BT138-600E 可控硅、晶闸管
bt136 600e可控硅参数
bt136 600e可控硅参数BT136 600E三端双向可控硅(TRIAC)是一个三端子五层功率半导体器件,它包括一个受控的SC对,以相反的并联方法连接在类似的IC上。
由于BT136 600E在两个方向上传导电流,因此称为双向器件。
据了解,BT136 600E使用4A等最大终端电流和更低的栅极阈值电压,因此可以通过数字电路驱动。
它是具有双向功能的开关器件,经常用于基于AC的开关应用。
因此,如果希望通过微处理器或微控制器控制使用低于6A的交流负载,那么BT136 600E可控硅应该适合你。
其实,像BT136 600E这样的特殊半导体器件代替了可控硅结构,实现了双向控制。
这是一种双向开关设备,用于准确高效地控制交流电源。
因此,它们经常用于交流电路、电机速度控制器、调光器、压力控制系统和其他交流控制设备。
引脚配置BT136 600E TRIAC引脚配置如下图所示:Pin1(主端子1):此端子连接到交流电源的中性线/相位Pin2(主端子2):此端子连接到交流电源的中性线或相位Pin3(Gate):此端子用于激活可控硅特性和规格BT136 600E TRIAC主要特性和规格包括以下内容:通过端子的最大供电电流为4A导通栅极电压为1.4V栅极触发电流为10mA最大端电压为600V保持电流为2.2mA锁存电流为4mA可用的包是To-220等效的BT136 600E TRIAC是BTA08-600B,替代的BT136 600E TRIAC是BTA16、Q4008、BT139和BT169。
使用注意事项使用BT136 600E TRIAC时需要采取以下预防措施。
处理交流电压的TRIAC电路的设计必须非常小心。
使用TRIAC的电路面临一些称为速率效应的效应,因为一旦TRIAC器件正常切换并且在任何端子上发生突然的高压以损害TRIAC,就会发生这种效应。
因此可以通过缓冲电路将其忽略。
还有一个额外的影响,即由于TRIAC的两个端子(如MT1和MT2)之间的累积电容而发生的反向间隙效应。
(完整版)双向可控硅选型表
双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端:TRIode(取前三个字母)交流半导体开关:AC-semiconductor switch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”,或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
另:双向:Bi-directional(取第一个字母)控制:Controlled (取第一个字母)整流器:Rectifier (取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”,中文译意:双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM 等等。
--------------双向:Bi-directional (取第一个字母)三端:Triode (取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”,也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如:意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司,均以此来命名双向可控硅.代表型号如:PHILIPS 的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。
这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅;Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的,通常是指三象限的双向可控硅。
三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。
-------------------而意法ST公司,则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号,并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。
组成:“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号,如:四象限、绝缘型、双向可控硅:BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等;四象限、非绝缘、双向可控硅:BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等;ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的,均为“三象限双向可控硅”。
BT138双向可控硅
UTC BT138TRIACUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.1QW-R401-002,ATRIACS LOGIC LEVELDESCRIPTIONPassivated triacs in a plastic envelope, intended for use in applications requiring high bidirectional transient and blocking voltage capability and high thermal cycling performance. Typical applications include motor control, industrial and domestic lighting, heating voltages and static switching .SYMBOLG1:MT1 2:MT2 3:GATEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Tj=25°C)PARAMETER SYMBOL RATINGUNITRepetitive Peak Off State VoltageBT138-600 BT138-800 V DRM600800V RMS On-state Current (Full sine wave; Tmb ≤99°C)I T(RMS) 12 ANon-repetitive Peak. On-State Current (Full sine wave; Tj =25°C prior to surge) t=20ms t=16.7ms I TSM95105AI 2t For Fusing (t=10ms) I 2t 45 A 2s Repetitive Rate of Rise of On-state Current after Triggering (I TM =20A;I G =0.2A; dI G /dt=0.2A/µs) T2+G+T2+G-T2-G-T2-G+dI T /dt50 50 50 10 A/µsPeak Gate Voltage V GM 5 V Peak Gate Current I GM 2 A Peak Gate Power P GM 5 W Average Gate Power P G(AV) 0.5 W Operating Junction Temperature Tj 125 °C Storage Temperature Tstg -40~150 °C *Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15A/µs.UTC BT138TRIACUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.2QW-R401-002,ATHERMAL RESISTANCESPARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITThermal Resistance, Junction to Mounting BaseFull cycle Half cycleR θj-mb1.52.0°C /WThermal Resistance, Junciton to Ambient In free airR θj-a60 - °C /WSTATIC CHARACTERISTICS (Tj=25°C,unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITGate Trigger CurrentT2+G+ T2+G- T2-G- T2-G+ I GT V D =12V, I T =0.1A5 8 10 12 35 35 35 70 mA Latching CurrentT2+G+ T2+G- T2-G- T2-G+ I L V D =12V, I GT =0.1A7 20 8 10 40 60 40 60mA Holding Current I H V D =12V, I GT =0.1A 6 30 mA On-State Voltage V TI T =15A 1.4 1.65 V Gate Trigger VoltageV GT V D =12V, I T =0.1AV D =400V, I T =0.1A, Tj=125°C 0.250.7 0.41.5VOff-state Leakage Current I DV D =V DRM(max) , Tj=125°C0.1 0.5 mADYNAMIC CHARACTERISTICS (Tj=25°C,unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITCritical Rate Of Rise Of Off-StateVoltage dV D /dt V DM =67% V DRM(max), Tj=125°C Exponential waveform, Gate open circuit100 250 V/µsCritical Rate Of Change Of Commutating Voltage dV com /dt V DM =400V,Tj=95°C, I T(RMS)=12A dl com /dt =5.4A/ms, Gate open circuit20 V/µsGate Controlled Turn-on TimetgtI TM =16A, V D =V DRM(max), I G =0.1A dI G /dt=5A/µs2 µsUTC BT138TRIACUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.3QW-R401-002,ATYPICAL CHARACTERISTICS5Figure 1.Maximum on -state Dissipation.Ptot vs RMS On-state Current,I T(RMS),W here α=conduction Angle.Figure 4.Maximum Permissible RMS Current I T(RMS)vs mounting baseTemperature T m b Number of Cycles at 50HzTj/℃UTC BT138TRIACUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.4QW-R401-002,AFigure 10.Typical and MaximumOn-state Characteristic120Figure 7.Normalised Gate Trigger Current I GT (Tj)/I GT (25℃),vs Junction Temperature TjI GT (Tj )0Tj/℃Tj/℃UTC BT138 TRIACUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 5QW-R401-002,A。
BT138-800E中文资料
CONDITIONS
Rth j-mb Rth j-a
Thermal resistance
full cycle
junction to mounting base half cycle
Thermal resistance
in free air
junction to ambient
MIN.
-
TYP.
60
MAX.
IT(RMS) / A 25
BT138
20
15
10
5
0
0.01
0.1
1
10
surge duration / s
Fig.5. Maximum permissible repetitive rms on-state current IT(RMS), versus surge duration, for sinusoidal
3 gate
tab main terminal 2
1 23
G
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
VDRM IT(RMS) ITSM I2t dIT/dt
MIN. -
-
TYP. MAX. UNIT
50
- V/µs
2
-
µs
September 1997
2
Rev 1.200
元器件交易网
Philips Semiconductors
Triacs sensitive gate
常用可控硅资料
序号产品型号电流电压触发电流封装形式1 BTA02-600 2A 600V TO-922 BTA03-600 2A 600V TO-126/ML3 BTN03-600 2A 600V TO-126/ML4 BTA16600B 16A 600V 35~50mA TO-220AB/FP5 BTF06-800 6A 800V 5~10mA TO-220AB/FP6 MCR100-6 1A 600V 10~30uA TO-927 MCR100-8 1A 800V 10~30uA TO-928 2P4M 2A 400V 10~30uA TO-2029 2P6M 2A 600V 10~30uA TO-20210 JCT05 5A 600V 5~10mA TO-202AB11 BT151 8A 600V 5~10mA TO-220AB12 BT169 1A 600V 10~50uA TO-9213 CT10 10A 600V 8~15mA TO-220AB/FP14 CT12 12A 600V 8~15mA TO-220AB/FP15 CT16 16A 600V 8~15mA TO-220AB/FP16 CT20 20A 600V 10~20mA TO-220AB/FP17 MAC97A6 1A 400V 1~5mA TO-9218 MAC97A8 1A 600V 1~5mA TO-9219 MAC223A6 1A 400V 50mA TO-220AB20 MAC223A8 1A 600V 50mA TO-220AB21 MAC223A8X 1A 600V 50mA SOT186A22 BT131-400D 1A 400V 1~5mA TO-9223 BT131-400E 1A 400V 5~10mA TO-9224 BT131-600D 1A 600V 1~5mA TO-9225 BT131-600E 1A 400V 5~10mA TO-9226 BT132-400D 1A 400V 1~5mA TO-9227 BT132-400E 1A 400V 5~10mA TO-92序号产品型号电流电压触发电流封装形式28 BT132-600D 1A 600V 1~5mA TO-9229 BT132-600E 1A 400V 5~10mA TO-9230 BT134-400D 4A 400V 1~5mA TO-126ML31 BT134-400E 4A 600V 5~10mA TO-126ML32 BT134-600D 4A 600V 1~5mA TO-126ML33 BT134-600E 4A 600V 5~10mA TO-126ML34 BT134-600D 4A 600V 1~5mA SOT8235 BT134-600E 4A 600V 5~10mA SOT8236 BT134-800D 4A 800V 1~5mA SOT8237 BT134-800E 4A 800V 5~10mA SOT8238 BT136-400D 4A 400V 1~5mA TO-220AB39 BT136-400E 4A 400V 5~10mA TO-220AB40 BT136-600D 4A 600V 1~5mA TO-220AB41 BT136-600E 4A 600V 5~10mA TO-220AB42 BT136-800D 4A 800V 1~5mA TO-220AB43 BT136-800E 4A 800V 5~10mA TO-220AB44 BT137-400D 8A 400V 1~5mA TO-220AB45 BT137-400E 8A 400V 5~10mA TO-220AB46 BT137-600D 8A 600V 1~5mA TO-220AB47 BT137-600E 8A 600V 5~10mA TO-220AB48 BT137-800D 8A 800V 1~5mA TO-220AB49 BT137-800E 8A 800V 5~10mA TO-220AB50 BT137X-600 8A 600V 35mA TO-220FP51 BT137X-600D 8A 600V 5mA TO-220FP52 BT137X-600F 8A 600V 25mA TO-220FP53 BT137X-800 8A 800V 35mA TO-220FP54 BT137X-600E 8A 600V 10mA TO-220FP序号产品型号电流电压触发电流封装形式55 BT137X-800E 8A 600V 10mA TO-220FP56 BT137-600F 8A 600V 25mA TO-220AB57 BT137-600D 8A 600V 5mA TO-220AB58 BT137-600E 8A 600V 10mA TO-220AB59 BT137-800E 8A 600V 10mA TO-220AB60 BT137-600F 8A 600V 25mA TO-220AB61 BT138-400D 12A 400V 1~5mA TO-220AB62 BT138-400E 12A 400V 5~10mA TO-220AB63 BT138-600D 12A 600V 1~5mA TO-220AB64 BT138-600E 12A 600V 5~10mA TO-220AB65 BT138-600F 12A 600V 25mA TO-220AB66 BT138-800D 12A 800V 1~5mA TO-220AB67 BT138-800E 12A 800V 5~10mA TO-220AB68 BT138-800F 12A 800V 25mA TO-220AB69 BT138X-600 12A 600V 35mA TO-220FP70 BT138X-600F 12A 600V 25mA TO-220FP71 BT138X-800 12A 800V 35mA TO-220FP72 BT138X-800F 12A 800V 25mA TO-220FP73 BT139X-600 16A 600V 35mA TO-220FP74 BT139X-600F 16A 600V 25mA TO-220FP75 BT139X-800 16A 800V 35mA TO-220FP76 BT139-600 16A 600V 35mA TO-220AB77 BT139-600F 16A 600V 25mA TO-220AB78 BT139-800 16A 800V 35mA TO-220AB79 BT139-800F 16A 800V 25mA TO-220AB80 BT139-800G 16A 800V 50m TO-220AB81 BT139-600F 16A 600V 25mA TO-220AB序号产品型号电流电压触发电流封装形式82 BT139-600G 16A 600V 50m TO-220AB83 BT139-600D 16A 600V 1~5mA TO-220AB84 BT139-600E 16A 600V 5~10mA TO-220AB85 BT139-800D 16A 800V 1~5mA TO-220AB86 BT139-800E 16A 800V 5~10mA TO-220AB87 BT139-800F 16A 800V 25mA TO-220AB88 BT139-800G 16A 800V 50m TO-220AB89 BT151-500R 12A 500V 2~15mA TO-220AB90 BT151-650R 12A 650V 2~15mA TO-220AB91 BT151-800R 12A 800V 2~15mA TO-220AB92 BT152 20A 800V 32mA TO-220AB93 BTA140-600 25A 600V 35mA TO-220AB94 BTA140-800 25A 800V 35mA TO-220AB95 BTA140B-500 25A 500V 35mA SOT-40496 BTA140B-600 25A 600V 35mA SOT-40497 BTA140B-800 25A 800V 35mA SOT-40498 BT145-800R 25A 800V 35mA TO-220AB99 BT148W-600R 1A 600V 0.2mA SOT223 100 BT148-400R 4A 400V 0.2mA SOT82 101 BT148-500R 4A 500V 0.2mA SOT82 102 BT148-600R 4A 600V 0.2mA SOT82 103 BT150-500R 4A 500V 0.2mA TO-220AB 104 BT150S-600R 4A 600V 0.2mA TO-252/D-PAK 105 BTA151-650R 12A 650V 4mA SOT82 106 BT151-500R 12A 500V 15mA TO-220AB 107 BT151-650R 12A 650V 15mA TO-220AB 108 BT151-800R 9A 800V 15mA TO-220AB序号产品型号电流电压触发电流封装形式109 BT151X-500R 12A 500V 15mA TO-220FP 110 BT151X-650R 12A 650V 15mA TO-220FP 111 BT151X-800R 12A 800V 15mA TO-220FP 112 BT151S-500R 12A 500V 15mA TO-252/D-PAK 113 BT151S-650R 12A 650V 15mA TO-252/D-PAK 114 BT151S-800R 12A 800V 15mA TO-252/D-PAK 115 BT151B-500R 12A 500V 15mA TO-263/D2-PAK 116 BT151B-650R 12A 650V 15mA TO-263/D2-PAK 117 BT151B-800R 12A 800V 15mA TO-263/D2-PAK 118 BT151F-500R 9A 500V 15mA SOT-186 119 BT152-400R 20A 400V 32mA TO-220AB 120 BT152-600R 20A 600V 32mA TO-220AB 121 BT152-800R 20A 800V 32mA TO-220AB 122 BT152X-400R 20A 400V 32mA TO-220FP 123 BT152X-600R 20A 600V 32mA TO-220FP 124 BT152X-800R 20A 800V 32mA TO-220FP 125 BT152B-400R 20A 400V 32mA TO-263/D2-PAK 126 BT152B-600R 20A 600V 32mA TO-263/D2-PAK 127 BT152B-800R 20A 800V 32mA TO-263/D2-PAK 128 BTA204-600D 4A 600V 5mA TO-220AB 129 BTA204-600E 4A 600V 10mA TO-220AB 130 BTA204-600F 4A 600V 25mA TO-220AB 131 BTA204-800E 4A 800V 10mA TO-220AB 132 BTA204-600B 4A 600V 50mA TO-220AB 133 BTA204-600C 4A 600V 35mA TO-220AB 134 BTA204S-600B 4A 600V 50mA TO-252/D-PAK 135 BTA204S-600C 4A 600V 35mA TO-252/D-PAK序号产品型号电流电压触发电流封装形式136 BTA204S-600D 4A 600V 5mA TO-252/D-PAK 137 BTA204S-600E 4A 600V 10mA TO-252/D-PAK 138 BTA204S-600F 4A 600V 25mA TO-252/D-PAK 139 BTA204W-600D 1A 600V 5mA SOT223 140 BTA204W-600E 1A 600V 10mA SOT223 141 BTA204W-600F 1A 600V 25mA SOT223 142 BTA204W-600B 1A 600V 50mA SOT223 143 BTA204W-600C 1A 600V 35mA SOT223 144 BTA204X-600D 4A 600V 5mA TO-220FP 145 BTA204X-600E 4A 600V 10mA TO-220FP 146 BTA204X-600F 4A 600V 25mA TO-220FP 147 BTA208X-600D 8A 600V 5mA TO-220FP 148 BTA208X-600E 8A 600V 10mA TO-220FP 149 BTA208X-600F 8A 600V 25mA TO-220FP 150 BTA208X-800E 8A 800V 10mA TO-220FP 151 BTA208-600D 8A 600V 5mA TO-220AB 152 BTA208-600E 8A 600V 10mA TO-220AB 153 BTA208-600F 8A 600V 25mA TO-220AB 154 BTA208-600B 8A 600V 50mA TO-220AB 155 BTA208-800B 8A 800V 50mA TO-220AB 156 BTA208S-600B 8A 600V 50mA TO-252/D-PAK 157 BTA208S-800B 8A 800V 50mA TO-252/D-PAK 158 BTA208S-600D 8A 600V 5mA TO-252/D-PAK 159 BTA208S-600E 8A 600V 10mA TO-252/D-PAK 160 BTA208S-600F 8A 600V 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600V 5~10mA TO-220AB 314 BTB06-700B 6A 700V 35~50mA TO-220AB 315 BTB06-700BW 6A 700V 50mA TO-220AB 316 BTB06-700C 6A 700V 25mA TO-220AB 317 BTB06-700CW 6A 700V 35mA TO-220AB 318 BTB06-700SW 6A 700V 10mA TO-220AB 319 BTB06-700TW 6A 700V 5mA TO-220AB 320 BTB06-700E 6A 700V 5~10mA TO-220AB 321 BTB06-700D 6A 700V 1~5mA TO-220AB 322 BTB06-700SAP 6A 700V 5~10mA TO-220AB 323 BTB06-800B 6A 800V 35~50mA TO-220AB 324 BTB06-800BW 6A 800V 50mA TO-220AB序号产品型号电流电压触发电流封装形式325 BTB06-800C 6A 800V 25mA TO-220AB 326 BTB06-800CW 6A 800V 35mA TO-220AB 327 BTB06-800SW 6A 800V 10mA TO-220AB 328 BTB06-800TW 6A 800V 5mA TO-220AB 329 BTB06-800E 6A 800V 5~10mA TO-220AB 330 BTB06-800D 6A 800V 1~5mA TO-220AB 331 BTB06-800SAP 6A 800V 5~10mA TO-220AB 332 BTA08-400B 8A 400V 35~50mA TO-220AB 333 BTA08-400BW 8A 400V 50mA TO-220AB 334 BTA08-400C 8A 400V 25mA TO-220AB 335 BTA08-400CW 8A 400V 35mA TO-220AB 336 BTA08-400SW 8A 400V 10mA TO-220AB 337 BTA08-400TW 8A 400V 5mA TO-220AB 338 BTA08-400E 8A 400V 5~10mA TO-220AB 339 BTA08-400D 8A 400V 1~5mA TO-220AB 340 BTA08-400SAP 8A 400V 5~10mA TO-220AB 341 BTA08-600B 8A 600V 35~50mA TO-220AB 342 BTA08-600BW 8A 600V 50mA TO-220AB 343 BTA08-600C 8A 600V 25mA TO-220AB 344 BTA08-600CW 8A 600V 35mA TO-220AB 345 BTA08-600SW 8A 600V 10mA TO-220AB 346 BTA08-600TW 8A 600V 5mA TO-220AB 347 BTA08-600E 8A 600V 5~10mA TO-220AB 348 BTA08-600D 8A 600V 1~5mA TO-220AB 349 BTA08-600SAP 8A 600V 5~10mA TO-220AB 350 BTA08-700B 8A 700V 35~50mA TO-220AB 351 BTA08-700BW 8A 700V 50mA TO-220AB序号产品型号电流电压触发电流封装形式352 BTA08-700C 8A 700V 25mA TO-220AB 353 BTA08-700CW 8A 700V 35mA TO-220AB 354BTA08-700SW8A700V10mA TO-220AB 355BTA08-700TW8A700V5mA TO-220AB 356BTA08-700E8A700V5~10mA TO-220AB 357BTA08-700D8A700V1~5mA TO-220AB 358BTA08-700SAP8A700V5~10mA TO-220AB 359BTA08-800B8A800V35~50mA TO-220AB 360BTA08-800BW8A800V50mA TO-220AB 361BTA08-800C8A800V25mA TO-220AB 362BTA08-800CW8A800V35mA TO-220AB 363BTA08-800SW8A800V10mA TO-220AB 364BTA08-800TW8A800V5mA TO-220AB 365BTA08-800E8A800V5~10mA TO-220AB 366BTA08-800D8A800V1~5mA TO-220AB 367BTA08-800SAP8A800V5~10mA TO-220A 368BTA08-1000B8A1000V35~50mA TO-220AB 369BTA08-1000BW8A1000V50mA TO-220AB 370BTA08-1000C8A1000V25mA TO-220AB 371BTA08-1000CW8A1000V35mA TO-220AB 372BTA08-1000SW8A1000V10mA TO-220AB 373BTA08-1000TW8A1000V5mA TO-220AB 374BTA08-1000E8A1000V5~10mA TO-220AB 375BTA08-1000D8A1000V1~5mA TO-220AB 376BTA08-1000SAP8A1000V5~10mA TO-220AB 377BTB08-400B8A400V35~50mA TO-220AB 378BTB08-400BW8A400V50mA TO-220AB序号产品型号电流电压触发电流封装形式379BTB08-400C8A400V25mA TO-220AB 380BTB08-400CW8A400V35mA TO-220AB 381BTB08-400SW8A400V10mA TO-220AB 382BTB08-400TW8A400V5mA TO-220AB 383BTB08-400E8A400V5~10mA TO-220A 384BTB08-400D8A400V1~5mA TO-220AB 385BTB08-400SAP8A400V5~10mA TO-220AB 386BTB08-600B8A600V35~50mA TO-220A 387BTB08-600BW8A600V50mA TO-220AB 388BTB08-600C8A600V25mA TO-220AB 389BTB08-600CW8A600V35mA TO-220AB 390BTB08-600SW8A600V10mA TO-220AB 391BTB08-600TW8A600V5mA TO-220AB 392BTB08-600E8A600V5~10mA TO-220AB 393BTB08-600D8A600V1~5mA TO-220AB 394BTB08-600SAP8A600V5~10mA TO-220AB 395BTA10-400B10A400V35~50mA TO-220AB 396BTA12-400B12A400V35~50mA TO-220AB 397BTA16-400B16A400V35~50mA TO-220AB 398BTA20-400B20A400V35~50mA TO-220AB 399BTA24-600B25A600V35~50mA TO-220AB 400BTA25-600B25A600V35~50mA TO-220AB 401BTA25-600BW25A600V50mA TO-220AB 402BTA26-600B25A600V35~50mA TO-220AB 403BTA40-600B40A600V35~50mA BTW67 404BTA40-600BW40A600V50mA BTW67 405BTA41-600B40A600V35~50mA BTW67序号产品型号电流电压触发电流封装形式406BTA41-600BW40A600V50mA BTW67 407HBT131A1A600V3~7mA TO-92 408HBT131CA1A600V3~5mA TO-92 409HBT131GA1A800V3~5mA TO-92 410HBT134CI4A600V5~10mA TO-251 411HBT134DI4A600V5~10mA TO-251 412HBT134GI4A800V5~10mA TO-251 413HBT134HI4A600V5~10mA TO-251 414HBT134NE4A600V10~25mA SOT-82 415HBT134I4A600V10~25mA TO-251 416HBT134CNE4A600V5~10mA SOT-82 417HBT134DNE4A600V5~10mA SOT-82 418HBT134GNE4A800V5~10mA SOT-82 419HBT134HNE4A800V5~10mA SOT-82 420HBT136AE4A600V10mA TO-220AB 421HBT204I4A600V10mA TO-251 422HBT204E4A600V15mA TO-220AB 423HBT136AE4A600V10~25mA TO-220AB 424HBT136AHE4A600V5~10mA TO-220AB 425HBT136BE6A600V10~25mA TO-220AB 426HBT137E8A600V10~25mA TO-220AB 427HBT137DE8A600V25mA TO-220AB 428HBT138E8A600V10~25mA TO-220AB 429HBT15220A800V32mA TO-220AB 430HBT1690.8A400V200uA TO-92 431HBT169M0.8A400V200uA SOT-89。
电力电子技术-项目三单相交流调压调光灯电路
任务一 双向晶闸管及其测试
四、总结与提升 (一)普通晶闸管和双向晶闸管的判别 用万用表的R×1挡任意测量两个极间正反向电阻,若指针均不动, 可能是A、K或G、A极(对普通晶闸管)也可能是T2、T1或T2、G极 (对双向晶闸管)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧,则必为 普通晶闸管,且红笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩下即为A极。若 正、反向测量电阻指示均为几十至几百欧,则必为双向晶闸管。再将
任务一 双向晶闸管及其测试
4.Ⅲ-触发方式的触发原理 在Ⅲ-触发方式下,以T1注入电流,使N3P2N2正偏导 通,其发射极电流再使P2N1P1正偏导通,又使 N1P1N4饱和导通,最终达到P2N1P1N4导通。
任务二 单相交流调压电路调试
一、任务描述与目标 交流调压是将幅值固定的交流电能转化为同频率的 幅值可调的交流电能。交流调压电路广泛应用于灯 光控制、工业加热、感应电机调速以及电解电镀的 交流侧调压等场合。本次任务介绍双向晶闸管的触 发电路及单相交流调压电路,任务的目标如下。
任务一 双向晶闸管及其测试
意法ST公司,则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号,并且 在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。组合成 “BTA”、“BTB”系列的双向晶闸管型号,型号的后缀字母 (型号最后一个字母)带“W”的,均为“三象限双向晶闸管”。 如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”,代表型号如: BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等等。四象 限/绝缘型/双向晶闸管:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16600B、BTA41-600B 等等;四象限/非绝缘/双向晶闸管: BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B 等。
BT137-600E可控硅
• 大量供应贴片可控硅 BT136S 品牌:国产 型号:BT136S 控制方式:双向 极数:三极 封装材料:树脂封装 封装外形:平板形 关 断速度:普通 散热功能:带散热片 频率特性:低频 功率特性:...
• 供应双向晶闸管可控硅 Y76KKE 型号/规格:Y76KKE 品牌/商标:柳晶 货以真取信,价以实取胜! 中国·柳晶整流器制造有限 公司是专业致力于整流半导体器件的生产及研发,经过二十年...
• 双向可控硅 BTB04-600SL 型号/规格:BTB04-600SL 品牌/商标:SZGKT MAIN FEATURE: Symbol Value Unit IT(RMS) 6 A VDRM...
• 可控硅(TRAIC)BT139 主要参数:通态电流 IT(RMS)=16A 浪涌电流 ITSM=155A600V 触发电流 IGT(Ⅰ/Ⅱ/Ⅲ/Ⅳ)<10/10/10/25mA(E),25/25/25/70mA(F)通态 压降 VTM<1.6V(20A) 直接代换(PH)型号包括:BT139X-600E,BT139X-600F, BT139X-800E,BT139X-800F 相关系列(PH)型号包括:BT134,BT136,BT136X, BT137,BT137X,BT138,BT138X,BT139,BT139X,BTA140 致力于可控硅国产化, 让我们做得更好!产品详细参数电压 : 600/800V 触发电流 : 10/10/10/25mA...
• 可控硅(TRAIC) BTA08 主要参数:通态电流 IT(RMS)=8A 浪涌电流 ITSM=80A 正向耐压 VDRM>600V 反向耐压
元件选型型号
型号:2N4401参数:Small Signal General Purpose NPN原装正品,进口全新,无铅环保,可长期供货。
我们的理念:做最诚信的供应商。
信宝电子是专业从事电子元器件贸易配套服务的专业供应商。
主要分销及代理:美国IR(国际整流器)、TRR、Cirrus Logic、PERICOM、德爱D&I(韩国)、德国威马(WIMA)等品牌,其它经销的品牌有:ST、ON、UTC、仙童、东芝、夏普、富士、AOS、飞利浦、EIC、SANKEN、TI、COSMO等;主要经营的产品有:场效应管(MOSFET)、电源管理IC、驱动IC、锂电保护IC、时针IC、整流桥、肖特基管、快恢复管、可控硅、三端稳压管、IGBT、光耦、威马电容等等。
产品广泛用于开关电源、逆变电源、UPS电源、HID氙气灯/安定器、整流器、节能灯、转向灯、激光打标、电脑电源/主板、充电器、镇流器、音响、数码产品、仪器仪表电源、通信网络设备、航空、卫星等各行各业。
我们视“客户+企业=共赢”作为企业发展的基础,做最诚信的供应商,希望真诚与您携手共进、共同成长,为国家的和谐发展和电子行业的繁荣作出应有的贡献!++++系列场效应管(MOSFET):IRF1010E,IRF1404,IRF1405,IRF5305,IRF2807,IRF3205,IRF3710,I RF4905,IRF5210,IRF530,IRF530N,IRF540N,IRF630N,IRF640N,IR F730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9510,IRF9520,IRF9530N,IRF954 0,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ4 4R,IRFZ44V,IRLZ44N,IRFZ46N,IRFZ46Z,IRFZ48V,IRFZ48N,IRF9 Z24N,IRF9Z34N,IRFP150,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP25 4N,IRFP264,IRFP264N,IRFP350,IRFP360,IRFP450,IRFP450LC,I RFP460,IRFP460A,IRFP460LC,IRFP054N,IRFP064N,IRFBE30,IRF 520N,IRF634,IRF710,IRF720,IRF820,IRF4905L,IRF5303,IR2520D,IRFP240,IRFP9240,IRF610,IRF9610,IRF5210,IRFR024N,IRFR120N,IRFR220N,IRFR9024,IRFR420,IRFR5305,IRF7313,IRF7314,IRF741 3,IRFL9110,IRL3705,IRL3803,IRL3803S,IRFD110,IRFD9110,IRFD9220,IRFD220,IRFD120,IRFD9120,IRFU9120,IRF6216,IRF640NS,IRF3415,IRFB4310,IRF7210,IRF9530S,IRF7832,IRFP140N,IRFP44 8,IRFP2907,IRFP9140N,IRFPC50,IRFPC60,IRFBE30,IRFPE40,IR FPE50,IRFPF50,IRFPG50,IRFBC20,IRFBC30,IRFBC40,IRFBG20,IRFBG30,IRLML6302TR,IRLML2402TR,IRLML2502TR,IRLML2803TR,IRLML5103TR,IRLML5203TR,IRLML6401TR,IRLML6402TR,IRFB4710,IRFB4212,IRFB11N50A,IRFB38N20D,IRFB31N20D,STP60NF06,STP 75NF75,STP55NF06,2SK2645,IRF630B,IRF640B,IRF840B,FQPF2 N60C,FQP5N60C,FQF5N60C,SSS7N60B,FQPF8N60C,FQPF10N60 C,FQPF12N60C,FYP2010DNTU,FQP50N06,FGA15N120ANTDTU,FGA25N120ANTDTU。
可控硅参数——精选推荐
∙型号VRRM(V)VDRM(V)IT(A)IGT(mA/uA) VGT(V) 封装形式MAC97A6 ≥400 ≥400 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?MAC97A8 ≥600 ≥600 0.8 3--5 1 TO-92 SOT-8?BT131 ≥600 ≥600 1 3--5 0.8 TO-92BT134 ≥600 ≥600 2 3--6 1.8 TO-126BT136 ≥600 ≥600 4 3--6 1.8 TO-220BT137 ≥600 ≥600 8 10--15 1.8 TO-220BT138 ≥600 ≥600 12 12--15 1.8 TO-220BT139 ≥600 ≥600 16 12--15 1.8 TO-220BT151≥600 ≥600 8 1--12 0.8 TO-220如图:主要应用:通用电机控制,取暖和厨房用具,工业和家庭照明等产品。
可控硅/晶闸管特点:晶闸管是一种可控制的整流管,由门极向阴极送出微小信号电流即可触发单向电流自阳极流向阴极。
正面K-G-A. 管脚排列:K-G-A特点: 玻璃钝化芯片、高灵敏的控制极触发电流,低通态压降用途: 应用于各种万能开关器、小型马达控制器、彩灯控制器、漏电保护器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路∙BT169D ≥400 ≥400 0.8 5-120 0.8 TO-92BT169G ≥600 ≥600 0.8 5-120 0.8 TO-92BTB04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA04 ≥600 ≥600 4 10 1.8 TO-220BTA06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTB06 ≥600 ≥600 6 5--50 1.8 TO-220BTA08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTB08 ≥600 ≥600 8 5--50 1.8 TO-220BTA10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTB10 ≥600 ≥600 10 25--50 1.8 TO-220BTA12 ≥600 ≥600 12 10--50 1.8 TO-220∙品名= 12A四象限双向可控硅(TRIACs)☆型号= BTA12-1000B◇电流= 12.0(A)◇电压= 1000(V)◇结温= 125(℃)◇封装形式= TO-220AB◇管脚排列= T1-T2-G 【主要用途】变频电路,调光、调温、调速电路,电扇、洗衣机、饮水机、微波炉、空调等家用电器的控制电路。
几种特殊的晶闸管介绍
特殊的晶闸管双向晶闸管TRIAC:TRIode AC semiconductor switch双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端:TRIode(取前三个字母)交流半导体开关:ACsemiconductor switch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
双向:Bi-directional(取第一个字母)控制:Controlled(取第一个字母)整流器:Rectifier(取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
双向:Bi-directional(取第一个字母)三端:Triode(取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”,也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如:意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司,均以此来命名双向可控硅。
代表型号如:PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。
这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅;Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的,通常是指三象限的双向可控硅。
而意法ST公司,则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成:“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号,如:三象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等;四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等;ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的,均为“三象限双向可控硅”。
常用双向可控硅参数
----------------------------------
MAC223A1025A800V TO-220
----------------------------------
MAC228A88A600V TO-220
----------------------------------
BTB24-40024A400V TO-220
----------------------------------
BT136-6004A600V TO-220
----------------------------------
BT136-8004A800V TO-220
----------------------------------
型号类型电流电压封装
----------------------------------
Q4004LT绝缘型4A400V TO-220
----------------------------------
Q4006LT绝缘型6A400V TO-220
----------------------------------
Z0409MF4A600V TO-220
----------------------------------
T0810NH8A800V TO-220
----------------------------------
T1612NH16A800V TO-220
----------------------------------
BCR1AM1A600V TO-92
----------------------------------
bt134 600e可控硅参数
bt134 600e可控硅参数BT134600E一种可控硅技术的标准,被广泛应用于继电器、调功器和功率晶体管设备中。
它的特点在于以百分之一的调整精度提供一种高效节能的功率放大技术。
它的主要参数有:额定电压:600V最大额定功率:20W。
运行电压范围:0-250V功率阻尼:百分之一级别线性:超过2V/A可调压力:最大(运行电压-60V)可控硅开关电流:最大(运行电压-20mA)回路延迟时间:(电压抵消幅值-30V)/每V的时间常数热调节:不超过25ppm/℃环境温度:-40℃至+125℃调节器参数:最大(电流-5mA)BT134 600E可控硅电路结构包括一个MOSFET,一个半导体开关和一个分量,它们共同构成了一个稳定的锁相环。
这种电路可以有效抑制电源瞬变,并且能够在不同条件下工作,给控制系统带来很多便利。
比如,在瞬变环境中,它可以有效抑制输出功率的瞬时变化,保证功率的稳定输出;在较弱的恒流源条件下,它可以有效的抑制输出电流的变化;对于稳定性要求不高的系统,它也可以有效的降低系统成本。
BT134 600E可控硅技术有着广泛的应用,比如,它可以用于控制继电器和调功器的功率放大技术,有效降低系统的功耗;它还可以控制功率晶体管的电压,提高系统的可靠性。
此外,它还可以用于运放和放大器的压控,提高系统的功效。
BT134 600E可控硅技术的优点非常明显,它具有准确的调节精度、高效的功率放大技术、快速的供电调整等优点,能够有效的极大的缩减电源瞬变,保证系统的稳定性。
但是,它也存在一些问题,比如,它可能会消耗更多的热量,导致散热不足;它的稳定性和可靠性可能会降低;成本也比其他技术更高。
总之,BT134 600E可控硅技术是一种高效的功率放大技术,可以有效的抑制电源瞬变,保证功率的稳定性。
它具有准确的调节精度、高效的功率放大技术、快速的供电调整等,广泛应用于继电器、调功器和功率晶体管设备中。
但是,它也存在一定的问题,成本也比其他技术更高。
双向可控硅选型表
双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端:TRIode(取前三个字母)交流半导体开关:AC-semiconductor switch(取前两个字母)以上两组名词组合成“TRIAC”,或“TRIACs”中文译意“三端双向可控硅开关”。
由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。
另:双向:Bi-directional(取第一个字母)控制:Controlled (取第一个字母)整流器:Rectifier (取第一个字母)再由这三组英文名词的首个字母组合而成:“BCR”,中文译意:双向可控硅。
以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
--------------双向:Bi-directional (取第一个字母)三端:Triode (取第一个字母)由以上两组单词组合成“BT”,也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如:意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司,均以此来命名双向可控硅.代表型号如:PHILIPS 的 BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、、等。
这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅;Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的,通常是指三象限的双向可控硅。
三象限的品种主要应用于电机电路、三相市电输入的电路、承受的瞬间浪涌电流高。
-------------------而意法ST公司,则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号,并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘。
组成:“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号,如:四象限、绝缘型、双向可控硅:BTA06-600C、BTA08-600C、BTA10-600B、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600、、、等等;四象限、非绝缘、双向可控硅:BTB06-600C、BTB08-600C、BTB10-600B、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600、、、等等;ST公司所有产品型号的后缀字母(型号最后一个字母)带“W”的,均为“三象限双向可控硅”。
BT138双向可控硅
UTC BT138TRIACUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.1QW-R401-002,ATRIACS LOGIC LEVELDESCRIPTIONPassivated triacs in a plastic envelope, intended for use in applications requiring high bidirectional transient and blocking voltage capability and high thermal cycling performance. Typical applications include motor control, industrial and domestic lighting, heating voltages and static switching .SYMBOLG1:MT1 2:MT2 3:GATEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Tj=25°C)PARAMETER SYMBOL RATINGUNITRepetitive Peak Off State VoltageBT138-600 BT138-800 V DRM600800V RMS On-state Current (Full sine wave; Tmb ≤99°C)I T(RMS) 12 ANon-repetitive Peak. On-State Current (Full sine wave; Tj =25°C prior to surge) t=20ms t=16.7ms I TSM95105AI 2t For Fusing (t=10ms) I 2t 45 A 2s Repetitive Rate of Rise of On-state Current after Triggering (I TM =20A;I G =0.2A; dI G /dt=0.2A/µs) T2+G+T2+G-T2-G-T2-G+dI T /dt50 50 50 10 A/µsPeak Gate Voltage V GM 5 V Peak Gate Current I GM 2 A Peak Gate Power P GM 5 W Average Gate Power P G(AV) 0.5 W Operating Junction Temperature Tj 125 °C Storage Temperature Tstg -40~150 °C *Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15A/µs.UTC BT138TRIACUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.2QW-R401-002,ATHERMAL RESISTANCESPARAMETER SYMBOL MIN TYP MAX UNITThermal Resistance, Junction to Mounting BaseFull cycle Half cycleR θj-mb1.52.0°C /WThermal Resistance, Junciton to Ambient In free airR θj-a60 - °C /WSTATIC CHARACTERISTICS (Tj=25°C,unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITGate Trigger CurrentT2+G+ T2+G- T2-G- T2-G+ I GT V D =12V, I T =0.1A5 8 10 12 35 35 35 70 mA Latching CurrentT2+G+ T2+G- T2-G- T2-G+ I L V D =12V, I GT =0.1A7 20 8 10 40 60 40 60mA Holding Current I H V D =12V, I GT =0.1A 6 30 mA On-State Voltage V TI T =15A 1.4 1.65 V Gate Trigger VoltageV GT V D =12V, I T =0.1AV D =400V, I T =0.1A, Tj=125°C 0.250.7 0.41.5VOff-state Leakage Current I DV D =V DRM(max) , Tj=125°C0.1 0.5 mADYNAMIC CHARACTERISTICS (Tj=25°C,unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITCritical Rate Of Rise Of Off-StateVoltage dV D /dt V DM =67% V DRM(max), Tj=125°C Exponential waveform, Gate open circuit100 250 V/µsCritical Rate Of Change Of Commutating Voltage dV com /dt V DM =400V,Tj=95°C, I T(RMS)=12A dl com /dt =5.4A/ms, Gate open circuit20 V/µsGate Controlled Turn-on TimetgtI TM =16A, V D =V DRM(max), I G =0.1A dI G /dt=5A/µs2 µsUTC BT138TRIACUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.3QW-R401-002,ATYPICAL CHARACTERISTICS5Figure 1.Maximum on -state Dissipation.Ptot vs RMS On-state Current,I T(RMS),W here α=conduction Angle.Figure 4.Maximum Permissible RMS Current I T(RMS)vs mounting baseTemperature T m b Number of Cycles at 50HzTj/℃UTC BT138TRIACUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.4QW-R401-002,AFigure 10.Typical and MaximumOn-state Characteristic120Figure 7.Normalised Gate Trigger Current I GT (Tj)/I GT (25℃),vs Junction Temperature TjI GT (Tj )0Tj/℃Tj/℃UTC BT138 TRIACUTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 5QW-R401-002,A。
第一次拆解电炖锅,内部结构居然是这样的
第一次拆解电炖锅,内部结构居然是这样的近几年,电炖锅逐渐进入消费者视线,成为一种居家厨房常见的厨具。
电炖锅与我们每日必用电饭锅有所不同,其一般采用的是陶瓷材质的内胆,常被用来煲汤、熬粥等。
也正因为是陶瓷内胆,所以小编一直也都比较好奇电炖锅加热方式。
为了搞清楚这个问题,小编专门在网上淘到了一款电炖锅,品牌为小熊。
所以今天就为大家拆解一款不一样的产品。
一、小熊电紫砂电炖锅外观这是一款紫砂电炖锅,主要由加热机身和紫砂内胆两部分组成,外壳部分采用米黄色+灰褐色的外壳,外观时尚。
操作界面设有一款LED数码管时间显示屏幕,8种功能,左右各有一个按键。
居中的旋钮用于切换各项功能,选中菜单之后按下旋钮即可确认。
官方介绍资料显示,紫砂锅盖为塔吉式设计,有利于蒸汽回流,可以保证原汁鲜味不流失。
电炖锅背面底部设有一个三脚的AC母座。
配有一根常见的电源线。
与电饭锅不一样,电炖锅采用是的紫砂内胆。
取下紫砂内胆,里面是一个铝合金的桶状结构,没有见到电饭锅里面常见的加热盘。
同时在底部印着“不可用铝锅直接加热食物”的警示标语。
二、小熊紫砂电炖锅拆解从底部开始拆解,卸掉外壳中间的一颗螺丝。
铝锅与塑料外壳之间为卡扣安装,继续将其拆下。
铝锅外围固定了一根加热带,并使用两颗长螺栓固定。
同时在加热带两端还分别连接了一根导线,这也就是整个产品热源部分。
工作时,加热带发热并将热量传递给铝锅,然后由铝锅将热量较为均匀的传递给紫砂内胆,最终完成食物的加热。
加热带上标注的工作电压为220V,功率230W。
将加热带的两颗固定螺栓拆下。
在加热内胆底部位置连接了一根地线,并设有一颗温度开关,检测到过热断开电路确保安全。
内胆底部采用六角螺帽固定,并设有防松垫片。
外壳内部的线路均采用耐高温的外皮,并非常见的硅胶导线。
控制电路部分位于底部的小盒子内。
小盒子表面贴有隔热材料,避免热辐射造成内部升温。
AC输入端母座特写,导线与母座连接处使用热缩管包裹绝缘。
侧面为程序设置面板,螺丝和卡扣固定。
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15
FIG.3: Surge peak on-state current versus number of cycles
ITSM (A) 105
90
t=20ms One cycle
75
60
45
30
15
0
Number of cycles
1
10
100
1000
FIG.5: Non-repetitive surge peak on-state current for a sinusoidal pulse with width tp<20ms, and corresponging value of I2t (dI/dt < 50A/μs)
TO-220F TO-263
Value 3.0 5.5 2.1
பைடு நூலகம்
Unit ℃/W
- 2 / 6-
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PACKAGE MECHANICAL DATA
- 3 / 6-
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BT138 Series 12A TRIACs
DESCRIPTION:
BT138 series triacs with low holding and latching current are especially recommended for use on middle and small resistance type power load.
IH(Tj) /IH(Tj=25℃) 3.0
2.5
2.0
1.5
IH
1.0
0.5
0.0 -40 -20
Tj (℃) 0 20 40 60 80 100 120 140
FIG.8: Relative variations of latching current versus junction temperature
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FIG.1 Maximum power dissipation versus RMS on-state current
P(w) 20
15
10
5
0
0
3
IT(RMS) (A)
6
9
12
ITM (A) 100
Tj=Tjmax
10
Tj=25℃
VTM (V)
1
0
1
2
3
4
5
FIG.6: Relative variations of gate trigger current versus junction temperature
IGT(Tj) /IGT(Tj=25℃) 4.0
100 dI/dt
VTM ITM=15A tp=380μs
IDRM IRRM
VD=VDRM VR=VRRM
Tj=25℃ Tj=25℃ Tj=125℃
Value(MAX) Unit
1.65
V
5
μA
1
mA
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Parameter
TO-220C
Rth(j-c) junction to case(AC)
ITSM (A), I2 t (A2 s) 1000
FIG.2: RMS on-state current versus case
temperature
IT(RMS) (A) 18
α=180°
15
12
TO-220C TO-263
TO-220F
9
6
3
0
Tc (℃)
0
25
50
75
100
125
FIG.4: On-state characteristics (maximum values)
Symbol Test Condition Quadrant
IGT VD=12V RL=33Ω
VGT
VGD
VD=VDRM Tj=125℃ RL=3.3KΩ
IL
IG=1.2IGT
Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ Ⅳ ALL
ALL Ⅰ- Ⅲ Ⅱ- Ⅳ
MAX MAX MIN MAX
Value DEF 5 10 25 10 25 70
0.272
G
2.54
0.1
H
28.0
29.8 1.102
1.173
L1
3.39
0.133
L2 1.14
1.70 0.045
0.067
L3 2.65
2.95 0.104
0.116
Φ
3.6
0.142
H L1
L3
E
Φ Max 3.5mm
A C2
F
V1
D
C3 L2
B
C
G
TO-220F
Dimensions
Ref.
VRSM
IT(RMS)
ITSM I2t dI/dt IGM
Average gate power dissipation
PG(AV)
- 1 / 6-
Value -40-150 -40-125 600/800 600/800 VDRM + 100 VRRM + 100
12
95 45 50 2 0.5
Unit ℃ ℃ V V V V
A
A A2s A/μs A W
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Peak gate power
PGM
5
W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj=25℃ unless otherwise specified)
10 0.01
ITSM
I 2t
tp(ms)
0.1
1
10 20
3.0 IGT3
2.0
IGT4
IGT1&IGT2 1.0
0.0
Tj (℃)
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
- 5 / 6-
FIG.7: Relative variations of holding current versus junction temperature
1.5 0.2 15 30 40 20 40 60
IH dV/dt
IT=100mA VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃
MAX MIN
10 30 40 10 20 50
Unit
mA V V mA mA V/μs
STATIC CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Shanghai WanXin Technology and Electronic Co..Ltd
H L1
L3 D
F
PACKAGE MECHANICAL DATA
E
Max 3.6mm
Φ
C2
A
C3 L2
B
C
G
TO-220C
Dimensions
Ref.
Millimeters
Inches
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.
IL(Tj) /IL(Tj=25℃) 3.0
2.5
2.0
IL
1.5
1.0
0.5 0.0
-40 -20
Tj (℃) 0 20 40 60 80 100 120 140
- 6 / 6-
MAIN FEATURES
Symbol
Value
Unit
IT(RMS)
12
A
VDRM /VRRM
600/800
V
VTM
1.65
V
Rev.2.0
123 TO-220C
123
TO-220F 2
T2(2)
1 3 TO-263 T1(1)
G(3)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
0.118
D
8.80
9.30 0.346
0.366
E
9.70
10.3 0.382
0.406
F
6.40
7.00 0.252
0.276
G
2.54
0.1
H
28.0
29.8 1.102
1.173
L1
3.63
0.143
L2 1.14
1.70 0.045
0.067
L3
3.30
0.130
V1
45°
45°
- 4 / 6-
Symbol
Storage junction temperature range
Tstg
Operating junction temperature range Repetitive peak off-state voltage(Tj=25℃) Repetitive peak reverse voltage(Tj=25℃)
Tj VDRM VRRM
Non repetitive surge peak Off-state voltage