5代SDRAM的沿承发展
DDRSDRAM基本原理详细介绍
DDRSDRAM基本原理详细介绍DDRSDRAM是一种双倍速率同步动态随机存取存储器，广泛应用于计算机内存和其他高速嵌入式系统中。
DDR代表双倍数据率，SDRAM代表同步动态随机存储器。
DDRSDRAM通过提供更高的带宽和更低的延迟来提高系统性能。
1.双倍数据率：DDRSDRAM采用了双倍数据率技术，可以在每个时钟脉冲周期内传输两个数据，即在上升沿和下降沿都进行数据传输。
这使DDRSDRAM的数据传输速度是传统SDRAM的两倍。
2.同步动态随机存取存储器：DDRSDRAM是一种动态存储器，与静态存储器相比，它的存储单元更小，容量更大。
DDRSDRAM是同步存储器，意味着所有数据传输都需要与系统时钟同步。
3.预充电：DDRSDRAM在读写操作之前需要进行预充电操作。
预充电操作是将存储单元的电荷置为预定的电平，以便于下一次读写操作。
预充电操作在时钟信号的上升沿进行。
4.时序：DDRSDRAM的时序包括预充电时间、平均访问周期、行切换延迟、列切换延迟、CAS延迟等。
这些时序都是根据具体DDRSDRAM芯片的规格进行设置的，用于保证数据的正确传输和存取。
5.控制信号：DDRSDRAM有许多控制信号，其中包括时钟信号、写使能信号、读使能信号、行地址线、列地址线等。
时钟信号用于同步操作，写使能信号和读使能信号用于控制存取操作，行地址线和列地址线用于指定存储单元的位置。
6.数据通路：DDRSDRAM的数据通路分为前端数据总线和背面数据总线。
前端数据总线用于数据的输入和输出，而背面数据总线用于数据在存储芯片内部的传输。
前端数据总线和背面数据总线的宽度决定了DDRSDRAM的带宽。
7.控制器：DDRSDRAM的控制器位于存储芯片的内部，负责管理存储芯片的读写操作。
控制器与计算机系统的主控制器进行通信，接收来自主控制器的指令并执行相应的操作。
8.刷新：DDRSDRAM是一种动态存储器，需要定期刷新以保持数据的稳定性。
2008 内存年度大回顾
DDR3较DDR2劣势 DDR3较DDR2劣势： 劣势： ○价格：如今支持DDR3的平台价格仍然偏高， 价格：如今支持DDR3的平台价格仍然偏高， 而且很多用户都只认可DDR3-1333以上才算是 而且很多用户都只认可DDR3-1333以上才算是 DDR3内存，所以DDR3-1066被用户认为是入 DDR3内存，所以DDR3-1066被用户认为是入 门级的初级产品，即便价格再低也不予理睬，另 外如果支出将近千元的平台和DDR3-1600内存， 外如果支出将近千元的平台和DDR3-1600内存， 恐怕在目前经济危机条件下需要三思而后行。 DDR3内存的推出是为了弥补DDR2内存不能 DDR3内存的推出是为了弥补DDR2内存不能 满足高端处理器对内存带宽的需求，但要想得到 普及，就必须用过平台的彻底更换才能推动其发 展，如果4XX的DDR3平台随处可见，相信 展，如果4XX的DDR3平台随处可见，相信 DDR2内存真的该寿终就寝了。 DDR2内存真的该寿终就寝了。
从上图可以很明显看出08年全年走势都是稳步下 从上图可以很明显看出08年全年走势都是稳步下 跌的势态，其中降幅最大的属2GB/800内存，主 跌的势态，其中降幅最大的属2GB/800内存，主 要原因是当时2GB/800刚刚出道，市场货源少， 要原因是当时2GB/800刚刚出道，市场货源少， 还属于较高端的产品。 另外，从曲线图可以明显看出，上面两条代表 2GB/667和2GB/800内存，下面两条则分别代 2GB/667和2GB/800内存，下面两条则分别代 表1GB/667和1GB/800内存。1GB内存是从今 1GB/667和1GB/800内存。1GB内存是从今 年4月份开始，DDR2-667同DDR2-800之间的 月份开始，DDR2-667同DDR2-800之间的 差价价格几乎持平，两者走势图也基本重合；而 2GB内存则是从今年7 2GB内存则是从今年7月份以后才开始重合走势， 并且明显看出11月份DDR2/667已经没有价格显 并且明显看出11月份DDR2/667已经没有价格显 示，可见用户已经接受DDR2-800主流的规格， 示，可见用户已经接受DDR2-800主流的规格， 彻底放弃DDR2-667。 彻底放弃DDR2-667。
sdram工作原理
sdram工作原理SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种同步动态随机存取存储器，是计算机中最为常见的内存类型之一、它的工作原理是基于电子存储单元中存储信息的方式。
首先，SDRAM内存被划分为一系列的存储单元，每个存储单元都由一个电容和一个开关（MOSFET）组成。
电容用来存储电荷，而MOSFET则是负责控制电荷的读取和写入。
SDRAM的工作原理主要包括刷新、读取和写入三个过程。
首先，我们来看看刷新过程。
刷新是SDRAM内存的一项重要功能，它能够解决电容充放电过程中的电荷衰减问题。
SDRAM内存中每个存储单元都是由一对电容和MOSFET组成，电容用来存储电荷，而MOSFET用于控制电荷的读取和写入。
由于电容会逐渐失去电荷，所以为了保持存储的数据稳定，需要定期对电容进行刷新。
刷新过程是由SDRAM控制器来完成的，它会向内存发送一个刷新周期信号，使得所有的存储单元都被刷新一遍。
接下来是读取过程。
当CPU需要读取SDRAM中的数据时，它首先会向SDRAM发送一个读取请求信号，该信号包含要读取的数据的地址。
当SDRAM接收到读取请求信号后，它会将请求的数据从存储单元中读取出来，并将数据通过数据线发送给CPU。
在读取过程中，SDRAM会使用一个内部时钟信号来同步数据的传输。
CPU在读取数据之后，可以对数据进行处理或者保存到其他存储器中，以供以后使用。
最后是写入过程。
当CPU需要将数据写入SDRAM时，它会向SDRAM发送一个写入请求信号，该信号中包含要写入的数据和地址。
当SDRAM接收到写入请求信号后，它会将要写入的数据存储到特定的存储单元中。
在写入过程中，SDRAM也会使用一个内部时钟信号来同步数据的传输。
CPU在写入数据后，可以通过读取操作来验证数据是否写入成功。
总而言之，SDRAM的工作原理是通过控制电容的充放电来存储和读取数据。
刷新过程能够解决电容衰减问题，保持数据的稳定性。
SDRAM
SDRAM具有多种工作模式，内部操作是一个复杂的状态机。SDRAM器件的引脚分为以下几类。
（1）控制信号：包括片选、时钟、时钟使能、行列地址选择、读写有效及数据有效。
谢谢观看
SDRAM在计算机中被广泛使用，从起初的SDRAM到之后一代的DDR（或称DDR1），然后是DDR2和DDR3进入大众 市场，2015年开始DDR4进入消费市场。
演变
SDRAM从发展到现在已经经历了五代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM， 第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM。
SDRAM是多Bank结构，例如在一个具有两个Bank的SDRAM的模组中，其中一个Bank在进行预充电期间，另一 个Bank却马上可以被读取，这样当进行一次读取后，又马上去读取已经预充电Bank的数据时，就无需等待而是可 以直接读取了，这也就大大提高了存储器的访问速度。
为了实现这个功能，SDRAM需要增加对多个Bank的管理，实现控制其中的Bank进行预充电。在一个具有2个以 上Bank的SDRAM中，一般会多一根叫做BAn的引脚，用来实现在多个Bank之间的选择。
工作原理
SDRAM之所以成为DRAM就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因为刷新（Refresh）是 DRAM最重要的操作。那么要隔多长时间重复一次刷新，目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限 是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是：64ms/行数量。我们 在看内存规格时，经常会看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的标识，这里的4096 与8192就代表这个芯片中每个Bank的行数。刷新命令一次对一行有效，发送间隔也是随总行数而变化，4096行时 为15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行时就为7.8125μs。HY57V561620为8192 refresh cycles / 64ms。
DRAM的发展
DRAM的发展1. 简介动态随机存取存储器（DRAM）是一种计算机主存储器，用于临时存储数据。
它是一种易失性存储器，需要定期刷新以保持数据的完整性。
DRAM的发展经历了多个阶段，从最早的SDRAM到现在的DDR4和DDR5。
2. SDRAM的发展最早的SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）于1993年问世，它与传统的DRAM相比，引入了同步时钟信号，提高了数据传输速度。
随着技术的进步，SDRAM的速度不断提高，从最初的66 MHz发展到现在的DDR4-3200。
3. DDR的发展DDR（Double Data Rate）是SDRAM的升级版本，它在每个时钟周期内可以传输两次数据，提高了数据传输效率。
首先推出的是DDR SDRAM，随后发展到DDR2、DDR3和DDR4。
每一代DDR都提升了带宽和速度，DDR4目前是最常用的DDR版本。
4. DDR4的特点DDR4 SDRAM于2014年发布，相比于DDR3，它具有更高的频率和更低的功耗。
DDR4的频率范围从2133 MHz到3200 MHz，而DDR3的频率范围为800 MHz到2133 MHz。
DDR4还引入了更高的密度和更大的容量，使得计算机系统可以处理更多的数据。
5. DDR5的发展DDR5 SDRAM是下一代DRAM标准，预计于2020年问世。
DDR5将进一步提高带宽和速度，并降低功耗。
预计DDR5的频率将超过DDR4的3200 MHz，并支持更大的容量。
此外，DDR5还将引入新的技术，如错误校验和修复功能，提高数据的可靠性。
6. DRAM的应用DRAM广泛应用于计算机系统中，包括个人电脑、服务器、移动设备等。
它是计算机系统中最常见的主存储器，用于存储正在运行的程序和数据。
随着技术的发展，DRAM的容量和速度不断提升，满足了不同应用的需求。
7. DRAM的挑战随着计算机系统的需求不断增加，DRAM面临着一些挑战。
内存的发展历程
内存发展——Rambus DRAM
在选择SDR SDRAM的继任者的时候Intel选择了与Rambus合作并推出了Rambus DRAM内存， 通常都会被简称为RDRAM，它与SDRAM不同，采用了新的高速简单内存架构，基于RISC 理论，这样可以减少数据复杂性提高整个系统的性能。 RDRAM采用RIMM插槽，184pin，总线位宽16bit，插两条组建双通道时就是32bit，工作 电压2.5V，当时的频率有600、700、800、1066MHz等。 这款内存通常都是用在Socket 423的奔腾4平台上，搭配Intel 850芯片组使用，然而大家 都应该清楚Socket 423的奔腾4是多么的悲剧，频率高效率低的奔腾4被AMD K7+DDR内存 的组合打得满地找牙，再加上RDRAM的制造成本高，很多内存厂都没有兴趣，这直接导 致RDRAM的零售价居高不下，奔腾4平台的成本相对高，消费者也不买单，最终就是导 致RDRAM完败于DDR SDRAM，最终Intel抛弃RDRAM投奔到DDR阵营。
内存发展——SDR SDRAM
第一代SDR SDRAM频率是66MHz，通常大家都称之为PC66内存，后来随着Intel与AMD的 CPU的频率提升相继出现了PC100与PC133的SDR SDRAM，还有后续的为超频玩家所准备 的PC150与PC166内存，SDR SDRAM标准工作电压3.3V，容量从16MB到512MB都有。 SDR SDRAM的存在时间也相当的长，Intel从奔腾2、奔腾3与奔腾4（Socket 478），以及 Slot 1、Socket 370与Socket 478的赛扬处理器，AMD的K6与K7处理器都可以SDR SDRAM。 从1999年开始AMD推出K7架构，到2000年Intel推出奔腾4处理器，两家处理器的FSB都在 不断攀升，只有133MHz的SDR SDRAM根本无法满足这个带宽需求，至于谁是它的继任者， Rambus DRAM与DDR SDRAM展开了一场大战。
SDRAM内存详解(经典)
SDRAM内存详解（经典）我们从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号、接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路... 虽然目前SDRAM内存条价格已经接底线，内存开始向DDR和Rambus内存过渡。
但是由于DDR内存是在SDRAM基础上发展起来的，所以详细了解SDRAM内存的接口和主板设计方法对于设计基于DDR内存的主板不无裨益。
下面我们就从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路。
内存颗粒介绍对于DRAM（Dynamic Random Access Memory）内存我想凡是对于计算机有所了解的读者都不会陌生。
这种类型的内存都是以一个电容是否充有电荷来作为存储状态的标志，电容冲有电荷为状态1，电容没有电荷为状态0。
其最大优点是集成度高，容量大，但是其速度相对于SRAM (Static Random Access Memory) 内存来说慢了许多。
目前的内存颗粒封装方式有许多种，本文仅仅以大家常见的TSSOP封装的内存颗粒为例子。
其各个管脚的信号定义和我们所使用的DIMM插槽的定义是相同的，对于不同容量的内存，地址信号的位数有所不同。
另外一个需要注意的地方就是其供电电路。
Vcc和Vss是为内存颗粒中的存储队列供电，而VccQ和VssQ是为内存颗粒中的地址和数据缓冲区供电。
两者的作用不同。
我们对内存颗粒关心的问题主要是其颗粒的数据宽度（数据位数）和容量（寻址空间大小）。
而对于颗粒自检、颗粒自刷新等等逻辑并不需要特别深入的研究，所以对此我仅仅是一笔带过，如果读者有兴趣的读者可以详细研究内存颗粒的数据手册。
虽然内存颗粒有这么多的逻辑命令方式，但是由于目前北桥芯片和内存颗粒的集成度非常高，只要在布线和元器件的选择上严格按照内存规范来设计和制造，需要使用逻辑分析仪来调试电路上的差错的情况比较少，并且在设计过程中尽量避免出现这种情况。
SDRAM原理及应用
SDRAM原理及应用SDRAM是一种同步动态随机存取存储器（SDRAM同步动态随机访问存储器），它使用了同步时钟信号来控制数据的读写操作。
相比于传统的非同步DRAM（即普通的DRAM），SDRAM具有更高的性能和更高的容量。
SDRAM的工作原理如下：首先，将存储器中的数据通过栅极刷新（或者称之为"Precharge"）操作传输到内部的位线上。
然后，通过行地址（Row Address）和列地址（Column Address）选择需要访问的数据行和列。
最后，通过读或写操作将选中的数据读取到外部数据总线上，或者将外部数据写入到选中的数据行。
SDRAM的工作频率通常由时钟频率（Clock Frequency）来决定，其中的每个时钟信号周期称为一个时钟周期（Clock Cycle）。
SDRAM在每个时钟周期中可以完成一个数据传输的读写操作。
例如，对于DDR SDRAM （双倍数据率同步动态随机访问存储器），在每个时钟周期的上升沿和下降沿都可以完成一次数据传输。
这意味着DDR SDRAM的工作频率可以是SDRAM的两倍。
SDRAM相比于传统的非同步DRAM具有几个重要的优点。
首先，它通过同步时钟信号来控制读写操作，提高了数据访问的速度和稳定性。
其次，由于内部位线上的数据可以进行部分预读操作，因此SDRAM的内部读写速度更快。
此外，SDRAM还具有较低的功耗和较高的容量，可以满足更高性能的应用需求。
SDRAM有许多广泛的应用场景。
首先，它被广泛用于个人电脑（PC）和服务器系统中，作为主存储器（或称为内存）使用。
由于SDRAM具有较高的读写速度和较高的容量，它可以提供更快的数据存取速度，提高系统的整体性能。
其次，SDRAM还被用于嵌入式系统中，如智能手机、平板电脑、数字相机等。
在这些应用中，SDRAM提供了高速的存储器，用于存储和访问大量的图像、视频和应用程序数据。
此外，SDRAM还被用于网络交换机、路由器、高性能固态硬盘等设备中，以提供高速的数据缓存和存储能力。
DDR5内存技术浅析
• 140•电子测量技术，2014）正是通过蓝牙串口助手发送相应速度调整指令，是PWM 占空比作出调整从而实现改变速度。
1.5 电源模块小车采取双电池分别供电，MCU 部分由5V 的电池供给，红外传感器和蓝牙调速模块均分别连接在MCU 的VCC 和GND 端口，二者使用MCU 供电。
电机驱动模块由9V 供电，以满足L298N 和电机驱动要求。
2 循迹小车程序设计笔者通过C 语言进行程序编写，在Keil4下产生hex 后缀名文件，采取STC 烧写软件烧录进MCU 中。
红外传感器通过反射光线不断调整小车运行方向，确保了在预设轨道正常行驶；蓝牙模块通过串口助手指令调整速度，确保了小车行驶效率。
该蓝牙调速循迹小车主程序流程如图4所示。
3 结束语本文小车硬件电路搭建好之后，程序是控制的关键。
只有通过小车循迹实践发现问题，才能不断调整改进提高。
最终经过实践验证，小车能够边调速边循迹，即使在占空比为1的情况下，也能够正常转弯，不会偏离既定路线。
智能循迹小车应用前景广泛，可应用于无人港口运输、无人驾驶汽车以及车间仓库运输等领域，对我国自动化设备改造升级具一定意义。
图4 主程序流程图作者简介：曹海洋（1997—），男，内蒙古满洲里人，大学本科，目前就读于东北石油大学机械科学与工程学院，主修机械设计制造及其自动化。
新一代动态随机访问存储器技术DDR5的技术规范已经面世，DDR5相对于DDR4单个芯片容量更大，数据速率更高，且增加了很多新的功能和特性。
本文中笔者针对这些新功能和特性进行简单介绍。
引言：动态随机访问存储器DRAM是除中央处理器之外最重要的集成电路芯片之一，在各类现代数字系统中都有广泛应用。
从上世纪七十年代发明至今，DRAM技术经历了长足发展，目前主流的DDR4 SDRAM单颗最大容量可达16Gb，数据速率最高可达3.2Gbps。
尽管DDR4仍是目前主流的内存技术，新一代内存技术DDR5已经浮出水面。
2018年JEDEC公布了DDR5的技术规范草案，正式的DDR5规范预计将在2019年面世。
SDRAM原理与操作时序(全)
SDRAM的原理和时序一、 SDRAM内存模组与基本结构我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现，为什么要做成这种形式呢？这首先要接触到两个概念：物理Bank与芯片位宽。
1、物理Bank传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。
而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit （位）。
当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。
所以，那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。
资格稍老的玩家应该还记得Pentium刚上市时，需要两条72pin的SIMM才能启动，因为一条72pin -SIMM只能提供32bit 的位宽，不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。
直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一条内存开机。
不过要强调一点，P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念，RDRAM 中将以通道（Channel）取代，而对于像Intel E7500那样的并发式多通道DDR系统，传统的P-Bank概念也不适用。
2、芯片位宽上文已经讲到SDRAM内存系统必须要组成一个P-Bank的位宽，才能使CPU正常工作，那么这个P-Bank位宽怎么得到呢？这就涉及到了内存芯片的结构。
每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。
理论上，完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Ban k的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。
所以芯片的位宽一般都较小。
台式机市场所用的SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。
这样，为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。
对于16bi t芯片，需要4颗（4×16bit=64bit）。
SDRAM原理和时序
SDRAM原理和时序一、SDRAM的原理SDRAM是一种同步存储器，其原理基于DRAM（Dynamic Random Access Memory）的基本操作，但引入了同步时钟信号来协调存储器控制器和CPU之间的数据传输。
SDRAM通过列地址和行地址来定位存储单元，通过同步时钟信号以及清除和预充电周期来确保数据的正确传输。
1.内部构造SDRAM包含了存储芯片、存储地址、数据输入输出接口和控制信号接口等部分。
存储芯片是由存储单元阵列构成，每个存储单元由一个存储电容和一个访问存储单元所需的传输线性组成。
存储地址用于唯一标识每个存储单元，数据输入输出接口用于与CPU进行数据交互，而控制信号接口用于控制SDRAM的操作。
2.读写操作对于读操作，首先需要发送预充电命令，该命令将存储芯片的每个存储单元的存储电容放电，以确保数据的准确读取。
然后，通过行地址和列地址来确定要读取的存储单元，并将数据传输到数据输出接口，最后通过数据输出接口传输给CPU。
对于写操作，首先需要发送预充电命令，然后通过行地址和列地址确定要写入的存储单元。
将数据从CPU传输到数据输入接口，最后将数据写入所选的存储单元。
3.刷新操作由于DRAM存储电容会逐渐失去电荷，因此需要定期进行刷新操作，以确保数据的稳定存储。
刷新操作通常通过发送刷新命令来执行，将所有行依次预充电，然后再次写入存储电容相同数据。
二、SDRAM的时序1. 刷新周期（t_ref）刷新周期是指SDRAM进行刷新操作的时间间隔，通常为64ms。
刷新周期内需要完成所有的刷新操作。
2. 行预充电周期（t_rp）行预充电周期是指从发送预充电命令到可以进一步读取或写入数据之间的时间间隔。
在这个周期内，DRAM的存储单元将被预充电。
3. 行激活周期（t_ras）行激活周期是指发送行激活命令到可以读取或写入数据之间的时间间隔。
在这个周期内，DRAM将被激活，并将所选行的数据传输到I/O线上。
SDRAM同步动态随机存储器
SDRAM同步动态随机存储器SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5) 第一代SDRAM采用单端（Single-Ended）时钟信号,第二代、第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100，pc133则表明时钟信号为100或133MHz，数据读写速率也为100或133MHz。
之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。
如PC2700是DDR333，其工作频率是333/2=166MHz，2700表示带宽为2.7G。
DDR的读写频率从DDR200到DDR400，DDR2从DDR2-400到DDR2-800，DDR3从DDR3-800到DDR3-1600。
很多人将SDRAM错误的理解为第一代也就是SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。
SDR不等于SDRAM。
Pin:模组或芯片与外部电路电路连接用的金属引脚，而模组的pin就是常说的“金手指”。
SIMM：Single In-line Memory Module,单列内存模组。
内存模组就是我们常说的内存条，所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚（虽然两侧都有金手指）。
SDRAM的发展历程
SDRAM的发展历程作者：王树争来源：《电脑知识与技术》2017年第15期摘要：该文简述SDRA/VI的发展历程，按SDRAM不同发展阶段，对SDRAM、DDR、DDR2和DDR3等进行分类和介绍。
关键词：SDRAM；DDR；DDR2；DDR3中图分类号：TP311文献标识码：A文章编号：1009-3044（2017）15-0213-021概述伴随着计算机技术的不断发展和革新，计算机内存技术也飞速发展，并经历了几次变革。
计算机技术对内存技术的需求不断提高，计算机内存向功率更低、速度更快、容量更大、物理封装尺寸更小的方向发展。
这些需求正推动着DRAM技术不断发展。
由于INTEL的市场领导地位和因为Intel的芯片组对SDRAM的支持，使SDRAM成为市场的标准，本文主要介绍SDRAM内存。
RAM（Random Access Memory）是随机存储器。
RAM有两种分类，即动态随机存储器（Dynamic RAM，DRAM）和静态随机存储器（Static RAM，SRAM）。
计算机内存主要使用DRAM。
DRAM，即动态RAM。
DRAM具有结构简单、集成度高、功耗低、生产成本低等特点，DRAM可以有很高的密度，用于制造大容量存储器，DRAM应用于大多数内存中。
DRAM可分为两种：同步内存和异步内存，同步和异步区分的标准在于是否和系统时钟同步。
EDO内存为异步内存，随着处理器速度的不断增加，CPU的性能的发挥严重受制于EDO内存的速度，CPU总需要等待EDO内存的数据，EDO内存的速度成了系统性能的瓶颈。
因此，能够与系统时钟同步的SDRAM出现了。
SDRAM是synchronous Dynamic Random Access Memou的缩写，意思为同步动态随机存取存储器，同步于系统时钟频率。
由于SDRAM内存访问机制采用突发（burst）模式，SDRAM能够为系统提供高速率的数据吞吐，在提高系统性能的同时，还简化了系统的设计。
计算机内存及发展趋势
计算机内存及发展趋势作者：张玮来源：《电脑知识与技术》2018年第35期摘要：随着科学技术的进步，计算机内存经历了从SDRAM到DDR4的快速发展，深入到人类工作和生活的方方面面，尽管其基本原理和内核结构始终没变，但其容量、速率和功耗都有了巨大的提高，技术难度和生产工艺难度也越来越大。
随着越来越多的研究者加入，新一代的DDR5即将面世，提供了更高的速率和更低的功耗。
该文介绍了内存的基本原理、当前产品的特征和下一代内存DDR5的新特征。
关键词：内存;SDRAM;DDR4;DDR5中图分类号：TP393 文献标识码：A 文章编号：1009-3044（2018）35-0224-021 内存的基本原理内存全称为DDR SDRAM （Double Data Rate SDRAM），SDRAM的全称为Synchronous Dynamic Random Access Memory。
DDR是在原有的SDRAM的基础上改进而来。
DDR其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。
它支持高速读写，而且理论上可以读写无限次，使用寿命可达十年以上。
图1是DDR的一个基本存储单元，图中的Cell Capacitor是一个用来存储电荷的电容。
当里面的电荷电压为VDD时，对应读出来的数据为“1”;当里面的电荷电压为0时，对应读出来的数据为“0”。
由于电容里的电荷会泄露，所以需要不断地对它充电，也叫刷新。
Control Transistor是三极管，用来控制Cell Capacitor的打开与关闭。
当要访问一个存储单元时，Wordline为高电平，这时三极管导通，通过Digitline就可以读出或写入这个存储单元Cell Capacitor了。
内存虽然经历了SDRAM到DDR4的升级变迁，但基本的存储单元一直没变，基本存储原理也一直没变。
DDR的内核还是SDRAM，其内核速率还是133MHz，DDR4内核提高到了266MHz，但LPDDR4内核还是保持在133MHz，它通过16倍的预读取来达到2133MHz的传输速率。
王东升：五代线并不落后
王东升：五代线并不落后
陈亮
【期刊名称】《互联网周刊》
【年(卷),期】2004(000)039
【摘要】《互联网周刊》:现在大家都比较关心京东方的资金问题,关心京东方的负债率,第五代TFT-LCD生产线花费巨大,京东方的负债率会不会超过预警线? 王东升:投资者关注企业的资金问题,可以理解。
我们目前的资产负债率是60％多一点。
对于一个高成长性行业内的企业,这应该算是基本正常的。
再高,超过70％,风险就比较大一点。
因此我们会锁定一个线。
【总页数】1页(P34)
【作者】陈亮
【作者单位】《互联网周刊》记者
【正文语种】中文
【中图分类】TN873.93
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笔记本内存知识大全----买本必看(二)笔记本内存是笔记本电脑中的主要部件,它是相对于其他存储器而言的。
我们平常使用的程序,如操作系统、、游戏软件等,一般都是安装在硬盘等外存上的,但仅此是不能使用其功能的,必须把它们调入内存中运行,才能真正使用其功能,我们平时输入一段文字,或玩一个游戏,其实都是在内存中进行的。
通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上,而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上。
内存是连接CPU 和其他设备的通道,起到缓冲和数据交换作用!一:什么是SDRAM、DDR、DDR2、DDR3内存在介绍DDR之前我们先明白什么是SDRAM,SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写,中文叫同步动态随机存取存储器。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输。
SDRAM从发展到现在已经经历了四代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM后面将做详细介绍DDR叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM 的缩写, DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,就是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR2的定义: DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM ,即简称DDR2。
DDR2和DDR 一样,采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但是最大的区别在于,DDR2内存可进行4bit预读取。
两倍于标准DDR内存的2BIT预读取,这就意味着,DDR2拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力,因此,DDR2则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力。
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR的传输能力,而是,在采用更低发热量,更低功耗的情况下,反而获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ 限制。
DDR SDRAM引领内存新风采
DDR SDRAM引领内存新风采
Samuel Lai
【期刊名称】《世界电子元器件》
【年(卷),期】2001(000)008
【摘要】@@ 新一代内存解决方案rn这两年来,DDR SDRAM(双数据数率同步动态随机存储器)之所以能快速的被业界所接受,是因为:
【总页数】2页(P11-12)
【作者】Samuel Lai
【作者单位】无
【正文语种】中文
【相关文献】
1.基于FPGA的DDR2 SDRAM内存控制器设计 [J], 张海瑞;武丽;贾家宁
2.内存未来之争DRDRAM与DDR SDRAM谁主沉浮 [J],
3.DDR内存与SDRAM内存比较双重火力真的比较强? [J],
4.记忆SDRAM、DDR内存 [J], 快人
5.内存规格向何去处去？——RDAM、DDR、VCM、SDRAM内存对比测试 [J],因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
DDR的前世与今生(二)
DDR的前世与今生（二）SDRAM与DDR SDRAMSDRAM是比较久远的事情了，但我们一说到它绝对不会和DDR混淆，我们通常理解的SDRAM其实是SDR SDRAM,为SDRAM的第一代，而DDR1则为其次代，乃至到我们现在用法的DDR4，其实为第五代SDRAM，在此需要澄清一下。
以示区分，后续文章里面用SDR来特指SDR SDRAM，而DDR 就特指DDR SDRAM了。
就像无数人回复的一样，他们的本质区分就是周期操作方式（也称时钟采样）的差异，这就导致后面设计上很大的不同。
SDR都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个波形升高沿时举行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一些新的设计及技术，其在一个内存时钟周期中，在波形升高沿时举行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，相当于在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDR两个周期才干完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以容易理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
至于SDR在设计上等长应当如何考虑，我想这个可能是大家最感爱好的问题了，虽然SDR的应用已经不多了，但还是常常有人会来问我们，下面采纳个人觉得比较好的上期文章的答复给大家也来个参考。
二羔子网友说：“虽然都叫同步动态随机存储器，但是在技术上有很大差别，sdram属于第一代ram，ddr-sdram属于其次代ram，运用的是double data rate和预存取技术，传输速率是第一代的两倍以上。
在layout时，sdram甚至不用做等长，高性能要求除外。
”山水江南网友说：“Sdram是共同时钟同步，数据和时钟信号不用等长，但有最长的要求，所以走线尽可能的短。
”第1页共2页。
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5代SDRAM的沿承发展
不知不觉DDR4已逐渐普及，内存从SDRAM发展至今已历经5代！今天小编与您一起了解5代SDRAM的沿承发展。
随着CPU性能的不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。
同样，高性能的内存搭配高性能的CPU才能最大的发挥它的价值与优势。
在为CPU选择匹配内存前，咱们可以简单了解一下内存的发展过程。
图1 SDRAM Roadmap
SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，咱们在此简称内存。
SDRAM发展到现在已经历了五代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM。
图2 SDRAM
SDRAM内部组成可以分为几个部分，存储阵列、IO门控单元、行列地址解码器、行列地
址锁存器、逻辑控制单元（包含模式寄存器）、数据输入输出寄存器等。
存储容量大小和数据位宽度、行地址、列地址、块数量等的关系：
图3 基于SDRAM的ARM9工业级核心板
DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM“。
DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，使得其数据传输速度为传统SDRAM的两倍。
DDR2 SDRAM相较于上一代整体布局变化不大，在输入输出数据总线接口上变化比较多。
DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。
此外，DDR2也融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。
图4 基于DDR2的Wi-Fi工业级核心板
DDR3 SDRAM相比DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好、更为省电；同时将DDR2的4bit预读升级为8bit预读，目前最高能够支持1600Mhz的速度。
DDR3 在存储结构上改进工艺，允许堆叠更多的存储块，提高单颗芯片的容量；在功能上也增加了读写平衡。
图5 基于DDR3的8串口双网口工控主板
DDR4 SDRAM在输入输出数据总线接口上继续改善性能，在存储结构上继续改进工艺，不仅堆叠更多的存储块，而且使用硅片穿孔工艺把把堆叠成的存储块进行并列放置，集中到一颗芯片中，提高单颗芯片的容量。
DDR4内存有两种规格。
其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为 1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。
SDRAM能效参数对比如表1所示：
表 1 内存参数表。