齐纳二极管和肖特基二极管
肖特基二极管应用
肖特基二极管应用
肖特基二极管是一种特殊的二极管，它是由德国物理学家沃尔特·肖特基于20世纪20年代发明的。
与普通二极管不同，肖特基二极管的结构中只有一个PN结，而没有P型或N型半导体区域。
这种结构使得肖特基二极管具有许多独特的性能和应用。
肖特基二极管具有低电压降特性。
由于其结构中只有一个PN结，因此在正向偏置时，只需要克服PN结的势垒电压，而不需要克服P 型或N型半导体区域的势垒电压。
这使得肖特基二极管的正向电压降非常低，通常只有0.2-0.3V，比普通二极管低得多。
这种低电压降特性使得肖特基二极管在低电压、低功耗的电路中得到广泛应用。
肖特基二极管具有快速开关特性。
由于其结构中只有一个PN结，因此在反向偏置时，只有少量载流子穿过PN结，因此反向电流非常小。
这使得肖特基二极管的开关速度非常快，可以用于高频电路和数字电路中。
肖特基二极管还具有高温稳定性和低噪声特性。
由于其结构中只有一个PN结，因此在高温下，PN结的势垒电压变化较小，因此肖特基二极管的性能变化较小。
肖特基二极管的应用非常广泛。
它可以用于低电压、低功耗的电路中，如电源管理电路、DC-DC转换器、LED驱动器等。
它还可以用于高频电路和数字电路中，如射频放大器、混频器、频率倍频器等。
此外，肖特基二极管还可以用于低噪声电路中，如放大器、滤波器等。
肖特基二极管是一种非常重要的半导体器件，具有许多独特的性能和应用。
随着电子技术的不断发展，肖特基二极管的应用前景将会更加广阔。
稳压二极管
（a）物理结构 （b）符号
激光二极管 的应用非常广泛， 在计算机的光盘 驱动器，激光打 印机中的打印头， 激光唱机，激光 影碟机中都有激 光二极管。
30
器件，其PN结工作在反偏状态，可以将光能转换为电 能，实现光电转换。
（a）符号 （b）电路模型 （c）特性曲线 25
2. 发光二极管
发光二极管是一种光发射器件，英文缩写是LED。 此类管子通常由镓（Ga）、砷（As）、磷（P）等元素 的化合物制成，管子正向导通，当导通电流足够大时， 能把电能直接转换为光能，发出光来。目前发光二极管 的颜色有红、黄、橙、绿、白和蓝6种，所发光的颜色主 要取决于制作管子的材料，例如用砷化镓发出红光，而 用磷化镓则发出绿光。其中白色发光二极管是新型产品， 主要应用在手机背光灯、液晶显示器背光灯、照明等领 域。
得Q点处的微变电导
gd
diD dvD
Q
IS evD /VT VT
Q
（a）V-I特性 （b）电路模型
iD VT
Q
ID VT
则
rd
1 gd
VT ID
常温下（T=300K）
rd
VT ID
26(mV) ID(mA)
7
⑷小信号模型
（a）V-I特性 （b）电路模型
特别注意： ⑴小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ⑵该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT 。
17
一、齐纳二极管
1.符号及稳压特性
齐纳二极管又称稳压二极管，它是利用二极管反向击穿特性实现稳压。 稳压时工作在反向电击穿状态。
18
2. 稳压二极管主要参数
(1) 稳定电压VZ 在规定的稳压管反向工作
齐纳二极管稳压二极管工作原理及主要全参数
齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数齐纳二极管也叫稳压二极管.一般二极管处于逆向偏压时，若电压超过PIV(逆向峰值电压)值时二极管将受到破坏，这是因为一般二极管在两端的电位差既高之下又要通过大量的电流，此时所产生的功率所衍生的热量足以使二极管烧毁。
齐纳二极管就是专门被设计在崩溃区操作，是一个具有良好的功率散逸装置，可以当做电压参考或定电压组件。
若利用齐纳二极管作为电压调节器，将使附载电压保持在Vz附近且几乎唯一定值，不受附载电流或电源上电压变动影响。
一般二极管之崩溃电压，在制作时可以随意加以控制，所以一般齐纳二极管之崩电压(Vz)从数伏特至上百伏特都有。
一般齐纳二极管在特性表或电路上除了标住Vz外，均会注明Pz也就是齐纳二极管所能承受之做大功率，也可由Pz=Vz*Iz 换算出奇纳二极管可通过最大电流Iz。
dz3w上有个在线计算器,电路设计时可以用来计算稳压二极管的相关参数.齐纳二极管工作原理齐纳二极管主要工作于逆向偏压区，在二极管工作于逆向偏压区时，当电压未达崩溃电压以前，二极管上并不会有电流产生，但当逆向电压达到崩溃电压时，每一微小电压的增加就会产生相当大的电流，此时二极管两端的电压就会保持于一个变化量相当微小的电压值(几乎等于崩溃电压)，下图为齐纳二极管之电压电流曲线，可由此应证上述说明。
齐纳二极管(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。
这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通（图1.15）。
肖特基二极管的作用
肖特基二极管的作用肖特基二极管是一种半导体器件，它的作用主要在于整流和检波。
下面我们将详细介绍肖特基二极管的工作原理和应用。
一、肖特基二极管的物理原理肖特基二极管是基于金属-半导体接触原理制成的，它利用金属与半导体材料之间的势垒来阻挡电流的流动。
当加正向电压时，即金属极性与半导体极性相同，肖特基势垒会降低，电流可以自由流动；而当加反向电压时，即金属极性与半导体极性相反，肖特基势垒会升高，电流难以流动。
这种正反向的电流特性使得肖特基二极管具有整流和检波的功能。
二、肖特基二极管的整流作用肖特基二极管的整流作用主要利用了它的单向导电性。
在电路中，当加正向电压时，即金属极性与半导体极性相同，肖特基二极管导通，相当于一个低电阻的通路，允许电流自由流动；而当加反向电压时，即金属极性与半导体极性相反，肖特基二极管截止，相当于一个高电阻的阻断，阻止电流流动。
通过这种正反向的交替作用，肖特基二极管可以将交流电转换为直流电，实现整流的功能。
三、肖特基二极管的检波作用肖特基二极管的检波作用主要是利用了它的结电容特性。
当加正向电压时，即金属极性与半导体极性相同，肖特基二极管导通，此时结电容会随时间的推移而充电；而当加反向电压时，即金属极性与半导体极性相反，肖特基二极管截止，此时结电容会随时间的推移而放电。
通过这种充放电的过程，肖特基二极管可以将高频信号转换为低频信号，实现检波的功能。
四、肖特基二极管的应用肖特基二极管由于其优良的整流和检波性能，被广泛应用于各种电子设备中。
1.电源整流：在电源电路中，肖特基二极管通常被用来整流交流电，将交流电转换为直流电，以满足各种电子设备的电源需求。
2.信号整流：在数字电路、放大器等信号处理电路中，肖特基二极管通常被用来整流输入信号，以获取纯净的直流信号。
3.检波器：在通信设备中，肖特基二极管通常被用来对微波信号进行检波处理，将高频信号转换为低频信号，以便后续电路进行处理和分析。
4.变容二极管：肖特基二极管的结电容特性也使其在频率调谐等应用场景中具有变容二极管的效应，被广泛应用于各类电子设备中。
肖特基二极管参数及特点
肖特基二极管参数及特点肖特基二极管肖特基（Schottky ）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
肖特基二极管参数：（1） VF 正向压降Forward Voltage Drop（2） VFM 最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop（3） VBR 反向击穿电压Breakdown Voltage（4） VRMs 能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage（5）VRRM峰值反复反向电压Peak RepeTITIve Reverse Voltage（6）VRsM Non-RepeTITIve Peak Reverse Voltage （halfwave，single phase，60 Hz）非反复反向峰值电压（半波，单相，60Hz ）（7） VRwM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage （8） Vpc 最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage （9） Trr 反向恢复时间Reverse Recovery Time（10） Ip（Av 正向电流Forward Current（11）IrsM 最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent（12） IR 反向电流Reverse Current（13） Ta 环境温度或自由空气温度Ambient Temperature（14） Tj 工作结温Operating Junction Temperature（15） TsTG 储存温度Storage Temperature Range（16） Tc 管子壳温Case Temperature肖特基二极管特点：1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
各类二极管(详细)
1N4148和1N5819的区别:高频、低压、大电流特性是1N5819二极管与普通二极管的不同点，它广泛被应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流，续流、保护二极管使用。
1N5819的特点是速度超快（开关损耗低），压降特低（电压损耗低），不过耐压也低，通常少于60V,适用于低压(<=12V)开关电源。
普通二级管快恢复速度中，压降大，耐压高，适用于高压(>12V~1000V)开关电源。
1N4148是点接触型的小电流整流管，速度高，不过电流才50mA，1N5819二极管的另一个用途是稳压--利用反向特性。
所以，耐压底，而电流又不大的时候，可以考虑用稳压管代替。
1N5819管的反向漏电比较大一点。
但是电容小。
速度快。
但是还没1N4148快，毕竟人家的用途是高频检波，而不是整流。
1N4148和1N4007的区别:1N4148和1N4007在一般小电流（100mA以下，反向电压100V以下）、不重要场合可应急能互相替换，1N4148是小电流开关管，100V耐压,1N4007是整流管,1A-1000V.代用型号都很多的种类一、整流二极管利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
二、检波二极管把叠加在高频再波中的低频信号检测出来的器件，具有较高的检波频率和良好的频率特性，其在收音机中起检波作用。
三、开关二极管由于半导体二极管在正向偏压下导通电阻很小，而在施加反向偏压截止时，截止电阻很大，在开关电路中利用半导体二极管的这种单向导电特性就可以对电流起到接通和关断的作用。
四、稳压二极管稳压二极管，又名齐纳二极管，是利用PN结反向击穿时电压基本上不随电流变化而变化的特点来达到稳压的目的，因而其在电路中起到的作用就是稳压作用。
五、快速恢复二极管（FRD）这是一种新型的半导体二极管，其开关特性好，反向恢复时间短，常用于高频开关电源中做整流二极管。
彩电等家用电器采用开关电源供电的整流二极管通常为此类二极管，而不能是普通的整流二极管，否则电器将可能不能正常工作。
齐纳二极管和肖特基二极管
齐纳二极管和肖特基二极管肖特基二极管（Schottky）SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。
在IC 中也常使用SBD，像SBD TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
反向恢复时间现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关, 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。
而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通(电阻很小)、断(电阻很大) 特性, 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。
二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降V f,“关”态有微小的电流I 0。
当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- I 0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。
经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极管的电流才成为(- I 0) , 如图1 示。
ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。
tr= ts+ tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。
这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。
该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。
如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。
因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。
齐纳二极管齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
齐纳二极管和肖特基二极管的区别
齐纳二极管和肖特基二极管的区别
二极管是一种可以调节电流或电压的元件。
其中，齐纳二极管（PNP管）和肖特基二极管（NPN管）是最常见的类型。
它们都由三个极：收集极（C极）、基极（B极）和发射极（E极）组成。
两者都可以实现调节电流，但它们在结构和原理上有许多不同。
首先，齐纳型二极管的P极为p型半导体，而肖特基型二极管的N极为n型半导体。
由于p型半导体比n型半导体更容易负载电荷，因此齐纳二极管可以获得更高的收集极电流，并在收集极和发射极之间形成一个更强的磁气管。
P半导体可以把电荷注入发射极，这是齐纳二极管最大的特点，也是它与肖特基二极管最大的区别。
其次，PNP的基极是正极，而NPN的基极是负极。
在NPN中，收集极和发射极都是正极，而在PNP中，收集极和发射极都是负极。
这种极性不同导致了两者功能上也有所不同。
例如，在NPN中，电荷可以从收集极流到发射极，而在PNP中，电荷则是从发射极流向收集极。
此外，这两种二极管的功率损耗也有所不同。
NPN的功率损耗更低，因为负极可以更有效地负责收集和发射电荷。
而PNP的功率损耗则比NPN高得多，因为正极收集电荷的效率低于负极。
最后，其工作温度也不相同。
PNP的工作温度要高于NPN，这是因为NPN的 P为负极，可以更有效地吸收和辐射热量。
以上就是齐纳二极管和肖特基二极管的区别。
通过以上对比，我们可以清楚地看到，两者的功能和结构有所不同，这就决定了它们的应用范围也有所不同。
在选择二极管时，我们应该根据我们的具体应
用需求来考虑选择哪种类型的二极管，以获得最佳的性能。
齐纳二极管工作原理
齐纳二极管工作原理齐纳二极管是一种常用的电子元件，具有单向导电特性，常用于电子电路中的整流、开关和保护等功能。
本文将详细介绍齐纳二极管的工作原理及其应用。
一、齐纳二极管的结构齐纳二极管由P型半导体和N型半导体组成，两者通过PN结相连接。
P型半导体中的杂质掺入使其具有正电荷，而N型半导体中的杂质掺入使其具有负电荷。
当P型半导体与N型半导体连接时，形成为了一个PN结。
PN结的形成是通过热扩散或者扩散过程实现的。
二、齐纳二极管的工作原理齐纳二极管的工作原理基于PN结的单向导电特性。
当齐纳二极管的正向电压大于其正向压降（普通为0.7V），即正向偏置时，PN结处于导通状态。
在这种情况下，电流可以流过二极管，二极管呈现出一个低电阻状态，称为正向导通。
而当齐纳二极管的反向电压大于其反向击穿电压（普通为50V以上），即反向偏置时，PN结处于截止状态。
在这种情况下，电流几乎无法流过二极管，二极管呈现出一个高电阻状态，称为反向截止。
三、齐纳二极管的应用1. 整流器齐纳二极管常用于电源电路中的整流器。
在交流电源输入时，齐纳二极管可以将交流电信号转换为直流电信号，实现电源的稳定输出。
通过选择合适的二极管，可以实现全波整流或者半波整流。
2. 开关齐纳二极管还可以用作开关元件。
在电路中，当齐纳二极管处于正向导通状态时，电流可以通过。
而当齐纳二极管处于反向截止状态时，电流无法通过。
这种特性使得齐纳二极管可以用于开关电路的设计，例如用于控制LED灯的亮灭。
3. 保护齐纳二极管也常用于电路中的保护功能。
在电路中，当电压蓦地变高时，齐纳二极管可以迅速导通，将多余的电流引导到地，保护其他元件不受损坏。
这种保护功能常用于电源电路和通信电路中。
四、齐纳二极管的特性参数1. 正向压降（VF）：齐纳二极管在正向导通时的电压降，普通为0.7V。
2. 最大反向击穿电压（VR）：齐纳二极管能够承受的最大反向电压，普通为50V以上。
3. 最大正向电流（IF）：齐纳二极管能够承受的最大正向电流，普通为几十毫安。
肖特基二极管和齐纳二极管的区别
肖特基二极管和齐纳二极管的区别
肖特基二极管和齐纳二极管都是半导体二极管的一种，但它们有以下区别：
1. 原理不同：肖特基二极管是一种利用金属与半导体接触的整流器件，其电流传输机制为热发射，而齐纳二极管是一种PN结的整流器件，其电流传输机制为电子漂移和扩散。
2. 正向压降不同：肖特基二极管的正向压降较低，一般在0.2~0.4V之间，而齐纳二极管的正向压降较高，一般在0.6~0.7V之间。
3. 反向击穿电压不同：肖特基二极管的反向击穿电压较低，一般在50V以下，而齐纳二极管的反向击穿电压较高，一般在100V以上。
4. 频率响应不同：肖特基二极管的频率响应较快，可用于高速开关电路和射频电路，而齐纳二极管的频率响应较慢，一般用于低频电路和功率电路。
综上所述，肖特基二极管和齐纳二极管在工作原理、正向压降、反向击穿电压和频率响应等方面有较大差别，应根据具体应用要求选择适当的器件。
齐纳二极管工作原理
齐纳二极管工作原理齐纳二极管（Zener Diode）是一种特殊的二极管，它在特定的反向电压下可以稳定地工作，并具有稳压功能。
本文将详细介绍齐纳二极管的工作原理及其应用。
一、齐纳二极管的结构齐纳二极管的结构与普通二极管相似，由P型半导体和N型半导体组成。
不同之处在于，齐纳二极管的P-N结区域被特殊掺杂，形成为了高浓度的杂质能带。
这种特殊的结构使得齐纳二极管能够在特定的反向电压下工作。
二、齐纳二极管的工作原理齐纳二极管的工作原理基于反向击穿效应。
当齐纳二极管处于正向偏置时，其工作方式与普通二极管相同，电流从P区域流向N区域，形成正向电流。
但当齐纳二极管处于反向偏置时，当反向电压低于齐纳二极管的击穿电压时，齐纳二极管处于截止状态，几乎不导电。
然而，当反向电压高于齐纳二极管的击穿电压时，齐纳二极管会发生反向击穿现象。
在这种情况下，齐纳二极管的电流迅速增加，但反向电压保持稳定。
这是因为齐纳二极管的结构使得其在反向击穿时，能够快速形成电子-空穴对，并形成电流通路。
三、齐纳二极管的应用1. 稳压器：由于齐纳二极管在特定的反向电压下具有稳定的击穿电压，因此常被用作稳压器。
稳压器可以将输入电压稳定在一个特定的值，避免负载电路受到不稳定电压的影响。
2. 电压参考源：齐纳二极管的稳压特性使其成为电压参考源的理想选择。
通过将齐纳二极管连接在电路中，可以提供稳定的参考电压，用于校准和比较其他电压。
3. 过压保护：齐纳二极管在反向击穿时能够限制电压上升，因此常被用作过压保护器。
当电路中的电压超过设定的阈值时，齐纳二极管会开始导通，将多余的电压引导到地。
4. 电压限制器：齐纳二极管还可以用作电压限制器，限制电路中的电压不超过设定的阈值。
这对于保护敏感的电子元件免受过高电压的伤害非常重要。
四、齐纳二极管的特性1. 反向击穿电压（Zener Voltage）：齐纳二极管的最常见特性之一是其反向击穿电压。
不同型号的齐纳二极管具有不同的击穿电压，可以根据需要选择合适的型号。
齐纳二极管工作原理
齐纳二极管工作原理引言概述：齐纳二极管是一种基本的电子元件，广泛应用于电子电路中。
它是一种半导体器件，具有单向导电性。
本文将详细介绍齐纳二极管的工作原理。
一、齐纳二极管的结构1.1 硅基材料齐纳二极管的主要材料是硅。
硅是一种半导体材料，具有特殊的电子结构，可用于控制电流的流动。
1.2 P-N结齐纳二极管由P型半导体和N型半导体组成。
P型半导体中的杂质原子掺入少量三价元素，形成空穴。
N型半导体中的杂质原子掺入少量五价元素，形成自由电子。
P-N结是P型半导体和N型半导体的交界面。
1.3 金属接触齐纳二极管的两端通过金属接触引出，用于连接电路。
金属接触能够提供良好的电流传输和机械支撑。
二、齐纳二极管的工作原理2.1 正向偏置当齐纳二极管的正端连接到正电压，负端连接到负电压时，即形成正向偏置。
此时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的自由电子被电场推动，穿过P-N结，形成电流。
2.2 反向偏置当齐纳二极管的正端连接到负电压，负端连接到正电压时，即形成反向偏置。
此时，电场将空穴和自由电子分离，形成电势垒。
电势垒会阻碍电流的流动，使齐纳二极管处于截止状态。
2.3 逆向击穿当反向电压超过齐纳二极管的击穿电压时，逆向击穿现象会发生。
电势垒被破坏，电流大幅度增加。
这种现象可以被用于保护电路免受过高电压的损害。
三、齐纳二极管的应用3.1 整流器齐纳二极管具有单向导电性，可以将交流电转换为直流电。
因此，它广泛应用于整流器电路中，用于将交流电转换为直流电供电。
3.2 稳压器齐纳二极管的电压特性稳定，可以用作稳压器的关键元件。
通过合理选择齐纳二极管的参数，可以实现对电路中电压的稳定控制。
3.3 光电探测器齐纳二极管对光的敏感性较高，可以用作光电探测器。
当光照射到齐纳二极管上时，光子的能量被转化为电流，从而实现对光信号的检测和测量。
四、齐纳二极管的特性4.1 电流-电压特性齐纳二极管的电流-电压特性呈非线性关系。
在正向偏置下，电流随电压增加而迅速增加；在反向偏置下，电流非常小。
齐纳二极管工作原理
齐纳二极管工作原理齐纳二极管是一种常见的电子元件，它在电子电路中起着重要的作用。
本文将详细介绍齐纳二极管的工作原理，包括其结构、特性以及应用。
一、齐纳二极管的结构齐纳二极管由P型半导体和N型半导体组成。
P型半导体中的杂质被称为“受主杂质”，它的主要特点是在晶格中有少量的三价原子，如硼（B）或者铝（Al）。
N型半导体中的杂质被称为“施主杂质”，它的主要特点是在晶格中有少量的五价原子，如磷（P）或者砷（As）。
P型半导体和N型半导体通过P-N结相连接，形成为了齐纳二极管的结构。
在P-N结的附近形成为了一个耗尽区，其中没有自由电荷。
当施加正向电压时，P型半导体的受主杂质向N型半导体的施主杂质输送电荷，形成为了电流。
这时，齐纳二极管处于导通状态。
当施加反向电压时，耗尽区的宽度增加，电流减小，齐纳二极管处于截止状态。
二、齐纳二极管的特性1. 正向偏置特性：在正向偏置下，齐纳二极管的电流与电压之间呈指数关系。
当正向电压超过齐纳二极管的正向压降时，电流急剧增加。
这种特性使得齐纳二极管在电路中可以作为整流器使用，将交流电转换为直流电。
2. 反向偏置特性：在反向偏置下，齐纳二极管的电流非常小，可以忽稍不计。
惟独当反向电压超过齐纳二极管的击穿电压时，电流才会显著增加。
这种特性使得齐纳二极管在电路中可以作为稳压器使用，保护其他电子元件不受过高的电压影响。
三、齐纳二极管的应用1. 整流器：由于齐纳二极管的正向偏置特性，它可以将交流电转换为直流电。
在电源中，齐纳二极管通常与电容器并联使用，形成整流电路，实现电流的单向传输。
2. 稳压器：由于齐纳二极管的反向偏置特性，它可以保护其他电子元件不受过高的电压影响。
在电路中，齐纳二极管通常与稳压二极管或者稳压芯片配合使用，形成稳压电路，确保电路中的电压稳定。
3. 信号检测器：由于齐纳二极管的正向偏置特性，它可以用来检测信号的存在或者缺失。
在无线电接收机中，齐纳二极管通常用于检测无线电频率的信号，实现信号的解调和放大。
齐纳管 肖特基管 放电管
齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管)，此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。
在临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，由于这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。
齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。
引起这种效应的电压称为“击穿电压”或“齐纳电压”。
2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。
齐纳二极管工作原理在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。
这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通（图1.15）。
这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。
反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。
然而，如果采取适当的预防措施来限制电流的话，反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压。
图1.15 PN结二极管的反向击穿。
导致反向击穿的一个机制是avalanche multiplication。
考虑一个反向偏置的PN结。
耗尽区随着偏置上升而加宽，但还不够快到阻止电场的加强。
强大的电场加速了一些载流子以非常高的速度穿过耗尽区。
当这些载流子碰撞到晶体中的原子时，他们撞击松的价电子且产生了额外的载流子。
因为一个载流子能通过撞击来产生额外的成千上外的载流子就好像一个雪球能产生一场雪崩一样，所以这个过程叫avalanche multiplication。
反向击穿的另一个机制是tunneling。
Tunneling是一种量子机制过程，它能使粒子在不管有任何障碍存在时都能移动一小段距离。
齐纳管原理
在齐纳管原理通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。
这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通（图1.15）。
这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。
反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。
然而，如果采取适当的预防措施来限制电流的话，反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压。
图1.15 PN结二极管的反向击穿。
导致反向击穿的一个机制是avalanche multiplication。
考虑一个反向偏置的PN结。
耗尽区随着偏置上升而加宽，但还不够快到阻止电场的加强。
强大的电场加速了一些载流子以非常高的速度穿过耗尽区。
当这些载流子碰撞到晶体中的原子时，他们撞击松的价电子且产生了额外的载流子。
因为一个载流子能通过撞击来产生额外的成千上外的载流子就好像一个雪球能产生一场雪崩一样，所以这个过程叫avalanche multiplication。
反向击穿的另一个机制是tunneling。
Tunneling是一种量子机制过程，它能使粒子在不管有任何障碍存在时都能移动一小段距离。
如果耗尽区足够薄，那么载流子就能靠tunneling跳跃过去。
Tunneling电流主要取决于耗尽区宽度和结上的电压差。
Tunneling 引起的反向击穿称为齐纳击穿。
结的反向击穿电压取决于耗尽区的宽度。
耗尽区越宽需要越高的击穿电压。
就如先前讨论的一样，掺杂的越轻，耗尽区越宽，击穿电压越高。
当击穿电压低于5伏时，耗尽区太薄了，主要是齐纳击穿。
当击穿电压高于5伏时，主要是雪崩击穿。
设计出的主要工作于反向导通的状态的PN二极管根据占主导地位的工作机制分别称为齐纳二极管或雪崩二极管。
齐纳二极管的击穿电压低于5伏，而雪崩二极管的击穿电压高于5伏。
通常工程师们不管他们的工作原理都把他们称为齐纳管。
因此主要靠雪崩击穿工作的7V齐纳管可能会使人迷惑不解。
齐纳二极管工作原理
齐纳二极管工作原理齐纳二极管（Zener diode）是一种特殊的二极管，具有特殊的电压稳压特性。
它在正向工作时和普通二极管一样，具有导通和截止的特性，但在反向工作时，当电压超过其特定的反向击穿电压（Zener电压）时，齐纳二极管会进入击穿区域，电流急剧增加，从而保持稳定的反向电压。
齐纳二极管的工作原理可以通过PN结的特性来解释。
PN结是由P型半导体和N型半导体的结合而成，其中P型半导体富含正电荷（空穴），N型半导体富含负电荷（电子）。
当PN结处于正向偏置时，P型半导体的正电荷和N型半导体的负电荷会互相吸引，形成电子和空穴的复合，导致电流通过。
而当PN结处于反向偏置时，P型半导体的正电荷和N型半导体的负电荷会互相排斥，形成一个电势垒，阻挠电流通过。
齐纳二极管的特殊之处在于，当反向电压超过其击穿电压时，会发生反向击穿现象。
这是因为齐纳二极管的结构经过特殊设计，使得在击穿电压下，电子和空穴会以雪崩效应或者隧道效应的形式穿越电势垒，导致电流剧增。
这种特性使得齐纳二极管可以在特定的电压范围内稳定地工作，起到电压稳压的作用。
齐纳二极管的工作原理可以通过其IV特性曲线来更加清晰地理解。
IV特性曲线表示了二极管的电流与电压之间的关系。
在正向工作区域，齐纳二极管的电流随着正向电压的增加而迅速增加，呈现出与普通二极管相似的特性。
而在反向工作区域，齐纳二极管的电流在达到击穿电压后几乎再也不增加，保持稳定的反向电压。
齐纳二极管的应用非常广泛。
其中最常见的应用之一是作为电压稳压器。
通过选择合适的齐纳二极管，可以在电路中实现对电压的精确控制。
例如，当电路中的电压超过某个设定值时，齐纳二极管会开始导通，将多余的电流分流，从而保持电路的稳定工作。
这种电压稳压器广泛应用于电源电路、稳压电路等领域。
除了电压稳压器，齐纳二极管还可以用于电压参考源、温度补偿、电压比较器等应用。
在电子设备中，齐纳二极管的稳压特性对于保护其他器件免受过电压的伤害非常重要。
各种二极管符号及作用
各种二极管符号及作用江苏省泗阳县李口中学沈正中二极管在电子电路中应用很广泛，二极管的种类有十几种，不同二极管作用也不同，以下列出一些种类和用途：图1是二极管符号中常用的三种箭头表示方法，左边的一个，是国内标准的画法，箭头的指向表示流经二极管中的电流方向。
图2是整流二极管、检波二极管、开二极管符号。
整流二极管是电子电路中最常用的电子元件，它的主要作用是在电源变换电路中将交流电源变为直流供工作电路使用。
检波二极管主要用来对高频信号进行检波，例如在收音机中用来将接收到的高频载频调制信号进行检波，从中检出语言或音乐信号。
在电视机中用来检出图像信号和伴音信号。
在通信电路中检出语言或信号代码。
开关二极管主要用在数字电路中，用来组成门控电路或电子开关。
图3是双向瞬变抑制二极管符号，两个负极连在一起的二极管。
是提供一个电流的额外通路。
电路中有感性元件（比如说电感线圈、继电器之类）的时候，电流突变会感应出很大的电压，可能会击穿开关或者烧坏电路。
这时候通过这个二极管提供电流通路，就不会发生击穿的现象。
平时二极管工作在反偏状态下，几乎相当于开路。
作用有点像稳压管。
图4是光敏（也叫光电）二极管符号。
无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。
当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。
可以利用光照强弱来改变电路中的电流。
图5是发光二极管符号。
用作照明，或者各种指示灯。
图6是变容二极管符号。
加载在变容二极管上的电压变化，会引起它的电容量的变化，常用来做频率的电子调谐，比如电调和数调收音机的电子调谐等。
图7是稳压二极管（也叫齐纳二极管）符号。
当反向电压加到某一定值时，反向电流急增，长生反向击穿，此时有一个反响击穿电压，及稳压管的稳定电压。
稳压管的作用在于，电流的增量很大时，只引起很小的电压变化，也就说电压基本上是不变的。
在电路中稳压管通常是起到稳定直流电压的作用，使电路工作在合适的状态，并限定电路中的工作电流。
肖特基二极管的介绍和作用
肖特基二极管的介绍和作用一、肖特基二极管介绍：SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
二、肖特基二极管作用：肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双极型晶体管BJT 的开关电路里面，通过在BJT 上连接Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。
这种方法是74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF 比较小。
在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
三、肖特基二极管的特点：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。
SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。
由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
3）它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF 比较小。
普通二极管（整流二极管）、TVS（瞬态抑制二极管）、Schottky（肖特基二极管）、Ze。。。
普通⼆极管（整流⼆极管）、TVS（瞬态抑制⼆极管）、Schottky（肖特基⼆极管）、Ze。
1. 简单介绍整流⼆极管（普通⼆极管）主要关⼼其正向电流、反向定额电压可以很⼤快速恢复⼆极管恢复过程特别是反向恢复时间很短TVSTVS(Transient Voltage Suppressor)⼆极管，⼜称为瞬态抑制⼆极管，是普遍使⽤的⼀种新型⾼效电路保护器件，它具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当⾼的浪涌吸收能⼒。
当它的两端经受瞬间的⾼能量冲击时，TVS能以极⾼的速度把两端间的阻抗值由⾼阻抗变为低阻抗，以吸收⼀个瞬间⼤电流，把它的两端电压箝制在⼀个预定的数值上，从⽽保护后⾯的电路元件不受瞬态⾼压尖峰脉冲的冲击。
Schottky肖特基⼆极管是以其发明⼈肖特基博⼠（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒⼆极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD 不是利⽤P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，⽽是利⽤⾦属与半导体接触形成的⾦属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为⾦属－半导体（接触）⼆极管或表⾯势垒⼆极管，它是⼀种热载流⼦⼆极管。
Zener稳压⼆极管，英⽂名称Zener diode，⼜叫齐纳⼆极管。
利⽤pn结反向击穿状态，其电流可在很⼤范围内变化⽽电压基本不变的现象，制成的起稳压作⽤的⼆极管。
此⼆极管是⼀种直到临界反向击穿电压前都具有很⾼电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到⼀个很⼩的数值，在这个低阻区中电流增加⽽电压则保持恒定，稳压⼆极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使⽤。
稳压⼆极管可以串联起来以便在较⾼的电压上使⽤，通过串联就可获得更⾼的稳定电压。
2.主要特点TVS在规定的反向应⽤条件下，当承受⼀个⾼能量的瞬时过压脉冲时，其⼯作阻抗能⽴即降⾄很低的导通值，允许⼤电流通过，并将电压箝制到预定⽔平，从⽽有效地保护电⼦线路中的精密元器件免受损坏。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
齐纳二极管和肖特基二极管
肖特基二极管（Schottky）SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。
在IC中也常使用SBD，像SBD TTL集成电路早已成为TTL 电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
反向恢复时间
现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关, 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。
而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通(电阻很小)、断(电阻很大) 特性, 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。
二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降V f,“关”态有微小的电流I 0。
当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- I 0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。
经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极管的电流才成为(- I 0) , 如图1 示。
ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。
tr= ts+ tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。
这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。
该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。
如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。
因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。
齐纳二极管
齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。
齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电流产生一个可观的增加。
引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。
2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。