三极管参考资料

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常见三极管型号选型参考

常见三极管型号选型参考

常见三极管型号选型参考简介,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是⼀种控制电流的半导体器件。

其作⽤是把微弱信号放⼤成幅度值较⼤的电信号,也⽤作⽆触点开关。

三极管是半导体基本元器件之⼀,具有电流放⼤作⽤,是电⼦电路的核⼼元件。

三极管是在⼀块半导体基⽚上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列⽅式有PNP和NPN两种。

常见三极管的型号9011: 除是⾳频低噪⾳管外.还是长尾可变放⼤倍数的第⼀中放专⽤管. 长尾--即使电流⼀直延伸到接近0. 仍不会截⽌.可变放⼤倍数--电流变⼩.放⼤倍数不断变⼩.好象⼏乎是⽇常常⽤管中唯⼀⼀只第⼀中放专⽤管9012: PNP9013: NPN, Ic = 500mA, 中功率, 低频, 能推动普通⾳频输出的中功率放⼤9014: NPN, Ic = 100mA, MHz, ⼩功率, 低频, 低噪放⼤9015: PNP9018: NPN, Ic = 50mA, fT = ~ 620 ~ 1100 MHz, ⼩功率, ⾼频, ⼩电流低噪⾳8050: NPN, Ic = 1000~1500mA, ⾼频放⼤, 速度慢⼀些, 中功率管, ⼩功率放⼤电路中配对管, ⼩电⼦产品, ⾼频电路和电话中常见8550: PNP, Ic = 1000~1500mA, ⾼频放⼤, 速度慢⼀些, 中功率管2N3904: NPN,2N3906: PNP, Ic = 200mA, ⼩功率管, 速度⽐较快, 延时特别少, 最⼤通过的电流是在200mA, It is a 200 mA, 40 V, 625 mW transistor with a transition frequency of 300 MHz,[4] with a minimal beta, or current gain, of 100 at a collector current of 10 mA. It is used in a variety of analog amplification and switching applications. The 2N3904 is used very frequently in hobby electronics projects, including home-made ham radios, code-practice oscillators and as an interfacing device for microcontrollers.2N2222: NPN, Ic = 500mA, 可与2N2907/2N2907A PNP管做互补对称管使⽤, common NPN bipolar junction transistor (BJT) used for general purpose low-power amplifying or switching applications. It is designed for low to medium current, low power, medium voltage, and can operate at moderately high speeds. It was originally made in the TO-18 metal can as shown in the picture2N2907: PNP,2N5551: NPN, Ic = 600mA, VCEO=160V, ⾼反压三极管, 主要⽤途是1)做⾼压开关管, 2)做中功率功放, 3)做视频放⼤器2N5401: PNPBC184: NPN, VCEO=30V, Ic = 500mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤BC550: NPN, VCEO=45V, Ic = 100mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤BC560: PNP, VCEO=-45V, Ic = -100mA, ICBO=<15nA, 通⽤⼩信号放⼤MMBTA63, LMBTA63, SMBTA63: PNP, Darlington, Ic = -500mA, VCEO=-30V, hFE=5k~10kMPSA64, MMBTA64, LMBTA64, SMBTA64: PNP, Darlington, VCEO=-30V, Ic = -100mA, hFE=10k~20k,MPSA14, KSP14: NPN, Darlington, Ic在0.1~100mA之间hFE为1万⾄4万, 80mA处达到最⼤.hFE随温度上升明显升⾼, 低噪⾳微⼩信号放⼤KSP13: NPN, Darlington, Ic = 500mA, VCEO=30V, hFE=5k~10kMPSA18: NPN, ICBO=<15nA, 低噪⾳微⼩信号放⼤MPSA92: PNP, VCEO=-300V, Ic = -30mA, ⾼压⼩信号, 功放MPSA42: NPN, VCEO=300V, Ic = 30mA, ⾼压⼩信号, 功放与MPSA92组成对管FMMT734: PNP, Darlington, Ic = -800mA, VCEO=-100V, hFE=20k~60k, ⾼负压⾼电流⼤放⼤倍数达林顿管, 室温下Ic在1~100mA间能保持7.5万的hFE. hFE随温度上升明显升⾼FMMT634: NPN, DarlingtonMPSA系列⼩信号三极管主要参数选⽤三极管需要了解三极管的主要参数,三极管的四个极限参数:Icm, BVCEO, Pcm及fT是最基本的,另外,还要了解三极管的特征频率、噪⾳和输出功率。

三极管共射极基本放大电路并通过配置电阻说明如何使得三极管分别工作在放大和饱和区

三极管共射极基本放大电路并通过配置电阻说明如何使得三极管分别工作在放大和饱和区

三极管共射极基本放大电路并通过配置电阻说明如何使得三极管分别工作在放大和饱和区【知识】三极管共射极基本放大电路解析与电阻配置导读:三极管是一种常用的电子器件,具有放大信号的功能。

而三极管共射极基本放大电路是最常见的电路配置之一。

通过合适的电阻配置,我们可以使得三极管在放大和饱和区分别工作,实现更好的放大效果。

本文将从简单到复杂、由浅入深的方式,深入解析三极管共射极基本放大电路,并通过配置电阻展示如何使得三极管在放大和饱和区工作。

一、什么是三极管共射极基本放大电路?三极管作为一种半导体器件,可以将小信号放大到较大幅度。

而三极管共射极基本放大电路是最常见且简单的放大电路之一。

它由一个NPN型三极管、输入电阻、输出电阻和负载电阻构成。

设计良好的共射极基本放大电路具有放大倍数大、电压增益稳定和输出波形完整的特点。

二、三极管共射极基本放大电路的工作原理1. 放大区域:当输入电压Vin为正值时,基极电流Ib增大,进而导致集电极电流Ic增大。

这时,三极管处于放大区,由于Ic的增加,导致输出电压Vout 也相应增大,实现了信号的放大。

2. 饱和区域:当输入电压Vin为负值时,基极电流Ib减小,进而导致集电极电流Ic 减小。

这时,三极管处于饱和区,输出电压Vout保持较低水平,不再进行放大。

三、电阻配置对三极管工作状态的影响通过合理配置电阻,可以使得三极管在放大和饱和区分别工作,从而实现更好的放大效果。

1. 阻容耦合电路:采用阻容耦合电路可以使得三极管工作在放大区。

在这种电路中,输入信号通过一个耦合电容C1传入基极,而输出信号则在集电极与负载电阻RL上取得。

这样可以保证输出信号中不包含直流分量,同时可以使得输入信号和输出信号之间具有较好的频率响应。

2. 发射极电阻:在三极管的发射极接入一个适当的发射极电阻,可以使得三极管在饱和区工作。

该电阻的作用是限制发射电流,从而使得三极管在负半周输入信号时能够正常工作在饱和区,保持输出信号的波形正常。

混频器原理【转载】分析

混频器原理【转载】分析

郑州轻工业学院课程设计任务书题目三极管混频器工作原理分析专业、班级学号姓名主要内容、基本要求、主要参考资料等:一、主要内容分析三极管混频器工作原理。

二、基本要求1:混频器工作原理,组成框图,工作波形,变频前后频谱图。

2:晶体管混频器的电路组态及优缺点。

3:自激式变频器电路工作原理分析。

4:完成课程设计说明书,说明书应含有课程设计任务书,设计原理说明,设计原理图,要求字迹工整,叙述清楚,图纸齐备。

5:设计时间为一周。

三、主要参考资料1、李银华电子线路设计指导北京航天航空大学出版社2005.62、谢自美电子线路设计·实验·测试华中科技大学出版社2003.103、张肃文高频电子线路高等教育出版社 2004.11完成期限:2010.6.24-2010.6.27指导教师签名:课程负责人签名:2010年6月20日目录第一章混频器工作原理------------------------------------------4第一节混频器概述------------------------------------------------4第二节晶体三极管混频器的工作原理及组成框图---------5第三节三极管混频器的工作波形及变频前后频谱图------8第二章晶体管混频器的电路组态及优缺点------10第一节三极管混频器的电路组态及优缺点-------第二节三极管混频器的技术指标------第三章自激式变频器电路工作原理分析--------------------12第一节自激式变频器工作原理分析---------------------12第二节自激式变频器与他激式变频器的比较------------------------13 第四章心得体会---------------------------------------14第五章参考文献---------------------------------------15第一章混频器工作原理第一节混频器概述1.1.1 混频器简介变频(或混频),是将信号频率由一个量值变换为另一个量值的过程。

混频器原理分析

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郑州轻工业学院课程设计任务书题目三极管混频器工作原理分析专业、班级学号姓名主要内容、基本要求、主要参考资料等:一、主要内容分析三极管混频器工作原理。

二、基本要求1:混频器工作原理,组成框图,工作波形,变频前后频谱图。

2:晶体管混频器的电路组态及优缺点。

3:自激式变频器电路工作原理分析。

4:完成课程设计说明书,说明书应含有课程设计任务书,设计原理说明,设计原理图,要求字迹工整,叙述清楚,图纸齐备。

5:设计时间为一周。

三、主要参考资料1、李银华电子线路设计指导北京航天航空大学出版社2005.62、谢自美电子线路设计·实验·测试华中科技大学出版社2003.103、张肃文高频电子线路高等教育出版社 2004.11完成期限:2010.6.24-2010.6.27指导教师签名:课程负责人签名:2010年6月20日目录第一章混频器工作原理------------------------------------------4第一节混频器概述------------------------------------------------4第二节晶体三极管混频器的工作原理及组成框图---------5第三节三极管混频器的工作波形及变频前后频谱图------8第二章晶体管混频器的电路组态及优缺点------10第一节三极管混频器的电路组态及优缺点-------第二节三极管混频器的技术指标------第三章自激式变频器电路工作原理分析--------------------12第一节自激式变频器工作原理分析---------------------12第二节自激式变频器与他激式变频器的比较------------------------13 第四章心得体会---------------------------------------14第五章参考文献---------------------------------------15第一章混频器工作原理第一节混频器概述1.1.1 混频器简介变频(或混频),是将信号频率由一个量值变换为另一个量值的过程。

模拟实验三---三极管以及放大电路实验--2014

模拟实验三---三极管以及放大电路实验--2014

模拟实验三三极管及其放大电路实验的参考资料请根据给的资料书写自己的预习报告,完成电路的预设方案、测量值的理论计算部分。

本次主要实验内容之一是:射极偏置CE电路的测量,包括:CS9013的β值测量,电压放大倍数的测量(区分有无Ce两种情况),输入、输出电阻,失真的记录(要求记录当时对应的Q的参数值),幅频特性的测试f H。

本次主要内容之二是:积分电路、微分电路的实验,参看实验二的要求。

以下是参考资料:一.实验目的1.对晶体三极管(3DG6、CS9013)、场效应管(3DJ6G)进行实物识别,了解它们的命名方法和主要技术指标。

2.学习用数字万用表、模拟万用表对三极管的三极区分以及β值进行测试的方法。

3.三极管(如: CS9013)的β值的测试。

4.研究静态工作点对放大电路动态性能的影响。

5.学习放大电路动态参数(电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、最大不失真输出电压)的测量方法。

6. 调节射极偏置CE电路相关参数,用示波器观测输出波形,对饱和失真和截止失真的情况进行研究。

7.用Multisim软件完成对射极偏置CE电路性能的分析,学习放大电路静态工作点的测试及调整方法,观察测定电路参数变化对放大电路的静态工作点、电压放大倍数及输出电压波形的影响。

二.知识要点1.半导体三极管半导体三极管是组成放大电路的核心器件,是集成电路的组成元件,在电路中主要用于电流放大、开关控制或与其他元器件组成特殊电路等。

半导体三极管的种类较多,按制造材料不同有硅管、锗管、砷化镓管、磷化镓管等;按极性不同有NPN 型和PNP型;按工作频率不同有低频管、高频管及超高频管等;按用途不同有普通管、高频管、开关管、复合管等。

其功耗大于1W的属于大功率管,小于1W的属于小功率管。

半导体三极管的参数主要有电流放大倍数β、极间反向电流I CEO、极限参数(如最高工作电压V CEM、集电极最大工作电流I CM、最高结温T jM、集电极最大功耗P CM)以及频率特性参数等。

8050三极管参数

8050三极管参数

8050三极管参数三极管是一种常见的电子器件,广泛应用于各种电路中。

它具有放大信号、开关控制等功能,是现代电子设备中不可或缺的一部分。

本文将介绍三极管的基本参数及其相关参考内容。

1. 极间电压(VCE):它是指三极管集电极与发射极之间的电压差,通常以伏特(V)作为单位。

极间电压的大小直接影响三极管的工作状态,如饱和区、线性区等。

在设计电路时,需要根据具体的应用要求选择合适的极间电压。

2. 饱和电流(ICsat):它是指当三极管工作在饱和区时,集电极电流的最大值。

饱和电流的大小决定了三极管的功率承受能力和导通能力。

通常,饱和电流越大,三极管的导通能力越强。

3. 输出电导(gm):它是指输入信号与输出信号之间的比例关系。

输出电导越大,表示三极管具有更好的放大能力。

输出电导与输入电流之间的关系可以通过测量输入输出特性曲线得到。

4. 放大倍数(hFE或β):它是指输入电流与输出电流之间的比例关系。

放大倍数越大,表示三极管具有更好的放大能力。

放大倍数与输入电压之间的关系可以通过测量输入输出特性曲线得到。

5. 频率响应:它是指三极管对输入信号频率变化的响应特性。

三极管的频率响应受到内部电容和电感的影响,通常会有一定的频率响应范围。

在设计高频电路时,需要根据频率响应特性选择合适的三极管。

6. 最大功耗(Pmax):它是指三极管能承受的最大功率。

最大功耗的大小决定了三极管的散热能力和使用寿命。

在设计电路时,需要根据最大功耗选择合适的散热措施,以确保三极管的稳定工作。

7. 封装类型:它是指三极管的外观包装形式。

常见的封装类型有TO-92、TO-126、TO-220等。

不同的封装类型适用于不同的应用场景,如小型电路可选择TO-92封装,大功率电路可选择TO-220封装。

综上所述,三极管的基本参数包括极间电压、饱和电流、输出电导、放大倍数、频率响应、最大功耗和封装类型等。

在选择三极管时,需要根据具体的应用要求综合考虑这些参数。

三极管系列品名极性管脚功能参数

三极管系列品名极性管脚功能参数

三极管系列品名极性管脚功能参数2006年12月07日星期四上午 08:25NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同,说得“专业”一点,就是“极性”问题。

NPN 是用B→E 的电流(IB)控制C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即 VC > VB > VEPNP 是用E→B 的电流(IB)控制E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即 VC < VB < VE总之 VB 一般都是在中间,VC 和 VE 在两边,这跟通常的 BJT 符号中的位置是一致的,你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。

而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻,但电压方向和电流方向同样是一致的,不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。

如今流行的电路图画法,通常习惯“男上女下”,哦不对,“阳上阴下”,也就是“正电源在上负电源在下”。

那NPN电路中,E 最终都是接到地板(直接或间接),C 最终都是接到天花板(直接或间接)。

PNP电路则相反,C 最终都是接到地板(直接或间接),E 最终都是接到天花板(直接或间接)。

这也是为了满足上面的VC 和 VE的关系。

一般的电路中,有了NPN的,你就可以按“上下对称交换”的方法得到 PNP 的版本。

无论何时,只要满足上面的6个“极性”关系(4个电流方向和2个电压不等式),BJT电路就可能正常工作。

当然,要保证正常工作,还必须保证这些电压、电流满足一些进一步的定量条件,即所谓“工作点”条件。

对于NPN电路:对于共射组态,可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点,通过控制VB 来控制VBE(VBE=VB-VE),从而控制IB,并进一步控制IC(从电位更高的地方流进C极,你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗)。

对于共基组态,可以理解为把VB当作固定参考点,通过控制VE来控制VBE (VBE=VB-VE),从而控制IB,并进一步控制IC。

三极管型号及参数大全集

三极管型号及参数大全集

三极管s8050管脚图及参数---------------------------------------------------------------------------4 晶体管2SA1074参数 -----------------------------------------------------------------------------6 2SA1074---------------------------------------------------------------------------------------------6 晶体管2SA1068参数 -----------------------------------------------------------------------------8 2SA1068---------------------------------------------------------------------------------------------8 晶体管2SA107参数-------------------------------------------------------------------------------9 2SA107 ----------------------------------------------------------------------------------------------9 晶体管2SA1072A参数 ------------------------------------------------------------------------- 10 2SA1072A----------------------------------------------------------------------------------------- 10 2SA108 -------------------------------------------------------------------------------------------- 11 2SA1024------------------------------------------------------------------------------------------- 12 2SA1029------------------------------------------------------------------------------------------- 13 2SA1030------------------------------------------------------------------------------------------- 14 BC131 --------------------------------------------------------------------------------------------- 15 BC134 --------------------------------------------------------------------------------------------- 16 BC138 --------------------------------------------------------------------------------------------- 17 AUY35 -------------------------------------------------------------------------------------------- 18 AUY37 -------------------------------------------------------------------------------------------- 19 AUY36 -------------------------------------------------------------------------------------------- 20 AUY38 -------------------------------------------------------------------------------------------- 21 AUZ11 --------------------------------------------------------------------------------------------- 22 BC100 --------------------------------------------------------------------------------------------- 23 BC107 --------------------------------------------------------------------------------------------- 24 BC107P -------------------------------------------------------------------------------------------- 25 晶体管型号参数对照表 ------------------------------------------------------------------------- 26admin减小字体增大字体三极管s8050管脚图及参数、引脚实物图片[本站(中国单片机网),摘自/article/88/196/2008/2008012 37483.html]上一篇文章:三极管9013管脚参数封装说明、引脚实物图片下一篇文章:USB接口充电器电路图三极管s8050管脚图及参数作者:本站来源:本站原创发布时间:2008-1-23 9:43:22 [收藏] [评论]三极管s8050管脚图S8050 pdf,s8050 datasheet 8050参数,8050三极管参数资料pdf晶体管2SA1074参数整理日期:2008-8-31 20:27:34 资料编辑: 点击次数: 132SA1074材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:150集电极最大允许直流电流Icm_A:集电极_基极击穿电压BVcbo_V:集电极_基极击穿电压BVceo_V:160特征频率ft_Hz:放大倍数:国产管参考型号:此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:47 资料编辑: 点击次数: 302SA1068材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:100集电极最大允许直流电流Icm_A:集电极_基极击穿电压BVcbo_V:集电极_基极击穿电压BVceo_V:150特征频率ft_Hz:40放大倍数:国产管参考型号:此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:46 资料编辑: 点击次数: 172SA107材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:35m集电极最大允许直流电流Icm_A:-10m集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-6集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:20000K放大倍数:国产管参考型号:3AG53A此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:45 资料编辑: 点击次数: 162SA1072A材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:120集电极最大允许直流电流Icm_A:集电极_基极击穿电压BVcbo_V:集电极_基极击穿电压BVceo_V:120特征频率ft_Hz:放大倍数:国产管参考型号:此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:33 资料编辑: 点击次数: 122SA108材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:80m集电极最大允许直流电流Icm_A:-10m集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-20集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:45000K放大倍数:国产管参考型号:3AG54B此参数来自家电维修资料网材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.4 集电极最大允许直流电流Icm_A:0.1 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:集电极_基极击穿电压BVceo_V:400 特征频率ft_Hz:放大倍数:国产管参考型号:3CK1E材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.2集电极最大允许直流电流Icm_A:0.1集电极_基极击穿电压BVcbo_V:30集电极_基极击穿电压BVceo_V:30特征频率ft_Hz:200放大倍数:100国产管参考型号:3CG120A此参数来自家电维修资料网材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.2集电极最大允许直流电流Icm_A:0.1集电极_基极击穿电压BVcbo_V:50集电极_基极击穿电压BVceo_V:55特征频率ft_Hz:200放大倍数:100国产管参考型号:3CG120B此参数来自家电维修资料网材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:135m 集电极最大允许直流电流Icm_A:100m 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:20集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:300M放大倍数:国产管参考型号:3DG120D材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:200m 集电极最大允许直流电流Icm_A:集电极_基极击穿电压BVcbo_V:45集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:350M放大倍数:国产管参考型号:3DG110F材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.8 集电极最大允许直流电流Icm_A:集电极_基极击穿电压BVcbo_V:60 集电极_基极击穿电压BVceo_V:30 特征频率ft_Hz:40M放大倍数:100国产管参考型号:3DK14C材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:15 集电极最大允许直流电流Icm_A:-20 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-70 集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:2.5M放大倍数:国产管参考型号:3AD56BAUY37材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:30 集电极最大允许直流电流Icm_A:-10 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-100 集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:0.4M放大倍数:国产管参考型号:3AD56CAUY36材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:15 集电极最大允许直流电流Icm_A:-20 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-70 集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:3M放大倍数:国产管参考型号:3AD56B材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:30 集电极最大允许直流电流Icm_A:-10 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-130 集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:4M放大倍数:国产管参考型号:3AD56C材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:6 集电极最大允许直流电流Icm_A:-1 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-50 集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:3.5M放大倍数:国产管参考型号:3AD50A材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.59 集电极最大允许直流电流Icm_A:0.15 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:350 集电极_基极击穿电压BVceo_V:300 特征频率ft_Hz:10M放大倍数:40国产管参考型号:3DG180N材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:260m 集电极最大允许直流电流Icm_A:100m 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:50集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:150M放大倍数:国产管参考型号:3DG120D材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.3 集电极最大允许直流电流Icm_A:0.2 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:集电极_基极击穿电压BVceo_V:50 特征频率ft_Hz:放大倍数:国产管参考型号:3DG120D晶体管型号参数对照表整理日期:2008-1-24 0:34:40 资料编辑: 点击次数: 9072晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应本资料共207页,当前在第001页001002003004005006007008009010011012013014015016017018019020 021022023024025026027028029030 031032033034035036037038039040 041042043044045046047048049050 051052053054055056057058059060 061062063064065066067068069070 071072073074075076077078079080 081082083084085086087088089090 091092093094095096097098099100 101102103104105106107108109110 111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140 141142143144145146147148149150 151152153154155156157158159160 161162163164165166167168169170 171172173174175176177178179180 181182183184185186187188189190 191192193194195196197198199200 201202203204205206207三极管型号查询时间:2008-12-24 19:00:32 作者:无被阅:上一篇文章:三极管资料大全下一篇文章:三极管型号查询三极管资料大全时间:2008-12-24 19:04:35 作者:无被阅:下一篇文章:三极管参数大全三极管资料大全时间:2008-12-24 19:04:35 作者:无被阅:。

高频发射三极管

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常用高频发射三极管型号及参数常用三极管参数常用高频发射三极管型号及参数常用三极管参数常用高频发射三极管型号及参数--------------------------------------------------------------------------------常用高频发射三极管型号及参数型号功率增益电压频率工作形态封装123脚2NW5dB28V400MHzFM/AM/SSBTO-602N,5W10dB28V175MHzFM/AMTO-39CBE2NW7dB28V175MHzFMTO-602NW10dB28V400MHzWINTransceiverTO-39CBE2NW6dB13,6V175MHzWINTransceiverTO-392NW10dB12V175MHzWINTransceiverTO-392NW5dB24V1200MHzWINTransceiverTO-392N,5W11dB15V200MHzWINTransceiverTO-392NW9dB13,5V175MHzWINTransceiverTO-392NW7dB12,5V175MHzWINTransceiverTO-392NW8dB15V400MHzFMTO-392SC7300,8W10dB13,5V175MHzFMTO-39CBE2SCW60MHzFMTO-2202SCW100MHzFM/AM/SSBTO-2202SCW30MHzFM/AM/SSBTO-220BCE3表盘线路板上有断路:改换或修复仪表线路板2SCW12dB12V30MHzFM/AM/SSBTO-220BCE2SCW10dB12,5V136-174MHzFMTO-220BEC2SCW7,5dB12,5V136-174MHzFMTO-220BEC2SCW30MHzWINTransceiverTO-220BCE2SCW80MHzWINTransceiverTO-202EBC2SCW10dB13,5V175MHzFMT-31E2SCW14,5dB13,5V50MHzFM/AM/SSBTO-220BCE2SCW11,1dB12V30MHzWINTransceiverTO-220BCE2SCW14,5dB12V30MHzFM/AM/SSBTO-220BEC2SCW6,7dB13,5V175MHzFMT-31E2SC1946A30W10dB13,5V175MHzFMT-31E2SCW10dB13,5V175MHzFMTO-39CBE2SC,8W17dB12V30MHzWINTransceiverTO-126ECB2SCW7,8dB13,5V470MHzFMT-31E2SCW6,7dB13,5V470MHzFMT-31E2SCW3,7dB13,5V470MHzFMT-31E2SC1968A14W5,4dB13,5V470MHzFMT-31E2SCW12dB12V30MHzFM/AM/SSBTO-220BCE2SC,5W10dB13,5V175MHzWINTransceiverTO-220BEC2SCW10dB13,5V175MHzWINTransceiverTO-220BEC2SCW10dB13,5V175MHzWINTransceiverTO-220BEC常用三极管型号参数资料常用三极管参数2SCW50MHzWINTransceiverTO-92LBCE2SCW10dB13,5V30MHzWINTransceiverTO-220BCE2SCW10dB13,5V30MHzWINTransceiverTO-220BCE2SC,8W30MHzWINTransceiverTO-126ECB常用三极管参数(转帖).型号功率增益电压频率工作形态封装123脚2SCW30MHzWINTransceiverTO-220BCE2SC2036A1,4WWINTransceiverTO-202BCE2SCW12dB13,5V30MHzFM/AM/SSBTO-220BCE2SC,2W15,7dB12V175MHzFM/AMTO-92LBCE2SC,25W15,3dB12V175MHzFM/AMTO-92LBCE2SC,5W9dB12常用三极管V175MHzFMTO-39CBE2SCW13,5V27MHzWINTransceiverTO-220BCE2SCW13dB12V100MHzFM/AMTO-220BCE2SC,45W13dB12V175MHzFM/AMTO-92LBCE2SCW13dB12V100MHzFM/AM/SSBTO-220BCE2SCW8,8dB13,5V175MHzFM/AM/SSBT-31E2SCW13,8dB12V30MHzFM/AM/SSBTO-220BCE2SCWWINTransceiverTO-220BCE2SCW13,8dB13,5V175MHzFMT-31E2SC,5W27MHzFM/AM/SSBTO-220BCE2SC,8W17dB12V180MHzFM/AMTO-126ECB常用npn三极管2SCW14dB30MHzWINTransceiverTO-220BCE2SCWWINTransceiverTO-2202SC,6W10dB12V175MHzFM/AMTO-92LBCE2SCW14,5dB13,5V175MHzFMT-31E2SCW30MHzWINTransceiverTO-2202SCW1,9dB13,5V520MHzFMT-31E2SCW13dB7,2V175MHzFMT-31E2SCW11dB13,5V175MHzFMTO-39CBE2SCW13dB7,2V175MHzFMT-31E2SCW10dB12,5V520MHzFMT-31E2SCW7,7dB12,5V520MHzFMT-31E2SCW4,8dB12,5V520MHzFMT-31E2SC,8W6,7dB7,2V520MHzFMT-31E2SCW4,8dB7,2V520MHzFMT-31E2SCW14dB12V1,5-30MHzFM/AM/SSBTO-220BEC 2SCW100MHzWINTransceiverTO-2202SCWWINTransceiverTO-2202SCW100MHzWINTransceiver2SCW260MHzWINTransceiverTO-1262SCW400MHzWINTransceiverTO-1262SC4693FM/AMTO-92LBCE常用三极管_常用npn三极管常用npn三极管_常用KTCW100MHzFM/AMTO-92LECBKTCW12dB12V100MHzFM/AMTO-220BCEKTCW11dB12V100MHzFM/AMTO-220BCEMRF1615W13,5dB12,5V225-500MHzFM/AMTO-220BECMRFW13,5dB12,5V225-500MHzFM/AMTO-220BECMRFW12dB12,5V225-500MHzFM/AMTO-220BEC听说型号功率增益电压频率用途封装管脚123MRF1345W14dB28V30-225MHzFM/AM/SSBMRFW16dB28V30-225MHzFM/AM/SSBMRF148A30W18dB50V2-225MHzFM/AM/SSBMRF171A45W19,5dB28V30-225MHzFM/AM/SSBMRFW13dB28V30-225MHzFM/AM/SSBMRFW11,8dB28V30-225MHzFM/AM/SSBMSWdB13,5V30MHzFM/AM/SSBTO-220GDS型号功率增益电压频率工作形态封装123脚MRF2374W12dB18V175MHzWINTransceiverTO-39MRF2605W10dB12,5V136-174MHzFMTO-220BECMRFW5,2dB12,5V136-174MHzFMTO-220BECMRFW7,5dB12,5V136-174MHzFMTO-220BECMRFW5,2dB12,5V136-174MHzWINTransceiverTO-220BECMRF3408W13dB28V70MHzWINTransceiverTO-220BEC常用贴片三极管2052常用npn三极管常用三极MRFW11dB28V70MHzWINTransceiverTO-220BECMRFW6dB28V70MHzWINTransceiverTO-220MRFW12dB12,5V1,5-30MHzFM/AM/SSBMRFW13dB12,5V1,5-30MHzFM/AM/SSBMRFW10dB13,5V1,5-30MHzFM/AM/SSBTO-220BCEMRF4763W15dB13,5V1,5-30MHzFM/AM/SSBTO-220BCEMRFW15dB13,5V1,5-30MHzFM/AM/SSBTO-220BECMRFW10dB13,5V1,5-30MHzFM/AM/SSBTO-220MRFW10dB28V1,5-30MHzWINTransceiverTO-220MRFW15dB28V1,5-30MHzWINTransceiverTO-220MRFW15dB13,5V1,5-30MHzWINTransceiverTO-220MRFW10dB13,5V27-50MHzWINTransceiverTO-220BECMRF5170,75W10dB20V1000MHzWINTransceiverTO-39M学会常用贴片三极管RF6071,75W11,5dB16V175MHzWINTransceiverTO-39 MRF6607W5,4dB12,5V400-512MHzWINTransceiverTO-220MSW18dB28V30MHzFM/AM/SSBMSW15dB12,5V30MHzFM/AM/SSB常用高频发射三极管型号及参数常用三极管参数,晶体管:最常用的有三极管和二极管两种。

三极管发射极体电阻 电压当量

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三极管发射极体电阻电压当量下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。

三极管发射极体电阻电压当量该文档下载后可定制随意修改,请根据实际需要进行相应的调整和使用,谢谢!并且,本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料,如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等,如想了解不同资料格式和写法,敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by the editor. I hope that after you download them, they can help you solve practical problems. The document 三极管发射极体电阻电压当量 can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts, other materials and so on, want to know different data formats and writing methods, please pay attention!三极管是一种重要的半导体器件,广泛应用于电子电路中。

8050三极管参数

8050三极管参数

8050三极管参数三极管,也被称为晶体管,是一种半导体器件,常常作为放大器和开关使用。

三极管是由三个控制电极组成的晶体管,包括基极、发射极和集电极。

基于三极管的内部结构和特性,可以通过控制输入信号的强度来控制输出信号的放大倍数或开关状态。

以下是三极管的一些常见参数和相关参考内容:1. 三极管的电流放大倍数(β):β是指集电极电流(IC)与基极电流(IB)之间的比值。

它表示了输入电流和输出电流之间的放大倍数。

通常,三极管的β可以在数据手册或器件规格表中找到。

每个具体型号的三极管都有不同的β值,一般在20到1000之间。

2. 最大集电极电流(ICmax):ICmax是指三极管能够最大承受的集电极电流。

如果IC超过了这个限制,三极管可能会受到损坏或烧毁。

ICmax可以在数据手册或规格表中找到,在设计电路时需要确保三极管的工作电流不超过该值。

3. 最大集电极-发射极电压(VCEOmax):VCEOmax是指三极管能够最大承受的集电极-发射极电压。

如果VCEO超过了这个限制,三极管可能无法正常工作或损坏。

VCEOmax也可以在数据手册或规格表中找到,需要根据具体电路要求选择合适的三极管。

4. 最大功耗(Pmax):Pmax是指三极管能够承受的最大功率。

如果三极管超过了这个功率限制,可能会受到损坏或烧毁。

在设计电路时,需要根据所需功率计算器件所需的最大功耗,并选择合适的三极管。

5. 输入电容(Cib)和输出电容(Cob):Cib是指输入电容,它反映了三极管输入端的电容。

Cob是指输出电容,它反映了三极管输出端的电容。

这两个参数都会对放大器的频率响应产生影响,需要在设计中进行考虑。

6. 上下限工作温度(Tmin和Tmax):Tmin和Tmax是指三极管能够正常工作的最低和最高温度范围。

超出这个范围,三极管可能无法正常工作或损坏。

以上是三极管的一些常见参数和参考内容,设计电路时需要根据具体要求选择合适的三极管。

npn型三极管的过压保护电路-概述说明以及解释

npn型三极管的过压保护电路-概述说明以及解释

npn型三极管的过压保护电路-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述:在电子领域中,npn型三极管是一种常用的元件,它具有放大信号、开关控制等重要功能。

然而,由于电路中的过压问题常常会对npn型三极管造成损坏,因此设计过压保护电路是非常重要的。

本文将介绍npn型三极管的工作原理,探讨过压保护电路设计要点,并详细介绍如何实现具体的npn型三极管过压保护电路。

希望通过本文的介绍,读者能够更深入地了解npn型三极管的过压保护机制,为实际应用中的电路设计提供参考和指导。

1.2 文章结构:本文主要分为三个部分,即引言、正文和结论三大部分。

在引言部分中,将简要介绍npn型三极管的过压保护电路的背景和意义,以及文章的目的和结构安排。

正文部分将重点介绍npn型三极管的工作原理,过压保护电路设计要点以及具体的npn型三极管过压保护电路实现。

通过详细的分析和论证,帮助读者深入了解这一主题,并为他们设计和实现自己的过压保护电路提供参考。

最后,在结论部分将对整篇文章进行总结,展望npn型三极管过压保护电路的应用前景,并给出一些结束语,使全文内容得以收尾。

1.3 目的本文旨在探讨npn型三极管的过压保护电路设计,通过对npn型三极管的工作原理和过压保护电路设计要点的介绍,帮助读者深入了解如何利用npn型三极管实现过压保护功能。

同时,通过具体的实例展示npn 型三极管过压保护电路的设计过程,希望为读者提供实用的参考和指导。

通过本文的阅读,读者将能够更好地理解npn型三极管的应用场景和设计原则,为实际应用中的过压保护电路设计提供一定的参考和指导。

2.正文2.1 npn型三极管的工作原理npn型三极管是一种常用的晶体管,其工作原理是基于材料的导电性和PN结的特性。

在npn型三极管中,有三个区域:发射极、基极和集电极。

当外加电压施加在基极-发射极之间时,如果该电压大于某个阈值,就会导致基极-集电极之间的PN结反向击穿,电流开始流动。

三极管9012 9013系列

三极管9012 9013系列

9013 9012npn型的电晶体是以电洞(带正电)为多数载子,pnp则相反是以电子(带负电)为多数载子,而在控制电晶体动作上必须利用电流的顺向偏压或逆向偏压来操作,所以在接点所需的电压大小及正负值必须要正确才能驱动电晶体的动作电晶体是一种固态装置元件,它具有体积小、效率高、寿命长及速度快等优点。

近年来由于技术的进步,已有大量的耐高压、能承受大功率的晶体被制造出来,因此电晶体在功率放大上,一直扮演着重要的角色。

3-4-1电晶体的结构电晶体的结构很像二极体,不过比二极体多出了一个接合面。

如图3-15(a)所示,将二层n型半导体,中间夹以一层很薄的p 型半导体,即成npn型电晶体;或将二层p型半导体,中间夹以一层很薄的n型半导体,即成pnp型电晶体。

将电晶体的三层晶片都分别列出接线成为电极,中间一片称为基极(base,b),另两极分别称为射极(emitter,e) 及集极(collector,c)。

射极能发射多数载体,基极可控制流向集极之多数载体的数量。

集极则能收集射极发射的多数载体,如图3-15(b)所示,为电晶体的符号,射极之箭头向外的为npn型;射极之箭头向内的为pnp型。

NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同,说得“专业”一点,就是“极性”问题。

NPN 是用B→E 的电流(IB)控制C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC > VB > VEPNP 是用E→B 的电流(IB)控制E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC < VB < VE总之VB 一般都是在中间,VC 和VE 在两边,这跟通常的BJT 符号中的位置是一致的,你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。

而且BJT的各极之间虽然不是纯电阻,但电压方向和电流方向同样是一致的,不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。

如今流行的电路图画法,通常习惯“男上女下”,哦不对,“阳上阴下”,也就是“正电源在上负电源在下”。

第2章 晶体三极管的基础知识

第2章 晶体三极管的基础知识

第二章晶体三极管和单级低频小信号放大器第一节晶体三极管的基础知识知识点1 理解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式【典型例题】【例1】判断题()在共发射极接法中,输入信号从基极入,集电极出。

【解析】共发射极接法的公共端为发射极,信号从基极和发射极之间输入,从集电极和发射极之间输出。

本题描述不清晰,易导致误会。

【答案】答案为×。

【例2】选择题晶体三极管基本连接方式中既能放大电流又能放大电压的联接方式是()。

A.共发射极B.共集电极C.共基极D.共漏极【解析】共集电极接法只有电流放大作用,没有电压放大;共基极接法只有电压放大作用,没有电流放大;只有共发射极接法既能放大电流又能放大电压。

【答案】选择A。

【一课一练】一、判断题()1.晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是锗NPN和硅PNP 两种三极管。

()2.晶体三极管的管脚有三个,分别是发射极、门极、基极。

()3.晶体管由两个PN结组成,所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。

()4.晶体三极管的集电极和发射极可以互换使用。

()5.用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极,红表笔分别接三极管另外两电极,观察指针偏转情况。

若两次的测量阻值都大或是都小,则引脚所接就是基极。

二、选择题1.晶体三极管在三个掺杂区域中,位于中间的区域为()。

A.发射区B.集电区C.基区D.共极区2.晶体三极管的图形符号中,有箭头的电极为()。

A.发射极B.基极C.集电极D.公共极3.如图2-2-4所示,该电路为()电路。

A.共基极B.共发射极C.共集电极图2-2-44.用指针式万用表的电阻档测量晶体三极管时,应该打的档位是()。

A.R×1B.R×10C.R×100D.R×10K5.晶体三极管在组成放大器时,根据公共端的不同,连接方式有()。

A.1B.2C.3D.4【知识点1参考答案】一、判断题ⅹⅹⅹⅹⅹ二、选择题 CACCC知识点2 识记晶体三极管的放大条件、放大作用和电流分配关系【典型例题】【例1】选择题三极管工作在放大状态时,其两个PN结必须满足()。

三极管之PNP与NPN详解及如何用万用表判断基极

三极管之PNP与NPN详解及如何用万用表判断基极

三极管之——PNP与NPN一.PNP与NPN 晶体管的检测方法NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同,说得“专业”一点,就是“极性”问题。

方法一:鉴别基极B将数字万用表拨至二极管档,红表笔固定任接某个引脚,用黑表笔依次接触另外两个引脚,如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”,则红表笔所接的引脚就是基极B。

如果在两次测试中,一次显示值小于1V,另一次显示溢出符号“1”,表明红表笔接的引脚不是基极B,此时应改换其他引脚重新测量,直到找出基极B为止。

区分NPN管与PNP管使用数字万用表的二极管档。

按上述操作确认基极B之后,将红表笔接基极B,用黑表笔先后接触其他两个引脚。

如果都显示0.500~0.800V,则被测管属于NPN型;若两次都显示溢出符号“1”,则表明被测管属于PNP管。

方法二:判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测管子为PNP型三极管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN 型管如9013,9014,9018。

小注:使用数字万用表的二极管档测量二极管的正向压降,这时读数的单位是mV。

例如,用该档检测2AP3型二极管的正向压降,显示为“352”,即表示352mV或0.352V(此管为锗管)。

用该档检测IN4007型二极管时,正向显示为“509”,即表示正向压降为509mV或0.509V(此管为硅管)。

数字万用表的二极管档,还可以用来检测电路是否短路。

二、常见三极管之——9013 、90129013三极管9013是一种NPN型硅小功率的三极管它是非常常见的晶体三极管,在收音机以及各种放大电路中经常看到它,应用范围很广,它是NPN型小功率三极管。

pnp三极管开关电路基极串联电阻

pnp三极管开关电路基极串联电阻

Pnp三极管开关电路基极串联电阻一、引言Pnp三极管是一种常见的电子元器件,它在电路中起到开关、放大等重要作用。

在Pnp三极管开关电路中,基极串联电阻是一种常见的接法,它能够对电路的工作状态和性能产生重要影响。

本文将从Pnp三极管的工作原理出发,探讨基极串联电阻在电路中的作用和应用。

二、Pnp三极管工作原理Pnp三极管是一种由三个掺杂不同的半导体材料组成的双极型晶体管。

与npn三极管相比,Pnp三极管的电子流是由主要由电子空穴流构成的,当基极与发射极之间施加正电压时,电子空穴对会向基极流动,引发集电极电流。

三、Pnp三极管开关电路Pnp三极管在电路中常用于开关电路,其基本原理是在基极施加正电压时,使其导通,从而使得集电极与发射极之间产生电流。

在Pnp三极管开关电路中,基极串联电阻被广泛应用。

其作用是限制基极电流,防止Pnp三极管过载损坏。

四、基极串联电阻的作用1. 限制基极电流基极串联电阻能够限制基极电流的大小,从而保护Pnp三极管免受过大电流的损坏。

在实际电路中,基极串联电阻的阻值需要根据Pnp三极管的参数和工作条件进行合理选择,以确保电路的正常工作和稳定性。

2. 控制开关速度基极串联电阻还能够控制Pnp三极管的开关速度,使得电路的开关动作更加平稳和可靠。

合理选择基极串联电阻的阻值,可以调节Pnp三极管的转换速度,满足电路对于响应速度的要求。

3. 稳定工作状态在Pnp三极管开关电路中,基极串联电阻还能够帮助稳定电路的工作状态,避免因电流过大或过载而导致的异常情况。

基极串联电阻的加入使得Pnp三极管的工作状态更加可控和可靠。

五、基极串联电阻的应用实例基极串联电阻在Pnp三极管开关电路中有着广泛的应用。

以下是一个基极串联电阻的应用实例:1. 电源管理电路中的过载保护在一些电源管理电路中,Pnp三极管被用于过载保护功能。

通过在Pnp三极管的基极与发射极之间串联一个合适的电阻,可以限制基极电流的大小,从而实现对电路过载的保护作用。

三极管放大电路_输入电阻_输出电阻_解释说明

三极管放大电路_输入电阻_输出电阻_解释说明

三极管放大电路输入电阻输出电阻解释说明1. 引言1.1 概述三极管放大电路是一种常见的电子电路,它在电子设备中起着重要的作用。

通过对输入信号进行放大,三极管放大电路可以将弱信号增加到足够大小以驱动其他元件或者传递给下一个级联的放大器。

为了深入理解三极管放大电路的工作原理和特性,我们需要探讨其输入电阻和输出电阻。

1.2 文章结构本文主要分为五个部分进行说明。

首先,在引言部分将对文章内容进行概述并介绍目的;然后,我们将详细讨论三极管放大电路的基本原理及其输入电阻和输出电阻;接着,我们将对输入电阻进行定义与计算方法、影响因素分析以及应用实例介绍;随后,我们将对输出电阻进行类似地解释说明;最后,我们会总结本文,并展望未来关于三极管放大电路的研究方向。

1.3 目的本文旨在帮助读者更好地理解三极管放大器中输入电阻和输出电阻的概念、特性和应用,并具体解释其计算方法、影响因素以及相关实例。

通过本文的阅读,读者将能够更全面地了解三极管放大电路,并为相关电子设备的设计和应用提供参考。

2. 三极管放大电路2.1 基本原理三极管放大电路是一种常见的电子放大器。

它由一个三极管、若干个电阻和电容等基本元件组成。

通过合理的接线和参数设置,可以实现信号的放大和处理。

在三极管放大电路中,信号源连接到输入端,输出端连接到负载。

当输入信号进入电路时,它会经过放大器和其他元件的作用发生变化,并在输出端产生放大后的信号。

2.2 输入电阻输入电阻是指三极管放大电路对外部信号源的输入阻力。

简而言之,它代表了电路对外部信号源提供了多少“阻止力”。

在三极管放大电路中,输入信号经过耦合元件(如电容)后进入基极,在基极处又由于二极管内部结构所决定存在着一个共射效应或共基效应。

这些效应导致了输入电阻的形成。

输入电阻可以通过以下公式计算:输入电阻(Rin)= ΔVbe / ΔIb其中,ΔVbe表示基极-发射区间的压降变化量,ΔIb表示基极输入直流偏置变化量。

y2三级管参数

y2三级管参数

y2三级管参数全文共四篇示例,供读者参考第一篇示例:y2三极管,也被称为二极管,是一种常用的半导体元件,常用于放大、开关等电路中。

y2三极管的参数对于电路设计和性能起着至关重要的作用,了解这些参数对于工程师和技术人员来说非常重要。

本文将介绍y2三极管的几个重要参数及其含义。

1. 饱和电压(VCEsat):饱和电压是指在三极管处于饱和状态时,集电极与发射极之间的电压。

在饱和状态下,三极管的开关速度较快,可以快速响应信号。

饱和电压越小,三极管在饱和状态下的性能就越好。

2. 最大集电极电压(VCEO):最大集电极电压是指三极管能够承受的最大集电极与发射极之间的电压。

超过这个电压值,三极管可能会烧坏。

因此在电路设计时需要考虑集电极电压的问题,以确保不会损坏三极管。

4. 直流增益(hFE):直流增益是指三极管放大直流信号时的放大倍数。

直流增益越大,三极管的放大效果就越好。

工程师通常会根据需要选择合适的直流增益值来设计电路。

5. 频率特性:三极管的频率特性指的是在不同频率下的工作性能。

三极管的频率特性决定了它适用于哪种频率的信号放大。

在设计高频率电路时,需要选择具有良好频率特性的三极管。

y2三极管的参数对于电路设计和性能至关重要。

工程师和技术人员在选择三极管时需要考虑这些参数的具体数值,以确保电路性能稳定可靠。

希望本文对读者有所帮助,谢谢阅读。

第二篇示例:y2三极管,又称为场效应三极管(FET),是一种重要的半导体器件,在电子电路中起着关键的作用。

它的参数包括很多方面,下面我们就来详细了解一下y2三极管的参数。

y2三极管的主要参数之一是导通电阻。

导通电阻是指在y2三极管导通状态下的电阻大小,一般用单位欧姆来表示。

导通电阻大小直接影响y2三极管的导通能力,导通电阻越小,y2三极管导通能力越强。

通过控制y2三极管的导通电阻,可以实现对电路中电流的调节。

导通电阻也受到温度的影响,温度越高,导通电阻越大,导通能力也会受到影响。

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三极管概念半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关.工作原理晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。

而每一种又有N PN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b 点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流了。

由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得:Ic=Ib+Ie这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即:β1=Ic/Ib式中:β1--称为直流放大倍数,集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为:β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。

三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。

三极管的分类:a.按材质分: 硅管、锗管b.按结构分: NPN 、PNPc.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.d. 按功率分:小功率管、中功率管、大功率管e.按工作频率分:低频管、高频管、超频管f.按结构工艺分:合金管、平面管三极管的主要参数a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.b. 工作电压/电流用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.c. hFE电流放大倍数.d. VCEO集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.e. PCM最大允许耗散功率.f. 封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现.判断基极和三极管的类型三极管的脚位判断,三极管的脚位有两种封装排列形式,如右图:三极管是一种结型电阻器件,它的三个引脚都有明显的电阻数据,测试时(以数字万用表为例,红笔+,黒笔-)我们将测试档位切换至二极管档(蜂鸣档)标志符号如右图:正常的NPN结构三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的正向电阻是430Ω-680Ω(根据型号的不同,放大倍数的差异,这个值有所不同)反向电阻无穷大;正常的PNP 结构的三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的反向电阻是430Ω-680Ω,正向电阻无穷大。

集电极C对发射极E在不加偏流的情况下,电阻为无穷大。

基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻,通常情况下,基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右(大功率管比较明显),如果超出这个值,这个元件的性能已经变坏,请不要再使用。

如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏,这个元件也可能不久就会损坏,大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。

尽管封装结构不同,但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的,不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。

要注意有些厂家生产一些不规范元件,例如C945正常的脚位是BCE,但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC,这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路,导致电路不能工作,严重时烧毁相关联的元器件,比如电视机上用的开关电源。

在我们常用的万用表中,测试三极管的脚位排列图:先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接其它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.判断集电极C和发射极E,以NPN为例:把黑表笔接至假设的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.体三极管的结构和类型晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PN P和NPN两种,从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。

基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。

发射极箭头向外。

发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。

硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和N PN型两种类型。

三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,底视图位置放置,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为e b c;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c。

目前,国内各种类型的晶体三极管有许多种,管脚的排列不尽相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。

这是三极管最基本的和最重要的特性。

我们将ΔIc/ΔIb 的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。

电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

晶体三极管的三种工作状态截止状态:当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。

放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。

饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。

三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

根据三极管工作时各个电极的电位高低,就能判别三极管的工作状态,因此,电子维修人员在维修过程中,经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压,从而判别三极管的工作情况和工作状态。

使用多用电表检测三极管三极管基极的判别:根据三极管的结构示意图,我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极,因此,在判别三极管的基极时,只要找出两个PN结的公共极,即为三极管的基极。

具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡,先用红表笔放在三极管的一只脚上,用黑表笔去碰三极管的另两只脚,如果两次全通,则红表笔所放的脚就是三极管的基极。

如果一次没找到,则红表笔换到三极管的另一个脚,再测两次;如还没找到,则红表笔再换一下,再测两次。

如果还没找到,则改用黑表笔放在三极管的一个脚上,用红表笔去测两次看是否全通,若一次没成功再换。

这样最多没量12次,总可以找到基极。

三极管类型的判别:三极管只有两种类型,即PNP型和NPN型。

判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。

当用多用电表R×1k挡时,黑表笔代表电源正极,如果黑表笔接基极时导通,则说明三极管的基极为P型材料,三极管即为NPN 型。

如果红表笔接基极导通,则说明三极管基极为N型材料,三极管即为PNP型。

三极管的基本放大电路基本放大电路是放大电路中最基本的结构,是构成复杂放大电路的基本单元。

它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性,或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性,实现信号的放大。

本章基本放大电路的知识是进一步学习电子技术的重要基础。

基本放大电路一般是指由一个三极管或场效应管组成的放大电路。

从电路的角度来看,可以将基本放大电路看成一个双端口网络。

放大的作用体现在如下方面:1.放大电路主要利用三极管或场效应管的控制作用放大微弱信号,输出信号在电压或电流的幅度上得到了放大,输出信号的能量得到了加强。

2.输出信号的能量实际上是由直流电源提供的,只是经过三极管的控制,使之转换成信号能量,提供给负载。

共射组态基本放大电路的组成共射组态基本放大电路是输入信号加在加在基极和发射极之间,耦合电容器C1和Ce视为对交流信号短路。

输出信号从集电极对地取出,经耦合电容器C2隔除直流量,仅将交流信号加到负载电阻RL之上。

放大电路的共射组态实际上是指放大电路中的三极管是共射组态。

在输入信号为零时,直流电源通过各偏置电阻为三极管提供直流的基极电流和直流集电极电流,并在三极管的三个极间形成一定的直流电压。

由于耦合电容的隔直流作用,直流电压无法到达放大电路的输入端和输出端。

当输入交流信号通过耦合电容C1和Ce加在三极管的发射结上时,发射结上的电压变成交、直流的叠加。

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