肖特基(Schottky)二极管
肖特基二极管结构原理及参数 知乎
一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。
普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。
具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。
二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。
其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。
它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。
另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。
三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。
它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。
肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。
四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。
在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。
在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。
在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。
五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。
肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。
希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。
肖特基(SCHOTTKY)系列二极管
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。
介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。
对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。
最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。
本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
0.3v 肖特基二极管
0.3v 肖特基二极管
0.3V肖特基二极管是一种常见的电子元器件，它的压降值较低，适合用于低压电路中。
这种二极管在正向工作时，其压降约为0.3V，因此被称为0.3V肖特基二极管。
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种金属半导体结二极管，其压降比普通二极管要低。
它的压降与普通二极管类似，但它的正向电流能力更强，反向耐压也更高。
肖特基二极管在电路中可以用来整流、开关和保护电路。
对于0.3V肖特基二极管，它的压降是在特定的电流和工作条件下测得的。
具体的压降值可能会因工作条件的变化而有所差异。
此外，肖特基二极管的压降也会受到温度的影响，温度升高会导致压降增大。
在选择肖特基二极管时，需要根据实际应用需求选择合适的型号和规格。
例如，需要考虑工作电压、电流能力和温度范围等因素。
同时，还需要注意与肖特基二极管相匹配的其他电子元器件的参数，以确保整个电路的正常工作。
肖特基限流二极管
肖特基限流二极管
肖特基限流二极管，也被称为肖特基二极管（Schottky Diode）或肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，缩写成SBD），是一种具有特殊工作原理的半导体器件。
它的基本结构是在金属（如铅）和半导体（如N型硅片）的接触面上形成肖特基势垒，用以阻挡反向电压。
这种二极管的主要特点是具有较低的正向压降（通常在0.3V至0.6V 之间），同时其反向恢复时间非常短，可以在几纳秒级别。
这些特性使得肖特基二极管非常适合用于高频开关电路和低压大电流整流电路。
肖特基二极管的另一个重要特点是其开关速度非常快，这主要得益于它的多子参与导电机制，相比少子器件有更快的反应速度。
因此，肖特基二极管常用于门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
肖特基二极管通常用于低功耗、大电流、超高速的半导体器件中，例如开关电源、高频电路、检波电路等。
尽管肖特基二极管的耐压能力相对较低（通常低于150V），但由于其优良的特性，它在许多应用中仍被广泛使用。
肖特基二极管与普通二极管的区别
SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
1、肖特基二极管的原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。
用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
肖特基二极管简介
BTA54C BTA54SDO41SCHOTTKY：取第一个字母“S”，SMD：Surface Mounted Devices的缩写，意为：表面贴装器件，取第一个字母“S”，上面两个词组各取第一个字母、即为SS，同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它在开关没有时存储电荷和移动效应。
所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。
这是肖特基二极管的两大优点，但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，二是反向漏电流I R较大。
肖特基的最高电压是200V，也就是说，肖特基的极限电压是200V。
超过200V电压的也必定是模块。
电流越大，电压越低。
与可控硅元件不一样。
电流与电压成反比（模块除外）。
10A、20A、30A规格的有做到200V电压。
电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是摩托罗拉产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
T：表示管装MBR1045CT，其中的“C”：表示TO-220封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示TO-3P封装元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：MBRD10100CT：第四位的D，表示贴片DPAK封装,即TO-252MBRB10100CT：第四位的B，表示贴片D2PAK封装，即TO-263MBRF10100CT：第四位的F，表示TO-220F全塑封MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。
肖特基二极管起源
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有肖特基势垒的低功耗、高灵敏、高速功率半导体器件。
它起源于20世纪30年代，当时人们开始研究金属与半导体接触的特性。
在肖特基二极管的发展历程中，德国物理学家沃尔特·肖特基（Walter Schottky）做出了重要贡献。
他在1938年提出了金属与半导体接触的势垒模型，并预测了这种接触的整流特性。
这一理论为肖特基二极管的发明奠定了基础。
随着时间的推移，肖特基二极管逐渐发展成为一种重要的半导体器件。
它具有低功耗、高灵敏、高速等优点，被广泛应用于各种电子设备中，如开关电源、太阳能电池、通信系统等。
肖特基二极管的工作原理是基于金属与半导体接触的势垒模型。
当金属与半导体接触时，它们之间的电子会相互作用，形成势垒。
当正向偏置电压施加到肖特基二极管上时，电子会从金属流向半导体，形成电流。
当反向偏置电压施加时，电子会被势垒阻挡，从而形成反向电流极小的特性。
肖特基二极管的性能参数主要包括正向压降、反向击穿电压、电容、泄漏电流等。
这些参数的选择对于肖特基二极管的性能和使用寿命有着重要的影响。
在现代电子技术中，肖特基二极管的应用越来越广泛。
它不仅被应用于各种电子设备中，还被应用于微电子器件、光电子器件等领域。
随着技术的不断发展，肖特基二极管的性能和应用范围也在不断扩展。
总之，肖特基二极管是一种具有重要应用价值的半导体器件。
它的起源和发展历程与人们对于金属与半导体接触特性的研究密切相关。
随着技术的不断进步和应用领域的不断扩展，肖特基二极管在未来将继续发挥重要作用，为人类社会的科技进步做出更大的贡献。
肖特基二极管应用
肖特基二极管的应用引言肖特基二极管（Schottky Diode）是一种通过金属与半导体接触形成的二极管。
由于与常规PN结二极管相比，肖特基二极管具有更低的电压降、更高的开关速度和更小的反向恢复时间，因此在许多电子设备中得到了广泛应用。
这篇文章将详细描述肖特基二极管的应用场景、应用过程和应用效果。
应用背景随着电子设备的发展，人们对于电子器件的性能和效率要求越来越高。
而肖特基二极管正是满足这些需求的一种理想选择。
相比于传统的PN结二极管，肖特基二极管具有以下优势：1.低电压降：肖特基二极管的正向电压降非常低，通常在0.2V以下。
这意味着在电子设备中使用肖特基二极管可以降低能耗，提高效率。
2.快速开关速度：肖特基二极管具有快速的开关速度，反应时间只有纳秒级别。
这使得肖特基二极管非常适用于高频应用领域，如射频通信、雷达系统等。
3.低反向恢复时间：肖特基二极管的反向恢复时间相比PN结二极管要小得多。
这意味着在开关过程中，肖特基二极管可以迅速恢复到正常工作状态，减少了电磁干扰和损耗。
基于以上特点，肖特基二极管被广泛应用于各种电子设备和系统中。
应用过程1. 整流电路肖特基二极管的最基本应用就是作为整流器使用，将交流电转换成直流电。
在交流电源输入后，通过肖特基二极管的正向导电特性，将负半周的电流截断，只保留正半周的电流通过。
整流电路通常应用于电源适配器、电子变压器和直流电动机等领域。
肖特基二极管的低电压降使得整流过程中的能耗更低，整体效率更高。
2. 高速开关肖特基二极管在高频开关电路中应用广泛。
例如，肖特基二极管可以作为电平移动、开关电路的保护二极管，用于快速放电和充电过程。
将肖特基二极管应用于高速开关电路，可以显著降低开关时间，提高电路的响应速度。
这在通信系统、雷达系统和光纤传输中具有重要意义。
3. 混频器混频器是一种用于频率合成和调制的电路元件。
肖特基二极管的高速开关特性使其非常适合作为混频器的整流元件。
肖特基二极管的符号
肖特基二极管的符号
（实用版）
目录
1.肖特基二极管的概述
2.肖特基二极管的符号表示
3.肖特基二极管符号的意义
4.肖特基二极管符号的应用
正文
【1.肖特基二极管的概述】
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种金属与半导体接触的整流器件，具有快速开关速度、低正向电压降和较高的反向耐压能力等特点。
它主要应用于高频整流、限幅和开关电路等。
【2.肖特基二极管的符号表示】
肖特基二极管的符号表示为一个带有箭头的矩形，箭头表示正向导通方向。
在电路图中，肖特基二极管符号下方有时会标注“S”，表示该元件为肖特基二极管。
【3.肖特基二极管符号的意义】
肖特基二极管符号的意义主要体现在以下几个方面：
（1）表示元件类型：通过符号，可以清晰地识别出该元件为肖特基二极管，便于工程师和技术人员进行电路设计和分析。
（2）表示元件方向：箭头方向表示正向导通，即电流从箭头指向的一端流入，另一端流出。
（3）表示元件连接：在电路图中，肖特基二极管符号可以用于表示元件与其他元件的连接方式，如与电阻、电容、电感等元件并联或串联。
【4.肖特基二极管符号的应用】
肖特基二极管符号广泛应用于电子电路设计、分析和维修等领域。
通过识别和理解肖特基二极管符号，工程师和技术人员能够准确地分析电路中的整流、限幅和开关等功能，从而进行优化和改进。
肖特基二极管原理和常用参数和检测方法
肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。
它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
肖特基二极管的作用简介
肖特基二极管的作用简介个人日记肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。
这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。
在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。
选用时要全面考虑。
肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通讯电源、变频器等中比较常见。
供参考。
电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通讯电源、变频器等中比较常见。
供参考。
我知道的一个应用是在BJT的开关电路里面, 通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截至状态.从而提高晶体管的开关速度.这种方法是74LS,74ALS, 74AS等典型数字IC TTL内部电路中使用的技术.三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。
肖特基二极管电路符号
肖特基二极管电路符号1. 引言肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低电压降和快速开关速度的二极管。
它由金属与半导体材料之间的接触构成，常用于高频电路、功率放大器、混频器等应用中。
本文将介绍肖特基二极管的电路符号及其相关内容。
2. 肖特基二极管的结构和工作原理肖特基二极管由一个金属（通常是铝或铬）和一个半导体（通常是硅）之间形成的PN结构组成。
相比于普通PN结二极管，肖特基二极管在PN结上形成了一个金属-半导体接触面，这个接触面被称为肖特基势垒。
肖特基势垒由于金属与半导体之间的巨大功函数差异而形成，使得在正向偏置下，少量载流子就能通过势垒进行快速注入和排出。
这使得肖特基二极管具有较低的正向压降和快速的开关速度。
3. 肖特基二极管的电路符号肖特基二极管的电路符号如下所示：其中，箭头表示了导通的方向。
与普通二极管的符号相比，肖特基二极管多了一个带有一条斜线的金属箭头，用于表示金属-半导体接触。
4. 肖特基二极管的特性4.1 正向工作特性在正向偏置下，肖特基二极管具有较低的正向压降。
这是由于少量载流子通过势垒注入和排出形成的。
正向压降一般在0.15V至0.45V之间，远低于普通PN结二极管。
4.2 反向工作特性在反向偏置下，肖特基二极管具有较高的反向击穿电压。
这是因为金属-半导体接触形成了一个较大的势垒，能够抵抗较高的反向电场。
4.3 开关速度由于肖特基势垒注入和排出载流子非常迅速，在开关速度方面表现出色。
这使得肖特基二极管适用于高频电路和快速开关应用。
4.4 温度特性肖特基二极管的温度特性较好，温度升高时正向压降会略微增加，但变化不大。
这使得肖特基二极管在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。
5. 肖特基二极管的应用5.1 高频电路由于肖特基二极管具有快速的开关速度和较低的正向压降，适用于高频电路中作为整流和混频器等元件。
5.2 功率放大器由于肖特基二极管具有较低的正向压降，可以减小功率放大器中的能量损耗，并提高效率。
肖特基二极管种类
肖特基二极管种类1. 通用型肖特基二极管（General Purpose Schottky diodes）：通用型肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关速度，适用于各种不同的应用，如功率供应和转换器、逆变器、电流矩阵和快速整流器等。
这些二极管具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗。
2. 快速恢复型肖特基二极管（Fast Recovery Schottky diodes）：快速恢复型肖特基二极管具有更高的开关速度和更低的反向恢复时间，适用于高频应用和要求更高的开关速度的电路。
这些二极管在功率转换和整流电路中具有重要作用。
3. 超快恢复型肖特基二极管（Ultra-Fast Recovery Schottky diodes）：超快恢复型肖特基二极管是一种更高速度和更低恢复时间的二极管，适用于要求更高频率和更高效率的应用，如高频电路、雷达系统、无线通信和高速开关。
4. 高压肖特基二极管（High Voltage Schottky diodes）：高压肖特基二极管具有高反向电压承受能力和较低反向漏电流，适用于高压应用，如电源管理、电力系统和高压整流器。
5. 低压降肖特基二极管（Low Voltage Drop Schottky diodes）：低压降肖特基二极管是一种具有极低正向压降的二极管，通常在0.2伏以下。
这种二极管适用于要求较低连续正向电压降和快速开关速度的应用，如电源管理、电池充电和电动车等。
6. 高功率肖特基二极管（High Power Schottky diodes）：高功率肖特基二极管具有较高的电流和功率承载能力，适用于高功率转换和整流电路。
这些二极管通常用于电源供应、马达驱动器等高功率应用中。
7. 低容量肖特基二极管（Low Capacitance Schottky diodes）：低容量肖特基二极管具有较低的反向恢复电容，适用于高频应用，如天线和射频电路。
这些二极管能够提供更高的频率响应和更低的信号衰减。
肖特基二极管选型原则
肖特基二极管选型原则
肖特基二极管（Schottky diode）是一种具有低电压降和快速响应的二极管，常用于高频、快速开关、整流等应用中。
肖特基二极管的选型原则如下：
1. 正向电压降（VF）：选择正向电压降较低的肖特基二极管能减小能量损耗，提高效率。
一般情况下，正向电压降越小，正向电流越大，因此需要根据具体的应用场景来平衡这两个参数。
2. 反向漏电流（IR）：反向漏电流指的是在反向工作条件下，产生的漏电流。
选择反向漏电流较小的肖特基二极管能减小回路功耗，提高性能。
3. 反向击穿电压（VR）：反向击穿电压指的是在反向工作条件下，可以承受的最大电压。
根据实际应用中的电压需求，选择能够满足需求的反向击穿电压的肖特基二极管。
4. 极限工作温度（Tj）：肖特基二极管的温度特性较强，其性能会随温度的变化而发生改变。
根据实际应用中的工作环境温度要求，选择能够适应该温度范围的肖特基二极管。
5. 切换速度（td）：肖特基二极管具有快速的开关速度，选择具有更短切换时间的肖特基二极管能够提高开关性能和响应速度。
根据具体应用的需求，需要综合考虑以上参数，选择最合适的
肖特基二极管。
同时，还需要考虑器件的封装形式、可靠性、成本等因素。
肖特基二极管
肖特基二极管目录[显示][编辑本段]简介肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
[编辑本段]原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。
用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。
肖特基二极管最大直流反向电压vr
肖特基二极管最大直流反向电压vr 肖特基二极管（Schottky Diode）是一种用于电子电路的二极管，它常用于高频电路和快速开关电源系统中。
在这篇文章中，我们将介绍肖特基二极管以及它的最大直流反向电压（VR）。
首先，让我们了解一下肖特基二极管的基本结构和工作原理。
肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的，其中金属端被称为阳极（Anode），半导体端被称为阴极（Cathode）。
与普通二极管不同的是，肖特基二极管的阴极是由金属和半导体的异质结构组成，这种结构使得肖特基二极管具有低开启电压和快速开关速度的特点。
肖特基二极管的工作原理是利用肖特基势垒（Schottky Barrier）阻止电流的反向流动。
在正向偏置的情况下，当阳极端的正电压大于阴极端的电压时，肖特基势垒会降低，电子可以流动从而导通。
在反向偏置的情况下，肖特基势垒增加，几乎没有电子流动，因此几乎没有反向电流。
这种特性使得肖特基二极管在快速开关电路中非常有用。
接下来，我们来讨论肖特基二极管的最大直流反向电压（VR）。
最大直流反向电压指的是肖特基二极管可以承受的最大反向电压，超过这个电压值肖特基二极管就会击穿（Breakdown），电流迅速增加，可能导致器件损坏。
因此，设计电路时需要确保反向电压不超过肖特基二极管的最大承受电压。
肖特基二极管的最大直流反向电压通常会在器件的规格书中标明。
例如，一款常见的肖特基二极管的最大反向电压可以达到数百伏特甚至更高。
因此，在电路设计中需要充分考虑肖特基二极管的最大反向电压以确保器件的可靠性和稳定性。
除了最大反向电压外，肖特基二极管的其他电性能参数也需要考虑。
例如，导通压降（VF）、反向漏电流（IR）等都会对电路性能产生影响。
因此，在选择肖特基二极管时需要综合考虑这些参数。
总之，肖特基二极管作为一种高性能的二极管在电子电路中发挥着重要作用。
了解它的最大直流反向电压以及其他关键性能参数对于电路设计和选型非常重要。
肖特基二极管阻断电压
肖特基二极管（Schottky diode）是一种特殊的二极管，由金属/半导体接触组成。
与常规的PN结二极管不同，肖特基二极管使用金属与半导体之间的Schottky接触替代半导体的P-N结。
肖特基二极管的阻断电压（也称为反向电压）取决于其金属与半导体接触之间的势垒高度。
由于金属与半导体的接触，势垒高度较低，因此肖特基二极管的阻断电压也相对较低。
通常，肖特基二极管的阻断电压在几十伏特到数百伏特之间，具体取决于它的制造工艺和设计。
一般而言，肖特基二极管的阻断电压较常规PN结二极管较低。
这使得肖特基二极管在高频和快速开关应用中较为常见。
请注意，不同型号和制造商的肖特基二极管具有不同的阻断电压规格，因此在选用和使用时，应查阅相关的数据手册和规格表，以确保选择合适的器件。
肖特基二极管电路符号
肖特基二极管电路符号什么是肖特基二极管？肖特基二极管是一种特殊类型的二极管，也被称为肖特基势垒二极管或者SBD （Schottky Barrier Diode）。
它由一个金属与半导体接触形成，相对于普通的PN结二极管，肖特基二极管具有更快的开关速度和较低的正向电压降。
肖特基二极管电路符号肖特基二极管在电路图中用一个特定的符号表示。
这个符号包括两个箭头和一个直线。
箭头表示金属与半导体之间的接触，而直线则代表半导体的P区。
箭头指向P区，表示该接触是由N型半导体和金属构成。
肖特基二极管工作原理肖特基二极管利用了金属与半导体接触时产生的势垒来控制电流流动。
当正向偏置时，当负载施加足够大的正向电压时，势垒将变得非常薄，并且只需要很小的电压即可克服这个势垒，从而产生电流。
肖特基二极管的正向电压降相对较低，一般为0.3V至0.5V之间。
这使得肖特基二极管在高频应用中非常有用，因为它可以更快地开关和恢复。
肖特基二极管的应用1. 电源保护由于肖特基二极管具有较低的正向电压降，它可以用于电源保护电路中。
当输入电压超过一定阈值时，肖特基二极管将迅速导通，从而保护后续电路免受过压损坏。
2. 混频器混频器是无线通信系统中的重要组成部分，用于将两个不同频率的信号合并成一个信号。
肖特基二极管可以作为混频器中的开关元件，在高频信号处理中起到关键作用。
3. 太阳能电池肖特基二极管也广泛应用于太阳能电池中。
太阳能电池将光能转化为电能，而肖特基二极管作为反向阻止器，在没有光照时防止电池放出储存的能量。
4. 电压检测肖特基二极管可以用于电路中的电压检测。
当电压超过一定阈值时，肖特基二极管将导通，从而触发其他部分的电路。
5. 超高速开关由于肖特基二极管具有快速开关速度和较低的正向电压降，它常被用作超高速开关元件。
在需要快速切换的应用中，肖特基二极管可以提供更高的性能。
总结肖特基二极管是一种具有快速开关速度和较低正向电压降的特殊类型二极管。
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肖特基（Schottky）二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。
这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。
在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。
选用时要全面考虑。
三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。
1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下：型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000电流（A）均为1四、稳压二极管稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。
1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。
这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。
在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。
常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N47511N4761稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
一、肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极（阻档层）金属材料是钼。
二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N 阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。
加负偏压-E时，势垒宽度就增加。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。
其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。
但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。
因此适宜在低压、大电流情况下工作。
利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。
二、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N 阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。
在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。
采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。
它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式，如图4-45所示。
肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式，见图4-46。
采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式。
三、肖特基二极管的检测肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
1．性能比较肖特基二极管现超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。
由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。
2．检测方法下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。
检测内容包括：①识别电极；②检查管子的单向导电性；③测正向导压降VF；④测量反向击穿电压VBR。
被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，外形如图4所示，将管脚按照从左至右顺序编上序号①、②、③。
选择500型万用表的R×1档进行测量。
测试结论：第一，根据①^#0;②、③^#0;④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。
第二，因①^#0;②、③^#0;②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。
第三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均低于手册中给定的最大允许值VFM(0.55V)。
另外使用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。
查手册，B82-004的最高反向工作电压（即反向峰值电压）VBR=40V。
表明留有较高的安全系数.四、常用的肖特基二极管主要参数常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。
用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。
当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。