晶闸管(可控硅)检测方法大全
可控硅的测量方法
可控硅的测量方法
可控硅（也称为晶闸管）是一种常见的电子器件，广泛应用于电力电子控制和调节领域。
为了确保可控硅的正常工作，需要准确测量其关键参数。
下面将介绍几种可控硅的测量方法。
1. 电流测量：可控硅的最重要参数之一是最大额定电流。
为了测量可控硅的电流，可以使用电流表或电流传感器。
通过将电流表或电流传感器与可控硅并联，可以直接测量通过可控硅的电流。
2. 电压测量：另一个重要参数是最大额定电压。
为了测量可控硅的电压，可以使用电压表或电压传感器。
通过将电压表或电压传感器与可控硅串联，可以直接测量可控硅的电压。
3. 触发电流测量：可控硅的触发电流是指使其从关断状态转换为导通状态所需的最小电流。
为了测量可控硅的触发电流，可以使用特定的触发电流测量电路。
该电路通过向可控硅施加一个小电流，并测量通过可控硅的电流来确定触发电流的大小。
4. 触发电压测量：可控硅的触发电压是指使其从关断状态转换为导通状态所需的最小电压。
为了测量可控硅的触发电压，可以使用触发电压测量电路。
该电路通过向可控硅施加一个小电流，并测量通过可控硅的电压来确定触发电压的大小。
5. 温度测量：可控硅在工作过程中会产生一定的发热量，因此温度测量是必要的。
可以使用温度传感器来测量可控硅的温度。
将温度传感器与可控硅连接，并通过读取传感器输出来确定可控硅的温度。
上述方法是常用的可控硅测量方法，可以帮助工程师评估可控硅的性能和健康状态。
通过准确测量可控硅的参数，可以确保其在电力电子应用中的可靠性和稳定性。
IGBT、晶闸管(可控硅)、MOS场效应管的测量
IGBT、晶闸管（可控硅)、MOS场效应管的测量IGBT好坏判断:将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。
用手指同时触及一下栅极(G）和漏极(D),这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极（G),这时IGBT 被阻断，万用表的指针回到无穷处。
此时即可判断IGBT 是好的。
注意:若进第二次测量时，应短接一下源极（S)和栅极（G）。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10K Ω挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏.场效应管好坏的简单判断:用机械万用表的R×1挡，红表笔接场效应管的漏极D，黑表笔接源极s,这时表针应该摆在中间位置，除这样测量有阻值以外，其余各脚问都不应该有阻值,然后交换表笔，黑表笔接D,红表笔接s，万用表置高阻挡(内部电池电压高),用左手的食指触摸一下G极,此时表针如果摆动到接近零位，说明场效应管是好的.晶闸管（可控硅）的好坏判断:1、将万用表拨在R×1Ω挡,黑笔接A（阳极)，红笔接K（阴极），指针不动；2、短接A(阳极）、G（控制极)，指针向右摆动，读数为几十Ω；3、断开导线，读数不变，指针保持不动；4、短接G（控制极)、K（阴极)，指针回归到原位置无穷大处。
场效应管的好坏判断：1、R×10KΩ档,黑笔接G，红笔接S，充电3秒，指针不动；2、黑笔接D，红笔接S，指针回摆到0Ω附近，说明触发成功;3、红笔接G，黑笔接S，指针在左边无穷大处；4、黑笔接D,红笔接S，指针在左边无穷大处，说明MOS管是好的。
晶闸管的检测方法
晶闸管的检测方法晶闸管是一种半导体器件，广泛应用于电力电子领域。
其正常工作状态对电力设备的性能和安全有着重要的影响。
晶闸管的检测工作也显得格外重要。
本文介绍了10种晶闸管的检测方法，并对每种方法进行了详细的描述。
1. 电参量测试法电参量测试法是晶闸管检测中最常用的方法之一。
该方法通过测试晶闸管在不同电压、电流下的电参量来评估晶闸管的性能情况。
典型的电参数测试包括正常导通电压、正常关断电流、反向电压、反向漏电流和门极触发电流。
正常导通电压和关断电流是晶闸管选择时最为关注的参量，它们直接影响到晶闸管的使用条件和应用场合。
反向漏电流和反向电压则关系到晶闸管的安全性能。
门极触发电流则是衡量晶闸管灵敏度的指标。
2. 静态伏安特性测试法静态伏安特性测试法是晶闸管测试中比较重要的一种方法。
该方法以电流、电压为测试对象，通过绘制伏安特性曲线来描述晶闸管的电性能。
伏安特性曲线可以显示出晶闸管在正向和反向偏置下的电压和电流关系，以及晶闸管的导通和关断特性。
通过对伏安特性曲线进行分析，可以评估晶闸管的起始触发电流、电压爬升斜率、保持电流和闸流等参数，从而判断晶闸管是否符合要求。
3. 双脉冲测试法双脉冲测试法是一种用于晶闸管动态特性测试的方法。
该方法通过给晶闸管施加两个短脉冲，以测试晶闸管的导通和关断特性。
测试时，需要使用一个高速存储示波器来记录晶闸管的电压和电流波形，然后对波形进行分析以得出晶闸管的各项参数。
双脉冲测试法可用于评估晶闸管的导通特性、关断特性、反向漏电流等参数。
4. 瞬态响应测试法瞬态响应测试法是一种用于测量晶闸管响应时间和响应速度的方法。
该方法可以测量导通时间、关断时间、反向恢复时间和反向恢复电压等参数。
测量时需要施加一定的电压和电流脉冲，以刺激晶闸管的响应，然后使用高精度的示波器记录波形，最后通过分析波形得出所需参数。
瞬态响应测试法可用于评估晶闸管的开关速度和压降等参数。
5. 电容电压测试法电容电压测试法是一种用于测量晶闸管反向电容和反向电压的方法。
晶闸管检测
电子测量方法与测量仪器9——晶闸管测量(2)晶闸管检测晶闸管也叫可控硅，是半导体器件的一个门类，有单向晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管、光控晶闸管、快速晶闸管等，主要用于可控整流和电力控制，在电器电路中也有广泛的应用，如用作各种交直流无触点开关、输出驱动和自动保护电路中的执行部件等。
本小节主要介绍使用万用表对普通中、小功率单向晶闸管和双向晶闸管，进行好坏判断和管脚识别的方法。
单向晶闸管：图（3-26）是单向晶闸管的内部结构示意和电路符号。
它是由四层半导体PNPN 叠合而成，形成三个PN 结（J1、J2、J3），a 为阳极、k 为阴极、g为控制极。
其电路符号概括了其基本功能，即相当于一个可以控制的二极管，g 为控制端：当触发电压Vgk=0时，a 与k 之间正反向均不通（关断）；当Vgk＞0 且高于规定的触发电压时，晶闸管开启，a 与k 之间相当于普通二极管的特性（单向导电）。
a 与k 之间的电压Vak 成为阳极电压，需要特别注意的是：当Vak＞0，并触发使其导通后，即使断开触发电压Vgk，a 与k 之间仍能继续维持导通状态，只有当阳极电压Vak 减少到很小（接近零）时，晶闸管才能恢复关断状态。
单向晶闸管的检测依据上述的特性进行，步骤如下：判别管脚：万用表置于[×10]或[×1]档，测量晶闸管任意两脚间的电阻，当指示为低阻值时，黑表笔所接的是控制极g，红表笔所接的是阴极k，余下的一个脚为阳极a，其他情况下阻值均应为无穷大，否则该管可能是坏的；触发检测：万用表置于[×10]或×1]档，将黑表笔接阳极a，红表笔接阴极k，万用表应指示为不通（零偏）；此时如果让控制极g 接触一下黑表笔，万用表应指示导通（接近满偏）；即使断开控制极g，只要阳极a 和阴极k 保持与表笔接触，就能一直维持导通状态。
如果上述测量过程不能顺利进行，说明该管是坏的。
双向晶闸管：双向晶闸管可以直接用于对交流电的控制，如交流电设备的无级调速、调光、恒温等控制。
各种晶闸管(可控硅)的检测方法
各种晶闸管(可控硅)的检测方法1．单向晶闸管的检测(1)判别各电极：根据普通晶闸管的构造可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A 与门极之间有两个反极性串联的PN结。
因此，通过用万用表的R×100或R×1 k Q档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。
具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。
假设测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ)，而另一次阻值为几百欧姆(Ω)，那么可判定黑表笔接的是门极G。
在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，假设两次测出的阻值均很大，那么说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。
也可以测任两脚之间的正、反向电阻，假设正、反向电阻均接近无穷大，那么两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。
普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。
例如：螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。
平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。
金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。
塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。
图1为几种普通晶闸管的引脚排列。
(2)判断其好坏：用万用表R×1 kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大(∞)；假设测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值均较小，那么说明晶闸管内部击穿短路或漏电。
测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果要较普通二极管的正、反向电阻值小一些)，即正向电阻值较小(小于2 kΩ)，反向电阻值较大(大于80 kΩ)。
假设两次测量的电阻值均很大或均很小，那么说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。
晶闸管检测方法
測試一
1. 首先識別管腳。
這三個管腳，一般指定為G（GATE），T1和T2。
（一經驗法則：最小的終端是GATE;中型為T1，T2的最大的是。
）
2. 小心地從電子板中移除可控矽。
如可控矽仍連接焊接式壓敏電阻器或緩衝線路，可能會令它保持在良好的條件。
3. 設置歐姆計, 先把它置零, 再把可讀範圍設置在約40歐姆。
4. 測量G到 T1的電阻值，請注意閱讀，然後把兩針調換再量度電阻值。
5. 在每一次測量，根據不同的型號，正常的阻值範圍將在10至200歐姆之間。
6. 接下來，把歐姆計設置到它的最高電阻範圍。
以下每個讀數應顯示無限：
a. 從 T1 到T2。
b. 從 T2的GATE
c. 從每個管腳到接地端子
注：這些數據都只是約數，且可能因製造商不同而有所差異
但一般來說，如量度結果和以上有顯著差異，將表示被測試的雙向可控矽是有缺陷的。
測試二
第二種方法是測試可控矽柵極的發射能力：
1. 從電子板中移除可控矽。
把歐姆計的可讀範圍設置在約50歐姆。
2. 把歐姆計的負指針置在T1上, 把正指針置在T2上。
3. 現在，用螺絲刀，同時接觸T2和GATE使兩者產生短暫短路。
這個短暫的接觸應把可控矽T1和T2導通, 從而使歐姆計量到約15至50歐姆。
4. 接著，把其中一支指針拿走，再重新連接。
歐姆計應顯示”無限” 。
5. 最後，把把兩針調換, 再重複測試。
結果應該是相同的。
• 如有任何不正常的測試結果, 表示雙向可控矽有缺陷的。
接最后：。
可控硅的检测方法.doc
可控硅(晶闸管)的检测方法2009-04-22 10:28:47 作者：佚名来源：电子之都浏览次数：77 网友评论1 条可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
1. 可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K 间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
可控硅测量方法
可控硅测量方法一、可控硅的基本概念及工作原理可控硅（SCR）是一种半导体器件，也称为晶闸管。
它由四个PN结组成，具有三个电极：阳极、阴极和门极。
在正向偏置下，只有一个PN 结被击穿，形成通道；而在反向偏置下，所有PN结都被截止。
当给门极施加一个正脉冲信号时，通道就会打开，在阳极和阴极之间形成一个电流通路。
二、可控硅测量方法1. 静态特性测量静态特性是指在固定的电压和温度条件下，测量SCR的电流-电压关系曲线。
这种测试需要使用直流电源和数字万用表等仪器。
首先将SCR 放入测试夹具中，并连接到直流电源上。
然后逐步增加阳极到阴极的电压，并记录相应的电流值。
最后将数据绘制成I-V曲线图。
2. 动态特性测量动态特性是指在变化的负载条件下，测量SCR的响应速度和稳定性。
这种测试需要使用脉冲发生器和示波器等仪器。
首先将SCR放入测试夹具中，并连接到脉冲发生器和示波器上。
然后在脉冲发生器中设置一个正脉冲信号，测量SCR的响应时间和保持电流。
最后将数据绘制成响应时间和保持电流的曲线图。
3. 热特性测量热特性是指在不同温度条件下，测量SCR的电流-电压关系曲线。
这种测试需要使用恒流源和数字万用表等仪器。
首先将SCR放入测试夹具中，并连接到恒流源和数字万用表上。
然后逐步增加阳极到阴极的电压，并记录相应的电流值。
最后将数据绘制成I-V曲线图。
4. 参数测量参数测量是指在实际应用中，测量SCR的关键参数，如触发电压、保持电流、耐压能力等。
这种测试需要使用特定的测试仪器和设备，例如触发电路测试仪、保持电流测试仪、耐压试验仪等。
三、可控硅测量方法注意事项1. 测试环境要求：可控硅测试需要在恒定的温度和湿度条件下进行，以确保测试结果准确可靠。
2. 测试前准备：在进行任何类型的可控硅测量之前，必须先检查测试设备和测试夹具是否正常工作，并确保测试仪器的精度和准确性。
3. 测试过程中的注意事项：在进行可控硅测量时，应特别注意防止静电干扰和过电流等问题。
可控硅的检测方法
可控硅的检测方法可控硅（SCR）的检测方法可以根据不同的应用场景和目标参数进行选择和设计。
下面我将介绍几种常见的可控硅检测方法。
1. 直流参数检测：可控硅通常应用于直流应用中，因此直流参数的检测是一种常见的方法。
直流参数检测主要包括静态特性和动态特性两方面。
静态特性检测主要包括元件的电压电流特性和阻抗特性。
可以通过连接合适的电压源和电流源，分别测量可控硅的电压和电流特性，并根据测量结果绘制出特性曲线。
阻抗特性可以通过测量电压和电流的相位差来得到。
动态特性检测主要包括可控硅的关断时间和导通时间等参数的测量。
可以通过输入一个方波信号来观察可控硅的导通和关断的时间，从而得到可控硅的动态特性。
2. 交流参数检测：有些应用场景下，可控硅用于控制交流电路中的功率。
这时候可以采用交流参数检测的方法来测试可控硅的性能。
交流参数检测主要包括可控硅的整流效率、导通角和关断角等参数的测量。
可以采用有源功率因数表等仪器，通过测量可控硅工作时的功率和电流，计算得到可控硅的整流效率。
导通角和关断角可以通过在可控硅上施加一个交流电压，然后测量可控硅导通和关断的时间来获得。
3. 温度检测：可控硅通常工作在高功率环境下，因此温度的检测非常重要。
过高的温度可能导致可控硅的性能下降或损坏。
温度检测可以采用非接触式温度传感器或接触式温度传感器。
非接触式温度传感器可以通过红外线或激光等方式测量可控硅的表面温度。
接触式温度传感器可以通过与可控硅直接接触来测量温度。
4. 故障检测：可控硅的故障检测主要包括断线、短路和漏电等问题的检测。
断线和短路的检测可以通过测量可控硅的电阻来得到。
电阻值过大或过小都可能意味着有问题。
漏电的检测可以通过测量输入和输出之间的电压差来得到。
如果有电压差存在，则说明可能存在漏电问题。
总结起来，可控硅的检测方法主要包括直流参数检测、交流参数检测、温度检测和故障检测等。
根据不同的应用场景和目标参数，可以选择适合的检测方法来评估可控硅的性能和可靠性。
万用表针对晶闸管的检测
万用表针对晶闸管的检测晶闸管是晶体闸流管（Thyristor）的简称，由于它是一种大功率开关型半导体器件，故又称为可控硅。
晶闸管是一种大功率半导体器件，它的出现使半导体元件由弱电领域扩展到强电领域。
最常用的晶闸管又分为单向晶闸管和双向晶闸管。
单向晶闸管又名可控硅整流器、晶体闸流管（Silicon Controlled Rectif ier，SCR），它是一种由PNPN四层半导体材料构成的三端半导体器件，三个引出电极的名称分别为阳极A、阴极K和门极G（又称栅极）。
单向晶闸管的阳极与阴极之间具有单向导电的性能，其内部电路可以等效为由一只PNP三极管和一只NPN三极管组成的组合管，如图1所示。
图1 单向晶闸管内部电路结构单向晶闸管的内部等效电路如图2所示。
图2 单向晶闸管的内部等效电路双向晶闸管（Triode AC Switch，TRIAC）是在单向晶闸管的基础上研制的一种新型半导体器件，它是由NPNPN五层半导体材料构成的三端半导体器件，其三个电极分别为主电极T1、主电极T2和门极G。
双向晶闸管的阳极与阴极之间具有双向导电的性能，其内部电路可以等效为两只普通晶闸管反相并联组成的组合管，双向晶闸管的内部等效电路如图3所示。
图3 双向晶闸管的内部等效电路1、用指针式万用表检测晶闸管先用R ×1或R ×10挡任测两个极之间的电阻值，若正、反向测指针均不动，可能是A、K极或G、A极（对单向晶闸管）也可能是T2、T1极或T2、G极（对双向晶闸管）。
若其中有一次测量指示数值为几十至几百欧，则为单向晶闸管。
且红表笔所接为阴极K，黑表笔接的为门极G，剩下即为阳极A。
若正、反向测指示的数值均为几十至几百欧，则为双向晶闸管。
其中必有一次阻值稍大，阻值稍大的一次红表笔接的为门极G，黑表笔所接为主电极T1，余下是主电极T2。
2、用数字式万用表检测晶闸管将数字式万用表拨至二极管挡，红表笔固定任接某个引脚，用黑表笔依次接触另外两个引脚，如果在两次测试中，一次显示值小于1V，另一次显示溢出符号“0.L”或“1”（视不同的数字式万用表而定），表明红表笔接的引脚不是阴极K（单向晶闸管）就是主电极T2（双向晶闸管）。
可控硅的检测方法小结
1.单向可控硅的检测万用表选用电阻r×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑笔接的引脚为节制极g,红笔接的引脚为阴极k,另一空脚为阳极a。
此时将黑表笔接已判断了的阳极a,红表笔仍接阴极k。
此时万用表指针应不动。
用短接线瞬间短接阳极a和节制极g,此时万用表指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。
如阳极a接黑表笔,阴极k接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
2.双向可控硅的检测用万用表电阻r×1档,用红黑两表笔分别测任意两引脚正反向电阻,成果其中两组读数为无限大。
若一组为数十欧姆时,该组红黑表笔所接的两引脚为第一阳极a1和节制极g,另一空脚即为第二阳极a2。
确定a、g极后,再细心测量a1、g极间正反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极a1,红表笔所接引脚为节制极g。
将黑表笔接已确定了的第二阳极a2,红表笔接第一阳极a1,此时万用表指针应不发生偏转,阻值为无限大。
再用短接线将a2、g极瞬间短接,给g极加之正向触发电压,a2、a1间阻值约为10欧姆左右。
随后断开a2、g极短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红黑表笔接线,红表笔接第二阳极a2,黑表笔接第一阳极a1。
一样万用表指针应不发生偏转,阻值为无限大。
用短接线将a2、g极间再次瞬间短接,给g极加之负向的触发电压,a1、a2间阻值也是10欧姆左右。
随后断开a2、g极间短接线,万用表读数应不变,保持10欧姆左右。
符合以上规律,说明被测双向可控硅管未损坏且3个引脚极性判断不错。
检测较大功率可控硅管是地,需要在万用表黑笔中串接一节1.5v电池,以提高触发电压。
双向可控硅又称为双向晶闸管普通晶闸管(vs)实质上属于直流节制器件。
要节制交流负载,必须将两只晶闸管反极性并联,让每只scr节制一个半波,为此需两套独立的触发电路,使用不敷方便。
双向晶闸管是在普通晶闸管的根蒂根基上成长而成的,它不仅能代替两只反极性并联的晶闸管,而且仅需一个触发电路,是目前比较理想的交流开关器件。
判断晶闸管好坏的简易方法
判断晶闸管好坏的简易方法
1 晶闸管的介绍
晶闸管是一种控制电流的电子元件。
它有一对PN结叠在一起，能够实现从晶体到阳极的电流的控制，因此在控制交流电压大小，调节负载功率等方面被广泛应用。
2 晶闸管的损坏原因
晶闸管会因为过电压，过电流，过热等原因而损坏。
在日常使用中也可能因为出厂质量问题，拼装质量差等原因出现损坏。
所以判断晶闸管的好坏非常必要。
3 使用万用表进行测试
我们可以通过万用表来检测晶闸管的好坏。
将万用表调到二极管（diode）测值模式（或线路由万用表正极连接晶闸管的阳极，负极连接阴极，然后读取反向电压），在晶闸管的阳极和阴极上进行测试。
这个测试过程就是将晶闸管正向极性和反向极性分别进行测试，通过测试的结果判断晶闸管是否正常工作。
如果测量到的结电压在规定的范围内，说明晶闸管正常工作。
如果测量值为无穷大或接近于零，则可以判断晶闸管已经损坏。
4 使用集成电路测试仪进行测试
对于一些规模较大的电子设备，使用万用表测试晶闸管不是一个十分高效的方式。
这时候，可以使用专门的集成电路测试仪来检测晶
闸管的好坏。
集成电路测试仪具有自动测试操作和测试结果输出等优点，对于大批量检测晶闸管的需求是比较高效的。
5 总结
判断晶闸管好坏虽然可以通过自动测试仪等专业工具来完成，但是在日常维修中，使用普通的万用表也可以进行简单的检测。
只需要准确地测试晶闸管的正反向电压，就能得出晶闸管工作正常与否的结论。
在实际操作中，还需要注意电气安全问题，确保操作人员安全。
双向晶闸管好坏及触发能力检测方法
双向晶闸管(可控硅)的电极,好坏及触发能力检测方法(1)判别各电极：用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值，若测得某一管脚与其他两脚均不通，则此脚便是主电极T2。
找出T2极之后，剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。
测量这两脚之间的正、反向电阻值，会测得两个均较小的电阻值。
在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中，黑表笔接的是主电极T1，红表笔接的是门极G。
螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为主电极T1。
金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。
塑封(TO—220)双向晶闸管的中间引脚为主电极T2，该极通常与自带小散热片相连。
图5是几种双向晶闸管的引脚排列。
(2)判别其好坏：用万用表R×1或R×10档测量双向晶闸管的主电极T1与主电极T2之间、主电极T2与门极G之间的正、反向电阻值，正常时均应接近无穷大。
若测得电阻值均很小，则说明该晶闸管电极问已击穿或漏电短路。
测量主电极T1与门极G之问的正、反向电阻值，正常时均应在几十欧姆(Ω)至一百欧姆(Ω)之间(黑表笔接T1极，红表笔接G极时，测得的正向电阻值较反向电阻值略小一些)。
若测得T1极与G极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该晶闸管已开路损坏。
(3)触发能力检测：对于工作电流为8 A以下的小功率双向晶闸管，可用万用表R×1档直接测量。
测量时先将黑表笔接主电极T2，红表笔接主电极T1，然后用镊子将T2极与门极G 短路，给G极加上正极性触发信号，若此时测得的电阻值由无穷大变为十几欧姆(Ω)，则说明该晶闸管已被触发导通，导通方向为T2→T1。
再将黑表笔接主电极T1，红表笔接主电极T2，用镊子将T2极与门极G之间短路，给G极加上负极性触发信号时，测得的电阻值应由无穷大变为十几欧姆，则说明该晶闸管已被触发导通，导通方向为T1→T2。
可控硅的检测方法
可控硅的检测方法
可控硅（或称为双向可控硅、双向晶闸管）是一种电子元件，用于控制交流电流的流动。
为了确保可控硅的正常工作和可靠性，常需要进行以下几种常用的检测方法：
1. 静态电压检测：使用数字万用表或示波器测量可控硅上的正向和反向电压，以确保其在正常工作范围内。
正向电压通常应小于可控硅的额定电压。
2. 静态电流检测：使用数字电流表或示波器检测可控硅的正向和反向电流，以确保其在正常工作范围内。
正向电流应小于可控硅的额定电流。
3. 触发电流检测：通过施加一个正向触发电流来测试可控硅是否能正常触发。
触发电流应小于可控硅的额定触发电流。
4. 动态特性检测：使用示波器观察可控硅在不同触发角和负载条件下的电压和电流波形，以确定其动态响应和工作状态。
5. 温度测试：通过红外测温仪或接触式温度计测量可控硅的温度，以确保其不会过热并影响性能。
这些检测方法可以帮助判断可控硅的工作状态和健康程度，以便于及时进行维修或更换。
然而，在进行任何检测之前，应确保在实验室、车间或其他适当的环境
条件下进行，以避免可能的危险或损坏。
各种晶闸管(可控硅)的检测方法
各种晶闸管(可控硅)的检测方法1．单向晶闸管的检测(1)判别各电极：根据普通晶闸管的结构可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A 与门极之间有两个反极性串联的PN结。
因此，通过用万用表的R×100或R×1 k Q档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。
具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。
若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ)，而另一次阻值为几百欧姆(Ω)，则可判定黑表笔接的是门极G。
在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。
也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。
普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。
例如：螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。
平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。
金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。
塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。
图1为几种普通晶闸管的引脚排列。
(2)判断其好坏：用万用表R×1 kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大(∞)；若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值均较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。
测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果要较普通二极管的正、反向电阻值小一些)，即正向电阻值较小(小于2 kΩ)，反向电阻值较大(大于80 kΩ)。
若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。
判断晶闸管好坏的简易方法
判断晶闸管好坏的简易方法晶闸管是一种常见的电子元件，它可以实现电流的控制和开关。
在电路中，晶闸管的使用非常广泛，但是在长期使用过程中，晶闸管也会出现损坏的情况。
那么，如何判断晶闸管的好坏呢？本文将介绍一些简易方法，供读者参考。
一、外观检查法首先，我们可以通过外观检查法来判断晶闸管的好坏。
晶闸管的外观通常是黑色或灰色的，表面有一些金属引脚。
如果晶闸管外观有明显的损坏，比如表面有明显的划痕、裂纹、变形等，那么这个晶闸管很可能已经损坏了。
此外，我们还可以通过观察晶闸管引脚的接触情况来判断晶闸管是否好坏。
如果引脚松动或者接触不良，那么晶闸管的工作效果也会受到影响。
因此，我们可以轻轻摇晃晶闸管，看看引脚是否牢固，以此来判断晶闸管的好坏。
二、电压测试法除了外观检查法，我们还可以通过电压测试法来判断晶闸管的好坏。
晶闸管在工作时需要承受一定的电压，因此我们可以通过测试晶闸管的电压来判断它的好坏。
在测试时，我们需要将晶闸管与电路分离开来，然后用万用表测试晶闸管的导通情况。
首先，将万用表的电压档位调整到正常电压范围内，然后将测试笔分别接到晶闸管的两个引脚上。
如果晶闸管导通，那么万用表将显示电压；如果晶闸管不导通，那么万用表将不显示电压。
通过这种方法，我们可以初步判断晶闸管的好坏。
三、电流测试法除了电压测试法，我们还可以通过电流测试法来判断晶闸管的好坏。
晶闸管在工作时需要承受一定的电流，因此我们可以通过测试晶闸管的电流来判断它的好坏。
在测试时，我们需要将晶闸管与电路分离开来，然后用万用表测试晶闸管的电流情况。
首先，将万用表的电流档位调整到正常电流范围内，然后将测试笔分别接到晶闸管的两个引脚上。
如果晶闸管导通，那么万用表将显示一定的电流；如果晶闸管不导通，那么万用表将不显示电流。
通过这种方法，我们可以初步判断晶闸管的好坏。
四、温度测试法除了以上三种方法，我们还可以通过温度测试法来判断晶闸管的好坏。
晶闸管在工作时会产生一定的热量，因此我们可以通过测试晶闸管的温度来判断它的好坏。
可控硅检测方法
可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
可控硅的特性可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
晶闸管检测方法与技巧。
晶闸管检测方法与技巧。
一、判断晶闸管是单向晶闸管还是双向晶闸管通常我们认为判断晶闸管是单向晶闸管还是双向晶闸管，用万用表Rx1量程进行测量，分别测量晶闸管的任意两个管脚之间的正反向电阻，其中有两个脚，有正反向特性的是单向晶闸管。
两个管脚正反向电阻差不多大小的是双向晶闸管。
但此方法对于判断大功率可控硅将产生误判，例如常用的KP20A型晶闸管，通过测量可知该管的G、K之间并没有正反向特性，而显示100Ω左右的阻值，若根据以上方法进行判断，它应为双向晶闸管，其实大家都知道KP20A为单向晶闸管，显然产生了误判。
通过仔细测量双向晶闸管T1、G之间的电阻和大功率单向晶闸管的G、K之间的电阻可以发现，双向晶闸管的T1、G之间的电阻为非线性电阻，是由晶闸管内部的PN结产生的电阻，而像KP20A这样的大功率晶闸管G、K测量出的电阻为线性电阻，根据以上分析我们可以用万用表的Rx1、Rx10分别测量两次电阻，因为双向晶闸管T1、G之间电阻是非线性电阻，它的阻值大小是变化的，测量结果如图1所示，而大功率单向晶闸管G、K的阻值是线性电阻所以两次测量基本相同，测量结果如图2所示。
根据以上测量，我们判断晶闸管是单向晶闸管还是双向晶闸管时，两个管脚之间有正反向特性的是单向晶闸管。
两个阻止差不多大小的宜采用Rx10量程再判断一次，阻值不变的是单向晶闸管，阻值变化较大的是双向晶闸管，这样就可以确保判断的准确性。
二、判断单向晶闸管管脚对于小功率单向晶闸管，用模拟万用表Rx1量程或数字万用表量程进行测量，分别测量每个管脚和另外两个管脚的正反向电阻，其中有一个管脚对另外两个管脚的正反向电阻都是无穷大，则该管脚是阳极(A)。
其它两个管脚之间有一个PN结有正反向特性，当万用表黑表笔接K红表笔接G时不导通，如图3所示:当万用表黑表笔接G、红表笔接K时导通，如图4所示。
对于大功率晶闸管，可以从封装形式上直接区分管脚，常用大功率晶闸管管脚排列如图5所示。
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晶闸管(可控硅)检测方法大全
可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点。
它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。
确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。
将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时立创商城万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。
随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。
互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。
同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。
用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。
随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。
符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
.晶闸管(可控硅)的管脚判别
晶闸管管脚的判别可用下述方法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。
再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。