电子技术基础与技能第一章资料
电子技术基础与技能张金华主编
宽度 。它的输出脉冲脉宽度可根据触发脉冲的输入情况的不同而改变。 可重复触发的集成单稳态触发器的图形符号和工作波形。所图所示。
10.1.3 单稳态触发器
二、可重复触发的集成单稳态触发器
1. 引脚排列及逻辑符号 ，TTL集成可重复触发器的单稳态触发器 74LS123的引脚排列和逻辑符号，如图所示。
时，输出端为高
电平。随着 uI 的增加，当
uI
2 3
VCC
时，电
路翻转，输出端为低电平。uI 继续增加，电
路保持原状态。随着
uI
的减少，当 uI
源自文库
2 3
VCC
时，电路状态又翻转，输出高电平。
10.1.1 脉冲的基本概念
一、脉冲的概念 脉冲是指一种瞬间突变、持续时间极 短的电压或电流信号。它可以是周期性变 化的，也可以是非周期性的或单次的。 如图所示电路是一个简单的矩形脉冲 波信号发生器，反复接通和断开开关S，在
电阻 R2 上得到的输出电压 uO ， 就是一串矩
形脉冲波。波形如图所示。
二、构成单稳态触发器
3. 输出脉冲宽度 t W
电容C充电形成的暂态时间为 t 1.1RC W
10.2.2 555时基电路的应用
三、构成施密特触发器 1．电路组成 如图所示是555时基电路组成的一个施密特触发器。
电子技术基础与技能题库
第一章：直流稳压电路
第一节：整流滤波电路
一、填空题
1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。
2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。
3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。
4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。
5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。
6、二极管最主要的特性是___________
二、判断题
1、二极管的正向电阻比反向电阻大。（）
2、二极管两端加上正向电压就能导通。（）
3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的倍。（）
4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（）
5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。
（）
6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（）
7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。（）
8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。（）
9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。（）
10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。（）
11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。（）
12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。（）
13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。
（）
三、选择题
1、二极管具有（ )
电子技术基础与技能
了解整流电路的用途和元器件的主要作用； 理解桥式整流电路的组成与工作原理； 会估算桥式整流电路的输出电压和输出电流； 了解滤波电路的作用； 掌握电容滤波电路的构成，会估算电容滤波电路的输出电压； 熟悉电感滤波电路的构成，了解滤波原理与电路特点； 会根据实际电路选择滤波电路的类型。
1.1.5 其他类型的二极管
一、稳压二极管 3．稳压二极管的检测 〔1〕检测方法与普通二极管相同,但稳压二极管的正向电阻比普通二极管 的正向电阻要大一些. 〔2〕若需要对稳压二极管稳定电压做精确测量,则可用晶体管特性图示仪 测量.
1.1.5 其他类型的二极管
二、发光二极管 1．发光二极管的图形符号 发光二极管与普通二极管一样也是由PN结构成,同样具有单向导电性. 实物及图形符号如图所示.
1.1.5 其他类型的二极管
一、稳压二极管 1．稳压二极管的图形符号 稳压二极管又称为齐纳二极管,是一种用于稳压〔或限压〕、工作于反 向击穿状态的二极管.其外形及图形符号如图所示.
1.1.5 其他类型的二极管
一、稳压二极管 2．稳压二极管的伏安特性 当反向电压达到VZ时,即使电压有一微小的 增加,反向电流也会增加很多〔反向击穿曲线很 徒直〕,这时,二极管处于击穿状态,其两端电压 基本保持不变〔稳压区〕.如果把击穿电流通过 电阻限制在一定的范围内,管子就可以长时间在 反向击穿状态下稳定工作.而且,稳压二极管的反 向击穿特性是可逆的,去掉反向电压,稳压二极管 又恢复常态.如图所示 .
《电子技术基础与技能》(张金华主编)习题答案
《电子技术基础与技能》（主编：张金华）
各章复习与考工模拟题答案
第1章 二极管及其应用
一、判断题 1．√ 2．× 3．× 4．× 5．√ 6．√
二、选择题 1．B 2．D 3．C 4．C 5．A
三、综合题
1．U AB =0 U AB =6V 2．
3．亮 亮 4．（1）桥式整流 电容滤波 （2
（3）U L =0.9U 2 （4）U L =1.2U 2
L
第2章 三极管及放大电路基础 一、判断题 1．√ 2．× 3．×
二、选择题 1．C 2．A 3．C
三、填空题
1．正偏电压 反偏电压 2．各电极电流 极间电压 3．高 低 略小于1 4．20dB 四、综合题 1．
2．
3．（a ）饱和失真 一般调节偏置电阻R b ，使其阻值减小。 （b ）截止失真 一般调节偏置电阻R b ，使其阻值增大。 （c ）饱和与截止失真 减小输入信号的幅度或更换三极管。
第三章 常用放大器 一、判断题 1．√ 2．× 3．× 4．× 5．×
二、选择题 1．C 2．A
1.01mA β=100 5mA β=50 u 0
u i
u 0 u i R 1 R 3 R 4
VT 1 VT 2
+ +
- -
3．B
4．C
5．D
6．B
三、综合题
1．u0=8(u I2-u I1)
2．
t
2．×
3．×
4．
5．×
二、填空题
1．负载输出
2．78××79××输出为正12V的集成稳压器输出为负12V的集成稳压器3．（U Z=14V）
14 15 14 4 10
三、综合题
为了保证稳压管的正常工作，在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流的大小，只有在R取值合适时，稳压管才能安全地工作在稳压状态。其稳压过程：U I升高或R L变大→U0升高→I Z变大→I R变大→U R变大→U0减小，使输出电压U0稳定；当U I降低或R L变小，同理分析输出电压U0也能基本保持稳定。
电子技术基础与技能-()
当 uI 2单独作用时， uI1 0 ，电路为同相输入方式， 输出电压为
Rf u I1 R1
uO 2 (1
R3 Rf ) uI2 R1 R2 R3
差分输入放大器可以实现减法运算。当图 中R R R R 时，输出电压为 uO uI 2 uI1。 1 2 3 f
3.1.6 集成运放的使用常识
一、功率放大器的基本要求 3. 较小的非线性失真 处在大信号工作状态的功率放大器，不可避免地会产生非线性失真。 因此，必须将功率放大器的非线性失真限制在允许范围内。 4. 较好的散热装置 由于功放管工作在极限运用状态，管耗大。其中大部分被集电结承受 转化为热量，使集电结温度升高。
3.2.1 功率放大电路的要求与分类
电子技术基础与技能训练试题
电子技术基础(模拟篇)
第一章 半导体二极管
一、单选题
1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A. 左移，下移
B. 右移，上移
C. 左移，上移
D. 右移，下移
2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂
移电流。
A. 小于，大于
B. 大于，小于
C. 大于，大于
D. 小于，小于
3. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程为（ ）
A. U I e S
B. T
U U I e
S C. )1e (S －T U U I D. 1e S －T U U I
4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
A B C D
5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0
B. I D < I Z 且I D > I ZM
C. I Z > I D > I ZM
D. I Z < I D < I ZM
6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A. 少子
B. 多子
C. 杂质离子
D. 空穴
7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。
A. 0
B. 死区电压
C. 反向击穿电压
D. 正向压降
8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 掺杂浓度
D. 晶体缺陷
9. PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。
A. 电子和空穴
B. 施主离子和受主离子
C. 施主离子和电子
D. 受主离子和空穴
10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。
A 0.1V
B 0.2V
C 0.5V
电子技术基础与技能训练试题模板
电子技术基础(模拟篇)
第一章半导体二极管
一、单选题
1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。
A. 左移，下移
B. 右移，上移
C. 左移，上移
D. 右移，下移
2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。
A. 小于，大于
B. 大于，小于
C. 大于，大于
D. 小于，小于
3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（）
A. U
I e
S B. T U
U
I e S C. )1
e(
S
－
T
U
U
I D. 1
e
S
－
T
U
U
I
4.下列符号中表示发光二极管的为（）。
A B C D
5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。
A. I D = 0
B. I D < I Z且I D > I ZM
C. I Z > I D > I ZM
D. I Z < I D < I ZM
6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。
A. 少子
B. 多子
C. 杂质离子
D. 空穴
7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。
A. 0
B. 死区电压
C. 反向击穿电压
D. 正向压降
8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 掺杂浓度
D. 晶体缺陷
9. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。
A. 电子和空穴
B. 施主离子和受主离子
C. 施主离子和电子
D. 受主离子和空穴
10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。
A 0.1V
B 0.2V
C 0.5V
D 0.7V
11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不同量程时通过二极管的电流，所测得正向电阻阻值。
电子技术基础与技能
电子技术基础与技能
《电子技术基础与技能》
编写大纲
概述
0.1电信号的处理与测量
知识与技能点：模拟信号；数字信号；电信号的处理和转换；电信号
特性的测量；电子测量仪器仪表。
0.2电子电路的组成与识读
知识与技能点：电子电路的组成；电原理图和框图的识读；GB/T4728电气图形符号标准；印制电路板；集成电路。 0.3 常用器件的成型与插装焊接知识与技能点：导线的加工；元器件引线的加工；焊料与焊接工具；
元器件的插装焊接；焊接技术的发展。
习题
本章小结
第一章晶体二极管及其应用
1.1半导体的基本特性
知识与技能点：常见的半导体材料；半导体的三个主要特性； P型、N型半导体的形成。
1.2晶体二极管
1
知识与技能点：普通晶体二极管的结构、电路符号和单向导电性；普
通晶体二极管的伏安特性、主要参数；特殊二极管的外形特征和功能；
晶体二极管的极性和质量优劣的判别；二极管在电子技术领域的应用。
1.3二极管整流、滤波电路
知识与技能点：二极管单相整流、滤波电路的作用及其工作原理；三相整流电路的组成与特点；二极管单相桥式整流、滤波电路的焊接；二极管单相桥式整流、滤波电路相关电量参数和波形的测量；整流电路元件的选用；电容滤波电路输出电压的估算。习题
本章小结
第二章晶体三极管及放大电路基础
2.1晶体三极管
知识与技能点：晶体三极管的结构及符号；晶体三极管电流放大特性；晶体三极管特性曲线、主要参数、温度对特性的影响；晶体三极管引脚和质量优劣的判别；三极管器件手册的查阅。
2.2放大电路的构成与分析
知识与技能点：基本共射放大电路的构成和主要元件的作用；电路中电压、电流符号的规定；静态工作点对放大波形的影响；三极管的静态工作点的测量与调整；放大器直流通路与交流通路；小信号放大器2
电子技术基础与技能
目录分析
项目1半导体二 1
极管认知及应 用
项目2半导体三 2
极管认知及应 用
3 项目3负反馈放
大电路分析及 应用
4 项目4集成运算
放大器分析及 应用
5 项目5低频功率
放大器
项目7正弦波振荡 器分析及应用
项目6直流稳压电 源分析及应用
项目8晶闸管及其 应用
任务1半导体二极管认知及应用 任务2特殊二极管认知及应用 项目小结 思考与练习
电子技术基础与技能
读书笔记模板
01 思维导图
03 目录分析 05 精彩摘录
目录
02 内容摘要 04 读书笔记 06 作者介绍
思维导图
关键字分析思维导图
电路
数字电路
练习
内容
电路
任务
分析
技能
基础
部分 项目
逻辑
电子技术
认知
放大器
小结
探究
应用
学习
内容摘要
本课题为中等职业学校电子类专业重要的专业基础教材，包括模拟电路基础和数字电路基础及技能两部分内 容。模拟电路基础部分有半导体二极管、三极管、场效应管、晶体闸流管、基本放大电路、负反馈电路、集成运 算放大电路、功率放大电路、直流稳压电源电路、正弦波振荡电路等项目内容；数字电路基础部分有逻辑门电路、 组合逻辑电路、触发器、时序逻辑电路、脉冲信号产生与变换电路、大规模数字集成电路基础等项目内容。
电子技术基础与技能题库(三)
第一章：直流稳压电路
第一节：整流滤波电路
一、填空题
1、整流是将交流电压转换为_________电压，但整流后的电压是脉动直流电压，含有交流成分。
2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。
3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量，使之成为___________电压。
4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端，滤除交流分量。
5、电感滤波即将电感器与________串联，以限制交流分量通过负载。
6、二极管最主要的特性是___________
二、判断题
1、二极管的正向电阻比反向电阻大。（）
2、二极管两端加上正向电压就能导通。（）
3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的1.2倍。（）
4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（）
5、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。
（）
6、在半波整流电路中，接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压（）
7、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性，将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。（）
8、整流电路是直流电源的核心部分，它是利用二极管的单向导电性。（）
9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。（）
10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。（）
11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变，在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。（）
12、电容滤波电路通常选电容比较大，效果越好。（）
13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。
（）
三、选择题
电工电子技术 第一章基本概念与基本定律
一、电路的组成
开关
1．电路： 电流流通的路径称为电路。 电 池
负 载
2．组成：（1）电源：提供能量。
（2）负载：消耗能量。
（ 3）中间环节：连接电源和负载 的导线及控制元件。
8
2020年2月3日星期一
3．作用
（1）电能的传输与转换。 如：输配电电路。
发电机
升压 变压器
降压 变压器
用户 负载
9
2020年2月3日星期一
5．网络：指较多元件组成的较为复杂的电路。
I1 a
I2
c
d
+ R1
R2 +
E1 -
R3 I3
E2 -
E115A
25
b
2020年2月3日星期一
1.6.2 KCL（电流定律）
1．定义：在任一时刻，任一结点上的所有支 路电流的代数和恒为零。 即∑I=0；或 ∑I入= ∑I出
I1+ I2-I3=0
或 -I1- I2+I3=0
3、要重视实践技能的培养。
5
2020年2月3日星期一
第一部分 电路理论
电路理论就是研究电路基本规律的一门学 科，它是一门具有丰富内容的学科，它的理论 和方法，在其它领域也得到了广泛的应用。
电路分析： 已知电路结构、元件参数，
求电路中的电流、电压和
《电子技术基础与技能(电子信息类)》课件素材
图8.1 基本RS触发器
图8.2 基本RS触发器逻辑功能测试电路图
图8.3 同步RS触发器
图8.4 同步RS触发器波形 返回 目录
图8.5 主从RS触发器
返回 目录
图8.6 上升沿触发RS触发器波形图
图8.7 下降沿触发RS触发器波形图
图8.8 (a)单触发电路 (b)两个触发端电路 (c)引出端功能图
iD iD1,3 iD1,4
O
t
uD
O
t
VD2,VD4 VD1,VD3 反向 反向
图1.17 单相桥式整流波形图
图1.18 整流桥堆
图1.19 电容滤波电路接线图 返回 目录
图1.20 电容滤波原理图
图1.21 电容滤波波形图
图1.22 电感滤波电路 返回 目录
图1.23 复式滤波电路
图1.24 各种稳压二极管及符号
《电子技术基础与技能（电子信息类）》
第一章 二极管及其应用电路 第二章 三极管及其基本放大电路 第三章 常用放大电路 第四章 其他放大电路 第五章 其他实用电路 第六章 数字电路基础 第七章 组合逻辑电路 第八章 触发器 第九章 时序逻辑电路 第十章 其他数字电路*
图1.1二极管实物及符号
图1.2 二极管导电性实验电路图
返回 目录
图1.25 稳压管的伏安特性
图1.25 发光二极管
最新《电子技术基础与技能 》课程标准资料
《电子技术基础与技能》课程标准
一、概述
（一）课程性质
本课程是高等职业技术学校电气控制自动化专业的核心课程，是本专业学生必修的专业基础技术课程。
通过本课程的学习和实践操作，使学生掌握电子技术的基础知识、一般分析方法和基础技能，为深入学习本专业有关后继课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。考虑到课程的基础性和应用性，一方面要求学生对基本概念、基本理论、基本工作原理要有所了解，更重要的要加强对学生综合分析和应用能力的培养。
（二）课程设计理念与思路
本课程贯彻以就业为导向，以能力为本位的职教思想。从高职学校培养应用型技术人才这一总目标出发，以应用为目的，以必需、够用为度，以职业能力分析为依据，设定课程培养目标，较大程度降低理论教学的重心，删除与实际工作关系不大的繁冗计算，以必备的相关基础知识和电子技术在工业中的应用为主线组织教学内容，注重培养学生的应用能力和解决问题的实际工作能力。
本课程在教学中，将实验室、实训室与教室整合为理论与实践融合互动的一体化情景氛围教学平台。即理论与实践融合互动的一体化情景氛围的教学实验室、实训室。实训室配置了常用工具、通用电子仪器仪表、常用元器件、实验实训装置等设施。创造了任务和条件就在手边的氛围环境，使学生产生强烈的实践学习的欲望、兴趣和冲动，激发了学生学习的潜能。
二、课程目标
（一）总目标
通过学习，使学生获得电子技术方面的基础知识和技能，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术在专业中的应用打好基础。
学习科学探究方法，发展自主学习能力，养成良好的思维习惯和职业规范，能运用相关的专业知识、专业方法和专业技能解决工程中的实际问题。
电子技术基础与技能张金华主编
10.1.3 单稳态触发器
二、可重复触发的集成单稳态触发器 2. 逻辑功能 312）) 单禁复稳止位态触清触发0发功能
当当在RRAADDD011、 10或、、BB时AB，1100不时，论RBA，D其电路处禁 由止他10触到输发01入负正状端跳态为变（何时即种，稳状Q定态端状，有也态输），Q 维 正有持出脉正0端。冲脉Q输冲立出输即。出为。0。故RD 的
清0功能具有最高优先级。
使用其他输入引脚功能时，
当BA1为、低A2电两平个时输，入电中路有为一禁个止或触两发 个状为态低，u电0 端平维，持B产0。生由0到1的正跳变时， 端有u正当0 脉A1冲、输A2出两。个功输能入表全如为图高所电示平。时， 电路为禁止触发状态， 端u维O 持0。
10.1.3 单稳态触发器
二、可重复触发的集成单稳态触发器 可重复触发的单稳态触发器在电路被触发而进入暂稳态以后，如果
再次加入触发脉冲，电路将重新被触发，使输出脉冲再继续维持一个t w
宽度 。它的输出脉冲脉宽度可根据触发脉冲的输入情况的不同而改变。 可重复触发的集成单稳态触发器的图形符号和工作波形。所图所示。
中职人教版电子技术基础与技能辅导与练习参考答案
电子技术基础与技能辅导与练习
参考答案
第一章晶体二极管及其基本应用
一、课堂练习题
（一）填空题
1. 半导体
2. 热敏特性、光敏特性、掺杂特性
3. 热敏、光敏、掺杂
4. 不含杂质的纯净P N PN
5. PN
6. 单向导电性正极负极截止
7. 硅锗硅锗
8. 正向反向
9. 截止导通电流10. 整流整流电路11. 二极管正向偏置时两端电压与流过电流二极管反向偏置时两端电压与流过电流长时间最大正向最高反向峰值电压12. 非线性13. 半波整流全波整流桥式整流
14.U2U2/R L 15. 0.9U20.9U2/R L 16. 滤波17. 充、放电缩短18. 限流电阻19. 1A 20. 略21. AC50V DC50V A B
（二）单项选择
CADBB DBBBA ADBDA BBD
（三）判断题
√××××√×√××√×√√√
（四）作图题
1. 2.
3. 4.
（五）简答题
1.见教材。
2.见教材。
3.见教材。
4.负载RL1和RL2两端是直流电压，RL1两端为上‘+’下‘-’；RL2两端为上‘-’下‘+’。当变压器输出为正半周时，VD1导通，VD2截止，负载RL1中有至而下的电流流过，负载RL2中没有电流。当变压器输出为负半周时，VD2导通，VD1截止，负载RL2中有至而下的电流流过，负载RL1中没有电流。这个电路实际上是两个半波整流组合在一起，可以输出对称的正负双电源。
5.见教材。
6.这个现象是正常的，因为二极管是非线性元件，它的阻值会随着两端电压和流过电流的不
同而不同，而指针式万用表电阻档的各个档位的输出电压和电流均不相同（Ｒ×1档的电流最大），所以指针式万用表测二极管，各个档位测试出二极管的阻值不相同。而普通电阻是线性元件，其阻值不会受两端电压和流过电流的影响，所以各个档位测出电阻的值是一样的。
电子技术基础与技能训练试题
电子技术基础（模拟篇）
第一章半导体二极管
一、单选题
1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（
）。
A.左移，下移
B.右移，上移
C.左移，上移
D.右移，下移
2. 在PN 结外加正向电压时，扩散电流 _______ 漂移电流，当PN 结外加反向电压时，扩散电流 ________ 漂
移电流。
A.小于，大于
B.大于，小于
C.大于，大于
D.小于，小于
3. 设二极管的端电压为 U ，则二极管的电流方程为（
）
A. I s e U
B. I S e
U,，UT
C. I s （e U T —1）
D. l s e U U T —1
4. 下列符号中表示发光二极管的为（
）。
A. I D = 0
B. I D < l z 且 I D > I ZM
C. I Z > I D > I ZM
D. I Z < I D < I ZM
6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。
A.少子
B.多子
C.杂质离子
D.空穴
7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（
）时处于正偏导通状态。
A. 0
B.死区电压
C.反向击穿电压
D.正向压降
8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（
）。
A.温度
B.掺杂工艺
C.掺杂浓度
D.晶体缺陷 9. PN 结形成后，空间电荷区由（
）构成。
A.电子和空穴
B.施主离子和受主离子
C.施主离子和电子
D.受主离子和空穴
10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（
）。
A 0.1V
B 0.2V
C 0.5V
D 0.7V
11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的
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扩散运动
PN结处载流子的运
动
漂移运动
P型半导体
N型半导体 内电场E
－－－－ － －
－－－－ － －
－－－－ － －
－－－－ － － 扩散的结果是使空间电荷 区逐渐加宽。
+ +++++
+ +++++ 内电场越强，就使漂移运
+ 动+ 越+强，+而漂+移使+空间电荷区 变薄。
+ +++++
扩散运动
导电特性
硅和锗的晶体结构：
硅和锗的共价键结构
+4表示 除去价电 子后的原
子
+4
+4
+4
+4
共价键共 用电子对
形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成 稳定结构。
+4
+4
+4
+4
共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形 成晶体。
半导体的导电原理
在绝对零度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完 全被共价键束缚着，半导体中没有可以运动的带电粒子 （即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。
在一定的温度条件下， 由本征激发决定的少子浓 度是一定的，故少子形成 的漂移电流是恒定的，基 本上与所加反向电压的大 小无关，这个电流也称为 反向饱和电流。
1.1.1 半导体的主要特性
自然界物质 分类
wk.baidu.com导体、半导体、绝缘体
半导体 特性
掺杂性、热敏性、光电性
补充：
物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。
物质的导电特性取决于原子结构。导体一般为低价元素, 如铜、铁、铝 等金属, 其最外层电子受原子核的束缚力很小, 因而极易挣脱原子核的束缚 成为自由电子。因此在外电场作用下, 这些电子产生定向运动(称为漂移运 动)形成电流, 呈现出较好的导电特性。高价元素(如惰性气体)和高分子物质 (如橡胶, 塑料)最外层电子受原子核的束缚力很强, 极不易摆脱原子核的束 缚成为自由电子, 所以其导电性极差, 可作为绝缘材料。而半导体材料一般 都是4价元素，最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚, 成为自 由电子, 也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧, 因此, 半导体的导电特性
介于二者之间。
现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最 外层电子（价电子）都是四个。
Ge
Si
通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。
在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个 原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的 顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对 价电子。
在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的 能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上 留下一个空位，称为空穴。
半导体中电流由两部分组成：
1. 自由电子移动产生的电流。
2. 空穴移动产生的电流。
空穴
+4
+4
+4
+4
自由电子 束缚电子
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体：在硅、锗半导体中人为掺入微量某种元素形 成的半导体。分为空穴（P）型半导体和电子（N）型半导体。
第一章
半导体器件的识别与检测
本章意义： 半导体器件是组成电子线路的基本元器件，是学习 电子线路知识的基础，是现代电子技术的重要组成 部分
本章内容
1.1 半导体的基本特性 1.2 二极管 1.3 特殊二极管 1.4 三极管
1.1 半导体的基本特性
教学目标：
1、从物质的导电能力来理解半导体的概念 2、了解半导体材料的主要特性 3、掌握N型、P型半导体的形成与特点
无外接电压的PN结→开路PN结，平衡状态PN结 PN结外加电压时→外电路产生电流
1.正向偏置（简称正偏） PN结
PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负 电位）→正偏→正向电流
PN结加正向电压的情形
外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN 结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩 散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移 电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。
作用：不改变二极管特性，使生产出的元件 有统一的规格，方便安装，同时也对 内部元件起保护作用
形式：有玻璃封装、金属封装和塑料封装。 外壳上一般印有标记区分正、负极。
在电子线路图中，用规定的电气图形 符号和文字符号来代表二极管，一端代表 正极，一端代表负极，通常用文字符号V表 示二极管。
半导体二极管的几种常见外形
PN 结正向偏置
变薄
+ P
－+ －+ －+ －+
内电场被削弱，多子 的扩散加强能够形成 较大的扩散电流。
_ N
外电场
R
内电场
E
2.反向偏置（简称反偏）
PN结反偏：P区接低电位（负电位）， N区接高电位（正电位）。
＊ 硅PN结的Is 为pA级 ＊ 温度T增大→ Is
PN结加反向电压时的导电情况
N型半导体中，电子为多子，空穴为少子。 半导体工作机理：杂质导电特性。对半导体掺杂是提高 半导体导电能力的最有效的方法。
1.2 二极管
教学目标：
1、掌握二极管的导电特性
2、了解二极管的结构、伏安特性和主要参数 3、学会用万用表判别二极管的极性和质量优劣
1.2.1 二极管的封装和电气图形符号
封装：把硅片上的电路管脚用导线接引到外 部接头处，以便与其它器件连接
扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，电 场E增强，漂移电流增大，当扩散电流=漂移电流时，达到 平衡状态，形成PN结。无净电流流过PN结。
PN结处载流子的运动
漂移运动
P型半导体
N型半导体 内电场E
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
1、P型半导体： 在纯净半导体Si和Ge中掺入微量Ⅲ族元素后形成的杂
质半导体称为P型半导体。所掺入Ⅲ族元素称为受主杂质， 简称受主（能接受自由电子）。下图所示（图2-2）
P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。
2、N型半导体 在本征Si和Ge中掺入微量V族元
素后形成的杂质半导体称为N型半导 体。所掺入V族元素称为施主杂质， 简称施主（能供给自由电子）。
二极管的电路符号：
P
N
1.2.2 二极管的结构与导电特性
在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半 导体，经过载流子的扩散和漂移，在它们的交界面处就形 成了PN结。
▼内建电场：由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的扩散。 电场E产生的两区少子越结的漂移电流将部分抵消因浓度差 产生的使两区多子越结的扩散电流。