低频小功率三极管3AX31
三极管分类
三极管分类三极管根据其主要用途分为大功率管、小功率管、高频管、低频管、放大管、开关管、差分对管、达林顿管、光电管。
（1）低频小功率三极管一般用于工作频率较低，功率在1W以下的电压放大电路、功率放大电路。
常用的国产低频小功率三极管型号有：3AX系列、3DX系列等。
进口的有：2SA940、2SC2462、2N2944等。
（2）低频大功率三极管一般用作电视机、音响等家电的电源调整管或功率输出管，也可以用于汽车点火电路、逆变器、不间断电源（UPS）等。
常用国产型号：3DD系列、3AD系列。
进口型号：2SA670、2SB337、2AC1827、BD201等。
（3）高频小功率三极管一般用于工作频率较高、功率不大于1W的放大、震荡、开关控制等电路。
常用国产型号：3AG系列、3DG系列。
进口型号：2SA1015、2SC1815、S90XX系列、BC148、BC158等。
（4）高频大功率三极管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路、电视机行输出电路等。
常用国产型号有：3DA系列、3CA系列。
进口型号：2SA634、2SC2068、2SD966、BD135等。
(5)超高频三极管又称微波三极管，其频率特性一般高于500MHz，主要在雷达、通信、导航等领域用于处理微波信号。
常用国产型号有：3AG95、3DG145～3DG156、3DA819～3DA823。
进口型号：2SA1300、2SC1360、BF769。
（6）开关三极管是一种饱和与截止状态。
变换速度较快的三极管，可分为小功率开关三极管和高反压大功率开关三极管等。
小功率开关三极管一般用于高频放大电路、脉冲电路、开关电路、同步分离电路等。
常用国产型号有：3AK系列、3DK系列等。
高反压大功率开关三极管通常都是硅PNP型三极管，主要在彩色电视机、电脑显示器中用作电源开关、行输出管，也可用于汽车点火电路、电子整流器、逆变器、不间断电源（UPS）等。
部分三极管参数
3AX31低频小功率三极管,锗PNP,功率:125mW,电流125mA硅NPN 20V 3mA 100m W 500MHz3DJ6：20V 1～3.5mA 100Mw659904 场效应管3DJ6D 材料:FET 用途及参数:20V, 0.00035A, 0.1W659945 场效应管3DJ6A 材料:FET 用途及参数:0.1W659946 场效应管3DJ6DC 材料:FET 用途及参数:=3DJ6D660189 场效应管3DJ6FC 材料:FET 用途及参数:=3DJ6F660190 场效应管3DJ6G 材料:FET 用途及参数:20V, 0.0065A, 0.1W660191 场效应管3DJ6H(C) 材料:FET 用途及参数:20V, 0.01A, 0.001W660192 场效应管3DJ6HD,E 材料:FET 用途及参数:20V, 0.1W660245 场效应管3DJ6-2 材料:FET 用途及参数:10V, 0.015A, 2×0.1W660246 场效应管3DJ6EH 材料:FET 用途及参数:20V, 01W660285 场效应管3DJ6DE 材料:FET 用途及参数:20V, 0.01A, 0.1W660286 场效应管3DJ6GC 材料:FET 用途及参数:=3DJ6G660337 场效应管3DJ6C 材料:FET 用途及参数:0.1W660338 场效应管3DJ6EC 材料:FET 用途及参数:=3DJ6E660393 场效应管3DJ6B 材料:FET 用途及参数:=3DJ6B660394 场效应管3DJ6DH 材料:FET 用途及参数:20V660395 场效应管3DJ6F 材料:FET 用途及参数:20V, 0.0035A, 0.1W660509 场效应管3DJ6 材料:FET 用途及参数:20V, 0.015A, 0.1W660510 场效应管3DJ6E 材料:FET 用途及参数:20V, 0.0012A, 0.1W双向可控硅BT136 6A600V 管脚排列T1-T2-G 触发电压:0.7-1.5V 触发电流10mA左右型号2SC1815厂家东芝结构NPN用途LF Avcbo(V) 60icdc(A) 0.15pc1(W) 0.4pc2(MW)hfe最大值700频率80外型TO-922SC1815为NPN型硅三极管，最大耐压60V,电流0.15A,功率0.4W8050三极管的参数NEC的8050; 晶体管类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电压（VCEO）:25; 频率:150 KHzPE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K型号9014名称三极管参数NPN，PCM=450mW，ICM=100mA，BVCEO=45V，VCE(sat)=0.3V,fT(MHZ)=270,hFE=60～1000。
各种三极管的区别
查看文章9011,9012,9013,9014,9015,8050,8550三极管的参数及区别2010年03月14日星期日00:352、三极管的型号及命名国产晶体三极管的型号及命名国产晶体三极管的型号及命名通常由以下四部分组成：①第一部分，用“3”表示三极管的电极数目。
②第二部分，用A、B、C、D字母表示三极管的材料和极性。
其中“A”表示三极管为PNP 型锗管，“B”表示三极管为NPN型锗管，“C”表示三极管为PNP型硅管，“D”表示三极管为NPN型硅管。
③第三部分，用字母表示三极管的类型。
X表示低频小功率管，G表示高频小功率管，D表示低频大功率管，A表示高频大功率管。
④第四部分，用数字和字母表示三极管的序号和挡级，用于区别同类三极管器件的某项参数的不同。
现举例说明如下：3AX31A—PNP低频小功率锗三极管3DG6A—NPN高频小功率硅三极管3DD102B—NPN低频大功率硅三极管3AD30C—PNP低频大功率锗三极管3AA1—PNP高频大功率锗三极管9011,9012,9013,9014,9015,8050,8550三极管的参数及区别9012 21 PNP低噪放大50V 0.5A 0.625W 150MHZ9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 150MHZ9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A0.4W 150HMZ9015 21 PNP低噪放大50V 0.1A0.4W 150MHZ9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A0.4W 1000MHZ8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A1W 100MHZ8550 21 PNP高频放大40V 1.5A1W 100MHZ9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的参数及区别2009-10-18 11:309011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109, bbbbbbbbbbbbbbb8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140型号极性功率(W) 电流(mA) BU(CEO)V fT(MHZ) hFE 主要用途9011 NPN 0.4 30 50 370 28 ～198 通用管可做功率放大9012 PNP 0.625 500 40 -- 64 ～202 低噪声放大管9013 NPN 0.625 500 40 -- 64 ～202 低噪声放大管9014 NPN 0.625 100 50 270 60 ~1000 低噪声放大管9015 PNP 0.45 100 50 190 60 ～600 低噪声放大管9016 NPN 0.4 25 30 620 28 ～198 低噪声放大管9018 NPN 0.4 50 30 1100 28 ～198 低噪声高频放大管详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
初级电子设备装接工理论知识试卷002A
初级电子设备装接工理论知识试卷002A职业技能鉴定国家题库初级电子设备装接工理论知识试卷002A一、单项选择1.在机械设备的使用和维修过程中，尝试用装配图了解零件的（）A.使用性能B.具体尺寸C.表面粗糙度D.形位公差要求2.脉冲周期一般是指（）A.脉冲持续时间B.脉冲间歇时间C.出现两个脉冲所需时间D.两个相邻脉冲波形对应点之间的时间3.扬声器的纸盆口径一般采用（）作单位A.寸B.尺C.英寸D.米5.对于图纸的图幅，国家标准（）规定A.无具体规定B.有0～5号六种C.有0～4号五种D.有1～4号四种6.额定功率位1瓦的电阻器，其图形符号是（）A.B.C.D.7.下列元件中（）是电声器件A.录放音磁头B.音频变压器C.声表面滤波器D.扬声器8.手工焊接移开电烙铁的方向应该是（）A.30角B.45角C.60角D.180角9.当加在用电器两端的电压一定时，电功率和电阻成（）A.正比B.反比C.无关D.相等10.39×102PF±5%写成数码法应该是（）A.392KB.392TC.3900±5%D.3900J11.电感线圈装入磁芯后，可（）A.增大大绕组内电流强度B.增大电感量C.增大电感线圈的体积D.减少分布电容12.下列操作中（）不适宜用尖嘴钳A.装拆螺母B.网绕导线C.元器件引线成型D.布线13.万用表符号“∠60”的意义是（）A.万用表使用环境温度不得超过60B.表示万用表的精确度等级C. 万用表位置与水平面倾斜成60D.磁电式仪表14. 0.47兆欧的电阻可以写成（）欧姆A.47000B.4700C.470000D.47015.下列紧固件中（）是防止连接松动的A.平垫圈B.弹簧垫圈C.螺母D.蝶形螺母16.焊点应该是（）A.焊料与金属被焊面形成的合金B.焊料本身形成的合金C.焊料与助焊剂形成的合金D.助焊剂与金属被焊面形成的合金17.当电容器用于50V直流电路中时，其额定直流工作电压应为（）B.大于50VC.小于50VD.大于500V18.波峰焊接采用共晶体焊料时，焊料的温度为（）A.180～200B.250～300C.235～250D.325～40019.电阻器的额定功率是指（）A.长期安全使用所承受的最大消耗功率B.长期安全使用不发热的最大消耗功率C.电阻器极限消耗功率D.电阻器烧断瞬间的功率20.手工焊接常用的助焊剂是（）A.松香B.无机助焊剂C.有机助焊剂D.阻焊剂21. 3.6mH=（）μHA.3600B.360C.36000D.0.003622.下列电容器中（）容量大A.电解电容器B.高频瓷介电容器C.瓷介微调电容器D.云母电容23.当普通浸锡炉内涵了充分熔化后应（）A.关闭电源B.转向保温档C.降低温度D.在提高温度24.绘制同一机件的各个视图所采用的比例（）A.必须一致B.有不同时，须另行标注C.有不同时，须将该图尺寸改变D.允许不同，但只允许某视图放大25.焊接时间应掌握在（）B.10秒以上C.1秒D.10～15秒26.电容器的主要性能参数有（）A.额定功率、标称容量、偏差B.标称容量、偏差、额定直流工作电压C.标称容量、额定直流工作电压、工作电流D.偏差、额定电流电压、额定功率27.软焊料的熔点温度在（）A.450℃以上B.450℃以下C.220℃以上D.220℃以下28.导线在常温下工作，电流要（）A.大于允许电流B.等于允许电流C.大于一倍允许电流D.小于允许电流29.无线电波传播的方向是（）A.沿与其电场一致的方向B.沿与其磁场一致的方向C.沿与其电场和磁场都平行的方向D.沿与其电场和磁场都垂直的方向30. 采接插件链接主要是为了（）A.减少分布电容B.接触良好C.维修方便D.提高机械强度31.立式装插的优点是（）A.稳定性好、比较牢固B.便于散热、比较牢固C.元件密度大、拆卸方便D.牢固、便于安装32.三个单级放大器的电压放大倍数分别是A U1，A U2和A U3，将它们连接成一个多级放大器，其电压放大倍数应是（）A. A U1+ A U2 + A U3B. A U1×A U2×A U3C. A U1D. A U333.直线电流产生的磁场方向可用（）来判断A.左手螺旋定则B.右手螺旋定则C.与电流相同的方向D.与电流相反的方向34.电阻器的额定功率应比实际所承受的功率（）A.大1.5～2倍B.小1.5～2倍C.大1倍D.小1倍35.工件表面经过热处理淬硬后出现误差，可选用（）A.普通锉刀B.整形锉刀C.杂锦锉刀D.金刚钻锉刀36.当圆柱体的轴线与投影面平行时，它的投影是（）A.圆形B.一直线C.矩形D.梯形37.如果烙铁头挂锡较多时，可采用（）去掉。
电子产品工艺(第3版)习题答案
习题一1．常见电阻器有哪几种，各自的特点是什么？答：常见电阻器有：碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻、保险电阻、NTC、PTC 热敏电阻。
（1）碳膜电阻的特点：频特性比较好，价格低，但精度差。
（2）金属膜电阻的特点：耐高温，当环境温度升高后，其阻值变化与碳膜电阻相比，变化很小，高频特性好，精度高（3）线绕电的特点：耐高温、噪声小、精度高、功率大。
但其高频特性差。
（4）保险电阻的特点：具有双重功能，在正常情况下具有普通电阻的电气特性，一旦电路中电压升高、电流变大，它就会在规定的时间内熔断，从而起到保护作用。
（5）NTC热敏电阻是其阻值随温度升高而减小，可用于稳定电路的工作点。
PTC热敏电阻是在达到某一特定温度前，电阻值随温度升高而缓慢下降，当超过这个温度时，其阻值急剧增大。
2．根据色环读出下列电阻器的阻值及误差答：（1）棕红黑金:12Ω±5%；（2）黄紫橙银：47kΩ±1%（3）绿蓝黑银棕：5.6Ω±1%；（4）棕灰黑黄绿：1.8MΩ±0.5%3．根据阻值及误差，写出下列电阻器的色环答：1）用四色环表示下列电阻：6.8kΩ±5%：蓝灰橙金39MΩ±5%：橙白蓝金2）用五色环表示下列电阻：390Ω±1%：橙白黑黑棕910 kΩ±0.1%：白棕黑红紫4．电位器的阻值变化有哪几种形式？每种形式适用于何种场合？在使用前如何检测其好坏？答：（1）电位器的阻值变化规律有三种：直线式（X），指数式（Z）和对数式（D）。
（2）直线式电位器：适用于电阻值调节均匀变化的场合，如分压电路；指数式电位器：适宜人耳感觉特性，多用在音量控制电路中；对数式电位器：多用在音调控制及对比度调节电路中。
（3）检测方法：A.测量电位器a、b端的总阻值是否符合标称值把表笔分别接在a、b之间，看万用表读数是否与标称值一致；B.查滑动端把表笔分别接在a、c或b、c之间，慢慢转动电位器，阻值应连续变大或变小，若有跳动则说明电位器接触不良。
diy调频收音机
diy少年晶体管调频收音机这是一台用3DP场效应管检波的FM矿石收音机，双栅分接电路，耳机是助听机耳机每只直流电阻85欧2只串联，在室内3楼能收到3个台103.9龙广乡村广播和103.3哈尔滨交通台和91.7中国之声，不过是在不同的地方,不同的地方不同的电台信号强度不一样,初步体会FM MOS矿机选择性好声音优美灵敏度高，我这距发射塔1公里左右中间有建筑物阻挡，室外太冷了没有去室外试机电路图：采用qg2007 老师的双栅电路，我在G1和地之间加了电阻和电容，可以增加音量，电容的容量要适中，在这台机器上1800p效果最好，开关K的作用是机器初次使用时如收不到台，就按一下，使机器启动，以后就不必按了，这样机器就可以稳定工作了TDA7000单片调频收音机电路图，电路很简单，谐振电感可以使用0.5毫米漆包线在直径5毫米的塑料棒上绕5匝左右。
伸缩匝间距使调节范围符合调频波段。
电路使用高阻耳机。
当然，也可以加一级放大，然后使用普通的耳机。
自己DIY调频收音机效果还可以（没用放大电路直接用32欧姆的耳机收听，天线用的是1米的软导线）在市区能收到7到8个调频台本电路图所用到的元器件：9018 9014 3AX31 收音机电路见图1它的新颖之处在于前级晶体管VT1以不同于超再生式及超外的方式进行工作，同时具有混频、本振、锁相环同步检波及低频放大4种功能。
L1、C2组成Q值较低的FM频段（87MHz-108MHZ)宽带输入回路，中心频率98MHZ。
L2、C5、C6组成本振调谐回路，本振频率为输入接收频率及本振信号的二次谐波，混频后输出的中频信号落在音频范围内。
由于VT1的输出电导是集电极电流的函数，所以它一身具有控制本振频率的功能。
VT1作为本机振荡器时，接成共基极电路，由于L1、C2对本振频率失谐，所以VT1的基极等效接地。
VT1作为混频器时，则为共发射极电路。
VT1作为同频检波器时，也是共基极电路，这是国为C3取值很大，对音频信号容抗很小，可认为VT1的基极交流接地。
低频小功率三极管3AX31
三极管由于其特性不同，可选为低频管、高频管、开关管等。从材料来看，用途最广泛 的有锗管和硅管两类。3AX 系列属锗管、低频管一类。通常用于低频放大电路中，下为 3AX31 技术性能。
主要电参数
参数符号 单位
ICBO
µA
直
ICEO
µA
流
参 VCE（sat）
V
数
hFE
hie
KΩ
交
hfe
流
hre
×10-4
参
hoe
µΩ
数
fβ
kHz
KP
dB
BVCBO
V
极 BVCEO
V
限
ICM
mA
参
PCM
mW
数
RT
℃
/mW
测试条件 VCB=-6V VCE=-6V VBE=VCE IC=-125mA
VCE=-1V IC=-100mA VCE=-6V
IC=-1mA f=1 kHz
VCE=-6V IC=-10mA
hre hfe hoe fβ Kp BVCBO BVCEO ICM PCM RT
———共发射极小信号开路电压反馈系数 ———共发射极小信号短路电流放大系数 ———共发射极小信号开路输出导纳短路电流放大系数 ———共发射极截止频率 ———功率增益
———发射极开路，集电极-基极反向击穿电压 ———基极开路，集电极-发射极反向击穿电压 ———集电极最大允许电流 ———集电极最大允许耗散功率 ———半导体管的
≤0.65 50～150
0.5～4 30～150
≤13 ≤100
≥8 21～30
≥40 ≥25 1Biblioteka 5 125≥8 38～48
三极管外形封装
三极管外形封装三极管外形封装2010-07-02 11：30国外品体管普遍采用TO系列的封装形式。
如日本、美国、欧洲等国。
To系列封装形式的编号较多，To系列金属封装的编号有TO一l、TO一3、TO一39、TO一66、TO一105、TO一107等革。
TO系列塑料封装的编号有：TO一92、TO一126、T0一3P、T0一202、T0一220、T0一247等。
常用的T0一3、TO-92、T0一202的实物外形如图所示。
图：常用的T0一3、TO-92、T0一202实物外形(a)T0一3；(b)TO-92；(c)TO一202常用的塑料封装TO系列的外形及尺寸如图所示。
图：常用塑料封装TO系列外形尺寸在TO系列封装的晶体管中，其T0一3封装外形与国产管的F一2封装外形基本相同；TO一92封装外形与国产管S-l、S-4的封装外形基本相同；TO一220封装外形与国产管S一7B封装外形基本相同；T0一202封装外形与国产管S一6封装外形基本相同。
采用TO系列封装的常用晶体管有：T0一3为：2SD869、2SD850、2SD951、2SD821、2SD871、2SD822；T0一92为：2SA562、2SA608、2SA1015、2SC388、2SC1815、2SC536；TO一220为：2SA940、2SB546、2SC2073、2SC4004、2SD880、2SDl138、D880、3CG940、DS3l、BU406、BU407等。
玻璃/陶瓷与环氧树脂封装的三极管1)玻璃封装的三极管，它的外形如图(a)所示。
其管身标有色点，靠近色点的引脚为集电极C(或此脚比其他引脚短些)，中间的一根为基极引线，剩余的一根便是发射极E。
2)陶瓷与环氧树脂封装的三极管。
如图(b)所示。
此种封装的三极管为微型三极管，其体积较小，引脚的识别方法是：将球面朝上，让轴向的二引脚平行于自己，从左边的引脚起，逆时针依次是：B、C、E脚。
图：玻璃与陶瓷封装的三极管外形(a)玻璃；(b)陶瓷与环氧树脂封装采用玻璃封装的三极管有：3AX72、3AX73、3AX34、3AX81等。
diy调频收音机解析
diy少年晶体管调频收音机这是一台用3DP场效应管检波的FM矿石收音机，双栅分接电路，耳机是助听机耳机每只直流电阻85欧2只串联，在室内3楼能收到3个台103.9龙广乡村广播和103.3哈尔滨交通台和91.7中国之声，不过是在不同的地方,不同的地方不同的电台信号强度不一样,初步体会FM MOS矿机选择性好声音优美灵敏度高，我这距发射塔1公里左右中间有建筑物阻挡，室外太冷了没有去室外试机电路图：采用qg2007 老师的双栅电路，我在G1和地之间加了电阻和电容，可以增加音量，电容的容量要适中，在这台机器上1800p效果最好，开关K的作用是机器初次使用时如收不到台，就按一下，使机器启动，以后就不必按了，这样机器就可以稳定工作了TDA7000单片调频收音机电路图，电路很简单，谐振电感可以使用0.5毫米漆包线在直径5毫米的塑料棒上绕5匝左右。
伸缩匝间距使调节范围符合调频波段。
电路使用高阻耳机。
当然，也可以加一级放大，然后使用普通的耳机。
自己DIY调频收音机效果还可以（没用放大电路直接用32欧姆的耳机收听，天线用的是1米的软导线）在市区能收到7到8个调频台本电路图所用到的元器件：9018 9014 3AX31 收音机电路见图1它的新颖之处在于前级晶体管VT1以不同于超再生式及超外的方式进行工作，同时具有混频、本振、锁相环同步检波及低频放大4种功能。
L1、C2组成Q值较低的FM频段（87MHz-108MHZ)宽带输入回路，中心频率98MHZ。
L2、C5、C6组成本振调谐回路，本振频率为输入接收频率及本振信号的二次谐波，混频后输出的中频信号落在音频范围内。
由于VT1的输出电导是集电极电流的函数，所以它一身具有控制本振频率的功能。
VT1作为本机振荡器时，接成共基极电路，由于L1、C2对本振频率失谐，所以VT1的基极等效接地。
VT1作为混频器时，则为共发射极电路。
VT1作为同频检波器时，也是共基极电路，这是国为C3取值很大，对音频信号容抗很小，可认为VT1的基极交流接地。
二极管的识别与检测
常规二极管 (2)晶体二极管 (3)稳压二极管 (5)发光二极管 (6)晶体三极管 (7)常规二极管应用在液晶显示器中的常规二极管主要有整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、稳压二极管。
（1）整流二极管整流二极管的作用是将交流电转变成直流电。
常见的整流二极管有1N4001、1N5401等型号。
在电路中的文字符号为“V”或“VD”。
二极管整流电路一般都接在电源变压器的二次输出端或者220V的交流市电，通常是用四个二极管组成的桥式整流电路。
它的后级为滤波器，交流电经整流后，要求将交流成分滤得越干净越好，所以滤波电容器都是用大容量的电解电容器，一般容量为几百微法至几千微法。
整流电路工作频率较低，而通过二极管的电流较大，所以都用硅材料面接触型整流二极管。
整流二极管可用万用表进行检测。
维修时，如果测得的二极管正向电阻太大或反向电阻太小，都表明二极管的整流效率不高；如果测得正向电阻为无穷大，说明二极管的内部断路；若测得的反向电阻接近于零，则表明二极管已经击穿。
在液晶显示器的电源电路中，还会发现一种称为全波整流桥的组件（简称全桥组件）。
所谓全桥组件，是一种把四只整流二极管按全波桥式整流电路连接方式封装在一起的整流组合件，主要分为长方体形、圆柱形、扁形和缺角方形四种，如图所示，其中，“～”为交流输入端“＋”、“－”为直流输出端。
图全波整流桥的组件（2）快恢复二极管液晶显示器的开关电源输出电路，不仅要求二极管有足够的耐压，还要求二极管具有良好的开关特J跬，即具有很短的反向恢复时间。
因此，输出电路的整流二极管必须使用通常所说的快恢复二极管。
反向恢复时间，是二极管由正向导通转为反向截止过程所需要的时间。
液晶显示器中通常使用耐压大于400V、整流电流大于1A的快恢复二极管，其反向恢复时间都是极短的，一般都小于0.5 μs。
维修时，若发现快恢复二极管损坏，不可采用普通的整流二极管进行代换。
这是因为，普通整流二极管的反向恢复时间较长（一般达几十微秒），当开关变压器输出的正向脉冲使二极管导通后，二极管还来不及反向截止，反向脉冲就已经涌来了，这势必造成较大的反向电流，使二极管结间温度上升，就使反向电流增大、耐压降低，最终导致二极管击穿。
三极管的分类
按材质分三极管种类有：硅管、锗管。
b 按结构分三极管的种类有：NPN PNP.c 按三极管消耗功率的不同三极管的种类有小功率管中功率管和大功率管等d 按功能分三极管种类有开关管功率管达林顿管光敏管等下面是对一些三极管的简述（1）低频率小功率三极管，低频率小功率三极管一般是指特征频率在3MHz以下，功率小于1w的三极管。
一般作为小信号放大用（2）高频率小功率三极管，是指一般特征频率大于3MHz，功率小于1w的三极管。
主要用于高频振荡，放大电路中。
（3）低频率大功率三极管是指特征频率小于3MHz,功率大于1W的三极管。
主要用于通信等设备中作为调整管。
（4）高频大功率三极管是指特征频率大于3MHz，功率大于1W的三极管，主要用于通信等设备中作为功率驱动，放大。
（5）开关三极管是利用控制饱和区和截止区相互转换工作的。
开关三极管的开关过程需要一定的响应时间，开关响应的长短表示三极管开关特征的好坏。
（6）差分对管是把两只性能一致的三极管封装在一起的半导体器件。
它能以最简单的方式构成性能优良的差分放大器。
（7）复合三极管是分别选用各种极性的三极管进行复合连接。
在组成复合连接三极管时，不管选用什么样的三极管，这些三极管按照一定的方式连接后可以看成一个高频的三极管。
组合复合三极管时，应注意第一只管子的发射级电流方向必须与第二只管子的基级电流方向相同，复合三极管的极性取决于第一只管子。
复合三极管的最大特性时电流放大倍数很高、所以多用于较大功率输出的电路中半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。
它最主要的功能是电流放大和开关作用。
三极管顾名思义具有三个电极。
二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。
其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
《电子技术基础》(晶体管电路+集成运放)试卷+参考答案
《电子技术基础》（晶体管电路+集成运放）试卷学校：班级姓名学号一．填空题：（每题1分，共12分）1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位。
2.硅二极管导通时的正向管压降约为。
3.工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件使用。
4.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和。
5.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位。
6.反馈放大器是由电路和反馈电路组成。
7.电压负反馈的作用是。
8.反馈信号增加原输入信号的反馈叫。
9.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为。
10.为克服零漂常采用长尾式和差动放大电路。
11.集成运放按电路特性分类可分为通用型和型。
12.单门限电压比较器中的集成运放属于应用。
二．是非题：（正确“+”，错误“—”每题1分共13分）1.（）发射结反向偏置的三极管不一定工作在截止状态。
2.（）3DA1型三极管是硅管高频小功率晶体管。
3.（）放大器工作时，电路不同时存在直流和交流分量。
4.（）对放大器来说一般希望输入电阻小、输出电阻大。
5.（）固定偏置放大器的优点是静态工作点不稳定。
6.（）阻容耦合放大电路不存在零漂问题。
7.（）负反馈不能改善放大电路的性能。
8.（）负反馈可以使电路的放大倍数提高。
9.（）振荡器中依靠非线性元件不可以实现稳幅振荡。
10.（）射极输出器输入电阻小，输出电阻也小。
11.（）甲乙类功放要消除交越失真，三极管不要有偏流。
12.（）乙类功率放大器静态时，功率消耗最大。
13.（）差模输入电阻越小，集成运放的运算精度越高。
三．选择题：（每题1分，共23分）1. 许多半导体受光照时，导电性能（）A. 不变B. 增加C. 减弱D. 不确定2. 下列（）不是二极管的主要参数。
A. 最大电流B. 电流放大倍数C. 耐压D. 反向电流3. 交通信号灯采用的是（）二极管。
A. 光电B. 发光C. 变容D. 稳压4. 三极管是一种（）控制型半导体器件。
A. 电压B. 电流C.既是电压又是电流D.功率5.三极管的输出特性曲线中，当I B减少时，其（）平移。
常用半导体的主要参数
常用半导体二极管的主要参数
3.常用整流桥的主要参数
表14几种单相桥式整流器的参数
4.常用稳压二极管的主要参数
表15部分稳压二极管的主要参数
5.常用半导体三极管的主要参数
(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
(1)3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管
表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数
(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管
(2)9011~9018塑封硅三极管
表21 9011~9018塑封硅三极管的参数
6．常用场效应管主要参数。
电子技术基础与技能试题库与答案
电子技术基础与技能试题库与答案一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、十进制数19与二进制数1111比较大小的结果是A、二进制数1111大B、无法比较C、十进制数19大D、一样大正确答案：C2、下列触发器中，没有克服空翻现象的有A、维持组塞D触发器B、JK触发器C、同步RS触发器D、主从RS触发器正确答案：C3、在主从RS触发器中，当CP=1时A、主、从触发器均被打开B、主、从触发器均被封锁C、从触发器被封锁D、主触发器被封锁正确答案：C4、OTL电路中，输出电容起到了双电源电路中的( )作用。
A、正电源B、输入信号C、负电源D、消除高次谐波正确答案：C5、描述放大器对信号电压的放大能力，通常使用的性能指标是A、电压放大倍数B、电流放大倍数C、功率放大倍数D、电流增益正确答案：A6、在整流电路中将高压转变成低压的元器件是A、电容B、电感C、二极管D、变压器正确答案：D7、移位寄存器可能是A、双向移位寄存器B、右移寄存器C、左移寄存器D、都可能正确答案：D8、下列所述中，属于串联型稳压电路的特点的是A、调试方便B、输出电压稳定度高且可调节C、输出电压不可调D、输出电流小正确答案：B9、常用的74×× 系列是指A、TTL器件B、CMOS器件C、NMOS器件D、PMOS器件正确答案：A10、若输入信号有8个，则经过3位二进制编码器编码之后，输出信号位数为A、6B、8C、4D、3正确答案：D11、最能直观反映逻辑函数的值与输入变量取值之间的关系的是A、逻辑函数表达式B、真值表C、逻辑电路图D、波形图正确答案：B12、十进制数码4用8421BCD码表示为A、0100B、0011C、0011D、1111正确答案：A13、下列关于电容滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电容器的B、电路的滤波，利用了电容器的C、电容器充电时，输出电压下降；D、电容量C越大，滤波效果越差。
正确答案：B14、CP有效时，若JK触发器状态由0翻转为1，则此时JK输入端必定有A、J=0B、J=1C、K=0D、K=1正确答案：B15、下列关于低频功率放大器的各种叙述中，错误的是A、甲类功放电路只需一只功放管B、功率放大器不允许有信号失真C、乙类功放电路的最高效率可达78.5%D、音响设备中肯定有功放电路正确答案：B16、把射极输出器用作多级放大器的最后一级，是利用它的A、电压放大倍数略小于1，电压跟随特性好B、输入电阻高C、输出电阻低D、有一定的电流和功率放大能力正确答案：C17、下列命题正确的是A、若AB=AC，则B=CB、若A+B=A+C，则B=CC、若A+B=A+C，AB=AC，则B=CD、若A=B，则1+AB=A正确答案：C18、逻辑电路中，低电平应A、低于B、高于C、低于D、高于正确答案：A19、在通常情况下，要改变串联型稳压电源的输出电压大小，可以通过调A、比较放大器的放大倍数B、取样电路中的电位器C、基准电路的稳压值D、调整管的放大倍数正确答案：B20、主从JK触发器中，当JK取不同值时，则Q等于A、1B、JC、0D、K正确答案：B21、D触发器当D=1时，实现的逻辑功能是A、置0B、置1C、保持D、翻转正确答案：B22、下列叙述中正确的是A、十进制数11用8421BCD码表示为1001B、8421BCD码0001表示的十进制数为2C、8421BCD码0111比十进制数5大D、8421BCD码0011比二进制数10小正确答案：C23、放大器的通频带指的是A、频率响应曲线B、下限频率以上的频率范围C、放大器上限频率和下限频率之间的频率范围D、以上均不正确正确答案：C24、开关稳压电源按不同的控制方式可分为A、调频型和调幅型B、调宽型和调频型C、自激式和他激式D、串联型和并联型正确答案：B25、钟控同步RS触发器状态的翻转发生在CP脉冲的A、上升沿B、下降沿C、CP=1期间D、=正确答案：C26、乙类推挽功放电路与甲类功放电路相比主要优点是A、输出功率大B、不用输出变压器C、无交越失真D、效率高正确答案：D27、甲乙类功放电路最大理想效率为A、50%B、78.5%C、75%D、60%正确答案：B28、有二进制异步计数器从0计到十进制数100，至少需要的触发器的个数为A、8个B、7个C、6个D、5个正确答案：B29、理想运放电路接成反相器，其输入电压为4V，则输出电压约为A、-2VB、-4VC、4VD、2V正确答案：B30、在串联型稳压电路中，取样电路电阻器的温度系数越小，其输出电压受温度的影响A、越小B、与温度系数无关C、越大D、成正比增大正确答案：A31、若逻辑函数L=(A+BCD )AB，则L可简化为A、L=AB、L=BCDC、L=ABD、L=A+BCD正确答案：C32、功率放大电路的输出是指A、负载上的直流功率B、直流信号和交流信号叠加的功率C、电源共给的功率D、负载上的交流功率正确答案：D33、JK触发器，若J=K=0，则可实现的逻辑功能是A、置1B、置0C、保持D、翻转正确答案：C34、主从RS触发器状态的翻转发生在CP脉冲的A、上升沿B、下降沿C、CP=1期间D、=正确答案：B35、当七段共阳数码管当abcdefg分别为0110000，则显示为A、3B、EC、bD、6正确答案：B36、二进制数11转换为十进制数为A、4B、3C、1D、2正确答案：B37、下列关于扇出系数描述正确的是A、门电路输出电压由0跳变到1时的传输延迟时间B、门电路正常工作时能驱动同类门的数目C、门电路输出电压由1跳变到0时的传输延迟时间D、门电路的输出电压正确答案：B38、十进制数5转换为二进制数为A、101B、110C、100D、011正确答案：A39、以下关于理想集成运放的各种表述中，错误的是A、线性应用时，有“虚断”概念B、开环共模电压放大倍数无穷大C、共模抑制比无穷大D、线性应用时，有“虚短”概念正确答案：B40、用二进制异步计数器从0计到十进制数100，至少需要的触发器个数为A、5B、6C、8D、7正确答案：D二、多选题（共10题，每题1分，共10分）1、下列运放中，输出电压与输入电压同相的是A、同相输入加法器B、倒相放大器C、电压跟随器D、反相输入加法器正确答案：AC2、下列关于真值表描述中正确的有A、真值表是列出了部分输入值组合及其对应输出值的表格B、真值表包括了全部可能的输入值组合及其对应的输出值C、真值表中的数值“0”和“1”表示实际大小D、真值表是一种表明逻辑门电路输入状态和输出状态对应关系的表格正确答案：BD3、三端固定式集成稳压器，它们都有三个管脚，分别是A、输入端B、接地端C、输出端D、公共端正确答案：ACD4、在谐振功率放大器中，LC谐振回路起到的作用是A、提高功率放大倍数B、增宽同频带C、阻抗匹配D、选频滤波正确答案：CD5、要使74LS161的输出状态保持不变，需要满足的条件是A、CLR=1B、LD=1C、ET=0D、ET?EP=0正确答案：ABD6、带有放大环节的稳压电路一般其组成部分有A、采样电路B、调整元件C、比较放大电路D、基准电路正确答案：ABCD7、常用的LED数码有A、共阴接法B、共阳接法C、单相接法D、双向接法正确答案：AB8、表示门电路的逻辑功能的方法有A、逻辑图B、真值表C、逻辑函数表达式D、波形图正确答案：ABCD9、阻容耦合放大器通频带中，低频端放大倍数下降的原因有A、结电容的存在B、β值随频率上升而减小C、耦合电容的存在D、射极旁路电容的存在正确答案：CD10、中等职业学校规定机电专业的学生至少取得车工( )、钳工( )、电工( )中级技能证书中的任意两种，才允许毕业，下面各选项几个同学获得的证书代码，则能毕业的有A、AB、ABC、ACD、ABC正确答案：BCD三、判断题（共50题，每题1分，共50分）1、射极输出器的输入电阻小，输出电阻大。
三极管工作原理及作用
三极管的作用和原理晶体三极管，是最常用的基本元器件之一，晶体三极管的作用主要是电流放大，他是电子电路的核心元件，现在的大规模集成电路的基本组成部分也就是晶体三极管。
它最主要的功能是电流放大和开关作用。
晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示三极管基本机构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN 结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e 和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。
三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的电流放大作用。
刚才说了电流放大是晶体三极管的作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。
模电应用实例
模电应用实例三极管应用鸡舍自动控制器能对鸡舍的光照、温度和湿度进行自动调节，以提高鸡的产蛋率和成活率。
该装置可供农村的养鸡专业户使用。
电路工作原理该鸡舍自动控制器电路由电源电路、湿度检测控制电路、光照检测控制电路和温度检测控制电路组成。
电源电路由电源变压器T、整流桥堆UR1、指示灯HL、三端集成稳压器IC和滤波电容器C1组成。
湿度检测控制电路由湿敏电阻器RS、整流桥堆UR2、电位器RP1、晶体管V1、V2、二极管VD1、VD2、电阻器R1～R4、电容器C2和继电器K1组成。
光照检测控制电路由光敏晶体管V3、晶体管V4、V5、电阻器R5～R8、电位器RP2、二极管VD3、VD4和继电器K2组成。
温度检测控制电路由热敏电阻器RT、电阻器R9～R12、晶体管V6、V7、电容器C4、电位器RP3、二极管VD5、VD6和继电器K3组成。
交流220V电压经T降压后，分别在W2绕组和W3绕组上产生交流15V电压和交流6V电压。
交流15V电压经UR1整流、IC稳压及C1滤波后，为整机提供12V直流电压；交流6V 电压经RS限流降压及UR2整流后，加在RP1两个固定端上。
当鸡舍内湿度不够时，湿敏电阻器RS的阻值较大，使V1因基极电压降低而截止，V2导通，K1吸合，其常开触点接通加湿器的工作电源，加湿器开始加湿喷雾。
当鸡舍内湿度达到要求（相对湿度在55％～65％）时，RS的阻值变小，使V1导通：V2截止，K1释放，加湿器停止工作。
在鸡舍内光照充足时，光敏晶体管V3的内阻变小，使V4和V5截止，K2处于释放状态，补光灯不亮。
当鸡舍内光照不足时，V3的内阻变大，使V4和V5导通，K2吸合，其常开触点接通，补光灯点亮。
在鸡舍内温度适宜（15～25℃）时，热敏电阻器RT的阻值较小，V6和V7均截止，K3不吸合，加热装置不工作。
若鸡舍内温度偏低，则RT的阻值变大，使V6和V7导通，K3吸合，其常开触点接通加热装置的工作电源，使之开始加温。
三极管的分类
按材质分三极管种类有：硅管、锗管。
b 按构造分三极管的种类有：NPN PNP.c 按三极管消耗功率的不同三极管的种类有小功率管中功率管和大功率管等d 按功能分三极管种类有开关管功率管达林顿管光敏管等下面是对一些三极管的简述〔1〕低频率小功率三极管，低频率小功率三极管一般是指特征频率在3MHz以下，功率小于1w的三极管。
一般作为小信号放大用〔2〕高频率小功率三极管，是指一般特征频率大于3MHz，功率小于1w的三极管。
主要用于高频振荡，放大电路中。
〔3〕低频率大功率三极管是指特征频率小于3MHz,功率大于1W的三极管。
主要用于通信等设备中作为调整管。
〔4〕高频大功率三极管是指特征频率大于3MHz，功率大于1W的三极管，主要用于通信等设备中作为功率驱动，放大。
〔5〕开关三极管是利用控制饱和区和截止区相互转换工作的。
开关三极管的开关过程需要一定的响应时间，开关响应的长短表示三极管开关特征的好坏。
〔6〕差分对管是把两只性能一致的三极管封装在一起的半导体器件。
它能以最简单的方式构成性能优良的差分放大器。
〔7〕复合三极管是分别选用各种极性的三极管进展复合连接。
在组成复合连接三极管时，不管选用什么样的三极管，这些三极管按照一定的方式连接后可以看成一个高频的三极管。
组合复合三极管时，应注意第一只管子的发射级电流方向必须与第二只管子的基级电流方向一样，复合三极管的极性取决于第一只管子。
复合三极管的最大特性时电流放大倍数很高、所以多用于较大功率输出的电路中半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。
它最主要的功能是电流放大和开关作用。
三极管顾名思义具有三个电极。
二极管是由一个PN构造成的，而三极管由两个PN构造成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。
其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)由于不同的组合方式，形成了一种是NPN 型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
常用半导体材料测试卷
常用半导体材料测试卷一、单项选择题：（本大题共85个小题，每小题2分，共170分）1.在焊接过程中要使用助焊剂，关于助焊剂的作用，下列说法错误的是A．去除氧化物B．使焊点不出现尖角C．防止工件和焊料加热时氧化D．减小焊料熔化后的表面张力，增加其流动性，有利于浸润2.钎焊分离电子元器件最合适选用的电烙铁是A．25W B．75W C．100W D．150W3.共晶焊锡的熔点为A．327℃B．232℃C．183℃D．212℃4.焊接中焊点凝固前被焊元件移动容易形成A．虚焊B．夹生焊C．漏焊D．预焊5.焊接电子元件最适合的焊剂是A．焊锡膏B．松香C．稀盐酸D．氯化锌6.下面关于虚焊的说法错误的是A．虚焊就是假焊B．焊料与被焊物的表面没有互相扩散C．虚焊主要是由于焊件金属表面不干净和焊剂用量过少造成的D．虚焊主要由于烙铁温度不够高和留焊时间太短造成的7.下面关于镀锡的说法错误的是A．上锡B．预焊C．搪锡D．焊件表面处理8.下列关于焊接说法错误的是A．电烙铁烧死是指焊头因氧化而不吃锡的现象 B．焊接时不能甩动电烙铁，以免锡液伤人C．电烙铁的金属外壳必须接地 D．焊锡膏适用于电子器件的焊接9.关于手工焊接，下列说法不正确的是A．常用的焊锡丝的材料是锡铅合金B．焊剂的作用是焊接时去除氧化物并防止金属表面两次氧化C．焊接中要避免虚焊和夹生焊现象的发生D．焊接时，先用烙铁头加热工件，然后把焊锡丝放在烙铁头上熔化10.信号发生器的输出幅度每衰减20dB，输出信号的电压值即变为原来的A．0.5 B．0.1 C．31.6% D．1/211.信号发生器输出信号时，输出衰减选40dB ，当电压表示数值为5V 时，则输出为A．5V B．0.5V C．0.05V D．50V 12.信号发生器的输出衰减有20dB和40dB，当按下20dB时，输出相对衰减10倍，当按下40dB 时，输出相对衰减为A．10 B．100 C．20 D．4013.用示波器观察某标准正弦波的电压波形，若一个周期的距离为4div，示波器的扫描时间选择开关置于50ms／div，且使用了“扩展×10”，则该电压的频率是A．5Hz B．20Hz C．50Hz D．500Hz14.要使示波器的显示波形向上移动，应调节旋钮A．Y轴移位B．Y轴增幅C．X轴移位D．X轴增幅15.要使示波器显示波形亮度适中，应调节旋钮A．聚焦B．辉度C．辅助聚焦D．X轴衰减16.若Y轴输入信号频率为200Hz，要在荧光屏上看到4个完整的波形，则扫描频率范围要置于A．10――100Hz B．1kHz C．10 kHz D．100 kHz17.用示波器观察一正弦电压的波形，现屏中测出正弦波电压峰峰值为4div，档位为5V／div，探头不衰减，则正弦波电压的有效值为A．20V B．10V C．52V D．102V18.下列关于示波器的说法错误的是A．调整示波器的辉度钮，光点亮度不能太亮B．调节聚焦钮，使示波器的光点成为小圆点，如果不行，可用辅助聚焦钮配合C．示波器长期不用时，会导致内部的电解电容器失效D．为调整示波器的亮度和清晰度，可以让光点长时间停在屏幕中央19.使示波器的显示波形稳定，只显示两个完整波形，除调整垂直方向之外，还要调整A．扫描范围B．X轴衰减C．扫描范围和X轴衰减D．X轴位移20.用示波器观察两个正弦信号如图1所示，已知X轴偏转因数置于0.5μs／div，Y轴偏转因数置于0.1V／div，则两信号的相位差A．30o B．90o C．60o D．45o第 1 页共6 页21.在P型半导体中A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子B．没有电子C．空穴的数量略多于电子D．没有空穴22.二极管两端加上正向电压时A．一定导通B．超过死区电压才能导通C．超过0.7V才导通 D．超过0.3V才导通23.在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将A．变大B．变小C．不变化D．无法判断24.一个硅二极管的正向电压降在0.6V基础上增加10%，它的电流将A．增加10% B．增加10%以上C．基本不变D．不变25.如图2所示，二极管是理想二极管，则电压U AB为A．－3V B．5V C．8V D．－8V26.如图3所示，VD1、VD2的状态是A．VD1导通、VD2截止B．VD1截止、VD2导通C．VD1、VD2都导通D．VD1、VD2都截止27.晶体二极管内部是由所构成的A．一个PN结B．两个PN结 C．两块N型半导体D．两块P型半导体28.当硅二极管加上0.4V的正向电压时，该二极管相当于A．很小的电阻B．很大的电阻C．短路D．中值电阻29.如图4所示，当输入电压U i＝12V时，输出电压U0为A．12V B．2V C．5V D．0V30.下列硅二极管中质量最好的是A．正向电阻为1kΩ，反向电阻为100 kΩ B．正向电阻为50kΩ，反向电阻为100 kΩC．正反向电阻均为无穷大 D．正向电阻为20kΩ，反向电阻为20kΩ31.用万用表欧姆挡测量小功率二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到A．R×100或R×1k挡B．R×1挡C．R×10挡D．任意挡32.用万用表测得NPN型三极管各电极对地电位是V B＝4.7V，V C＝4.3V，V E＝4V，则该三极管的工作状态是A．饱和状态B．截止状态C．放大状态D．无法确定33.在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是A．NPN型管的发射极B．PNP型管的发射极C．PNP型的集电极D．无法确定34.一只三极管内部包含个PN结A．1 B．2 C．3 D．035.NPN型和PNP型晶体管的区别是A．由两种不同的材料硅和锗制成B．掺入的杂质不同C．P区和N区的位置不同D．电流的放大倍数不同36.三极管各极电位如图所示，工作在放大状态的是37.3DG6型晶体三极管的P CM＝100mW，ICM＝20mA，U（BR）CEO＝20V，将其接在电路中，I C＝5mA，U CE＝10V，则该管A．击穿B．工作正常C．功耗太大，过热甚至烧坏D．无法判断38.在三极管放大电路中，测得某管脚1流进4.6mA的电流，某管脚2流进0.03mA的电流，则该管是A．NPN管B．PNP管C．硅管D．锗管39.晶体管的参数β是指A．晶体管共发射极直流电流放大倍数B．晶体管共发射极交流电流放大倍数C．放大电路的电压放大倍数D．放大电路的电流放大倍数40.正常工作在放大电路中的某晶体管各极对地电位分别是9V、6.3V、6V，则该管管脚分别对应为A．B、C、E B．C、B、E C．E、C、B D．E、B、C41.用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小，则该管A．两个PN结均开路B．两个PN结均击穿C．发射结击穿，集电结正常D．发射结正常，集电结击穿第 2 页共6 页42.某PNP型晶体管β＝50，I E＝2mA，则I C约等于A．40μA B．1.98m A C．98 m A D．24.5 m A43.NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是A．V C＞V B＞V E B．V C＜V B＜V E C．V C＞V E＞V B D．V C＜V E＜V B44.工作于放大状态的三极管在三个电极中，电流最大的是A．集电极B．基极C．发射极D．门极45.三极管放大作用的实质是A．三极管把小能量放大成大能量B．三极管把小电流放大成大电流C．三极管把小电压放大成大电压D．三极管用较小的电流控制较大的电流46.用万用表欧姆挡测量小功率三极管的极性与质量时，应把欧姆挡拨到A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k47.用万用表的红表笔接触三极管的一只管脚，黑表笔接触另两只管脚，测得电阻均较小，则该三极管为A．NPN型B．PNP型C．不能确定D．三极管已经损坏48.焊接电子元件时，焊点表面粗糙不光滑，是因为A．电烙铁功率太大或焊接时间过长B．电烙铁功率太小或焊丝撤离过早C．焊剂太多造成的D．焊剂太少造成的49.关于钎焊，下列说法正确的是A．100W且带弯烙铁头的电烙铁应采用正握法 B．松香酒精溶液焊剂中，松香占67%，酒精占23% C．被焊件达到一定温度后，应将焊锡丝放在烙铁头上熔化浸润焊点D．焊锡全部浸润焊点后，应及时以25o角移开电烙铁50.下列关于夹生焊的说法错误的是A．虚焊和夹生焊是两种不同的现象B．夹生焊是指C．D．51.关于普通晶闸管结构，说法正确的是A．4层3端半导体，有2个PN结 B．4层2端半导体，有3个PN结C．4层3端半导体，有3个PN结 D．4层2端半导体，有2个PN结52.晶闸管关断的三个条件中，关断的逻辑关系是A．与B．或C．与非D．或非53.晶闸管关断的条件是A．加反向控制极电压B．去掉控制极电压C．阳极加反向电压或降低正向阳极电压，使流过晶闸管的电流小于维持电流I HD．以上说法都不对54.晶闸管导通的两个条件中，导通时阳极和门极加正极性电压的逻辑关系A．与B．或C．与非D．或非55.对螺栓式结构的晶闸管来说，螺栓是晶闸管的A．阳极B．阴极C．门极D．栅极56.晶闸管控制极的作用是A．只要控制极加正的触发脉冲，就能使晶闸管导通B．只要在晶闸管存在阳极电压的同时，控制极加上足够功率的正脉冲，就可以使晶闸管导通，导通之后控制极就失去作用C．控制极加负电压，可以使晶闸管关断 D．以上说法都不对57.晶闸管是用来的电子元件A．电流放大B．电压放大C．弱电控制强电D．强电控制弱电58.晶闸管导通后，流过晶闸管的电流取决于A．晶闸管的管压降 B．晶闸管的额定电流 C．控制极电压D．阳极电压和负载阻抗59.用万用表R×10挡，判别晶闸管的极性，黑表笔固定一只管脚，红表笔分别接另外两只管脚，当出现正向导通时A．黑表笔接控制极 B．黑表笔接阴极 C．红表笔接控制极D．红表笔接阳极60.用万用表测试小功率晶闸管的极性时，某两个电极之间的正反向电阻相差不大，说明这两个电极是A．阳极和门极B．阴极和门极C．阳极和阴极D．无法确定61.用于整流的二极管是A．2AK4 B．2CW20A C．2CZ14F D．2AP962.三极管极间电流满足I C＝βI B关系时，三极管一定工作在A．饱和区B．截止区C．放大区D．击穿区63.晶体管作开关使用时，是工作在其A．放大区B．饱和区C．截止区D．饱和区和截止区64.大功率三极管的外壳往往做三极管的使用A．基极B．集电极C．发射极D．三个电极都可能65.放大电路中某晶体管极间电压如图5所示，则该管类型及1、2、3极分别为A．NPN型硅管，E、C、B B．NPN型硅管，B、C、EC．PNP型硅管，E、C、B D．PNP型硅管，B、C、E66.XD7型低频信号发生器面板上用来选择输出信号频率范围的调节旋钮是A．频率旋钮B．波段旋钮C．阻抗衰减旋钮D．电压调节旋钮第 3 页共6 页67.关于示波器的说法正确的是A．顺时针转动“辉度旋钮”，辉度变亮；反之减弱直至消失B．第二阳极与第一阳极、控制栅极相比处于正电位，可实现辉度调节C．控制栅极是顶端有孔的圆筒，套装在阴极之外，其电位比阴极电位高D．“扩展拉×10”按下时X轴扫描速度扩大10倍68.在输入信号频率较高时实现双踪显示应选择的显示方式A．断续B．YA＋YB C．YA或YB D．交替69.某一正弦交流电压在示波器上所显示的波形峰峰值为4div，此时示波器的输入灵敏度开关置于0.5V／div，被测信号经探极10∶1接入，则该交流电的有效值为A．10V B．7.07V C．14.14V D．0.2V70.2DW47是A．P型锗材料稳压二极管B．N型锗材料稳压二极管C．N型锗材料普通二极管D．P型硅材料稳压二极管71.如图6所示晶体管测试电路中，合上开关S1、S2后，电压表读数为1.5V，毫安表没有指示，可能是下面原因的那一种A．集电极内部开路B．发射极内部开路C．B、E间已击穿D．发射结已击穿72.测得晶体管电路三个电位如图7所示，其中二极管、三极管均为硅管，则晶体管的工作状态为A．饱和B．放大C．截止D．无法确定73.3AX31是三极管A．NPN型锗材料、高频小功率B．NPN型锗材料、低频小功率C．PNP型锗材料、低频小功率D．PNP型硅材料、低频小功率74.实践中判断三极管是否饱和、截止，最简单可靠的方法是测量A．I B B．I C C．U BE D．U CE 75.关于穿透电流I CEO，下列说法正确的是A．I CEO是指发射极开路时，集电极和基极之间的反向电流B．I CEO越小，管子性能越稳定C．硅管穿透电流比锗管大，因此硅管比锗管稳定性差D．I CEO随温度的升高而减小76.晶闸管作为变流技术理想的可控开关元件，原因之一是其导通后的管压降很小，一般在A．0.7V以下B．0.4V以下C．1V以下D．0.3V以下77.关于普通晶闸管和普通二极管的不同，说法正确的是A．晶闸管具有单向可控导电性，二极管不具备B．二极管有一个PN结，晶闸管有三个PN结C．二极管有阳极、阴极两个电极，晶闸管有阳极、阴极和控制极D．以上三种说法都正确78.如图8所示，S1、S2闭合时，白炽灯正常发光；当S2断开时，白炽灯将A．变亮B．亮度不变C．变暗D．熄灭79.用万用表判别普通晶闸管管脚极性时应选用挡A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k80.由于晶闸管的过载能力有限，在选用时至少要考虑倍的电流裕量A．1――2 B．1.5――2 C．1.8――2.5 D．3――3.581.选取普通晶闸管额定电压的依据是A．正向重复峰值电压B．反向重复峰值电压C．正向重复峰值电压和反向重复峰值电压二者中较小者D．击穿电压82.在晶闸管标准散热和全导通时，允许通过的工频最大阳极电流为A．半波电流的峰值B．半波电流的平均值C．半波电流的有效值D．全波电流的平均值83.当晶闸管导通后，可以维持导通状态，是因为管子本身存在A．放大作用B．正反馈作用C．负反馈作用D．开关作用84.要使导通的普通晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到低于A．额定电流B．擎住电流C．阳极电流D．维持电流85.在电路中，晶闸管承受的正反向峰值电压值为311V，为安全起见，晶闸管应选择A．KP20－3 B．KP400－4 C．KP700－3 D．KP20－7第 4 页共6 页卷Ⅱ（非选择题）二、分析题1.用示波器测量正弦电压如图所示，已知“t／div”置于“5ms／div”，X轴扩展（K＝10），“V／div”置于“1.5V／div”，则被测电压的周期、振幅、峰－峰值、有效值分别为多少？2.用示波器观察到某负载电压、电流的波形如图所示，垂直偏转因数为2V／div，水平偏转因数为1ms／div，探头衰减倍数为10∶1，请说明该电压的峰值、周期、该负载的性质。
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特性曲线
图 A.2.1 3AX31 的输出输入特性曲线
低频小功率三极管 3AX31
三极管由于其特性不同，可选为低频管、高频管、开关管等。从材料来看，用途最广泛 的有锗管和硅管两类。3AX 系列属锗管、低频管一类。通常用于低频放大电路中，下为 3AX31 技术性能。
主要电参数
参数符号 单位
ICBO
µA
直
ICEO
µA
流
参 VCE（sat）
V
数
hFE
hie
KΩ
① IC=-1mA IC=-2mA VCE=-1V
3AX31A ≤20
≤1000
30～200
≥20 ≥12 125 125 0.4
3AX31B ≤10 ≤750 ≤0.65
50～150
≥8 21～30
≥30 ≥18 125 125 0.4
型号 3AX31C
≤6 ≤500
3AX31D ≤12 ≤750
hre hfe hoe fβ Kp BVCBO BVCEO ICM PCM RT
———共发射极小信号开路电压反馈系数 ———共发射极小信号短路电流放大系数 ———共发射极小信号开路输出导纳短路电流放大系数 ———共发射极截止频率 ———功率增益
———发射极开路，集电极-基极反向击穿电压 ———基极开路，集电极-发射极反向击穿电压 ———集电极最大允许电流 ———集电极最大允许耗散功率 ———半导体管的
① VCE=-1V，IC=-（4～68）mA，P0=200mW； ② 表中使用到的主要参数符号意义如下：
IC ICBO ICEO VCB VCE VCE（sat） VBE VBE（sat） hFE hie
———集电极直流电流 ———发射极开路，集电极-基极反向截止电流 ———基极开路，集电极-发射极反向截止电流 ———共基极集电极-基极直流电压 ———共发射极集电极-发射极直流电压 ———共发射极反向饱和电压 ———共发射极基极-发射极直流电压 ———共发射极正向饱和电压 ———共发射极直流电流放大系数 ———共发射极小信号短路输入阻抗
≤0.65 50～150
0.5～4 30～150
≤13 ≤100
≥8 21～30
≥40 ≥25 125 125
≥8 38～48
≥30 ≥12 30 100
0.4
0.5
3AX31E ≤12 ≤500
0.5～4 20～85
≤10 ≤100
≥15 38～42
≥30 ≥12 30 100
0.4
对其中的一些测试条件特别说明如下：
交
hfe
流
hre
×10-4
参
hoe
µΩ
数
fβ
kHz
KP
dB
BVCBOV极 BVCEOV限ICM
mA
参
PCM
mW
数
RT
℃
/mW
测试条件 VCB=-6V VCE=-6V VBE=VCE IC=-125mA
VCE=-1V IC=-100mA VCE=-6V
IC=-1mA f=1 kHz
VCE=-6V IC=-10mA