【CN109860440A】一种基于摩擦工艺的钙钛矿偏振发光二极管的制备方法【专利】
一种钙钛矿发光二极管及其制备方法[发明专利]
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专利名称：一种钙钛矿发光二极管及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：于军胜,王子君,高瞻,吴梦鸽
申请号：CN201710764857.4
申请日：20170830
公开号：CN107507918A
公开日：
20171222
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明属于电致发光器件技术领域，公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法，用于解决现有钙钛矿二极管由于高启亮电压而造成的能源浪费和消耗的问题。
本发明钙钛矿型电致发光器件，钙钛矿型电致发光器件的结构从下至上依次为衬底层、阳极层、空穴传输层、修饰层、发光层、电子传输层和阴极层，所述发光层为具有钙钛矿结构的发光材料，钙钛矿结构为有机/无机杂化ABX3型立方晶系结构；其中A为有机胺基团，B为第四主族金属，X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：成都弘毅天承知识产权代理有限公司
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一种钙钛矿发光器件的制备方法及其添加剂[发明专利]
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专利名称：一种钙钛矿发光器件的制备方法及其添加剂专利类型：发明专利
发明人：孟鸿,蔡金桥,缪景生,刘铭,胡钊
申请号：CN201911032298.3
申请日：20191028
公开号：CN112736211A
公开日：
20210430
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及钙钛矿光电器件领域，具体公开了所述离子液体及长链烷基溴铵盐作为混合添加剂添加到钙钛矿前驱体溶液进而进行常规的钙钛矿薄膜制备的应用。
所述离子液体为甲胺乙酸熔融盐MAAc及其衍生物，所述长链烷基溴铵盐为正丁基溴化铵BABr及其衍生物。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：MAAc及MATFA离子液体，无色无味无毒，合成工艺简单，且不挥发，是一种安全又低成本但效果显著的钙钛矿添加剂；离子液体与长链烷基溴铵盐混合添加法可以省去在制备有机无机钙钛矿薄膜发光层所必须的反溶剂添加等后处理过程，这使得制备流程被大大简化并减小了有机溶剂所引起的环境污染。
申请人：北京大学深圳研究生院
地址：518055 广东省深圳市南山区西丽镇丽水路深圳大学城北大校区
国籍：CN
代理机构：深圳市顺天达专利商标代理有限公司
代理人：郭伟刚
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一种钙钛矿复合发光材料及其制备方法、产品和应用[发明专利]
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专利名称：一种钙钛矿复合发光材料及其制备方法、产品和应用
专利类型：发明专利
发明人：李良,汪波
申请号：CN202010839486.3
申请日：20200819
公开号：CN111961467A
公开日：
20201120
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明属于发光材料技术领域，具体涉及一种钙钛矿复合发光材料及其制备方法、制备的产品和应用。
其中，钙钛矿复合发光材料包括钙钛矿纳米晶和金属卤化物，金属卤化物为钙钛矿纳米晶的载体，钙钛矿纳米晶嵌在金属卤化物的内部，且钙钛矿纳米晶和金属卤化物的摩尔比为
1:0.1‑100。
钙钛矿复合发光材料的制备方法包括步骤：按照摩尔比为1:0.1‑100的比例，将钙钛矿前体和金属卤化物进行固相混合；将固相混合物在650‑1000℃熔融10‑60分钟，冷却析晶，粉磨至粒径小于80μm，得到钙钛矿复合发光材料。
区别于现有技术，本发明方法具有合成工艺简单、成本低、不使用溶剂等特点，制备的发光材料发光强度高、发光色纯度高，可广泛应用于光致发光器件、激光、非线性光学器件中。
申请人：上海交通大学
地址：200240 上海市闵行区东川路800号
国籍：CN
代理机构：深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司
代理人：李华双
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发光二极管的制备方法[发明专利]
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专利名称：发光二极管的制备方法专利类型：发明专利
发明人：魏洋,范守善
申请号：CN201110110729.0申请日：20110429
公开号：CN102760796A
公开日：
20121031
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，且该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；在基底的外延生长面生长一半导体外延层，其中，所述半导体外延层包括一N型半导体层、一活性层以及一P型半导体层；蚀刻所述半导体外延层，从而使部分碳纳米管层暴露；以及设置一第一电极和一第二电极，其中，所述第一电极设置于所述半导体外延层远离基底的表面，所述第二电极设置于所述碳纳米管层暴露的部分表面。
申请人：清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
地址：100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
国籍：CN
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基于表面配体控制的钙钛矿发光二极管器件及其制备方法[发明专利]
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专利名称：基于表面配体控制的钙钛矿发光二极管器件及其制备方法
专利类型：发明专利
发明人：廖良生,沈万姗,苑帅,田起生
申请号：CN201911156849.7
申请日：20191122
公开号：CN110867532A
公开日：
20200306
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种基于表面配体控制的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：将空穴注入层材料的有机溶液涂覆至导电基底表面，退火后，形成空穴注入层；将溴化铯、溴化铅和苯乙基溴化胺在3‑(癸基二甲基铵)丙烷‑1‑磺酸内盐表面活性剂的作用下溶于有机溶剂，得到钙钛矿前驱体溶液，将其涂覆至空穴注入层表面，退火后得到钙钛矿薄膜；采用烷基胺有机溶液处理钙钛矿薄膜的表面，形成发光层；在发光层表面依次制备电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。
本发明方法简单便捷，材料易于获取，重复性好，器件性能稳定。
通过表面配体交换，钙钛矿薄膜的平整性和均一性得到提高，缺陷的形成得到有效抑制，器件的整体性能得到显著改善。
申请人：苏州大学
地址：215168 江苏省苏州市吴中区石湖西路188号
国籍：CN
代理机构：苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：王玉仙
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钙钛矿发光晶体管及其制备方法与流程
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910246314.2
(22)申请日 2019.03.29
(71)申请人 合肥工业大学
地址 230009 安徽省合肥市屯溪路193号
(72)发明人 朱俊 魏雅平 王健越 王茜
陆红波
(74)专利代理机构 安徽合肥华信知识产权代理
有限公司 34112
代理人 余成俊
(51)Int.Cl.
H01L 51/56(2006.01)
(54)发明名称
一种基于摩擦工艺的钙钛矿偏振发光二极
管的制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种基于摩擦工艺的钙钛矿
偏振发光二极管的制备方法，通过制备衬底，在
衬底上依次制备阳极层、空穴传输层、钙钛矿活
性发光层、电子传输层、阴极修饰层以及阴极层，
最后将得到的基片进行封装，完成器件制备，其
中制备钙钛矿活性发光层为先合成出钙钛矿纳
米线并分散在溶剂中，用滴涂法在空穴传输层上
滴涂钙钛矿纳米线溶液并用毛刷进行摩擦取向，
由摩擦纤维施加的拖曳力导致纳米线沿摩擦方
向的偏转和重新定向；本发明制备方法简单，成
本低廉，制得的钙钛矿偏振发光二极管器件可以
从源头上产生偏振光，
能够降低能量损耗。
权利要求书1页 说明书2页 附图2页CN 109860440 A 2019.06.07
C N 109860440
A
权 利 要 求 书1/1页CN 109860440 A
1.一种基于摩擦工艺的钙钛矿偏振发光二极管的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：制备衬底并在其上依次制备阳极层、空穴传输层、钙钛矿活性发光层、电子传输层、阴极修饰层以及阴极层，最后将得到的基片进行封装，完成器件制备。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底的具体制备步骤如下：
（1）将ITO玻璃作为基片的衬底，对其进行清洗和干燥处理；
（2）对步骤1制作的衬底进行臭氧处理。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的具体制备步骤为：采用旋涂法在阳极层上旋涂具有空穴传输特性材料的溶液，制备空穴传输层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述旋涂时间为40-90s，旋涂的转速为1000-4000rpm，后将基片在120-150℃温度下加热10-15min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿活性发光层的具体制备步骤为：先合成出钙钛矿纳米线并分散在溶剂中，用滴涂法在空穴传输层上滴涂钙钛矿纳米线溶液并用毛刷进行摩擦取向；
所述钙钛矿纳米线选自CsPbCl x Br3-x和CsPbBr x I3-x中的一种或几种，其中x为0-3。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿纳米线宽度尺寸为5-50nm，长度尺寸为200nm-100μm，用硫氰酸铵或四氟硼酸铵表面处理后，分散在无水甲苯或无水正己烷中。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的具体制备步骤为：通过真空热蒸发或旋涂具有电子传输特性材料，制备电子传输层。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阴极修饰层以及阴极层的具体制备步骤为：在电子传输层上通过真空热蒸发LiF、Al材料制备阴极修饰层及阴极层。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层旋涂厚度为30-60nm；钙钛矿活性发光层的沉积厚度为30-80nm；电子传输层的沉积厚度为30-40nm；阴极修饰层LiF和阴极层Al的沉积厚度分别为1nm和100nm。
10.根据权利要求1至9任一项所述的基于摩擦工艺的钙钛矿偏振发光二极管的制备方法，可应用于制备偏振发光二极管。
2。