一种基于可控硅的静电放电保护电路[发明专利]

专利名称：一种基于可控硅的静电放电保护电路专利类型：发明专利
发明人：王源,郭海兵,陆光易,张立忠,贾嵩,张兴申请号：CN201410638547.4
申请日：20141106
公开号：CN104392989A
公开日：
20150304
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，尤其涉及一种基于可控硅作为泄放器件的ESD保护电路。

该ESD保护电路包括泄放器件可控硅，以及PMOS晶体管M；其中，所述PMOS晶体管M的源极与正向偏置的二极管D的n端相连，所述PMOS晶体管M的漏极接地，所述PMOS晶体管M的栅极与电源管脚V相连；其中，二极管D、所述可控硅的寄生三极管Q的发射极-基极正偏二极管、所述可控硅的寄生电阻R、所述二极管D以及所述PMOS晶体管M构成所述直流触发模块。

本发明提供的直流触发基于可控硅的ESD保护电路，在芯片正常工作时有效的减少了漏电流；在ESD冲击来临时，可控硅作为泄放器件仍能有效触发。

申请人：北京大学
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
代理人：薛晨光
更多信息请下载全文后查看。