SF33中文资料

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安川伺服中文样本

3
超群與靈活的機電整合系統安川電機 AC伺服驅動系統
即時核心通信網路
Cell/Line 控制
程式編輯軟體 MPE720
P21
運動控制
運動控制器 MP2000 系列
P22-23
高速專用通信網路
MPE720 MP2100
驅動器
AC 伺服驅動器 P6-13
伺服驅動器 P14-15
SGDV
MPLOGGER MEMOLOGGER
位置指令速度定位完成
位置指令速度定位完成
具備因摩擦使響應改變的補償機能，使伺服響應性更加安定。
無摩擦補償約0~30%摩擦所產生之位置偏差變動位置偏差pulse
定位完成約20ms變動
使用摩擦補償約0~30%摩擦所產生之位置偏差變動位置偏差pulse 定位完成
約1ms變動
搭配中慣量伺服馬達d讓設備性能向上提升
＊SGMAV-02ADA, SGDV-1R6A 負載慣量比值為1倍時
速度響應頻率特性
轉矩指令速度指令
位置
速度速度轉矩
指令
位置控制部指令
控制部
指令
電流控制部
馬達定時間
位置指令速度
位置偏差
定位完成
整定時間0~4ms!
將振動與摩擦影響的抑制機能強化
運轉
簡單調整
解決往常製品的Auto-Tuning問題點
馬達組裝後欲立即動作
新調整LESS機能(出廠設定)
即便沒有伺服調整，在容許負載慣量內，負載產生變動的情況下，伺服馬達也不會發生振動，仍可正常動作。
1 不限指令、摩擦大小、機構分類，可常時安定運轉。此外即便在搬送過程中，負載有大的變化，機構仍可保持安定狀態。

各种测井曲线代码

各种测井曲线代码附录33 测井曲线名称代码名称代码名称代码名称代码0、4米电位电阻率 R04 井径1 C1 阵列感应4英尺分辨率及60英寸探测深度电阻率 AF600、45米电位电阻率 R045 井径2 C2 阵列感应4英尺分辨率及90英寸探测深度电阻率 AF900、5米电位电阻率 R05 井径3 C3 阵列感应4英尺分辨率侵入带真电阻率 AFRX1米底部梯度电阻率 R1 井斜 DEV 补偿声波时差AC2、5米底部梯度电阻率 R25 井斜方位 AZIM 井径CAL4米底部梯度电阻率 R4 高分辨率侧向电阻率 LLHR 长源距声波时差 DT6米底部梯度电阻率 R6 方位电阻率曲线1 ARO1 纵横波速度比 VPVS8米底部梯度电阻率 R8 方位电阻率曲线10 AR10 纵横波方式单极横波时差 DT4S深侧向电阻率 RD 方位电阻率曲线11 AR11 纵横波方式单极纵波时差 DT4P浅侧向电阻率 RS 方位电阻率曲线12 AR12 泊松比PR邻近侧向电阻率 RPRX 方位电阻率曲线2 ARO2 上偶极横波时差 DT2微侧向电阻率 RMLL 方位电阻率曲线3 ARO3 下偶极横波时差 DT1微球型聚焦电阻率 MSFL 方位电阻率曲线4 ARO4 斯通利波时差 DTST深感应电阻率 RILD 方位电阻率曲线5 ARO5 全波列波形 WF中感应电阻率 RILM 方位电阻率曲线6 ARO6 声波成象ACI八侧向电阻率 RFOC 方位电阻率曲线7 ARO7 自然伽马GR球型聚焦电阻率 SFLU 方位电阻率曲线8 ARO8 无铀自然伽马 CGR数字聚焦电阻率 DFL 方位电阻率曲线9 ARO9 钾 K 感应电导率 COND 阵列感应1英尺分辨率地层真电阻率AORT 钍 TH微电位电阻率 ML1 阵列感应1英尺分辨率及10英寸探测深度电阻率 AO10 铀 U微梯度电阻率 ML2 阵列感应1英尺分辨率及20英寸探测深度电阻率 AO20 补偿中子 CNL钻井液电阻率 RM 阵列感应1英尺分辨率及30英寸探测深度电阻率 AO30 井壁中子 SNL井温 TEMP 阵列感应1英尺分辨率及60英寸探测深度电阻率AO60 中子伽马 NGR钻头直径 BS 阵列感应1英尺分辨率及90英寸探测深度电阻率 AO90 补偿密度 DEN200兆赫兹电阻率 R4SL 阵列感应1英尺分辨率侵入带真电阻率 AORX 岩性密度 LDL200兆赫兹幅度比 R4AT 阵列感应2英尺分辨率地层真电阻率ATRT 密度校正值 DRH200兆赫兹介电常数 D2EC 阵列感应2英尺分辨率及10英寸探测深度电阻率 AT10 光电吸收截面指数 PE200兆赫兹相位角 P2HS 阵列感应2英尺分辨率及20英寸探测深度电阻率 AT20 核磁共振总孔隙度 TPOR47兆赫兹电阻率 R4SL 阵列感应2英尺分辨率及30英寸探测深度电阻率 AT30 核磁共振渗透率 KCMR47兆赫兹幅度比 R4AT 阵列感应2英尺分辨率及60英寸探测深度电阻率 AT60 核磁共振束缚流体体积 MBVI47兆赫兹介电常数 D4EC 阵列感应2英尺分辨率及90英寸探测深度电阻率 AT90 核磁共振自由流体体积 CMFF47兆赫兹相位角 P4HS 阵列感应2英尺分辨率侵入带真电阻率 ATRX 核磁共振有效孔隙度 CMRP地层倾角微电阻(电导)率 RBSV 阵列感应4英尺分辨率地层真电阻率 AFRT T2分布对数平均值 T2LM电阻率成象 RIM 阵列感应4英尺分辨率及10英寸探测深度电阻率 AF10 核磁T2谱 T21号极板方位 P1AZ 阵列感应4英尺分辨率及20英寸探测深度电阻率 AF20相对方位 RB 阵列感应4英尺分辨率及30英寸探测深度电阻率 AF30附录30测井服务项目代码名称代码名称代码名称代码双感应 DIL 超声井眼成像 UBI 井径 CAL相量感应 PI 井周声波扫描成像 CAST 井温 TEMP 阵列感应 AIT 井周声波成像 CBIL 钻井液电阻率RM高分辨率感应--数字聚焦 DHRI 地层学高分辨率地层倾角SHDT 邻近侧向 PROX八侧向 RFOC 六臂倾角 SED 微侧向 MLL感应 COND 地层倾角 DIP 球型聚焦 SFL双侧向 DLL 电缆地层测试 MDT 微球型聚焦 MSFL 高分辨率方位侧向 ARI 电缆地层测试 RFT 微电极ML七侧向 LL7 电缆地层测试 SFT 井斜 DEV三侧向 LL3 电缆地层测试 FMT 井斜方位 AZIM补偿密度 DEN 全井眼微电阻率扫描成像 FMI 0、4米电位电阻率 R04岩性密度 LDL 全井眼微电阻率扫描成像 EMI 0、45米底部梯度电阻率 R045补偿中子 CNL 全井眼微电阻率扫描成像 STAR 0、5米电位电阻率 R05井壁中子 SPN 核磁共振 NMR 1米底部梯度电阻率R1补偿声波 AC 自然伽马能谱 NGS 2、5米底部梯度电阻率 R25长源距声波 SLS 电磁波传播测井 EPT 4米底部梯度电阻率 R4偶极子横波成像 DSI 自然电位 SP 6米底部梯度电阻率 R6低频偶极子声波成像 LFD 自然伽马 GR 8米底部梯度电阻率 R8多极子声波成像 MAC 垂直地震测井 VSP超声成像 USI 中子伽马 NGR附录29测井地面仪器类型代码名称代码名称代码JD58-1 C01 CLS-3600 C21SJD58-1 C02 CLS-3700 C22SL91-I C03 EXLIPS-5700 C23SL91-II C04 CSU C31VCT-2000 C05 MAXIS-500 C32WP-2000 C06 DDL-III C41SDCL-2000 C07 DDL-V C42SL-3000 C08 EXCELL-1000 C43SL-6000 C09 EXCELL-2000 C44691 C10 AT+ C5183系列 C11 CS400 C52附录31测井下井仪器型号代码名称代码说明双感应-八侧向 SL1503双感应-八侧向 SL1502双侧向 SL1230微球型聚焦 SL3105补偿密度 SL1608补偿声波 SL1608补偿声波 SL1670高分辨率声波 SL9801补偿中子 SL2436岩性密度 SL2222岩性密度 SL2223自然伽马 SL1310自然伽马能谱 SL1319四臂与六臂地层倾角 SL1017 地层压力测试 SL1967声波井眼成像 SL1620核磁共振 SL1801多极子声波 SL1616PCM、及井斜方位 SL1600双感应-八侧向 SL1501 小井眼双侧向 SL1228 小井眼微球型聚焦 SL3102 小井眼补偿声波 SL1607 小井眼补偿中子 SL2434 小井眼岩性密度 SL2220 小井眼自然伽马 SL1308 小井眼PCM、及井斜方位 SL1559 小井眼双感应 1502 阿特拉斯双感应 1503 阿特拉斯双感应 1504 阿特拉斯补偿中子 2420 阿特拉斯补偿中子 2435 阿特拉斯补偿中子 2436 阿特拉斯本帖最近评分记录:财富:+8(烟灰乱弹) 应助奖励来自: 顶端回复引用分享加为好友 kokoever级别:果园新丁作者资料发送短消息 QQ联系UID: 363638精华: 0发帖: 8威望: 0 点财富: 56 果果活期存款: 0 果果定期存款: 0 果果总资产: 56 果果贡献值: 0 点在线时间: 1(时)注册时间: 2010-05-26最后登录: 2010-06-08 11 发表于: 2010-05-26 11:13 只瞧该作者| 小中大测井符号中文名称AC 声波时差数据计数补偿密度A1R1 T1R1声波幅度A1R2 T1R2声波幅度A2R1 T2R1声波幅度A2R2 T2R2声波幅度AAC 声波附加值AAVG 第一扇区平均值AF10 阵列感应电阻率AF20 阵列感应电阻率AF30 阵列感应电阻率AF60 阵列感应电阻率AF90 阵列感应电阻率AFRT 阵列感应电阻率AFRX 阵列感应电阻率AIMP 声阻抗AIPD 密度孔隙度AIPN 中子孔隙度AL 声波(速度)测井AMAV 声幅AMAX 最大声幅AMIN 最小声幅AMP1 第一扇区的声幅值AMP2 第二扇区的声幅值AMP3 第三扇区的声幅值AMP4 第四扇区的声幅值AMP5 第五扇区的声幅值AMP6 第六扇区的声幅值AMVG 平均声幅AO10 阵列感应电阻率AO20 阵列感应电阻率AO30 阵列感应电阻率AO60 阵列感应电阻率AO90 阵列感应电阻率AOFF 截止值AORT 阵列感应电阻率AORX 阵列感应电阻率APLC 补偿中子AR10 方位电阻率AR11 方位电阻率AR12 方位电阻率ARO1 方位电阻率ARO2 方位电阻率ARO3 方位电阻率ARO4 方位电阻率ARO5 方位电阻率ARO6 方位电阻率ARO7 方位电阻率ARO8 方位电阻率ARO9 方位电阻率AT10 阵列感应电阻率AT20 阵列感应电阻率AT30 阵列感应电阻率AT60 阵列感应电阻率AT90 阵列感应电阻率ATAV 平均衰减率ATC 声波衰减率ATC1 声波衰减率ATC2 声波衰减率ATC3 声波衰减率ATC4 声波衰减率ATC5 声波衰减率ATC6 声波衰减率ATMN 最小衰减率ATRT 阵列感应电阻率ATRX 阵列感应电阻率AZ 1号极板方位AZ1 1号极板方位AZI 1号极板方位AZIM 方位角AZIM 井斜方位BACBGF 远探头背景计数率BGN 近探头背景计数率BHC 补偿声波BHT 井底温度BHTA 声波传播时间数据BHTT 声波幅度数据BLKC 块数BS 钻头直径BTNS 极板原始数据BxC1 井径C2 井径C3 井径CAL 井径CAL 井径CAL1 井径CAL2 井径CALI 井径CALS 井径CASI 钙硅比CBL 声波幅度CCL 磁性定位CEC 阳离子交换能力CEMC 水泥图CET 水泥评价测井？CGR 自然伽马CI 总能谱比CL 粘土含量CLD 分散粘土体积CLL 层状粘土体积CLS 结构粘土体积CMFF 核磁共振自由流体体积CMRP 核磁共振有效孔隙度CN 中子CN 补偿中子CNL CNL井壁中子CNL 补偿中子CO 碳氧比CON 感应测井CON1 感应电导率COND 感应电导率CORR 密度校正值D2EC 200兆赫兹介电常数D4EC 47兆赫兹介电常数DAZ 井斜方位DEN 密度DEN_1 岩性密度DEPTH 测量深度DEV 井斜DEVI 井斜DFL 数字聚焦电阻率DHY 残余烃密度DHYC 烃密度DIA1 井径DIA2 井径DIA3 井径DIFF 核磁差谱DIP1 地层倾角微电导率曲线1DIP1_1 极板倾角曲线DIP2 地层倾角微电导率曲线2 DIP2_1 极板倾角曲线DIP3 地层倾角微电导率曲线3 DIP3_1 极板倾角曲线DIP4 地层倾角微电导率曲线4 DIP4_1 极板倾角曲线DIP5 极板倾角曲线DIP6 极板倾角曲线DRH 密度校正值DRHO 密度补偿值DT 声波时差DT1 下偶极横波时差DT2 上偶极横波时差DT4P 纵横波方式单极纵波时差DT4S 纵横波方式单极横波时差DTL 声波时差DTST 斯通利波时差ECHO 回波串ECHOQM 回波串EPOR 有效孔隙度ESW 有效含水饱与度ETIMD 时间F 地层因数FAMP 泥浆幅度FAR 远探头地层计数率FCC 地层校正FDBI 泥浆探测器增益FDEN 流体密度FGAT 泥浆探测器门限FLOW 流量FPLC 补偿中子FTIM 泥浆传播时间GAZF Z轴加速度数据GG01 屏蔽增益GG02 屏蔽增益GG03 屏蔽增益GG04 屏蔽增益GG05 屏蔽增益GG06 屏蔽增益GR 自然伽马GR1 自然伽马？GR2 同位素示踪伽马HAC 高分辨率声波时差HAZI 井斜方位HDRS 深感应电阻率HF 累计烃米数HFK 钾HMRS 中感应电阻率HSGR 无铀伽马HTHO 钍HUD 持水率HURA 铀IDPH 深感应电阻率IES 感应测井？Ild(RILD) 深探测感应测井Ilm(RILM) 中探测感应测井Ils 浅探测感应测井IDPH 深感应电阻率IMPH 中感应电阻率ISF 球形聚焦测井K 钾KCMR 核磁共振渗透率KRO 油的相对渗透率KRW 水的相对渗透率KTH 无铀伽马LCAL 井径LDL 岩性密度LL 侧向测井？LL3 深三侧向电阻率LL7 深七侧向电阻率LL8 深八侧向电阻率LLD 深侧向电阻率LLD3 深三侧向电阻率LLD7 深七侧向电阻率LLD7、LLS7 七测向LLHR 高分辨率侧向电阻率LLS 浅侧向电阻率LLS3 浅三侧向电阻率LLS7 浅七侧向电阻率LSS 长源距声波测井M 胶结指数M1R10 高分辨率阵列感应电阻率M1R120 高分辨率阵列感应电阻率M1R20 高分辨率阵列感应电阻率M1R30 高分辨率阵列感应电阻率M1R60 高分辨率阵列感应电阻率M1R90 高分辨率阵列感应电阻率M2R10 高分辨率阵列感应电阻率M2R120 高分辨率阵列感应电阻率M2R20 高分辨率阵列感应电阻率M2R30 高分辨率阵列感应电阻率M2R60 高分辨率阵列感应电阻率M2R90 高分辨率阵列感应电阻率M4R10 高分辨率阵列感应电阻率M4R120 高分辨率阵列感应电阻率M4R20 高分辨率阵列感应电阻率M4R30 高分辨率阵列感应电阻率M4R60 高分辨率阵列感应电阻率M4R90 高分辨率阵列感应电阻率MBVI 核磁共振束缚流体体积MBVM 核磁共振自由流体体积MCBW 核磁共振粘土束缚水ML 微电位电阻率MK 微梯度电阻率ML1 微电位电阻率(微电极A0、025M0、025N-A0、05M) ML2 微梯度电阻率(微电极A0、025M0、025N-A0、05M) MLL 微侧向电阻率MPHE 核磁共振有效孔隙度MPHS 核磁共振总孔隙度MPRM 核磁共振渗透率MSFL 微球型聚焦电阻率N 饱与度指数NCNT 磁北极计数NEAR 近探头地层计数率NGR 中子伽马NGS 自然伽马能谱测井NLL 中子寿命测井NML 核磁共振测井NPHI 补偿中子OMRL 定向微电阻率测井P01 第1组分孔隙度P02 第2组分孔隙度P03 第3组分孔隙度P04 第4组分孔隙度P05 第5组分孔隙度P06 第6组分孔隙度P07 第7组分孔隙度P08 第8组分孔隙度P09 第9组分孔隙度P10 第10组分孔隙度P11 第11组分孔隙度P12 第12组分孔隙度P1AZ 1号极板方位P1AZ_1 2号极板方位P1BTN 极板原始数据P2BTN 极板原始数据P2HS 200兆赫兹相位角P3BTN 极板原始数据P4BTN 极板原始数据P4HS 47兆赫兹相位角P5BTN 极板原始数据P6BTN 极板原始数据PAD1 1号极板电阻率曲线PAD2 2号极板电阻率曲线PAD3 3号极板电阻率曲线PAD4 4号极板电阻率曲线PAD5 5号极板电阻率曲线PAD6 6号极板电阻率曲线PADG 极板增益PD6G 屏蔽电压PE 光电吸收截面指数PEF 光电吸收截面指数PEFL 光电吸收截面指数PERM 渗透率Perm / K 渗透率PERM-IND 核磁共振渗透率PF 流体电阻率测井PI 微球聚焦屏流比PIH 油气有效渗透率PIW 水的有效渗透率POR 孔隙度Por / Ф 孔隙度PORB 储层的孔隙度PORb Pore / Фe 有效孔隙度PORG 气指数PORT 总孔隙度Port / Фt 总孔隙度PORW 含水孔隙度POTA 钾POTV １００％粘土中钾的体积PPOR 核磁T2谱PPORB 核磁T2谱PPORC 核磁T2谱PR 泊松比PRESS URE 压力QA 加速计质量QB 磁力计质量QRTT 反射波采集质量QV 阳离子交换容量R04 0、4米电位电阻率R045 0、45米电位电阻率R05 0、5米电位电阻率R1 1米底部梯度电阻率R25 2、5米底部梯度电阻率R250 2、5米底部梯度电阻率R4 4米底部梯度电阻率R400 4米底部梯度电阻率R4AT 200兆赫兹幅度比R4AT_1 47兆赫兹幅度比R4SL 200兆赫兹电阻率R4SL_1 47兆赫兹电阻率R6 6米底部梯度电阻率R8 8米底部梯度电阻率RAD1 井径(极板半径) RAD2 井径(极板半径) RAD3 井径(极板半径) RAD4 井径(极板半径) RAD5 井径(极板半径) RAD6 井径(极板半径) RADS 井径(极板半径) RATI 地层比值RB 相对方位RB_1 相对方位角RBOF 相对方位RD 深双侧向电阻率测井RFOC 八侧向电阻率RHOB 岩性体积密度RHOM 岩性密度RILD 深感应电阻率RILM 中感应电阻率RLML 微梯度电阻率Rm 泥浆电阻率Rmf 泥浆滤液电阻率RMG 微梯度电阻率RMLL 微侧向电阻率测井RMN 微电位电阻率RMSF 微球型聚焦电阻率RNML 微电位电阻率ROT 相对方位RPRX 邻近侧向电阻率RS 浅双侧向电阻率测井Rt 地层真电阻率Rw 地层水电阻率Rxo 冲洗带地层电阻率RXO1 RXO1微球形聚焦电阻率SDBI 特征值增益SFL 球型聚焦电阻率SFLU 球型聚焦电阻率SGAT 采样时间SGR 无铀伽马SH 微电位电阻率SICA 硅钙比SIG 井周成像特征值SIGC 俘获截面SIGC2 示踪俘获截面SMOD 横波模量SNL 井壁中子SNP 井壁中子孔隙度测井SNUM 特征值数量So 含油饱与度Sor 残余油饱与度SP 自然电位SPER 特征值周期Sw 含水饱与度SWB 束缚水饱与度Swirr / SIRR 束缚水饱与度SWN 井壁中子测井Swxo 冲洗带含水饱与度T2 核磁T2谱T2-BIN-A 核磁共振区间孔隙度T2-BIN-B 核磁共振区间孔隙度T2-BIN-PR 核磁共振区间孔隙度T2GM T2分布对数平均值T2LM T2分布对数平均值TCHK 绿泥石与高岭石含量TEMP 井温TENS 张力TH 钍THOR 钍TILL 伊利石含量TKRA 钍钾比TPI 钍钾乘积指数TPOR 核磁共振总孔隙度TRIG 模式标志TS 横波时差TT1 上发射上接受的传播时间TT2 上发射下接受的传播时间TT3 下发射上接受的传播时间TT4 下发射下接受的传播时间TURA 钍铀比U 铀UKRA 铀钾比ULSEL 超长电极距测井URAN 铀VAMP 扇区水泥图VDL 声波变密度VMVM 核磁共振自由流体体积VPVS 纵横波速度比Vsh / Sh 泥质含量VWF 可视波形WAV1 第一扇区的波列WAV2 第二扇区的波列WAV3 第三扇区的波列WAV4 第四扇区的波列WAV5 第五扇区的波列WAV6 第六扇区的波列WAVE 变密度图WF 全波列波形ZCORR 密度校正值。

W25Q64中文资料精编版

W25Q64BV出版日期：2010年7月8日- 1 - 版本E64M位与串行闪存双路和四路SPIW25Q64BV- 2 -目录1，一般DESCRIPTION (5)2。

FEATURES (5)3引脚配置SOIC208-MIL.......................................... .. (6)4，焊垫配置WSON8X6-MM.......................................... . (6)5，焊垫配置PDIP300-MIL.......................................... . (7)6引脚说明SOIC208密耳，PDIP300密耳和WSON8X6-MM................................ 7......7引脚配置SOIC300mil的.......................................... .. (8)8引脚SOIC封装说明300-MIL (8)8.1包装Types (9)8.2片选(/CS) (9)8.3串行数据输入，输出和IO（DI，DO和IO0，IO1，IO2，IO3）............................. 9.......8.4写保护(/WP) (9)8.5控股(/HOLD) (9)8.6串行时钟(CLK) (9)9座DIAGRAM (10)10功能DESCRIPTION (11)10.1 SPI OPERATIONS (11)10.1.1标准SPI Instructions (11)10.1.2双SPI Instructions (11)10.1.3四路SPI Instructions (11)10.1.4保持功能 (11)10.2写保护 (12)10.2.1写保护Features (12)11，控制和状态寄存器............................................ .. (13)11.1状态REGISTER (13)11.1.1 BUSY (13)11.1.2写使能锁存(WEL) (13)11.1.3块保护位（BP2，BP1，BP0）..................................... .. (13)11.1.4顶/底块保护（TB）....................................... .................................................. ..1311.1.5部门/块保护(SEC) (13)11.1.6状态寄存器保护（SRP，SRP0）....................................... . (14)11.1.7四路启用(QE) (14)11.1.8状态寄存器内存保护........................................... .. (16)11.2 INSTRUCTIONS (17)11.2.1制造商和设备标识........................................... .. (17)11.2.2指令集表1 (18)W25Q64BV11.2.3指令表2（阅读说明书）....................................... (19)出版日期：2010年7月8日- 3 - 修订版E11.2.4写使能(06h) (20)11.2.5写禁止(04h) (20)11.2.6读状态寄存器1（05H）和读状态寄存器2（35H）.............................. (21)11.2.7写状态寄存器（01H）......................................... .................................................. .. (22)11.2.8读取数据(03h) (23)11.2.9快速阅读(0Bh) (24)11.2.10快速读双输出（3BH）........................................ .................................................. 0.25 11.2.11快速读四路输出（6BH）........................................ .. (26)11.2.12快速读双I / O (BBh) (27)11.2.13快速读取四I/ O (EBh) (29)11.2.14八进制字读取四I/ O（E3H）..................................... (31)11.2.15页编程(02h) (33)11.2.16四路输入页编程（32H）........................................ . (34)11.2.17扇区擦除（20H） (35)11.2.1832KB的块擦除（52H） (36)11.2.1964KB的块擦除(D8h) (37)20年2月11日芯片擦除（C7H/ 60h) (38)21年2月11日擦除挂起(75h) (39)22年2月11日擦除恢复(7Ah) (40)23年11月2日掉电(B9h) (41)24年2月11日高性能模式（A3H）......................................... (42)25年2月11日发布掉电或高性能模式/设备ID（ABH） (42)26年2月11日读制造商/设备ID（90H）....................................... . (44)27年2月11日阅读唯一的ID号（4BH）........................................ . (45)28年2月11日读JEDEC的ID (9Fh) (46)29年2月11日连续读取模式复位（FFH或FFFFH）...................................... .. (47)12，电气特性.............................................. (48)12.1绝对最大Ratings (48)12.2操作范围 (48)12.3上电时序和写抑制阈值......................................... (49)12.4直流电气Characteristics (50)12.5 AC测量条件.............................................. .. (51)12.6 AC电气Characteristics (52)12.7 AC电气特性（续）......................................... . (53)12.8串行输出Timing (54)12.9输入Timing (54)12.10持有Timing (54)13包装SPECIFICATION (55)W25Q64BV13.18引脚SOIC208密耳（包装代号SS）..................................... .. (55)- 4 -13.28引脚PDIP300密耳（封装代码DA）..................................... (56)13.38触点WSON8x6毫米（封装代码ZE）....................................... (57)13.416引脚SOIC300密耳（封装代码SF）..................................... . (58)14订货INFORMA TION (59)14.1有效的部件号和顶端标记.......................................... (60)15版本HISTORY (61)W25Q64BV出版日期：2010年7月8日- 5 - 修订版E1概述该W25Q64BV（64M位）串行Flash存储器提供了有限的系统存储解决方案空间，引脚和电源。

FDB33N25资料

VDD = 125V, ID = 33A RG = 25Ω
VDS = 200V, ID = 33A VGS = 10V
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
--
--
--
(Note 4, 5)
--
--
--
(Note 4, 5)
--
IS
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
ISM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
VSD
Drain-Source Diode Forward Voltage VGS = 0V, IS = 33A
102
101 100
0.2
℃ 150 ℃25
※ Notes :
1. VGS = 0V 2. 250µ s Pulse Test
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
V , Source-Drain voltage [V] SD
Figure 6. Gate Charge Characteristics
※ Note ;
Crss
1. VGS = 0 V 2. f = 1 MHz
100
101
VDS, Drain-Source Voltage [V]
VGS, Gate-Source Voltage [V]
IDR, Reverse Drain Current [A]
ID, Drain Current [A]

DS90C365中文

DS90C385/DS90C365+3.3v可编程LVDS发送器，24-Bit平面直角显示器（FPD）85MHz 传输速率，+3.3V可编程LVDS发送器，24-Bit平面直角显示器（FPD）85MHz传输速率概述：DS90C385可将28位的LVCOMS/LVTTL数据转换为LVDS(Low Voltage Differential Signaling低电压差分信号)数据流。

一个锁相环产生的传输时钟与五通道LVDS线路上传输的数据并行传输。

传输时钟的每个周期，28位的输入数据会被采样和发送。

当传输时钟频率为85MHz时，24位的RGB数据和三位的LCD时序信号和控制信号(FPLINE,FPFRAME,DRDY)在每个LVDS数据通道上以595Mbps传输。

当使用85MHz时钟，数据输出流量为297.5Mbytes/sec。

同样也可购买到的是DS90C365，可将21位的LVCOMS/LVTTL数据转换为三通道LVDS数据流。

这两种芯片都可以通过一个专用的引脚来编程，设置上升沿选通或下降沿选通。

一个上升沿选通或下降沿选通发送器将和一个下降沿选通接收器(DS90CF386/DS90CF366)无传输逻辑的直接互操作。

DS90C385同时还提供64球的FBGA封装，面积比TSSOP封装减小44%。

本芯片组是解决EMI和有关TTL接口电缆尺寸、位宽、高速问题的理想选择。

特点：■20-85MHz移位时钟支持。

■TxINPUTs有最佳类型和保持时间设置。

■Tx功耗<130mW(typ)@85MHz灰度■支持VGA,SVGA,XGA和Dual Pixel SXGA■窄总线减少了电缆的尺寸和成本。

■高达2.38Gbps传输速率。

■高达297.5Megabytes/sec位宽。

■345mV(typ)摆幅LVDS器件，低EMI特性。

■PLL不需要外部器件。

■兼容TIA/EIA-644LVDS标准。

■低剖面56脚或48脚TSSOP封装。

Datasheet MLX90614 中文数据手册 rev008

标准上，MLX90614 是按照目标物体发射率 1 进行校准的。客户可根据其目标物体的发射率进行修改，可修改范围为 0.1 至 1.0，修改后，客户也不需要用黑体进行校准。
10-位 PWM 输出模式是连续输出所测物体温度的标准配置，测量物体的温度范围为-20…120 °C，分辨率为 0.14 °C。PWM 通过修改 EEPROM 内 2 个单元的值，实际上可以根据需求调整至任何温度范围，而这对出厂校准结果并无影响。
传感器的测量结果均出厂校准化，数据接口为数字式的 PWM 和 SMBus(System Management Bus) 输出。
作为标准，PWM 为 10 位，且配置为-20˚C 至 120 ˚C 内，分辨率为 0.14 ˚C 的连续输出。
传感器出厂默认，上电复位时为 SMBus 通信。
3901090614 Rev 008
PWM 引脚也可配置为热继电器(输入是 To)，这样可以实现简单且性价比高的恒温控制器或温度报警(冰点/沸点)应用，其中的温度临界值是用户可编程的。在 SMBus 系统里，这个功能可以作为处理器的中断信号，以此触发读取主线上从动器的值，并确定精度条件。
传感器有两种供电电压选择：5V 或 3V(电池供电)。其中，5V 也可简便的从更高供电电压(例如 8 至 16V)上通过外接元件调制。(具体请参考“应用信息”)
MLX90614 connection to SMBus
图 1: 典型应用电路
2 概述
MLX90614 是一款用于非接触式的红外温度传感器，集成了红外探测热电堆芯片与信号处理专用集成芯片，全部封装在 TO-39。
低噪声放大器、17 位 ADC 和强大的 DSP 处理单元的全集成，使传感器实现了高精度，高分辨率的测量。

HQxxxx-xxx-3AA中文资料

HQ SeriesSPECIFICATIONS STANDARD*SPECIAL ELECTRICALCenter Frequency (Fc)100 to 1000 Mhz80 to 1400 MHz 3dB Relative Bandwidth (% of FC) 4 to 40 4 to 50 Number of Sections Available 3 to 8 2 to 10 Nominal Impedance50 Ohms50 to 75 Ohms Maximum Insertion Loss See Curve See Curve Maximum VSWR 1.5/1 1.3/1 Attenuation in the Stopband See Graph See GraphMaximum Input Power (Average)(Watts to10,000 ft.)500 x 3dB BW (MHz)(Loss Factor)(Fc MHz)See StandardMaximum Input Power (Peak)(Watts to10,000 ft.)300 x 3dB BW (MHz)Fc (MHz)2,000ENVIRONMENTALShock15 G's25 G's Vibration 5 G's10 G's Humidity90% relative100% relativeINSERTION LOSS:The Maximum Insertion Loss at center frequency is equal to :LF x (N + 0.5) / % 3 dB BW + 0.2 Where:LF= Loss Factor, N= Number of Sections% 3dB BW:3dB BW (MHz) x 100divided byCenter Frequency (MHz) Example:A 3 section HQ with a center frequency of 400 MHz and a 3dB BW of 40 MHz would have,1.5 x 3.5 / 10 = 5.25 / 10 = 0.525 0.525 + 0.2 = 0.8 dBConnectors Available on HQ Series:Lark Code Type C DIM.Inches & MMLarkCodeType C DIM.Inches & MMA SMA JACK.800 & 20.3G N JACK 1.625 & 41.3B SMA PLUG.855 & 22.5H N PLUG 1.585 & 40.3C TNC JACK 1.350 & 34.3L SOLDER MPINAXIAL.625 & 15.9D TNC PLUG 1.280 & 32.5*M SOLDER PINRADIAL.625 & 15.9E BNC JACK 1.350 & 34.3S SPECIALF BNC PLUG 1.280 & 32.5*Not recommended for use with this series.LENGTH:The approximate length of a Lark HQ series filter can be determined by the formula:( 0.5 N + 2 / %BW ) x LC = LWhere N is the number of sections used, % BW is:3dB BW (MHz) x 100divided byCENTER FREQUENCY (MHz)LC is the length constant at the specified center frequency, L is the dimension between theconnectors; C1 and C2 are the connector lengths as shown above. All of the length information given here is approximate. Exact length specifications must be quoted by the factory. If a special length is needed,please submit all of your requirements - both electrical and mechanical. This will enable Lark Engineering to quote the optimum design for your application.Example:A 3 section HQ with a center frequency of 400 MHz a 3dB BW of 40 MHz and SMA jack input and output connectors would be:(1.5 + 0.2) x 1.38 = 2.35 + C1 + C2In most cases, the L dimension is rounded to the nearest 1/4 inch which in this instance would be 2.25inches and the O.A.L. is:2.25 + .800 + .800 =3.85 inches.To convert inches to millimeters multiply x 25.40.Lark Engineering HQ SERIES元器件交易网STOPBAND ATTENUATIONThe graph on the following pages defines the normal specification limits on attenuation Lark bandpass filter series HP, HQ, SF, and SM. The minimum level of attenuation in dB is shown as a "number of 3dB bandwidths from center frequency".Since the frequency characteristics vary for differing bandwidths, it is necessary to establishspecifications for each bandwidth of filter. The different graphs represent various 3dB percentage bandwidths. Intermediate values should be interpolated. The 3dB percentage bandwidth is defined asfollows:STOPATT5.HTM元器件交易网As the 3dB bandwidth is exactly 10% of the center frequency, the answer can be read directly from the 10% graph. Using the 5 section curve at the point -1.5 (255 MHz) we find the minimum level of attenuation is 36dB. At +1.6 (348 MHz) the minimum level of attenuation is 48dB.For special requirements, please contact our Application Engineering Department.STOPBAND ATTENUATIONSTOPBAND ATTENUATIONSTOPATT5.HTM元器件交易网STOPBAND ATTENUATIONSTOPBAND ATTENUATIONSTOPBAND ATTENUATION。

MBR2H100SFT3G;中文规格书,Datasheet资料

MBR2H100SFT3G,NRVB2H100SFT3GSurface MountSchottky Power Rectifier Plastic SOD−123FL PackageThis device uses the Schottky Barrier principle with a large area metal−to−silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system. Because of its small size, it is ideal for use in portable and battery powered products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC−DC and DC−DC converters, reverse battery protection, and “Oring” of multiple supply voltages and any other application where performance and size are critical. Features•Guardring for Stress Protection•Low Forward V oltage•175°C Operating Junction Temperature•Epoxy Meets UL 94 V−0•Package Designed for Optimal Automated Board Assembly•ESD Ratings:Machine Model, CHuman Body Model, 3B•NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable•These are Pb−Free DevicesMechanical Characteristics•Reel Options: MBR2H100SFT3G = 10,000 per 13 in reel/8 mm tape •Device Marking: L2H•Polarity Designator: Cathode Band•Weight: 11.7 mg (approximately)•Case: Epoxy, Molded•Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)•Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max. for 10 Seconds•Device Meets MSL 1 RequirementsMARKING DIAGRAML2H= Specific Device CodeM= Date CodeG= Pb−Free Package(Note: Microdot may be in either location)SOD−123FLCASE 498PLASTICSCHOTTKY BARRIERRECTIFIER2.0 AMPERES100 VOLTSDevice Package Shipping†ORDERING INFORMATION†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specification Brochure, BRD8011/D.MBR2H100SFT3G SOD−123(Pb−Free)10000 / Tape &Reel NRVB2H100SFT3G SOD−123(Pb−Free)10000 / Tape &ReelMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitPeak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRMV RWMV R100VAverage Rectified Forward Current(T L = 146°C)I O 2.0ANon−Repetitive Peak Surge Current(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)I FSM50A Storage and Operating Junction Temperature Range (Note 1)T stg, T J−65 to +175°CStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.1.The heat generated must be less than the thermal conductivity fromJunction−to−Ambient: dP D/dT J < 1/R q JA.THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction−to−Lead (Note 2)Y JCL23°C/W Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 2)R q JA85°C/W Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 3)R q JA330°C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Value UnitMaximum Instantaneous Forward Voltage(Note 4)(I F = 1.0 A, T J = 25°C)(I F = 2.0 A, T J = 25°C)(I F = 1.0 A, T J = 125°C)(I F = 2.0 A, T J = 125°C)V F0.760.840.610.68VMaximum Instantaneous Reverse Current (Note 4) (Rated dc Voltage, T J = 25°C)(Rated dc Voltage, T J = 125°C)I R400.5m AmA2.Mounted with 700 mm2 copper pad size (Approximately 1 in2) 1 oz FR4 Board.3.Mounted with pad size approximately 20 mm2 copper, 1 oz FR4 Board.4.Pulse Test: Pulse Width ≤ 380 m s, Duty Cycle ≤ 2.0%.Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Maximum Forward VoltageV F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse CurrentV R , REVERSE VOLTAGE (V)V R , REVERSE VOLTAGE (V)I F , F O R W A R D C U R R E N T (A )I F , F O R W A R D C U R R E N T (A )I R , R E V E R S E C U R R E N T (m A )R Figure 5. Current Derating T L , LEAD TEMPERATURE (°C)0.51.01.52.0I F (A V ), A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T (A )I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (A)0.20.40.60.81P F O , A V E R A G E P O W E R D I S S I P A T I O N (W )Figure 6. Forward Power Dissipation0.000010.0010.1102.53.03.54.0 1.21.41.61.822.22.42.62.83Figure 7. CapacitanceV R , REVERSE VOLTAGE (V)C , C A P A C I T A N C E (p F )0.10.00001PULSE TIME (s)100100.10.010.00010.0010.011.0101000.0000011000R (t ) (C /W )1.00.10.00001PULSE TIME (s)100100.10.010.00010.0010.011.0101000.0000011000R (t ) (C /W )Figure 8. Thermal Response, Junction −to −Ambient (20 mm 2 pad)1.01000Figure 9. Thermal Response, Junction −to −Ambient (1 in 2 pad)PACKAGE DIMENSIONSSOD −123FL CASE 498−01ISSUE BNOTES:1.DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M,1982.2.CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.3.DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.4.DIMENSIONS D AND J ARE TO BE MEASURED ON FLAT SECTION OF THE LEAD: BETWEEN 0.10 AND 0.25 MM FROM THE LEAD TIP.Ebcmm inches0.910.036*For additional information on our Pb −Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.SOLDERING FOOTPRINT*DIM A MIN NOM MAX MINMILLIMETERS0.900.95 1.000.035INCHES A10.000.050.100.000b 0.700.90 1.100.028c 0.100.150.200.004D 1.50 1.65 1.800.059E 2.50 2.70 2.900.098L 0.550.750.950.0220.0370.0390.0020.0040.0350.0430.0060.0080.0650.0710.1060.1140.0300.037NOM MAX 3.40 3.60 3.800.1340.1420.150H E −−0°8°0°8°q ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. 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赛门铁克产品中文知识库文档列表

1. 赛门铁克产品中文知识库文档列表 (1)2. Symantec Endpoint Protection (SEP) 简体中文文档汇总（持续更新） (2)3. Symantec Endpoint Protection 11.0 主要文章 (8)4. NetBackup (NBU) 简体中文文档汇总（持续更新） (12)5. Backup Exec for Windows Servers (BEWS) 简体中文文档汇总（持续更新） (20)6. Backup Exec System Recovery (BESR) 简体中文文档汇总（持续更新） (30)7. Symantec Brightmail Gateway (SBG) 简体中文文档汇总（增加中） (34)8. Symantec Information Foundation 产品简体中文文档归总（持续更新） (35)9. Cluster Server (VCS) 简体中文文档汇总（持续更新） (38)10. Enterprise Vault (EV) 简体中文文档汇总（持续更新） (39)11. Storage Foundation (SF) 简体中文文档汇总（持续更新） (41)12. Volume Manager（VxVM）简体中文文档汇总（持续更新） (44)13. Volume Replicator (VVR) 简体中文文档汇总（持续更新） (45)1.赛门铁克产品中文知识库文档列表service1.symantec./SUPPORT/INTER/ent-securitysimplifiedchinesekb.nsf/cn_docid/本文档翻译自英文文档。

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解释Security (安全产品)•Symantec Endpoint Protection (SEP）•Symantec Brightmail Gateway (SBG)•Symantec Mail Security for SMTP (SMS)Availability (存储产品)•Symantec Backup Exec (BEWS)•Symantec Backup Exec System Recovery (BESR)•Symantec Cluster Server (VCS)•Symantec Enterprise Vault (EV)•Symantec NetBackup (NBU)•Storage Foundation (SF)•Symantec Volume Manager (VxVM)•Symantec Volume Replicator (VVR)•文档号：最近更新： 2009-12-02Date Created: 2009-10-15产品： All Products2.Symantec Endpoint Protection (SEP) 简体中文文档汇总（持续更新）本文档翻译自英文文档。

药用辅料中英文对照

1 阿拉伯胶(Acacia)2 乙酰舒泛钾(Acesulfame Potassium)3 冰醋酸(Acetic Acid,Glacial)4 乙酰枸橼酸三丁酯(AcetyltributylCitrate)5 乙酰枸橼酸三乙酯(AcetyltriethylCitrate)6 人血白蛋白(Albumin)7 乙醇(Alcohol)8 海藻酸(Alginic Acid)9 脂肪族聚酯(Aliphatic Poly esters)10 阿力糖(Alitame)11 杏仁油(Almond Oil)12 维生素E(Alpha Tocopherol)13 氨溶液(Ammonia Solution)14 维生素C(Ascorbic Acid)15 棕榈酸维生素C酯(Ascorbyl Palmitate)16 阿司帕坦(Aspartame)17 绿坡缕石(Attapulgite)18 皂土(Bentonite)19 苯扎氯铵(Benzalkonium Chloride)20 苄索氯铵(Benzethonium Chloride)21 苯甲酸(Benzoic Acid)22 苯甲醇(Benzyl Alcohol)23 苯甲酸苄酯(Benzyl Benzoate)24 溴硝丙二醇(Bronopol)25 丁羟茴醚(Butylated Hydroxyanisole)26 丁羟甲苯(Butylated Hydroxytoluene)27 羟苯丁酯(Butylparaben)28 碳酸钙(Calcium Carbonate)29 无水磷酸氢钙(Calcium Phosphate,Dibasic Anhydrous)30 磷酸氢钙二水合物(Calcium Phosphate,Dibasic Dihydrate)31 磷酸钙(Calcium Phosphate,Tribasic)32 硬脂酸钙(Calcium Stearate)33 硫酸钙(Calcium Sulfate)34 低芥酸菜籽油(Canola Oil)35 卡波姆(Carbomer)36 二氧化碳(Carbon Dioxide)37 羧甲纤维素钙(Carboxymethylcellulose Calcium)38 羧甲纤维素钠(Carboxymethylcellulose Sodium)39 角叉菜胶(Carrageenan)40 蓖麻油(Castor Oil)41 氢化蓖麻油(Castor Oil,Hydro-genated)42 微晶纤维素(Cellulose,Microcr ystalline)43 粉状纤维素(Cellulose,Powdered)44 微粉硅胶微晶纤维素(Cellulose, Silicified Microcrystalline)45 醋酸纤维素(Cellulose Acetate)46 纤维醋法酯(Cellulose Acetate Phthalate)47 角豆胶(Ceratonia)48 十八十六醇(Cetostearyl Alcohol)49 西曲溴铵(Cetrimide)50 十六醇(Cetyl Alcohol)51 壳聚糖(Chitosan)52 氯己定(Chlorhexidine)53 三氯叔丁醇(Chlorobutanol)54 氯甲酚(Chlorocresol)55 一氯二氟乙烷(Chlorodifluoroe-thane)56 氟里昂(Chlorofluorocabons)57 对氯间二甲酚(Chloroxylenol)58 胆固醇(Cholesterol)59 枸橼酸(Citric Acid Monohydrate)60 胶态二氧化硅（微粉硅胶）(Colloidal Silicon Dioxide)61 着色剂(Coloring Agents)62 玉米油(Corn Oil)63 棉籽油(Cottonseed Oil)64 甲酚(Cresol)65 交联羧甲纤维素钠(Croscarmellose Sodium)66 交联聚维酮(Crospovidone)67 环糊精(Cyclodextrins)68 环甲基硅酮(Cyclomethicone)69 苯甲地那铵(Denatonium Benzoate)70 葡萄糖结合剂(Dextrates)71 糊精(Dextrin)72 葡萄糖(Dextrose)73 邻苯二甲酸二丁酯(Dibutyl Phthalate)74 癸二酸二丁酯(Dibutyl Sebacate)75 二乙醇胺(Diethanolamine)76 邻苯二甲酸二乙酯(Diethyl Phthalate)77 二氟乙烷(Difluoroethane)78 二甲硅油(Dimethicone)79 二甲醚(Dimethyl Ether)80 邻苯二甲酸二甲酯(Dimethyl Phthalate)81 二甲亚砜(Dimethyl Sulfoxide)82 多库酯钠(Docusate Sodium)83 依地酸（乙二胺四乙酸）(Edetic Acid)84 乙酸乙酯(Ethyl Acetate)85 乙基麦芽酚(Ethyl Maltol)86 油酸乙酯(Ethyl Oleate)87 乙基香草醛(Ethyl Vanillin)88 乙基纤维素(Ethylcellulose)89 硬脂酸棕榈酸乙二醇酯(Ethylene Glycol Palmitostearate)90 羟苯乙酯(Ethylparaben)91 果糖(Fructose)92 富马酸(Fumaric Acid)93 明胶(Gelatin)29394 液体葡萄糖(Glucose,Liquid)95 甘油(Glycerin)96 山萮酸甘油酯(Glyceryl Behenate)97 单油酸甘油酯(Glyceryl Monooleate)98 单硬脂酸甘油酯(Glyceryl Monostearate)99 硬脂酸棕榈酸甘油酯(Glyceryl Palmitostearate)100 四氢呋喃聚乙二醇醚(Glycofurol)101 瓜耳胶(Guar Gum)102 七氟丙烷(HFC)(Heptafluoro-propane)103 海克西定(Hexetidine)104 烷烃类（HC) (Hydrocarbons)105 盐酸(Hydrochloric Acid)106 羟乙纤维素(Hydroxy ethyl Cellulose)107 羟乙甲纤维素(Hydroxy ethylmethyl Cellulose)108 羟丙纤维素(Hydroxypropyl Cellulose)109 低取代羟丙纤维素(Hydroxypropyl Cellulose,Low-substituted) 110 羟丙甲纤维素(Hypromellose)111 羟丙甲纤维素酞酸酯(Hypromellose Phthalate)112 咪唑烷脲(Imidurea)113 异丙醇(Isopropyl Alcohol)114 肉豆蔻酸异丙酯(Isopropyl Myristate)115 棕榈酸异丙酯(Isopropyl Palmitate)116 白陶土(Kaolin)117 乳酸(Lactic Acid)118 拉克替醇(Lactitol)119 乳糖(Lactose120 羊毛脂(Lanolin)121 含水羊毛脂(Lanolin,Hydrous)122 羊毛醇(Lanolin Alcohols)123 卵磷脂(Lecithin)124 硅酸镁铝(Magnesium Aluminum Silicate)125 碳酸镁(Magnesium Carbonate)126 氧化镁(Magnesium Oxide)127 硅酸镁(Magnesium Silicate)128 硬脂酸镁(Magnesium Stearate)129 三硅酸镁(Magnesium Trisilicate)130 苹果酸(Malic Acid)131 麦芽糖醇(Maltitol)132 麦芽糖醇溶液(Maltitol Solution)133 麦芽糖糊精(Maltodextrin)134 麦芽酚(Maltol)135 麦芽糖(Maltose)136 甘露醇(Mannitol)137 中链脂肪酸甘油三酯(Medium-chain Triglycerides)138 葡甲胺(Meglumine)139 薄荷脑(Menthol)140 甲基纤维素(Methylcellulose)141 羟苯甲酯(Methylparaben)142 液体石蜡(Mineral Oil)143 轻质液体石蜡(Mineral Oil,Light)144 液体石蜡羊毛醇(Mineral Oil and Lanolin Alcohols)145 单乙醇胺(Monoethanolamine)146 谷氨酸一钠(Monosodium Glutamate)147 硫代甘油(Monothioglycerol)148 氮(Nitrogen)149 一氧化二氮(Nitrous Oxide)150 油酸(Oleic Acid)151 橄榄油(Olive Oil)152 石蜡(Paraffin)153 花生油(Peanut Oil)154 凡士林(Petrolatum)155 凡士林羊毛醇(Petrolatum and Lanolin Alcohols)156 苯酚(Phenol)157 苯氧乙醇(Phenoxy ethanol)158 苯乙醇(Phenylethyl Alcohol)159 醋酸苯汞(Phenylmercuric Acetate)160 硼酸苯汞(Phenylmercuric Borate)161 硝酸苯汞(Phenylmercuric Nitrate)162 磷酸(Phosphoric Acid)163 波拉克林钾(Polacrilin Potassium)164 泊洛沙姆(Poloxamer)165 葡聚糖(Polydextrose)166 聚乙二醇(Polyethylene Glycol)167 聚氧乙烯(Polyethylene Oxide)168 聚(甲基)丙烯酸树脂(Polymethacr-ylates)169 聚氧乙烯烷基醚(Polyoxyethylene Alkyl Ethers)170 聚氧乙烯蓖麻油衍生物(Polyoxyeth-ylene Castor Oil Derivatives) 171 聚山梨酯(Polyoxyethylene Sorbitan Fatty Acid Esters) 172 硬脂酸聚氧乙烯酯(Polyoxyethylene Stearates)173 聚醋酸乙烯酞酸酯(Polyvinyl Acetate Phthalate)174 聚乙烯醇(Polyvinyl Alcohol)175 苯甲酸钾(Potassium Benzoate)176 碳酸氢钾(Potassium Bicarbonate)177 氯化钾(Potassium Chloride)178 枸橼酸钾(Potassium Citrate)179 氢氧化钾(Potassium Hydroxide)180 焦亚硫酸钾(Potassium Metabisulfite)181 山梨酸钾(Potassium Sorbate)182 聚维酮(Povidone)183 丙酸(Propionic Acid)184 没食子酸丙酯(Propyl Gallate)185 碳酸丙烯酯(Propylene Carbonate)186 丙二醇(Propylene Glycol)187 海藻酸丙二醇酯(Propylene Glycol Alginate)188 羟苯丙酯(Propylparaben)189 糖精(Saccharin)190 糖精钠(Saccharin Sodium)191 芝麻油(Sesame Oil)192 虫胶(Shellac)193 二氧化硅二甲硅油(Simethicone)194 海藻酸钠(Sodium Alginate)195 抗坏血酸钠(Sodium Ascorbate)196 苯甲酸钠(Sodium Benzoate)197 碳酸氢钠(Sodium Bicarbonate)198 氯化钠(Sodium Chloride)199 枸橼酸钠二水合物(Sodium Citrate Dihydrate)200 环拉酸钠(Sodium Cyclamate)201 氢氧化钠(Sodium Hydroxide)202 月桂硫酸钠(十二烷基硫酸钠)(Sodium Lauryl Sulfate) 203 焦亚硫酸钠(偏亚硫酸钠)(Sodium Metabisulfite) 204 磷酸氢二钠(Sodium Phosphate,Dibasic) 205 磷酸二氢钠(Sodium Phosphate ,Monobasic)206 丙酸钠(Sodium Propionate)207 羧甲淀粉钠(Sodium Starch Glycolate)208 硬脂富马酸钠(Sodium Stearyl Fumarate)209 山梨酸(Sorbic Acid)210 山梨坦酯Sorbitan Esters(Sorbitan Fatty Acid Esters)211 山梨醇(Sorbitol)212 大豆油(Soybean Oil)213 淀粉(Starch)214 预胶化淀粉(Starch,Pregelatinized)215 灭菌玉米淀粉(Starch,Sterilizable Maize)216 硬脂酸(Stearic Acid)217 硬脂醇(Stearyl Alcohol)218 羟糖氯(Sucralose)219 蔗糖(Sucrose)220 可压性蔗糖(Sugar,Compressible)221 蔗糖粉(Sugar,Confectioner’s)222 蔗糖球形颗粒(Sugar Spheres)223 硫酸(Sulfuric Acid)224 葵花籽油(Sunflower Oil)225 氢化植物油（硬脂）栓剂基质(Sup-pository Bases,Hard Fat)226 滑石粉(Talc)227 酒石酸(Tartaric Acid)228 四氟乙烷(HFC)(Tetrafluoroe-thane)229 硫柳汞(Thimerosal)230 二氧化钛(Titanium Dioxide)231 西黄蓍胶(Tragacanth)232 海藻糖(Trehalose)233 三醋汀(Triacetin)234 枸橼酸三丁酯(Tributyl Citrate)235 三乙醇胺(Triethanolamine)236 枸橼酸三乙酯(Triethyl Citrate)237 香草醛(Vanillin)238 氢化植物油(Vegetable Oil,Hydrogenated)239 水(Water)240 阴离子乳化蜡(Wax,Anionic Emulsifying)241 巴西棕榈蜡(Wax,Carnauba)242 十六醇酯蜡(Wax,Cetyl Esters)243 微晶蜡(Wax,Microcrystalline)244 非离子乳化蜡(聚西托醇乳化蜡)(Wax,Nonionic Emulsifying)245 白蜡(Wax,White)246 黄蜡(Wax,Yellow)247 黄原酸胶(Xanthan Gum)248 木糖醇(Xylitol)796249 玉米朊（玉米蛋白）(Zein)250 硬脂酸锌(Zinc Stearate)。

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Origin (['ɒrɪdʒɪn]原点、起源) normal （['nɔrml]正常、法线、标准） Intersect ([ɪntə'sekt]相交、交叉、交集) Indices （['ɪndɪsiːz]目录、索引、指数）
Cuboid （['kjubɔɪd]立方体）
Curtain （['kɝtn]窗帘、幕墙）
Curve （[kɝv]n. 曲线；弯曲）
Cylinder （['sɪlɪndə]n. 圆筒；圆柱）
Data （['detə]数据（datum的复数）；资料）
Date （[det]:日期）
Daylighting （daylight['delaɪt]：白天；日光；黎明；公开。
Delaunay 三角网
）采光
60 Directory （[daɪ'rɛktəri]目录） 43 Display （[dɪ'sple]n. 显示；表现；炫耀。vt. 显示；表现） 105 Divided （[dɪ'vaɪdɪd]分开、分离、分割） 29 division （[də'vɪʒən]除法，分割，分格） 18 Document （['dɒkjʊm(ə)nt]：文档、文件） 136 Drafting （['drɑːftɪŋ]起草、制图、工程图） 70 Edge （[ɛdʒ]边线） 96 element (['ɛləmənt]图元、要素、元素、成分) 112 Elevation （[,elɪ'veɪʃ(ə)n]高地、海拔、高程、立面图） 71 Ellipse （[ɪ'lɪps]椭圆） 15 Environment （[ɪn'vaɪrənmənt]：环境） 25 Equal （['ikwəl]平等的，相等的） 47 Evaluate （[ɪ'væljʊ'et]评价） 17 Export （[ˈekspɔːrt；ɪkˈ-]:输出、出口） 3 Extensions （[ɪk'stɛnʃən]扩展、扩张) 72 Face （[fes]面） 59 File （[faɪl]n. 文件；档案） 109 Floor （[flɔː]楼板、地面、楼层） 35 foot （[fʊt]n. 脚；英尺） 123 Footing （['fʊtɪŋ]基础） 110 Form （[fɔːm]形式、形状、表格） 48 Formula （['fɔrmjələ]n. [数] 公式，准则；配方） 119 Framing （['fremɪŋ]框架、设计） 44 Geometry （[dʒɪ'ɑmətri]n. 几何学，几何结构） 30 grid （[ɡrɪd]n. 网格；格子，栅格；输电网） 75 group （[gruːp]组） 38 Height （[haɪt]高度） 73 Helix （['hilɪks]螺旋） 92 Hull （[hʌl]外壳） 13 Illuminance （[ɪ'lumɪnəns]照明度） 34 image （['ɪmɪdʒ]n. 影像；想象） 111 Import （['ɪmpɔt]输入、导入） 74 Index （['ɪndeks]索引） 39 information （[ɪnfə'meɪʃ(ə)n]信息） 49 Input （['ɪn'pʊt]输入） 107 Instance （['ɪnstəns]实例、实体） 11 Job （[dʒɒb]：工作） 4 Label （Label['lebl]：标签、标注）

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格兰富水泵使用说明

GRUNDFOS说明书CR, CRN SF 32, 45, 64和90型号A使用说明中文 (CN)2中文 (CN) 使用说明中文版本。

目录页1. 本文献中所用符号2. 概述零件的位置编号(数字)，请参见章节9.扩展视图中的图纸；工具的位置编号(字母)，请参见章节5.维修工具。

电子元件的维修工作须由格兰富或经格兰富授权的维修站进行。

拆解水泵之前•如果隔离阀已安装，关闭隔离阀，并确保不能被意外打开。

•开始维修产品之前，让产品和泵送液体冷却下来。

•留意泵的重心以免泵发生倾倒。

使用长型泵时尤其需要注意这一点。

•断开电机的电源。

组装水泵之前•清洗并检查所有零件。

•用新零件替换损坏零件。

•定购必要的维护件。

•垫片和O型圈应更换。

组装过程中•按照章节4.扭矩与润滑剂所述给螺丝和螺母加润滑并拧紧。

装配完毕后•如果模拟或数字输入、继电器输出或CIM模块已从功能模块上拆下，维修后必须检查与外部装置的通信。

回收处理必须按如下规定处理该产品或其部件：– 使用当地的公共和个人废物处理设施。

– 如果当地没有公立或私立废品回收设施，请联系最近的格兰富公司或者维修站。

1.本文献中所用符号22.概述23.型号33.1铭牌33.2型号43.3轴封代码54.扭矩与润滑剂65.维修工具75.1专用工具75.2标准工具85.3扭矩扳手柄86.拆解与组装96.1概述96.2更换电机96.3更换电机座106.4更换联轴器106.5更换轴封106.6更换泵头116.7更换腔体126.8腔体组件的拆卸136.9腔体组件的装配147.腔体和叶轮的装配顺序157.1CRN 32 SF 157.2CRN 45 SF 167.3CRN 64 SF 177.4CRN 90 SF 188.位置199.扩展视图20警告维修之前，仔细阅读维修说明。

安装和维修必须遵守当地规章制度并符合公认的良好操作习惯。

请遵守产品安装和操作说明书中的安全说明。

警告不执行这些安全须知可能会引起人身伤害。

2006年NBA选秀

2006年NBA选秀（2006 NBA Draft）于2006年6月28日在美国纽约市的麦迪逊广场花园的剧院内举行。

选秀大会透过美国ESPN电视台向全世界202个国家和地区进行直播。

2006年选秀合影选秀的主要前奏，2006年NBA选秀乐透，2006年5月23日在新泽西州的希咯甚市（Secaucus）举行。

乐透抽签首先先召集未能进入NBA季后赛的14支球队举行抽签仪式，来决定未来头三号新秀权的归属。

抽签仪式中，主持人会拿出编号为1-14号的14个乒乓球放在一个容器中，从14个球中随意抽出4个球，不计数字的先后顺序，一共可以产生1001种可能的组合，而去掉这个11-12-13-14组合，正好还剩下1000种。

抽签前，没有获得季后赛资格的各队已经依照常规赛战绩倒序排名，得到与之相应的赢取状元签的组合数（概率）。

比如有14支球队没有进入季后赛，这14支球队中战绩最差的波特兰开拓者就得到250种组合，即有25%的机会赢得状元签，战绩第二差的尼克斯队）得到199种，即19.9%的几率，依此类推。

（例如：休斯敦火箭战绩第八差，所以只能得到23种，即2.3%的机会赢得状元签。

）在“状元签”抽出之后，四个乒乓球将被放回容器中，重新去决定二号和三号选秀权的归属，此后首轮剩余的4-30号选秀签位和第二轮（31－60）的选秀签位，则按照常规赛的成绩倒序决定。

[1]第一轮顺位球员国籍所属球队学校/前属俱乐部1 安德里亚·巴格纳尼(PF)意大利多伦多猛龙（现效力于纽约尼克斯）贝纳通特维索（意大利联赛）2 拉马库斯·阿尔德里奇(PF)美国芝加哥公牛（换去波特兰开拓者选秀权转手过纽约尼克斯）德州州立大学奥斯汀分校3 亚当·莫里森(SF) 美国夏洛特山猫冈再伽大学4 泰鲁斯·托马斯(PF) 美国波特兰开拓者（换去芝加哥公牛）路易斯安那州立大学5 谢尔顿·威廉姆斯(PF) 美国亚特兰大鹰队杜克大学6 布兰顿·罗伊(SG) 美国明尼苏达森林狼（换去波特兰开拓者）华盛顿大学7 兰迪·弗耶(SG) 美国波士顿凯尔特人（现效力于丹佛掘金）维拉诺瓦大学8 鲁迪·盖伊(SF) 美国休斯敦火箭（换去孟菲斯灰熊）康涅狄格大学9 帕特里克·奥布莱恩特(C)美国金州勇士布莱德利大学10 赛尔·希尼(C) 塞内加尔西雅图超音速RBC Verviers-Pepinster（比利时）11 J.J.雷迪克(SG) 美国奥兰多魔术杜克大学12 希尔顿·阿姆斯特朗(C) 美国新奥尔良黄蜂康涅狄格大学13 萨博·塞弗罗萨(SF) 瑞士费城76人（换去芝加哥公牛） Angelico Biella（意大利）14 罗尼·布鲁尔(SG) 美国犹他爵士阿肯色大学15 塞德里克·西蒙斯(PF) 美国新奥尔良黄蜂（来自密尔沃基雄鹿）北卡罗莱纳州立大学16 罗德尼·卡尼(SF) 美国芝加哥公牛（换去费城76人）孟菲斯大学17 肖恩·威廉姆斯(SF) 美国印第安那步行者孟菲斯大学18 奥莱克西·佩切洛夫(PF) 乌克兰华盛顿奇才Paris Basket Racing（法国）19 昆西·杜比(SG) 美国萨克拉门托国王罗格斯大学20 雷纳多·巴尔克曼(SF) 美国纽约尼克斯（来自丹佛掘金）南卡罗莱纳大学21 拉简·朗多(PG) 美国菲尼克斯太阳（换去波士顿凯尔特人选秀权，转手过洛杉矶湖人）肯塔基大学22 马库斯·威廉姆斯(PG) 美国新泽西网队（来自洛杉矶快船）康涅狄格大学23 约什·布恩(C) 美国新泽西网队康涅狄格大学24 凯尔·洛瑞(PG) 美国孟菲斯灰熊维拉诺瓦大学25 香农·布朗(SG) 美国克里夫兰骑士密歇根州立大学26 乔丹·法玛尔(PG) 美国洛杉矶湖人（来自迈阿密热队）加州大学洛杉矶分校（UCLA）27 塞尔吉奥·罗德里格斯(PG)西班牙菲尼克斯太阳（换去波特兰开拓者）Adecco Estudiantes（西班牙）28 莫里斯·艾格(SG) 美国达拉斯小牛密歇根州立大学29 马蒂·科林斯(PG) 美国纽约尼克斯（来自圣安东尼奥马刺）坦普尔大学30 乔尔·福里兰德(PF) 英格兰波特兰开拓者（来自底特律活塞）CB Gran Canaria（巴萨篮球队）第二轮顺位球员国籍所属球队学校/前属俱乐部31 詹姆斯·怀特(SG)美国波特兰开拓者（换去印第安那步行者）康涅狄格大学32 史蒂夫·诺瓦克(SF)美国休斯敦火箭（来自纽约尼克斯）马克特大学33 所罗门·琼斯(C) 美国亚特兰大鹰队南佛罗里达大学34 保罗·戴维斯(C) 美国洛杉矶快船（来自夏洛特山猫）密歇根州立大学35 P.J.塔克(SF) 美国多伦多猛龙得克萨斯州大学奥斯汀分校36 克雷格·史密斯美国明尼苏达森林狼（来自波士顿凯波士顿学院(PF) 尔特人）37 鲍比·琼斯(SF) 美国明尼苏达森林狼（换去费城76人）华盛顿大学38 科斯塔·佩罗维奇(C)塞尔维亚金州勇士贝尔格莱德游击队（塞尔维亚、亚得里亚海地区篮球联赛）39 大卫·诺尔(SF) 美国密尔沃基雄鹿（来自休斯敦火箭）北卡罗莱纳大学40 德汉·布朗(SG) 加拿大西雅图超音速康涅狄格大学41 詹姆斯·奥古斯丁(PF)美国奥兰多魔术伊利诺伊大学香槟分校42 丹尼尔·吉布森(PG)美国克里夫兰骑士（来自费城76人）得克萨斯州大学奥斯汀分校43 马库斯·文尼西斯·德·苏沙(SF)巴西新奥尔良黄蜂奥巴杰克蒂沃·圣卡罗斯（巴西）44 里奥·埃利亚胡(SF)以色列奥兰多魔术（换去休斯敦火箭选秀权转手过密尔沃基雄鹿）Hapoel Galil Elyon （以色列IBA）45 亚历山大·约翰逊(PF)美国印第安那步行者（换去孟菲斯灰熊选秀权转手过波特兰开拓者）佛罗里达州立大学46 迪·布朗(PG) 美国犹他爵士（来自芝加哥公牛）伊利诺伊大学香槟分校47 保罗·米尔萨普(PF)美国犹他爵士路易斯安那科技大学48 维拉德玛·威勒明科(PF)白俄罗斯华盛顿奇才圣彼得堡迪纳摩篮球俱乐部（俄罗斯）49 里昂·鲍威(PF) 美国丹佛掘金（换去波士顿凯尔特人）加州大学柏克莱分校50 莱恩·霍林斯(C) 美国夏洛特山猫（来自萨克拉门托国王）UCLA51 切克·萨姆布(C) 塞内加尔洛杉矶湖人（至底特律活塞）WTC Cornellà（西班牙篮球俱乐部）52 吉勒莫·迪亚兹(SG)波多黎各洛杉矶快船迈阿密大学53 尤塔姆·海尔普林(PG)以色列西雅图超音速（来自孟菲斯灰熊）斯洛文尼亚和亚得里亚海地区篮球联赛54 哈桑·亚当斯(SG)美国新泽西网队亚利桑那大学55 艾克·犹波亚(F) 尼日利亚克里夫兰骑士拉格斯联合银行篮球俱乐部（尼日利亚）56 埃丁·巴夫切齐(C)波斯尼亚和赫塞哥维纳多伦多猛龙（来自迈阿密热队）（换去费城76人）波黑和亚得里亚海地区篮球联赛57 鲁卡斯·马弗洛克法雷蒂斯(C)希腊明尼苏达森林狼（来自菲尼克斯太阳）萨洛尼卡PAOK篮球俱乐部（希腊）58 达尼洛·平洛克(SG)美国巴拿马达拉斯小牛（换去洛杉矶湖人）乔治·华盛顿大学59 达米尔·马尔科塔(SF)波斯尼亚和赫塞哥维纳圣安东尼奥马刺（来自密尔沃基雄鹿）克罗地亚篮球甲级联赛和亚得里亚海地区篮球联赛60 维尔·布拉洛克(PG)美国底特律活塞俄亥俄州2最佳新秀编辑2006-2007年布兰登·罗伊。

SF-36量表内容及计分方法(附)

中文版SF-36量表内容及计分方法SF-36，健康调查简表(the MOS item short from health survey, SF-36)，是在1988年 Stewartse研制的医疗结局研究量表(medical outcomes study –short from, MOS SF )的基础上，由美国波士顿健康研究发展而来。

1991年浙江大学医学院社会医学教研室翻译了中文版的SF-36。

SF-36量表的内容：1、总体来讲，您的健康状况是：①非常好②很好③好④一般⑤差(权重或得分依次为5，4.4，3.4，2.0和1)2、跟1年以前比您觉得自己的健康状况是：①比1年前好多了②比1年前好一些③跟1年前差不多④比1年前差一些⑤比1年前差多了（权重或得分依次为1，2，3，4和5）健康和日常活动3、以下这些问题都和日常活动有关。

请您想一想，您的健康状况是否限制了这些活动？如果有限制，程度如何？（1）重体力活动。

如跑步举重、参加剧烈运动等：①限制很大②有些限制③毫无限制（权重或得分依次为1，2，3；下同）注意：如果采用汉化版本，则得分为1，2，3，4，则得分转换时做相应的改变。

（2）适度的活动。

如移动一张桌子、扫地、打太极拳、做简单体操等：①限制很大②有些限制③毫无限制（3）手提日用品。

如买菜、购物等：①限制很大②有些限制③毫无限制（4）上几层楼梯：①限制很大②有些限制③毫无限制（5）上一层楼梯：①限制很大②有些限制③毫无限制（6）弯腰、屈膝、下蹲：①限制很大②有些限制③毫无限制（7）步行1500米以上的路程：①限制很大②有些限制③毫无限制（8）步行1000米的路程：①限制很大②有些限制③毫无限制（9）步行100米的路程：①限制很大②有些限制③毫无限制（10）自己洗澡、穿衣：①限制很大②有些限制③毫无限制4、在过去4个星期里，您的工作和日常活动有无因为身体健康的原因而出现以下这些问题？（1）减少了工作或其他活动时间：①是②不是（权重或得分依次为1，2；下同）（2）本来想要做的事情只能完成一部分：①是②不是（3）想要干的工作或活动种类受到限制：①是②不是（4）完成工作或其他活动困难增多（比如需要额外的努力）：①是②不是5、在过去4个星期里，您的工作和日常活动有无因为情绪的原因（如压抑或忧虑）而出现以下这些问题？（1）减少了工作或活动时间：①是②不是（权重或得分依次为1，2；下同）（2）本来想要做的事情只能完成一部分：①是②不是（3）干事情不如平时仔细：①是②不是6、在过去4个星期里，您的健康或情绪不好在多大程度上影响了您与家人、朋友、邻居或集体的正常社会交往？①完全没有影响②有一点影响③中等影响④影响很大⑤影响非常大（权重或得分依次为5，4，3，2，1）7、在过去4个星期里，您有身体疼痛吗？①完全没有疼痛②有一点疼痛③中等疼痛④严重疼痛⑤很严重疼痛（权重或得分依次为6，5.4，4.2，3.1，2.2，1）8、在过去4个星期里，您的身体疼痛影响了您的工作和家务吗？①完全没有影响②有一点影响③中等影响④影响很大⑤影响非常大（如果7无8无，权重或得分依次为6，4.75，3.5，2.25，1.0；如果为7有8无，则为5，4，3，2，1）您的感觉9、以下这些问题是关于过去1个月里您自己的感觉，对每一条问题所说的事情，您的情况是什么样的？（1）您觉得生活充实：①所有的时间②大部分时间③比较多时间④一部分时间⑤小部分时间⑥没有这种感觉（权重或得分依次为6，5，4，3，2，1）（2）您是一个敏感的人：①所有的时间②大部分时间③比较多时间④一部分时间⑤小部分时间⑥没有这种感觉（权重或得分依次为1，2，3，4，5，6）（3）您的情绪非常不好，什么事都不能使您高兴起来：①所有的时间②大部分时间③比较多时间④一部分时间⑤小部分时间⑥没有这种感觉（权重或得分依次为1，2，3，4，5，6）（4）您的心理很平静：①所有的时间②大部分时间③比较多时间④一部分时间⑤小部分时间⑥没有这种感觉（权重或得分依次为6，5，4，3，2，1）（5）您做事精力充沛：①所有的时间②大部分时间③比较多时间④一部分时间⑤小部分时间⑥没有这种感觉（权重或得分依次为6，5，4，3，2，1）（6）您的情绪低落：①所有的时间②大部分时间③比较多时间④一部分时间⑤小部分时间⑥没有这种感觉（权重或得分依次为1，2，3，4，5，6）（7）您觉得筋疲力尽：①所有的时间②大部分时间③比较多时间④一部分时间⑤小部分时间⑥没有这种感觉（权重或得分依次为1，2，3，4，5，6）（8）您是个快乐的人：①所有的时间②大部分时间③比较多时间④一部分时间⑤小部分时间⑥没有这种感觉（权重或得分依次为6，5，4，3，2，1）（9）您感觉厌烦：①所有的时间②大部分时间③比较多时间④一部分时间⑤小部分时间⑥没有这种感觉（权重或得分依次为1，2，3，4，5，6）10、不健康影响了您的社会活动（如走亲访友）：①所有的时间②大部分时间③比较多时间④一部分时间⑤小部分时间⑥没有这种感觉（权重或得分依次为1，2，3，4，5）总体健康情况11、请看下列每一条问题，哪一种答案最符合您的情况？（1）我好象比别人容易生病：①绝对正确②大部分正确③不能肯定④大部分错误⑤绝对错误` （权重或得分依次为1，2，3，4，5）（2）我跟周围人一样健康：①绝对正确②大部分正确③不能肯定④大部分错误⑤绝对错误（权重或得分依次为5，4，3，2，1）（3）我认为我的健康状况在变坏：①绝对正确②大部分正确③不能肯定④大部分错误⑤绝对错误（权重或得分依次为1，2，3，4，5）（4）我的健康状况非常好：①绝对正确②大部分正确③不能肯定④大部分错误⑤绝对错误（权重或得分依次为5，4，3，2，1）SF-36计分说明1.SF-36的内容与结构2.SF-36计分方法：2.1 基本步骤2.2 关于缺失值的处理2.3 健康状况各方面得分及换算1.SF-36的内容与结构SF-36，健康调查简表(the MOS item short from health survey, SF-36)，是在1988年 Stewartse研制的医疗结局研究量表(medical outcomes study –short from, MOS SF )的基础上，由美国波士顿健康研究发展而来。

中文车型对照表

97-00 95-98 93-95 94-95 92-96 93-96 98-99 Jan-98 98-00 Jan-98 98-99 94-95 96-99 94-95 Jan-96 96-99 Jan-94 96-99 96-99 8512/86 1/87-89 89-93 88-95 88-91 89-93 88-95 91-92 93-95 87-91
constru cture S V S
year 88-1/89 89-92 86-88 92-96 95 87-88 89-90 96-98 91-95 95-98 90-91 88-89 90-91 88-91 97 97 90-97 92-94 92-94 92-94 94
Car name 大发神秘神秘本田阿库拉·传奇序曲市民（思域）阿库拉·传奇阿库拉·传奇阿库拉·3.5RL 阿库拉·传奇奥德赛因特格拉雅阁市民 CRX 序曲阿库拉· 2.2CL 阿库拉· 3.0CL 雅阁因特格拉雅阁市民 CRX 序曲因特格拉市民（思域）市民市民市民
本田CR-V 奥德赛阿库拉·传奇阿库拉·传奇序曲序曲阿库拉 2.3CL 雅阁雅阁雅阁阿库拉 3.0 CL
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阿库拉 SLX 阿库拉 SLX 五十铃沙漠王沙漠王艾·马克艾·马克 AMIGO 五十铃皮卡骑兵Ⅱ型五十铃皮卡赛马赛马骑兵Ⅱ型
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中文速录职业技能等级标准(2021年版)

秘书、速录、法庭书记官、律师助理、检察官助理、档案管理员、行政专员、
会展策划与管理师等岗位，主要完成中文语言信息采集与整理工作。
6 职业技能要求
4
6.1 职业技能等级划分中文速录职业技能等级分为三个等级：初级、中级、高级，三个级别依次
递进，高级别涵盖低级别职业技能要求。【中文速录】（初级）能完成文稿速录、手稿速录、档案及材料速录和数
5
表1 中文速录职业技能等级要求（初级）
工作领域
工作任务
职业技能要求
1.办公速录 2.行政速录
1.1.1 能识别印刷体规范文本信息
1.1.2 能识别文稿中的校对符号
1.1 文稿速录 1.1.3 能以不低于 100 字/分钟的速度进行印刷
稿的文本信息采集
1.1.4 文稿速录准确率应不低于 95%
1.2.1 能识别手写稿文本信息
据速录等一般办公速录领域的工作任务；能完成口授速录、办公会议速录、行政文书速录和、演示文件速录制作等一般行政速录领域的工作任务；能正确连接、安装、调试并应用速录设备、速录软件和速录听校系统等速录系统；能达到100字/分钟的录入速度。
【中文速录】（中级）能完成文稿校对、语意提炼和会议纪要撰写等文字整理相关任务；能完成音频信息采集、视频信息采集、字幕速录和多媒体文件处理等音文信息转换相关任务；能完成信息校核、速录辅助设备现场安装调试、现场辅助速录和客户服务与沟通等辅助速录相关任务；能达到180字/分钟的录入速度。
声明：本标准的知识产权归属北京速录科技有限公司，未经北京速录科技有限公司同意，不得印刷、销售。
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1 范围本标准规定了中文速录职业技能等级对应的工作领域、工作任务及职业技
能要求。本标准适用于中文速录职业技能培训、考核与评价，相关用人单位的人员