矩形PN电阻版图
《电阻色环图文并茂》课件
电阻的检测工具与仪器
电阻箱
用于提供标准电阻和调整电阻值 的工具。
示波器
用于观察信号波形，辅助测量电 阻和其他电子元件。
01
02
万用表
用于测量电阻、电压、电流等参 数的基本工具。
03
04
恒流源
用于提供稳定的电流，以便精确 测量电阻值。
电阻的检测实例与操作
01
使用万用表测量固定电阻
将万用表调至电阻挡，将红黑表笔分别接在待测电阻的两端，读取万用
《电阻色环图文并茂》ppt 课件
目录
• 电阻基础知识 • 色环电阻识别 • 电阻的图文并茂展示 • 电阻的测量与检测 • 电阻的应用与案例分析
01
电阻基础知识
电阻的定义与作用
总结词
电阻是导体对电流的阻碍作用，其作用是控制电路中的电流大小和方向。
详细描述
电阻是电子元件中最为常见的一种，它的主要作用是限制电流的流动。在电路 中，电阻可以用来调整电流和电压的大小，从而实现电路的各种功能。
表显示的阻值。
02 03
使用万用表测量电位器
将万用表调至适当挡位，先测量电位器的中间抽头与两端的阻值，判断 电位器是否正常。再分别测量电位器的两个端点与中间抽头的阻值，判 断电位器的线性度。
使用恒流源和电压表检测未知电阻
将恒流源和电压表与待测电阻串联，调整恒流源输出电流，观察电压表 的读数变化，根据欧姆定律计算待测电阻的阻值。
感谢您的观看
THANKS
05
电阻的应用与案例分析
电阻在电路中的应用
限流
在电路中串联电阻可以限制电流的通过，起 到保护电路中其他元件的作用。
分压
电阻可以与电容、电感等元件一起组成滤波 电路，滤除电路中的噪声和干扰。
p型电池发射极方块电阻单位
p型电池发射极方块电阻单位“半导体基础知识”篇之后，再次回归基础知识的学习记录。
蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铝箔膜等薄膜状导电材料，衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。
本篇学习记录主要涉及方阻的概念、意义、测量方法等。
一、基本概念方阻就是方块电阻，又称面电阻，指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻，如图一所示，即B边到C边的电阻值。
方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。
方块电阻的计算公式：Rs=ρ/t (其中ρ为块材的电阻率,t为块材厚度）二、利用方阻监控扩散方块电阻是一个二级概念，真正的核心是扩散深度。
一般扩散深度会影响电性能参数，因为扩散深度无法测量，所以只能通过测电阻来大概反映扩散深度和扩散浓度。
他是一个深度和浓度，以及体材料多重作用的结果，至于其和电性能参数各值之间的线性关系，目前没有什么特定方程式，都是通过经验来控制在一定的方位，做到30-50的都有。
方阻一般只是在扩散后进行监控，监控方阻就是为了监控扩散的稳定性。
测试方阻跟最后的烧结工序的影响也是很重要的，因为结的深度也会影响你最后烧结的深度，否则有可能出现Rs的异常。
所以方阻也是烧结条件的重要指标。
一般结深则电阻小，掺杂浓度高。
电阻小了，掺杂量就高了，表面死层就会多，这样会牺牲很多电流；电阻大了，电流的收集就会比较困难；方阻要做高，是需要其他相关条件保障的，假如其他条件不满足，效率反而会降低。
一般扩散温度越高，时间越长，流量越大，方阻就越小，结就越深。
除了扩散之外，生产中的其它工序对方阻也会产生影响。
一般如果是稳定生产，方阻也是稳定的。
后道生产中，假如出现大量问题片，看症状跟方阻有可能相关的，就可以去反查工序中是否出现了问题，即使电池也是可以测试的。
但是这个只能相对参考，一般公司都会规定方阻多少到多少之间的片子可以进入流程，另外的就要返工，但是因为是抽检，谁又能保障进入流程的都是好的呢，甚至员工有可能会偷懒，好的片子坏的片子都流入流程。
常用电子元器件
常用电阻实物图根底知识一、电阻器一般符号：1、电阻的表示符号为“R 〞，根本单位是 Ω，功率用Ｗ表示：2、种类：常见的电阻器有以下几种: 〔1〕金属膜电阻器〔2〕碳膜电阻器〔3〕线绕电阻器〔4〕电位器〔5〕电阻网络器〔排阻〕〔6〕敏感电阻器〔7〕水泥电阻〔8〕贴片电阻 3、电阻的主要参数:〔1〕标准阻值和允许偏差〔误差〕〔2〕额定功率二、电阻色环图金属膜电阻碳膜电阻金属氧化膜电阻贴片电阻三、贴片(SMD)电阻：有两种形式：1、三ＤＤＭ±5％用三位数字表示阻值的大小；三位数的前两色环：色环电阻有3、4、5环分别代表不同的阻值。
三色环：ＤＤＭ〔数字－数字－０的个数〕误差：一般为20％ 四环电阻：半精细电阻，误差>2%，多为碳膜电阻〔RT 〕 五环电阻：精细电阻，误差≤2%，多为金属膜电阻〔RJ 〕五环电阻读取时色环密集一方放置左端，右端误差环一般为棕、红色，单列直插排阻双列直插排阻热释电红外传感器倾角电位器角度力电位器湿敏电阻电位器旋钮热敏电阻可调电位器电解电容贴片电容高压瓷片电容聚酯电容〔涤纶电容〕可调电容金属化聚脂膜电容：金属化聚酯膜电容特点是机械性能好，介电常数大，耐温性好，产品体积小，电路符号：空心电感线圈 贴片绕线电感模压可调电感 磁环电感贴片绕线、层叠电感磁棒绕线电感共模扼流圈 磁环工字电感高频变压器电感器图示电感器电感器晶体二级管实物图金封红外发射管瞬态抑制二极管激光二极管发光二极管干簧管整流桥常用器件图示拨码开关瓷谐振器保险丝座瓷滤波器可控硅固态继电器晶体滤波器晶体振荡器晶体谐振器〔单片机与时钟芯片常用〕恒温晶体振荡器〔OCXO〕半导体器件实物图根底知识晶体三极管在底板上用字母BG 表示光电开关数码管液晶〔LCD〕晶体三极管IC插座晶体管实物图与封装集成。
新手学版图--几种电阻的画法
新手学版图--几种电阻的画法刚好Module 部门要画test key 测试新制程对器件的影响，其中就有一部分是画不同类型的电阻。
这些电阻有：poly电阻，nwell电阻，pplus电阻，nplus电阻。
上图即为这几种电阻的画法，除poly 电阻外，其他三种电阻的画法是值得推敲的。
电阻三端分别定义为force ,sense 和sub。
我们来分析这三种电阻。
nwell 电阻：问题1：为什么force ,sense 端要加thin oxide 和nplus?问题2：为什么要用nplus 而不用pplus？Pplus 电阻：问题1：为什么要画在nwell 中？问题2：为什么sub 要接高电位？问题3：为什么电阻中间要用thin oxide 连接？Nplus 电阻：问题1：可不可以画在nwell 中？其实以上问题的重点1是要理解thin oxide 的作用，以及nwell , p+/N+ plus 在制造过程中所处的步骤。
thin oxide 可以理解为去除FOX。
nwell 在制造的前端就形成了，FOX不会对此造成影响。
而P+/N+ plus 会受FOX的影响，如果FOX阻挡的话，wafer 上就不会形成相应的P型或N型。
重点2即是否会出现不正确的导通。
回答完这些问题之后，我们可以联想到加guard ring时的一些情况。
就p-sub /nwell CMOS 版图而言，少数载流子guard ring 为nwell + nplus + thin oxide +VDD, 多数载流子guard ring 为pplus + thin oxide + VSS。
讨论当两种guard ring thin oxide 不连续时的不同影响。
显然在thin oxide 断开的地方FOX 阻挡了n+/p+的形成，对于nwell guard ring在断开的地方形成nwell 电阻，但对于以p型为衬底的地方而言这里就完全断开了。
电阻图解
伺服电机制动电阻
低温漂电阻器
消磁电阻
无感电阻
玻璃釉电阻 发烧电阻
发烧电阻 精密电阻
低噪精密电阻
高级电阻
电阻
金 属 膜 电 阻
金漂 属精 箔密 电无 低 阻感 温 VISHAY
高玻 压璃 电铀 阻电 阻
1/4W
铝 壳 电 阻 制 动 电 阻 梯 型 电 阻 刹 车 电 阻
负 温 热 敏 电 阻
水 泥 电 阻
发 烧 音 频 专 用 绕 线 无 感 电 阻
精黑 密色 电线 阻绕
低 噪
碳 膜 电 阻
LED电子灯箱电阻
5W-6.5W
碳膜电阻
光敏电阻
美国DALE电阻
限流电阻
无感电阻 10W系列 分频电阻
AB电阻2W 碳芯无感电阻
低噪音电阻
精密电阻
压敏电阻
金属箔电阻
低噪精密电阻
无感1/2W电阻
高压包驱动板取样电阻 发烧线绕电阻
高精密电精密电流采样电阻 可调电阻
电暖气温控保险电阻
电阻的外形
图1 电阻的外形
大多数电阻上，都标有电阻的数值，这就是电阻的标称阻值。
电阻的标称阻值，往往和它的实际阻值不完全相符。
有的阻值大一些，有的阻值小一些。
电阻的实际阻值和标称阻值的偏差，除以标称阻值所得的百分数，叫做电阻的误差。
表1是常用电阻允许误差的等级。
表1常用电阻允许误差的等级
国家规定出一系列的阻值作为产品的标准。
不同误差等级的电阻有不同数目的标称值。
误差越小的电阻，标称值越多。
表2是普通电阻的标称阻值系列。
表2中的标称值可以乘以10、100、1000、10k;100k;比如1.0这个标称值，就有1.0Ω、10.OΩ、100.OΩ、1.0kΩ、10.0kΩ、100.0kΩ、1.0MΩ;10.0MΩ;
表2普通固定电阻标称阻值系列
不同的电路对电阻的误差有不同的要求。
一般电子电路，采用Ⅰ级或者Ⅱ级就可以了。
在电路中，电阻的阻值，一般都标注标称值。
如果不是标称值，可以根据电路要求，选择和它相近的标称电阻。
表3电阻的类别和符号
表4 色环颜色所代表的数字或意义
比如有一个碳质电阻，它有四道色环，顺序是红、紫、黄、银。
这个电阻的阻值就是270000欧，误差是±10%。
双比如有一个碳质电阻，它有棕、绿、黑三道色环，它的阻值就是15欧，误差是±20%。
第2章 表面组装元器件
液体电解质铝电解电容的制造工艺
• 制备高纯度铝箔 电化学腐蚀处理 按 设计裁剪成形 铆接铝引线用电解纸 作衬垫隔离 卷绕成型 浸渍电解液 密封铆接外引线装配用环氧树 脂封装检测 包装。
固体电解质片式铝电解电容器
• 固体电解质片式铝电解电容器采用有机导电化合物作为工作电解 质，以导电有机高分子聚合物作为产品的实际阴极（实际上就是 电解质），具有高频低阻抗、高温稳定、快速放电、减小体积、 无漏液现象，与液体电解质片式铝电解电容器比较具有大容量、 低阻抗、无电解质泄漏、高温长寿命(在85℃的工作环境中，寿命 最高可达40,000小时)等优点，并具有耐反向电压的能力。
云母电容器制造工艺：将银浆料印在云母 上作为金属极板，经层叠、热压形成电容 胚体，制作外电极，其端头是典型的三层 结构。最后完成电极连接，封装成型、打 印标记，编带包装。 云母电容器用途：用于高频振荡，脉冲等 要求较高电路，实际电路中应用不多。
2.5.4片式云母电容器
• 片式云母电容器其形状多为方块状，云母电容器采用天 然云母作为电容极间的介质，其耐压性能好。云母电容由于 受介质材料的影响，容量不能做的太大，一般容量在10PF10000PF之间，而且造价相对其它电容器高。云母电容器可以 做成很小的电容量，具有高稳定性，高可靠性，温度系数小 的特点。其外形和内部结构如图所示。
05集成电路版图基础-电阻
多晶硅和扩散区组成的电容器
(3)金属和多晶硅组成电容器 多晶硅作电容器下电极板、金属作上电极板构成的MOS电容器。
7.2.3 集成电路中的二极管
在PN结的P区和N区分别加上电极就构成了二极管。 P型衬底上N区和P区构成二极管，图(a)。 做在N阱内的二极管，n+环围绕p+接触，图(b)。 做在P型衬底上的二极管,中央为N型区,四周被P+环包围，图(c)。
3、电阻版图
（1）基本电阻版图
注意：根据工艺要求不同，电阻的长度为 两引线孔之间的材料长度或电阻器件体区长度
（2）折弯型电阻版图
注意，拐角处方块数只计算1/2
外角没有电子流过，电阻误差较大
4、电阻误差
引起电阻误差的主要因素有：
接触电阻与接触区误差
扩展电阻
体区误差
头区误差
（1）接触电阻
以多晶硅电阻为例，电阻材料与外界相连 的金属接触材料同样有电阻
如果引线孔接触 区随电阻宽度而加 倍， 接触电阻将减 半。 尽量多做引线孔
（2）扩展电阻
电子经引线孔进入电阻后，并非直线流动， 而是逐渐扩展开。导致实际流经的路径增 长，方块数增多。
体区越宽， 扩展电阻越大
某些工艺允许金 属和引线孔延伸到 多晶硅之外，可解 决扩展电阻的问题
有源区可以做电阻和沟道电阻(在两层掺杂 区之间的中间掺杂层，例如npn中的p型区)。
上述两种电阻要考虑衬底的电阻区和衬底形成的PN结反偏。例如， P+电阻做在N阱内，除电阻两端有接触 孔外，阱内要增加接最高电位的接触孔。
MOS管做有源电阻 对MOS管适当的连接，使其工作在一 定的状态，利用它的直流导通电阻和交 流电阻作电阻。优点是占用面积非常小。 在模拟集成电路中，把MOS管的栅极 和漏极相连形成非线性电阻。
第六章 电阻版图设计
Copyright by Mo Bing
电阻版图
电阻类型
N+
P-sub
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
Copyright by Mo Bing
电阻版图
折叠版图
矩形拐角
圆型拐角
R = R [(2 A + B ) / W + 1.12]
R = R (2C / W + 2.96)
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
6.6
微调电阻
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
Copyright by Mo Bing
电阻阻值变化
工艺变化
在工艺中，用线宽控制来做光刻和工艺尺寸的度量。一 般线宽控制用特征尺寸的百分比来衡量，现代工艺中大部分 工艺都可以保证线宽控制在其最小特征尺寸的20%以内。电 阻容差可由以下关系进行估算。 CL 0.2Wmin Wuse Wuse
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
Copyright by Mo Bing
偏差
偏差
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
N阱
900
1000
1100
10%
N+
60
65
70
8%
P+
155
170
185
9%
Poly1
15
19
23
23%
Poly2
48
55
62
13%
HPoly2_1
80/10
910
1080
电阻阻值变化
华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室
Copyright by Mo Bing
第5章 电阻版图
Ø 总接触电阻
RcontactW Rcc
•m m
（Rc是由接触材料所决定的电阻因子，单位“Ω*um”；Wc为
接触区宽度）
Ø 接触区的宽度可能并不一定和电阻器的宽度相同，它取决于 工艺的设计规则，可能会要求接触区宽度必须小于电阻器宽度。
R□/Ω
300 200 100
2020/8/1
10 20 30 40 50
一般接触孔位于多晶硅的两头。
体区电阻公式：
rb
b
.
Lb Wb
metal contact
W L
oxide poly
substrate
2020/8/1
top viLeabharlann wcross sectional view
4.2.2 考虑接触电阻rc
R□/Ω
300
200
100
10 20 30 40 50
W/um
正方形尺寸和每方欧姆的关系
R
r b
2rh
2rc
b.WLbb
2h.WLhh
2 Rc Wc
2020/8/1
n 多晶硅电阻公式：改变体材料
头体 头
top view
metal contact
oxide
poly
body
substrate
head
cross sectional view
2020/8/1
14
n 4.2.4 接触区误差和体区误差、头区误差
R□/Ω
300 200 100
10 20 30 40 50
W/um
实际上，正方形尺寸小电阻大
原则上，因为同一种材料的各种正方形尺寸都具有相同 的电阻值，所以，图形应该是呈水平直线。然而，实际 情况是，当通过金属接触点去测量一个较小尺寸的电阻 时，测量高于预测值，就是因为接触电阻的存在。
(线性时不变电阻).ppt
作业： 1-30， 1-31
1—8 分压电路和分流电路
1、分压电路
串联电阻电路对总电压有分压作用：
+ uS
－
R1
+ u1 －
+
R2 u2
－
u1
=
R1 R1 R2
us
u2
=
R2 R1 R2
us
一般情况下：
uk =
Rk
n
us
Rk
+ 2V－ 2A
P= -22= -4W 产生功率 意味该电源对外电路3V
P=(-3）（-3）=9W 吸收功率 表示消耗功率，例如电池充电；
此两例表明电压源既可产生功率， 也可以消耗功率。
例
I1
12V
+
－
1Ω
(1)求I1。I2, I3;
2Ω a•
c
d
+
5V －
4Ω
I3
2Ω •b
二、线性电阻
u
R
i RG + u_
u=Ri=i/G i=Gu=u/R p=ui=Ri2=Gu2
0
i
（关联方向）
式中，G = 1 R 称为电导
单位：西（门子）、（S)
u
R
0
i
（非关联方向）
RG
i _ u+
u= -Ri= -i/G i= -Gu= -u/R p= -ui =Ri2=Gu2
正电阻——始终消耗功率（P0）
+
4V 又 Ubc = 4 2 1 = 1V
－
则 i1 = Ubc / 5 = 0.2A
电阻色环图文并茂
敏感 电阻器
压敏电阻器(VSR)RV
U
特性：电阻值随电压非线性变化。当两端电压低于标称额定值时，电阻值
接近无穷大；当两端电压略高于标称额定值时，压敏电阻被击穿导通，由 高阻态变低阻态。
用途：过压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、
消噪和保护半导体元器件等。
分类： 按特性分
对称型压敏电阻（无极性） 非对称型压敏电阻（有极性）
电阻的色环标识
棕红橙黄绿蓝紫灰白黑 123 4567890
第一位数 1 0 102 10%
第二位数
允许误差
倍乘数
1000 (1k)
1 0 0102 1% 允许误差
倍乘数
10k
误差：金色 — 5% 银色 — 10% 无色 — 20% 棕色 — 1%
颜色与所代表的数字对应关系
生成碳膜(导电膜)，瓷管两端装上金属帽盖和引线，外涂保护漆。改变碳膜 的厚度和长度，获得不同阻值。
优点：稳定性好、噪声低、价格低、 阻值范围宽 (几欧 几兆欧)。
金属膜电阻器 (RJ型)
结构：以小瓷棒或瓷管作骨架，由合金粉蒸发而成的金属膜形成导电膜，
瓷管两端装上金属帽盖和引线，外涂保护漆。
优点：各项指标均优于碳膜电阻。稳定性好、噪声低、 价格低、阻值范
线绕电位器
线绕电位器
结构：将电阻丝缠绕在涂有绝缘物的金属或非金属的条板上，再用专用工具 将其弯成环型，装入基座内，配上带滑动触点的转动系统，则构成线绕电位 器。 优点：接触电阻低，精度高，温度系数小。
缺点：分辨力较差（阻值呈阶梯变化），可靠性差，不适于高频电路。阻值 <100 。 品种：微调型、多圈型、功率型。
类型：直线式、对数式、指数式。 金属膜电位器
薄膜电阻(方块电阻)
L I W t
L
I
Rsh ns
W
1 由： en n
所以：
ρ 1 1 得： Rsh t enμn t eμn n t
1 Rsh ens μn
5
线电流密度与载流子面密度
以n型半导体为例，电子浓度为n
L I
面电流密度： J env
L R Rsh W
薄膜的总电阻为方块电阻与长宽比的乘积。
1
L R Rsh W
薄膜的总电阻为方块电阻与长宽比的Байду номын сангаас积。
2
线电流密度
[量纲：电流/长度]
L I
J l I/W
单位宽度的电阻：[量纲：电阻长度]
t
W
V V V rl W R W J l I/W I
由
L
L 可推导出： R Rsh W
env方块电阻薄膜载流子密度电学参数体材料bulk薄膜材料film关系载流子浓度ncm3cm2电流密度macmmacm电阻mm
薄膜电阻(方块电阻) （Sheet Resistance）
L
L I W t
I
W
L L L R A W t t W
定义： Rsh
Unit：（）
t
Unit：（/, or ohms /squre）
W t
线电流密度： J l I/W J Wt/w J t entv ens v
J l ens v
在低场情况下：
J l ens v ens μE
E Jl Rsh
6
方块电阻、薄膜载流子密度
对于n型半导体 电学参数 体材料 (bulk) n(cm-3) 薄膜材料 (film) ns(cm-2) 关系
电子元件视图
PNP 型三极管 表示符号：Q,VT
NPN 型三极管 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管 NPN 型三极管 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管及电阻 NPN 型三 极管
表示符号：Q,VT
IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管 IGBT 场效应管
双向型 TVS 瞬态电压抑制二极 管
表示符号：Q,VT
倒相放大器
AND gate 非门
OR gate 或门
NAND gate 与非门
NOR gate 或非门
保险管 表示符号：F
保险管 表示符号：F
838 电子
变压器 表示符号：T
永久磁铁电感 表示符号：L
带铁芯电感线圈 表示符号：L
继电器
继电器
线路输入端子
按键开关 表示符号:S
双极开关
电池 或直流电源
肖特基二极管
隧道二极管
隧道二极管
光敏二极管或光电接收二极管
发光二极管 表示符号：LED
双色发光二极管 表示符号：LED
单结晶体管（双基极二极管）新
光敏三极管或光电接收三极管
艺图库
表示符号：Q,VT
表示符号：Q,VT
复合三极管 表示符号：Q,VT
NPN 型三极管 表示符号：Q,VT
PNP 型三极管 表示符号：Q,VT
电流源
扬声器
电池 或直流电源
特别重要的
AC 交流
DC 直流
公共接地端
恒压源
恒流源
信号源
GND 公共接地端
红外遥控一体化接收头
驻极体话筒 符号 MC
天线
四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N
六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N
实验(欧姆定律部分图像表格)
34．小刚同学用如图所示的实验电路，探究导体的电阻由哪些因素决定。
图22中：1号电阻丝是猛铜丝，2号电阻丝是镍铬合金丝，3号电阻丝也是镍铬合金丝。
3条电阻丝长度相等，1号、2号电阻丝横截面积相等，3号电阻丝的横截面积是2号电阻丝横截面积的2倍。
实验中，保持电源两端电压不变。
（1）当把1号电阻丝接入电路并闭合开关时，电流表示数为I1。
当把2号电阻丝接入电路并闭合开关时，电流表示数为I2。
通过比较发现，I1大于I2，由此可知，1号电阻丝的电阻 2号电阻丝的电阻（选填“大”、“等于”或“小于”）。
若要探究导体的电阻跟导体的横截面积的关系，应选择的电阻丝是：。
（2分）32．小亮探究“并联电路中电流的关系”，他先按图22甲所示电路图连成图22乙的实物电路（电流表尚未连接）。
（1）检查小亮连接的实物电路可发现错误：闭合开关S，电路将会出现现象。
（2）在图22乙中错接导线上画“×”，用笔画线表示导线，只改接电路中一根导线，排除电路隐患。
36．小林用实验探究串联电路中各处的电流关系，其实验电路如图所示。
当他闭合开关时，发现电流表A1的示数为，电流表A2的示数为。
于是他得出结论：在这个串联电路中，电流从电源正极经灯泡流向电源负极的过程中，电流是减小的。
你认为他的结论正确吗？如果不正确，在不增加器材的情况下，只用现有的实验器材用实验证明，说出你的做法并画出电路图。
（3分）36.小明同学做“测量小灯泡电阻”的实验，已知小灯泡的额定电压为。
（1）如图25甲所示，是小明画出的实验电路图，请你根据电路图用笔画线代替导线，帮他在图25乙中完成实物电路的连接。
要求：滑动变阻器的滑片向右移动时，连入电路的阻值变小。
是 A 是 。
将电路连接片应位于 端（选填“左”或“右”）。
闭合开关，将滑动变阻器的滑片移动到如图所示的位置时，电压表示数为，这时应将滑动变阻器的滑片向 适当移动（选填“左”或“右”）。
当小灯泡正常发光时，电流表示数如图乙所示，则小灯泡正常发光时的电阻是 Ω。