三极管
三极管字母代用符号
三极管字母代用符号
三极管的符号表示通常由三个线条组成，代表了三个电极：基极（B），集电极（C）和发射极（E）。
在电路图中，三极管的符号表示可以用以下几种方式来表示：
1. 可以用字母U来表示，其中U的第三部分表示功能。
具体来说，U的下部分表示放大或开关电路中的低频小功率管；U的上部分表示高频小功率管；U的整个表示低频大功率管；带一个斜杠的U表示高频大功率管。
2. 也可以用图形符号表示，其中NPN型三极管的符号中箭头指向表示发射结处在正向偏置时的电流流向。
此外，根据三极管的功能和类型，还有其他一些符号表示方式，例如PNP型三极管，场效应管等。
三极管
Q点的影响因素有很多，如电源波动、偏
置电阻的变化、管子的更换、元件的老化等等，
不过最主要的影响则是环境温度的变化。三极
管是一个对温度非常敏感的器件，随温度的变 化，三极管参数会受到影响，具体表现在以下 几个方面。
• 1.温度升高，三极管的反向电流增大
• 2.温度升高，三极管的电流放大系数β增大
• 3.温度升高，相同基极电流IB下，UBE减小，
2.2 共射放大电路
一、 放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成
较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网
络表示，如图。
ui
Au
uo
1、放大体现了信号对能量的控制作用，放大的信
号是变化量。
2、放大电路的负载所获得的随信号变化的能量要
比信号本身所给出的能量大得多，这个多出的
②电感视为短路
共射电路的直流通路
用图解法分析放大器的静态工作点
直流负载线 UCE=UCC–ICRC
U CC RC
ICQ
IC Q
IB UCE
与IB所决 定的那一 条输出特 性曲线的 交点就是 Q点
UCEQ UCC
2、动态分析
计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据交流通路。 交流通路：是指ui单独作用（UCC=0）时，电路 中交流分量流过的通路。 画交流通路时有两个要点：
有以下两种。
IC
IB A RB
V
mA C
B E
UBE
RC USC V
UC（1）输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管 的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实 验测得三极管的输入特性曲线如下图所示。
三极管三个电流的关系
三极管三个电流的关系三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。
它是由一块半导体材料制成的，具有三个引脚，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
三极管的工作原理和特性是电子学领域中的重要基础知识，在理解三极管的三个电流关系之前，我们先来了解一下三极管的基本结构和工作原理。
三极管是一种双极型晶体管，其内部结构由两个PN结构组成。
PN 结构是一种半导体器件，其中P代表正性，N代表负性。
在三极管中，发射极与基极之间形成一个PN结，而基极与集电极之间形成另一个PN结。
PN结具有单向导电特性，当施加正向电压时，电流可以通过，而当施加反向电压时，电流则无法通过。
根据三极管的工作原理，我们可以得知三极管中的三个电流关系。
首先，发射极电流（IE）是三极管中最大的电流，也是控制三极管工作的重要参数。
发射极电流由基极电流（IB）和集电极电流（IC）共同决定。
基极电流是通过基极输入的电流，而集电极电流是通过集电极输出的电流。
在正常工作状态下，三极管的发射极电流等于基极电流加上集电极电流，即IE = IB + IC。
这是因为基极电流是通过PN结注入到发射区的电流，而集电极电流是从发射区流向集电区的电流。
因此，发射极电流是由基极电流控制的，同时也受到集电极电流的影响。
在三极管中，基极电流起着控制发射极电流的作用。
通过调节基极电流的大小，可以改变发射极电流的大小。
当基极电流增大时，发射极电流也会相应增大。
而集电极电流则是由发射极电流和基极电流的比例关系决定的。
当基极电流较小时，集电极电流较小。
而当基极电流较大时，集电极电流也会相应增大。
三极管的三个电流关系对于电子电路的设计和分析非常重要。
在实际应用中，我们需要根据具体的要求来选择合适的三极管，以满足电路对电流的需求。
同时，合理控制三极管的电流，可以保证电路的正常工作，提高电路的效率和可靠性。
三极管的三个电流关系是电子学中的重要知识点。
三极管手册介绍
三极管手册介绍
三极管，也称为晶体三极管，是一种常用的电子器件，被广泛应用于电子电路中。
它由三个区域相互夹杂的半导体材料构成，通常被标记为E（发射极）、B（基极）和C（集电极）。
三极管是一种双极型晶体管，其主要特点是能够控制电流放大倍数。
通过控制基极电流，可以控制集电极电流的放大倍数。
因此，三极管广泛用于放大、开关、电子开关、振荡器等电路中。
三极管手册是一本关于三极管的详细介绍和应用指南。
该手册通常包括以下内容：
1. 三极管的基础知识：介绍三极管的结构、工作原理和基本参数。
包括器件标记和引脚配置，以及不同类型的三极管（如NPN型和PNP型）。
2. 三极管的电路应用：包括放大电路、开关电路、电源电路、振荡电路和稳压电路等。
每个电路应用都会介绍其原理、设计方法、常用电路图和计算公式。
3. 三极管的参数与曲线特性：包括直流参数（如最大集电流、最大功耗、最大电压等）和交流参数（如频率响应、增益、噪声系数等）。
手册中通常会给出参数的定义、测量方法和典型数值。
4. 三极管的选型与应用：介绍如何根据特定的应用需求选择合
适的三极管。
包括选择参数的考虑因素、常用的选型指南和技术手段。
5. 三极管的常见故障排除：介绍三极管常见的故障原因及排除方法。
包括电压过高、电流过大、温度过高等故障的检测和解决方法。
综上所述，三极管手册是一本提供关于三极管结构、工作原理、电路应用、参数与曲线特性、选型与应用和故障排除等方面知识的参考指南，旨在帮助工程师和电子爱好者更好地理解和应用三极管。
三极管
Vceo
在选择晶体管时， 大约为所用电源电压2倍 在选择晶体管时，Vceo大约为所用电源电压 倍 S8050的Vceo为25V 的
S8050 NPN型三极管参数 型三极管参数
c
Ic
b
Ib Ie
Vce
+
e
最大集电极电流， 最大集电极电流，即流过三极管集电极的最大电流
Icm
在选择晶体管时， 在选择晶体管时，Icm大约为三极管正常工作时流过 集电极最大电流的2倍 集电极最大电流的 倍 S8050的Icm为0.5A 的
Ec = Ic x Rc + Vce
三极管仿真电路分析
Ib、Ic、Vce 波形 波形?
集电极电压V 集电极电压 c
NPN 型 集电极电源Ec 集电极电源
基极电源E 基极电源 b
三极管仿真电路分析
Vo 集电极电压（V） 集电极电压（ Ic 集电极电流（mA） 集电极电流（
集电极电压V 集电极电压 c
驱动继电器(工作原理 驱动继电器 工作原理) 工作原理
+Vcc
3.R1、R2电阻取值
D IN4007
例如： 例如： 若Vcc=+5V,Ics=50mA,β=100， 且R2=4.7kΩ，计算R1取值。 Vcc-Vbe . . I . b= R 1 5V-0.7V R1 . . . Vbe R2 Ic > β
+Vcc
释放
D IN4007
继电器
c
输入Vi 输入 +Vcc OFF 0V R2 4.7K R1
续流二极管
S8050
b e
用NPN三极管驱动继电器电路图 三极管驱动继电器电路图
驱动继电器(工作原理 驱动继电器 工作原理) 工作原理
三极管的工作原理
三极管的工作原理
三极管是一种常用的电子器件，其工作原理是基于PN结的导电特性。
它由三个控制端分别为基极（B）、发射极（E）和集电极（C）构成。
当三极管的基极与发射极之间施加一个正向电压时，即基极的电势高于发射极，此时PN结会被正向偏置。
由于PN结的导电特性，电子会从N区域注入到P区域，并与P区域中的空穴重新组合。
在基极注入的电子数量足够多时，P区域会形成一个“电子云”，这就是基区。
基区的电荷状态会对P区和N
区的导电特性产生影响。
当外部施加的电压继续增大，足够大以让基极与发射极之间的电压达到饱和值时，三极管就进入了饱和区。
在饱和区，电流可以从集电极流向发射极，这时三极管的电流放大特性可以得到利用。
当外部电压减小时，三极管将退出饱和区。
另一种情况是，当基极与发射极之间施加一个反向电压时，即基极的电势低于发射极，此时PN结会被反向偏置。
在这种情况下，三极管处于截止区，几乎没有电流通过。
总之，通过控制三极管的基极电压，可以实现对集电极和发射极之间电流的控制和调节。
这使得三极管成为了很多电子电路中非常重要的元件之一。
三极管工作原理详解
03
电流放大作用是三极管最基本 的特性，也是其在电子电路中 广泛应用的原因之一。
载流子的传
1
在三极管中，载流子主要包括空穴和电子。
2
当基极电压发生变化时，基极中的载流子会受到 电场力的作用而发生运动，形成基极电流。
3
集电极电流的形成是由于基极电流在集电结上产 生电场，使得集电极中的载流子发生运动而形成 的。
三极管工作原理详解
目录
• 三极管简介 • 三极管的工作原理 • 三极管的特性曲线 • 三极管的应用 • 三极管的常见问题与解决方案
01
三极管简介
定义与类型
定义
三极管是一种半导体器件，具有 电流放大和开关控制的功能。
类型
根据结构和工作原理的不同，三 极管可分为NPN型和PNP型。
三极管的结构
组成
在振荡电路中的应用
振荡器
三极管可以作为振荡电路中的核心元 件，通过正反馈和选频网络实现高频 或低频振荡，用于产生特定频率的信 号。
波形发生器
调频/调相
在无线通信系统中，利用三极管的振 荡功能可以实现信号的调频和调相， 用于实现无线信号的调制和解调。
利用三极管的振荡特性，可以产生三 角波、矩形波等波形，用于信号处理、 测试测量等领域。
在开关电路中的应用
逻辑门电路
三极管可以作为逻辑门电 路中的开关元件，实现高 低电平的转换，用于构建 逻辑运算和电路控制。
继电器驱动
在自动化控制系统中，三 极管可以用于驱动继电器 或其他开关元件，实现电 路的通断控制。
电机驱动
在电机驱动电路中，三极 管可以用于控制电机的启 动、停止和转向，实现自 动化控制。
三极管由三个区（发射区、基区和集 电区）和两个结（集电极与基极之间 的集电结和发射极与基极之间的发射 结）组成。
三极管
I / mA
600 0 20
60
40 20
0 0.4 0.8 U / V
iC
温度对输入特性的影响 600 200
负温度系数。
3、温度每升高 1C， 增 加 0.5%~1.0%。
结论：温度升高，三极 管输入特性曲线左移， 输出特性曲线上移且间 距增大。
iB
O
温度对输出特性的影
uCE
六、三极管的命名方法
三极管的命名由5部分组成，如图1.21所示。其中第二、三 部分各字母含义如表1.10所示。
表1.10 第 二 部 分
第二、三部分各字母含义 第 三 部 分
字
A B C D
母
在以后的计算中，一般作近似处理： = 。
2.集-基极反向截止电流 ICBO
ICBO –
A
+
EC
ICBO是由少数载流子的 漂移运动所形成的电流， 受温度的影响大。 温度ICBO
3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO – A + IB=0 ICEO ICEO受温度的影响大。 温度ICEO，所以IC 也相应增加。三极管的 温度特性较差。
截止
反偏 反偏
放大
正偏 反偏
饱和
正偏 正偏
解：
对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区
五、 主要参数
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参 数也是设计电路、选用晶体管的依据。
1. 电流放大系数，
三极管ppt课件
晶体管截止频率影响
晶体管的截止频率限制了其放大高频信号 的能力，当输入信号频率接近或超过截止 频率时，晶体管放大倍数急剧下降。
负载效应影响
在高频段，负载效应对信号产生较大的影 响，使得输出信号的幅度和相位发生变化 。
05
三极管功率放大电路设计 与应用
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
采用单电源供电，输出端通过大容量电容与负载耦合，具 有电路简单、成本低等优点，但电源功率利用率较低且存 在较大的非线性失真。
集成功率放大器简介与应用
集成功率放大器概述
将功率放大电路与必要的辅助电路集成在同一芯片上，具 有体积小、重量轻、可靠性高等优点。
集成功率放大器的应用
广泛应用于音响设备、电视机、计算机等电子设备中，用 于驱动扬声器、耳机等负载，提供足够的输出功率和良好 的音质效果。
工作点设置在截止区，主要用于高频功率放大，效率很高但非线性失 真严重。
OCL和OTL功率放大电路设计实例
要点一
OCL（Output Capacitor Less ）功…
采用双电源供电，输出端与负载直接耦合，具有低失真、 高效率等优点，但需要较大的电源功率和输出电容。
要点二
OTL（Output Transformer Less…
02
三极管基本放大电路
共射放大电路组成及原理
组成
输入回路、输出回路、耦合电容、直 流电源
特点
电压放大倍数大，输出电阻较大，输 入电阻适中
原理
利用三极管的电流放大作用，将输入 信号放大并
共基放大电路组成及原理
01
02
03
组成
输入回路、输出回路、耦 合电容、直流电源
三极管 详解
三极管详解
三极管是一种具有三个电极的半导体器件，通常由两个PN结构成，共用的一个电极称为基极（用字母b表示），其他两个电极分别称为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。
根据PN结的组合方式，三极管可以分为NPN型和PNP型两种。
三极管的核心结构是两个背对背的PN结，其中一个PN结位于发射区和基区之间，称为发射结；另一个PN结位于集电区和基区之间，称为集电结。
三极管的工作原理基于电流控制，当在基极上施加一个微小的电流时，可以在集电极上得到一个放大了的电流，即集电极电流是基极电流的b倍（b为电流放大系数）。
集电极电流随基极电流的变化而变化，且基极电流微小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。
三极管有三种工作状态：截止、放大和饱和。
在放大状态下，三极管主要应用于模拟电路中。
此外，三极管还可以作为电子开关使用，配合其他元件构成振荡器等。
三极管详细讲解
§1、3半导体三极管（第一页）三极管是组成各电子电路的核心器件，它由三个电极。
它是我们学习的重点一：三极管的结构及类型通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。
按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：如图（1）、（2）所示不管是什麽样的三极管，它们均包含三个区：发射区，基区，集电区，同时相应的引出三个电极：发射极，基极，集电极。
同时又在两两交界区形成PN结，分别是发射结和基点结。
二：三极管的放大作用（这一问题是重点）我们知道，把两个二极管背靠背的连在一起，是没有放大作用的，要想使它具有放大作用，必须做到一下几点：发射区中掺杂基区必须很薄基电结的面积应很大工作时：发射结应正向偏置，集电结应反向偏置载流子的传输过程因为发射结正向偏置，且发射区进行重掺杂，所以发射区的多数载流子扩散注入至基区，又由于集电结的反向作用，故注入至基区的载流子在基区形成浓度差，因此这些载流子从基区扩散至集电结，被电场拉至集电区形成集电极电流。
而留在基区的很少，因为基区做的很薄。
我们再用图形来说明一下，如图（3）所示：电流的分配关系由于载流子的运动，从而产生相应电流，它们的关系如下：其中：I CEO为发射结少数载流子形成的反向饱和电流；I CBO为I B=0时，集电极和发射极之间的穿透电流。
为共基极电流的放大系数，为共发射极电流的放大系数。
它们可定义为：放大系数有两种（直流和交流），但我们一般认为，它们二者是相等的，不区分它们。
三：三极管的特性曲线它的特性曲线与它的接法有关，在学习之前，我们先来学习一下它的三种不同接法。
（1）共基极，如图（1）所示（2）共发射极如图（2）所示（3）共集电极如图（3）所示我们以NPN管共发射极为例：1.输入特性它与PN结的正向特性相似，三极管的两个PN结相互影响，因此，输出电压U CE对输入特性有影响，且U CE>1,时这两个PN结的输入特性基本重合。
三极管主要的参数
三极管主要的参数
三极管的参数包括：
1、功率额定值：功率额定值定义了三极管在一定温度和额定电源电
压下可以承受的最大功率输出，通常有最大输出功率（Pd）、期望功率（Pc）和阻止功率（Pz）三种，其中最大输出功率是三极管运行时可输出
的最大功率，期望功率是正常工作时的额定功率，而阻止功率是在特定电
流和电压时的最大功率。
2、集电极-发射极电压：集电极-发射极电压（也称为正向伏安数）
是三极管在正向偏压下的集电极与发射极之间的电压，通常被简写为VCE，它受到多种因素的影响，包括正向偏压、温度和负向偏压等。
3、发射极-基极电压：发射极-基极电压（也称为负向伏安数）是三
极管在负向偏压下的发射极与基极之间的电压，通常被简写为VEB，它受
多种因素的影响，包括负向偏压、温度和正向偏压等。
4、集电极穿透电流：集电极穿透电流是三极管在集电极和发射极之
间的电流，它在正向偏压下会出现，通常被简称为ICEO。
它依赖于正向
偏压的大小，通常随着偏压的增大而增大，但随着偏压增大到一定程度时
会突然减小，这是由三极管在饱和区域的特性决定的。
三极管参数详解
三极管参数详解三极管是一种常见的电子器件，用于放大和控制电流。
它是现代电子设备中的关键组成部分，广泛应用于放大电路、开关电路、逻辑门以及各种集成电路中。
要深入理解三极管的工作原理和性能，有必要详细了解其参数。
在本文中，我将对三极管的参数进行详解，并分享我的观点和理解。
1. 最大耗散功率（Maximum Power Dissipation，Pdmax）：最大耗散功率是指三极管能够承受的最大功耗。
当超过这个值时，三极管可能会过热并失效。
在设计电路时，我们需要确保三极管的耗散功率不会超过其额定值。
2. 最大集电极电压（Maximum Collector-Emitter Voltage，Vceo max）：最大集电极电压指的是在正常工作条件下，集电极和发射极之间最大可承受的电压。
当超过这个值时，三极管可能发生击穿，导致电路故障。
3. 最大集电极电流（Maximum Collector Current，Ic max）：最大集电极电流是指在正常工作条件下，三极管能够承受的最大电流。
当超过这个值时，三极管可能受到损坏，并影响电路的正常工作。
4. 最小直流电流增益（Minimum DC Current Gain，hfe min）：最小直流电流增益用于衡量输入和输出电流之间的倍数变化。
它反映了三极管在放大信号时的效果，值越大表示放大能力越强。
以上是三极管常见的参数，它们是评估三极管性能和应用范围的重要指标。
通过对这些参数的深入了解，我们可以更好地选择适合特定应用的三极管，并正确设计电路。
还有一些其他参数，如噪声系数、输入电压范围等，也对三极管的性能有着重要影响。
我的观点和理解是，三极管参数的选择和了解对于电子设备的设计和应用至关重要。
不同应用场景下，我们需要根据具体要求来选择合适的参数。
在需要大功率和高电压的场合，我们需要选择具有较大耗散功率和集电极电压的三极管。
而在需要放大小信号的场合，我们则需要选择具有较大直流电流增益的三极管。
三极管
1.3.4 T的主要参数 的主要参数
一、直数 β 2. 共基直流电流放大系数 直流电流放大系数 α 3. 极间反向电流
___
___
___
IC β ≈ IB ___ IC α ≈ IE
I CBO I CEO
I CBO — e极开路时 结的反向饱和电流 极开路时c结的反向饱和电流 极开路时
E
ICEO = (1 + β ) ICBO
二、交流参数 交流参数
1. 共射交流电流放大系数 2. 共基交流电流放大系数 交流电流放大系数 3. 特征频率
∆iC β≈ ∆iB
∆iC α≈ ∆iE
数值下降到1的信号频率称为 使 β 数值下降到 的信号频率称为 特征频率
例：UCE=6V时：IB = 40 µA, IC =1.5 mA； 时 ； IB = 60 µA, IC =2.3 mA。求共射极放大电路的直 。 流放大倍数和交流放大倍数
4 3 2 1
IC(mA ) 此区域中U 100µA 此区域中 CE<UBE, µ 集电结正偏， 集电结正偏， βIB>IC，UCE≈0.3V 80µA µ ， 饱和区。 称为饱和区 称为饱和区。 60µA µ 40µA µ 20µA µ IB=0 12 UCE(V)
3
6
9
IC(mA ) 4 3 2 1 3 6 9
2011-10-13
1.3.1 结构与符号(Structures and Circuit Symbol)
一、结构 两种: 两种 NPN PNP
发射区 集电区
三极: 三极 e(Emitter) ：发射极 b(Base） ：基极 c(Collector)：集电极 三区: 三区 e,b,c 特点:b区薄 e区掺杂多 c区面积大 两节: 两节 Je,Jc
三极管
（3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种：
① U（BR）EBO——集电极开路时，加在基极与发射极之间的最大 反向电压。其值一般几伏～十几伏。 ② U（BR）CBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大 反向电压。其值一般为几十伏～几百伏。 ③ U （ BR ） CEO—— 基极开路 时，集电极与发射极之间 允许的最大反向电压。 在 实 际 使 用 时 ， 还 有 V(BR)CER 表示 BE 间接有电阻， V(BR)CES 表示 BE 间是短路的。
IB
c
I CBO
IC I CN
N
RC
ICIE ICBO IE
所以:
b
I EN I EP
P
VCC
IC IE
Rb V BB
N
三个电极上的电流关系:
e
IE
IE =IC+IB≈IC
10/62
(2)IC与I B之间的关系：
联立以下两式：
IC＝ IE＋ICBO
I E＝IC＋I B
c
I CBO
IC ＝ IE
iC ＝ iE
18/62
2.极间反向电流
（1）集电极基极间反向饱和电流ICBO
发射极开路时，在其集电结上加反向电压，得到反向电流。 它实际上就是一个PN结的反向电流。其大小与温度有关。 锗管：I CBO为微安数量级，
硅管：I CBO为纳安数量级。
+
ICBO b
c
+
（2）(集电极发射极间的)穿透电流
14/62
(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const
输出特性曲线是指三极管基极电流iB为某一固定值时， 输出端集电极极电流iC和集电极-发射极间的电压偏压 uCE之间的关系曲线。iB不同曲线不同，曲线族。
三极管的极限参数
三极管的极限参数1. 介绍三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于电子电路中。
它由三个控制区域（基极、发射极和集电极）组成，通过在基极输入小信号来控制从集电极到发射极的大信号输出。
在设计和使用三极管时，了解其极限参数是非常重要的。
本文将详细介绍三种常见的三极管类型：NPN型、PNP型和场效应晶体管（FET），并讨论它们的主要极限参数。
2. NPN型三极管NPN型三极管是最为常见和广泛使用的一种类型。
它由两个正向偏置的PN结构组成，其中一个是基结，另一个是发射结。
以下是NPN型三极管的主要极限参数：2.1 最大集电-发射电压（VCEO）最大集电-发射电压指在特定条件下，可以安全工作的最大集电-发射电压。
超过这个值会导致器件损坏。
对于NPN型三级管，VCEO通常在20V至1000V之间。
2.2 最大集电-基础电压（VCBO）最大集电-基础电压指在特定条件下，可以安全工作的最大集电-基础电压。
超过这个值会导致器件损坏。
对于NPN型三级管，VCBO通常在30V至1200V之间。
2.3 最大发射-基础电压（VEBO）最大发射-基础电压指在特定条件下，可以安全工作的最大发射-基础电压。
超过这个值会导致器件损坏。
对于NPN型三级管，VEBO通常在5V至10V之间。
2.4 最大集电电流（IC）最大集电电流指通过三极管的最大连续集电极电流。
超过这个值会导致器件损坏。
对于NPN型三级管，IC通常在100mA至10A之间。
2.5 最大功耗（Pd）最大功耗指三极管可以承受的最大功耗。
超过这个值会导致器件过热并损坏。
对于NPN型三级管，Pd通常在500mW至500W之间。
3. PNP型三极管PNP型三极管与NPN型三极管相似，但是其结构和工作原理有所不同。
以下是PNP 型三极管的主要极限参数：3.1 最大集电-发射电压（VCEO）与NPN型三极管相似，最大集电-发射电压指在特定条件下，可以安全工作的最大集电-发射电压。
超过这个值会导致器件损坏。
三级管的工作原理
三级管的工作原理三极管的工作原理三极管，也被称为晶体三极管或晶体管，是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中。
它的工作原理基于PN结的导电特性，通过对基区施加不同电压来控制集电极与发射极之间的电流。
三极管是现代电子设备中不可或缺的元件，其工作原理的了解对于理解电子电路的运作机制至关重要。
我们来了解三极管的基本结构。
三极管由三个掺杂不同的半导体区域组成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
发射极和集电极之间形成PN结，而基极则位于PN结之间。
当在基极-发射极之间施加正向偏置电压时，PN结会被击穿，电子会从发射极注入到基极中。
这些电子会通过基极-集电极之间的PN结，最终流向集电极，形成集电极电流。
三极管的工作原理是基于基极-发射极之间的电压控制集电极电流的大小。
当在基极-发射极之间施加不同的电压时，会改变PN结的导电特性，从而影响集电极电流。
具体来说，当基极-发射极之间施加正向偏置电压时，PN结导通，集电极电流增大；当施加反向偏置电压时，PN结截止，集电极电流减小。
因此，通过控制基极电压，可以在集电极和发射极之间实现电流的放大或截断。
三极管的工作原理可以帮助我们理解它在电子电路中的应用。
例如，在放大电路中，三极管可以作为信号放大器，将微弱信号放大到足以驱动喇叭或产生其他效果所需的电压。
通过控制基极电压，可以调节放大器的增益，实现对信号的放大。
此外，在开关电路中，三极管也可以用作开关，通过控制基极电压来控制电路的通断状态。
总的来说，三极管的工作原理基于PN结的导电特性，通过对基极施加不同电压来控制集电极和发射极之间的电流。
三极管在电子电路中起着至关重要的作用，了解其工作原理有助于我们更好地理解和设计电子电路。
希望通过本文的介绍，读者能对三极管的工作原理有更深入的了解。
三极管生产执行标准
三极管生产执行标准
1. 产品分类和命名规则：根据三极管的结构和功能，将其分为NPN型和PNP型两大类。
同时，对不同类型的三极管进行命名，如放大管、开关管等。
2. 外观检查：要求三极管表面无划痕、凹陷、气泡等缺陷，引脚无氧化、锈蚀现象，封装无破损。
3. 尺寸和公差：规定三极管的长度、直径、引脚间距等尺寸参数，以及允许的公差范围。
4. 电气性能指标：包括三极管的放大倍数、输入电阻、输出电阻、最大耗散功率等参数，以及在不同工作状态下的性能要求。
5. 可靠性和寿命：要求三极管在规定的工作条件下，能够稳定可靠地工作一定的时间，如温度循环试验、振动试验等。
6. 环境适应性：规定三极管在各种环境条件下（如温度、湿度、气压等）的工作性能和可靠性要求。
7. 安全性：要求三极管在正常使用过程中，不会对人体和设备造成危害，如绝缘电阻、漏电流等参数的要求。
8. 包装和标识：规定三极管的包装方式、标识内容和位置，以便用户识别和使用。
9. 检验方法和验收标准：提供三极管的检验方法，如外观检查、尺寸测量、电气性能测试等，以及验收标准，如合格率、不良品处理等。
10. 质量保证和售后服务：要求生产厂家对三极管的质量负责，并提供相应的售后服务，如技术支持、维修更换等。
三极管
输出特性曲线上一般可分为三个区：
IC /mA 饱和区。当发射结和 集电结均为正向偏置 IB=100 A 4 时，三极管处于饱和 0.3V，锗管约为0.1V, 状态。此时集电极电 管子深度饱和时，硅管的VCE约为 80 A 3 流IC与基极电流IB之 由于深度饱和时 VCE约等于0，晶体管在电路中犹如一个 间不再成比例关系， 闭合的开关。 放 60 A 2.3 IB的变化对IC的影响 2 大 40 A 很小。 截止区。当基极电 IB=0 流IB等于0时，晶体 UCE / V 0 管处于截止状态。 实际上当发射结电 此时 UCE小于UBE,规定： UCE=UBE晶体管工作在放大状态时，发射结正 时， 压处在正向死区范 VCC VCES I CS VCC / RC 围时，晶体管就已 偏，集电结反偏。在放大区，集电极电 为临近饱和状态，用 UCES（0.3 或 RC 经截止，为让其可 流与基极电流之间成β倍的数量关系， 0.1）表示，此时集电极临近饱和 靠截止，常使UBE 小于和等于零。 即晶体管在放大区时具有电流放大作用。 临近饱和基极电流 I BS I CS / 电流是
ΔIC
当IB一定时，从发射区扩散到基区 的电子数大致一定。当UCE超过1V以 后，这些电子的绝大部分被拉入集 电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大，集电极电流IC也不 会再有明显的增加，具有恒流特性。
UCE / V
0
当IB增大时，相应IC也增大，输出特性曲线上移， 且IC增大的 幅度比对应IB大得多。这一点正是晶体管的电流放大作用。 从输出特性曲线可求出三极管的电流放大系数β。 取任意再两条特性曲线上的平坦段，读出其基极电流之差； 再读出这两条曲线对应的集电极电流之差ΔIC=1.3mA； 于是我们可得到三极管的电流放大倍数： β=ΔIC/ΔIB=1.3÷0.04=32.5
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。
电子三极管Triode （俗称电子管的一种）双极型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）工作原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有N PN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b 点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
三极管放大时管子内部的工作原理1、发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。
同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
三极管的分类:a.按材质分: 硅管、锗管b.按结构分: NPN 、PNP。
如图所示c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.贴片三极管d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管f.按结构工艺分：合金管、平面管g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管插件三极管三极管的主要参数a. 特征频率fT:当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.b. 工作电压/电流用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.c. hFE电流放大倍数.d. VCEO集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.e. PCM最大允许耗散功率.f. 封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.判断基极和三极管的类型三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图：三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至二极管档（蜂鸣档）标志符号如右图：正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。
集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。
基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显），如果超出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。
如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。
尽管封装结构不同，但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的，不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。
要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源。
在我们常用的万用表中，测试三极管的脚位排列图：先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接其它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP.判断集电极C和发射极E,以NPN为例:把黑表笔接至假设的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PN P和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。
基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。
发射极箭头向外。
发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。
硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和N PN型两种类型。
三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。
目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb 的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。
电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。
饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。
三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。
使用多用电表检测三极管三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。
具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。
如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。
如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。
这样最多没量12次，总可以找到基极。
三极管类型的判别：三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。