实验三三极管输入输出特性

三相全控桥式整流电路实验报告doc

三相全控桥式整流电路实验报告篇一：实验一、三相桥式全控整流电路实验实验一、三相桥式全控整流电路实验一、实验目的1. 熟悉三相桥式全控整流电路的接线、器件和保护情况。

2. 明确对触发脉冲的要求。

3. 掌握电力电子电路调试的方法。

4. 观察在电阻负载、电阻电感负载情况下输出电压和电流的波形。

二、实验类型本实验为验证型实验，通过对整流电路的输出波形分析，验证整流电路的工作原理和输入与输出电压之间的数量关系。

三、实验仪器1．MCL－III教学实验台主控制屏。

2．MCL—33组件及MCL35组件。

3．二踪示波器 4．万用表 5．电阻（灯箱）四、实验原理实验线路图见后面。

主电路为三相全控整流电路，三相桥式整流的工作原理可参见“电力电子技术”的有关教材。

五、实验内容和要求1. 三相桥式全控整流电路2. 观察整流状态下，模拟电路故障现象时的波形。

实验方法：1．按图接好主回路。

2.接好触发脉冲的控制回路。

将给定器输出Ug接至MCL-33面板的Uct端，将MCL-33 面板上的Ublf接地。

打开MCL-32的钥匙开关，检查晶闸管的脉冲是否正常。

（1）用示波器观察MCL-33的双脉冲观察孔，应有间隔均匀，相互间隔60的幅度相同的双脉冲。

（2）检查相序，用示波器观察“1”，“2”单脉冲观察孔，“1”脉冲超前“2”脉冲60，则相序正确，否则，应调整输入电源。

3．三相桥式全控整流电路（1）电路带电阻负载（灯箱）的情况下：调节Uct（Ug），使?在30o~90o范围内，用示波器观察记录?=30O、60O、90O 时，整流电压ud=f（t），晶闸管两端电压uVT=f（t）的波形，并用万用表记录相应的Ud和交流输入电压U2数值。

ou??= 30°uuia?tOuab=30O?ti a?=90O?tuuabacOuabuac??= 60°u（2）电路带阻感负载的情况下：在负载中串入700mH 的电感调节Uct（Ug），使?在30o~90o范围内，用示波器观察记录?=30O、60O、90O时，整流电压ud=f（t），晶闸管两端电压uVT=f（t）的波形，并用万用表记录相应的Ud和交流输入电压U2数值。

实验三三极管放大电路设计

实验三三极管放大电路设计一、实验目的1.了解三极管的基本工作原理和放大特性。

2.掌握三极管放大电路的设计和调整方法。

二、实验原理三极管放大电路是以三极管为核心元件的放大电路，通过适当的偏置和负反馈，可以实现对输入信号的放大。

三极管放大电路通常由输入端、输出端和三极管组成。

1.BJT三极管BJT三极管的主要结构有NPN型和PNP型两种。

在NPN型三极管中，由两个不掺杂的P型半导体夹着一个高掺杂的N型半导体构成，形成了PN结。

三极管的三个引脚分别为发射极(Emitter)，基极(Base)和集电极(Collector)。

在基极与发射极之间加正向偏置电压Ube，使得PN结处于正向偏置状态。

当基极处于正向电压Ube时，使得发射极与集电极间形成一个电流通道。

此时，如果在集电极与发射极间设置一个负电压Uce，集电极的载流子会被集电区的电场吸引，形成集电电流Ic，从而实现了三极管放大器的放大作用。

三极管放大电路分为共发射、共基和共集三种基本结构。

常用的放大电路有共发射放大电路、共射放大电路和共源放大电路。

以下以共发射放大电路为例进行设计。

共发射放大电路的输入端是基极，输出端是集电极。

设计时需要注意以下几个方面：（1）确定输入和输出电阻：输入电阻是指输入端的电压变化引起的输入电流变化的比值，输出电阻是指输出端的电压变化引起的输出电流变化的比值。

一般来说，输入电阻越大越好，输出电阻越小越好。

（2）确定直流工作点：直流工作点是指三极管在放大器工作状态下的工作点。

选择合适的直流工作点，可以使输出信号对输入信号变化进行放大，同时尽量避免饱和和截至现象。

（3）选取合适的偏置电路：偏置电路用于确保三极管正常工作，在选择时需要保证偏置点稳定、温度稳定和电源稳压等。

三、实验步骤1.搭建共发射放大电路，具体电路如下图所示。

其中，三极管型号为2N39042.调节R1、R2和Re使得三极管的基极电压为0.6V左右，可以通过电压表测量。

(整理)实验三：三极管识别

实验三：识别三极管一.实验目的1）了解三极管的分类方法；2）知道三极管的命名方法；3）掌握三极管的管脚检测；4）知道三极管电流分配关系的测量；5）知道三极管输入输出特性曲线的测量。

二.实验设备1）交流信号源、直流稳压电源、双踪示波器、数字万用表；2）三极管（9013,9012,3DG6,3DG6,8050,8055），电阻若干等。

三.实验要求1）查阅有关技术资料、网络资料及电子学科工具书，查集成运放的性能参数；2）识读与测试电路中相关的元器件的引脚和判断器件的好坏；3）使用仿真电路软件PROTEUS进行电路的仿真，验证其原理；4）焊接设计的电路，并调试成功，对电路所出现故障进行原因分析及排除；5）撰写实验报告。

6）小组合作。

各小组学习情况记录：专业班别成员姓名学号负责的工作自评分组内评分组长组员1组员2组员3组员4四.实验项目第一部分三极管的识别及工作原理一、三极管的外形、结构及工作原理1. 通过资料阅读、网络搜索等手段，了解三极管的外形和结构，以及它们在现代工业和科学研究等领域的重要作用，填入自制的表格。

2.学习三极管的结构与符号，写出结构图中序号的名称，根据结构图说明三极管的工艺特点（内部条件），并画出NPN 和PNP 三极管的符号。

（1）；（2）；（3）；（4）；（5）；（6）；（7）；（8）；三极管的工艺特点（内部条件）：三极管的符号：3. 电路中常用的三极管种类很多，具体的分类情况如下图，查阅资料，填写下图。

晶体三极管分类按材料极性分按工艺分按功率分按工作频率分按功能用途分N P N （1）（2）（4）（7）（5）（8）（6）（3）P N P（1）（4）（7）（5）（8）（6）（3）（2）图1 NPN 三极管结构简图图2 PNP 三极管结构简图4. 不同的国家和地区，对三极管的命名方法是不一样的，查阅资料，填写下面表格，补充归纳三极管命名方法。

表一：国产半导体分立器件型号命名法（场效应管、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义符号意义符号意义意义2 二极管A N型锗材料P 普通管用数字表示序号用汉语拼音字母表示规格号B P型锗材料V 微波管C N型硅材料W 稳压管D P型硅材料 C 参量管3 三极管A PNP型锗材料Z 整流管B NPN型锗材料L 整流堆C PNP型硅材料S 隧道管D NPN型硅材料N 阻尼管示例：3 D G 6 CU 光电器件K 开关管T半导体晶闸管（可控整流器）X 低频小功率管G 高频小功率管D 低频大功率管A 高频大功率管Y 体效应器件B 雪崩管J 阶跃恢复管CS 场效应管BT 半导体特殊器件FH 复合管PIN PIN型管JG 激光器件注：场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分。

实验三光电三极管特性测试及其变换电路

实验三光电三极管特性测试及其变换电路实验目的、学习掌握光电三极管的工作原理2、学习掌握光电三杨管的基本特性掌掘光电三极管特性测试的方法4、了解光电三极管的基本应用二、实验内容1、光电三极管光电流测试实验2、光电三极管伏安特性测试实验3、光电三极管光电特性测试实验4、光电三极管时间特性测试实验5、光电三极管光谱特性测试实验三、实验仪器1、光电器件和光电技术综合设计平台1台2、光源驱动模块1个3、负载模块1个1、光通路组件1套5、光电三极管及封装组件1套6、2#迭插头对(红色，50cm) 10根7、2#迭插头对(黑色，50cm) 10根8、示波器1台四、实验原理光电三极管与光电二极管的工作原理基本相同，工作原理都是基于内光电效应，和光敏电阻的差别仅在于光线照射在半导体PN结上，PN结参与了光电转换过程。

光敏三极管有两个PN结，因而可以获得电流增益，它比光敏二极管具有更高的灵敏度。

其结构如图3-1 (a)所示。

当光敏三极管按图3-1 (b) 所示的电路连接时，它的集电结反向偏置，发射结正向偏置，无光照时仅有很小的穿透电流流过，当光线通过透明窗口照射集电结时，和光敏二极管的情况相似，将使流过集电结的反向电流增大，这就造成基区中正电荷的空穴的积累，发射区中的多数载流子(电子)将大量注人基区，由于基区很薄，只有一小部分从发射区注入的电子与基区的空穴复合，而大部分电子将穿过基区流向与电源正极相接的集电极，形成集电极电流。

这个过程与普通三极管的电流放大作用相似，它使集电极电流是原始光电流的(1+B )倍。

这样集电极电流将随入射光照度的改变而更加明显地变化。

在光敏二极管的基础上，为了获得内增益，就利用了晶体三极管的电流放大作用，用Ge 或Si单晶体制造NPN或PNP型光敏三极管。

其结构使用电路及等效电路如图4所示。

光敏三极管可以等效一个光电二极管与另一个-般晶体管基极和集电极并联:集电极基极产生的电流，输入到三极管的基极再放大。

三极管3DG12输出特性曲线

三极管的输入输出的特性曲线
描述任何电学器件的时候，看数据手册都会给出一些相关特性曲线图和相关的电器性能等，三极管有三个脚，组成了输入和输出的两个端，所以三极管有输入和输出两个特性曲线图。

输入特性曲线图是指三极管的基极输入电流ib和发射结电压ube之间的关系
实验是将uce电压设置为5V，改变ube的电压，测量ib的电流与ube的关系得到如下图所示的ib与ube的关系曲线图；图中还测试了uce电压是否对ib与ube的的关系特性曲线是否有关从测试的图中可以看出除了uce=0V的曲线比较特殊之外，其余的曲线基本重合，这些曲线重合的就是三极管的输入伏安特性曲线图，它与uce的电压无关，因为大多数的三极管都是工作电压uce>0的情况下；所以根据图中曲线可以得出如下的表达式：
其中ut 被称为热电压，是一个与温度成正比的值，在27℃时约为26mv。

Is称为反向饱和电流，每个三极管的值都不一样，但是很小。

在表达式中，当ube趋于无穷小的时候ib趋向于—Is；所以当ube>ut的时候表达式才近似成为一个指数表达式；基本情况下当ube>0.7V的时候，三极管的电流ib才呈现较为明显的电流。

输出伏安特性曲线：是指ib电流一定时，集电极电流ic与uce 之间的关系；测试的电路、理想输出伏安特性曲线图与实际的输出特性曲线图。

场效应管放大器实验报告

场效应管放大器实验报告场效应管放大器实验报告引言：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的三极管。

它具有高输入阻抗、低输出阻抗、低噪声和低失真等优点，因此在放大器电路中得到了广泛应用。

本实验旨在通过搭建场效应管放大器电路，探究其性能特点和工作原理。

一、实验目的本实验的主要目的是研究场效应管放大器的工作原理和性能特点，包括输入输出特性、放大倍数、频率响应等。

二、实验原理场效应管是一种三极管，由栅极、漏极和源极组成。

其工作原理是通过栅极电压的变化来控制漏极-源极之间的电流，从而实现信号的放大。

场效应管有不同的类型，包括MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和JFET（结型场效应管）。

本实验采用JFET作为放大器的核心元件。

三、实验器材和电路图实验器材包括JFET、电阻、电容、信号发生器、示波器等。

电路图如下所示。

（此处省略电路图的描述）四、实验步骤与结果1. 搭建电路：根据电路图连接JFET、电阻和电容等元件，接入信号发生器和示波器。

2. 测量输入输出特性：通过调节信号发生器的频率和幅度，测量不同输入电压下的输出电压并记录。

3. 测量放大倍数：固定输入电压，测量输出电压，并计算放大倍数。

4. 测量频率响应：在一定的输入电压下，改变信号发生器的频率，测量输出电压的变化，并绘制频率响应曲线。

根据实验步骤，我们进行了一系列的实验测量，并得到了以下结果。

（此处省略实验结果的具体数值和图表）五、实验分析与讨论通过实验测量，我们可以得到场效应管放大器的输入输出特性曲线、放大倍数曲线以及频率响应曲线。

根据实验结果，我们可以进行以下分析和讨论。

1. 输入输出特性曲线显示了场效应管放大器的非线性特点。

随着输入电压的增大，输出电压也会相应增大，但是当输入电压达到一定值后，输出电压将不再线性增大。

2. 放大倍数曲线显示了场效应管放大器的放大效果。

我们可以通过计算不同输入电压下的输出电压比值来得到放大倍数。

三极管的特性曲线

集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系
曲线。实验测得三极管的输出特性曲线如
下图所示。
输出特性
IC(mA )
此区域中UCEUBE， 4 集电结正偏，IB>IC ， UCE0.3V称为饱和区。
ห้องสมุดไป่ตู้
当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关， IC=IB ，且 IC = 100A IB 。此区域称为线性放大区。
3
2
此区域中 : IB=0， IC=ICEO ，UBE< 死区电压，称为截止区。
80A
60A
40A 20A IB=0 12 UCE(V)
1 3
6 9
例1.1：判断三极管的工作状态
测量得到三极管三个电极对地电位如图所示，试判断三极管的工作状态。
放大
截止
饱和
实验线路(共发射极接法)
（1）输入特性曲线IB=f (UBE)
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，
三极管的基极电流IB与发射结电压UBE之间
的关系曲线。实验测得三极管的输入特性
曲线如下图所示。
vCE = 0V
vCE 1V
（2）输出特性曲线IC=f (UCE)
它是指一定基极电流IB下，三极管的
三极管的特性曲线
1、特性曲线
三极管的特性曲线是指三极管的各电极电压与电流之间的关系曲线，它反映出三极管的特性。它可以用专用以NPN型硅三极管为例，其常用的特性曲线有以下两种。
的图示仪进行
显示，也可通过实验测量得到。
三极管在电路中的连接方式
共发射极连接共基极连接共集电极连接

实验三三极管输入输出特性测试

实验三三极管输入‎输出特性测‎试（二）一、实验目的通过对三极‎管输入回路‎和输出回路‎电压和电流‎的测量，得到三极管‎的输入特性‎和输出特性‎数据。

了解三极管‎的放大功能‎，认识三极管‎放大信号的‎特征（比较基极电‎流Ib和集‎电极电流I‎c）。

二、实验原理三极管外部‎各极电压和‎电流的关系‎曲线，称为三极管‎的特性曲线‎，又称伏安特‎性曲线。

它不仅能反‎映三极管的‎质量与特性‎，还能用来定‎量地估算出‎三极管的某‎些参数，是分析和设‎计三极管电‎路的重要依‎据。

对于三极管‎的不同连接‎方式，有着不同的‎特性曲线。

应用最广泛‎的是共发射‎极电路，可以采用传‎统的逐点法‎测量，其基本测试‎连线电路如‎图-1所示。

图-1 三极管输入‎、输出特性曲‎线测量连线‎图输入特性曲‎线在三极管共‎射极连接的‎情况下，当集电极与‎发射极之间‎的电压维持固定值‎时，和之间的一‎簇关系曲线‎，称为共射极‎输入特性曲‎线，如图-2所示。

图-2 三极管的输‎入特性曲线‎三极管输出‎特性曲线是‎指以三极管‎的基极电流‎b I 维持固定值‎时，测量集电极‎、发射极之间‎电压与三极‎ce U 管集电极电‎流的关系曲‎c I 线。

曲线如图-3所示。

图-3 三极管的输‎出特性曲线‎三、实验内容实验目的：通过对三极‎管输出回路‎电压和电流‎的测量，认识三极管‎的输出特性‎。

弄清三极管‎放大信号的‎特征是电流‎放大（对比基极电‎流Ib 和集‎电极电流I ‎c ）。

实验内容与‎规划：要组建一个‎三极管输出‎回路便于测‎量回路中的‎电压与电流‎的变化数据‎。

（注意点：测量三极管‎输出回路时‎，三极管的输‎入回路电流‎Ib 要固定‎，否则影响输‎出回路的测‎量）大家先准备‎好实验方案‎，上课用15‎分钟来讨论‎定案。

实验结束后‎关注基极电‎流Ib 和集‎电极电流I ‎c 的关系。

实验电路图‎：V11VR1100RRV1100Q12N3392R2100RV21V+88.8Volts+88.8Amps数据记录：Ib=20uA Uce1 0.361 0.489 0.98 2.01 2.97 3.44 4.05 5.01 Ic1 3.168 3.321 3.342 3.541 3.548 3.55 3.561 3.574 Ib=40uA Uce2 0.18 0.531 0.914 2.045 3.025 4.32 4.65 5.125 Ic2 5.686 6.572 6.648 6.687 6.786 6.927 7.032 7.168 Ib=60uA Uce3 0.328 0.522 0.885 1.942 2.98 4.121 4.776 5.064 Ic3 8.756 10.085 10.269 10.604 11.062 11.189 11.201 11.229曲线图：数据处理：①：ΔIc/ΔIb=161.88②：ΔIc/ΔIb=193.06四、心得体会1、一开始就忘‎记测0的时‎候的数据，之后只有默‎认为0，下次一定要‎注意。

晶体三极管输入和输出特性

故 NPN 三极管的输出特性曲线为一簇曲线。
饱合区：集电结正偏，发射结正偏临界饱和线截至区：集电结和发射结都反偏。 iC 击穿区： uC E > U （ B R ） C E O 放大区：集电结反偏，发射结正偏
发射结正偏，集电结正偏：饱和模式（用于开关电路中）
发射结反偏，集电结反偏：截止模式
精选可编辑ppt
24
例子
总结:在放大电路中三极管主要工作于放大状态，
即要求，发射结正偏(正偏压降近似等于其 PN结的导通压降），集电结反偏（反偏压降
远远大于其导通电压才行）。
对NPN管各极电位间要求：Ve<Vb < Vc
饱和区
精选可编辑ppt
截止区
击穿区
iB=iB 5 iB=iB4
iB=iB 3iB=iB
2
iB=iB1
iB=-ICBO uCE U（BR）C1E1O
（1）放大区： i i : 输出特性曲线平行等距： i B 对 i C 有控制作用
在放大区，iC随着iB按β倍成比例变化，晶体管具有电流放大作用。对输入信号
动画三极管的输入特性
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6
由图可见：
1．当V CE ≥2 V时，特性曲线基本重合。
2．当VBE很小时，IB等于零，三极管处于截止状态；
3．当VBE大于门槛电压（硅管约0.5V，锗管约0.2V）时， IB逐渐增大，三极管开始导通。
4．三极管导通后，VBE基本不变。硅管约为0.7V，锗管约为0.3V，称为三极管的导通电压。
60A
40A

三极管的认识与检测

分析结果放大倍数
NPN型9013
测量现象 PNP型9012
从左到右E B C 108 β
从左到右E B C 266 β
检测方法
1.万用表置于hFE 挡 2.插入对应的PNP、 NPN晶体管测试座插孔。 B极不变，再判断C E 极，显示读数较大的时候，对应的就是C E极。读数较大的数值就是三极管的放大倍数β。
2．用数字万用表检测三极管的类型和基极
任务目标Βιβλιοθήκη 表4-12 三极管类型和基极检测2．用数字万用表检测三极管的类型和基极
任务实施
表4-12 三极管类型和基极检测
任务实施
3．用数字万用表检测三极管C极、E极和放大倍数β
1.万用表置于hFE 挡
2.插入对应的PNP、 NPN晶体管测试座插孔。
测量目的判断C E 极
反向击穿电压是指基极开路时，加在集电极和发射极之间的所能承受的最大反向电压。用表示。 5.集电极最大允许耗散功率
三极管正常工作时，集电结所允许的最大耗散功率称为集电极最大允许耗散功率，用表示。<1W的称为小功率管，>1W的称为大功率管。
知识链接
六、三极管在汽车电子闪光器的应用
汽车电子闪光器电路如图4-36所示。其工作过程为：
高频放大功率1W
小功率三极管
S9013
低频放大功率约0.5W
知识链接
2.按类型分类
三极管按类型分类，分为表4-16所示NPN与PNP两种类型的三极管。
表4-16 NPN与PNP两种类型的三极管
类型
外形
符号
用途
PNP
按电路要求使用
NPN
按电路要求使用
知识链接
二、三极管的结构

三极管伏安特性测量实验报告

三极管伏安特性测量实验报告实验报告课程名称：__电路与模拟电子技术实验_______指导老师：_____干于_______成绩：__________________ 实验名称：_______三极管伏安特性测量______实验类型：________________同组学生姓名：__________ 一、实验目的和要求（必填）二、实验内容和原理（必填）三、主要仪器设备（必填）四、操作方法和实验步骤五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析（必填）七、讨论、心得一、实验目的1．深入理解三极管直流偏置电路的结构和工作原理2．深入理解和掌握三极管输入、输出伏安特性二、实验原理三极管的伏安特性曲线可全面反映各电极的电压和电流之间的关系，这些特性曲线实际上就是ＰＮ结性能的外部表现。

从使用的角度来看，可把三极管当做一个非线性电阻来研究它的伏安特性，而不必涉及它的内部结构。

其中最常用的是输入输出特性。

１）输入特性曲线输入特性曲线是指在输入回路中，Ｕce 为不同常数专业：____________ 姓名：___值时的Ｉb～Ｕbe曲线。

分两种情形来讨论。

（１）从图（ａ）来看，Ｕce＝０，即ｃ、ｅ间短路。

此时Ｉb与Ｕbe间的关系就是两个正向二极管并联的伏安特性。

每改变一次Ｕbe，就可读到一组数据（Ｕbe，Ｉb），用所得数据在坐标纸上作图，就得到图（ｂ）中Ｕce＝０时的输入特性曲线。

２）输出特性曲线输出特性曲线是指在Ｉb为不同常量时输出回路中的Ｉc～Ｕce曲线。

测试时，先固定一个Ｉb，改变Ｕce，测得相应的Ｉc值，从而可在Ｉc～Ｕce直角坐标系中画出一条曲线。

Ｉb取不同常量值时，即可测得一系列Ｉc～Ｕce曲线，形成曲线族，如图所示。

三、实验仪器三极管，HY3003D-3型可调式直流稳压电源，万用表、不同的Vcc，测量Vce和V Rc，间接测量出i c。

将所得的数据写入表格并画出图线。

五、数据记录与处理1.输入特性的测量Vcc=0V Vcc=5VVcc/ V V Rb/VVbe/Vi b/μA Vcc/VV Rb/VVbe/Vi b/μA0.1 0 0.005 0 0.1 0 0.008 0 0.3 0 0.169 0 0.3 0 0.195 0 0.5 0.001 0.336 10 0.4 0 0.273 0 0.6 0.008 0.454 80 0.5 0 0.370 00.8 0.114 0.521 1140 0.6 0.1 0.513 10001.0 0.186 0.545 1860 0.8 0.17 0.580 17001.5 0.723 0.570 7230 1.0 0.33 0.610 33002.0 1.118 0.583 11180 1.2 0.51 0.624 51003.0 2.09 0.599 20900 1.5 0.76 0.632 76004.0 3.03 0.608 30300 2.0 1.27 0.659 127005.0 4.04 0.616 40400 3.0 2.26 0.666 226006.0 4.98 0.622 49800 4.0 3.24 0.668 324007.0 5.93 0.626 59300 5.0 4.26 0.671 426008.0 6.89 0.631 68900 7.0 6.14 0.670 614009.0 7.88 0.634 78800 9.0 8.14 0.660 8140010.0 8.83 0.637 88300 10.0 9.11 0.656 9110011.0 9.76 0.640 97600 11.0 10.02 0.650 1002012.0 10.76 0.642 107600 14.0 12.93 0.642 129302.输出特性的测量Rb=100KΩRb=400KΩV DD/ V V CE/VV RC/VI c/mAV DD/VV CE/VV RC/VI c/mA0.1 0.009 0.007 0.015 0.3 0.024 0.198 0.4210.5 0.03 0.451 0.960 0.5 0.06 0.39 0.8301 0.046 0.902 1.919 1 0.12 0.77 1.6382 0.074 1.858 3.953 1.2 0.23 0.85 1.8093 0.11 2.84 6.043 1.6 0.65 0.86 1.8304 0.33 3.58 7.617 1.8 0.83 0.86 1.830 4.1 0.39 3.61 7.671 2 1.05 0.86 1.830 4.3 0.56 3.62 7.702 2.1 1.15 0.86 1.830 4.4 0.65 3.63 7.723 2.5 1..56 0.87 1.851 4.6 0.8 3.64 7.745 4 2.96 0.88 1.872 4.8 0.99 3.65 7.766 4.5 3.5 0.89 1.8945 1.19 3.65 7.766 6 4.97 0.9 1.9146 2.11 3.72 7.9157 5.88 0.91 1.9367 2.98 3.8 8.085 8 6.93 0.92 1.9578 3.92 3.9 8.298 10 8.82 0.93 1.979 10 5.76 4.03 8.574 12 10.73 0.95 2.021 12 7.47 4.15 8.829六、实验结果与误差分析实验得到的图形与理论大致符合：Vcc = 0的一条曲线与二极管的正向特性相似，Vcc由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移；ib逐渐增加时，输出特性曲线上移，饱和区几乎重叠。

晶体三极管的输入输出特性曲线

晶体三极管的输入、输出特性曲线三极管的特性曲线是指三极管各极上的电压和电流之间的关系曲线，是三极管内部性能的外部表现。

从使用三极管的角度来说，了解它的特性曲线是重要的。

由于三极管有两个PN结，因此它的特性曲线不像二极管那样简单。

最常用的有输入特性和输出特性曲线两种，在实际应用中，通常利用晶体管特性图示仪直接观察，也可用图1的电路开展测试逐点描绘。

（一）输入特性曲线输入特性是指，当三极管的集电极与发射极之间电压UCE保持为某一固定值时，加在三极管基极与发射极之间的电压UBE与基极电流IB之间的关系。

以3DG130C为例，按图1实验电路测试。

当UCE分别固定在O和1伏两种情况下，调整RPl测得的IB和UBE的值，列于表1。

它的输入特性曲线，如图2所示。

为了说明输入特性，图中画出两种曲线，表示UCE不同的两种情况。

但两条线不会同时存在。

图1晶体三极管输入、输出特性实验电路图2晶体三极管输入特性曲线表1三极管输入特性数据1.当UCE = O伏时，也就是将三极管的集电极与发射极短接，如图3所示，相当于正向接法的两个并联二极管。

图2中曲线A的形状跟二极管的正向伏安特性曲线非常相似，IB和UBE 也是非线性关系。

2.当UCE=I伏时，集电结反偏，产生集电极电流IC, 在一样的UBE条件下，基极电流IB就要减小。

（图2中a点降到b 点），因此曲线B相对曲线A右移一段距离。

可见，UCE 对IB有一定影响。

当UCE>1伏以后，IB与UCE几乎无关，其特性曲线和UCE = I优那条曲线非常接近，通常按UCE = I 伏的输出特性曲线分析。

图3 UCE=O时的等效电路图4 3AX52B的输入特性曲线图4是3AX52B错三极管的输入特性，注意横坐标是一UBE,这是指PNP型错管的基极电位低于发射极电位。

可见，错管和硅管它们的输入特性曲线都是非线性的，都有“死区”, 错管和硅管相比，错管在较小的UBE值下，就可使发射结正偏导通。

电子技术试验：三极管输入、输出特性曲线的测试

坐标。
五、下次预习要求
（P147实验4.14）
现代电子技术实验
4.13、三极管输入、输出特性曲线的测试
现代电子技术实验
预习情况检查
1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用。 2．晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要
参数定义。
现代电子技术实验
一.实验目的
1. 进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 2. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 3. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。
பைடு நூலகம்
设VCE =5V，适当选择和记录IBQ
ebc
1008：NPN型
IC
I B VCE 5V
IC
IB VCE 5V
iC
△IC IC
IB 10 A IB 8 A
IB 4 A
IB 2 A
VCE =5V
vCE
四、实验报告要求
1.写出所测参数的定义及其物理意义。 2.用坐标纸定量描绘特性曲线，正确标明相应
2.共射输出特性曲线
以输入口电流iB为参变量，反映输出口iC与vCE的函数关系曲线。
iC f (vCE ) IB 常数
iC
iB5 iB4
iB3
iB2 iB1
O
uCE
3.三极管输出特性测试电路
图示仪面板主要包括
阶梯信号部分
晶体管输出特性的动态测量
半导体特性图
示集电仪极电操源
作面板
测试台
Y轴
X轴阶梯电
源
三、实验内容
1．晶体管输出特性的测量
（1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。
（2）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。

晶体管特性曲线的测量

课程名称：电路与电子技术实验Ⅱ指导老师：成绩：__________________实验名称：晶体管特性曲线的测量类型：___________________同组学生姓名：__________ 一、实验目的和要求（必填）二、实验内容和原理（必填）三、主要仪器设备（必填）四、操作方法和实验步骤五、实验数据记录和处理六、实验结果与分析（必填）七、讨论、心得一、实验目的和要求1.复习三极管的输入特性曲线2.掌握三极管输入输出特性曲线的实验设计方法3.通过分析特性曲线，求取三极管主要参数二、实验内容和原理1.三极管的输入特性曲线三极管在共射连接情况下，保持U CE不变，通过不断增加U BE，测得U BE与i B之间的伏安特性曲线，即为三极管的输入特性曲线。

在输入特性曲线中，U CE=0的曲线与PN结的伏安特性曲线相类似。

当U CE增大至1V的过程中，曲线逐渐右移。

当U CE从1V起继续增大，曲线近似与U CE=1V保持不变，可用任何一条曲线代替所有曲线。

2.三极管的输出特性曲线三极管在共射连接情况下，保持i B不变，通过不断增加U CE，测得U CE与i C之间的伏安特性曲线，即为三极管的输出特性曲线。

在输出特性曲线中分为三个区：截止区、放大区、饱和区。

截止区：发射结反偏，集电结反偏，i C≤I CEO，I C近似认为为0。

放大区：发射结正偏，集电结反偏。

对于硅管，UCE>0.7，对于锗管，UCE>0.3。

iC仅决定于iC，与UCE无关。

理想情况下，放大区的曲线是一族横轴的等距离平行线，iC=βiB，△iC=β△iB。

饱和区：发射结正偏，集电结正偏。

当深度饱和的时候，对于硅管，UCE=0.3，对于锗管，UCE=0.1。

三、主要实验仪器DP832A 可编程线性直流电源；MY61数字万用表；综合实验箱四、操作方法和实验步骤1.测量输入特性曲线①将三极管插入万用表的测量三极管增益系数的插口中，大致测量β的近似值。

实验三三极管输入输出特性实验报告

HUNAN UNIVERSITY 课程实习报告题目：基于PSpice软件的二极管特性仿真学生姓名学生学号专业班级指导老师完成日期实验三三极管输入输出特性一、实验目的1. 掌握不同连接时的三极管的伏安特性曲线2. 掌握利用PSpice A/D 仿真功能中提供直流扫描分析（DC Sweep ）以及参数分析(Parametric Analysis)二、实验内容1. 仿真共射极连接时的输入、输出特性曲线(三极管Q2N2222)Q1Q2N2222000PARAMETERS:V3AC =TRAN =DC = {VCE}V4AC =TRAN =DC = 5v I实验结果截屏：Q1Q2N2222V1AC =TRAN =DC = 15v I1{IB}0PARAMETERS:I实验结果截屏：2. 仿真共基极连接时的输出特性曲线V1AC =TRAN =DC = 10v I1AC =TRAN =DC = {IE}Q1Q2N222200PARAMETERS:I实验结果截屏：三、实验心得1> 电路图中的参数用花括号括起，如下图中的{VCE}等2> 图中的PARAMETERS: place →part →add library 后，添加special.olb 3> 双击PARAMETERS: 出现property editor ，选择New column, name 中写入相应的参数名，例如下图中的VCE ，初始值VCE=0V ，IB=10uA ， IE=1mA4> 仿真过程，需要先进行DC Sweep 设定，然后options 中选择parametric sweep, 在sweep varaible 栏中选择GLOBAL PARAMETER ，在parameter name 中将相应的参数名写入。

在sweep type 栏中分别写入参数的变化，包括该参数的初始值、终值以及增量值。

5> 在设置数值时需要写好单位，否则可能得不到预期的结果。

三极管放大电路输入输出阻抗的测量-实验报告

三极管放⼤电路输⼊输出阻抗的测量-实验报告三极管放⼤电路输⼊输出阻抗的测量⼀、实验⽬的在学习了三极管放⼤电路后，通过实验进⼀步熟悉放⼤器电路的内部结构及放⼤原理，实验中测量放⼤电路输⼊输出阻，以及影响输⼊输出阻抗的因素⼆、实验原理单级阻容耦合放⼤器的电路如图1所⽰图1其主要性能指标有电压放⼤倍数A V，输⼊电阻R i，输出电阻R o及通频带B W，本实验主要内容是输⼊阻抗R i 和输出阻抗R o的测量。

对于任⼀个四端⽹络，在信号输⼊端输⼊电压与输⼊电流之⽐，称为输⼊阻抗，在输出端，输出电压与输出电流之⽐为输出阻抗（理想放⼤器的输出阻抗应为0）.1、输⼊阻抗的测量放⼤器的输⼊阻抗定义为：实验测量输⼊阻抗的电路如图2所⽰图2在放⼤器的输⼊端串联⼀只阻值已知的电阻Rs，输⼊信号的幅度到达放⼤器的输⼊端会被减⼩。

⽤电表分别测出Rs两端的对地电压Us和Ui，两者差值即Rs上的电压降Us-Ui，则流过输⼊端的电流：所以输⼊阻抗2、输出阻抗的测量测量输出阻抗的电路如图3所⽰图3放⼤器的输出端可视作有源⼆端⽹络，把它看做⼀个交流信号的电源，输出阻抗也就是其内阻，所以测量原理与测量电源内阻类似⽤电压表分别测出不接负载R L时的空载电压U0和外接负载R L后的输出电压U0’，则输出阻抗R0的表达式为：三、实验内容1、实验器材放⼤器模拟实验箱、DA-16型晶体管毫伏表、⽰波器、信号源、导线等2、实验步骤1、如图连接电路。

Rs恒定，改变Ic，分别测量Us和Ui，计算输⼊阻抗2、Ic恒定，改变Rc，分别测量U0与U0’，计算输出阻抗3、分析影响输⼊阻抗和输出阻抗的因素四、实验结果及分析1、输⼊阻抗的测量：Rs恒定，改变Ic（电路参数：R=100kΩ, V b恒定5mV, f u=1kHz正弦波）分析：可发现输⼊阻抗Ri2、输出阻抗的测量Ic恒定，改变Rc（电路参数： I c=1mA或2mA,R=100kΩ, U0恒定6.2V,f u=1kHz正弦波,负载R L=1kΩ）分析：可发现输出阻抗Ro会随Rc、Rc、Rc的变化对于Ro的影响更⼤。

实验三光敏三极管特性实验

实验三：光敏三极管特性实验一、实验目的：.1、熟悉光敏三极管的结构和作用原理；2、了解光敏三极管的特性，当工作偏压一定时，光敏三极管输出光电流与入射光的照度（或通量）的关系。

二、实验原理：光敏三极管是在光电二极管的基础上发展起来的，它和普通的晶体三极管相似——具有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，还受光的控制。

所以光敏三极管的外形有光窗。

有三根引线的也有二根引线的，管型分为PNP型和NPN型两种光敏三极管，NPN型称3DU型光敏三极管，PNP 型称3CU型光敏三极管。

现以3DU型为例说明硅光敏三极管的结构和作用原理，如图3-1所示。

以N 型硅片作为衬底，扩散硼而形成P型，再扩散磷而形成重掺杂N+层，并涂以SiO2作为保护层。

在重掺杂的N+侧开窗，引出一个电极并称作“集电极c”，由中间的P型层引出一个基极b，也可以不引出来（由于硅光敏三极管信号是以光注入，所以一般不需要基极引线），而在N型硅片的衬底上引出一个发射e，这就构成一个光敏三极管。

图3-1 3DU型光敏三极管结构原理图及符号硅光敏三极管的工作原理：工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即需要保证集电极反向偏置，发射极正偏置，由于集电极是反偏置，在结区内有很强的内建电场，对3DU型硅三极管来说，内建电场的方向是由c到b，与硅光电二极管工作原理相同，如果有光照到基极--集电极上，能量大于禁带宽度的光子在结区内激发出光生载流子-电子空穴对，这些载流子在内建电场的作用下，电子流向集电极，空穴流向基极，相当于外界向基极注入一个控制电流I b=I p（发射极是正向偏置和普通晶体管一样有放大作用）。

当基极没有引线，此时集电极电流：I c=β I b=β I p=S E·E·β式中β为晶体管的电流增益系数；E为入射照度；S E为光电灵敏度。

由此可见，光敏三极管的光电转换部分是集-基结区内进行，而集电极、基极、发射极又构成了一个有放大作用的晶体管。