半导体器件(附答案)

第一章、半导体器件（附答案）

一、选择题

1．PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ________

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

2．设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 ________

A. B. C.

3．稳压管的稳压是其工作在 ________

A. 正向导通

B. 反向截止

C. 反向击穿区

4．V U GS 0=时，能够工作在恒流区的场效应管有 ________

A. 结型场效应管

B. 增强型 MOS 管

C. 耗尽型 MOS 管

5．对PN 结增加反向电压时，参与导电的是 ________

A. 多数载流子

B. 少数载流子

C. 既有多数载流子又有少数载流子

6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _____

A. 增加

B. 减少

C. 不变

7．用万用表的 R × 100 Ω档和 R × 1K Ω档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测

量结果 ______

A. 相同

B. 第一次测量植比第二次大

C. 第一次测量植比第二次小

8．面接触型二极管适用于 ____

A. 高频检波电路

B. 工频整流电路

9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： ____

A. 2CZ11

B. 2CP10

C. 2CW11

D.2AP6

10．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为V U D 7.0=。若其他参数不变，当温度上

升到40℃，则D U 的大小将 ____

A. 等于 0.7V

B. 大于 0.7V

C. 小于 0.7V

11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _____

A. 两种

B. 三种

C. 四种

12．在图中，稳压管1W V 和2W V 的稳压值分别为6V 和7V ，且工作在稳压状态，由此可知输

出电压O U 为 _____

A. 6V

B. 7V

C. 0V

D. 1V

13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（ ）

A. 两种

B. 三种

C. 四种

14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 __（1）__，而少数载流子的浓度与 __

（2）__有很大关系。

（1）A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷

（2）A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷

15．当 PN 结外加正向电压时，扩散电流__（1）__漂移电流，耗尽层__（2）__，当 PN 结

外加反向电压时，扩散电流 __（3）__漂移电流，耗尽层 __（4）__。

（1）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变

（2）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变

（3）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变

（4）A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 变宽 E. 变窄 F. 不变

16．甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表 1.6 所示，你认为哪一个二极管的性能最

好？

A. 甲

B. 乙

C. 丙

17. 一个硅二极管在正向电压V U D 6.0=时，正向电流mA I D 10=。若D U 增大到0.66V

（即增加10%），则电流D I ________

A. 约为11mA （也增加10%）

B. 约为20mA （增大1倍）

C. 约为100mA （增大到原先的10倍）

D. 仍为10 mA （基本不变）

18. 在如下图所示的电路中，当电源V1=5V 时，测得I=1mA 。若把电源电压调整V1=10V ，

则电流的大小将V1=5V 是 ________。

A. I =2mA

B. I 〈2mA

C. I 〉2mA

21. 在P 型半导体中，多数载流子是 _（1）_，在N 型半导体中，多数载流子是 _（2）

（1）A. 正离子 B. 自由电子 C. 负离子 D. 空穴

（1）A. 正离子 B. 自由电子 C. 负离子 D. 空穴

23. 本征半导体温度升高以后，自由电子和空穴的变化情况是________。

A. 自由电子数目增加，空穴数目不变

B. 空穴数目增加，自由电子数目不变

C. 自由电子和空穴数目等量增加

24. N 型半导体__（1）__， P 型半导体__（2）__。

（1）A. 带正电 B. 带负电 C. 呈电中性

（2）A. 带正电 B. 带负电 C. 呈电中性

26. PN 结外加反向电压时，其内电场________。

A. 减弱

B. 不变

C. 增强

27. PN 结在外加正向电压的作用下，扩散电流_______漂移电流。

A. 大于

B. 小于

C. 等于

28. 在本征半导体中加入__（1）__ 元素可形成N 型半导体，加入__（2）__ 元素可形成P 型半导体。

（1） A. 五价 B. 四价 C. 三价

（2） A. 五价 B. 四价 C. 三价

29. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 _________

A. 增大

B. 不变

C. 减小

30. 工作在放大区的某三极管，如果当B I 从12μA 增大22μ A 时，C I 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 __________

A. 83

B. 91

C. 100

31. 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零，只有在外加电压达到约_____V 时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的死区电压。与硅二极管一样，只有在锗三极管上外加正向电压达到约_____V 时，正向电流才明显增加。这个电压称为锗二极管的死区电压。

（1） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V

（2） A. 0.7V B. 0.2V C. 0.5V D.0.3V

二、判断题(正确的选“Y”，错误的选“N”)

1. P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（Y ） （N ）

2. 在N 型半导体中，掺入高浓度的三价杂质改型为P 型半导体。（Y ） （N ）

3. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（Y ） （N ）

4. PN 结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（Y ） （N ）

5. 漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（Y ） （N ）

6. 由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电流流过。（Y ） （N ）

7. PN 结方程可以描述 PN 结的正向、特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。（Y ） （N ）

8．N 型半导体的多数载流子是电子，因此N 型半导体带负电。（Y ） （N ）

11．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（Y ） （N ）

12．当外加反向电压增加时， PN 结的结电容将会增大。（Y ） （N ）

13．通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（Y ） （N ）

14．通常的 JEFT 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。 （Y ） （N ）

15．当环境温度升高时，本征半导体中自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变。 （Y ） （N ）

16．当环境温度升高时，本征半导体中空穴和自由电子的数量都增加，且它们增加的数量相等。（Y ） （N ）

17． P 型半导体中的多数载流子都是空穴，因此， P 型半导体带正电。（Y ） （N ）

18． PN 结中的空间电荷区是由带电的正，负离子形成的，因而它的电阻率很高。 （Y ） （N ）

19． 半导体二极管是根据 PN 结单向导电的特性制成。因此，半导体二极管也具有单向导电性。（Y ） （N ）