR系列：MUR系列是ON Semiconductor公司生产的大功率超快恢复二极管，具有快速恢复时间、低漏电流等特点，在通讯和计算机领域得到了广泛应用。
3. FFPF系列：FFPF系列是Fairchild公司生产的大功率超快恢复二极管，具有低反向恢复电荷、高温性能好等特点，在电力电子领域得到了广泛应用。
四、选型建议1. 根据应用场景选择合适的型号：不同厂家生产的大功率超快恢复二极管在性能和价格上可能存在差异，需要根据具体应用场景选择合适的型号。
2. 关注参数匹配问题：在使用大功率超快恢复二极管时，需要注意与其他器件参数匹配问题，以确保系统稳定工作。
3. 注意散热问题：由于大功率超快恢复二极管在工作过程中会产生较多热量，需要注意散热问题，以确保器件长期稳定工作。
五、总结大功率超快恢复二极管是一种高性能的半导体器件，具有快速恢复时间和较低的反向恢复电荷等优点，在电力电子、通讯、计算机等领域得到了广泛应用。
在选型时需要根据具体应用场景选择合适的型号，并注意与其他器件参数匹配和散热问题。
快恢复整流二极管参数FR101--FR107(精)
塑封快恢复整流二极管反向电压 50 --- 1000 V正向电流 1.0 AFR 101FR 102FR 103FR 104FR 105FR 106FR 10710005010020040060080050 100200400600800100035701402804205607006530301.01.35.0100150300FR 101FR 102FR 103FR 104FR 105FR 106FR 107最大可重复峰值反向电压Maximum repetitive peak reverse voltage最大均方根电压Maximum RMS voltage最大直流阻断电压Maximum DC blocking voltage最大正向平均整流电流Maximum average forward rectified current峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave最大反向峰值电流Maximum peak reverse current full cycle典型热阻 Typical thermal resistance工作结温和存储温度 Operating junction and storage temperature range-50 --- +150 V V V A A µA℃ /WV RRMV RMS V DC I F(AVI FSM I R(AV特征 Features·低的反向漏电流 Low reverse leakage·较强的正向浪涌承受能力 High forward surge capability·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:250℃ /10 秒 , 0.375" (9.5mm引线长度。
光电二极管 运放型号
光电二极管运放型号
光电二极管是一种能够将光能转化为电能的半导体器件，常用于光通信、光电探测等领域。
为你提供部分运放型号：
- MCP6L02T-E/MS：这是一款便携式IC，常用于光电二极管放大器，其工作频率为1MHz，电流为85µA。
- RS622：采用COMS工艺设计，具有7MHz的高增益带宽乘积和0.7mV的失调电压，适合用于电池供电的指夹血氧仪等设备中。
- TSV7722：一款高精度高带宽运算放大器，可实现22MHz的增益带宽和11V/μs的圧摆率，适合在功率变换电路和光学传感器中进行高速信号调理和精确电流测量。
输入失调电压低至200µV，输入电压噪声密度低至7nV/√Hz，可以准确地测量低边电流。
输入偏置电流典型值为2pA，可以在烟火探测器等光电感测应用中准确测量光电二极管电流。
- LTA604x：高速电压反馈运算放大器，具有140MHz带宽和107 V/us的压摆率。
输出电压范围可以达到任何供电轨35mv内，适合在低电压应用。
同时，LTA604x提供极好的低谐波失真和快速稳定时间，能成为理想的ADC缓冲前端。
- JI57X：是一款集成低噪声JFET放大器的Si硅光电二极管，可采用单电压电源，具有非常低的漂移和高的动态范围。
适合于辐射测量，光谱分析以及医学诊断。
其芯片尺寸为7mm²，光谱响应范围位于400-1100nm。
在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的运算放大器和光电二极管，以确保系统的性能和稳定性。
常用快恢复二极管的参数【常用二极管参数】
常用快恢复二极管的参数【常用二极管参数】常用二极管参数05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V, Pzm=500mW,05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V, Pzm=500mW,05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V, Pzm=500mW,05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V, Pzm=500mW,05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V, Pzm=500mW,1N4001 硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA, Vf=1V, Ifs=50A)1N4002 硅整流二极管 100V, 1A,1N4003 硅整流二极管 200V, 1A,1N4004 硅整流二极管 400V, 1A,1N4005 硅整流二极管 600V, 1A,1N4006 硅整流二极管 800V, 1A,1N4007 硅整流二极管 1000V, 1A,1N4148 二极管 75V, 4PF, Ir=25nA, Vf=1V,1N5391 硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA, Vf=1.4V, Ifs=50A) 1N5392 硅整流二极管 100V, 1.5A,1N5393 硅整流二极管 200V, 1.5A,1N5394 硅整流二极管 300V, 1.5A,1N5395 硅整流二极管 400V, 1.5A,1N5396 硅整流二极管 500V, 1.5A,1N5397 硅整流二极管 600V, 1.5A,1N5398 硅整流二极管 800V, 1.5A,1N5399 硅整流二极管 1000V, 1.5A,1N5400 硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA, Vf=1V, Ifs=150A)1N5401 硅整流二极管 100V, 3A,1N5402 硅整流二极管 200V, 3A,1N5403 硅整流二极管 300V, 3A,1N5404 硅整流二极管 400V, 3A,1N5405 硅整流二极管 500V, 3A,1N5406 硅整流二极管 600V, 3A,1N5407 硅整流二极管 800V, 3A,1N5408 硅整流二极管 1000V, 3A,1S1553 硅开关二极管 70V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,1S1554 硅开关二极管 55V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,1S1555 硅开关二极管 35V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,1S2076 硅开关二极管 35V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, Ir≤1uA, Vf≤0.8V,≤1.8PF,1S2076A 硅开关二极管 70V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 60V, Ir≤1uA, Vf≤0.8V,≤1.8PF,1S2471 硅开关二极管80V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF,1S2471B 硅开关二极管 90V, 150mA, 250mW, 3nS, 3PF, 450ma, 1S2471V 硅开关二极管 90V, 130mA, 300mW, 4nS, 2PF, 400ma, 1S2472 硅开关二极管50V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF,1S2473 硅开关二极管35V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤3PF,1S2473H 硅开关二极管 40V, 150mA, 300mW, 4nS, 3PF, 450ma, 2AN1 二极管 5A, f=100KHz2CK100 硅开关二极管 40V, 150mA, 300mW, 4nS, 3PF, 450ma, 2CK101 硅开关二极管 70V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 2CK102 硅开关二极管 35V, 150mA, 250mW, 8nS, 3PF, 450ma, 2CK103 硅开关二极管 20V, 100mA, 2PF, 100ma,2CK104 硅开关二极管 35V, 100mA, 10nS, 2PF, 225ma,2CK105 硅开关二极管 35V, 100mA, 4nS, 2PF, 225ma,2CK106 硅开关二极管 75V, 100mA, 4nS, 2PF, 100ma,2CK107 硅开关二极管 90V, 130mA, 300mW, 4nS, 2PF, 400ma, 2CK108 硅开关二极管 70V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,2CK109 硅开关二极管 35V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,2CK110 硅开关二极管 90V, 150mA, 250mW, 3nS, 3PF, 450ma, 2CK111 硅开关二极管 55V, 100mA, 300mW, 3.5PF, 300ma,2CK150 硅开关二极管15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF,2CK161 硅开关二极管15V, Ir≤25nA, Vf≤1.2V,≤2PF,2CK4148 硅开关二极管75V, Ir≤25nA, Vf=1V, 4PF,2CK2076 硅开关二极管35V, Ir≤1uA, Vf≤0.8V, ≤1.8PF, 2CK2076A硅开关二极管60V, Ir≤1uA, Vf≤0.8V, ≤1.8PF, 2CK2471 硅开关二极管80V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF, 2CK2472 硅开关二极管50V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤2PF, 2CK2473 硅开关二极管35V, Ir≤0.5uA, Vf≤1.2V,≤3PF, 2CN1A 硅二极管 400V, 1A, f=100KHz,2CN1B 硅二极管 100V, 1A, f=100KHz,2CN3 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3D 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3E 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3F 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3G 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3H 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3I 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN3K 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CN4D 硅二极管 V, 1.5A, f=100KHz,2CN5D 硅二极管 V, 1.5A, f=100KHz,2CN6 硅二极管 V, 1A, f=100KHz,2CP1553 硅二极管Ir≤0.5uA, Vf≤1.4V,≤3.5PF,2CP1554 硅二极管Ir≤0.5uA, Vf≤1.4V,≤3.5PF,2CP1555 硅二极管Ir≤0.5uA, Vf≤1.4V,≤3.5PF, 2CW1 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=280mW,2CW2 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=280mW,2CW3 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=280mW,2CW4 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=280mW, 2CW5 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=280mW, 2CW5 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=280mW,2CW9 硅稳压二极管 Vz=1.0~2.8V, Pzm=250mW,2CW10 硅稳压二极管 Vz=2.5~3.5V, Pzm=250mW,2CW11 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V, Pzm=250mW,2CW12 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V, Pzm=250mW,2CW13 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=250mW,2CW14 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=250mW,2CW15 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=250mW,2CW16 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=250mW,2CW17 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=250mW, 2CW18 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=250mW, 2CW18 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=250mW, 2CW19 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=250mW,2CW20 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=250mW,2CW20A 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=250mW,2CW20B 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=250mW,2CW21 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V, Pzm=1000mW,2CW21A 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V, Pzm=1000mW, 2CW21B 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=1000mW, 2CW21C 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=1000mW, 2CW21D 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=1000mW, 2CW21E 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=1000mW, 2CW21F 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=1000mW, 2CW21G 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=1000mW, 2CW21H 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=1000mW, 2CW21H 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=1000mW, 2CW21I 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=1000mW, 2CW21J 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=1000mW,2CW21K 硅稳压二极管 Vz=18~21V, Pzm=1000mW,2CW21K 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=1000mW,2CW21L 硅稳压二极管 Vz=23~26V, Pzm=1000mW,2CW21L 硅稳压二极管 Vz=25~28V, Pzm=1000mW,2CW21M 硅稳压二极管 Vz=27~30V, Pzm=1000mW,2CW21M 硅稳压二极管 Vz=29~33V, Pzm=1000mW,2CW21N 硅稳压二极管 Vz=32~36V, Pzm=1000mW,2CW21P 硅稳压二极管 Vz=1.0~2.8V, Pzm=1000mW, 2CW22B 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=3000mW, 2CW22C 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=3000mW, 2CW22D 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=3000mW, 2CW22E 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=3000mW, 2CW22F 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=3000mW, 2CW22G 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=3000mW, 2CW22H 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=3000mW, 2CW22H 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=3000mW, 2CW22I 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=3000mW, 2CW22J 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=3000mW,2CW22K 硅稳压二极管 Vz=18~21V, Pzm=3000mW,2CW22K 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=3000mW,2CW22L 硅稳压二极管 Vz=23~26V, Pzm=3000mW,2CW22L 硅稳压二极管 Vz=25~28V, Pzm=3000mW,2CW22M 硅稳压二极管 Vz=27~30V, Pzm=3000mW,2CW22M 硅稳压二极管 Vz=29~33V, Pzm=3000mW,2CW22N 硅稳压二极管 Vz=32~36V, Pzm=3000mW,2CW22N 硅稳压二极管 Vz=35~40V, Pzm=3000mW,2CW50 硅稳压二极管 Vz=1.0~2.8V, Pzm=250mW,2CW52 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V, Pzm=250mW, 2CW53 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V, Pzm=250mW, 2CW54 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=250mW, 2CW55 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=250mW, 2CW56 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=250mW, 2CW57 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=250mW, 2CW58 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=250mW, 2CW59 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=250mW, 2CW60 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=250mW, 2CW61 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=250mW, 2CW62 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=250mW, 2CW63 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=250mW,2CW64 硅稳压二极管 Vz=18~21V, Pzm=250mW,2CW65 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=250mW,2CW66 硅稳压二极管 Vz=23~26V, Pzm=250mW,2CW67 硅稳压二极管 Vz=25~28V, Pzm=250mW,2CW68 硅稳压二极管 Vz=27~30V, Pzm=250mW,2CW69 硅稳压二极管 Vz=29~33V, Pzm=250mW,2CW70 硅稳压二极管 Vz=32~36V, Pzm=250mW,2CW71 硅稳压二极管 Vz=35~40V, Pzm=250mW,2CW73 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=250mW,2CW74 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=250mW,2CW78 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=250mW,2CW100 硅稳压二极管 Vz=1.0~2.8V, Pzm=1000mW, 2CW101 硅稳压二极管 Vz=2.5~3.5V, Pzm=1000mW, 2CW102 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V, Pzm=1000mW, 2CW103 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V, Pzm=1000mW, 2CW104 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=1000mW, 2CW105 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=1000mW, 2CW106 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=1000mW, 2CW107 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=1000mW, 2CW108 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=1000mW, 2CW109 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=1000mW, 2CW110 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=1000mW, 2CW111 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=1000mW, 2CW112 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=1000mW, 2CW113 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=1000mW,2CW114 硅稳压二极管 Vz=18~21V, Pzm=1000mW,2CW115 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=1000mW,2CW116 硅稳压二极管 Vz=23~26V, Pzm=1000mW,2CW118 硅稳压二极管 Vz=27~30V, Pzm=1000mW,2CW119 硅稳压二极管 Vz=29~33V, Pzm=1000mW,2CW120 硅稳压二极管 Vz=32~36V, Pzm=1000mW,2CW121 硅稳压二极管 Vz=35~40V, Pzm=1000mW,2CW130 硅稳压二极管 Vz=3.2~4.5V, Pzm=3000mW, 2CW131 硅稳压二极管 Vz=4.0~5.8V, Pzm=3000mW, 2CW132 硅稳压二极管 Vz=5.5~6.5V, Pzm=3000mW, 2CW133 硅稳压二极管 Vz=6.2~7.5V, Pzm=3000mW, 2CW134 硅稳压二极管 Vz=7.0~8.8V, Pzm=3000mW, 2CW135 硅稳压二极管 Vz=8.5~9.5V, Pzm=3000mW, 2CW136 硅稳压二极管 Vz=9.2~10.5V, Pzm=3000mW, 2CW137 硅稳压二极管 Vz=10.0~11.8V, Pzm=3000mW, 2CW138 硅稳压二极管 Vz=11.5~12.5V, Pzm=3000mW, 2CW139 硅稳压二极管 Vz=12.2~14V, Pzm=3000mW, 2CW140 硅稳压二极管 Vz=13.5~17V, Pzm=3000mW, 2CW141 硅稳压二极管 Vz=16~19V, Pzm=3000mW,2CW142 硅稳压二极管 Vz=18~21V, Pzm=3000mW,2CW143 硅稳压二极管 Vz=20~24V, Pzm=3000mW2CW147 硅稳压二极管 Vz=29~33V, Pzm=3000mW,2CW148 硅稳压二极管 Vz=32~36V, Pzm=3000mW,2CW149 硅稳压二极管 Vz=35~40V, Pzm=3000mW,2CW200 硅稳压二极管 Vz=1.88~2.12V, Pzm=400mW, 2CW201 硅稳压二极管 Vz=2.5~2.9V, Pzm=400mW,2CW202 硅稳压二极管 Vz=5.3~6.0V, Pzm=400mW,2CW206 硅稳压二极管 Vz=10.4~11.6V, Pzm=400mW, 2CW207 硅稳压二极管 Vz=12.4~14.1V, Pzm=400mW, 2CW208 硅稳压二极管 Vz=34~38V, Pzm=400mW,2CW209 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V, Pzm=500mW,2CW210 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V, Pzm=500mW, 2CW211 硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V, Pzm=500mW, 2CW212 硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V, Pzm=500mW, 2CW213 硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V, Pzm=500mW, 2CW214 硅稳压二极管 Vz=9.5~10.3V, Pzm=500mW,2CW215 硅稳压二极管 Vz=10.2~11.1V, Pzm=500mW, 2CW216 硅稳压二极管 Vz=10.9~11.9V, Pzm=500mW, 2CW217 硅稳压二极管 Vz=5.2~5.7V, Pzm=500mW,2CW218 硅稳压二极管 Vz=6.7~7.3V, Pzm=500mW,2CW219 硅稳压二极管 Vz=12.4~14.1V, Pzm=400mW, 2CW220 硅稳压二极管 Vz=5.8~6.1V, Pzm=500mW,2CW221 硅稳压二极管 Vz=4.8~5.4V, Pzm=400mW,2CW222 硅稳压二极管 Vz=6.4~7.2V, Pzm=400m常用进口1N系列稳压二极管参数升压与代换90种彩电、彩显、VCD、DVD常用进口1N系列稳压二极管参数与代换型号最大耗散功率(W) 稳定电压(V) 最大工作电流(mA) 可代换型号 1N4735/A 1 6.2 146 1W6V2、2CW104-6V21N4736/A 1 6.8 138 1W6V8、2CW104-6V81N4737/A 1 7.5 121 1W7V5、2CW105-7V51N4738/A 1 8.2 110 1W8V2、2CW106-8V21N4739/A 11W9V1、2CW107-9V11N4740/A 12CW286-10V、B563-101N4741/A 12CW109-11V、2DW61N4742/A 12CW110-12V、2DW6A1N4743/A 12CW111-13V、2DW6B、BWC114D1N4744/A 12CW112-15V、2DW6D1N4745/A 12CW112-16V、2DW6E1N4746/A 12CW113-18V、1W18V1N4747/A 12CW114-20V、BWC115E1N4748/A 12CW115-22V、1W22V1N4749/A 12CW116-24V、1W24V1N4750/A 12CW117-27V、1W27V1N4751/A 12CW118-30V、1W30V、2DW19F 1N4752/A 12CW119-33V、1W33V1N4753 0.52CW120-36V、 W36V1N4754 0.52CW121-39V、1/2W39V1N4755 0.52CW122-43V、1/2W43V100 9.1 10 91 11 83 12 76 13 69 15 57 16 51 18 50 20 45 22 41 24 38 27 34 30 30 33 27 36 13 39 12 43 112CW122-47V、1/2W47V1N4757 0.52CW123-51V、1/2W51V1N4758 0.52CW124-56V、1/2W56V1N4759 0.52CW124-62V、 W62V1N4760 0.52CW125-68V、 W68V1N4761 0.5 51 9 56 8 62 8 68 775 6.72CW126-75V、1/2W75V1N4762 0.52CW126-82V、1/2W82V1N4763 0.52CW127-91V、1/2W91V1N4764 0.52CW128-100V、1/2W100V1N5226/A 0.52CW51-3V3、2CW52261N5227/A/B 0.52CW51-3V6、2CW52261N5228/A/B 0.52CW52-3V9、2CW52281N5229/A/B 0.52CW52-4V3、2CW52291N5230/A/B 0.52CW53-4V7、2CW52301N5231/A/B 0.52CW53-5V1、2CW52311N5232/A/B 0.52CW103-5.6V、2CW52321N5233/A/B 0.52CW104-6V、2CW52331N5234/A/B 0.52CW104-6.2V、2CW52341N5235/A/B 0.52CW105-6.8V、2CW52353.3 3.6 3.94.3 4.75.1 5.6 66.2 6.8 5 138 126 115 106 97 89 81 76 73 67 82 6 91 5.6 100。
ASEMI高效率恢复二极管HER608
ASEMI高效率恢复二极管HER608
编辑-z
HER608参数描述
型号：HER608
封装：R-6
特性：小电流、直插高效恢复二极管
电性参数：6A 1000V
芯片材质：GPP
正向电流(⑹：6A
芯片个数：1
正向电压(VF)： 1.7V
浪涌电流∣fsm: 200A
漏电流(卜)：10uA
工作温度：∙65~+150°C
恢复时间(Trr)： 75nS
引线数量：2
HER608的电性参数：正向平均电流6A；反向峰值电压1000V HER608的包装方式：450pcs∕编带
ΔSEM!l
HER608的特征：
1、高效率、低VF
2、高电流能力
3、高可靠性
4、高浪涌电流能力
5、用于低压、高频发明，免费
轮和极性保护应用。
HER608的机械数据：
1、外壳：模压塑料
2、环氧树脂：UL94V-0级阻燃
3、铅：纯镀锡，无铅，可焊
4、极性：色带表示阴极
5、高温焊接保证
6、重量：2.15克
以上就是ASEMI 高效率恢复二极管HER608的详细参数和特征。
ASEMI 产品广泛应用于：开 关电源、LED 照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液 晶电视、1。
τ、智能家居、医疗仪器、电磁炉等大小家电。
全系列封装 TO∙220AB KBPC DIP-7 电源器件专业制造商 肖特基•快恢夏 整流桥
、
电源IC。
40v2a肖特基二极管参数
40v2a肖特基二极管参数【最新版】目录1.肖特基二极管的基本概念2.40v2a 肖特基二极管的参数3.40v2a 肖特基二极管的应用领域4.40v2a 肖特基二极管的优缺点正文一、肖特基二极管的基本概念肖特基二极管（Schottky Diode）是一种金属与半导体接触的整流器件，具有较低的正向电压降和较快的开关速度。
它主要由金属（如镍、钨等）与半导体（如硅、砷化镓等）两种材料构成，可广泛应用于整流、开关、调制、限幅等电子电路中。
二、40v2a 肖特基二极管的参数1.正向电压（Vf）：40v2a 肖特基二极管的正向电压为 40V，即在正向导通状态下，二极管两端的电压为 40 伏特。
2.反向电压（Vr）：40v2a 肖特基二极管的反向电压为 2A，即在反向截止状态下，二极管两端的电压为 2 安培。
3.正向电流（If）：40v2a 肖特基二极管的正向电流为 2A，即在正向导通状态下，二极管通过的电流为 2 安培。
4.反向漏电流（Ir）：40v2a 肖特基二极管的反向漏电流较小，通常在 nA 级别，具有较高的反向绝缘性能。
三、40v2a 肖特基二极管的应用领域40v2a 肖特基二极管广泛应用于以下领域：1.电源管理：肖特基二极管可用于整流、限幅、开关等电源管理电路，提高电源转换效率和稳定性。
2.通信设备：肖特基二极管在射频、中频、基带等通信设备中有着广泛的应用，如在放大器、混频器、调制解调器等电路中。
3.工业控制：肖特基二极管可用于工业控制电路，如变频器、逆变器、软起动器等。
4.照明电路：肖特基二极管可用于 LED 驱动电路，提高照明设备的光效和可靠性。
四、40v2a 肖特基二极管的优缺点1.优点：（1）较低的正向电压降，提高整流效率；（2）较快的开关速度，降低损耗；（3）较高的反向绝缘性能，增强电路的可靠性；（4）金属与半导体接触结构，具有良好的热传导性能。
40n20场效应管参数
40n20场效应管参数40N20场效应管是一种功率型场效应管，其特点是能够承受高电压和大电流。
在工业、通信、计算机领域等很多领域都有广泛的应用。
下面将从不同的角度来介绍40N20场效应管的参数。
一、电气参数40N20场效应管的电气参数是指在不同工作条件下的电学性能参数。
其中比较重要的参数有：1.漏极-源极击穿电压（BVDSS）：当漏极与源极之间的电压超过这个值时，电路会发生击穿现象。
40N20场效应管的BVDSS为200V，表示其能承受200V的电压。
2.漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：在特定的电流和电压下，漏极与源极之间的电阻。
40N20场效应管的RDS(ON)为40mΩ，这个值越小，表示场效应管的导通能力越好，损耗越小，效率越高。
3.栅极-源极截止电压（VGS(th)）：当栅极与源极之间的电压低于这个值时，场效应管不导通。
40N20场效应管的VGS(th)为2-4V，表示需要2-4V的电压才能让场效应管导通。
4.最大漏极电流（ID(max)）：当漏极与源极之间的电压为BVDSS 时，场效应管能承受的最大漏极电流。
40N20场效应管的ID(max)为40A，说明其能承受高电流。
二、热学参数40N20场效应管在工作时会产生热量，如果无法散热，就会导致场效应管的温度升高，从而影响其电学性能。
因此，热学参数也是很重要的。
1.最大耗散功率（PD(max)）：在特定的工作条件下，场效应管能够承受的最大耗散功率。
40N20场效应管的PD(max)为250W，表示它能够承受较大的功率。
2.热阻（RθJA）：场效应管的热阻是指单位功率下场效应管从结构到环境的热阻。
40N20场效应管的RθJA为62.5℃/W，表示其散热能力一般。
三、包装参数场效应管需要通过包装来保护其内部结构，防止损坏。
40N20场效应管的包装参数包括：1.封装形式：40N20场效应管使用的是TO-247封装形式，该封装形式具有较好的散热能力和较高的耐压能力。
ES1JAF丨ES1JF【ASEMI】贴片超快恢复二极管SMAF重要参数
封装类型:SMAF
总功率, Ptot:50W
表面安装器件:贴片
2.贴片超快恢复二极管ES1JAF参数规格书
最大直流阻断电压：1000V
最大平均整流电流（55度）：1A
最大浪涌电流（8.3ms正弦波）：30A
最大持续正向电压（直流1A）：1.15V
最大直流反向电流（于额定直流阻断电压下）：5uA（25度），500uA（100度）
最大全载反向平均电流：10uA
典型节点电容：10PF
操作及储存温度范围：-55 to +150度
贴片超快恢复二极管es1jafes1jaf的主要参数二极管类型
编辑：DD 2019-01-15
ES1JAF【ASEMI】贴片超快恢复二极管SMAF重要参数
1.贴片超快恢复二极管ES1JAF
ES1JAF的主要参数
二极管类型:ra-fast Recovery
最大持续峰值反向电压:1000V
最大均方根电压：700V
Ⅰn4002技术参数
Ⅰn4002技术参数
IN4002是一种常见的小功率整流二极管，也被称为1N4002。
它的主要特点是具有高电压和高电流承受能力，适用于低频电路中的整流和保护。
以下是IN4002的技术参数解释：
1. 最大正向电压：600V
IN4002的最大正向电压为600V，表示在正向极性下，该二极管可以承受的最大电压值为600V。
当电压大于600V时，IN4002可能会发生烧毁或损坏。
2. 最大正向电流：1A
IN4002的最大正向电流为1A，表示在正向极性下，该二极管可以承受的最大电流值为1A。
当电流大于1A时，IN4002可能会发生烧毁或损坏。
3. 反向漏电流：5μA
IN4002的反向漏电流为5μA，表示在反向极性下，该二极管漏电的最大电流值为5μA。
当电流大于5μA时，IN4002可能会发生烧毁或损坏。
4. 反向击穿电压：800V
IN4002的反向击穿电压为800V，表示在反向极性下，该二极管可以承受的最大反向电压值为800V。
当电压大于800V时，IN4002可能会发生烧毁或损坏。
5. 动态电阻：4Ω
IN4002的动态电阻为4Ω，表示当该二极管处于正向导通状态时，其电阻值为4Ω。
这个参数决定了二极管的导通压降和功耗。
总之，IN4002是一种高电压、高电流承受能力的小功率整流二极管，适用于低频电路中的整流和保护。
需要注意的是，在使用时，应根据具体电路需求选择合适的二极管型号，并严格按照规定的电压和电流进行使用。
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Rev.08T © 1995 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
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40EPU06
Electrical characteristics (Ta=25°Cunless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Breakdown voltage VBR,
Blocking voltage
VR
IR=100µA
600
Forward voltage
VF
IF=40A IF=40A, Tj =125°C
Reverse leakage
current
IR
VR= VRRM Tj=150°C, VR=600V
PRODUCT FEATURE
· Ultrafast Recovery Time · Soft Recovery Characteristics · Low Recovery Loss · Low Forward Voltage · High Surge Current Capability · Low Leakage Current
Absolute Maximum Ratings Parameter Repetitive peak reverse voltage Continuous forward current
Single pulse forward current Maximum repetitive forward current Operating junction
TO-247-2L/TO-247-2PIN(TO-247AC)
Cathode(Bottom Side Metal Heatsink)
Internal Configuration Base Backside
Anode Cathode
GENERAL DESCRIPTION
40EPU06 using the lastest FRED FAB process(planar passivation pellet) with ultrafast and soft recovery characteristics.
5.150
2.200
2.600
1.000
1.400
1.800
2.200
0.500
0.7001.900210015.45015.750
3.500 Ref.
3.600 Ref.
40.900
41.300
24.800
25.100
20.300
20.600
7.100
7.300
10.900 Typ.
5.980 Typ.
0.000
0.300
TO-247-2L DIMENSIONS
DIMENSIONS IN INCHES
MIN.
MAX.
0.191
0.200
0.087
0.102
0.039
0.055
0.071
0.087
0.020
0.028
0.075
0.083
0.608
0.620
0.138 Ref.
0.142 Ref.
1.610
40EPU06
D Ejector pin hole thickness (h)
A c1
L L1 L2 H E1 E2
Ø
A1 b1
SYMBOL
A A1 b b1 c c1 D E1 E2 L L1 L2 Ø e H h
b e
c
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN.
MAX.
4.850
Paramter Junction-to-Case
Symbol RθJC
Typ
Units
0.8
℃/W
Electrical performance (typic)
Rev.08T © 1995 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
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40EPU06
Pb Free Plating Product
40EPU06
Pb
40Amperes,600Volts Switch Mode Single Fast Recovery Epitaxial Diode
APPLICATION
· Freewheeling, Snubber, Clamp · Inversion Welder · PFC · Plating Power Supply · Ultrasonic Cleaner and Welder · Converter & Chopper · UPS
Storage temperatures
Symbol VRRM IF(AV)
IFSM IFRM Tj
Tstg
Test Conditions
Tc =110°C Tc =25°C Square wave, 20kHZ
Values 600 40
400 80 175
Units V
A
°C
-55 to +175 °C
1.626
0.976
0.988
0.799
0.811
0.280
0.287
0.429 Typ.
0.235 Typ.
0.000
0.012
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Reverse recovery time
IF=0.5A, IR=1A, IRR=0.25A trr
IF=1A,VR=30V, di/dt =200A/us
Typ. Max. Units
1.45 1.80
V
1.20 1.60
30
µA 300
43
55
ns
32
40
Thermal characteristics