常用器件检测和管脚排列.

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常用电子器件管脚排列图

常用电子器件管脚排列图

常用电子器件管脚排列图附录1 逻辑符号对照示例附录表1.1 逻辑非、逻辑极性符号对照示例(以反相器为例)附录表1.2 几种常用逻辑门的逻辑符号比较示例附录表1.3 逻辑符号、框图、管脚排列比较示列(以74HC390为例)附录2 集成电路1. 集成电路命名方法集成电路命名方法见附录表2.1附录表2.1 国产半导体集成电路型号命名法(GB3430-82)2.集成电路介绍集成电路IC 是封在单个封装件中的一组互连电路。

装在陶瓷衬底上的分立元件或电路有时还和单个集成电路连在一起,称为混合集成电路。

把全部元件和电路成型在单片晶体硅材料上称单片集成电路。

单片集成电路现在已成为最普及的集成电路形式,它可以封装成各种类型的固态器件,也可以封装成特殊的集成电路。

通用集成电路分为模拟(线性)和数字两大类。

模拟电路根据输入的各种电平,在输出端产生各种相应的电平;而数字电路是开关器件,以规定的电平响应导通和截止。

有时候集成电路标有LM (线性类型) 或DM(数字类型)符号。

集成电路都有二或三个电源接线端:用CC V 、DD V 、SS V 、V +、V -或GND 来表示。

这是一般应用所需要的。

双列直插式是集成电路最通用的封装形式。

其引脚标记有半圆形豁口、标志线、标志圆点 等,一般由半圆形豁口就可以确定各引脚的位置。

双列直插式的引脚排列图如附录图2.1所示。

3.使用TFL 集成电路与CMOS 集成电路的注意事项(1) 使用TYL 集成电路注意事项① TYL 集成电路的电源电压不能高于V 5.5+。

使用时,不能将电源与地颠倒错接,否则将会因为过大电流而造成器件损坏。

附录图 2.1双列直插式集成电路的引脚排列②电路的各输入端不能直接与高于V 5.5+和低于V 5.0-的低内阻电源连接,因为低内阻电源能提供较大的电流,导致器件过热而烧坏。

③除三态和集电极开路的电路外,输出端不允许并联使用。

如果将集电极开路的门电路输出端并联使用而使电路具有线与功能时,应在其输出端加一个预先计算好的上拉负载电阻到CC V 端。

常用高频管参数与管脚排列

常用高频管参数与管脚排列
2SC2312 18.5W 27MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E
2SC2314 1.8W 17dB 12V 180MHz FM/AM TO-126 E C B
2SC2509 13W 14dB 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E
2SC1957 1.8W 17dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-126 E C B
2SC1966 9W 7.8dB 13.5V 470MHz FM T-31E
2SC1967 7W 6.7dB 13.5V 470MHz FM T-31E
2N5943 1W 8dB 15V 400MHz FM TO-39
2SC730 0.8W 10dB 13.5V 175MHz FM TO-39 C B E
2SC1096 10W 60MHz FM TO-220
2SC2050 10W 12dB 13.5V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E
2SC2053 0.2W 15.7dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E
2SC2055 0.25W 15.3dB 12V 175MHz FM/AM TO-92L B C E
2SC2056 1.5W 9dB 12V 175MHz FM TO-39 C B E
2SC2075 4W 13.5V 27MHz WINTransceiver TO-220 B C E
2SC2078 4W 13dB 12V 100MHz FM/AM TO-220 B C E
2SC1675 0.5W 50V 250MHz FM/AM
2SC1678 5W 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E

用万用表检测各种常用三极管的引脚排列及好坏的方法

用万用表检测各种常用三极管的引脚排列及好坏的方法

用万用表检测各种常用三极管的引脚排列及好坏的方法本文主要介绍用万用表检测常见三极管(如,中功率三极管,小功率三极管,达林顿三极管,大功率达林顿三极管,行输出三极管等)的引脚极性,好坏及一些主要参数的方法1、中、小功率三极管的检测A、已知型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏(a)、测量极间电阻。

将万用表置于R×100或R×1k挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。

其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。

但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

(b)、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。

ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。

而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下:万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡,对于PNP管,黑表管接e 极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。

要求测得的电阻越大越好。

e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。

一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上,如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大,管子的性能不稳定。

(c)、测量放大能力(β)。

目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。

先将万用表功能开关拨至 挡,量程开关拨到ADJ位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使万用表指针指示为零,然后将量程开关拨到hFE位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项

场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项

场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类:场效应管K1113 管脚排列图:MOS场效应管的检测方法:(1).准备工作测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。

最好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。

再把管脚分开,然后拆掉导线。

(2).判定电极将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。

若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。

交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。

日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。

(3).检查放大能力(跨导)将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。

双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。

为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。

MOS场效应晶体管使用注意事项:MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。

MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则:(1). MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。

也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装(2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。

(3). 焊接用的电烙铁必须良好接地。

(4). 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS 器件焊接完成后在分开。

(5). MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。

拆机时顺序相反。

(6).电路板在装机之前,要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子,再把电路板接上去。

(7). MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下,最好接入保护二极管。

常用元器件识别及检测完整版

常用元器件识别及检测完整版

常用元器件识别及检测 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】常用电子元器件识别及检测(二)二极管二极管的最大特点是:单向导电性。

其主要作用包括:稳压、整流、检波、开关、光电转换等。

二极管的分类按材料来分:硅管、锗管按结构来分:点接触型、面接触型按用途来分:稳压管、整流管、检波管、开关管、变容管、发光管、光电管等。

贴片二极管1、整流二极管整流二极管多用硅半导体材料制成,有金属封装和塑料封装两种。

整流二极管是利用PN结的单向导电性,把交流电变成脉动直流电。

2、检波二极管检波的作用是把调制在高频电磁波的低频信号检出来。

检波二极管要求结电容小,反向电流小,所以检波二极管常采用点触式二极管。

3、光电二极管光电二极管又叫光敏二极管,它是利用PN结在施加反向电压时,在光线照射下反向电阻由大到小的原理进行工作的。

无光照射时,二极管的反向电流很小;有光照射时,二极管的反向电流很大。

光电二极管不是对所有的可见光及不可见光都有相同的反应,它是有特定的光谱范围的,2DU是利用半导体硅材料制成的光电二极管,2AU是利用半导体锗材料制成的光电二极管。

4、稳压二极管稳压二极管是一种齐纳二极管,它是利用二极管反向击穿时,其两端电压固定在某一数值,而基本上不随电流大小变化的特性来进行工作的。

稳压二极管的正向特性与普通二极管相似,当反向电压小于击穿电压时,反向电流很小;当反向电压临近击穿电压时反向电流急剧增大,发生电击穿。

这时电流在很大范围内改变时管子两端的电压基本保持不变,起到稳定电压的作用。

必须注意的是,稳压二极管在电路上应用时一定要串联限流电阻,不能让二极管击穿后电流无限增大,否则二极管将立即被烧毁。

5、变容二极管变容二极管是利用PN结的空间电荷层具有电容特性的原理制成的特殊二极管。

它的特点是结电容随加到管子上的反向电压大小而变化。

在一定范围内,反向偏压越小,结电容越大;反之,反向电容偏压越大,结电容越小。

三极管的型号辨别方法及技术交流

三极管的型号辨别方法及技术交流

三极管的型号辨别方法及技术交流三极管的型号辨别方法三极管在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,我们常说的三极管。

虽然都叫三极管,在英文里面的说法是千差万别的。

电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译,这是和电子三极管较早显现有关系的,所以先入为主,也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。

三极管是一种紧要的半导体器件如今运用特别广泛,下面我就来为大家介绍一下三极管的型号辨别方法。

1、目测法管型的判别。

一般,管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。

依照部颁标准,三极管型号的第二位(字母),A、C表示PNP管,B、D表示NPN管,例如:2、常用三级管管级排列3AX为PNP型低频小功率管3BX为NPN型低频小功率管3CG为PNP型高频小功率管3DG为NPN型高频小功率管3AD为PNP型低频大功率管3DD为NPN型低频大功率管3CA为PNP型高频大功率管3DA为NPN型高频大功率管此外有国际流行的9011~9018系列高频小功率管,除9012和9015为PNP管外,其余均为NPN型管。

3、用万用表电阻档判别三极管内部有两个PN结,可用万用表电阻档辨别e、b、c三个极。

在型号标注模糊的情况下,也可用此法判别管型。

(1)基极的判别。

判别管极时应首先确认基极。

对于NPN管,用黑表笔接假定的基极,用红表笔分别接触另外两个极,若测得电阻都小,约为几百欧~几千欧;而将黑、红两表笔对调,测得电阻均较大,在几百千欧以上,此时黑表笔接的就是基极。

PNP管,情况正相反,测量时两个PN结都正偏的情况下,红表笔接基极。

实际上,小功率管的基极一般排列在三个管脚的中心,可用上述方法,分别将黑、红表笔接基极,既可测定三极管的两个PN结是否完好(与二极管PN结的测量方法一样),又可确认管型。

(2)集电极和发射极的判别。

确定基极后,假设余下管脚之一为集电极c,另一为发射极e,用手指分别捏住c极与b极(即用手指代替基极电阻Rb)。

晶体管的检测及其管脚的判别

晶体管的检测及其管脚的判别

三极管的检测及其管脚的判别2009-11-25 19:55:58| 分类:学习篇| 标签:|字号大中小订阅使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程)现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了,它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。

但有朋友会说在测量某些无件时,它不如指针式的万用表,如测三极管。

我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。

以下就是我自己的一些使用经验,我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。

大家不妨试试看是否好用或是否正确,如有意见或问题可以发信给我。

手头上有一些BC337的三极管,假设不知它是PNP管还是NPN管。

图1三极管我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。

其形式就像下图。

中间的是基极(B极)。

图2三极管的内部形式首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。

看上图可知,对于PNP管的基极是二个负极的共同点,NPN管的基极是二个正极的共同点。

这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极,看图3。

对于PNP 管,当黑表笔(连表内电池负极)在基极上,红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数(一般0.5-0.8),如表笔反过来接则为一个较大的读数(一般为1)。

对于NPN表来说则是红表笔(连表内电池正极)连在基极上。

从图4,图5可以得知,手头上的BC337为NPN管,中间的管脚为基极。

图3万用表的二极管测量档图4判断BC337的B极和管型(1)图4判断BC337的B极和管型(2)找到基极和知道是什么类型的管子后,就可以来判断发射极和集电极了。

如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了,甚至有朋友会用到嘴舌,可以说是蛮麻烦的。

而利用数字表的三伋管hFE档(hFE 测量三极管直流放大倍数)去测就方便多了,当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性,我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。

把万用表打到hFE档上,BC337卑下到NPN的小孔上,B极对上面的B字母。

常用集成电路管脚和功能表

常用集成电路管脚和功能表

74LS190的外引线图
74LS190的逻辑符号
31
主菜单 开 始 回 退 前 进 最 后 返 退 回2020作/6/1?5 业 出
74LS190功能表
32
2020/6/15
集成二进制同步可逆计数器74LS191
74LS191的外引线图
33
74LS191的逻辑符号
2020/6/15
74LS191功能 FA>BFA<BFA = B
100 010 100 010 100 010 100 010 100 010 001 001
2020/6/15
集成JK触发器74LS112
集成JK触发器74LS112 (a) 外引脚图 (b) 逻辑符号
15
2020/6/15
34
2020/6/15
双时钟集成十进制同步可逆计数器74LS192
74LS192的外引线图
35
74LS192的逻辑符号
2020/6/15
74LS192功能表
36
2020/6/15
双时钟4位二进制同步可逆计数器74LS193
74LS193的外引线图
37
74LS193的逻辑符号
2020/6/15
74LS193功能表
74LS112的功能表
16
2020/6/15
集成双D触发器74LS74
1. 双D触发器74LS74外引脚图和逻辑符号
图4-27 双D触发器74LS74
(a) 外引脚图 (b)逻辑符号
17
2020/6/15
双D触发器74LS74的功能表
18
2020/6/15
集成数码锁存器74LS373
8D型锁存器74LS373

三极管的检测与管脚的判别

三极管的检测与管脚的判别

三极管的检测及其管脚的判别使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程)现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了.它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。

但有朋友会说在测量某些无件时.它不如指针式的万用表.如测三极管。

我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。

以下就是我自己的一些使用经验.我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。

大家不妨试试看是否好用或是否正确.如有意见或问题可以发信给我。

手头上有一些BC337的三极管.假设不知它是PNP管还是NPN管。

图1 三极管我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。

其形式就像下图。

中间的是基极(B极)。

图2 三极管的内部形式首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。

看上图可知.对于PNP管的基极是二个负极的共同点.NPN管的基极是二个正极的共同点。

这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极.看图3。

对于PNP管.当黑表笔(连表内电池负极)在基极上.红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数(一般0.5-0.8).如表笔反过来接则为一个较大的读数(一般为1)。

对于NPN表来说则是红表笔(连表内电池正极)连在基极上。

从图4.图5可以得知.手头上的BC337为NPN管.中间的管脚为基极。

图3 万用表的二极管测量档图4 判断BC337的B极和管型(1)图4 判断BC337的B极和管型(2)找到基极和知道是什么类型的管子后.就可以来判断发射极和集电极了。

如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了.甚至有朋友会用到嘴舌.可以说是蛮麻烦的。

而利用数字表的三伋管hFE 档(hFE 测量三极管直流放大倍数)去测就方便多了.当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性.我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。

把万用表打到hFE档上.BC337卑下到NPN的小孔上.B极对上面的B 字母。

读数.再把它的另二脚反转.再读数。

常用电子器件管脚排列图

常用电子器件管脚排列图

常用电子器‎件管脚排列‎图附录1 逻辑符号对‎照示例附录表1.1 逻辑非、逻辑极性符‎号对照示例‎(以反相器为‎例)附录表1.2 几种常用逻‎辑门的逻辑‎符号比较示‎例附录表1.3 逻辑符号、框图、管脚排列比‎较示列(以74HC ‎390为例‎)附录2 集成电路1. 集成电路命‎名方法 集成电路命‎名方法见附‎录表2.1附录表2.1 国产半导体‎集成电路型‎号命名法(GB343‎0-82)2.集成电路介‎绍 集成电路I ‎C 是封在单‎个封装件中‎的一组互连‎电路。

装在陶瓷衬‎底上的分立‎元件或电路‎有时还和单‎个集成电路‎连在一起,称为混合集‎成电路。

把全部元件‎和电路成型‎在单片晶体‎硅材料上称‎单片集成电‎路。

单片集成电‎路现在已成‎为最普及的‎集成电路形‎式,它可以封装‎成各种类型‎的固态器件‎,也可以封装‎成特殊的集‎成电路。

通用集成电‎路分为模拟‎(线性)和数字两大‎类。

模拟电路根‎据输入的各‎种电平,在输出端产‎生各种相应‎的电平;而数字电路‎是开关器件‎,以规定的电‎平响应导通‎和截止。

有时候集成‎电路标有L ‎M (线性类型) 或DM(数字类型)符号。

集成电路都‎有二或三个‎电源接线端‎:用CC V 、DD V 、SS V 、V +、V -或GND 来表示。

这是一般应‎用所需要的‎。

双列直插式‎是集成电路‎最通用的封‎装形式。

其引脚标记‎有半圆形豁‎口、标志线、标志圆点 等,一般由半圆‎形豁口就可‎以确定各引‎脚的位置。

双列直插式‎的引脚排列‎图如附录图‎2.1所示。

3.使用TFL ‎集成电路与‎C M OS 集‎成电路的注‎意事项 (1) 使用TYL ‎集成电路注‎意事项① TYL 集成‎电路的电源‎电压不能高‎于V 5.5+。

附录图 2.1双列直插‎式集成电路‎的引脚排使用时,不能将电源‎与地颠倒错‎接,否则将会因‎为过大电流‎而造成器件‎损坏。

②电路的各输‎入端不能直‎接与高于和‎V 5.5+低于的低内‎V 5.0-阻电源连接‎,因为低内阻‎电源能提供‎较大的电流‎,导致器件过‎热而烧坏。

常用数字集成电路管脚排列及逻辑符号。

常用数字集成电路管脚排列及逻辑符号。

常用数字集成电路管脚排列及逻辑符号V 4A 4B 4Y 3A 3B3Y1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND74LS00四2输入与非门1A 1B 1Y 2A 2B 2Y 4A4B4Y3A3B3YGNDV CC74LS01四2输入与非门(OC )4A4B4Y3A3B3YV CC74LS02四2输入或非门89101112121331445674YGND4A5Y6A6Y5AV CC1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y 。

1。

1。

1。

1。

1。

174LS04 六反相器8910111212133144567GND&&&&1A 1B 1Y 2A 2B 2Y 4A4B4Y3A3B3YV CC74LS08四2输入与门89101112121331445671C 1Y3C3B3A3Y1A1B 2A2B2C 2Y GNDVcc 。

&&&。

74LS10 三3输入与非门8910111111223344567Vcc 2D 2C 2B 2A2Y1A 1B 1C 1D 1YGND 。

&。

&74LS20双4输入与非门1A 1B 2Y 2A 2B 3Y3A3B4Y4A4BGNDV CC89101111112233445671Y ≥1≥1≥1≥174LS32四2输入或门8910111212133144567≥1。

A C D E F N GNDNNBHGYV CC74LS54 4路2-2-2-2输入与非门D R S D Q2D R 1 1D 1CP 1 1Q 1 S D QGND D QCP 8910111111223344567QOOD QCP Q OOD R D S D D R S Vcc 2 2D 2CP 2 2Q74LS74双上升沿D 型触发器GND1Y 2B 2Y74LS86 四2输入异或门91011111122334456781156VccD2R D22K21J22Q1R CPCP1K 1JS D11Q 1Q 2QGNDK J CPDD QQ K J CPQQR S S D R D S D。

常用集成电路引脚排列图

常用集成电路引脚排列图
74LS138
A0 A1 A2 S2 S3 S1
1
2
3
4
56
Y7 GND
78
74LS151 8 选 1 数据选择器
16 15 14 13 12 11 10 9 VCC 2S 2A0 2A1 2Y0 2Y1 2Y2 2Y3
1S 1A0 1A1 1Y0 1Y1 1Y2 1Y3 GND 12345678
74LS153 双 4 选 1 数据选择器
VCC 1RD 2RD 2CP 2K 2J 2SD 2Q 74 LS 112
1CP 1K 1J 1SD 1Q 1Q 2Q GND
74LS138 3­8 线译码器
74LS139 双 2­4 线译码器
74LS148 8­3 线编码器
16 15 14 13 12 11 10 9
VCC Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6
14 13 12 11 10 9 8
VCC 2CP 2 CR 2 Q 0 2 Q1 2Q2 2 Q3
1C P 1 CR 1Q 0 1Q 1 1 Q 2 1 Q 3 地
1234
56
7
14 13 12 11 10 9 8
VDD
≥1
≥1
≥1
≥1
GND
1234567
CC4011 74LS02 四 2 输入与非门 CC4012 双 4 输入与非门 CC4013 双 D 触发器
12 3 45 6 78
A B C D E F GND 1234567
74LS74 双 D 触发器
14
13 12
11
10
9
8
VCC 2RD 2D 2CP 2S D 2Q 2Q
74 LS 74

谈集成电路的管脚排列

谈集成电路的管脚排列

谈集成电路的管脚排列在电子技术高速发展的今天,集成电路的使用已经相当普遍。

我们在使用集成块时,首先遇到的一个问题就是如何正确识别集成电路的各管脚,使之与电路图中所标的管脚相对应,这是使用者必须熟练掌握的一项基本技能。

半导体集成电路的品种、规格繁多,但就其管脚的排列情况常见的有以下 3 种形式:一是按圆周分布,即所有管脚分布在同一个圆周上;二是双列分布,即管脚分两行排列;三是单列分布,即管脚单行排列。

为了便于使用者识别集成电路的管脚排列顺序,各种集成电路一般都标有一定的标记,现把常见的几种标记及管脚顺序的识别方法分述如下:1 .管键标记:使用这种识别标记的集成电路,用圆柱形金属外壳封装,其管脚按圆周分布,外形如图①所示。

它的管脚排列顺序是:从管顶往下看,自管键开始沿逆时针方向依次是第 1 、2 、3…… 脚(见图①)。

5G1555 、AN374 等的管脚就是这样排列的。

2 .弧形凹口标记:这种识别标记多用在双列直插型集成电路上。

弧形凹口位于集成电路的一个端部,其外形如图②所示。

管脚排列顺序的识别方法是,正视集成块外壳上所标的型号,弧形凹口下方左起第1 脚为该集成电路的第1 脚,以这个管脚开始沿逆时针方向依次是第2 、3 、4…… 脚(见图②)。

TA7614AP 、μPC1353C 等就是使用这种识别标记的。

3 .圆形凹坑、小圆圈、色条标记:双列直插型和单列直插型的集成电路多采用这种识别标记,其外形如图③所示。

这种集成电路的管脚识别标记和型号都标在外壳的同一平面上。

它的管脚排列顺序是,正视集成块的型号,圆形凹坑(或小圆圈、色条)的下方左起第一脚为集成电路的第 1 脚。

对于双列直插型的集成块,从第 1 脚开始沿逆时针方向,依次是第 2 、 3 、4…… 脚;对于单列直插型的集成块,从第 1 脚开始其后依次是第 2 、 3 、4…… 脚(见图③)。

LA4422 、NE555P 、CD4017BCN 等都是使用这种识别标记。

常用器件检测和管脚排列.

常用器件检测和管脚排列.

常用器件检测和管脚排列1.1 电阻1.1.1 普通色环电阻四条色环,从色环较密一端看,第一位为十位,第二位为个位,第三位为 10的指数位,第四位为误差。

1.1.2 精密电阻五条色环,从色环较密一端看,第一位为百位,第二位为十位,第三位为个位,第四位为 10的指数位,第五位为误差。

1.1.3 色环说明电阻的损坏形式一般为阻值增大,严重的为无穷大。

1.2 二极管、桥堆、稳压管1.2.1 二极管,稳压二极管以二级管档测量:1 测量K (+→ A (- =Vf =O.L 二极管符号稳压管符号2 测量A (+→ K (- =Vf ≈ 0.7V (材质不同会有差别A A1.2.2 桥堆PBU808/GBJ2506 外观电路原理图1.3 三极管1.3.1 NPN 三极管以二级管档测量:A. 测量E (+→ B (- =Vf =O.LB. 测量C (+→ B (- =Vf =O.LC. 测量B (+→ C (- =Vf ≈ 0.7VD. 测量B (+→ E (- =Vf ≈ 0.7VE. 测量C (+→ E (- =Vf =O.L+ACKSP2222AE C B1.3.2 PNP 三极管以二级管档测量:A. 测量E (+→ B (- =Vf ≈ 0.7VB. 测量C (+→ B (- =Vf ≈ 0.7VC. 测量B (+→ C (- =Vf =O.LD. 测量B (+→ E (- =Vf =O.LE. 测量E (+→ C (- =Vf =O.L损坏一般为 B-E 击穿,严重时 C-E 击穿。

(一般情况下是短路1.4 MOSEFT 管以二级管档测量:A. 测量 S (+→ D (- =Vf≈0.7VDSG D SIRF250、 460、450、 3205D G SS D GTIP32B. 测量D (+→ S (- =Vf=O.LC. 测量G (+→ S (- =Vf=O.L然后马上测量D (+→ S (- =Vf≈ 0.0V 损坏一般为D-S 击穿,严重时 G-S 击穿。

常用器件的检测和管脚排列

常用器件的检测和管脚排列

常用器件的检测和管脚排列一、检测1.二极管和桥堆:二极管的检测是用万用表的二极管档测PN结的压降,二极管的正极是PN结的正端,负极是PN结的负端。

PN结的正向压降约为0.3—0.8V,反向为∞。

桥堆的检测和二极管一样,分别测四个二极管的好坏,若其中有一个坏的,则桥堆是坏的。

2.三极管:三极管有NPN型和PNP型,用万用表的二极管档测两个PN结的压降,可粗略判断三极管的好坏,PN结的正向压降约为0.2—0.7V,反向为∞。

也可以测三极管的放大倍数,数值为0或∞的管子一般是坏的。

三极管的损坏形式一般是b-e结击穿,严重时连c-b结也击穿。

三极管在应用上有高、低频之分。

NE5551是高频管,c9012、c9013、c1815是低频管。

代换的原则是高频可代低频,低频不能..代换高频。

代换时应注意NPN、PNP 型及管脚顺序。

3.MOS管:场效应管(常用MOS管)有N沟道型和P沟道型,测试时用万用表的二极管档,栅极(G)对源极(S)和漏极(D)是双向绝缘的(数值为∞);S对D相当于一个PN结(P沟道型为D对S),测试时可参照PN结的测试。

MOS管的损坏形式一般是D-S结击穿,严重时连G-S绝缘也击穿。

MOS管还有一个触发特性。

用万用表的二极管档,对于N沟道,当红表笔接触G 极,黑表笔接触S极(P沟道型为红接S,黑接G)时,DS结应导通,即DS间的压降很小或为0;然后用红表笔接触S极,黑表笔接触G极(P沟道型为红接G,黑接S),DS结应恢复为正向压降约为0.2—0.7V,反向为∞,即关断。

对于一些要求不是特别严格的三极管和MOS管,如有损坏,手头又无同种管子时,可用参数相近的管子替代,但要注意PN结的方向及管脚顺序。

如:0300是公司早期用到的管子,可用s170替代,但要注意管脚顺序;s170和c9013有时..可以互换,D1403有时..可用K719替代等等,同样要注..可用IRFP250替代,IRFP840有时意管脚顺序。

电子元件检测及管脚排列(中级)

电子元件检测及管脚排列(中级)

电子元件检测及管脚排列一、电容器陶瓷电容器 铝电解电容器上图中C1 为无极性电容器,容量多用数码标示法,三位数字中前二位为容量有效数字,第三位表示前二位有效数字后面零的个数,单位为pF 。

如154表示容量为150000pF ,折合为0.15μF 。

1μF =103nF =106pF而C2二、二极管 1、整流二极管这里用的型号为1N4007 ,外形:2、稳压二极管 这里用的型号为1N4740或 1N4733三、电阻器先找标志误差的色环,排定色环顺序,然后读出标称值。

技巧1:四环电阻中误差环的颜色是金或银,绝少用这两种颜色做电阻色环的第一环,所以基本认定金或银是四环电阻的最末一环。

技巧2:五环电阻中棕色环常常在第一环和第五环中同时出现,使人很难识别哪是第一环。

在实践中,可以按照色环之间的间隔加以判别,第四、五环之间的间隔比第一,二环之间的间隔要宽一些,据此可判定色环的排列顺序。

技巧3:在仅靠色环间距还无法判定色环顺序的情况下,还可以利用电阻的生产序列值来加以判别。

比如有一个电阻的色环读序是:棕黑黑黄棕,其值为:100×10K=1M Ω误差为1%,属于正常的电阻系列值,若是反顺序读:棕黄黑黑棕,其值为140×1Ω=140Ω,误差为1%。

显然按照后一种排序所读出的电阻值,在电阻的生产系列中是没有的,故后一种色环顺序是不对的。

标准生产序列值C1 1000PC2 100μF/25V以下所有测量以指针表为例,如用数字表只需将表棒颜色反转即可(显示导通时指针表黑表棒接P 端,红表棒接N 端;而同样显示导通时数字表红表棒接P 端,黑表棒接N 端)。

管脚、质量判别:×1K ”档,指针表应先调零。

四、三极管1、管型与好坏(有无放大能力)的判别1)管(类)型的判别:条件----必须是良好的三极管将黑表棒接在假设的基极(如第1脚)上,红表棒分别测另两脚(如先测第2脚再测第3脚),有3种可能:(1) 两次都导通,该管为NPN 管,且所假设基极正确。

常用三极管引脚参数排列表

常用三极管引脚参数排列表

L火线 N零线色环电阻的识别方法:棕1,红2,橙3,黄4,绿5,蓝6,紫7,灰8,白9,黑0,这是色环电阻的代表数字。

4环电阻,一二位数值位,第3位为倍率(什么颜色就是10的几次方),第4位为误差位。

5环电阻,一二三位数值位,第4位为倍率,第5位为误差位。

四环色环电阻的误差:只有”金“、”银“,金表示5%,银表示10%。

五环色环电阻的误差:棕表示1%,红表示2%,灰表示%,白表示环保电阻,绿表示%,蓝表示%,紫表示%,金表示5%,银表示10%例如,4环电阻表示10K电阻,综黑橙金(10*10的3次方,5%误差)4环电阻表示10K电阻,综黑黑红棕(100*10的2次方,1%误差)数字电阻的表示方法为:最后一位数表示倍率,而前几位为数值位。

滤波电容的选择:经验公式:C=(3~5)×(T/2)÷RR:输出电压与最大输出电流的比值。

T:为交流电周期。

电容降压后的电流计算应按容抗来计算既:Xc = 1/(ω C)= 1/(2 π f C)常见器耐压的标注是采用一个数字和一个字母组合而成。

数字表示10的幂指数,值,单位是V(伏)。

字母=数值A= B=1.25 C= D= E=2.5 F=3.15 G= H= J= K= Z=例如:2A代表*100=100V (即乘以10的2次冥)1J代表*10=63V常用三极管型号结构耗散功率(mW)Pcm集电极电流Max(mA)Icm集电极-基极电压(V)Vcbo集电极-发射极电压(V)发射极-基极电压(V)Vebo引脚排列放大系数hfeVceo625 500 300 300 5 EBC A92 PNP500 500 35 30 5 ECB A562 PNP400 500 35 35 4 ECB A673 PNP1000 1000 30 25 5 ECB A683 PNP250 150 60 50 5 EBC A733 PNP900 1500 30 30 5 ECB A966 PNP400 150 50 50 5 ECB A1015 PNP2N5401 PN350 600 160 150 5 EBC P1000 1500 40 25 6 EBC S8550 PNP8550S PN625 500 40 20 5 EBC P625 500 40 20 5 EBC 9012 PNP450 100 50 45 5 EBC 9015 PNPA42 NP625 500 300 300 6 EBC N500 500 40 20 5 EBC D261 NPNC380 NP300 50 35 30 4 ECB N300 50 50 45 4 ECB C383 NPNC388A NP300 50 30 25 4 ECB NC458 NP200 100 30 30 5 ECB NC495 NPN1000 1000 70 50 5 ECBC536 NPN400 100 55 50 5 ECBC815 NPN400 200 60 45 5 ECBC945 NPN250 150 60 50 5 ECBC1008 NPN800 700 80 60 8 EBCC1383 NPN1000 1000 30 25 5 ECBC1627 NPN600 300 80 80 5 ECB型号结构耗散功率(mW)Pcm集电极电流Max(mA)Icm集电极-基极电压(V)Vcbo集电极-发射极电压(V)Vceo发射极-基极电压(V)Vebo引脚排列放大系数hfeC1674 NPN250 20 30 20 4 EBCC1815 NPN400 150 60 50 5 ECBC2001 NPN600 700 30 25 5 ECBC2060 NPN750 700 40 32 5 ECBC2229 NPN800 50 200 150 5 ECBC2230 NPN800 100 200 160 5 ECBC2236 NPN900 1500 30 30 5 ECBC2271 NPN900 100 300 300 6 ECBC2383 NPN900 1000 160 160 6 ECBC2482 NPN900 100 300 300 7 ECB2N3904 NPN350 200 60 40 6 EBC2N5551 NPN350 600 180 160 6 EBCS8050 NPN1000 1500 40 25 6 EBC8050S NPN625 500 40 20 5 EBC9011 NPN400 30 50 30 5 EBC9013 NPN625 500 40 20 5 EBC9014 NPN450 100 50 45 5 EBC9016 NPN400 25 30 20 4 EBC9018 NPN400 50 30 15 5 EBC3DD1300 1 NPN1200 200 600 400 7 BCE 8~40MJE1300 1 NPN7000 300 500 400 9 ECB(to-92)8~40MJE1300 2 NPN1200 1000 600 400 7 BCE 10~4MJE1300 3 NPN40000 2000 700 400 9 BCE 5~403DD1300 5 NPN75000 4000 700 400 9 BCEMJE1300 5 NPN75000 5000 700 400 9 BCEMJE1300 6 NPN80000 8000 600 300 9 BCE 5~60MJE1300 7 NPN80000 8000 700 400 9 BCEMJE1300 8 NPN1000012000 600 300 9 BCE 6~40MJE1300 9 NPN1000012000 700 400 9 BCE 6~40型号结构耗散功率(mW)Pcm集电极电流Max(mA)Icm集电极-基极电压(V)Vcbo集电极-发射极电压(V)Vceo发射极-基极电压(V)Vebo引脚排列放大系数hfe。

主板上常用电子元器件好坏检测及代换原则

主板上常用电子元器件好坏检测及代换原则

主板上常用电子元器件好坏检测及代换原则1、<R>电阻:用欧姆档不分正负接其两脚可测出.普通贴片电阻可用与其相差不多阻值的电阻代换.如:330欧可用220欧或470欧代换.保险电阻<0欧>可用额定电流相近的保险电阻代,或用阻值较小的普通电阻或0欧的普通贴片电阻作应急代换.2、<C>电容:<常用单位UF>:先短接放电,然后用二极管档不分正负接其两脚,数值就逐渐增大直至无穷大<1>,然后调换笔头数值会由负数迅速增大到无穷大.则此电解电容OK.若数值变化很慢,或停在某一值上,说明该电解电容漏电或性能不佳。

若一直显示无穷大说明开路;若一直显示0说明短路。

<原理因为万用表中有电池对其充电它该有个充电过程>电容表面未标注耐压值的,其耐压值通常为50V.如表面数值为22 16V#电解电容损坏可用耐压不低于原电容,容量与原电容相近的电解电容代替.如6.3V/1000UF可用10V/1000UF或6.3V/1500UF的代替. 普通贴片陶瓷电容可用同种颜色的贴片陶瓷电容作应急. 不过晶振两端连接的贴片陶瓷电容,最好用同容量的电容代,否则可能会出现时钟不准确或者不能启动的故障3、<L>电感:<常用单位UH>:用二极管档测其两脚就蜂鸣效果同测一根导电的线.主板中一般来说只要是体积大小相近的贴片电感即可直接代换.对于DC-DC直流电压变换电路的磁心电感可小心的将导线圈拆下,并用同种直径的漆包线,按原匝数绕制即可.在维修中,磁心电感常见的是虚焊.4、晶振:分为四种:1时钟晶振<14.318MHZ>与时钟芯片相连.损坏则主板不能启动.开机对地有电压1~1.6V2实时晶振<32.768KHZ>与南桥芯片相连.损坏时间不准或不能启动.开机对地电压0.5V左右.3声卡晶振<24.576MHZ>与声卡芯片相连.损坏声音变质或无声.开机对地电压1.1~2.1V4网卡晶振<25.000MHZ>与网卡芯片相连.损坏网卡不能工作.开机对地电压1.1~2.1V <以上对地电压书上说是其两脚间的电压>用二极管档测其两引脚间的数值就为无穷大.如有数值则该晶振坏或与其连接的集成电路坏.但反过来不成立,即显示数值无穷大不一定说明晶振正常.此时就通电检测其两端的电压是否正常.更换晶振时,通常要用相同型号和频率的晶振,后缀字母也要尽量一致,否则可能无法正常工作$5、<D>二极管:单向导电性,用二极管档测接对时就有正向压降值,若接反则就显示OL或超载符号1,此时调换笔头再测.若显示0000则已开路. 正向压降值越小二极管性能越好.开关二极管0.5~0.7V 小功率肖特二极管0.2V左右手稳压二极管0.5V左右贴片开关二极管和稳压二极管可直接在主板上测,肖特二极管要先把其中一个脚从主板上焊开再测.主板中二极管最好用同型号的二极管代.若没有,则要选择参数优于原型号的二极管代.可用特性相同,参数指标不低于原器件的二极管代. 稳压二极管要用同功率同稳压值的二极管代$6、<Q>三极管<起电流放大作用>:用二极管档,红笔任接一个引脚,用黑笔依次去接另外两脚如果两次显示都小于1V,则说明红笔接的是NPN三极管的基极<B极>.若都显示溢出符号OL 或超载符号1则红笔接的是PNP三极管的基极.若两次中,一次小于1V,另一次显示OL或1表明红笔接的不是基极,换脚再测.NPN型中小功率三极管数值为0.6~0.8V.其中较大的一次,黑笔所接的是发射极<E极>一、电阻1、主板中采用的电阻有很多种,分为:1.普通电阻是主板上最小的电阻,形态为墨色扁平的小方块,贴片电阻的阻值一般用三位数字来表示,在三位数字后面所加"0"个数,(单位为Ω)。

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常用器件检测和管脚排列
1.1 电阻
1.1.1 普通色环电阻
四条色环,从色环较密一端看,第一位为十位,第二位为个位,第三位为 10的指数位,第四位为误差。

1.1.2 精密电阻
五条色环,从色环较密一端看,第一位为百位,第二位为十位,第三位为个位,第四位为 10的指数位,第五位为误差。

1.1.3 色环说明
电阻的损坏形式一般为阻值增大,严重的为无穷大。

1.2 二极管、桥堆、稳压管
1.2.1 二极管,稳压二极管
以二级管档测量:
1 测量K (+→ A (- =Vf =O.L 二极管符号稳压管符号
2 测量A (+→ K (- =Vf ≈ 0.7V (材质不同会有差别
A A
1.2.2 桥堆
PBU808/GBJ2506 外观电路原理图
1.3 三极管
1.3.1 NPN 三极管
以二级管档测量:
A. 测量E (+→ B (- =Vf =O.L
B. 测量C (+→ B (- =Vf =O.L
C. 测量B (+→ C (- =Vf ≈ 0.7V
D. 测量B (+→ E (- =Vf ≈ 0.7V
E. 测量C (+→ E (- =Vf =O.L
+
AC
KSP2222A
E C B
1.3.2 PNP 三极管
以二级管档测量:
A. 测量E (+→ B (- =Vf ≈ 0.7V
B. 测量C (+→ B (- =Vf ≈ 0.7V
C. 测量B (+→ C (- =Vf =O.L
D. 测量B (+→ E (- =Vf =O.L
E. 测量E (+→ C (- =Vf =O.L
损坏一般为 B-E 击穿,严重时 C-E 击穿。

(一般情况下是短路
1.4 MOSEFT 管
以二级管档测量:
A. 测量 S (+→ D (- =Vf≈
0.7V
D
S
G D S
IRF250、 460、
450、 3205
D G S
S D G
TIP32
B. 测量D (+→ S (- =Vf=O.L
C. 测量G (+→ S (- =Vf=O.L然后马上测量D (+→ S (- =Vf≈ 0.0V 损坏一般为D-S 击穿,严重时 G-S 击穿。

(一般情况下是短路
1.5 IGBT
1.5.1 单管 IGBT
以二级管档测量 GT25Q101: A. 测量E (+→ C (- =Vf=O.L B. 测量C (+→ E (- =Vf=O.L
C. 测量G (+→ E (- =Vf=O.L然后马上测量C (+→ E (- =Vf≈ 0.5V 以二级管档测量 K25N120、 K75T60: A. 测量E (+→ C (- =Vf=0.7 B. 测量C (+→ E (- =Vf=O.L
C. 测量G (+→ E (- =Vf=O.L然后马上测量C (+→ E (- =Vf≈ 0.5V
G C E
C
E
G C E G C E
1.5.2 IGBT 模块
电阻挡测量: G —— E=O.L G —— C=O.L
C (+—— E (-≈ 40M Ω C (-——E (+≈ 0.8M Ω
电容挡测量:G ——E ≈ 22nF (不同型号略有不同
1.6 光电耦合器
以二级管档测量:
A. 测量A (+→ K (- =Vf≈ 0.99
B. 测量C (+→ E (- =Vf= O.L 以电阻档测量:
A. 测量A (+→ C (- =Vf=O.L
B. 测量C (+→ A (- =Vf=O.L
1.7 三端稳压管
A K C
E
PC817
REF
R A K
以二级管档测量: A. 测量 R(+)→K(-)=Vf≈0.76 测量 A(+)→K (-)=Vf≈0.65。

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