FF400R12KF4中文资料

Marketing Information FF 400 R 12 KF 4

FF 400 R 12 KF 4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES1200V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I C400A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current t p=1 ms I CRM800A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation t C=25°C, Transistor /transistor P tot2700W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V GE± 20V Dauergleichstrom DC forward current I F400A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current t p=1ms I FRM800A Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min.V ISOL2,5kV Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor min.typ.max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage i C=400A, v GE=15V, t vj=25°C v CE sat-2,73,2V

i C=400A, v GE=15V, t vj=125°C-3,33,9V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage i C=16mA, v CE=v GE, t vj=25°C v GE(th)4,55,56,5V Eingangskapazität input capacity f O=1MHz,t vj=25°C,v CE=25V, v GE=0V C ies-28-nF Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current v CE=1200V, v GE=0V, t vj=25°C i CES-8-mA

v CE=1200V, v GE=0V, t vj=125°C-32-mA Gate-Emitter Reststrom gate leakage current v CE=0V, v GE=20V, t vj=25°C i GES--400nA Emitter-Gate Reststrom gate leakage current v CE=0V, v EG=20V, t vj=25°C i EGS--400nA Einschaltzeit (induktive Last)turn-on time (inductive load)i C=400A,v CE=600V,v L=±15V,R G=3,6,t vj= 25°C t on-0,7-µs

i C=400A,v CE=600V,v L=±15V,R G=3,6,t vj=125°C-0,8-µs Speicherzeit (induktive Last)storage time (inductive load)i C=400A,v CE=600V,v L=±15V,R G=3,6,t vj= 25°C t s-0,9-µs

i C=400A,v CE=600V,v L=±15V,R G=3,6,t vj=125°C-1,0-µs Fallzeit (induktive Last)fall time (inductive load)i C=400A,v CE=600V,v L=±15V,R G=3,6,t vj= 25°C t f-0,10-µs

i C=400A,v CE=600V,v L=±15V,R G=3,6,t vj=125°C-0,15-µs Einschaltverlustenergie pro puls turn-on energie per pulse i C=400A, v CE=600V, L s=70nH E on

v L=±15V, R G=3,6, t vj=125°C-70-mWs Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energie loss per pulse i C=400A, v CE=600V, L s=70nH E off

v L=±15V, R G=3,6, t vj=125°C-60-mWs Charakteristische Werte / Characteristic values

Inversdiode / Inverse diode

Durchlaßspannung forward voltage i F=400A, v GE=0V, t vj=25°C v F-2,22,7V

i F=400A, v GE=0V, t vj=125°C-2,02,5V

Rückstromspitze peak reverse recovery current i F=400A, v RM=600V, v EG = 10V I RM

-di F/dt = 2,0 kA/µs, t vj = 25°C-140-A

-di F/dt = 2,0 kA/µs, t vj = 125°C-240-A Sperrverzögerungsladung recovered charge i F=400A, v RM=600V, v EG = 10V Q r

-di F/dt = 3,0 kA/µs, t vj = 25°C-18-µAs

-di F/dt = 3,0 kA/µs, t vj = 125°C-50-µAs Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC R thJC0,023°C/W

Transistor,DC,pro Zweig/per arm0,046°C/W

Diode, DC, pro Modul/per module0,044°C/W

Diode, DC, pro Zweig/per arm0,088°C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module R thCK0,01°C/W

pro Zweig / per arm0,02°C/W Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature pro Modul / per Module t vj max150°C Betriebstemperatur operating temperature Transistor / transistor t c op -40...+150°C Lagertemperatur storage temperature t stg -40...+125°C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite / page1 Innere Isolation internal insulation AI2O3 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque terminals M6 / tolerance +/-15%M15Nm Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M4 / tolerance +/-15%M22Nm

terminals M88...10Nm Gewicht weight G ca. 1500g Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection

t fg = 10 µs V CC = 750 V

v L = ±15 V v CEM = 900 V

R GF = R GR = 3,6i CMK1 3500 A

t vj = 125°C i CMK2 3000 A

Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions CEM = V CES - 20nH x |di c/dt|

v

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den

zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in

combination with the belonging technical notes.