最新光电检测期末复习

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光电探测与信号处理期末复习资料总结

光电探测与信号处理期末复习资料总结

一、主要的光源(1)1、热辐射源 太阳白炽灯2、气体放电光源 汞灯 氙灯 空心极灯 氘灯 利用气体放电原理制成的光源称为气体放电光源。

制作时在灯中充入发光用的气体,如氢、氦、氘、氙、氪等,或金属蒸气,如汞、镉、钠、铟、铊、镝等。

在电场作用下激励出电子和离子,气体变成导电体。

当离子向阴极、电子向阳极运动时,从电场中得到能量,当它们与气体原子或分子碰撞时会激励出新的电子和离子。

由于这一过程中有些内层电子会跃迁到高能级,引起原子的激发,受激原子回到低能级时就会发射出可见辐射或紫外、红外辐射。

这样的发光机制被称为气体放电原理。

气体放电光源具有下列共同的特点:(1)发光效率高。

比同瓦数的白炽灯发光效率高2~10倍,因此具有节能的特点;(2)结构紧凑。

由于不靠灯丝本身发光,电极可以做得牢固紧凑,耐震、抗冲击;(3)寿命长。

一般比白炽灯寿命长2~10倍;(4)光色适应性强,可在很大范围内变化。

3、固体发光源 场致发光:固体在电场的作用下将电能直接转换为光能的发光现象,也称电致发光,其有三种形态:粉末场致发光源薄膜场致发光源结型场致发光源(二极管)LED 的特性参数 (1)量子效率。

发光二极管一般用量子效率来表示表征器件这一性能的参数就是外量子效率,表示如下,其中, NT 为器件射出的光子数。

4、激光器 1.气体激光器:氦-氖激光器、 氩离子激光器、 二氧化碳激光器2.固体激光器3.染料激光器4.半导体激光器(2)光源的颜色 光源的颜色包含了两方面的含义,即色表和显色性。

色表:用眼睛直接观察光源时所看到的颜色,称为光源的色表。

显色性:当用这种光源照射物体时,物体呈现的颜色与该物体在完全辐射体照射下所呈现的颜色的一致性,称为该光源的显色性。

光源选择的基本要求:光源发光强度,稳定性及其它方面的要求;光源发光光谱特性的要求。

二、光电二极管1、正常运用时,光电二极管要加反向电压,Rsh 很大,Rs 很小,所以图b 中的V 、Rsh 、Rs 都可以不计,因而有图c 的形式;图d 又是从图c 简化来的,因为Cf 很小,除了高频情况要考虑它的分流作用外,在低频情况下,它的阻抗很大,可不计。

光电检测技术与应用期末考试复习资料

光电检测技术与应用期末考试复习资料

26、 外差检测:a、外差检测增益高,b、微弱光线下,外差检测表现出十分高的转换 增益,c、光外差检测方式具有天然检测微弱信号的能力。 27、 外差检测输出电流包含有信号光的振幅、 频率和相位的全部信息, 这是直接检测所 做不到的。 28、 信噪比用来衡量其质量的好坏,其灵敏度的高低与此密切相关。 29、 直接检测方法不能改善输入信噪比。 30、 对应检测电路的不同工作状态,频率特性可有不同的简化形式。 31、 在保证所需检测灵敏度的前提下获得最好的线性不失真和频率不失真是光电检测 电路设计的两个基本要求。 32、 检测电路频率特性的设计包括:a、确定信号的频谱分布,b、确定多级光电检测 电路的允许通频带宽和上限截止频率,c、确定单级检测电路的阻容参数。 33、 光敏电阻与其他半导体光电器件相比,有以下特点:a、光谱响应范围宽,b、工 作电流大,可达数毫安,c、所测的光电强度范围宽,即可测弱光也能侧强光。d、灵敏 度高,e、无选择极性之分,使用方便。 34、 硅光电二极管与硅光电池相比,前者掺杂浓度低。 35、 光生伏特效应是指光照射在半导体 PN 结或金属和半导体的接触面上时,会在 PN 结或金属半导体接触面上产生光生电动势的现象,属于内光电效应。 36、 光电检测电路设计的原则: 保证光电器件和后续电路的最佳工作状态, 基本要求: a、灵敏的光电转换能力,b、快速的动态响应能力,c、最佳的信号检测能力,d、长期 工作的稳定性和可靠性。 37、 条形码识别:a、要求建立一个光学系统,b、要求一个接受系统能够采集到光点 运动时打在条形码条符上反射回来的反射光,c、要求一个电子电路将接受到的光信号 不失真的转换成电脉冲。 38、 L=(1) (2) ( 3) (4)第一个括号是目标辐射特性及大气透过率对作用距离的影响, 第二和第三个括号是表示光学系统及检测器特性对作用距离的影响,第四个括号是信息 处理系统对作用距离的影响。 39、 φ=Ad/f²,增大视场角φ时,可增ห้องสมุดไป่ตู้检测器面积或减小光学系统的焦距,这两个方 面对检测系统的影响都是不利的:a、增加检测器的面积意味着增大系统的噪声,b、减 小焦距使系统的相对孔径加大,这也是不允许的,另一方面视场角增大后引入系统的背 景辐射也增加,使系统灵敏度下降。 40、 硅光电池的负载特性:a、光电流在弱光下与光照度呈线性关系,b、光照增加到 一定条件时光电流趋于饱和,c、负载大的时候更易出现 饱和,要获得较大的线性度负载不能太大。

《光电检测期末复习题》

《光电检测期末复习题》

第一次作业1、光电检测技术有何特点?光电检测系统的基本组成是怎样的?答:光电检测技术是将光学技术与现代技术相结合,以实现对各种量的测量,它具有如下特点:(1)高精度,光电测量是各种测量技术中精度最高的一种。

(2)高速度,光电检测以光为媒介,而光是各种物质中传播速度最快的,因此用光学方法获取和传递信息的速度是最快的。

(3)远距离、大量程,光是最便于远距离传递信息的介质,尤其适用于遥控和遥测。

(4)非接触式测量,不影响到被测物体的原始状态进行测量。

光电检测系统通过接收被测物体的光辐射,经光电检测器件将接收到的光辐射转换为电信号,再通过放大、滤波等电信号调理电路提取有用信息,经数模转换后输入计算机处理,最后显示,输出所需要的检测物理量等参数。

2、什么是能带、允带、禁带、满带、价带和导带?绝缘体、半导体、导体的能带情况有何不同?答:晶体中电子所能具有的能量范围,在物理学中往往形象化地用一条条水平横线表示电子的各个能力值,能量愈大,线的位置愈高,一定能量范围内的许多能级(彼此相隔很近)形成一条带,称为能带。

其中允许被电子占据的能带称为允带。

允带之间的范围是不允许电子占据的,称为禁带。

在晶体中电子的能量状态遵守能量最低原理和泡利不相容原理,晶体最外层电子壳层分裂所形成的能带称为价带。

价带可能被电子填满也可能不被填满,其中被填满的能带称为满带。

半导体的价带收到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导电的能带--导带。

对绝缘体和半导体,它的电子大多数都处于价带,不能自由移动,但是热,光等外界因素的作用下,可以少量价带中的电子越过禁带,跃迁到导带上去成为载流子。

绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。

半导体的禁带很窄,绝缘体的禁带宽一些,电子的跃迁困难的多,因此,绝缘体的载流子的浓度很小。

导电性能很弱。

实际绝缘体里,导带里电子不是没有,并且总有一些电子会从价带跃迁到导带,但数量极少,所以,在一般情况下,可以忽略在外场作用下他们移动所形成的电流。

《光电检测期末复习题》(精品文档)

《光电检测期末复习题》(精品文档)

《光电检测期末复习题》(精品文档)第一次作业1、光电检测技术有何特点?光电检测系统的基本组成是怎样的?答:光电检测技术是将光学技术与现代技术相结合,以实现对各种量的测量,它具有如下特点:(1)高精度,光电测量是各种测量技术中精度最高的一种。

(2)高速度,光电检测以光为媒介,而光是各种物质中传播速度最快的,因此用光学方法获取和传递信息的速度是最快的。

(3)远距离、大量程,光是最便于远距离传递信息的介质,尤其适用于遥控和遥测。

(4)非接触式测量,不影响到被测物体的原始状态进行测量。

光电检测系统通过接收被测物体的光辐射,经光电检测器件将接收到的光辐射转换为电信号,再通过放大、滤波等电信号调理电路提取有用信息,经数模转换后输入计算机处理,最后显示,输出所需要的检测物理量等参数。

2、什么是能带、允带、禁带、满带、价带和导带?绝缘体、半导体、导体的能带情况有何不同?答:晶体中电子所能具有的能量范围,在物理学中往往形象化地用一条条水平横线表示电子的各个能力值,能量愈大,线的位置愈高,一定能量范围内的许多能级(彼此相隔很近)形成一条带,称为能带。

其中允许被电子占据的能带称为允带。

允带之间的范围是不允许电子占据的,称为禁带。

在晶体中电子的能量状态遵守能量最低原理和泡利不相容原理,晶体最外层电子壳层分裂所形成的能带称为价带。

价带可能被电子填满也可能不被填满,其中被填满的能带称为满带。

半导体的价带收到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后即成为导电的能带--导带。

对绝缘体和半导体,它的电子大多数都处于价带,不能自由移动,但是热,光等外界因素的作用下,可以少量价带中的电子越过禁带,跃迁到导带上去成为载流子。

绝缘体和半导体的区别主要是禁的宽度不同。

半导体的禁带很窄,绝缘体的禁带宽一些,电子的跃迁困难的多,因此,绝缘体的载流子的浓度很小。

导电性能很弱。

实际绝缘体里,导带里电子不是没有,并且总有一些电子会从价带跃迁到导带,但数量极少,所以,在一般情况下,可以忽略在外场作用下他们移动所形成的电流。

光电检测期末考试试题

光电检测期末考试试题

光电检测期末考试试题### 光电检测期末考试试题#### 一、选择题(每题5分,共40分)1. 光电检测技术中,光电效应是指()。

A. 光能转化为热能B. 光能转化为电能C. 电能转化为光能D. 热能转化为光能2. 下列哪种材料不适合用作光电探测器的材料?()A. 硅B. 锗C. 铜D. 硒3. 光电倍增管(PMT)的主要作用是()。

A. 放大电流B. 放大电压C. 放大光信号D. 放大声音信号4. 在光电检测中,光敏电阻的电阻值随光照强度的增加而()。

A. 增加B. 减少C. 保持不变D. 先增加后减少5. 光电二极管的工作原理基于()。

A. 光电效应B. 热电效应C. 光电导效应D. 光伏效应6. 光电检测技术在以下哪个领域应用最广泛?()A. 通信B. 医疗C. 军事D. 所有以上7. 光电检测系统的灵敏度主要取决于()。

A. 光源的亮度B. 探测器的响应速度C. 信号处理电路的增益D. 所有以上8. 在光电检测系统中,滤光片的主要作用是()。

A. 改变光的强度B. 改变光的波长C. 改变光的方向D. 改变光的相位#### 二、简答题(每题10分,共40分)1. 简述光电效应的基本原理,并说明其在光电检测中的应用。

2. 描述光电倍增管(PMT)的工作原理,并解释其在提高光电检测灵敏度方面的优势。

3. 说明光敏电阻在不同光照条件下的电阻变化规律,并讨论其在光电检测中的作用。

4. 阐述光电二极管和光电晶体管的主要区别,并讨论它们在光电检测系统中的不同应用场景。

#### 三、计算题(每题10分,共20分)1. 假设一个光电二极管在无光照时的暗电流为10nA,光照强度增加后,其电流增加到1μA。

如果该二极管的光电流与光照强度成正比,求光照强度增加了多少倍?2. 在一个光电检测系统中,使用了一个增益为10^6的光电倍增管。

如果入射光信号产生的光电子数为100,计算经过光电倍增管放大后的信号电流(假设每个光电子产生一个电子-空穴对)。

《光电检测技术》考试复习重点

《光电检测技术》考试复习重点

《光电检测》复习精华第一章 光辐射物理基础1、基本光辐射度量单位:J (辐射能)、W (辐射功率)基本光度量单位:lm (光通量)、cd (发光强度)、lx (光照度)2、朗伯余弦定律:辐射源单位面积向某方向单位立体角发射(或反射)的辐射功率,与该方向及表面法线的余弦成正比。

3、基尔霍夫定律:在任一给定温度的热平衡条件下,任何物体的辐出度与其吸收比的比值等于辐射源在它上面的辐照度,该比值与物体的温度和物体被照射的辐射波长有关,与物体本身的性质无关,是物体波长和温度的普适函数。

4、斯忒蕃-玻尔兹曼定律:M b =σT 4.维恩位移定律:λm T=b=2897.8μm ·K5、腔形黑体源一般有三种基本腔形:锥形腔、柱形腔和球形腔。

6、探测目标或识别对象的辐射称为目标辐射,探测目标或识别对象以外的辐射称为背景辐射。

7、受激辐射过程:处于高能态的原子由于受外界光子激发向低能态跃迁而发射光子的过程,称为受激辐射过程。

8、【简答】激光形成过程:①受激吸收;②形成粒子数反转;③受激辐射;④光学谐振腔对受激光辐射的加强作用。

9、激光辐射的四个特点:高方向性、高亮度和高功率辐射密度、高单色性、高相干性。

10、按激光工作物质分:有固体激光器、气体激光器、液体激光器和半导体激光器。

11、光辐射在媒质内传输中,会因插入媒质的表面辐射、内部吸收和散射等过程而衰减。

12、【简答】空间滤波的原理:P40。

13、调制盘按照扫描方式分类,可分为旋转式、圆锥扫描式和圆周平移式三类。

14、【计算】P5215、【简答】吸收比和吸收系数定义有什么差别?P52(P23)。

吸收比:被媒质内部吸收的功率与入射辐射功率的比值。

吸收系数:媒质吸收引起辐射功率减少的相对值dP/P ,与辐射在媒质内传播的距离成正比,即x PP d d α=−,在这里α称为材料的吸收系数。

第二章 光辐射探测器1、依光辐射与物质相互作用原理的不同可把光辐射探测器分为光子探测器和热探测器两大类。

光电检测期末复习汇编

光电检测期末复习汇编
4、FTCCD指的是帧转移型CCD
5、发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件,他由P型和N型半导体组合而
成。其发光机理可以分为_PN结注入发光_、_异质结注入发光一。
6光电池的PN结工作在仝偏状态,它的开路电压会随光照强度的增加而增
加。
7、对于辐射源来说,光通量(光功率)定义为单位时间内向所有方向发射的可 见光能量。
检测器件的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。(3)光电检测器件的响应
特性必须和光信号的调制形式、 信号频率及波形相匹配, 以保证得到没有频率失 真和良好的时间响应。(4)光电检测器件必须和输入电路以及后续电路在电特性 上相互匹配,以保证最大的转换系数、 线性范围、信噪比以及快速的动态响应等。
4、光源选择的基本要求有哪些?
3对光源稳定性的要求。不同的光电测试系统对光源的稳定性有着不同的要 求。通常依不同的测试量来确定。稳定光源发光的方法很多,一般要求时,可采 用稳压电源供电。当要求较高时,可采用稳流电源供电。所用的光源应该预先进 行月化处理。当有更高要求时,可对发出光进行采样,然后再反馈控制光源的输 出。
4对光源其他方面的要求。光电测试中光源除以上几条基本要求外; 还有一 些具体的要求。如灯丝的结构和形状;发光面积的大小和构成;灯泡玻壳的形状 和均匀性;光源发光效率和空间分布等等,这些方面都应该根据测试系统的要求 给以满足。
(2)光敏电阻没有极性,工作时可任意外加电压;而结型光电器件有确定 的正负极性,但在没有外加电压下也可以把光信号转换成电信号。
(3)光敏电阻的光电导效应主要依赖于非平衡载流子的产生与复合运动, 时间常数较大, 频率响应较差; 结型器件的光电效应主要依赖于结区非平衡载流 子中部分载流子的漂移运动, 电场主要加在结区, 弛豫过程的时间常数 (可用结 电容和电阻之积表示)相应较小,因此响应速度较快。

光电检测技术期末试卷试题大全

光电检测技术期末试卷试题大全

光电检测技术期末试卷试题大全1.选择题1. 红外光电传感器是一种常见的光电检测设备,它的工作原理是通过检测红外线的______来实现对目标物的检测。

A. 强度B. 频率C. 极性D. 相位2. 光电二极管是一种常见的光电检测器件,它的工作原理是基于______效应。

A. 光电B. 热释电C. 雷射D. 压电3. 光电检测技术在工业自动化中的应用主要包括______。

A. 物体检测B. 位置测量C. 温度测量D. 速度测量4. 光电检测器件中,______是用来控制光电转换效率的重要参数。

A. 光敏面积B. 波长范围C. 频率D. 光电流5. 光电检测技术在机器人领域中的应用主要包括______。

A. 图像识别B. 人脸识别C. 声音识别D. 语音识别2.填空题1. 光电检测技术中,______是指通过发光二极管或激光二极管产生光信号的过程。

2. 光电检测器件中,______是指当光照射到光敏元件表面时产生的电荷量。

3. 光电检测技术中,______是指将光信号转化为电信号的过程。

4. 光电检测技术中,______是指通过对检测光信号进行处理获得目标物的信息。

3.简答题1. 请简要描述红外光电传感器的工作原理,并举例说明其在实际应用中的使用场景。

2. 光电二极管与普通二极管相比有什么不同之处?为什么光电二极管被广泛应用于光电检测技术领域?3. 光电检测技术在工业自动化中的应用主要有哪些优势?请列举并解释其中的一两个优势。

4. 光电检测器件的频率响应是什么?如何调节光电检测器件的频率响应?5. 光电检测技术在机器人领域中的应用主要有哪些优势?请列举并解释其中的一两个优势。

4.综合问题现代工业生产过程中,光电检测技术扮演着重要的角色。

请结合实际案例,阐述光电检测技术在工业自动化中的应用,并分析其对提高生产效率和质量的影响。

在答题过程中,可参考以下结构进行撰写:1. 引言:介绍光电检测技术在工业自动化中的重要性和应用需求。

光电检测技术期末试卷试题大全

光电检测技术期末试卷试题大全

1、光电器件的基本参数特性有哪些?(响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度)@响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应@噪声分类:热噪声散粒噪声产生-复合噪声 1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP2、光电信息技术是以什么为基础,以什么为主体,研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。

(光电子学光电子器件)3、光电检测系统通常由哪三部分组成(光学变换光电变换电路处理)4、光电效应包括哪些外光电效应和内光电效应)外光电效应:物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。

内光电效应:物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。

内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。

光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。

光生伏特效应:光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时,会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。

5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件,按用途可分为哪几种?(光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池)6、激光的定义,产生激光的必要条件有什么?(定义:激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔)7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出?(交变辐射)8、CCD是一种电荷耦合器件,CCD的突出特点是以什么作为信号,CCD的基本功能是什么?(电荷 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。

)9根据检查原理,光电检测的方法有哪四种。

(直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法)10、光热效应应包括哪三种。

(热释电效应辐射热计效应温差电效应)11、一般PSD分为两类,一维PSD和二维PSD,他们各自用途是什么?(一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置;二维PSD用来测定光点在平面上的坐标。

)12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器,它的结构特点是有一个真空管,其他元件都在真空管中,真空光电器件包括哪两类。

光电检测复习

光电检测复习

光电检测复习第一章1、什么是光电检测:采用不同的手段和方法获取信息,运用光电技术的方法来检验和处理信息,从而实现各种几何量和物理量的测量,称为光电检测。

2、构成:辐射源,光学系统,光电系统,电子学系统,计算机系统第二章1、什么是光电效应?光电效应:当光照射到物体上,使物体发射电子,或电导率发生变化、或产生光电动势等,这种因光照而引起物体电学特性的改变统称为光电效应外光电效应(光电子发射效应)被光激发产生的电子逸出物质表面,形成真空中的电子的现象内光电效应被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生电动势的现象内光电效应有:光电导效应、光生伏特效应等2、什么是光电导效应?光电导效应:因光照使半导材料中导带内的电子和价带内空穴浓度增加(即电子—空穴对增加),从而使电导率变大光生伏特效应:光伏现象——半导体材料的“结”效应。

PN 结的形成:扩散(多子)与漂移(少子)相平衡光电池、光电二极管、光电晶体管、光电场效应管、PIN 管、雪崩光电二极管、阵列式光电器件、象限式光电器件、位置敏感探测器(PSD )、电荷耦合器、光电耦合器件等3、由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮蔽面之间的伏特现象称为丹倍效应。

半导体部分遮蔽、部分光照,载流子向遮蔽区扩散;电子迁移率大于空穴迁移率,遮蔽区积累电子+光照区积累空穴;形成光生伏特现象。

4、磁光效应:丹倍效应+载流子的洛伦兹偏转5、半导体对光的吸收半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带,在价带中留下空穴,产生等量的电子与空穴,这种吸收过程叫本征吸收。

非本征吸收包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收和晶格吸收等。

杂质吸收:杂质能级上的电子(或空穴)吸收光子能量从杂质能级跃迁到导带(空穴跃迁到价带),这种吸收称为杂质吸收。

杂质吸收的波长阈值多在红外区或远红外区。

自由载流子吸收:导带内的电子或价带内的空穴也能吸收光子能量,使它在本能带内由低能级迁移到高能级,这种吸收称为自由载流子吸收,表现为红外吸收。

光电检测技术复习

光电检测技术复习
光电检测技术试卷题型及分数
一、填空题 二、简答题 三、计算题 四、推导题
贯穿灵敏度、 贯穿灵敏度、光度学参数的计算
第一章 光电检测技术概论 第二章 光辐射的光度学基础
2.1 2.2 2.3 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 辐射量和光学量及其单位 辐热辐射光源 气体放电光源 金属卤化物灯 电致发光光源 激光光源— 激光光源—激光器
η n = (1 − ε ) n ≈ 1 − n ε = 0 . 5
0 .5 1 ε = = = 0 . 0244 % 2048 4096
第三章 光电检测系统中的常用光源
第四章 光电检测常用器件
4.1 4.2 4.3 4.4 半导体基础知识 光电器件的性能参数 光电器件的噪声 光电发射器件
4.4.1 光电发射效应 4.4.2 光电真空器件及其特性 4.5 光电导器件 4.5.1 光电导效应 4.5.2 光敏电阻及其特性
4.6 光伏器件 4.6.1 光伏效应 4.6.2 光电池 4.6.3 光敏二极管 PIN光敏二极管 4.6.4 PIN光敏二极管 4.6.5 雪崩光敏二极管 光电位置敏感器件(PSD) 4.6.6 光电位置敏感器件(PSD) 4.6.7 光伏器件的特性与使用要点 4.7 各种光子探测器性能比较和应用选择 4.8 光电成像器件 4.8.1 像管 4.8.2 摄像管 4.8.3 电荷耦合器件工作原理
I 3 = I1 + I 2
L ( I1 + I 2 ) − 2 LI1 I 2 − I1 = L I3 I3
由此可以计算出:
2 LI1 L − xA = I3
xA = L −
2 LI1 LI 3 − 2 LI1 = I3 I3
=
五、一个二相驱动CCD,像元数 m=1024,若要求最后位仍有 50%的电荷输出,求电荷转移损失效率ε为多少? 解: 二相CCD,电极数: n = 2 m = 2048 总转移效率: 所以:

光电检测复习

光电检测复习

光电检测技术与应用复习第一章1、信息技术是一种综合技术,基本内容:感测技术,通信技术,人工智能,计算技术以及控制技术。

当今时代,还包括:微电子信息技术,光电信息技术。

2、光电信息技术:光与电子转换及应用的技术。

3、光电检测技术:利用光电传感器实现各类检测,将被测量转换为光通量,再将光通量转换为电量,并综合利用信息传送技术和信息处理技术,完成各类物理量的在线和自动检测。

4、检测:通过一定的物理方式,分辨出被测参数量并归属到某一范围带,以此来判别合格或参数量是否存在。

测量:将被测的未知量与同性质的标准量进行比较,确定被测量对标准量的倍数,并通过数字表示出这个倍数的过程。

直接测量:对被测物进行测量时,对仪表读数不经任何运算,直接得出被测量的数值。

(温度计测量温度,万用表测量电压)间接测量:测量几个与被测量有关的物理量,通过函数关系式计算出被测量的数值。

5、传感器:将非电量转换为与之有对应关系的电量输出。

能量控制型传感器(有源传感器):将被测量变化转换成电参数变化(电阻,电容),需外加激励电源,才能将被测量参数变化转换成电压、电流变化。

能量转换型传感器(无源传感器):直接将被测量变化转换成电压、电流的变化,不需外加激励源。

敏感器:将被测非电量转换为可用非电量的器件或装置。

6、光电传感器光电二极管:高速的光检测电路、宽范围照度的照度计、超高速的激光传感器光电晶体管:几千赫兹的激光脉冲传感器、简单电路中低速脉冲光电开关光敏电阻Cds:响应速度慢,但性能良好的电阻桥式传感器以及具有电阻性质的光电传感器、路灯自动亮灭电路中的光电传感器、随光的强弱成比例改变的可变电阻光电耦合器:集成光电传感器:旋转编码器、速度传感器光电池:图像传感器:7、电子检测系统组成:传感器、信号调理器、输出环节光电检测系统:(基本环节)光发射机、光学信道、光接收机主动式:光发射机由光源和调制器构成被动式:光发射机为被检测物体的辐射发射光接收机:光接收机前端、光电检测器、后续检测信号处理器功率检测接收机(直接检测接收机、非相干接收机)外差接收机8、光学变换:光载波与被测对象相互作用将被测量载荷到光载波上。

简答题——光电检测技术期末整理

简答题——光电检测技术期末整理

1、雪崩光电二极管的工作原理(当光敏二极管的PN结上加相当大的反向偏压(100~200V)时,在结区产生一个很强的电场,使进入场区的光生载流子获得足够的能量,在与原子碰撞时可使原子电离,而产生新的电子—空穴对。

只要电场足够强,此过程就将继续下去,使PN结内电流急剧增加,达到载流子的雪崩倍增,这种现象称为雪崩倍增效应。

)2、光生伏特效应与光电导效应的区别和联系?(共性:同属于内光电效应。

区别:光生伏特效应是少数载流子导电的光电效应,而光电导效应是多数载流子导电的光电效应。

)什么是敏感器?敏感器与传感器的区别和联系?(将被测非电量转换为可用非电量的器件。

共性:对被测非电量进行转换。

区别:敏感器是把被测量转换为可用非电量,传感器是把被测非电量转换为电量)发光二极管的工作原理。

(在PN结附近,N型材料中的多数载流子是电子,P型材料中的多数载流子是空穴,PN结上未加电压时构成一定的势垒,当加上正向偏压时,在外电场作用下,P区的空穴和N区的电子就向对方扩散运动,构成少数载流子的注入,从而在PN 结附近产生导带电子和价带空穴的复合。

一个电子和一个空穴对每一次复合,将释放出与材料性质有关的一定复合能量,这个能量会以热能、光能、或部分热能和部分光能的形式辐射出来。

说明光子器件与热电器件的特点。

光子器件热电器件响应波长有选择性,一般有截止波长,超过该波长,器件无响应。

响应波长无选择性,对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感响应快,吸收辐射产生信号需要的时间短,一般为纳秒到几百微秒响应慢,一般为几毫秒PIN型的光电二极管的结构、工作原理及特点(它的结构分三层,即P型半导体和N型半导体之间夹着较厚的本征半导体I层,它是用高阻N型硅片做I层,然后把它的两面抛光,再在两面分别作N+和P+杂质扩散,在两面制成欧姆接触而得到PIN光电二极管。

原理:层很厚,对光的吸收系数很小,入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量的电子-空穴对,因而大幅度提供了光电转换效率,从而使灵敏度得以很高。

光电检测技术期末试卷试题大全

光电检测技术期末试卷试题大全

1、光电器件的基本参数特性有哪些?(响应特性噪声特性量子效率线性度工作温度)@响应特性分为电压响应度电流响应度光谱响应度积分响应度响应时间频率响应@噪声分类:热噪声散粒噪声产生-复合噪声 1/f噪声信噪比S/N 噪声等效功率NEP2、光电信息技术是以什么为基础,以什么为主体,研究和发展光电信息的形成、传输、接收、变换、处理和应用。

(光电子学光电子器件)3、光电检测系统通常由哪三部分组成(光学变换光电变换电路处理)4、光电效应包括哪些外光电效应和内光电效应)外光电效应:物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物。

内光电效应:物体受到光照后所产生的光电子只在物质内部而不会逸出物体外部——多发生在半导体。

内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。

光电导效应:半导体受光照后,内部产生光生载流子,使半导体中载流子数显著增加而电阻减少的现象。

光生伏特效应:光照在半导体PN结或金属—半导体接触面上时,会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。

5、光电池是根据什么效应制成的将光能转换成电能的器件,按用途可分为哪几种?(光生伏特效应太阳能光电池和测量光电池)6、激光的定义,产生激光的必要条件有什么?(定义:激光是受激辐射的光放大粒子数反转光泵谐振腔)7、热释电器件必须在什么样的信号的作用下才会有电信号输出?(交变辐射)8、CCD是一种电荷耦合器件,CCD的突出特点是以什么作为信号,CCD的基本功能是什么?(电荷 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。

)9根据检查原理,光电检测的方法有哪四种。

(直接作用法差动测量法补偿测量法脉冲测量法)10、光热效应应包括哪三种。

(热释电效应辐射热计效应温差电效应)11、一般PSD分为两类,一维PSD和二维PSD,他们各自用途是什么?(一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置;二维PSD用来测定光点在平面上的坐标。

)12、真空光电器件是基于什么效应的光电探测器,它的结构特点是有一个真空管,其他元件都在真空管中,真空光电器件包括哪两类。

光电检测复习资料(有答案).doc

光电检测复习资料(有答案).doc

光电检测复习资料(有答案)光电检测复习资料简答(6′×5)长波限实际值小于理论值的原因LED为何正偏,光电二极管为何反偏光电池特性曲线分析用PSD测量两平面的相对平行度环境监测计算(10′×5)光敏电阻光电二极管光电倍增管视场角填空(1′×20)1.ZeS基于场致发光。

2.砷化镓禁带宽度1.44,那么其长波限为_861.11nm_(),实验值测得的长波限是1000nm,原因是1在振荡过程中,经多次反射后,长波和短波吸收不一样,短波更易被吸收,长波被吸收少。

2随着PN结的温度的升高,波长向长波方向移动。

3.已知Δf的值为1,量子效率η的值为1,那么直接检测的最小功率相当于2个光子,相干检测的最小功率相当于1个光子。

()4.求量子效率:5.如果两块光栅的栅距均为P=0.2mm,两光栅的栅线夹角为θ=1°。

所形成的莫尔条纹的宽度__11.46mm__()。

若光电探测器件测出莫尔条纹共走过12个,两光栅相互移动的距离___2.4mm__(L=NP)。

6.SI(λ)=Iλ/dPλl,这称为光谱灵敏度。

用相位测距法测量距离,设被测距离最大范围为10Km,要求测距精度为1cm,而各尺的测量精度为1‰。

试给出测尺的个数以及各测尺的长度和频率。

如果题目精度为1%,那么需要三把尺子,一把10KM,能精确到100m。

还需要一把100m的尺子,能精确到1m,再要一把1m的,能精确到1cm。

综上需要三把尺子。

对应工作频率.第三章P52,第六题。

用CdS光敏电阻用做光电传感器,光敏电阻最大功耗为300mW,。

(电子电荷量e:1.6×10-19,普朗克常量h:6.63×10-34)(主要涉及公式:)(,ΔU=ΔI×RL)。

光电检测技术期末考试题库试卷四参考答案

光电检测技术期末考试题库试卷四参考答案

光电检测技术期末考试题库试卷四参考答案一单项选择题(每小题2分,共40分)1.PN结光生伏特效应( A ).A. 空穴集中的P区结表面; B . 空穴集中的N区;C. 空穴集中的P区外表面;D. 空穴集中的N区外表面.2.基尔霍夫定律为( D )。

A. σT 4B. σT2C. Tλm=BD. α(λ,T)= ε(λ,T)3.辐射量是光度度量的( D )倍.A.683B. V(λ)C.683V(λ) D . 1/683 V(λ)4. 太阳光经过大气,其中100nm~200nm的光被( A )吸收.A.氧分子B.臭氧C.二氧化碳D.氮原子5.下列光源中,最佳的彩色摄影用光源是( A ).A.白炽灯B.钠灯C.高压汞灯D.汞氙灯6. 氙灯是一种( A ).A.气体光源B. 热光源C. 冷光源D. 激光光源7. 充气白炽灯主要充入( B ).A. 氢气B. 氯化碘C. 氖气D. 氪气8.某一干涉测振仪的最高频率为20 MHz,选用探测器的时间常数应小于多少?( A ).A. 8×10-9sB. 6×10-8sC. 3×10-7sD. 4×10-5s 9.光电池电流滞后于光照,属于光电池的( A )特性:A. 频率;B. 伏安;C. 光谱;D. 温度.10.发光二极管的工作条件是( B ).A.加热 B. 加正向偏置 C. 加反向偏置D. 加光照11.EBCCD表示的是( C )CCD.A. 增强型;B. 时间延迟型;C. 电子轰击模式;D. 红外.12. Ag-O-Cs 材料,主要用于( A )变像管光阴极.A. 红外B. 紫外C. 可见D. X射线13. 辐通量相同时,光通量较大的光的波长是( A )nm.A.555B.590C.620D.78014. ZnS的发光是( D ) :A. 自发辐射B.受激辐射C. 热辐射D.电致发光15.半导体中受主能级的位置位于( A ).A. 禁带低B. 禁带顶C. 导带顶D. 价带低16.下面哪个不属于摄像管的功能( D ).A. 光电变换B. 电荷积累C. 扫描输出D. 信号变换17.波长为40μm的波属于( B ).A. 中红外线B. 太赫兹波C. 可见光D. 无线电波18.结型光电器件与三极管连接,保证放大,要接在( A ).A.基射极间正偏B. 基集极间正偏C. 基射极间反偏D. 基集极间正偏19.属于激光光放大的器件是( A ).A. LDB. LEDC. CCDD. PMT20.目前最好反隐身战术主要通过( B )来实现.A.红外技术B.微波技术C.THz技术D.微光技术二、多项选择题(每题2分,共10分)1.结型红外探测器件种类有(ABCDE )。

光电检测期末复习题

光电检测期末复习题

13. 简述结型光电器件为何要加反向偏置电压。
14. 简述光敏电阻的工作原理,与结型光电器件的主要区别是什么?
15. 为什么光敏电阻多采用N型半导体制成?电极间距、受光面积大小 有何影响? 16. 什么是雪崩倍增效应,简述雪崩光电二极管的工作原理及主要特征。 17. 简述双结光电二极管半导体色敏器件的结构特征和工作原理, 与紫外光电二极管有 何相似之处? 18. 简述光电管、光电倍增管的工作原理。
19. 光电倍增管和微通道板光电倍增管在结构上的的主要区别是什么?
微通道板的作用是什么? 20. 光电倍增管的主要噪声有哪些?
21. 除光电变换外有放大作用的光电探测器有哪些?其中结型器件有哪些?
22. 什么是热释电效应?简述热释电型探测器的工作原理及使用注意事项。 23. 红外探测器为什么峰值波长愈长其工作温度愈低? 24. 简述像管、摄像管的工作原理和基本功能。
5. 一般光电测量系统的噪声分为哪几类?包括什么噪声?
6. 探测器噪声有哪些种类?大小与那些因素有关? 7. 简述光电发射第一定律及光电发射第二定律,其区别何在?
8. 光电探测器的特性参数有哪些?简述如何合理选择光电探测器。
9. 太阳属于哪一类辐射源?相当于多少K的黑体辐射?其不同光谱区辐射 比例如何? 10. 请列出三种对太阳辐射有吸收衰减作用的大气成分。 11. 简述硅光电池的基本结构和工作原理。
期末考试复习题
重点: 1)光电检测相关的基本定律、相关物理效应; 2)主要器件的工作原理、特点及相互区别;
题型:填空题、简答题、计算题、分析题。 (范围除作业题外做如下追加)Fra bibliotek计算题
1. 辐射度学、光度学相关计算;
2. 波长、频率、波数、能量的换算;

光电测试技术复习资料

光电测试技术复习资料

PPT中简答题汇总1. 价带、导带、禁带的定义及它们之间的关系。

施主能级和受主能级的定义及符号。

答:价带:原子中最外层电子称为价电子,与价电子能级相对应的能带称为价带;E V(valence)导带:价带以上能量最低的允许带称为导带;E C(conduction)禁带:导带与价带之间的能量间隔称为禁带。

Eg(gap) 施主能级:易释放电子的原子称为施主,施主束缚电子的能量状态。

E D(donor)受主能级:容易获取电子的原子称为受主,受主获取电子的能量状态。

E A( acceptor )2. 半导体对光的吸收主要表现为什么?它产生的条件及其定义。

半导体对光的吸收主要表现为本征吸收。

半导体吸收光子的能量使价带中的电子激发到导带,在价带中留下空穴,产生等量的电子与空穴,这种吸收过程叫本征吸收。

产生本征吸收的条件:入射光子的能量( h V要大于等于材料的禁带宽度Eg3. 扩散长度的定义。

扩散系数和迁移率的爱因斯坦关系式。

多子和少子在扩散和漂移中的作用。

扩散长度:表示非平衡载流子复合前在半导体中扩散的平均深度。

扩散系数D (表示扩散的难易)与迁移率卩(表示迁移的快慢)的爱因斯坦关系式:D=(kT/q)卩kT/q为比例系数漂移主要是多子的贡献,扩散主要是少子的贡献。

4. 叙述p-n 结光伏效应原理。

当P-N 结受光照时,多子( P 区的空穴,N 区的电子)被势垒挡住而不能过结,只有少子( P 区的电子和N 区的空穴和结区的电子空穴对)在内建电场作用下漂移过结,这导致在N 区有光生电子积累,在P 区有光生空穴积累,产生一个与内建电场方向相反的光生电场,其方向由P区指向N区。

5. 热释电效应应怎样解释?热释电探测器为什么只能探测调制辐射?在某些绝缘物质中,由于温度的变化引起极化状态改变的现象称为热释电效应。

因为在恒定光辐射作用下探测器的输出信号电压为零,既热释电探测器对未经调制的光辐射不会有响应。

6. 简述红外变象管和象增强器的基本工作原理。

光电检测技术复习知识点

光电检测技术复习知识点

光电检测技术复习题库
1、光电倍增管的增益?
2、滤波器的频带宽度?
3、相敏检波器的作用?
4、光敏二极管正常工作时需要加什么样的偏压?
5、四项交流信号?
6、光电耦合器件、光电倍增管等器件的缩写符号?
7、绝对黑体?
8、外光电效应中,发射出的光电子最大动能与光强是否有关,为什么?
9、什么是正向偏置电路?什么是反向偏置电路?什么是零伏偏置电路?
10、在外观检测中光源一般有哪几种?对光源的要求是什么?
11、视频信号处理方法?
12、正温度系数?负温度系数?哪些材料是正温度系数?哪些是负温度系数?
13、什么是临界角?
14、光纤中光传播的原理?
15、发光二极管的发光区?
16、什么是光电效应?光电效应的分类?
17、光电导效应?光生伏特效应?掌握光电器件属于那种效应。

18、CCD的工作原理及基本功能?
19、MOS结构表面势与哪些因素有关?是什么样的关系?
20、光纤的数值孔径?
21光电倍增管的结构及原理
22硅光电池的工作原理
23什么叫此病信号
24光电倍增管的构成与工作原理。

25视频信号二值化处理电路主要有几种方法?哪种更精确一些?
26什么是莫尔条纹?用光栅产生的莫尔条纹进行位移测量有哪些特点?
27激光是如何产生的。

产生激光的三个必要条件是什么?
28 在对背景信号空间滤波时,常利用调制盘进行滤波,当调制盘安装在接收机内时,设目
说明怎样才能滤去背景噪声?
29扫描式取样积分器的特点。

+课后习题。

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复习题1、光电检测系统通常主要由光学变换、光电转换、电信号处理三部分组成。

2、在环境亮度大于10cd/m2寸,最强的视觉响应在光谱蓝绿区间的555 nm处。

3、光电倍增管由光窗、光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极五个主要部分组成。

由于其引入了电子倍增机构,因此具有灵敏度高、响应时间快等特点,常被使用。

4、FTCCD指的是帧转移型CCD5、发光二极管(LED)是一种注入电致发光器件,他由P型和N型半导体组合而成。

其发光机理可以分为_ PN结注入发光_、_异质结注入发光一。

6光电池的PN结工作在仝偏状态,它的开路电压会随光照强度的增加而增加。

7、对于辐射源来说,光通量(光功率)定义为单位时间内向所有方向发射的可见光能量。

8激光的形成必须具有工作物质、泵浦源、光学谐振腔。

9、入瞳位于无限远,物方主光线平行于光轴的光学系统称为物方远心光路,此光路克服了调焦不准带来的测量误差,常用于瞄准、读数和精密测量。

10、短焦物镜用于拍近距离物体,焦距越短,视场角越大,因此也称为广角物镜。

11、载光电耦合器件既具有光电耦合特性,又具有隔离特性12、三种典型光子效应是指光电发射效应、光电导效应和光伏效应。

13、光敏电阻的工作原理是光照产生光生载流子,使其电阻值急剧减小。

14、CCD与其它器件相比,最突出的特点是它以电荷作为信号,而其他大多数器件是以电流或者电压作为信号。

15、依据噪声产生的物理原因,光电探测器的噪声可大致分为散粒噪声、热噪声和低频噪声三类。

16、由于光源发光的各向异性,许多光源的发光强度在各个方向是不同的。

若在光源辐射光的空间某一截面上,将发光强度相同的点连线,得到该光源在该截面的发光强度曲线,称为配光曲线。

17、人眼按不同照度下的响应可分为明视觉、暗视觉。

18、降压使用对于光电测量用的白炽灯光源十分重要, 因为灯泡寿命的延长将使系统的调整次数大为减少,也提高了系统的可靠性。

19、出瞳位于像方无限远处,平行于光轴的像方主光线在无限远处会聚于出瞳中心的光路被称为像方远心光路.它用于大地测量中测距,能大大提高测距精度。

20、集光镜将光源成像到聚光镜的前焦面上,孔径光阑位于聚光镜的物方焦面上,组成像方远心光路,视场光阑被聚光镜成像到物面上,称为远心柯勒照明。

1、光子效应光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。

探测器吸收光子后,直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。

光子能量的大小,直接影响内部电子状态改变的大小。

因为光子能量是h,其中h是普朗克常数,是光波频率,所以光子效应就对光波频率表现出选择性,在光子直接与电子相互作用的情况下,其响应速度一般比较快。

2、光视效能光视效能描述某一波长的单色光辐射通量可以产生多少相应的单色光通量。

即光视效能K,定义为同一波长下测得的光通量与辐射通量的比之,即K 。

单位:流明/瓦特(Im/W)。

扎①」3、本征光电导效应本征半导体价带中的电子吸收光子能量跃入导带,产生本征吸收,导带中产生光生自由电子,价带中产生光生自由空穴,使得材料的电导率发生变化的现象。

4、响应度响应度也称探测灵敏度,定义为光电器件输出的方均根电压(或电流)与入射光通量(或光功率)之比。

它描述了光电器件输出的电信号和输入的光信号之间的关系。

5、光伏效应半导体受光照,产生电子一空穴对,在结电场作用下,空穴流向P区,电子流向N区,在结区两边产生势垒的效应。

6热释电效应热释电效应是非中心对称的晶体,自然状态下,在某个方向上正负电荷中心不重合。

在晶体表面形成一定量的极化电荷。

但当晶体温度变化时,极化程度下降,其表面浮游电荷变化缓慢,再次达到极化的电平状态前,晶体表面有多余浮游电荷,这相当于释放出一部分电荷,这种现象称为热释电效应。

1、说出PIN管、雪崩光电二极管的工作原理和各自特点,为什么PIN管的频率特性比普通光电二极管好?PIN快速光电二极管、消除在PN结外光生载流子的扩散运动时间,在P区与N区之间插入一层电阻率很大的I层、耗尽层厚度增加,增大了对光的吸收和光电变换区域,提高了量子效率。

结电容小,增加了对长波的吸收,提高了长波灵敏度,可承受较高的反向偏压,使线性输出范围变宽。

雪崩光电二极管掺杂浓度均匀,缺陷少,漏电流小,APD的结构设计,使它能承受高的反向偏压,从而在PN结内部形成一个高电场区,结区产生的光生载流子受强电场的加速,将获得很大的能量,在与原子碰撞时可使原子电离,产生新的电子一空穴对,在往下的过程中重复此情况,使PN结的电流急剧增加。

特点:APD 能提供内部增益达一百到一千倍、0.5ns响应时间、噪声功率10-15W 接近反向击穿。

工作速度更高。

PIN管由于增加了I层,使结变宽,结电容减小,因而时间常数变小,f=1/2 n RC所以频率特性好。

2、光敏电阻与结型光电器件有什么区别?(1)产生光电变换的部位不同。

光敏电阻不管哪一部分受光,受光部分的电导率就增大;而结型器件,只有照射到PN结区或结区附近的光才能产生光电效应,光在其他部位产生的非平衡载流子,大部分在扩散中被复合掉,只有少部分通过结区,但又被结电场所分离,因此对光电流基本上没有贡献。

(2)光敏电阻没有极性,工作时可任意外加电压;而结型光电器件有确定的正负极性,但在没有外加电压下也可以把光信号转换成电信号。

(3)光敏电阻的光电导效应主要依赖于非平衡载流子的产生与复合运动,时间常数较大,频率响应较差;结型器件的光电效应主要依赖于结区非平衡载流子中部分载流子的漂移运动,电场主要加在结区,弛豫过程的时间常数(可用结电容和电阻之积表示)相应较小,因此响应速度较快。

(4)光敏电阻内增益大。

有些结型光电器件,如光电三极管、雪崩光电二极管等有较大的内增益作用,因此灵敏度较高,也可以通过较大的电流。

光电导器件(光敏电阻)和结型器件相比各有优缺点,因此应用于不同场合。

3、简述光电探测器的选用原则(1)光电检测器件必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹配。

(2)光电检测器件的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。

(3)光电检测器件的响应特性必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配,以保证得到没有频率失真和良好的时间响应。

(4)光电检测器件必须和输入电路以及后续电路在电特性上相互匹配,以保证最大的转换系数、线性范围、信噪比以及快速的动态响应等。

4、光源选择的基本要求有哪些?①源发光的光谱特性必须满足检测系统的要求。

按检测的任务不同,要求的光谱范围也有所不同,如可见光区、紫外光区、红外光区等等。

有时要求连续光谱,有时又要求特定的光谱段。

系统对光谱范围的要求都应在选择光源时加以满足。

②光对光源发光强度的要求。

为确保光电测试系统的正常工作,对系统采用的光源的发光强度应有一定的要求。

光源强度过低,系统获得信号过小,以至无法正常测试,光源强度过高,又会导致系统工作的非线性,有时还可能损坏系统、待测物或光电探测器,同时还会导致不必要的能源消耗而造成浪费。

因此在设计时,必须对探测器所需获得的最大、最小光适量进行正确估计,并按估计来选择光源。

③对光源稳定性的要求。

不同的光电测试系统对光源的稳定性有着不同的要求。

通常依不同的测试量来确定。

稳定光源发光的方法很多,一般要求时,可采用稳压电源供电。

当要求较高时,可采用稳流电源供电。

所用的光源应该预先进行月化处理。

当有更高要求时,可对发出光进行采样,然后再反馈控制光源的输出。

④对光源其他方面的要求。

光电测试中光源除以上几条基本要求外;还有一些具体的要求。

如灯丝的结构和形状;发光面积的大小和构成;灯泡玻壳的形状和均匀性;光源发光效率和空间分布等等,这些方面都应该根据测试系统的要求给以满足。

5、论述光电检测系统的基本构成,并说明各部分的功能光电检测系统的基本构成框图如下:(1)光源和照明光学系统:是光电检测系统中必不可少的一部分。

在许多系统中按需要选择一定辐射功率、一定光谱范围和一定发光空间、分布的光源,以此发出的光束作为载体携带被测信息。

(2)被测对象及光学变换:这里所指的是上述光源所发出的光束在通过这一环节时,利用各种光学效应,如反射、吸收、折射、干涉、衍射、偏振等,使光束携带上被检测对象的特征信息,形成待检测的光信号。

光学变换通常是用各种光学元件和光学系统来实现的,实现将被测量转换为光参量(振幅、频率、相位、偏振态、传播方向变化等)。

(3)光信号的匹配处理:这一工作环节的位置可以设置在被检测对象前面,也可设在光学变换后面,应按实际要求来决定。

光信号匹配处理的主要目的是为了更好地获得待测量的信息,以满足光电转换的需要。

(4)光电转换:该环节是实现光电检测的核心部分。

其主要作用是以光信号为媒质,以光电探测器为手段,将各种经待测量调制的光信号转换成电信号(电流、电压或频率),以利于采用目前最为成熟的电子技术进行信号的放大、处理、测量和控制等。

(5)电信号的放大与处理:这一部分主要是由各种电子线路所组成。

光电检测系统中处理电路的任务主要是解决两个问题:①实现对微弱信号的检测;②实现光源的稳定化。

I_____计算机(6)存储、显示与控制系统:许多光电检测系统只要求给出待测量的具体值,即将处理好的待测量电信号直接经显示系统显示。

1、如图所示,光电倍增管的阴极积分灵敏度S K =30丄A/Im,阳极积分灵敏度S K=10」A/lm,阳极暗电流I d ,输入电路是电阻R=105「和电容C o =0.卩F的并联,阴极面积A为80mm2,要求信号电流为I I =10^A,计算阳极噪声电流、负载电阻上的噪声电压和信噪比解: ( 1)等效噪声带宽和检测电路的咼频截止频率分别为1 1二f e 5 亍=25 Hz4RC0 4 105 101 2 f e = 15.9Hz2 -RC0■:(2) 阳极散粒噪声电流和负载上的噪声电压散粒噪声电流"亦时尸茜虛石存—A热噪声电流— .29 10\「2.0 计A总噪声电流I N「心T;T、;订=2.58 10$A负载上的噪声电压U N=I N R=2.58 10-8 10—2.58 10“V(3) 信噪比I L10 4SNF A L8=0.38 104VI N 2.58 10'2、已知某Si光电二极管的灵敏度为0.5」A/・W ,结间电导G二0.02S (微西),转折电压U。

=10V,入射光功率从P =1^W变到P〉25」W,偏压U b =507。

求最大输出功率时的最佳负载R、输出电流A I、输出电压A U和输出功率P L。

解:初始电导c c SP" s 0.5 汉25G°= G 0.01 1.26 "SU0 10最大输出时,负载电导U010 ,,G L =G00 1.26 0.315」SU b -U050 -10最佳负载1R L=1/G L 3.175M'10.315输出电压P' — P" 25 _15U -S 0.5 15.385VG +G L0.01+0.315电流I二G L:U =0.315 15.385 =4.846」A输出功率P L F;I:U =4.846 15.385 =74.563、用Si光电二极管测缓变光辐射,伏安特性曲线如图1所示,在入射光最大功率为8^W时,屈膝电压10V,反向偏置电压为40V, Si光电二极管的灵敏度S=0.5卩A/ □,结电导为0.005卩。

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