二极管测试培训教材

锗二极管
二极管分类
特点/作用
二极管 按用途 分类 检波 二极管 整流 二极管 开关 二极管 稳压 二极管 肖特基 二极管 变容 二极管 发光 二极管
从输入载波信号中取出调制信号 把交流电流转换成直流
开关二极管的特长是开关速度快
用于稳压，工作于反向击穿状态的特殊二极管．
低功耗，大电流，超高速整流，减小阴极的接触电阻． 施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化．用于自动频率 控制（AFC）和调谐用的小功率二极管 正向驱动发光。工作电压低，工作电流小
二极管伏安特性
i
图示出常用硅二极管的伏安特性，它实 际表示的是加在二极管两端的电压和流 过二极管的电流间的关系。 当电压在零值附近时，电流为零。 当电压为VF正向电压0.5V左右时，电 流开始出现（通常将这个正向0.5V电压 称为死区电压） ：电压再增大时，IF电 流明显增大。 当在二极管加上VR反向电压，IR反向 VR IR 电流随VR反向电压增大而略微增加或 不增加，当VR反向电压增大到一定值 时， IR反向电流突然剧增，此时的PN 结被击穿，不具有单向导电性能，这个 电压称为击穿电压BV。
1、稳定电压VZ: 是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。 稳定电压VZ 稳定电压VZ 2、稳定电流Iz(Izmin)：是稳压管工作在稳压状态时的参考电流， 稳定电流Iz(Izmin 稳定电流Iz(Izmin) 3、额定功耗Pzm：Pzm=Uz* 额定功耗Pzm： 额定功耗Pzm
4、动态电阻Rz (zzt,zzk): 是稳压管工作在稳压区时，加在两 动态电阻Rz
If
VZ
VR IR VF V
Izt
稳压二极管一般用硅半导体材料制成，与开关二极管 有相类似的伏安特性。当稳压二极管加VZ反向电压的数值大到一定程度时则击穿，在此击穿区 随着IZ反向电流的变化，而VZ反向电夺保持基本不变，表现出很好的稳压特性。只要控制IZ反 向电流不超过一定值，管子不会因过热而损坏。 注：二极管所规范的电性能参数是保证它的伏安（曲线）特性。
DB6100测试机-参数设定第一页
IF：提供VF测试时所用的设定电流。 VB1：提供Ib测试时所用的设定电压， 即实际电压为该材料Vbo*此设定之百 分比。 VB2：提供Ib测试时所用的设定电压， 即实际电压为该材料Vbo减去此设定电 压。若VB1已设定，则该设定无效 VB2：提供Ib测试时所用的设定电压。 若VB1和VB2已设定，则该设定无效
端的电压变化量与其电流变化量之比，即∆Uz/ ∆Iz. Rz愈小，电流变化时 vz的变化愈小，即稳压管的稳压特愈好.对于不同型号的管子， Rz将不同， 从几欧到几十欧.对于同一只管子，工作电流愈大， Rz愈小. ∆Uz/ ∆T. 稳压电压小于4V的管子具有负温度系数(属于齐纳击穿),即温度升高时稳 定电压值下降;稳定电压大于7V的管子具有正温度系数(属于齐纳击穿),即 温度升高时稳定电压值上升;而稳定电压在4~7V之间的管子,温度系数非常 小,近似零(齐纳击穿和雪崩击穿均有). 向导电特性愈好，IR对温度非常敏感。
5、温度系数a: a表示温工每变化1℃稳压值的变化量,即a= 温度系数a 温度系数
6、漏电流IR：是二极管未击穿时的反向电流。IR愈小，二极管的单 漏电流IR： 漏电流IR
1N4728A(稳压二极管) ◆概述 DO-41玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀锡。 ◆特征 低的反向漏电流。 较高的稳压精度。 高温焊接保证。 引线可承受15磅以上拉力。 ◆应用 主要应用于对电压稳定度要求较高的场合，也可用作电压钳位。 ◆技术规范
开关/整流二极管主要电性能参数
1.最大整流电流IF：是二极管长期运行是允许通过的最大正向平均电流，
其值与PN结面积,及外部散热条件等有关。在规定散热条件下，二极管正向平均 电流若超过此值，则将因结温过高而烧坏。
2.最高反向工作电压VR：是二极管长期运行是允许外加的最大反向
电压，若超过此值，二极管有可能因反向击穿而损坏。通常VR为击穿电压的一 半。
+IF
IF2
IF1
+Vbo 0.5Vbo VF1 VF1 ∆V1
-Vbo
Ibo
Ib
+V
∆V2
-IF
∆Vb (BVS)
注意事项： 因双向触发二极管具有对称性，故可从两次测量值中任选一个定义为转折电压Vbo。 现取数值较大的作为+Vbo），数值较小的作为-Vbo。
触发二极管
触发二极管DB3 规格参数
PARAMETERS 參數 VBO ∆VBO (BVS) Breakback@10mA (∆V1) Ibo Ib +VBO – -VBO VBO – VBO @10mA Vr=VBO Vr=0.5*VBO CONDITIONS 條件 PRODUCTION LIMITS 生產界限 MIN MAX MIN 28.5 --5 ----QA LIMITS QA界限 MAX 35.5 3 --50 10 V V V uA uA UNIT 單位
反向电流 IR
测试条件 VR = 20V 范围 < 25nA
正向电压 VF
测试条件 IF = 10 mA 范围 < 1.0V
反向恢复时 间（TRR） <4 ns
稳压管的主要电性能参数
电流低此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压。只要不超过稳压的额定功 耗，电流愈大，稳压效果愈好。 Izmax （最大稳定电流），稳压管的功 耗若超过此值时，会因结温升过高而损坏。对于一只具体的稳压管，可以 通过其PZM的值，求出Izmax的值。
3.反向电流IR：是二极管未击穿时的反向电流。IR愈小，二极管的单向导
电特性愈好，IR对温度非常敏感。
4.最高工作频率Fm：是二极管工作的上限频率。若超过此值，由于结
电容Cj的作用，二极管不能很好的体现单向导电特性。 由于制造工艺所限，半导体器件参数具有分散性，同一型号的管子的参数值 有一些差异。使用时应特别注意每个参数的测试条件，当使用条件与测试条件 不同时，参数也会发生变化。
+ 普通二极管符号 D
-
+
稳压二极管符号 Dz
来自百度文库
引线
引线头
（杜美丝）
晶片 玻管
1.二极管分类 2.二极管的伏安特性 3.开关二极管的主要参数 4.稳压二极管的主要参数 5.温度对二极管参数的影响 6.二极管的简单检测方法
二极管分类
特点/作用 按材料分类 硅二极管
反向电流小；允许工作温度高； 击穿电压高及热稳定性好；用 于整流和逻辑电路． 小信号检波的灵敏度高线性好； 用于检波和高频电路．
触发二极管
双向触发二极管亦称二端交流器件（DIAC），与双向晶闸管同时问世。由于它结 构简单、价格低廉，所以常用来触发双向晶闸管，构成过压保护电路、定时器等。 双向晶闸管的结构、符号及等效电路如图1 所示。它属于三层构造、具有对称性的二端半 导体器件，可等效于基极开路、发射极与集电 极对称的NPN晶体管。 正、反向伏安特性完全对称，见图2。当器 件两端的电压V小于正向转折电压+Vbo时，呈 -V 高阻态；当V＞+Vbo时进入负阻区。同样，当V 超过反向转折电压-Vbo时，管子也能进入负阻 区。转折电压的对称性用∆Vb表示， ∆Vb = | +Vbo－(-Vbo)|，一般要求∆Vb ＜2V。 双向触发二极管的耐压值（V（BO））大致 分三个等级：20～60V，100～150V，200～ 250V
目录
二极管结构 工作原理及相关知识 测试机开关机注意事项 测试机操作介绍
组成部分： 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成半导体二极管。 P区引出线为二极管正极，N区引出线为二极管负极。二极管组成 与电路符号如下图所示，图中箭头方向为地极管单向导电时的电流方向.
正极引线
二极管结构
P
N
阴极引线
TC1N4728 A
do-41
温度对二极管参数的影响
在环境温度升高时， 二极管的正向特性曲线将左移， 在室温附近，温度每升高1℃， 正向压降VF减少2～2.5mV.
I IF
80℃ 20℃
Uon
VF
i
V
温度每升高10℃，反向电流IR 约增大一倍。 温度系数α：α表示温度每 变化1℃稳压值的变化量。 α＝∆Uz / ∆T
Page-1 BIN 1 PARAMETER SETUP IF1 = IF2 = mA mA VB1 = VB2 = VB3 =
P:
%Vbo VBoV
1N4148 (开关二极管) ◆概述：DO-35玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀锡。 ◆特征： 低的反向漏电流。 较强的浪涌承受能力。 高温焊接保证。 引线可承受15磅以上拉力。 ◆应用 ： 主要应用于高频小功率电路。 ◆技术规范：
产品型号 1N4148 封装形 式 DO35 反向工作电压 VR
测试条件 IR = 100uA 范围 > 100V
VR u
20℃ 80℃
稳定电压小于4V的管子具有负温度系数，即温度升高稳定电压值 下降；稳定电压在大于7V的管子具有正稳定系数，即稳定升高时电压 上升；稳压值在4～7V之间的管子，温度系数近似为零。
二极管的检测方法
二极管的极性判断 使用万用表电阻R×1K 档，测量二极管压管两引脚的阻值， 根据所测阻值进行判断。对于正常二极管来讲，两次测量值肯 定相差很大，阻值大的常称反向电阻，阻值小的称正向电阻， 故实测得正向电阻时，与黑表笔相连的是二极管的正极。 二极管好坏的检测 通常硅二极管的正向电阻为数百于数千欧，反向电阻1M 以上; 锗二极管正、反向电阻分别数10 ~1000 和100K 以上。如 果实测反向电阻很小，说明管子已击穿；若正、反向电阻均为 无穷大，表明管子已断路；如果正、反向电阻相差不大或有一 个阻值偏离正常，说明管子性能不良，一般不宜使用。 有些特殊品种不可用上述标准硬套，否则会使判断失误，例如 高压硅（正向电阻很大，通常用R×10k挡测表针也仅微动）、 某些稳压二极管（反向电阻较小，如1N4729A用R×1k挡测仅 为20K 左右)等. 注意不能使用R×10K 档，因为此档内为高压电池，测量方向 电阻时会使稳压二极管击穿，这时万用表上读出数值很小，往 往会误认稳压二极管被击穿.
VZ Device Min (V) 3.135 Nom (V) 3.3 Max (V) 3.465 IZT(m A) 76 ZZT Max( ) @IZT 10 ZZK Max( ) @IZK 400 Izk (mA) 1 Max (uA) 100 IR VR(V 1 Max (V) 1.2 VF IF (mA) 200 Packag e