大电流达林顿驱动器
详细的ULN2003讲解
ULN是集成达林顿管IC，内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。 ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。
ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，但独每个单元驱动电流最大可达350mA.资料的最后有引用电路，9脚可以悬空。
比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不用9脚。
uln2003的作用：
ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。可直接驱动继电器等负载。
ULN2003A在各种控制电路中常用它作为驱动继电器的芯片，其芯片内部做了一个消线圈反电动势的二极管。ULN2003的输出端允许通过IC 电流200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。输出电流大，故可以直接驱动继电器或固体继电器(SSR)等外接控制器件，也可直接驱动低压灯泡。
能与TTL 和CMOS 电路直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来
处理的数据。
ULN2003 工作电压高，工作电流大，灌电流可达500mA，并且能够在关态时承受
50V 的电压，输出还可以在高负载电流并行运行。
uln2003中文资料
在自动化密集的的场合会有很多被控元件如继电器，微型电机，风机，电磁阀，空调，水处理等元件及设备，这些设备通常由CPU所集中控制，由于控制系统不能直接驱动被控元件，这需要由功率电路来扩展输出电流以满足被控元件的电流，电压。
ULN2XXXX高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品就属于这类可控大功率器件，由于这类器件功能强、应用范围语广。
因此，许多公司都生产高压大电流达林顿晶体管阵列产品，从而形成了各种系列产品。
原理：LN2003也是一个7路反向器电路，即当输入端为高电平时ULN2003输出端为低电平，当输入端为低电平时ULN2003输出端为高电平，继电器得电吸合。
如图九所示功能特点：高电压输出50V输出钳位二极管输入兼容各种类型的逻辑电路应用继电器驱动器ULN200X逻辑图DISSIPATION RATING TABLE耗散评级表PACKAGE封装TA=25℃POWERRATING 额定功率DERATING FACTORABOVE功耗系数TA=25℃TA=85℃POWERRATING 额定功率D 950 mW 7.6 mW/℃494 mW N 1150 mW 9.2 mW/℃598 mWPARAMETER 参数测试图TEST CONDITIONS测试条件ULN2001A ULN2002A单位最小典型最大最小典型最大VI(on) On-state inputvoltage 输入电压6 VCE=2V, IC =300mA 13 V播延迟时间，从高到低输出VOH High-level output voltageafter switching 输出高电平电压VS=50V,IO≈300mA, SeeFigure 10VS–500 mV 图一ULN2001A内部电路图图二ULN2002A内部电路图图三ULN2003A ULN2004A ULQ2003A ULQ2004A内部电路图图1 ICEX测试电路图2 ICEX测试电路图3 ICEX测试电路图4ICEX测试电路图5 hFE, VCE(sat)测试电路图6 VI(on) 测试电路图四参数测量信息应用电路：图五MOS管加载到输入端图六TTL电路到输入端图七冲区高电流负载图八使用上拉电阻提高驱动电流图九实际应用的UL2003电路图absolute maximum ratings at=25℃free-air temperature (unless otherwise noted)†绝对最大额定值at=25℃Collector-emitter voltage 集电极-发射极电压50 VClamp diode reverse voltage 钳位二极管的反向电压（见注1 ）50 VInput voltage, VI (see Note 1) 输入电压30 VPeak collector current (see Figures 14 and 15)峰值集电极电流500 mAOutput clamp current, IOK .输出钳位电流500 mATotal emitter-terminal current 共发射极端子电流–2.5 AContinuous total power dissipation . 连续总功耗See Dissipation Rating TablePackage thermal impedance, θJA 封装热阻(see Note 2):D package 73℃/W N package67℃/W NS package64℃/WOperating free-air temperature range, TA 自由空气的温度范围内ULN200xA –20℃to 70℃ULQ200xA–40℃to 85℃本站所有文章不得转载！可以链接网址使用。
uln2003驱动直流电机程序
uln2003驱动直流电机程序
ULN2003作用
ULN2003是大电流驱动阵列，多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。
可直接驱动继电器等负载。
输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。
ULN2003是高耐压、大电流达林顿系列，由七个硅NPN达林顿管组成。
该电路的特点如下：ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻，在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品，具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点，适应于各类要求高速大功率驱动的系统。
uln2003引脚图及功能。
uln2003引脚图及功能_工作原理驱动应用电路
uln2003有什么作用_引脚图及功能_工作原理及驱动应用电路一、uln2003有什么作用ULN2003是大电流驱动阵列，多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。
可直接驱动继电器等负载。
输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。
ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个硅NPN达林顿管组成。
该电路的特点如下： ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻，在5V 的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品，具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点，适应于各类要求高速大功率驱动的系统。
三、uln2003工作原理驱动应用电路ULN2003是高耐压、大电流复合晶体管阵列，由七个硅NPN 复合晶体管组成，每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻，在5V 的工作电压下它能与TTL 和CMOS 电路直接相连，可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
LN2003也是一个7路反向器电路，即当输入端为高电平时ULN2003输出端为低电平，当输入端为低电平时ULN2003输出端为高电平，继电器得电吸合。
ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，单独每个单元驱动电流最大可达500mA，9脚可以悬空。
比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不用9脚。
陈翠•来源：网络整理• 2017年10月23日14:37 • 12146次阅读ULN2003应用电路在自动化密集的的场合会有很多被控元件如继电器，微型电机，风机，电磁阀，空调，水处理等元件及设备，这些设备通常由CPU所集中控制，由于控制系统不能直接驱动被控元件，这需要由功率电路来扩展输出电流以满足被控元件的电流，电压。
高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品就属于这类可控大功率器件，由于这类器件功能强、应用范围语广。
uln2003ULN2003A中文资料
uln2003/ULN2003A中文资料时间：2009-06-10 17:35:13 来源：资料室作者：在自动化密集的的场合会有很多被控元件如继电器，微型电机，风机，电磁阀，空调，水处理等元件及设备，这些设备通常由CPU所集中控制，由于控制系统不能直接驱动被控元件，这需要由功率电路来扩展输出电流以满足被控元件的电流，电压。
ULN2XXXX高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品就属于这类可控大功率器件，由于这类器件功能强、应用范围语广。
因此，许多公司都生产高压大电流达林顿晶体管阵列产品，从而形成了各种系列产品。
原理：LN2003也是一个7路反向器电路，即当输入端为高电平时ULN2003输出端为低电平，当输入端为低电平时ULN2003输出端为高电平，继电器得电吸合。
如图九所示功能特点：高电压输出50V输出钳位二极管输入兼容各种类型的逻辑电路应用继电器驱动器ULN200X逻辑图electrical characteristics, 电气特性（除非另有说明）TA = 25℃(unless otherwise noted)switching characteristics over recommended operating conditions (unless otherwise noted)开关特性的建议运行条件（除非另有说明）图一ULN2001A内部电路图图二ULN2002A内部电路图图三ULN2003A ULN2004A ULQ2003A ULQ2004A内部电路图图1 ICEX测试电路图2 ICEX测试电路图3 ICEX测试电路图4ICEX测试电路图5 hFE, VCE(sat)测试电路图6 VI(on) 测试电路图四参数测量信息应用电路：图五MOS管加载到输入端图六TTL电路到输入端图七冲区高电流负载图八使用上拉电阻提高驱动电流图九实际应用的UL2003电路图。
ULN2803-1中文资料
(VCE = 2.0v, IC = 250mA) ULN2803 (VCE = 2.0v, IC = 300mA) ULN2803 (VCE = 2.0v, IC = 125mA) ULN2804 (VCE = 2.0v, IC = 200mA) ULN2804 (VCE = 2.0v, IC = 275mA) ULN2804 (VCE = 2.0v, IC = 350mA) ULN2804 Input Current–Off Condition 输入电流开关条件 (Figure3)(IC= 500mA,TA=+70℃) DC Current Gain (Figure 2)直流电流增益 (VCE=2.0v, IC=350mA) Input Capacitance 输入电容 Turn–On Delay Time 开启延迟时间(50% EI to 50% EO) Turn–Off Delay Time 关断延迟时间(50% EI to 50% EO) Clamp Diode Leakage Current (Figure 6)钳位二 TA = +25℃ 极管漏电流(VR=50v) TA = +70℃ VF – 1.5 所有类型 II(off) 50 100
–Emitter Saturationvoltage (Figure 2)集电极发射极饱和电压（图 2 ） Collector– Collector (IC = 350mA, IB = 500μA) (IC = 200mA, IB = 350μA) (IC = 100mA, IB = 250μA)
所有类型
1.1 VCE(sat) 0.95 0.85
1.6 V 1.3 1.1
所有类型 所有类型
Input Current – On Condition (Figure 4) 输入电流-状态（图 4 ） (VI = 17v)ULN2802 (VI = 3.85v) ULN2803 II(on) (VI = 5.0v) ULN2804 (VI = 12v)ULN2804 Inputvoltage – On Condition (Figure 5) 输入电压-状态（图 5 ） (VCE = 2.0v, IC = 300mA) ULN2802 VI(on) (VCE = 2.0v, IC = 200mA) ULN2803 2.4 13 V 0.35 1.0 0.5 1.45 0.82 0.93 1.25 1.35 mA
常见达林顿管型号及参数
常见达林顿管型号及参数一、引言达林顿管作为一种常见的二极管组合器件，具有高增益、低输入电流以及高耐压等特点，被广泛应用于电路设计中。
本文将介绍几种常见的达林顿管型号及其主要参数，以帮助读者更好地理解和应用这一器件。
二、2N3904/2N39062N3904和2N3906是两种N PN和P N P型达林顿管。
它们常被用于低功耗放大器、开关电路和驱动器等应用场景。
1.2N3904主要参数：--最大耐压：60V-最大连续电流：200m A-饱和电压：0.2V-最大功耗：625m W-D C增益范围：100-300特点：--适用于低功耗应用-可靠性高，价格低廉-适合用作开关和放大器2.2N3906主要参数：--最大耐压：40V-最大连续电流：200m A-饱和电压：0.2V-最大功耗：625m W-D C增益范围：100-300特点：--适用于低功耗应用-可靠性高，价格低廉-适合用作开关和放大器-与2N3904互补配对使用，具备互补对称性三、T I P120/T I P125/T I P42T I P系列达林顿管主要用于驱动大功率负载，常见于电动机控制、开关电源和功率放大器等领域。
1.T I P120主要参数：--最大耐压：60V-最大连续电流：5A-饱和电压：2.5V-最大功耗：65W-D C增益范围：1000-3000特点：--输出电流高达5A，适合驱动大功率负载-适用于电机控制等高功率应用2.T I P125主要参数：--最大耐压：60V-最大连续电流：5A-饱和电压：2.5V-最大功耗：65W-D C增益范围：1000-3000特点：--输出电流高达5A，适合驱动大功率负载-与TI P120互补配对使用，具备互补对称性3.T I P42主要参数：--最大耐压：60V-最大连续电流：6A-饱和电压：1.6V-最大功耗：65W-D C增益范围：25-100特点：--输出电流高达6A，适合驱动大功率负载-适用于功率放大器等高功率应用四、总结本文介绍了几种常见的达林顿管型号及其主要参数。
uln2803a中文资料.doc
要： ULN2000、 ULN2800是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品, 具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点, 适应于各类要求高速大功率驱动的系统。
ULN2003A电路是美国Texas Instruments 公司和 Sprague 公司开发的高压大电流达林顿晶体管阵列电路, 文中介绍了它的电路构成、特征参数及典型应用。
关键词：达林顿晶体管阵列驱动电路ULN2003 ULN2000系列ULN2800系列1概述功率电子电路大多要求具有大电流输出能力,以便于驱动各种类型的负载。
功率驱动电路是功率电子设备输出电路的一个重要组成部分。
在大型仪器仪表系统中, 经常要用到伺服电机、步进电机、各种电磁阀、泵等驱动电压高且功率较大的器件。
ULN2000、 ULN2800高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品就属于这类可控大功率器件, 由于这类器件功能强、应用范围语广。
因此, 许多公司都生产高压大电流达林顿晶体管阵列产品, 从而形成了各种系列产品,ULN2000、ULN2800系列就是美国Texas Instruments 公司、美国 Sprague 公司开发的高压大电流达林顿晶体管阵列产品。
它们的系列型号分类如表 1 所列 , 生产 2000、2800 高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品的公司与型号对照表如表 2 所列。
在上述系列产品中,ULN2000 系列能够同时驱动 7 组高压大电流负载 ,ULN2800 系列则能够同时驱动8 组高压大电流负载。
美国Texas Instruments 公司、美国 Sprague 公司生产的 ULN2003A由 7 组达林顿晶体管阵列和相应的电阻网络以及钳位二极管网络构成, 具有同时驱动 7 组负载的能力 , 为单片双极型大功率高速集成电路。
以下介绍该电路的构成、性能特征、电参数以及典型应用。
2000、2800 高压大电流达林顿晶体管阵列系列中的其它产品的性能特性与应用可参考ULN2003A。
ULN2003应用电路及中文资料
ULN2003应用电路及中文资料ULN2000、ULN2800是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。
ULN2003A电路是美国Texas Instruments公司和Sprague公司开发的高压大电流达林顿晶体管阵列电路,文中介绍了它的电路构成、特征参数及典型应用。
关键词：达林顿晶体管阵列驱动电路ULN2003 ULN2000系列ULN2800系列1 概述功率电子电路大多要求具有大电流输出能力,以便于驱动各种类型的负载。
功率驱动电路是功率电子设备输出电路的一个重要组成部分。
在大型仪器仪表系统中,经常要用到伺服电机、步进电机、各种电磁阀、泵等驱动电压高且功率较大的器件。
ULN2000、ULN2800高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品就属于这类可控大功率器件,由于这类器件功能强、应用范围语广。
因此,许多公司都生产高压大电流达林顿晶体管阵列产品,从而形成了各种系列产品,ULN2000、ULN2800系列就是美国Texas Instruments公司、美国Sprague公司开发的高压大电流达林顿晶体管阵列产品。
它们的系列型号分类如表1所列,生产2000、2800高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品的公司与型号对照表如表2所列。
在上述系列产品中,ULN2000系列能够同时驱动7组高压大电流负载,ULN2800系列则能够同时驱动8组高压大电流负载。
美国Texas Instruments公司、美国Sprague公司生产的ULN2003A由7组达林顿晶体管阵列和相应的电阻网络以及钳位二极管网络构成,具有同时驱动7组负载的能力,为单片双极型大功率高速集成电路。
以下介绍该电路的构成、性能特征、电参数以及典型应用。
2000、2800高压大电流达林顿晶体管阵列系列中的其它产品的性能特性与应用可参考ULN2003A。
表1 ULN2000、ULN2800系列型号分类表输出电压50V 50V 95V 50V 50V 95V输出电流500mA 600mA 500mA 500mA 600mA 500mA型号型号普通PMOS、CMOS输入ULN2001A ULN2011A ULN2021 ULN2801A ULN2811A ULN2821A14～25C PMOS输入ULN2002A ULN2012A ULN2022 ULN2802A ULN2812A ULN2822A 5V TTL、CMOS输入ULN2003A ULN2013A ULN2023A ULN2803A ULN2813A ULN2823A 6～15V PMOS、CMOS输入ULN2004A ULN2014A ULN2024A ULN2804A ULN2814A ULN2824A 高输出TTL接口ULN2005A ULN2015A ULN2025A ULN2805A ULN2815A ULN2825AULN200A电路具有以下特点：●电流增益高（大于1000）;●带负载能力强（输出电流大于500mA）;●温度范围宽（-40～85℃）;●工作电压高（大于50V）。
达林顿阵列功率驱动集成电路 ULN2003 说明书
达林顿阵列功率驱动集成电路概述ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列，由七个NPN 达林顿管组 成。
所有单元共用发射极，每个单元采用开集电极输出。
每一对达林 顿都串联一个2.7K 的基极电阻，直接兼容TTL 和5V CMOS 电路，可 以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。
ULN2003 工作电压高，工作电流大，灌电流可达500mA，并且能 够在关态时承受50V 的电压，输出还可以在高负载电流下并行运行， 很好的提供了需要多接口驱动电路的解决方案。
特点♦工作电压范围宽♦七路高增益达林顿阵列♦输出电压高（可达50V）♦输出电流大（可达500mA）♦可与TTL、CMOS、PMOS直接连接♦内置钳位二极管适应感性负载应用♦继电器驱动♦直流照明驱动♦步进电机驱动♦电磁阀♦直流无刷电机驱动电路框图1B2B3B4B5B6B7B极限参数输入电压 V IN -0.5~30 V 输出电压V OUT -0.5~50 V 钳位二极管反向电压 V R 50 V 集电极持续工作电流 I OUT 500 mA 钳位二极管正向电流 IF 500mA 储藏温度 T STG -55~150 °C 工作温度 T OPR -40~85 °C 结温T J-40~150°C电气特性参数(除非特别指定Ta=25°C)输出管漏电流I CEXT A =25°C ，V CE =50V(图1) 20 uAT A =85°C ，V CE =50V(图1) 100 CE 饱和压降 V CE (sat) I OUT =350mA,I IN =500 uA(图3)1.3 1.6 VI OUT =250mA,I IN =350 uA(图3)1.1 1.3 I OUT =100mA,I IN =250 uA(图3) 0.9 1.1 开态输入电流I I(ON) V I =3.85V(图4) 0.93 1.35 mA关态输入电流I I(OFF) I C =500uA(图5)50 100 uAT A =+25°C 50 100 T A =+85°C25 50 开态输入电压V I(ON) V CE =2.0V,I C =200mA(图6)2.4 VV CE =2.0V,I C =250mA(图6) 2.7 V CE =2.0V,I C =300mA(图6)3.0 输入电容 C I15 30 pF 导通延迟时间 t MH 0.5V I to 0.5 V 0 1.0 μS关断延迟时间t ML0.5V I to 0.5 V 0 1.0 嵌位二极管漏电流I R V R =50V(图7)μAT A =+25°C 5 10 T A =+85°C 10 50 嵌位二极管正向压降V F I F =350mA(图8)1.72.0V注：1、极限值是指超出该范围，器件有可能被损坏，并非器件的正常工作条件范围。
uln2003引脚图中文材料
uln2003引脚图中文材料ULN2003管脚摆放如下图所示：ULN2003的内部构造和功用ULN是集成达林顿管IC，内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。
它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTLCOMS,由达林顿管构成驱动电路。
ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端容许经过电流为200mA，丰满压降VCE约1V摆布，耐压BVCEO约为36V。
用户输出口的外接负载可依据以上参数核算。
选用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。
通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为适宜，一同，COM引脚应当悬空或接电源。
ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，但独每个单元驱动电流最大可达350mA.材料的究竟有引证电路，9脚能够悬空。
比方1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不必9脚。
uln2003的效果：ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能外表、PLC、数字量输出卡等操控电路中。
可直接驱动继电器等负载。
输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。
ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈设,由七个硅NPN达林顿管构成。
该电路的特征如下:ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K 的基极电阻,在5V的作业电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连,能够直接处理原先需求规范逻辑缓冲器。
ULN2003是高压大电流达林顿晶体管阵列系列商品,具有电流增益高、作业电压高、温度方案宽、带负载才干强等特征,习气于各类恳求高速大功率驱动的体系。
ULN2003A引脚图及功用ULN2003是高耐压、大电流、内部由七个硅NPN达林顿管构成的驱动芯片。
常常在以下电路中运用，作为：1、显现驱动2、继电器驱动3、照明灯驱动4、电磁阀驱动5、伺服电机、步进电机驱动等电路中。
ULN2003应用电路及中文资料
ULN2003应用电路及中文资料ULN2000、ULN2800是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。
ULN2003A电路是美国Texas Instruments公司和Sprague公司开发的高压大电流达林顿晶体管阵列电路,文中介绍了它的电路构成、特征参数及典型应用。
功率电子电路大多要求具有大电流输出能力,以便于驱动各种类型的负载。
功率驱动电路是功率电子设备输出电路的一个重要组成部分。
在大型仪器仪表系统中,经常要用到伺服电机、步进电机、各种电磁阀、泵等驱动电压高且功率较大的器件。
ULN2000、ULN2800高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品就属于这类可控大功率器件,由于这类器件功能强、应用范围语广。
因此,许多公司都生产高压大电流达林顿晶体管阵列产品,从而形成了各种系列产品,ULN2000、ULN2800系列就是美国Texas Instruments公司、美国Sprague公司开发的高压大电流达林顿晶体管阵列产品。
它们的系列型号分类如表1所列,生产2000、2800高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品的公司与型号对照表如表2所列。
在上述系列产品中,ULN2000系列能够同时驱动7组高压大电流负载,ULN2800系列则能够同时驱动8组高压大电流负载。
美国Texas Instruments 公司、美国Sprague公司生产的ULN2003A由7组达林顿晶体管阵列和相应的电阻网络以及钳位二极管网络构成,具有同时驱动7组负载的能力,为单片双极型大功率高速集成电路。
以下介绍该电路的构成、性能特征、电参数以及典型应用。
2000、2800高压大电流达林顿晶体管阵列系列中的其它产品的性能特性与应用可参考ULN2003A。
ULN200A电路具有以下特点：●电流增益高（大于1000）;●带负载能力强（输出电流大于500mA）;●温度范围宽（-40～85℃）;●工作电压高（大于50V）。
ULN2003A引脚图及功能04848
在ULN2003A引脚图及功能ULN2003管脚排列如下图所示：ULN2003的内部结构和功能ULN是集成达林顿管IC，内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。
它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。
ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。
用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。
采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。
通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。
ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，但独每个单元驱动电流最大可达350mA.资料的最后有引用电路，9脚可以悬空。
比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不用9脚。
uln2003的作用：ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。
可直接驱动继电器等负载。
输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。
ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN达林顿管组成。
该电路的特点如下: ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器。
ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。
ULN2003A引脚图及功能ULN2003 是高耐压、大电流、内部由七个硅NPN 达林顿管组成的驱动芯片。
经常在以下电路中使用，作为：1、显示驱动2、继电器驱动3、照明灯驱动4、电磁阀驱动5、伺服电机、步进电机驱动等电路中。
ULN2003A引脚图及功能
ULN2003A引脚图及功能ULN2003管脚排列如下图所示：ULN2003的内部结构和功能ULN是集成达林顿管IC，内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管，可用来驱动继电器。
它是双列16脚封装,NPN晶体管矩阵,最大驱动电压=50V,电流=500mA,输入电压=5V,适用于TTL COMS,由达林顿管组成驱动电路。
ULN是集成达林顿管IC,内部还集成了一个消线圈反电动势的二极管,它的输出端允许通过电流为200mA，饱和压降VCE 约1V左右，耐压BVCEO 约为36V。
用户输出口的外接负载可根据以上参数估算。
采用集电极开路输出，输出电流大，故可直接驱动继电器或固体继电器，也可直接驱动低压灯泡。
通常单片机驱动ULN2003时，上拉2K的电阻较为合适，同时，COM引脚应该悬空或接电源。
ULN2003是一个非门电路，包含7个单元，但独每个单元驱动电流最大可达350mA.资料的最后有引用电路，9脚可以悬空。
比如1脚输入，16脚输出，你的负载接在VCC与16脚之间，不用9脚。
uln2003的作用：ULN2003是大电流驱动阵列,多用于单片机、智能仪表、PLC、数字量输出卡等控制电路中。
可直接驱动继电器等负载。
输入5VTTL电平，输出可达500mA/50V。
ULN2003是高耐压、大电流达林顿陈列,由七个硅NPN达林顿管组成。
该电路的特点如下: ULN2003的每一对达林顿都串联一个2.7K的基极电阻,在5V的工作电压下它能与TTL和CMOS电路直接相连,可以直接处理原先需要标准逻辑缓冲器。
ULN2003 是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点,适应于各类要求高速大功率驱动的系统。
ULN2003A引脚图及功能ULN2003 是高耐压、大电流、内部由七个硅NPN 达林顿管组成的驱动芯片。
经常在以下电路中使用，作为：1、显示驱动2、继电器驱动3、照明灯驱动4、电磁阀驱动5、伺服电机、步进电机驱动等电路中。
2003达林顿管驱动继电器抑制过冲
2003达林顿管驱动继电器抑制过冲2003年，达林顿管驱动继电器抑制过冲技术问世，这一技术的推出给电力系统控制领域带来了革命性的变革。
本文将介绍这一技术的意义和应用，以及其在电力系统中的作用和发展前景。
一、技术背景随着社会的发展和工业化的进程，人们对电力系统控制的要求也越来越高。
在过去，继电器的工作原理主要是通过电磁铁吸合或者断开触点来实现动作。
然而，这种传统的继电器在工作过程中存在一个严重的问题，就是在断电的瞬间会产生过冲电流，这种过冲电流有可能对设备和系统造成破坏。
因此，如何有效抑制过冲成为了重要的研究课题。
二、技术原理达林顿管驱动继电器抑制过冲技术是基于达林顿管的原理来实现的。
达林顿管是一种双极晶体管的组合器件，它能够放大电流和电压，起到放大和驱动的作用。
这种技术通过引入达林顿管作为继电器的驱动装置，可以实现对过冲电流的有效抑制。
具体来说，当继电器需要动作时，达林顿管通过控制进入导通状态，可以在电流和电压的放大作用下，实现继电器动作所需要的电流和电压。
而在继电器断电的瞬间，达林顿管能够快速关闭，从而有效地抑制过冲电流的产生，保护设备和系统的安全。
三、技术优势相比传统的继电器，达林顿管驱动继电器抑制过冲技术具有以下几个优势：1.抑制过冲效果好：通过达林顿管的驱动和控制，可以有效地抑制过冲电流的产生，保护设备和系统的安全。
2.响应速度快：达林顿管作为驱动装置，响应速度非常快，能够在瞬间完成开关操作，及时驱动继电器的动作。
3.高可靠性：达林顿管驱动继电器抑制过冲技术不仅在抑制过冲方面表现优异，而且具有较高的可靠性和稳定性，能够在恶劣环境下正常工作。
4.适用性广：这种技术不仅适用于各种继电器，还可以应用于各种场合，如电力系统、电子设备等。
四、技术应用达林顿管驱动继电器抑制过冲技术已经在电力系统控制领域得到了广泛的应用。
在电力系统中，继电器是非常重要的控制装置，它的动作对系统的运行和安全都有着至关重要的影响。
达林顿管的原理
达林顿管的原理达林顿管是一种用来放大电流的半导体器件，由于其高电流放大倍数和较低的输入电压要求，被广泛应用于各种电子电路中。
达林顿管由两个PNP型晶体管级联组成，其中一个晶体管的发射极与另一个晶体管的基极相连，形成了一个双晶体管结构。
在下文中，我将详细介绍达林顿管的原理及其在电子电路中的应用。
达林顿管的工作原理可以通过以下步骤来说明：1. 基极端的输入电压使第一个PNP型晶体管处于导通状态，流过晶体管的电流从发射极流向基极。
2. 由于第一个晶体管的发射极与第二个晶体管的基极相连，流过第一个晶体管的电流也会流过第二个晶体管的基极。
3. 第二个晶体管的基极也会导致流过第二个晶体管的电流从发射极流向基极。
4. 结果导致流过第二个晶体管的电流放大，同时也放大了整个电路的电流。
基于以上原理，达林顿管具有以下特点：1. 高电流放大倍数：由于两个晶体管级联，导致整个电路的电流放大倍数非常高。
这使得达林顿管适用于需要高电流放大的应用，例如功放电路、开关电路等。
2. 较低的输入电压要求：由于第一个晶体管的发射极与第二个晶体管的基极相连，当输入信号的电压高于第一个晶体管的饱和电压时，第一个晶体管进入饱和状态，从而使整个电路处于导通状态。
3. 高输入电阻和低输出电阻：由于两个晶体管级联，达林顿管具有较高的输入电阻，使得输入信号能够更容易地驱动达林顿管。
此外，达林顿管的输出电阻较低，能够提供较低的输出阻抗，以便与其他电路或负载相连接。
达林顿管的应用非常广泛，以下是一些常见的应用场景：1. 功放电路：达林顿管因其高电流放大倍数而常用于功放电路，用于放大来自音频源的信号，以驱动扬声器或音响设备。
2. 开关电路：由于达林顿管具有较低的输入电压要求，可以作为开关电路中的开关器件，实现高电流的开关控制。
3. 传感器电路：达林顿管可以用于放大传感器输出信号，以便进行后续的信号处理和数据获取。
4. 节能灯电路：在电子节能灯电路中，达林顿管可以用作驱动元件，帮助控制和调节电灯的亮度。
达林顿管阵列驱动
达林顿管阵列驱动达林顿管阵列驱动是一种常用的电路驱动方式，可以有效地驱动负载电流较大的器件，因此在实际应用中得到广泛应用。
一、达林顿管阵列介绍达林顿管阵列是一种杜比尔特级型三极管电路，由两个PNP型三极管或NPN型三极管级联组成，通过约束两个三极管的基极，实现对输出管的电流放大。
达林顿管阵列由于具有高放大倍数和宽广的频带，因此成为一种非常受欢迎的输出级电路。
相比单独的普通三极管，达林顿管阵列能够提供更大的电流，使得其在电气电子设备中得到广泛应用。
二、达林顿管阵列的驱动方式为了达到更高的输出功率，许多设计师选择使用达林顿管阵列来驱动继电器和负载。
在这种情况下，我们需要通过其基极来控制其导电。
由于PNP型三极管的基极需要更高的电压来控制同样量级的电流，因此需要采用转换电路驱动PNP型三极管。
三、达林顿管阵列的优点1、达林顿管阵列具有高放大倍数和宽广的频带，成为输出级电路中的非常受欢迎的一种。
2、由于PNP型三极管的基极需要更高的电压来控制同样量级的电流，因此需要采用转换电路驱动PNP型三极管，以实现更精确的电流控制。
3、达林顿管阵列能够提供很大的电流，比单个普通三极管更具优势，因此更适用于负载电流较大的应用场景。
四、达林顿管阵列的应用1、达林顿管阵列广泛应用于自动化控制设备中，如自动化工厂、机器人、机床等。
2、在医疗设备中，达林顿管阵列常用于医疗仪器中的电流放大器。
3、达林顿管阵列在电气电子设备中也有着广泛应用，如音频功率放大器、LED照明控制器、伺服电机控制器等。
总而言之，达林顿管阵列具有高放大倍数和宽广的频带，因此成为输出级电路中的非常受欢迎的一种电路驱动方式。
同时，其能够提供很大的电流，比单个普通三极管更具优势，因此更适用于负载电流较大的应用场景。
在控制系统中，通过对达林顿管阵列的合理应用，可以实现更加精确的电流控制。
达林顿管在电源电路里的作用
达林顿管在电源电路里的作用引言：电源电路是电子设备中不可或缺的部分，其稳定可靠的工作直接影响着整个电子设备的性能和寿命。
达林顿管作为电源电路中的重要组成部分，扮演着关键的角色。
本文将详细介绍达林顿管在电源电路中的作用。
一、达林顿管的基本原理达林顿管是由两个晶体管级联组成的特殊结构，其基本原理是通过级联两个晶体管，以增加整体的电流放大倍数。
具体来说，第一个晶体管的输出信号作为第二个晶体管的输入信号，通过级联的方式将电流放大。
二、达林顿管在电源电路中的作用1. 电流放大达林顿管的主要作用之一就是实现电流放大。
在电源电路中，为了驱动负载所需要的电流往往较大，而普通的单个晶体管很难满足这种需求。
而通过将两个晶体管级联组成达林顿管，可以大大增加电流放大倍数，从而满足电源电路对较大电流的需求。
2. 提高输入阻抗电源电路中，输入信号的阻抗往往很高，而晶体管的输入阻抗相对较低。
通过使用达林顿管，可以将两个晶体管的输入阻抗级联，从而大大提高整体的输入阻抗。
3. 减小输入电流在一些对输入电流要求较高的电源电路中，达林顿管的级联结构可以有效降低输入电流，从而减小对输入信号源的负载。
4. 提高电源电路的稳定性达林顿管的级联结构可以提高电源电路的稳定性。
在电源电路中，达林顿管的级联结构使得整个电路的电流放大倍数更加稳定，减小了由于晶体管参数波动引起的电流放大倍数的变化，从而提高了电源电路的稳定性。
5. 减小功耗达林顿管的级联结构可以减小功耗。
在电源电路中，晶体管的工作状态往往是饱和或截止，而通过达林顿管的级联结构，可以使得晶体管的工作状态更加接近饱和或截止，从而减小功耗。
三、达林顿管的应用举例1. 电源放大器在电源放大器中，达林顿管常常被用来增加输出电流和电流放大倍数，以满足对大电流输出的需求。
同时，它的高输入阻抗也能够提高输入信号源的负载能力。
2. 开关电源在开关电源中，达林顿管常常被用来控制开关管的驱动电流。
其级联结构可以提供足够的电流放大倍数，确保开关管的可靠开关。
达林顿模块的作用
达林顿模块的作用达林顿模块是一种电子元件，通常由两个晶体管组成，用于放大和开关电路中。
它的主要作用是增强电流信号的幅度，从而使电路能够正常工作。
下面将详细介绍达林顿模块的工作原理以及在不同领域中的应用。
一、达林顿模块的工作原理达林顿模块由两个晶体管组成，其中一个晶体管作为输入端，另一个晶体管作为输出端。
当输入端的电流信号到达一定阈值时，会使得第一个晶体管的基极电流增大，从而导致第二个晶体管也被驱动。
第二个晶体管的放大倍数通常比第一个晶体管大，所以达林顿模块的输出电流会比输入电流大很多倍。
二、达林顿模块的应用领域1. 电子设备中的放大电路：达林顿模块常被用于放大电路中，特别是在需要放大微弱信号的场合。
比如，在音频放大器中，达林顿模块可以将输入的微弱音频信号放大到足够的强度，以驱动扬声器发出音频。
2. 控制系统中的开关电路：达林顿模块也常被用于开关电路中，用于控制高电流负载的开关。
比如，在机器人控制系统中，达林顿模块可以将微弱的控制信号转换为足够大的电流，以控制电机的运动。
3. LED驱动电路：由于LED的工作电压较低，所以在实际应用中需要将输入电压转换为适合LED的工作电压。
达林顿模块可以将输入电流放大，以驱动LED发光。
4. 传感器信号放大：很多传感器输出的信号较弱，需要通过放大电路进行处理。
达林顿模块可以将传感器输出的微弱信号放大到适合后续处理的电平。
达林顿模块在电子领域中起到了重要的作用，能够提供放大信号的功能，以满足各种电路的需求。
无论是在音频放大器、控制系统、LED驱动电路还是传感器信号放大等领域，达林顿模块都发挥着不可或缺的作用，为电子设备的正常工作提供了保障。
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7
CL = 15 pF, VOUT = 50 V, RL = 42 Ω
Min Typ. Max Unit
⎯
⎯
50
μA
⎯
⎯ 500
⎯
⎯
1.6
V
⎯
⎯ 1.25
⎯
800
⎯
⎯
⎯ 1500 ⎯
⎯
⎯
2.4
V
⎯
⎯
50
μA
⎯Байду номын сангаас
⎯ 100
⎯
⎯
2.0
V
⎯
15
⎯
pF
⎯
0.1
⎯
μs
⎯
1.0
⎯
μs
3
2011-01-14
Test Circuit
400 VCE = 2 V
IOUT – IIN
300
Ta = 75 °C
25
−30
200
100
0
50
100
150
200
Input current IIN (μA)
Power dissipation PD (W)
Input current IIN (mA)
TD62064APG/AFG
TD62064APG 12
All units feature integral clamp diodes for switching inductive loads.
Applications include relay, hammer, lamp and stepping motor drivers.
Features
• Output current (single output) 1.5 A (max) • High sustaining voltage output 50 V (min) • Output clamp diodes • Input compatible with TTL and 5 V CMOS • GND terminal = Heat sink • Package type-APG: DIP-16 pin • Package type-AFG: HSOP-16 pin
Typ. Max Unit
⎯
50
V
⎯ 1250
⎯ 1250
⎯
390 mA/ch
⎯
907
⎯
172
⎯
8
⎯
8
V
⎯
0.4
⎯
20
mA
⎯
50
V
⎯
1.25
A
⎯
1.4
W
⎯
0.7
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics Output leakage current
Capacitance
bridge
LO
VIN
7. tON, tOFF
Input
Pulse generator
(Note 1)
VIN
Open VOUT
RL Output
CL = 15 pF (Note 2)
Input
(Note 1)
tr
tf
90% 50% 10%
tON
90% 50%
50 μs
10% tOFF
Output saturation voltage
DC current transfer ratio Input voltage (output on) Clamp diode leakage current Clamp diode forward voltage Input capacitance Turn-ON delay Turn-OFF delay
1
2
3
COM O1
I1
TD62064AFG
O4 NC I4 NC 16 15 14 13
4
5
Heat sink & GND
Heat sink & GND
6
7
8
I2
O2 COM
NC I3 NC O3 12 11 10 9
1234 COM O1 I1 NC
Heat sink & GND
5678 NC I2 O2 COM
Pin Assignment (top view)
TD62064APG
O4
NC
I4
16
15
14
Heat sink & GND
13
12
I3
NC
O3
11
10
9
TD62064APG
TD62064AFG
Weight DIP16-P-300-2.54A: 1.11 g (typ.) HSOP16-P-300-1.00: 0.50 g (typ.)
Symbol ICEX
VCE (sat)
hFE VIN (ON)
IR VF CIN tON tOFF
Test Circuit
Test Condition
VCE = 50 V, Ta = 25°C 1
VCE = 50 V, Ta = 85°C
IOUT = 1.25 A, IIN = 2 mA 2
IOUT = 0.75 A, IIN = 935 μA
1
2011-01-14
Schematics (each driver)
Input
230 Ω
COMMON Output
TD62064APG/AFG
8.2 kΩ 1.1 kΩ
GND
Note: The input and output parasitic diodes cannot be used as clamp diodes.
Output ON Output OFF
APG AFG
VIN VIN (ON) VIN (OFF)
IIN VR IF
PD
⎯ IOUT = 1.25 A
⎯ ⎯ ⎯ ⎯ Ta = 85°C Ta = 85°C
0 2.5 0 0 0 ⎯ (Note 1) ⎯ (Note 2) ⎯
Note 1: On glass epoxy PCB (50 × 50 × 1.6 mm Cu 50%) Note 2: On glass epoxy PCB (60 × 30 × 1.6 mm Cu 30%)
2
2011-01-14
TD62064APG/AFG
Operating Conditions (Ta = −40 to 85°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Output sustaining voltage
VCE (SUS)
⎯
0
DC1 circuit, Ta = 25°C
1. ICEX
Open
Open
ICEX
2. VCE (sat), hFE
Open
IIN
IOUT
VCE
VCE, VCE (sat)
TD62064APG/AFG
3. VIN (ON)
Open
IOUT
VIN (ON)
VCE
4. IR
5. VF
6. CIN
Open
Open
IR VR
Open
VF
IF
Open
fi
1.47/2.7 (Note 1) 0.9/1.4 (Note 2)
−40 to 85 −55 to 150
V A/ch mA
V V A
W
°C °C
Note 1: On glass epoxy PCB (50 × 50 × 1.6 mm Cu 50%) Note 2: On glass epoxy PCB (60 × 30 × 1.6 mm Cu 30%)
0
Output current
APG (Note 1)
Duty = 10%
0
tpw = 25 ms
IOUT
4 circuits
Duty = 50%
0
AFG (Note 2)
Tj = 120°C
Duty = 10%
0
Ta = 85°C
Duty = 50%
0
Input voltage
Input current Clamp diode reverse voltage Clamp diode forward current Power dissipation
VIH = 2.4 V 0 VOH VOL
4
2011-01-14
Output current IOUT (A)
IOUT – VCE (sat)
1.5
TD62064APG
1.0
typ.
25°C max
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Collector-emitter saturation voltage VCE (sat) (V)
Precautions for Using
(1) This IC does not include built-in protection circuits for excess current or overvoltage. If this IC is subjected to excess current or overvoltage, it may be destroyed. Hence, the utmost care must be taken when systems which incorporate this IC are designed. Utmost care is necessary in the design of the output line, COMMON and GND line since IC may be destroyed due to short-circuit between outputs, air contamination fault, or fault by improper grounding.