漏极开路电路
电路基础知识Vss,_VDD,_VEE,_Vcc_的区别
1,TTL电平:
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平
是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是
0.4V。
2,CMOS电平:
1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
9,什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?
TTL集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做OC门。因为
TTL就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式
输出,高电平400UA,低电平8MA
1.3 LSB的定义
止的时候,它的基极电流约等于0,但是并不是真正的为0,经过三极管的集电极的电流也
就不是真正的0,而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出:OC门的输出就是开漏输出;OD
门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了
能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱
3)在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电
源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS
电路的电源。
6,COMS电路的使用注意事项
1)COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以
动门电路。
5,TTL和COMS电路比较:
漏极开路的工作原理
漏极开路的工作原理
漏极开路指的是场效应管或晶体管等器件中漏极或集电极处出现不正常的开路现象。
其工作原理可以分为以下几个方面:
1. 引起漏极开路的原因
漏极开路是由于器件内部结构或工艺等问题引起的。
在场效应管中,漏极开路是由于
漏极金属与半导体结合处的氧化层阻碍电荷传输,从而使漏极电流无法正常流过漏极金属。
在晶体管中,漏极开路可能是由于漏极控制电极与漏极之间的间隙过大,或是因漏极材料
老化导致的。
2. 故障特点
如果发现场效应管或晶体管的漏极电阻数值极大,接近无穷,或者漏极电流为零,则
说明器件出现了漏极开路故障。
此时,由于漏极开路,器件无法正常工作,导致电路功能
失效。
3. 故障排除
通常情况下,如果发现场效应管或晶体管出现漏极开路故障,则需要更换器件。
在更
换之前,需要确认故障是由于器件本身的问题引起的,还是因为外部电路原因导致的。
如
果经过检查确认问题是在器件内部,则需要将故障的器件替换成新器件。
4. 预防措施
为了防止器件出现漏极开路的情况,可以采取以下措施:
(1)采用优质的器件:在选购场效应管或晶体管时,应该选择品质好的器件,以降低出现故障的可能性。
(2)优化工艺:在生产过程中,需要保证各个环节都符合要求,控制好工艺参数,以确保器件的质量。
(3)加强维护:在使用过程中,需要对电路进行定期检查和维护,及时发现和解决电路问题,以避免因漏极开路等问题引起的故障。
CMOS漏极开路门和三态门电路PPT课件
0A 0B
0C 0D
0E 0F
VDD
&
I0Z
&
I0Z
&
RP 1
IIH
& 3IIH I0Z
IOZ(total) —全部驱动门输出高电平时的漏电流总和;
IIH(total) —全部负载门输入端为高电平时的输入电流
总和; 实际上,若要求速度快,RP的值就取近RP(min)的标
准值,若要求功耗小,RP的值就取近RP(max)的标准值。•5
VDD
A
&
RP
1.5KΩ
1
B
&
&
VDD
RP 1.5KΩ
RP
VO
100pF
RNon
100Ω
CL >1RMNΩoff
VDD
1.5KΩ
VO
100pF
CL
OD门输出高电平→低电平:放电时间常数10ns
OD门输出由低电平→高电平:充电时间常数为 150ns,上升时间很长,工作速度快时,应避免用以 驱动大电容负载。
CMOS漏极开路门和三态门电路 1、CMOS漏极开路门电路
(1)漏极开路门电路的结构和符号 ①线与:将两个门的输出端并联以实现与逻辑的 功能。观察如下的实现电路:
导通
vI1L
截止
VDD
vO1H
vO2L
截止
vI2H
导通
由图可见:电流很大,器件会损坏;且无法确 定输出是高还是低电平。解决此问题可采用漏极 开路(OD)门代之。
•3
(3)上拉电阻计算
①RP(min)的确定: 只有一个OD门导通情况
RP≥ RP(min)=
漏极开路电路
什么是漏极开路(OD)?对于漏极开路(OD)输出,跟集电极开路输出是十分类似的。
将上面的三极管换成场效应管即可。
这样集电极就变成了漏极,OC就变成了OD,原理分析是一样的。
另一种输出结构是推挽输出。
推挽输出的结构就是把上面的上拉电阻也换成一个开关,当要输出高电平时,上面的开关通,下面的开关断;而要输出低电平时,则刚好相反。
比起OC或者OD来说,这样的推挽结构高、低电平驱动能力都很强。
如果两个输出不同电平的输出口接在一起的话,就会产生很大的电流,有可能将输出口烧坏。
而上面说的OC或OD输出则不会有这样的情况,因为上拉电阻提供的电流比较小。
如果是推挽输出的要设置为高阻态时,则两个开关必须同时断开(或者在输出口上使用一个传输门),这样可作为输入状态,AVR单片机的一些IO口就是这种结构。
我们先来说说集电极开路输出的结构。
集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为“0”时,输出也为“0”)。
对于图1,当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极c跟发射极e之间相当于断开),所以5v电源通过1 k电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合);当左端的输入为“1”时,前面的三极管导通,而后面的三极管截止(相当于开关断开)。
我们将图1简化成图2的样子。
图2中的开关受软件控制,“1”时断开,“0”时闭合。
很明显可以看出,当开关闭合时,输出直接接地,所以输出电平为0。
而当开关断开时,则输出端悬空了,即高阻态。
这时电平状态未知,如果后面一个电阻负载(即使很轻的负载)到地,那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了,所以这个电路是不能输出高电平的。
再看图三。
图三中那个1k的电阻即是上拉电阻。
如果开关闭合,则有电流从1k电阻及开关上流过,但由于开关闭和时电阻为0(方便我们的讨论,实际情况中开关电阻不为0,另外对于三极管还存在饱和压降),所以在开关上的电压为0,即输出电平为0。
数字电子技术基础第三章
二、交流噪声容限
反相器对窄脉冲 的噪声容限—交 流噪声容限远高 于直流噪声容限。
交流噪声容限受 电源电压和负载 电容的影响。
图3.3.23 CMOS反相器的交流噪声容限
三、动态功耗
动态功耗:当CMOS 反相器从一种稳定工 作状态突然转变到另 一种稳定的过程中, 将产生附加的功耗。
PD=PC+PT PD为总动态功耗 PC为对负载电容充放
图3.3.xx CMOS三态门电路结构之三 可连接成总线结构。还能实现数据的双向传输。
3.3.6 CMOS电路的正确使用
一、输入电路的静电防护
1、在存储和运输CMOS器件时最好采用金属屏蔽层 作包装材料,避免产生静电。
2、组装、调试时,应使电烙铁和其他工具、仪表、 工作台面等良好接地。操作人员的服装、手套等选用 无静电的原料制作。
图3.5.34 OC门输出并联的接法及逻辑图
2.1 概述
常用的门电路在逻 辑功能上有: 与门、 或门、非门、与非 门、或非门、与或 非门、异或门等几 种。
单开关电路 互补开关电路
图3.1.1 获得高、低电平的基本原理
图3.1.2 正逻辑与负逻辑
一些概念
1、片上系统(SoC) 2、双极型TTL电路 3、CMOS
1961年美国TI公司,第一片数字集成电路 (Integrated Circuits, IC)。
C=1时 Vo=RL*Vi/(RL+RTG) RTG越小越好,并且希望不 受输入电压变化。
图3.3.39 CMOS模拟开关接 负载电阻的情况
四、三态输出的CMOS门电路
高阻态。 此电路结构 总是接在集 成电路的输 出端。
图3.3.40 CMOS三态门电路结构之一
推挽式输出和漏极式输出
单片机学习之推挽输出与漏极开路输出方式push- pull输出就是一般所说的推挽输出,在cmos电路里面应该较cmos输出更合适,因为在cmos里面的push-pull输出能力不可能做得双极那么大。
输出能力看ic内部输出极n管p管的面积。
和开漏输出相比,push-pull的高低电平由ic的电源低定,不能简单的做逻辑操作等。
push-pull是现在cmos电路里面用得最多的输出级设计方式。
一.什么是oc、od集电极开路门(集电极开路oc 或源极开路od)open-drain是漏极开路输出的意思,相当于集电极开路(open-collector)输出,即ttl中的集电极开路(oc)输出。
一般用于线或、线与,也有的用于电流驱动。
open-drain是对mos管而言,open-collector是对双极型管而言,在用法上没啥区别。
开漏形式的电路有以下几个特点:1.利用外部电路的驱动能力,减少ic内部的驱动。
或驱动比芯片电源电压高的负载.2. 可以将多个开漏输出的pin,连接到一条线上。
通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。
这也是i2c,smbus等总线判断总线占用状态的原理。
如果作为图腾输出必须接上拉电阻。
接容性负载时,下降延是芯片内的晶体管,是有源驱动,速度较快;上升延是无源的外接电阻,速度慢。
如果要求速度高电阻选择要小,功耗会大。
所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。
3.可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。
例如加上上拉电阻就可以提供ttl/cmos电平输出等。
4.开漏pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。
一般来说,开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的。
5.正常的cmos输出级是上、下两个管子,把上面的管子去掉就是open-drain了。
这种输出的主要目的有两个:电平转换和线与。
6.由于漏级开路,所以后级电路必须接一上拉电阻,上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。
TTL门电路简单小结
TTL门电路简单⼩结以基集b和发射极e之间的发射结作为输⼊回路。
以集电极c和发射极e之间的回路作为输出回路。
V ON为开启电压。
硅三极管的开启电压V ON为0.5~0.7V,锗三极管的开启电压V ON为0.2~0.3V。
V BE为输⼊电压,i B为输⼊电流。
V CE为输出电压,i C为输出电流。
集电极电流i C不仅受V CE 影响,还受基极电流i B影响。
输出特性曲线分三个区:1、曲线右边的⽔平部分为放⼤区(线性区),特点是:i C随i B成正⽐变化,⼏乎不受V CE变化的影响。
2、靠近纵轴部分为饱和区,特点是:i C不随i B贝塔的⽐例增加,⽽是趋向饱和。
硅三极管饱和区的V CE值约为0.6~0.7V,深度饱和状态下的饱和压降在0.2V以下。
3、i B的⼀条输出特性曲线以下的区域为截⾄区。
截⽌区特点是i C⼏乎为0.双极型三极管的基本开关电路当V I=0,或者V I当V I>V ON时,三极管导通状态,输出电压为低电平V OL.硅三极管的深度饱和压降为0.3V,V CE(sat)饱和导通压降。
R CE(sat)饱和导通内阻。
锗三极管的深度饱和压降为0.1V 综上述,保证当V I=V IL时V BEV I=V IH时i B>I BS,三极管⼯作在深度饱和状态,相当于开关接通,在开关电路的输出端V O=V OL输出低电平。
则Y=Aˊ则三极管的c-e间就相当于⼀个受V I控制的开关。
晶体管⼯作在放⼤状态的外部条件是发射结正向偏置,且集电节反向偏置.PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄.(幻灯⽚第114张和115张不明⽩).稳压管的稳压区是其⼯作在反向击穿.β=⊿i C/⊿i B ,β是交流电流的放⼤系数。
α=β/(1+β)当三极管截⽌时,发射结反偏,i C=0,相当于开关断开;当三极管饱和时,发射结正偏,V CE=V CE(sat)≈0.相当于开关闭合.图3.5.10 TTL反相器的TTL反相器的电压的传输特性1、 A~B 段:截⽌区:V I <0.6V, V B1<1.3VT 1导通,T 2,T 5截⽌,T 4导通→V OH =V CC —V R2—V BE4—V D2=3.4V 。
开漏 推挽电路
Open drain & push pull,IO口驱动,集电极开路Open drain & push pull最近在写GPIO的driver, 在配置GPIO管脚时,看见了感觉熟悉的两个名词:Open Drain and Push Pull。
可是一时对它们的原理及区别有感觉很模糊,故上网收集了一些资料复习一下。
所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。
同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。
开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。
一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。
完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。
如图1所示:图 1组成开漏形式的电路有以下几个特点:1. 利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。
当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。
IC内部仅需很下的栅极驱动电流。
如图1。
2. 可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。
形成“与逻辑” 关系。
如图1,当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后,开漏线上的逻辑就为0了。
这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
3. 可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。
如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定,而输出高电平则由Vcc2决定。
这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平(因此对于经典的51单片机的P0口而言,要想做输入输出功能必须加外部上拉电阻,否则无法输出高电平逻辑)。
5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。
添加其它的判断电路,才能具备双向输入、输出的能力。
图 2应用中需注意:1. 开漏和开集的原理类似,在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。
例如,某输入Pin要求由开漏电路驱动。
则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它,即方便又节省成本。
漏极开路
1. 集电极开路输出在电路中常会遇到漏极开路(Open Drain)和集电极开路(Open Collector)两种情形。
漏极开路电路概念中提到的“漏”是指MOSFET的漏极。
同理,集电极开路电路中的“集”就是指三极管的集电极。
在数字电路中,分别简称OD门和OC门。
典型的集电极开路电路如图所示。
电路中右侧的三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路,左侧的三极管用于反相作用,即左侧输入“0”时左侧三极管截止,VCC通过电阻加到右侧三极管基极,右侧三极管导通,右侧输出端连接到地,输出“0”。
从图中电路可以看出集电极开路是无法输出高电平的,如果要想输出高电平可以在输出端加上上拉电阻。
因此集电极开路输出可以用做电平转换,通过上拉电阻上拉至不同的电压,来实现不同的电平转换。
用做驱动器。
由于OC门电路的输出管的集电极悬空,使用时需外接一个上拉电阻Rp到电源VCC。
OC门使用上拉电阻以输出高电平,此外为了加大输出引脚的驱动能力,上拉电阻阻值的选择原则,从降低功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;从确保足够的驱动电流考虑应当足够小。
将OC门输出连在一起时,再通过一个电阻接外电源,可以实现“线与”逻辑关系。
只要电阻的阻值和外电源电压的数值选择得当,就能做到既保证输出的高、低电平符合要求,而且输出三极管的负载电流又不至于过大。
集电极开路输出除了可以实现多门的线与逻辑关系外,通过使用大功率的三极管还可用于直接驱动较大电流的负载,如继电器、脉冲变压器、指示灯等。
2. 漏极开路输出和集电极开路一样,顾名思义,开漏电路就是指从MOSFET的漏极输出的电路。
典型的用法是在漏极外部的电路添加上拉电阻到电源如图所示。
完整的开漏电路应由开漏器件和开漏上拉电阻组成。
这里的上拉电阻R的阻值决定了逻辑电平转换的上升/下降沿的速度。
阻值越大,速度越低,功耗越小。
因此在选择上拉电阻时要兼顾功耗和速度。
标准的开漏脚一般只有输出的能力。
添加其它的判断电路,才能具备双向输入、输出的能力。
MOS管构成的缓冲器Buffer和漏极开路门OD门的详细概述
MOS 管构成的缓冲器Buffer 和漏极开路门OD 门的
详细概述
本文你可以获得什幺?
MOS 管构成的缓冲器Buffer 和漏极开路们OD 门是数字电路非常重要的概念,怎幺构成的;
反相器,线与逻辑怎幺玩,又怎幺用呢?
根据原理图,真值表,应用典型电路全面了解基本的逻辑门,与门,或门,与非门。
半导体SS, TT, FF 是怎幺回事?
1. MOS 管逻辑电路(与门,或门,非门等)作为硬件工程师,不能不懂芯片;而要想懂芯片,MOS 管构成的各种基本逻辑电路必须熟记于心,才能够更熟练的看懂芯片的框图。
场效应管(Field-Effect Transistor)通过不同的。
推挽电路和漏极开路
Open-Drain与Push-PullGPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出。
(General Purpose Input Output,简称为GPIO或总线扩展器,利用工业标准I2C、SMBus、或SPI 接口简化了I/O口的扩展。
当微控制器或芯片组没有足够的I/O端口,或当系统需要采用远端串行通信或控制时,GPIO产品能够提供额外的控制和监视功能。
)但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull)。
对此两种模式,有何区别和联系,下面整理了一些资料,来详细解释一下:【Push-Pull推挽输出】原理:输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET,当Q1导通、Q2截止时输出高电平;而当Q1截止导通、Q2导通时输出低电平。
Push-Pull输出,实际上内部是用了两个晶体管(transistor),此处分别称为Top-Transistor和Bottom-Transistor。
通过开关对应的晶体管,输出对应的电平。
Top-Transistor打开(Bottom-Transistor关闭),输出为高电平;Bottom-Transistor打开(Top-Transistor关闭),输出低电平。
Push-pull即能够漏电流(sink current),又可以集电流(source current)。
其也许有,也许没有另外一个状态:高阻抗(high impedance)状态。
除非Push-pull需要支持额外的高阻抗状态,否则不需要额外的上拉电阻。
特点:在CMOS电路里面应该叫CMOS输出更合适,因为在CMOS里面的push-pull输出能力不可能做得双极那么大。
输出能力看IC内部输出极N管P管的面积。
push-pull 是现在CMOS电路里面用得最多的输出级设计方式。
优点:(1)可以吸电流,也可以贯电流;(2)和开漏输出相比,push-pull的高低电平由IC的电源低定,不能简单的做逻辑操作等。
3三态输出和漏极开路输出的CMOS门电路
逻辑符号
A1
Y
EN EN
A1
Y
EN EN
A& B
Y
EN EN
A& B
Y
EN EN
名称
输出表达式
三态非门 (1 控制有效)
三态非门 (0 控制有效)
三态与非门 (1 控制有效)
Y = A (EN=1 时) 高阻 (EN=0 时)
Y=
A (EN= 0 时) 高阻 (EN= 1 时)
Y=
AB (EN=1 时) 高阻 (EN= 0 时)ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
1. 直流电气特性和参数 也称静态特性,指电路处于稳定工作状态下的电 压、电流特性,通常用一系列电气参数来描述。
(1) 输入高电平VIH和输入低电平VIL VDD为+5V时,74HC系列集成电路的VIH(min)约为3.5V, VIL(max)约为1.5V。
(2) 输出高电平VOH和输出低电平VOL VDD为+5V时, 74HC系列集成电路的VOH(min)为4.4V
三态门电路的应用
(2)、用三态门实现数据双向传输
EN=0
G1高阻、G2工作
数据从总线经G2传输
EN=1 G2高阻、G1工作 数据经G1传输到总线
2. 漏极开路输出的门电路简称OD门
(a)工作时必须外接电源和电阻;
实现逻辑电平的变换:输出高电平等 于外接电源值
(b)与非逻辑不变;
(c) 可以实现线与功能。
3.2.3 三态输出和漏极开路输出的CMOS门电路
1. 三态输出的门电路
控制端也叫使能端
互补电路结构的CMOS门电 路是禁止输出端直接相连的。
“三态”:指输出为高 电平、低电平和高阻态。
教案.第六讲常用cmos逻辑门电路及74ls系列ttl逻辑门电路
上一讲内容回顾:CMOS 反相器结构和工作原理+V DDB 1G 1D 1S 1u Au YT NT PB 2D 2S 2G 2VSS+-uGSNu +-GSPAY 0V+V DD u Au GSN|u GSP |T NT Pu Y 0V<U th(N)>|U th(P)|截止导通V DD V DD >U th(N)<|U th(P)|导通截止0V设U th(N)=2V ,U th(P)=-2V ,V DD =5V 。
R ONPu Y +V DD V DD ST N T P T R ONNu Y +V DD 0V SN T PAY导通导通截止截止u A =0V 时u A =V DD 时电压传输特性和电流传输特性i D ++V DDB 1G 1D 1S 1u I-u OT NT PB 2D 2S 2G 2V SSA BCDE FU th(N)V DDU THU th(P)U NLU NHu O / Vu I / VD A BC E Fi D /mAu I / VU TH电压传输特性电流传输特性漏极开路输出CMOS 门电路(OD 门) AB Y AB Y =R LV DD2V DD1A BV SS用途:输出缓冲/驱动器;输出电平的变换;满足大功率负载电流的需要;实现线与逻辑。
应用举例 “线与”连接方法R LV DD G 1A B Y 2G 2CD Y 1Y A BY C D R L V DD Y 2Y 1G 1G 2“线与”逻辑符号21Y Y Y ⋅=AB Y =1CD Y =2CD AB CD AB Y +=⋅=R L 的选择 m '个V DD V IHV ILV ILR L(max)L IH OH OH DD L R mI nI V V R =+-≤I OHI IHn 个OH L IH OH DD V R mI nI V ≥+-)(V OHV DD V IL V IL V IL R L m 个m 、m'是负载门电路分别为高、低电平时,负载门输入端进或出电流的数目。
二输入漏极开路与非门的逻辑门符号
二输入漏极开路与非门的逻辑门符号漏极开路是指一个二极管没有被正向偏置,因此两端之间不存在电流流动的情况。
而非门是一种逻辑门电路,其输出信号与输入信号相反。
下面将分别介绍这两种电路的逻辑门符号、工作原理和应用场景。
漏极开路的电路符号是一个三角形与一条箭头组成。
三角形代表二极管,箭头表示电流流向的方向。
如果箭头没有指向三角形中的端口,则表示一个漏极开路电路。
漏极开路电路是一个非线性电路。
它在电路中的应用非常广泛,比如作为电源线路、射频电路中的限幅器等。
在射频电路中,漏极开路电路的作用是过滤掉高频噪声信号,从而保证低噪声运行。
在数字电路中,漏极开路电路可以作为一个反向开关使用,用于控制信号的通断。
非门是一种基本的逻辑门,它将逻辑电平反转,即输出的电平与输入的电平相反。
非门的符号是一个三角形与一个小圆圈组成。
三角形代表输入端,小圆圈代表输出端。
非门的工作原理是:当输入端为低电平时,输出端为高电平;当输入端为高电平时,输出端为低电平。
将非门的输出接入另一个非门的输入,则可以构造出“与非门”的功能,也就是两个输入都为高电平时输出低电平,否则输出高电平。
应用场景上,非门可以用于逻辑电路的控制、计算机系统中的数据处理等。
非门电路是任何数字电路的基础。
从机器学习的应用来看,非门可用于设计神经网络,从而实现分类、识别、决策等功能,非常重要。
总之,漏极开路和非门分别是两种电路的逻辑门符号,其功能与应用各不相同,但它们都是数字电路设计和射频电路设计中不可或缺的元素。
在实际应用中,我们需要根据具体需求选择合适的电路符号,并且仔细设计电路,以确保系统的可靠性和稳定性。
集电极开路(oc)或漏极开路(od)输出的结构
集电极开路(OC)或漏极开路(OD)输出的结构是指在电路中,当电流传输到最终输出端时,由于某种原因无法正常输出电流,出现开路或漏路的情况。
这种情况在电路设计和应用中是很常见的,并且对电路的正常运行有着重要影响。
在本文中,我将深入探讨集电极开路(OC)或漏极开路(OD)输出的结构,并就此进行全面评估和讨论。
1. 开路和漏路的定义在集电极开路(OC)或漏极开路(OD)输出的结构中,开路是指电路中的某个环节或元件由于损坏或其他原因导致电流无法正常通过,从而使得电路中断或无法输出预期的信号或电流。
漏路则是指电路中某个元件或部分出现电流泄漏的情况,导致电路输出异常或失效。
2. 开路和漏路的影响在电路中,一旦出现集电极开路(OC)或漏极开路(OD)输出的结构,会对电路的正常运行产生严重影响。
开路会导致电路无法传输预期的电流或信号,从而使设备无法正常工作。
漏路则会导致电路中出现异常电流,可能会损坏其他元件或对设备造成损害。
及时发现和解决开路或漏路问题对于电路的稳定运行至关重要。
3. 开路和漏路的检测和解决针对集电极开路(OC)或漏极开路(OD)输出的结构,需要通过一系列的测试和分析来检测和解决问题。
可以利用多米特、示波器等测试仪器进行电路的连通性测试和信号输出测试,以确定是否存在开路或漏路情况。
一旦发现问题,需要及时确认问题部位并进行修复或替换损坏元件,以恢复电路的正常运行。
4. 个人观点和理解对于集电极开路(OC)或漏极开路(OD)输出的结构,我认为在电路设计和实际应用中,需要重视对开路和漏路问题的预防和解决。
在电路设计过程中,应该采取可靠的元件和连接方式,以减少开路或漏路的发生。
在电路应用过程中,需要定期进行维护和检测,及时处理发现的问题,确保电路的稳定运行。
总结回顾本文对集电极开路(OC)或漏极开路(OD)输出的结构进行了全面评估和深入探讨。
从定义、影响、检测和解决以及个人观点和理解等方面进行了详细阐述。
OC门OD门。
1. 集电极开路输出在电路中常会遇到漏极开路(Open Drain)和集电极开路(Open Collector)两种情形。
漏极开路电路概念中提到的“漏”是指MOSFET的漏极。
同理,集电极开路电路中的“集”就是指三极管的集电极。
在数字电路中,分别简称OD门和OC门。
典型的集电极开路电路如图所示。
电路中右侧的三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路,左侧的三极管用于反相作用,即左侧输入“0”时左侧三极管截止,VCC通过电阻加到右侧三极管基极,右侧三极管导通,右侧输出端连接到地,输出“0”。
从图中电路可以看出集电极开路是无法输出高电平的,如果要想输出高电平可以在输出端加上上拉电阻。
因此集电极开路输出可以用做电平转换,通过上拉电阻上拉至不同的电压,来实现不同的电平转换。
用做驱动器。
由于OC门电路的输出管的集电极悬空,使用时需外接一个上拉电阻Rp到电源VCC。
OC门使用上拉电阻以输出高电平,此外为了加大输出引脚的驱动能力,上拉电阻阻值的选择原则,从降低功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;从确保足够的驱动电流考虑应当足够小。
将OC门输出连在一起时,再通过一个电阻接外电源,可以实现“线与”逻辑关系。
只要电阻的阻值和外电源电压的数值选择得当,就能做到既保证输出的高、低电平符合要求,而且输出三极管的负载电流又不至于过大。
集电极开路输出除了可以实现多门的线与逻辑关系外,通过使用大功率的三极管还可用于直接驱动较大电流的负载,如继电器、脉冲变压器、指示灯等。
2. 漏极开路输出和集电极开路一样,顾名思义,开漏电路就是指从MOSFET的漏极输出的电路。
典型的用法是在漏极外部的电路添加上拉电阻到电源如图所示。
完整的开漏电路应由开漏器件和开漏上拉电阻组成。
这里的上拉电阻R的阻值决定了逻辑电平转换的上升/下降沿的速度。
阻值越大,速度越低,功耗越小。
因此在选择上拉电阻时要兼顾功耗和速度。
标准的开漏脚一般只有输出的能力。
添加其它的判断电路,才能具备双向输入、输出的能力。
集电极开路(OC门)
集电极开路集电极开路又名“开集级电路”或“OC门”(英语:Open Collector,),是一种集成电路的输出装置。
OC门实际上只是一个NPN型三极管,并不输出某一特定电压值或电流值。
OC门根据三极管基级所接的集成电路来决定(三极管发射极接地),通过三极管集电极,使其开路而输出。
而输出设备若为场效应晶体管(MOSFET),则称之为漏极开路(英语:Open Drain,俗称“OD门”),工作原理相仿。
通过OC门这一装置,能够让逻辑门输出端的直接并联使用。
两个OC门的并联,可以实现逻辑与的关系,称为“线与”,但在输出端口应加一个上拉电阻与电源相连。
结构我们先来说说集电极开路输出的结构。
集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为“0”时,输出为“1”)。
对于图1,当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极C跟发射极E之间相当于断开),所以5V电源通过1K电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合);当左端的输入为“1”时,前面的三极管导通,而后面的三极管截止(相当于开关断开)。
我们将图1简化成图2的样子。
图2中的开关受软件控制,“1”时断开,“0”时闭合。
很明显可以看出,当开关闭合时,输出直接接地,所以输出电平为0。
而当开关断开时,则输出端悬空了,即高阻态。
这时电平状态未知,如果后面一个电阻负载(即使很轻的负载)到地,那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了,所以这个电路是不能输出高电平的。
再看图三。
图三中那个1K的电阻即是上拉电阻。
如果开关闭合,则有电流从1K电阻及开关上流过,但由于开关闭合时电阻为0(方便我们的讨论,实际情况中开关电阻不为0,另外对于三极管还存在饱和压降),所以在开关上的电压为0,即输出电平为0。
如果开关断开,则由于开关电阻为无穷大(同上,不考虑实际中的漏电流),所以流过的电流为0,因此在1K电阻上的压降也为0,所以输出端的电压就是5V了,这样就能输出高电平了。
1.CMOS漏极开路门
⑵当c=1, c =0时
a、VI=5V~3V
C 5V
VGSN=5V (-5V~+3V)=(10~2)V
TP
VGSN>VTN, TN导通
vI /vO
+5V
vO / vI
b、VI=3V~5V
– 5V
VGSP= 5V (-3V~+5V)
TN
=2V ~ 10V
C +5V
⑷三态门的用途
实现总线分时控制
实现数据双向传输
七、CMOS传输门(双向模拟开关)
1. CMOS传输门电路
电路 C
vI /vO
TP
+5V 5V
vO /vI
TN
C
等效电路
υI / υO
逻辑符号
C
vI /vO
TG
vO /vI
C
C
υo/ υI
2.CMOS传输门电路的工作原理
vI /vO
5V到+5V
Rp(min)
VDD VOL(max) I OL(max) I IL(total)
+V DD
& IOL(max) RP
&
0
&
IIL(total) k
IIL &
… …
1
n
m
&
&
1
当VO=VOH
为使得高电平不低于规定的VIH的 最小值,则Rp的选择不能过大。 Rp的最大值Rp(max) :
Rp(max)
输出 高电平
低电平
⑶采用输入级以提高工作速度
当TTL反相器I由3.6V变0.2V的瞬间
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什么是漏极开路(OD)?对于漏极开路(OD)输出,跟集电极开路输出是十分类似的。
将上面的三极管换成场效应管即可。
这样集电极就变成了漏极,OC就变成了OD,原理分析是一样的。
另一种输出结构是推挽输出。
推挽输出的结构就是把上面的上拉电阻也换成一个开关,当要输出高电平时,上面的开关通,下面的开关断;而要输出低电平时,则刚好相反。
比起OC或者OD来说,这样的推挽结构高、低电平驱动能力都很强。
如果两个输出不同电平的输出口接在一起的话,就会产生很大的电流,有可能将输出口烧坏。
而上面说的OC或OD输出则不会有这样的情况,因为上拉电阻提供的电流比较小。
如果是推挽输出的要设置为高阻态时,则两个开关必须同时断开(或者在输出口上使用一个传输门),这样可作为输入状态,AVR单片机的一些IO口就是这种结构。
我们先来说说集电极开路输出的结构。
集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为“0”时,输出也为“0”)。
对于图1,当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极c跟发射极e之间相当于断开),所以5v电源通过1 k电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合);当左端的输入为“1”时,前面的三极管导通,而后面的三极管截止(相当于开关断开)。
我们将图1简化成图2的样子。
图2中的开关受软件控制,“1”时断开,“0”时闭合。
很明显可以看出,当开关闭合时,输出直接接地,所以输出电平为0。
而当开关断开时,则输出端悬空了,即高阻态。
这时电平状态未知,如果后面一个电阻负载(即使很轻的负载)到地,那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了,所以这个电路是不能输出高电平的。
再看图三。
图三中那个1k的电阻即是上拉电阻。
如果开关闭合,则有电流从1k电阻及开关上流过,但由于开关闭和时电阻为0(方便我们的讨论,实际情况中开关电阻不为0,另外对于三极管还存在饱和压降),所以在开关上的电压为0,即输出电平为0。
如果开关断开,则由于开关电阻为无穷大(同上,不考虑实际中的漏电流),所以流过的电流为0,因此在1k电阻上的压降也为0,所以输出端的电压就是5v了,这样就能输出高电平了。
但是这个输出的内阻是比较大的(即1kω),如果接一个电阻为r的负载,通过分压计算,就可以算得最后的输出电压为5*r/(r+1000)伏,即5/(1+1000/r)伏。
所以,如果要达到一定的电压的话,r就不能太小。
如果r真的太小,而导致输出电压不够的话,那我们只有通过减小那个1k的上拉电阻来增加驱动能力。
但是,上拉电阻又不能取得太小,因为当开关闭合时,将产生电流,由于开关能流过的电流是有限的,因此限制了上拉电阻的取值,另外还需要考虑到,当输出低电平时,负载可能还会给提供一部分电流从开关流过,因此要综合这些电流考虑来选择合适的上拉电阻。
如果我们将一个读数据用的输入端接在输出端,这样就是一个io口了(51的io口就是这样的结构,其中p0口内部不带上拉,而其它三个口带内部上拉),当我们要使用输入功能时,只要将输出口设置为1即可,这样就相当于那个开关断开,而对于p0口来说,就是高阻态了。
对于漏极开路(od)输出,跟集电极开路输出是十分类似的。
将上面的三极管换成场效应管即可。
这样集电极就变成了漏极,oc就变成了od,原理分析是一样的。
另一种输出结构是推挽输出。
推挽输出的结构就是把上面的上拉电阻也换成一个开关,当要输出高电平时,上面的开关通,下面的开关断;而要输出低电平时,则刚好相反。
比起oc或者od来说,这样的推挽结构高、低电平驱动能力都很强。
如果两个输出不同电平的输出口接在一起的话,就会产生很大的电流,有可能将输出口烧坏。
而上面说的oc或od输出则不会有这样的情况,因为上拉电阻提供的电流比较小。
如果是推挽输出的要设置为高阻态时,则两个开关必须同时断开(或者在输出口上使用一个传输门),这样可作为输入状态,avr单片机的一些io口就是这种结构。
在数字电路中不用的输入脚都要接固定电平,通过1k电阻接高电平或接地。
1. 电阻作用:l 接电组就是为了防止输入端悬空l 减弱外部电流对芯片产生的干扰l 保护cmos内的保护二极管,一般电流不大于10mal 上拉和下拉、限流l 1. 改变电平的电位,常用在ttl-cmos匹配2. 在引脚悬空时有确定的状态3.增加高电平输出时的驱动能力。
4、为oc门提供电流l 那要看输出口驱动的是什么器件,如果该器件需要高电压的话,而输出口的输出电压又不够,就需要加上拉电阻。
l 如果有上拉电阻那它的端口在默认值为高电平你要控制它必须用低电平才能控制如三态门电路三极管的集电极,或二极管正极去控制把上拉电阻的电流拉下来成为低电平。
反之,l 尤其用在接口电路中,为了得到确定的电平,一般采用这种方法,以保证正确的电路状态,以免发生意外,比如,在电机控制中,逆变桥上下桥臂不能直通,如果它们都用同一个单片机来驱动,必须设置初始状态.防止直通!2、定义:l 上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平!电阻同时起限流作用!下拉同理!l 上拉是对器件注入电流,下拉是输出电流l 弱强只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分l 对于非集电极(或漏极)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。
3、为什么要使用拉电阻:l 一般作单键触发使用时,如果ic本身没有内接电阻,为了使单键维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态,必须在ic外部另接一电阻。
l 数字电路有三种状态:高电平、低电平、和高阻状态,有些应用场合不希望出现高阻状态,可以通过上拉电阻或下拉电阻的方式使处于稳定状态,具体视设计要求而定!l 一般说的是i/o端口,有的可以设置,有的不可以设置,有的是内置,有的是需要外接,i/o端口的输出类似与一个三极管的c,当c接通过一个电阻和电源连接在一起的时候,该电阻成为上c拉电阻,也就是说,如果该端口正常时为高电平,c通过一个电阻和地连接在一起的时候,该电阻称为下拉电阻,使该端口平时为低电平,作用吗:比如:当一个接有上拉电阻的端口设为输如状态时,他的常态就为高电平,用于检测低电平的输入。
l 上拉电阻是用来解决总线驱动能力不足时提供电流的。
一般说法是拉电流,下拉电阻是用来吸收电流的,也就是你同学说的灌电流线驱动(差动输出)线驱动器是一个源电流输出器件。
在导通状态时,线驱动器输出为电源(vcc);在关断状态时,输出悬空。
因此,线驱动器需要一个灌电流输入接口。
下面表格中给出了一个简单的线驱动器的原理图。
差动输出(欧姆龙称为线性驱动输出)线性驱动输出就是根据rs-422a的数据输送回路。
可通过双股搅合线电缆进行长距离输送集电极开路集电极开路电路是灌电流输出器件。
在关断状态时,集电极开路输出连到地;在导通状态时,集电极开路输出悬空。
因此,集电极开路输出需要一个源电流输入接口。
下面表格中给出了一个简单的集电极开路输出电路的原理图.推挽式推挽式输出结合了线驱动与集电极开路输出,在关断状态时,推挽式输出接地;在导通状态时,推挽式输出连到电源(vcc)。
推挽输出(欧姆龙称为互补输出)输出回路有2种,即npn与pnp2种晶体管输出。
根据输出信号h或l,2种晶体管输出互相交叉进行on或off动作,使用时,正电源,0v分别为吸合,拉下互补输出是输出电流流出或流入2种动作,特征是信号的上升、下降速度快,可进行导线的长距离延长。
可与开路集电极输入机器(npn/pnp)连接,另外还可以连接到电压输入机器上。
但是为了能更好的发挥未来的性能,一般推荐在电压输入机器上使用电压输入的编码器。
1、所谓“漏型输入”,是一种由plc内部提供输入信号源,全部输入信号的一端汇总到输入的公共连接端com的输入形式。
又称为“汇点输入”。
2、输入传感器为接近开关时,只要接近开关的输出驱动力足够,漏型输入的plc输入端就可以直接与npn集电极开路型接近开关的输出进行连接,但是,当采用pnp集电极开路型接近开关时,由于接近开关内部输出端与0v间的电阻很大,无法提供电耦合器件所需要的驱动电流,因此需要增加“下拉电阻”。
如图。
增加下拉电阻后应注意,此时的plc内部输入信号与接近开关发信状态相反,即接近开关发信时,“下拉电阻”上端为24v,光电耦合器件无电流,内部信号为“0”;未发信时,plc内部dc24v与0v之间,通过光电耦合器件、限流电阻、“下拉电阻”经公共端com构成电流回路,输入为“1”。
下拉电阻的阻值主要决定于plc输入光电耦合器件的驱动电流、plc内部输入电路的限流电阻阻值。
通常情况下,其值为1.5—2kω,计算公式如下:第一种公式:r≤[(ve-0.7)/ii]-ri式中:r——下拉电阻(kω)ve——输入电源电压(v)ii——最小输入驱动电流(ma)ri——plc内部输入限流电阻(kω)公式中取发光二极管的导通电压为0.7v。
第二种公式:下拉电阻≤[输入限流电阻/(最小on电压/24v)]-输入限流电阻[/COLOR]1、所谓“源型输入”,是一种由外部提供输入信号电源或使用plc内部提供给输入回路的电源,全部输入信号为“有源”信号,并独立输入plc的输入连接形式。
2、所谓“源型输入”,是一种由外部提供输入信号电源或使用plc内部提供给输入回路的电源,全部输入信号为“有源”信号,并独立输入plc的输入连接形式。
输入传感器为接近开关时,只要接近开关的输出驱动力足够,源型输入的plc输入端就可以直接与pnp集电极开路型接近开关的输出进行连接。
相反,当采用npn集电极开路型接近开关时,由于接近开关内部输出端与24v间的电阻很大,无法提供电耦合器件所需要的驱动电流,因此需要增加“上拉电阻”。
如图。
增加下拉电阻后应注意,此时的plc内部输入信号与接近开关发信状态相反,即接近开关发信时,“上拉电阻”上端为0v,光电耦合器件无电流,内部信号为“0”;未发信时,plc内部dc24v与0v之间,通过光电耦合器件、限流电阻、“上拉电阻”经公共端com构成电流回路,输入为“1”。
上拉电阻的阻值主要决定于plc输入光电耦合器件的驱动电流、plc内部输入电路的限流电阻阻值。
通常情况下,其值为1.5—2kω,其计算公式与下拉电阻计算公式相同。
增长共性或减少共性取决于连接的设备。
漏型有减少共性,打开时电流从负载流向单元。
源型正相反,共性增加,电流从单元流向负载。
以上资料来源于网络,本人只是加以集合,以便应用。
s7-200plc既可接漏型,也可接源型,而300plc一般是源型,欧美一般是源型,输入一般用pnp的开关,高电平输入。
而日韩好用漏型,一般使用npn型的开关也就是低电平输入。