IGBT的检测方法
IGBT的检测方法
IGBT的检测方法IGBT有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别就是漏极D与源极S。
因为对结型场效应管而言,漏极与源极可互换,剩下的电极肯定就是栅极G。
也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极与源极。
若两次测出的电阻值均很大,说明就是PN结的反向,即都就是反向电阻,可以判定就是N沟道场效应管,且黑表笔接的就是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明就是正向PN结,即就是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也就是栅极。
若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。
(2)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法就是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值就是否相符去判别管的好坏。
具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值就是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能就是由于内部接触不良;如果测得阻值就是无穷大,可能就是内部断极。
然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管就是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管就是坏的。
IGBT测量方法
IGBT电路图IGBT测量方法一正常IGBT测量：用数字万用表的二极管档测量，红表笔是+正极，黑表笔是-负极。
1IGBT的G端(门级)与E端（发射极）、C端（集电极）是不导通，所以Rge和Rgc理论阻值是100M Ω以上。
若G端和E端外围有并接电阻，Rge阻值=并接电阻阻值。
（用电阻档测）；2因IGBT的C\E端并接二极管.2.1若G\E端不加触发电压，E端（发射极）、C端（集电极）是单向导通。
用二极管档测，红表笔在E端，黑表笔在C端，表显示345，导通，导通压降为0.345V。
表笔相反测，表显示1，表示不导通；（表显示345，表示导通的压降为0.345V,万用表不同，IGBT不同，测量值有偏差，偏差值不大）2.2若G\E端加触发直流电压VGE=6V（VGE>Vt）, 红表笔在C端，黑表笔在E端,C端和E端正向导通，表显示345；2.3因G\E端相当一个小电容，当撤离外加触发电源，触发电压还存在，C端和E端正向还导通，电线短接G\E端，IGBT正向就不导通2.4 正常C/E端耐压测试：为什么用测量电机绝缘的摇表测试：1数字万用表的电压在DC9V内,电压低不能正确判断其耐压真实性。
2 因摇表的电压在DC500V内，与IGBT C/E端正常工作电压相同，可真实检测IGBT状况。
其电压可以通过速度控制，而且电源功率小，测量时不会发生意外。
3 摇表的正极接在C端，负极接在E端。
摇动摇表，显示的数值在100MΩ以上，同时用万用表测量电压，电压可以在150V以上。
二故障IGBT1 G端和C\E端阻值在KΩ以下，并接电阻除外；2 C\E端，用用二极管档测, 表显示100以下，并有声音提示，表示C\E短路；或者用电阻档测，阻值很小。
3 G\E端加触发电压，C\E端正向不导通；4 C/E端耐压测试: 摇表测试，显示的数值在1MΩ以下。
同时用万用表测量电压，电压在15V以下；。
简单方法检测IGBT模块的好坏
简单方法检测IGBT模块的好坏
l 、判断极性首先将万用表拨在 R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发时极 ( E ) ，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断 IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管 ( P 一 MOSFET ）的好坏。
5种快捷方法搞定IGBT性能检测
5 种快捷方法搞定IGBT 性能检测IGBT 拥有高输入阻抗和低导通压降两种明显的优势，非常适用于直流电压的转换供电。
正因如此，很多电源转换电路中都有IGBT 的身影，其为近代电源电子技术发展作出较大的贡献。
鉴于IGBT 的广泛使用量，小编将在本文中为大家介绍如何通过一些简单的方法来针对IGBT 进行好坏的区分，感兴趣的朋友快来看一看吧。
1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
4、耐压值是最重要的参数，可用耐压表测量，输入380V 的变频器的输出模块耐压值要大于1000V，220V 则要600V！电流则可用电容表来比较判定。
IGBT的检测方法
IGBT的检测办法【1 】IGBT有三个电极,分离称为栅极G(也叫掌握极或门极).集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一.用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极依据场效应管的PN结正.反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极.具体办法：将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分离测出其正.反向电阻值.当某两个电极的正.反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分离是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言,漏极和源极可交换,剩下的电极肯定是栅极G.也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）随意率性接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值.当消失两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分离为漏极和源极.若两次测出的电阻值均很大,解释是PN结的反向,即都是反向电阻,可以剖断是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,解释是正向PN结,等于正向电阻,剖断为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极.若不消失上述情形,可以更换黑.红表笔按上述办法进行测试,直到判别出栅极为止.（2）用测电阻法判别场效应管的利害测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极.栅极与源极.栅极与漏极.栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的利害.具体办法：起首将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,平日在几十欧到几千欧规模（在手册中可知,各类不合型号的管,其电阻值是各不雷同的）,假如测得阻值大于正常值,可能是因为内部接触不良;假如测得阻值是无限大,可能是内部断极.然后把万用表置于R ×10k档,再测栅极G1与G2之间.栅极与源极.栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无限大,则解释管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则解释管是坏的.要留意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测.（3）用感应旌旗灯号输人法估测场效应管的放大才能具体办法：用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V 的电源电压,此时表针指导出的漏源极间的电阻值.然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压旌旗灯号加到栅极上.如许,因为管的放大感化,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要产生变更,也就是漏源极间电阻产生了变更,由此可以不雅察到表针有较大幅度的摆动.假如手捏栅极表针摆动较小,解释管的放大才能较差;表针摆动较大,标明管的放大才能大;若表针不动,解释管是坏的.依据上述办法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F.先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指导的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,解释该管是好的,并有较大的放大才能.应用这种办法时要解释几点：起首,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动（电阻值减小）,也可能向左摆动（电阻值增长）.这是因为人体感应的交换电压较高,而不合的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不合（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致,实验标明,多半管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动.但无论表针摆动偏向若何,只要表针摆动幅度较大,就解释管有较大的放大才能.第二,此办法对MOS场效应管也实用.但要留意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G 许可的感应电压不该过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿.第三,每次测量完毕,应该G-S极间短路一下.这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,树立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放失落才行.（4）用测电阻法判别无标记的场效应管起首用测量电阻的办法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2.把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对换表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S.用这种办法判别出来的S.D极,还可以用估测其管的放大才能的办法进行验证,即放大才能大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种办法检测成果均应一样.当肯定了漏极D.源极S的地位后,按D.S的对应地位装人电路,一般G1.G2也会依次瞄准地位,这就肯定了两个栅极G1.G2的地位,从而就肯定了D.S.G1.G2管脚的次序.（5）用测反向电阻值的变更断定跨导的大小对VMOSN沟道加强型场效应管测量跨导机能时,可用红表笔接源极S.黑表笔接漏极D,这就相当于在源.漏极之间加了一个反向电压.此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳固的.将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高.当用手接触栅极G时,会发明管的反向电阻值有显著地变更,其变更越大,解释管的跨导值越高;假如被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变更不大.二.场效应管的应用留意事项（1）为了安然应用处效应管,在线路的设计中不克不及超出管的耗散功率,最大漏源电压.最大栅源电压和最大电流等参数的极限值.（2）各类型场效应管在应用时,都要严厉按请求的偏置接人电路中,要遵照场效应管偏置的极性.如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不克不及加正偏压;P沟道管栅极不克不及加负偏压,等等.（3）MOS场效应管因为输人阻抗极高,所以在运输.贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏障包装,以防止外来感应电势将栅极击穿.尤其要留意,不克不及将MOS场效应管放人塑料盒子内,保管时最好放在金属盒内,同时也要留意管的防潮.（4）为了防止场效应管栅极感应击穿,请求一切测试仪器.工作台.电烙铁.线路本身都必须有优越的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全体引线端保持互相短接状况,焊接完后才把短接材料去失落;从元器件架上取下管时,应以恰当的方法确保人体接地如采取接地环等;当然,假如能采取先辈的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较便利的,并且确保安然;在未关断电源时,绝对不成以把管插人电路或从电路中拔出.以上安然措施在应用处效应管时必须留意.（5）在装配场效应管时,留意装配的地位要尽量防止接近发烧元件;为了防管件振动,有须要将管壳体紧固起来;管脚引线在曲折时,应该大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等.对于功率型场效应管,要有优越的散热前提.因为功率型场效应管在高负荷前提下应用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超出额定值,使器件长期稳固靠得住地工作.总之,确保场效应管安然应用,要留意的事项是多种多样,采纳的安然措施也是各类各样,宽大的专业技巧人员,特殊是宽大的电子快活爱好者,都要依据本身的现实情形动身,采纳切实可行的办法,安然有用地用好场效应管.三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管.它是继MOSFET之后新成长起来的高效.功率开关器件.它不但继续了MOS场效应管输入阻抗高（≥μA阁下）,还具有耐压高（最高1200V）.工作电流大（1.5A～100A）.输出功率高（1～250W）.跨导的线性好.开关速度快等优秀特征.恰是因为它将电子管与功率晶体管之长处集于一身,是以在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）.功率放大器.开关电源和逆变器中正获得普遍应用.VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等长处,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情形下,导通电流会随管温升高而减小,故不消失因为“二次击穿”现象所引起的管子破坏现象.是以,VMOS管的并联得到普遍应用.众所周知,传统的MOS场效应管的栅极.源极和漏极大大致处于统一程度面的芯片上,其工作电流根本上是沿程度偏向流淌.VMOS管则不合,从图1上可以看出其两大构造特色:第一,金属栅极采取V型槽构造;第二,具有垂直导电性.因为漏极是从芯片的不和引出,所以ID不是沿芯片程度流淌,而是自重掺杂N+区（源极S）动身,经由P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D.电流偏向如图中箭头所示,因为流畅截面积增大,所以能经由过程大电流.因为在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,是以它仍属于绝缘栅型MOS场效应管.国内临盆VMOS场效应管的重要厂家有877厂.天津半导体器件四厂.杭州电子管厂等,典范产品有VN401.VN672.VMPT2等.下面介绍检测VMOS管的办法.1．剖断栅极G将万用表拨至R×1k档分离测量三个管脚之间的电阻.若发明某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G极,因为它和别的两个管脚是绝缘的.2．剖断源极S.漏极D由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,是以依据PN结正.反向电阻消失差别,可辨认S极与D 极.用交换表笔法测两次电阻,个中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧.因为测试前提不合,测出的RDS（on）值比手册中给出的典范值要高一些.例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典范值）.4．检讨跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有显著偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高.留意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多半产品属于N 沟道管.对于P沟道管,测量时应交换表笔的地位.（2）有少数VMOS管在G-S之间并有呵护二极管,本检测办法中的1.2项不再实用.（3）今朝市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交换电机调速器.逆变器应用.例如美国IR公司临盆的IRFT001型模块,内部有N沟道.P沟道管各三只,组成三相桥式构造.（4）如今市售VNF系列（N沟道）产品,是美国Supertex公司临盆的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小旌旗灯号低频跨导gm=2000μS.实用于高速开关电路和广播.通讯装备中.（5）应用VMOS管时必须加适合的散热器后.以VNF306为例,该管子加装140×140×4（mm）的散热器后,最大功率才干达到30W.（6）多管并联后,因为极间电容和散布电容响应增长,使放大器的高频特征变坏,经由过程反馈轻易引起放大器的高频寄生振荡.为此,并联复合管管子一般不超出4个,并且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻.检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）利害的简略单纯办法1.断定极性起首将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它南北极阻值为无限大,更换表笔后该极与其它南北极的阻值仍为无限大,则断定此极为栅极（G）.其余南北极再用万用表测量,若测得阻值为无限大,更换表笔后测量阻值较小.在测量阻值较小的一次中,则断定红表笔接的为集电极（C）;黑表笔接的为发射极（E）.2.断定利害将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极（C）,红表笔接IGBT的发射极（E）,此时万用表的指针在零位.用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）,这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的偏向,并能站住指导在某一地位.然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E）,这时IGBT被阻断,万用表的指针回零.此时即可断定IGBT是好的.3.留意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.留意断定IGBT利害时,必定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测利害时不克不及使IGBT导通,而无法断定IGBT的利害.此办法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的利害.变频器.软起动器.PLC.人机界面.低压电器.电气主动化工程.恒压供水装备.音乐喷泉掌握体系.变频器维修等.。
检测IGBT好坏的简易方法
1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
逆变器IGBT模块检测：将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。
将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档，红表笔接P(集电极c1)，黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大;将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。
再将红表笔接N(发射极e2)，黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右;黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。
各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。
IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。
IGBT怎么测量好坏
IGBT怎么测量好坏l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接IGBT 的集电极（C ) ，红表笔接IGBT 的发时极( E ) ，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G ）和集电极（C ) ，这时工GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G ）和发射极（ E ) ，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测IGBT 。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×IOK挡，因R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管( P 一MOSFET ）的好坏。
IGBT功率模块的万用表检测方法IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻，对于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 两极与 G 、c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时， e 、C 极间均有 4k Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接 e 极，若所测值在 3 ． 5k Ωl 左右，则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管，若所测值在 50k Ω左右，则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。
IGBT怎么测量好坏
IGBT怎么测量好坏l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C ) ：黑表笔接的为发射极（E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接IGBT 的集电极（C ) ，红表笔接IGBT 的发时极( E ) ，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G ）和集电极（C ) ，这时工GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G ）和发射极（E ) ，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测IGBT 。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×IOK挡，因R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管( P 一MOSFET ）的好坏。
IGBT功率模块的万用表检测方法IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻，对于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时， e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接 e 极，若所测值在 3 ． 5k Ωl 左右，则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管，若所测值在 50k Ω左右，则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。
IGBT好坏检测
随着大功率电源设备的普及率越来越高，IGBT在大功率电源设备中的作用也越来越重要，因此对IGBT知识进行全方面的了解是非常有必要的。
随着使用频率的升高，IGBT在使用过程中难以避免的会出现损坏，此时开发者就需要快速准确的进行辨别，本文就将从几个方面来告诉大家快速判别IGBT是否损坏的方法。
判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
逆变器IGBT模块检测将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1e1、c2e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。
将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P(集电极c1)，黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大;将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。
如何测量IGBT好坏
如何测量IGBT好坏l 、判断极性首先将万用表拨在 R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发时极( E ) ，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断 IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK 挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管 ( P 一 MOSFET ）的好坏。
IGBT管好坏的检测IGBT管好坏的检测IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G-E两极与G-c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e-C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT 管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。
IGBT模块的检测
检测IGBT模块的的办法
以两单元为例:用模拟万用表测量
静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大;
表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个
单元没有明显的故障.
动态测试: 把万用表的档位放在乘10K档,用黑表笔接4端子,红表笔接5端子,此时黑表笔接3端子红表笔接1端子, 此时电阻应为300-400殴,把表笔对调也有大约300-400殴的电阻表明此IGBT单元是完好的.
用同样的方法测试1、2端子间的IGBT,若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的.
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。
用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。
此时即可判断IGBT 是好的。
IGBT的检测方法
IGBT的检测方法IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一种集大功率Bipolar Transistor和MOSFET优点于一身的器件，具有高开关速度、低功耗和高电压能力等特点，广泛应用于电力电子设备中。
IGBT的检测方法主要包括静态电特性测试、动态电特性测试和可靠性测试等。
1.静态电特性测试：-静态电流放大因子（HFE）测试：通过对基极电流和集电极电流之间的关系进行测试，可以评估IGBT的放大性能。
-开关特性测试：测试IGBT的开启电压和关闭电压，以及开启和关闭过程中的电流波形，以评估其开关速度和效率。
-静态电阻测试：通过测量IGBT的导通电阻和截止电阻，可以评估其导通和截止状态下的能量损耗和热特性。
2.动态电特性测试：-开关速度测试：通过测量IGBT的开启时间和关闭时间，以及电流和电压之间的响应时间，评估其动态响应和开关速度。
-反馈电容测试：IGBT内部的反馈电容对开关速度和功耗有重要影响，通过测试反馈电容的大小和频率特性，可以评估IGBT的性能。
-热响应测试：IGBT工作时会有一定的热功耗，通过测试其温度响应和热传导性能，可以评估其传热和温度稳定性。
3.可靠性测试：-温度稳定性测试：测试IGBT在不同温度下的静态和动态特性，评估其在不同工作温度下的性能和可靠性。
-电压应力测试：通过施加不同电压和电流的应力，测试IGBT在额定工作条件下的可靠性和耐压能力。
-寿命测试：通过长时间连续工作或循环工作，评估IGBT的寿命和可靠性。
-环境适应性测试：测试IGBT在不同工作环境、湿度和振动条件下的性能和可靠性，以评估其适应各种工作环境的能力。
以上是IGBT的检测方法的基本介绍，具体的测试方法和设备会根据不同的应用、需求和标准有所差异。
IGBT的测试对于确保其正常工作、提高产品质量和可靠性非常重要，因此在生产过程中需要进行严格的测试和筛选。
IGBT的检测方法
IGBT的检测方法IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体功率开关器件，广泛应用于电力电子设备中的逆变器、变频器、交流调速器等领域。
为确保IGBT的正常运行，需要进行定期的检测和维护。
下面将介绍IGBT的检测方法。
1.IGBT的外观检测外观检测是最简单的IGBT检测方法之一、操作人员应检查IGBT外壳是否有破损、变形、漏油等情况。
同时还要检查IGBT引脚是否完好、连接是否松动。
若发现任何异常，应及时进行修复或更换。
2.IGBT的导通和绝缘检测IGBT在正常工作时应处于导通状态，即正向极化。
可以使用数字万用表或特殊的IGBT检测仪进行导通测试。
通过记录测试值，可以得知IGBT是否导通正常。
此外，还可以使用绝缘电阻测试仪测量IGBT的绝缘电阻，确保其与外壳之间的绝缘性能良好。
3.IGBT的耐压测试耐压测试是测试IGBT的绝缘性能的一种方法。
通过对IGBT的引脚与壳体之间施加高电压，检测其是否能够承受所需的工作电压。
耐压测试也可以用来检测IGBT之间的电气隔离性能。
4.IGBT的正向和反向电流测试正向电流测试可以用来验证IGBT的导通性能。
通过施加正向电流，检测IGBT的导通特性是否符合要求。
反向电流测试可以用来检测IGBT的阻断能力。
通过施加反向电流，检测IGBT是否能够正常阻断电流。
5.IGBT的温度测试6.IGBT的电路参数测试7.IGBT的堆叠测试堆叠测试是针对IGBT模块的一种检测方法。
可以通过串联多个IGBT 模块，来测试其整体的性能。
堆叠测试可以验证IGBT模块的通流能力、散热性能等。
总结起来，IGBT的检测方法包括外观检测、导通和绝缘检测、耐压测试、正向和反向电流测试、温度测试、电路参数测试和堆叠测试。
通过这些检测方法，可以确保IGBT的正常工作和长期稳定性能。
检测绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)好坏的办法
检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的办法1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
一、静态测试变1、测试整流电路找到变频器内部直流电源的P端和N端，将万用表调到电阻X10档，红表棒接到P，黑表棒分别依到R、S、T，应该有大约几十欧的阻值，且基本平衡。
相反将黑表棒接到P端，红表棒依次接到R、S、T，有一个接近于无穷大的阻值。
将红表棒接到N端，重复以上步骤，都应得到相同结果。
如果有以下结果，可以判定电路已出现异常，A.阻值三相不平衡，可以说明整流桥故障。
B.红表棒接P端时，电阻无穷大，可以断定整流桥故障或起动电阻出现故障。
2、测试逆变电路变频器供应：将红表棒接到P端,黑表棒分别接U、V、W上，应该有几十欧的阻值，且各相阻值基本相同，反相应该为无穷大。
将黑表棒接到N端，重复以上步骤应得到相同结果，否则可确定逆变模块故障二、动态测试变在静态测试结果正常以后，才可进行动态测试，即上电试机。
绝缘栅双极晶闸管检测方式
IGBT管检测方式IGBT有三个电极, 别离称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向P N结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是不是相符去判别管的好坏。
具体方式：首先将万用表置于R×1 0或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各类不同型号的管，其电阻值是各不相同的），若是测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；若是测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值过小或为通路，则说明管是坏的。
IGBT的检测方法
IGBT的检测要领之阳早格格创做IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也喊统制极大概门极)、集电极C(亦称漏极)及收射极E(也称源极)一、用指针式万用表对付场效力管举止判别（1）用测电阻法判别结型场效力管的电极根据场效力管的PN结正、反背电阻值纷歧样的局里，不妨判别出结型场效力管的三个电极.简直要领：将万用表拨正在R×1k档上，任选二个电极，分别测出其正、反背电阻值.当某二个电极的正、反背电阻值相等，且为几千欧姆时，则该二个电极分别是漏极D战源极S.果为对付结型场效力管而止，漏极战源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G.也不妨将万用表的乌表笔（白表笔也止）任性交战一个电极，另一只表笔依次去交战其余的二个电极，测其电阻值.当出现二次测得的电阻值近似相等时，则乌表笔所交战的电极为栅极，其余二电极分别为漏极战源极.若二次测出的电阻值均很大，道明是PN结的反背，即皆是反背电阻，不妨判决是N沟讲场效力管，且乌表笔接的是栅极；若二次测出的电阻值均很小，道明是正背PN 结，即是正背电阻，判决为P沟讲场效力管，乌表笔接的也是栅极.若没有出现上述情况，不妨变更乌、白表笔按上述要领举止尝试，直到判别出栅极为止.（2）用测电阻法判别场效力管的佳坏测电阻法是用万用表丈量场效力管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值共场效力管脚册标明的电阻值是可相符去判别管的佳坏.简直要领：最先将万用表置于R×10大概R×100档，丈量源极S与漏极D之间的电阻，常常正在几十欧到几千欧范畴（正在脚册中可知，百般分歧型号的管，其电阻值是各没有相共的），如果测得阻值大于仄常值，大概是由于里里交战没有良；如果测得阻值是无贫大，大概是里里断极.而后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无贫大，则道明管是仄常的；若测得上述各阻值太小大概为通路，则道明管是坏的.要注意，若二个栅极正在管内断极，可用元件代换法举止检测.（3）用感触旗号输人法估测场效力管的搁大本领简直要领：用万用表电阻的R×100档，白表笔接源极S，乌表笔接漏极D，给场效力管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值.而后用脚捏住结型场效力管的栅极G，将人体的感触电压旗号加到栅极上.那样，由于管的搁大效率，漏源电压VDS战漏极电流Ib皆要爆收变更，也便是漏源极间电阻爆收了变更，由此不妨瞅察到表针有较大幅度的晃动.如果脚捏栅极表针晃动较小，道明管的搁大本领较好；表针晃动较大，标明管的搁大本领大；若表针没有动，道明管是坏的.根据上述要领，咱们用万用表的R×100档，测结型场效力管3DJ2F.先将管的G极启路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用脚捏住G极后，表针背左晃动，指示的电阻RDS 为12kΩ，表针晃动的幅度较大，道明该管是佳的，并有较大的搁大本领.使用那种要领时要道明几面：最先，正在尝试场效力管用脚捏住栅极时，万用表针大概背左晃动（电阻值减小），也大概背左晃动（电阻值减少）.那是由于人体感触的接流电压较下，而分歧的场效力管用电阻档丈量时的处事面大概分歧（大概者处事正在鼓战区大概者正在没有鼓战区）所致，考查标明，普遍管的RDS删大，即表针背左晃动；少量管的RDS减小，使表针背左晃动.但是无论表针晃动目标怎么样，只消表针晃动幅度较大，便道明管有较大的搁大本领.第二，此要领对付MOS场效力管也适用.但是要注意，MOS场效力管的输人电阻下，栅极G允许的感触电压没有该过下，所以没有要间接用脚去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以预防人体感触电荷间接加到栅极，引起栅极打脱.第三，屡屡丈量完成，应当G-S极间短路一下.那是果为G-S结电容上会充有少量电荷，建坐起VGS电压，制成再举止丈量时表针大概没有动，惟有将G-S极间电荷短路搁掉才止.（4）用测电阻法判别无标记的场效力管最先用丈量电阻的要领找出二个有电阻值的管足，也便是源极S战漏极D，余下二个足为第一栅极G1战第二栅极G2.把先用二表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下去，对付调表笔再丈量一次，把其测得电阻值记下去，二次测得阻值较大的一次，乌表笔所接的电极为漏极D；白表笔所接的为源极S.用那种要领判别出去的S、D极，还不妨用估测其管的搁大本领的要领举止考证，即搁大本领大的乌表笔所接的是D极；白表笔所接天是8极，二种要领检测截止均应一般.当决定了漏极D、源极S的位子后，按D、S的对付应位子拆人电路，普遍G1、G2也会依次对付准位子，那便决定了二个栅极G1、G2的位子，进而便决定了D、S、G1、G2管足的程序.（5）用测反背电阻值的变更推断跨导的大小对付VMOSN 沟讲巩固型场效力管丈量跨导本能时，可用白表笔接源极S、乌表笔接漏极D，那便相称于正在源、漏极之间加了一个反背电压.此时栅极是启路的，管的反背电阻值是很没有宁静的.将万用表的欧姆档选正在R×10kΩ的下阻档，此时表内电压较下.当用脚交战栅极G时，会创制管的反背电阻值有明隐天变更，其变更越大，道明管的跨导值越下；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反背阻值变更没有大.二、场效力管的使用注意事项（1）为了仄安使用场效力管，正在线路的安排中没有克没有及超出管的耗集功率，最大漏源电压、最大栅源电压战最大电流等参数的极限值.（2）各典型场效力管正在使用时，皆要庄重按央供的偏偏置接人电路中，要按照场效力管偏偏置的极性.如结型场效力管栅源漏之间是PN结，N沟讲管栅极没有克没有及加正偏偏压；P沟讲管栅极没有克没有及加背偏偏压，等等.（3）MOS场效力管由于输人阻抗极下，所以正在输送、贮躲中必须将引出足短路，要用金属屏蔽包拆，以预防中去感触电势将栅极打脱.更加要注意，没有克没有及将MOS场效力管搁人塑料盒子内，保存时最佳搁正在金属盒内，共时也要注意管的防潮.（4）为了预防场效力管栅极感触打脱，央供十足尝试仪器、处事台、电烙铁、线路自己皆必须有良佳的接天；管足正在焊接时，先焊源极；正在连进电路之前，管的局部引线端脆持互相短接状态，焊接完后才把短接资料去掉；从元器件架上与下管时，应以适合的办法保证人体接天如采与接天环等；天然，如果能采与进步的气热型电烙铁，焊接场效力管是比较便当的，而且保证仄安；正在已闭断电源时，千万于没有成以把管插人电路大概从电路中拔出.以上仄安步伐正在使用场效力管时必须注意.（5）正在拆置场效力管时，注意拆置的位子要尽管预防靠拢收热元件；为了防管件振荡，有需要将管壳体紧固起去；管足引线正在蜿蜒时，应当大于根部尺寸5毫米处举止，以预防直断管足战引起漏气等.对付于功率型场效力管，要有良佳的集热条件.果为功率型场效力管正在下背荷条件下使用，必须安排足够的集热器，保证壳体温度没有超出额定值，使器件少久宁静稳当天处事.总之，保证场效力管仄安使用，要注意的事项是多种百般，采与的仄安步伐也是百般百般，广大的博业技能人员，特天是广大的电子快乐喜爱者，皆要根据自己的本质情况出收，采与确真可止的办法，仄安灵验天用佳场效力管.三、VMOS场效力管VMOS场效力管（VMOSFET）简称VMOS管大概功率场效力管，其齐称为V型槽MOS场效力管.它是继MOSFET之后新死少起去的下效、功率启闭器件.它没有但是继启了MOS场效力管输进阻抗下（≥μA安排），还具备耐压下（最下1200V）、处事电流大（1.5A～100A）、输出功率下（1～250W）、跨导的线性佳、启闭速度快等劣良个性.正是由于它将电子管与功率晶体管之便宜集于一身，果此正在电压搁大器（电压搁大倍数可达数千倍）、功率搁大器、启闭电源战顺变器中正赢得广大应用.VMOS 场效力功率管具备极下的输进阻抗及较大的线性搁大区等便宜，更加是其具备背的电流温度系数，即正在栅-源电压没有变的情况下，导通电流会随管温降下而减小，故没有存留由于“二次打脱”局里所引起的管子益坏局里.果此，VMOS管的并联得到广大应用.寡所周知，保守的MOS场效力管的栅极、源极战漏极大大概处于共一火仄里的芯片上，其处事电流基原上是沿火仄目标震动.VMOS管则分歧，从图1上不妨瞅出其二大结构个性:第一，金属栅极采与V型槽结构；第二，具备笔直导电性.由于漏极是从芯片的反里引出，所以ID没有是沿芯片火仄震动，而是自沉掺纯N+区（源极S）出收，通过P沟讲流进沉掺纯N-漂移区，末尾笔直背下到达漏极D.电流目标如图中箭头所示，果为流利截里积删大，所以能通过大电流.由于正在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，果此它仍属于绝缘栅型MOS 场效力管.海内死产VMOS场效力管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等.底下介绍检测VMOS管的要领.1．判决栅极G将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管足之间的电阻.若创制某足与其字二足的电阻均呈无贫大，而且接换表笔后仍为无贫大，则道明此足为G极，果为它战其余二个管足是绝缘的.2．判决源极S、漏极D由图1可睹，正在源-漏之间有一个PN结，果此根据PN结正、反背电阻存留好别，可辨别S极与D极.用接换表笔法测二次电阻，其中电阻值较矮（普遍为几千欧至十几千欧）的一次为正背电阻，此时乌表笔的是S极，白表笔接D极.3．丈量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，采用万用表的R ×1档，乌表笔接S极，白表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧.由于尝试条件分歧，测出的RDS（on）值比脚册中给出的典型值要下一些.比圆用500型万用表R×1档真测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W （典型值）.4．查看跨导将万用表置于R×1k（大概R×100）档，白表笔接S极，乌表笔接D极，脚持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明隐偏偏转，偏偏转愈大，管子的跨导愈下.注意事项：（1）VMOS管亦分N沟讲管与P沟讲管，但是绝大普遍产品属于N沟讲管.对付于P沟讲管，丈量时应接换表笔的位子.（2）有少量VMOS管正在G-S之间并有呵护二极管，原检测要领中的1、2项没有再适用.（3）暂时商场上另有一种VMOS管功率模块，博供接流电机调速器、顺变器使用.比圆好国IR公司死产的IRFT001型模块，里里有N沟讲、P沟讲管各三只，形成三相桥式结构.（4）当前市卖VNF系列（N沟讲）产品，是好国Supertex 公司死产的超下频功率场效力管，其最下处事频次fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小旗号矮频跨导gm=2000μS.适用于下速启闭电路战广播、通疑设备中.（5）使用VMOS管时必须加符合的集热器后.以VNF306为例，该管子加拆140×140×4（mm）的集热器后，最大功率才搞达到30W.（6）多管并联后，由于极间电容战分集电容相映减少，使搁大器的下频个性变坏，通过反馈简单引起搁大器的下频寄死振荡.为此，并联复合管管子普遍没有超出4个，而且正在每管基极大概栅极上串接防寄死振荡电阻.检测绝缘栅极单极型晶体管（IGBT）佳坏的浅易要领1、推断极性最先将万用表拨正在R×1KΩ挡，用万用表丈量时，若某一极与其余二极阻值为无贫大，变更表笔后该极与其余二极的阻值仍为无贫大，则推断此极为栅极（G）.其余二极再用万用表丈量，若测得阻值为无贫大，变更表笔后丈量阻值较小.正在丈量阻值较小的一次中，则推断白表笔接的为集电极（C）；乌表笔接的为收射极（E）.2、推断佳坏将万用表拨正在R×10KΩ挡，用乌表笔接IGBT的集电极（C），白表笔接IGBT的收射极（E），此时万用表的指针正在整位.用脚指共时触及一下栅极（G）战集电极（C），那时IGBT被触收导通，万用表的指针晃背阻值较小的目标，并能站住指示正在某一位子.而后再用脚指共时触及一下栅极（G）战收射极（E），那时IGBT被阻断，万用表的指针回整.此时即可推断IGBT是佳的.3、注意事项所有指针式万用表皆可用于检测IGBT.注意推断IGBT 佳坏时，一定要将万用表拨正在R×10KΩ挡，果R×1KΩ挡以下各档万用表里里电池电压太矮，检测佳坏时没有克没有及使IGBT导通，而无法推断IGBT的佳坏.此要领共样也不妨用于检测功率场效力晶体管（P-MOSFET）的佳坏.变频器、硬起动器、PLC、人机界里、矮压电器、电气自动化工程、恒压供火设备、音乐喷泉统制系统、变频器维建等.。
IGBT、晶闸管(可控硅)、MOS场效应管的测量
IGBT、晶闸管（可控硅)、MOS场效应管的测量IGBT好坏判断:将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。
用手指同时触及一下栅极(G）和漏极(D),这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极（G),这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。
此时即可判断IGBT 是好的。
注意:若进第二次测量时，应短接一下源极（S)和栅极（G）。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10K Ω挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏.场效应管好坏的简单判断:用机械万用表的R×1挡，红表笔接场效应管的漏极D，黑表笔接源极s,这时表针应该摆在中间位置，除这样测量有阻值以外，其余各脚问都不应该有阻值,然后交换表笔，黑表笔接D,红表笔接s，万用表置高阻挡(内部电池电压高),用左手的食指触摸一下G极,此时表针如果摆动到接近零位，说明场效应管是好的.晶闸管（可控硅）的好坏判断:1、将万用表拨在R×1Ω挡,黑笔接A（阳极)，红笔接K（阴极），指针不动；2、短接A(阳极）、G（控制极)，指针向右摆动，读数为几十Ω；3、断开导线，读数不变，指针保持不动；4、短接G（控制极)、K（阴极)，指针回归到原位置无穷大处。
场效应管的好坏判断：1、R×10KΩ档,黑笔接G，红笔接S，充电3秒，指针不动；2、黑笔接D，红笔接S，指针回摆到0Ω附近，说明触发成功;3、红笔接G，黑笔接S，指针在左边无穷大处；4、黑笔接D,红笔接S，指针在左边无穷大处，说明MOS管是好的。