反应等离子刻蚀及离子束设备及工艺
反应离子刻蚀原理
反应离子刻蚀原理一、引言反应离子刻蚀（RIE）是一种常用的微纳加工技术，它利用离子束和化学反应来实现对材料表面的刻蚀。
本文将介绍RIE的原理和主要特点，以及在微纳加工领域的应用。
二、RIE原理RIE是一种高度选择性的刻蚀技术，其原理是在低压等离子体中产生高能离子，通过控制离子束的能量和角度，使其与待刻蚀材料表面发生化学反应，从而实现刻蚀。
RIE的刻蚀过程主要包括三个步骤：离子撞击、反应和物质扩散。
1. 离子撞击在RIE中，通过加热和电离等手段，将气体转化为等离子体。
这些离子被加速器加速后，以高能量撞击待刻蚀材料表面。
离子撞击可以打开表面的化学键，形成反应活性位点，为后续的反应提供条件。
2. 反应离子撞击后，待刻蚀材料表面的化学键被断裂，产生活性基团。
同时，等离子体中的反应气体会与活性基团发生化学反应，生成易挥发的产物。
这些产物通过扩散过程从材料表面迅速脱离，从而实现刻蚀。
3. 物质扩散在刻蚀过程中，由于离子束的撞击和化学反应，材料表面的产物会被迅速去除。
这时，材料内部的新鲜表面暴露出来，继续参与反应。
通过物质的扩散，刻蚀过程在材料内部进行，从而实现对整个材料的刻蚀。
三、RIE特点RIE具有以下几个主要特点：1. 高选择性RIE技术可以实现高度选择性的刻蚀，即只在待刻蚀材料上进行刻蚀，不对其他材料产生影响。
这是因为RIE的刻蚀过程是通过离子撞击和化学反应实现的，而不是通过物理磨损或机械切割。
2. 高精度RIE技术可以实现亚微米级别的刻蚀精度，因为离子束的能量和角度可以被精确控制。
这使得RIE在微纳加工中得到广泛的应用，如制备微电子器件、光子器件和传感器等。
3. 高速刻蚀由于RIE技术结合了离子撞击和化学反应，可以实现快速而均匀的刻蚀。
与传统的物理刻蚀技术相比，RIE可以大大缩短刻蚀时间，提高生产效率。
四、RIE应用RIE技术在微纳加工领域有广泛的应用。
以下是几个常见的应用领域：1. 微电子器件制造RIE技术可以用于制备微电子器件，如晶体管、电容器和电阻器等。
刻蚀设备与工艺介绍
刻蚀设备与工艺介绍刻蚀是微纳加工技术中一种常用的工艺步骤，用于在材料表面刻出所需要的图案或结构。
刻蚀设备主要包括刻蚀机和刻蚀液。
刻蚀机根据刻蚀的方式不同，可以分为湿法刻蚀机和干法刻蚀机两种。
湿法刻蚀机是基于液相刻蚀原理的设备，主要由液槽、温度控制系统、气泡生成系统、排液系统和控制系统等组成。
其工作原理是将刻蚀液倒入液槽中，通过加热和搅拌使刻蚀液保持一定的温度和均匀度。
在刻蚀过程中，将待刻蚀的工件放入刻蚀槽中，通过控制刻蚀液的pH值、浓度和刻蚀时间等参数，实现对工件表面的刻蚀。
干法刻蚀机是通过物理或化学方式对工件表面进行刻蚀的设备。
常用的干法刻蚀方法包括离子束刻蚀、等离子体刻蚀和反应离子束刻蚀等。
离子束刻蚀是利用高速离子束的动能击打工件表面，使其表面原子脱落从而达到刻蚀的目的。
等离子体刻蚀是通过等离子体中的化学反应，使工件表面发生化学变化，实现刻蚀效果。
反应离子束刻蚀是在离子束中加入反应气体，使其与工件表面反应，达到刻蚀的目的。
刻蚀液是刻蚀过程中用于腐蚀材料的溶液，根据刻蚀的目的和要求可以选择不同的刻蚀液。
常用的刻蚀液包括湿式刻蚀液和干式刻蚀液。
湿式刻蚀液主要是盐酸(HCl)、氟酸(HF)和硝酸(HNO3)等，适用于大多数材料的刻蚀。
干式刻蚀液主要是气体，如氧气(O2)、氟气(F2)和氯气(Cl2)等，适用于特定材料的刻蚀，如金属和硅。
刻蚀技术在微纳加工中起到了至关重要的作用。
它可以实现微纳器件的精确加工和制造，如半导体芯片、光电元件和微机电系统等。
刻蚀技术的精度和效率对于微纳加工的成果和应用具有重要影响，因此需要不断改进和优化。
总结而言，刻蚀设备是微纳加工中一个重要的工艺步骤，包括湿法刻蚀机和干法刻蚀机两种。
刻蚀液根据刻蚀的需求可以选择不同的刻蚀液。
刻蚀技术在微纳加工中具有重要的应用价值，对于制造微纳器件起到了关键作用。
离子束刻蚀机
离子束刻蚀机离子束刻蚀机是一种用于微纳米加工的关键设备，广泛应用于半导体制造、纳米技术研究等领域。
它采用离子束技术，通过控制束流中的离子轰击样品表面，实现精密加工的目的。
本文将介绍离子束刻蚀机的工作原理、性能特点以及应用领域。
工作原理离子束刻蚀机的工作原理基于离子在电场中的轨迹运动。
首先，将气体辉光放电或离子源电离产生离子束，通过电场加速、聚焦系统，使离子束聚焦成小直径束流。
然后，将这束流照射到样品表面，离子的高能量会轰击样品表面原子，使其发生溅射或离去，从而实现表面加工。
性能特点1.精密加工：离子束刻蚀机具有高分辨率和精确控制能力，可以实现微米甚至纳米级别的加工精度。
2.加工速度：离子束刻蚀速度较快，加工效率高，适用于需要高速加工的场合。
3.无机械接触：离子束刻蚀不需要机械接触，可避免污染和损伤样品表面。
4.多功能性：离子束刻蚀机可根据不同需求，实现刻蚀、刻蚀雕刻、刻蚀薄膜等多种加工模式。
应用领域1.半导体工业：离子束刻蚀机在半导体器件制造中用于图案形成、表面清洁等工序。
2.纳米技术：离子束刻蚀机在纳米结构制备、纳米加工等方面发挥重要作用。
3.光学加工：离子束刻蚀机在光学元件加工、反射镜制造等光学领域有着广泛应用。
4.生物医学：离子束刻蚀机可用于生物芯片、生物传感器等生物医学领域的加工应用。
综上所述，离子束刻蚀机作为一种先进的微纳米加工设备，具有精密加工、高效率、无污染等优势，在各领域有着广泛的应用前景。
随着科技的不断发展，离子束刻蚀机将会更好地满足复杂微纳米结构加工的需求，推动技术创新和产业发展。
电感耦合等离子体刻蚀和离子束刻蚀的区别
电感耦合等离子体刻蚀和离子束刻蚀的区别
电感耦合等离子体刻蚀和离子束刻蚀是两种常见的刻蚀技术，主要用于半导体器件制造和微纳加工领域。
它们的区别如下：
1. 工作原理：电感耦合等离子体刻蚀是利用电磁感应将高频电场引起的等离子体加热，通过等离子体中的离子和气体中的化学物质反应来实现物质的刻蚀。
离子束刻蚀则是利用高能离子束对物质表面进行打击和剥离，从而实现刻蚀效果。
2. 刻蚀效果：电感耦合等离子体刻蚀通常能够实现较快的刻蚀速率，并且能够实现比较均匀的刻蚀深度。
离子束刻蚀在刻蚀速率方面可能较慢，但可以实现更高的刻蚀精度和控制性。
3. 反应物种：电感耦合等离子体刻蚀主要依赖等离子体与反应气体中的反应物种进行化学反应刻蚀。
而离子束刻蚀则主要是通过离子束的物理撞击效应进行剥离刻蚀。
4. 设备结构和成本：电感耦合等离子体刻蚀设备一般较为复杂，包括功率源、匹配网络、电极等部件。
而离子束刻蚀则一般相对简单，只需一个离子束源。
因此，离子束刻蚀设备的成本可能相对较低。
总的来说，电感耦合等离子体刻蚀和离子束刻蚀各有优缺点，选择哪种刻蚀技术要根据具体的应用需求和实际情况来决定。
反应离子刻蚀原理
反应离子刻蚀原理一、引言反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching，RIE）是一种常用的微纳加工技术，广泛应用于集成电路制造、微电子器件制备以及光学器件的制备等领域。
本文将从离子束的产生、离子束与物质的相互作用以及刻蚀过程的调控三个方面，介绍反应离子刻蚀的原理。
二、离子束的产生反应离子刻蚀的第一步是产生离子束。
通常，离子源会产生一个由离子和中性粒子组成的等离子体。
离子源的选择对于刻蚀过程至关重要，常用的离子源有高频感应耦合等离子体（Inductively Coupled Plasma, ICP）和平面平行板等离子体源（Planar Parallel Plate Plasma Source）。
离子源中的等离子体通过电场加速器产生高能离子束，离子束的能量和分布决定了刻蚀效果的质量。
三、离子束与物质的相互作用反应离子刻蚀的关键在于离子束与物质的相互作用。
离子束的能量和束流密度决定了刻蚀的速率和选择性。
当离子束与物质表面相碰撞时，发生一系列的物理和化学反应。
物理反应包括离子的能量转移和散射，以及物质表面的原子或分子的反弹和损失。
化学反应包括离子和物质表面的化学键形成和断裂，以及产生的气体在表面扩散和脱附。
这些反应共同作用，使得物质表面的原子或分子被去除，实现刻蚀的效果。
四、刻蚀过程的调控为了实现精确的刻蚀效果，需要对刻蚀过程进行精细的调控。
调控刻蚀过程的方法有很多，常见的包括调节离子束的能量、束流密度和入射角度，以及引入掺杂气体等。
调节离子束的能量可以通过改变离子源的工作参数来实现，能量越高，刻蚀速率越大。
束流密度和入射角度的调节可以通过改变离子源的工作气压和工作距离来实现，束流密度越大，入射角度越垂直，刻蚀速率越快。
引入掺杂气体可以改变刻蚀过程中的化学反应，从而调节刻蚀的选择性和剩余应力。
五、应用领域反应离子刻蚀在集成电路制造中有着广泛的应用，可以实现高精度的图形定义和纵深刻蚀。
同时，反应离子刻蚀还可以用于微电子器件制备，如传感器、微机电系统（MEMS）等。
离子束刻蚀和反应离子刻蚀
离子束刻蚀和反应离子刻蚀离子束刻蚀（Ion Beam Etching, IBE）和反应离子刻蚀（Reactive Ion Etching, RIE）是常见的微纳加工和纳米制造技术，用于制作微结构、纳米结构和纳米材料。
本文将介绍离子束刻蚀和反应离子刻蚀的原理、过程、应用和优缺点。
离子束刻蚀是利用离子束的动能将物质从固体表面去除的一种刻蚀方式。
离子束源产生的高速离子束照射到待加工的材料表面，离子与原子或分子碰撞后传递能量，使表面原子具有足够的动能来克服结合能，从而将表面原子剥离。
离开表面的原子或分子通过真空环境扩散或被其他粒子吸附后被排除。
离子束刻蚀是一种无遮罩刻蚀方法，适用于对整个样品进行刻蚀或加工。
离子束刻蚀可控制刻蚀速度、刻蚀深度和表面质量，广泛应用于半导体器件制造、光学元件加工、微纳加工等领域。
反应离子刻蚀是在离子束刻蚀的基础上引入反应气体，使表面物质发生化学反应并形成可挥发的产物的一种刻蚀方式。
反应离子刻蚀一般使用高能粒子束和反应气体，高能粒子束提供克服表面能的能量，而反应气体提供物质溶解刻蚀的辅助。
反应离子刻蚀通过控制离子束能量、反应气体浓度和碰撞概率来调节刻蚀速率和刻蚀速度的非均匀性。
反应离子刻蚀的刻蚀选择性很高，可以实现对特定材料的选择性刻蚀。
相对于离子束刻蚀，反应离子刻蚀能够更精确地控制刻蚀深度和刻蚀形貌。
离子束刻蚀和反应离子刻蚀都可以使用不同种类的离子，包括惰性气体离子（如氦、氩）、反应离子（如氧、氮、氯气）以及金属离子。
离子能量、束流密度和束斑尺寸等参数都是刻蚀效果和加工精度的重要影响因素。
特别是在纳米尺度加工中，离子束直径和束聚焦是制造纳米结构和纳米材料的关键。
离子束刻蚀和反应离子刻蚀的刻蚀速率可以根据加工要求进行调节，通常在纳米加工中需要高精度和微纳米级的控制。
离子束刻蚀和反应离子刻蚀在微纳加工和纳米制造中有广泛的应用。
离子束刻蚀可用于制作平坦度高、表面质量好的光学元件、半导体器件和微纳结构，如光波导器件、集成电路和微机电系统。
反应等离子刻蚀及离子束设备及工艺
刻蚀的基本原理IBE刻蚀原理及设备RIE刻蚀原理及设备ICP刻蚀原理及设备工艺过程、检测及仪器1 / 43刻蚀用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂完全一致的图形2 / 43干法刻蚀过程示意离子轰击掩膜衬底3 / 43刻蚀种类:① 干法刻蚀利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法）② 湿法刻蚀利用腐蚀性液体将不要的材料去除干法刻蚀工艺特点：①好的侧壁剖面控制，即各向异性②良好的刻蚀选择性; 合适的刻蚀速率；好的片内均匀性③工艺稳定性好，适用于工业生产4 / 43刻蚀参数刻蚀速率习惯上把单位时间内去除材料的厚度定义为刻蚀速率刻蚀前刻蚀后刻蚀速率=刻蚀速率由工艺和设备变量决定，如被刻蚀材料类型，刻蚀机的结构配置，使用的刻蚀气体和工艺参数设置5 / 43刻蚀参数选择比同一刻蚀条件下，被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。
均匀性衡量刻蚀工艺在整个晶片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数NU(%) = (Emax - Emin)/ 2Eave6 / 43刻蚀剖面被刻蚀图形的侧壁形状各向异性：刻蚀只在垂直于晶片表面的方向进行各向同性：在所有方向上以相同的刻蚀速率进行刻蚀7 / 43离子束刻蚀（IBE)原理• 离子束刻蚀是利用具有一定能量的离子轰击材料表面，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀目的把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。
8 / 439 / 43离子源构成及工作原理IBE刻蚀特点9方向性好，各向异性，无钻蚀，陡直度高9分辨率高，可小于0.01μm9不受刻蚀材料限制（金属or化合物，无机物or有机物，绝缘体or半导体均可）9刻蚀过程中可改变离子束入射角θ来控制图形轮廓离子束刻蚀速率影响因素A.被刻蚀材料种类B.离子能量C .离子束流密度D.离子束入射角度10 / 43IBE-A150设备离子源电控柜真空室分子泵冷却水11 / 4312 / 43IBE 相关刻蚀数据离子能量：350eV 材料 刻蚀速率材料 刻蚀速率 材料 刻蚀速率 nm/min nm/min 7-8 nm/min 34-36 55 Ni 17-18 Ti GaN Au SiO2 17-18Al 15-16 5-6 Ge Si33-34 17-18TiN GaAsITO AZ 胶32-34 1835-40离子能量：300eV 材料 刻蚀速率材料 刻蚀速率 材料 刻蚀速率 nm/min nm/min 10 nm/min 35-37 PMMA 21 AZ 胶AuSi14-15Ni-Cr 合金 10-12Glass Si Ni13 / 43IBE操作注意事项• 启动离子源之前，必须确保离子源室和工件台通入冷却水• 如果刻蚀工艺采用离子束入射角度≥30度时，在刻蚀时间到达预定值10s前，必须将工件台转回水平位置• 为更好的传递热量，放片时需在片子背面涂硅脂放片、取片过程中应尽量避免油脂玷污片子图形表面• 取片后用异丙醇擦去工件台上硅脂• 抽真空次序不能错，开主阀前要确认真空度达到-1级14 / 43反应离子刻蚀（RIE）刻蚀原理一种采用化学反应和物理离子轰击去除晶片表面材料的技术•刻蚀速率高、可控•各向异性，形貌可控•选择比高15 / 43排放分离解吸扩散等离子体工艺反应表面扩散16 / 4317 / 43TEGAL PLASMA ETCHER, MODEL 903e 适用于150mm单片晶片上的SiO2和Si3N4的刻蚀；刻蚀温度能控制在20－35度之间主机显示器射频源18 / 431 2SiO2刻蚀光刻胶掩膜Profirle 85-90°刻蚀均匀性 <+/-5% Si3N4刻蚀光刻胶掩膜刻蚀均匀性 <+/-5%Profile 85-90°典型刻蚀速率：PSG 6000Å/min热氧化SiO2 4000 Å/min 典型刻蚀速率：Si3N4 4000 Å/min PSG 6000 Å/min选择比：SiO2: PR >5:1SiO2: silicon/polysilicon >=10:1选择比：Si3N4: PR >3:1Si3N4: aluminum >100:119 / 43RIE操作注意事项• 初始设置为6寸片刻蚀，必须放在两侧片架里，左侧进片，右侧出片• 每次程序运行前要将两边片架重新手动定位• 射频源功率不宜设置过高，小于500W20 / 43电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理包括两套通过自动匹配网络控制的13.56MHz射频电源一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下，刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。
反应离子刻蚀
反应离子刻蚀简介反应离子刻蚀（RIE）是一种通过气体放电产生的离子束来刻蚀材料表面的技术。
它是一种非常重要的微纳加工工艺，被广泛应用于半导体、光学和纳米科技领域。
本文将介绍反应离子刻蚀的原理、设备和应用。
原理反应离子刻蚀原理基于离子束与材料表面的相互作用。
在RIE设备中，通过一个高频电源产生一个电场，使得工作间隙中的气体（通常为氧气或氟气）在电场下发生电离。
产生的离子在电场的作用下加速并对材料表面进行刻蚀。
反应离子刻蚀的过程可以分为三个主要阶段：电离阶段、加速阶段和反应阶段。
1.电离阶段：利用高频放电使得气体中的原子或分子电离，产生大量正离子和电子。
2.加速阶段：通过电场作用，正离子在电场中加速并进入工作间隙，形成高速离子束。
3.反应阶段：离子束与材料表面发生碰撞，产生物理或化学反应，刻蚀材料表面。
设备反应离子刻蚀需要使用专门的设备，称为反应离子刻蚀机。
RIE机由多个关键组件组成：1.真空腔：用于形成高真空环境，防止气体分子的散射和干扰。
2.高频电源：提供高频放电电场，并驱动气体电离。
3.外加电源：用于控制电场及正离子束的加速程度和方向。
4.气体供给系统：提供刻蚀所需的气体，并控制气体的流量和压力。
5.气体排放系统：将刻蚀产生的废气排放到安全区域。
应用反应离子刻蚀在微纳加工领域具有广泛的应用，主要包括以下几个方面：1.半导体器件制造：RIE技术被广泛用于制造芯片中的光罩和微细结构，如晶体管、电容和互联线路等。
2.光学器件制造：RIE可以用于制造光学器件，如光纤、光波导和微透镜等。
3.微纳加工：RIE可以用于制造微纳米结构和微模具，如微通道、微阵列和微流体器件等。
4.纳米科技研究：RIE可以用于制备纳米材料和纳米结构，如纳米颗粒、纳米线和纳米孔洞等。
优势与挑战反应离子刻蚀具有以下优势：1.高加工速度：RIE可以在较短的时间内实现高精度的刻蚀，提高生产效率。
2.高精度：RIE可以实现亚微米级别的刻蚀精度，满足微纳加工的要求。
icp刻蚀工艺
icp刻蚀工艺《ICP刻蚀工艺》一、概述ICP刻蚀工艺（Inductively Coupled Plasma Etching）是一种常用的微纳加工技术，主要用于半导体器件制造和微电子技术领域。
通过利用感应耦合等离子体技术，将化学气相反应与物理功率耦合，实现对材料表面的精确刻蚀，达到微纳米级的精细加工要求。
二、基本原理1. 感应耦合等离子体：ICP刻蚀工艺利用感应耦合等离子体产生高能离子束，使之与待刻蚀的材料表面发生碰撞。
感应耦合等离子体能够提供高密度、高能量的离子束，实现高速刻蚀和精细加工。
2. 物理和化学刻蚀：ICP刻蚀工艺能够实现物理和化学刻蚀两种方式。
物理刻蚀主要通过离子束撞击材料表面的动能将其剥离，而化学刻蚀则是通过离子与待刻蚀材料表面的反应，产生可溶性产物，使之去除。
三、工艺参数与优势1. 工艺参数：a. 感应耦合功率：控制等离子体的产生与稳定；b. 气体流量与压强：控制刻蚀速率和刻蚀副产物的清除；c. 工艺时间：控制刻蚀深度和精度。
2. 优势：a. 高选择性：可实现不同材料之间的精确刻蚀，避免交叉感染和混合。
b. 高加工精度：微纳米级的刻蚀精度，可满足高精度的器件制造需求。
c. 高刻蚀速率：ICP刻蚀工艺的高功率和高能离子束能够实现高速刻蚀，提高生产效率。
d. 低表面损伤：在刻蚀过程中，ICP蚀刻工艺可以减少表面损伤和变形，保持器件性能稳定。
四、应用领域ICP刻蚀工艺在微电子器件、光学器件、MEMS（微机电系统）等领域有着广泛的应用：1. 半导体器件制造：可用于晶圆制程中的多种工艺步骤，如图案形成、沉积物去除等。
2. 光学器件制造：用于光栅、波导等光学元件的制备，实现高精度的微纳米级加工。
3. MEMS制造：用于微结构的制备，如微机械系统的零件刻蚀、多层刻蚀等。
五、总结ICP刻蚀工艺作为一种高精度、高效率的微纳加工技术，在半导体和微电子领域扮演着重要角色。
通过精确控制工艺参数，ICP刻蚀工艺可以实现各种材料的精细刻蚀，满足各类器件的制造需求。
离子束技术简介
样品平板式等离子刻蚀装置示意图8912惰性气体131518图7. 离子入射材料表面形成原子溅射的级联碰撞模型24几种材料的刻蚀速率与离子入射角度的关系E=500 eV, J=1.0 mA/cm2）图9. RIBE刻蚀SIO离子束入射角对槽形轮廓的影响2打在倾斜侧壁上面的入射离子处于大角度的入射状态，表现出入射离子的高反射率，一部分会被发射到槽底。
这些反射向槽底某一部位的离子与正常入射的束离子之和造成入射离子通量的局部超出，导致该部位的刻蚀速率高于其他槽底部位，形成图4.5 光刻胶掩模为半圆截面的石英刻蚀演化过程—刻蚀速率已知，并且稳定。
最常用的方法—光谱法、质谱法+质谱谱线的变化图2 SiF339等厚干涉法原理与装置等厚条纹错位反映刻蚀深度刻蚀之前 楔形陪片He-Ne laserd初始的干涉 条纹刻蚀之后He-Ne laserd条纹发生 错位楔形平板厚度减小，导致等厚条纹发生平 移，厚度减小量 h 与条纹移动量的关系为：hh0c ×m ,m d0,1, 2,Lh ch0 2nh0: 一个干涉条纹所对应的深度 d: 干涉条纹间距c: 刻蚀一定深度后引起的干涉条纹的4移1 动量等厚干涉法原理与装置计算公式相邻等厚条纹之间对应的楔形平板厚度差为h0：h0 2 n楔形平板厚度减小，导致等厚条纹发生平移，厚度减 小量 h 与条纹移动量的关系为：hh0c ×m ,m d0,1, 2,L42等厚干涉法原理与装置离子束 挡板43二、原理与装置等厚条纹错位的实际照片44二、原理与装置在线检测系统全图（俯视图）1：刻蚀机真空室； 2：离子源； 3：离子束； 4：工作台； 5：陪片； 6：正式基片； 7：离子束阑与石墨挡板； 8：一对平面反射镜； 9：观察窗； 10：检测光源； 11：分束镜； 12：凸透镜； 13：面阵CCD； 14：采集卡与计算机。
45离子源 离子束阑正式基片 工作台二、原理与装置真空室内部件示意图（俯视图）xy z46观察窗口挡板 陪片二、原理与装置 正式基片、陪片与挡板的位置关系工作台往返移动A BDABCCE47二、原理与装置挡板及其夹具48二、原理与装置挡板与陪片的距离A B陪片挡板A B陪片挡板49二、原理与装置等厚条纹位置的确定50。
离子束技术简介
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2.2 反应离子刻蚀（RIE----Reactive Ion Etching）
为了减小侧向刻蚀，在垂直于样品表面方向上加一电场，使反应气体的离子 在电场中作定向运动，使之只有纵向刻蚀，这是反应离子刻蚀的基本原理。
射频电压加在两电极上，样品放在阴极上，阳极及反应室壁接地。阴极面积 小，阳极面积大，这是非对称性的辉光放电系统。
这是纯粹的物理溅射过程。
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离子束刻蚀机的工作原理：
通入工作气体氩气，气压10-2-10-4Torr之 间，阴极放射出的电子向阳极运动，在运动过程 中，电子将工作气体分子电离，在样品室内产生 辉光放电形成等离子体。其中电子在损失能量后 到达阳极形成阳极电流，而氩离子由多孔栅极引 出，在加速系统作用下，形成一个大面积的、束 流密度均匀的离子束。为减少束中空间电荷静电 斥力的影响，减少正离子轰击基片时，造成正电 荷堆积，离子束离开加速电极后，被中和器发出 的电子中和，使正离子束变成中性束，打到基片 上，进行刻蚀。
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1. 分 类
湿法刻蚀----化学腐蚀
刻蚀 干法刻蚀
等离子刻蚀(PE) 反应离子刻蚀(RIE) 常规离子束刻蚀(IBE或IM) 反应离子束刻蚀(RIBE) 化学辅助离子束刻蚀(CAIBE） 感应耦合等离子体刻蚀(ICP）
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2. 刻蚀技术简介
2.1 等离子刻蚀（PE----Plasma Etching)
离子对刻蚀起主要作用，即以物理溅射为主，中性游离基的化学反应为辅。
特点：各向异性 刻蚀速率快 刻蚀最小线宽可达0.2 m
9
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2.3 离子束刻蚀 (IBE----Ion Beam Etching) 离子铣（IM---Ion Milling）
反应离子刻蚀
RIE工艺参数的优化
刻蚀工艺参数：射频功率、腔体压强、气体流量等 1.若物理作用占主导则刻蚀损伤较大； 2.若化学作用占主导则刻蚀速度较慢，各项同性，表面 粗糙。 因此，选择最优的刻蚀参数的组合可以 在保证表面光 滑和一定的速率和方向性。
条 CHF3、O2
GaAs AlAs DBR
它有三个电极可以将等离子体的产生与离子的加 速分开控制。
磁场强化活性离子刻蚀机（MERIE）
在传统RIE的基础上加上永久性的磁铁或线圈， 产生与晶片平行、与电场垂直的磁场
谢谢
BCl3 BCl3 BCl3
Pt电极 SF6、O2
Si3N4 Si
CHF3、CF4、O2 SF6、C4F8
结果
刻蚀速率(nm/min)
45.66 400 350 340 12.4 40 300
RIE的不足
• 射频等离子体的离化率较低.
• 刻蚀速度↑ → 等离子体密度↑， 但同时离子轰击的能量↑ ，→轰击损伤↑;
反应离子刻蚀
Reactive Ion Etching
刻蚀方法简介 RIE 刻 蚀 原 理 RIE 刻 蚀 术 语 RIE 刻蚀的工艺优化 RIE刻蚀不足与损伤 RIE 刻 蚀 机
刻蚀技术分类：
刻蚀技术
湿法 干法
化学刻蚀 电解刻蚀
离子束溅射刻蚀（物理作用） 等离子体刻蚀（化学作用） 反应离子刻蚀（物理化学作用）
干法刻蚀
✓ 特点: 利用刻蚀气体辉光放电形成的等离子体进行刻蚀。 ✓ 优点: 各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性
好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理 过程未引入污染，洁净度高。 ✓ 缺点：成本高，设备复杂。
Reactive Ion Etching
离子束刻蚀和反应离子刻蚀
离子束刻蚀和反应离子刻蚀离子束刻蚀（Ion Beam Etching，IBE）是一种常用的微纳加工技术，可以用于制作高精度的微纳米结构。
它通过利用离子束对材料表面进行锐化刻蚀的方式，实现对材料的加工和纳米结构化。
离子束刻蚀的基本原理是利用高能离子束的能量转移和化学反应，使材料表面的原子或分子发生位移、溃散和沉积，从而实现刻蚀材料的目的。
离子束刻蚀主要由离子束源、加速器、束缓冲区、刻蚀室等组成。
在离子束刻蚀中，首先需要生成高能离子束，常用的离子源有离子注入法、反应离子束刻蚀法等。
离子源将离子加速到较高能量，并通过离子束加速器进行精确的能量调节，使离子束能够对材料表面进行刻蚀和纳米结构化。
离子束刻蚀的刻蚀过程受到多种因素的影响，其中包括离子束能量、角度、注入剂浓度、刻蚀物质的化学反应性等。
离子束的能量决定了刻蚀的深度，离子束的角度决定了刻蚀的形状和侧向的衍射效应。
注入剂浓度和刻蚀物质的化学反应性决定了刻蚀速率和刻蚀的选择性。
与离子束刻蚀相比，反应离子刻蚀（Reaction Ion Etching，RIE）是一种利用化学反应辅助的离子刻蚀技术。
相较于离子束刻蚀，反应离子刻蚀能够实现更高的刻蚀速率，更好的刻蚀选择性和更小的刻蚀损伤。
反应离子刻蚀通常是在较高的压力下进行，以增加化学反应的速率。
在反应离子刻蚀中，离子能量较低，但通过在反应体系中增加活性气体，实现刻蚀物质与离子的反应，进而发生刻蚀。
反应离子刻蚀通常使用氟化氢（HF）或氟化物作为刻蚀剂，以增强刻蚀速率。
离子束刻蚀和反应离子刻蚀在微纳加工中扮演着不可替代的角色。
离子束刻蚀可用于制备二维材料、光子晶体、微流体芯片等纳米结构；反应离子刻蚀常用于制备光学器件、助阻剂图案等微纳结构。
它们在微纳加工的工艺流程中发挥着至关重要的作用。
总之，离子束刻蚀和反应离子刻蚀是两种常用的微纳加工技术，它们利用离子束的能量转移和化学反应来对材料表面进行刻蚀和纳米结构化。
离子束刻蚀适用于高精度纳米结构的制备，而反应离子刻蚀适用于高速的刻蚀和更好的刻蚀选择性。
反应性离子刻蚀技术的研究与应用
反应性离子刻蚀技术的研究与应用章节一：引言反应性离子刻蚀技术(RIE)是一项重要的微纳加工技术，被广泛应用于集成电路、光电、微系统等领域。
该技术的实现取决于离子束在物质表面所产生的化学反应，这些反应在等离子体和物质之间传递电荷。
与传统的干法刻蚀技术相比，RIE具有高成像分辨率、刻蚀速度快等优点，在集成电路制造、光学元件、微电子机械系统、纳米技术等领域，具有广泛的应用前景。
本文将从RIE技术的原理、设备结构、刻蚀参数、优缺点等方面进行详细阐述。
章节二：RIE技术的原理反应性离子刻蚀技术(RIE)是一种利用化学反应进行刻蚀的离子束刻蚀技术。
其基本原理是利用离子束与待刻蚀材料表面所发生的等离子体化学反应，使得材料表面形成易挥发性的化合物并被排出。
RIE主要涉及等离子体物理和表面化学两个机制。
等离子体化学反应是通过金属电极、电磁场、气体放电等进一步生成等离子体，使反应物与物质表面发生化学反应。
表面化学反应是利用表面材料原子（或分子）的空缺位置与等离子体中的离子和分子相互反应，并使表面材料发生化学变化，以产生易挥发产品的表面化学反应。
章节三：RIE技术的设备结构RIE的设备结构主要由等离子体处理室、真空装置、电源、气体输送系统等四部分组成。
其中，等离子体处理室是RIE的核心部分，包括气体分析系统、真空泵、样品保护措施、接地系统、隔热系统等。
气体输送系统主要是将待处理实验样品送入等离子体处理室中，保证反应气体的稳定输送。
电源系统是RIE技术必不可少的一个部分，主要包括射频电源、直流电源、微波辅助电源等。
章节四：RIE技术的刻蚀参数成功的RIE制程需要通过多种参数的综合调整和优化来实现。
RIE技术的刻蚀参数包括六个方面：气体类型、压力、放电功率、放电频率、反应室温度、等离子体电荷密度。
其中，气体和压力是决定RIE反应物质刻蚀状态的重要因素，不同的气体和压力对反应物的刻蚀速度、反应物质的稳定性和丝杆的寿命有着重要的影响。
等离子体刻蚀工艺及设备
目录分析
具体来看，这本书的目录可以分为以下几个主要部分： 这部分内容从等离子体刻蚀的基本原理开始，介绍了刻蚀过程的物理和化学 机制，以及各种影响刻蚀速率的因素。还详细讨论了等离子体刻蚀中的各种反应 模型，以及如何通过这些模型对刻蚀过程进行精确的控制。
目录分析
这部分内容是本书的核心之一，它详细介绍了各种等离子体刻蚀设备的设计、 构造、操作和维护。这些设备包括电容耦合等离子体刻蚀设备、电感耦合等离子 体刻蚀设备、以及反应离子束刻蚀设备等。还深入探讨了各种设备的性能比较， 以及如何根据不同的应用需求选择最合适的设备。
阅读感受
这本书详细地介绍了等离子体刻蚀的基本原理。通过深入浅出的方式，它帮 助我理解了等离子体刻蚀的核心概念，比如气体放电等离子体、刻蚀速率等等。 在理解这些基本概念之后，我对于等离子体刻蚀工艺有了更为全面的认识。
阅读感受
这本书对于等离子体刻蚀设备的介绍也给我留下了深刻的印象。它不仅介绍 了各种类型的等离子体刻蚀设备，还详细地阐述了这些设备的工作原理、特点以 及应用场景。这使我在理解和使用这些设备时有了更为清晰的认识，为我日后的 工作和学习提供了很大的帮助。
精彩摘录
这句话解释了等离子体刻蚀的基本原理，指出了反应气体在电离成等离子体 后与材料表面相互作用的过程。
精彩摘录
“随着科技的不断发展，等离子体刻蚀技术将在更广泛的领域得到应用，例 如在新能源、环保、医疗等领域。”
精彩摘录
这句话展望了等离子体刻蚀技术的未来发展前景，指出了它在新能源、环保、 医疗等领域的应用潜力。
等离子体刻蚀工艺及设备
读书笔记
01 思维导图
03 精彩摘录 05 目录分析
目录
02 内容摘要 04 阅读感受 06 作者简介
反应离子刻蚀的研究
反应离子刻蚀的研究反应离子刻蚀的研究摘要：反应离子刻蚀（RIE）是一种物理作用和化学作用共存的刻蚀工艺，兼有离子溅射刻蚀和等离子化学刻蚀的优点，不仅分辨率高，同时兼有各向异性和选择性好的优点，而且刻蚀速率快。
通过改变RIE刻蚀参数如：射频功率、腔体压强、气体流量、气体组分等可以调整两种刻蚀过程所占比重。
因此，优化刻蚀工艺就是要选择最优的刻蚀参数组合，在减小刻蚀损伤的同时保证光滑的刻蚀表面和一定的刻蚀速率以及方向性。
本文归纳总结了常见薄膜的刻蚀优化方法。
关键词：反应离子刻蚀；离子溅射；刻蚀速率；均匀性Research of Reactive Ion EtchingLu Dongmei, Yang Fashun(College of Science, Guizhou University, Gui Yang of Guizhou, 550025) Abstract: Reactive ion etching (RIE) is a kind of physical function and chemical etching, high resolution, anisotropic and good selectivity, and the etching rate is fast. By changing the RIE etching parameters: such as, RF power, cavity pressure, gas composition, can adjust the two etching process. Therefore, optimize the etching process is to select the optimal etching parameters combination, reducing the etching damage at the same time ensure smooth etched surface and certain etchingrate. This article summarizes the common of thin film etching method.Key words:Reactive ion etching; ion sputtering; etching rate; uniformity0引言用光刻方法制成的微图形，只给出了电路的行貌，并不是真正的器件结构。
等离子刻蚀主要步骤
等离子刻蚀主要步骤等离子刻蚀主要步骤:一、清洗和准备在进行等离子刻蚀之前，首先需要对待刻蚀的材料进行清洗和准备工作。
这是为了确保材料表面的纯净度和平整度，以便在刻蚀过程中获得更好的效果。
清洗一般包括溶剂清洗、超声清洗和离子束清洗等步骤。
二、气体预处理在刻蚀过程中，需要使用特定的气体作为刻蚀介质。
这些气体通常包括氟化物、氯化物和氧化物等。
在使用之前，需要对气体进行预处理，以确保其纯净度和稳定性。
预处理一般包括过滤、干燥和去除杂质等步骤。
三、装载和定位将待刻蚀的材料装载到刻蚀设备中，并进行定位。
定位是为了确保材料能够在刻蚀过程中保持稳定，并且能够获得所需的刻蚀形状和尺寸。
定位通常使用夹具、真空吸持和机械固定等方式进行。
四、选择刻蚀模式根据材料的性质和刻蚀要求，选择合适的刻蚀模式。
常见的刻蚀模式包括物理刻蚀、化学刻蚀和物理化学刻蚀等。
物理刻蚀主要通过离子轰击材料表面来实现，化学刻蚀主要通过化学反应来实现，物理化学刻蚀则是物理刻蚀和化学刻蚀的综合。
五、调节刻蚀参数根据材料的性质和刻蚀要求，调节刻蚀参数。
刻蚀参数包括刻蚀气体的流量、功率、压力、温度和刻蚀时间等。
不同的材料和不同的刻蚀模式对参数的要求也不同，需要根据具体情况进行调节。
六、开始刻蚀调节好刻蚀参数后，开始进行刻蚀。
刻蚀过程中，离子束或刻蚀气体会与待刻蚀材料相互作用，使材料表面发生物理或化学反应，从而实现刻蚀效果。
刻蚀的速度和形状可以通过调节刻蚀参数来控制。
七、监测和控制在刻蚀过程中，需要不断监测和控制刻蚀状态。
常用的监测手段包括光学显微镜、激光干涉仪和表面轮廓仪等。
根据监测得到的数据，可以进行实时调整和控制刻蚀参数，以获得所需的刻蚀效果。
八、刻蚀后处理刻蚀完成后，需要对刻蚀材料进行后处理。
后处理主要包括清洗、去除残留物和表面处理等。
清洗是为了去除刻蚀过程中产生的残留气体和杂质，去除残留物是为了使材料表面更加平整，表面处理则是为了增加材料的特殊性能和应用价值。
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刻蚀的基本原理IBE刻蚀原理及设备RIE刻蚀原理及设备ICP刻蚀原理及设备工艺过程、检测及仪器1 / 43刻蚀用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分材料去除，从而得到和抗蚀剂完全一致的图形2 / 43干法刻蚀过程示意离子轰击掩膜衬底3 / 43刻蚀种类:① 干法刻蚀利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法）② 湿法刻蚀利用腐蚀性液体将不要的材料去除干法刻蚀工艺特点：①好的侧壁剖面控制，即各向异性②良好的刻蚀选择性; 合适的刻蚀速率；好的片内均匀性③工艺稳定性好，适用于工业生产4 / 43刻蚀参数刻蚀速率习惯上把单位时间内去除材料的厚度定义为刻蚀速率刻蚀前刻蚀后刻蚀速率=刻蚀速率由工艺和设备变量决定，如被刻蚀材料类型，刻蚀机的结构配置，使用的刻蚀气体和工艺参数设置5 / 43刻蚀参数选择比同一刻蚀条件下，被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。
均匀性衡量刻蚀工艺在整个晶片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数NU(%) = (Emax - Emin)/ 2Eave6 / 43刻蚀剖面被刻蚀图形的侧壁形状各向异性：刻蚀只在垂直于晶片表面的方向进行各向同性：在所有方向上以相同的刻蚀速率进行刻蚀7 / 43离子束刻蚀（IBE)原理• 离子束刻蚀是利用具有一定能量的离子轰击材料表面，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀目的把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。
8 / 439 / 43离子源构成及工作原理IBE刻蚀特点9方向性好，各向异性，无钻蚀，陡直度高9分辨率高，可小于0.01μm9不受刻蚀材料限制（金属or化合物，无机物or有机物，绝缘体or半导体均可）9刻蚀过程中可改变离子束入射角θ来控制图形轮廓离子束刻蚀速率影响因素A.被刻蚀材料种类B.离子能量C .离子束流密度D.离子束入射角度10 / 43IBE-A150设备离子源电控柜真空室分子泵冷却水11 / 4312 / 43IBE 相关刻蚀数据离子能量：350eV 材料 刻蚀速率材料 刻蚀速率 材料 刻蚀速率 nm/min nm/min 7-8 nm/min 34-36 55 Ni 17-18 Ti GaN Au SiO2 17-18Al 15-16 5-6 Ge Si33-34 17-18TiN GaAsITO AZ 胶32-34 1835-40离子能量：300eV 材料 刻蚀速率材料 刻蚀速率 材料 刻蚀速率 nm/min nm/min 10 nm/min 35-37 PMMA 21 AZ 胶AuSi14-15Ni-Cr 合金 10-12Glass Si Ni13 / 43IBE操作注意事项• 启动离子源之前，必须确保离子源室和工件台通入冷却水• 如果刻蚀工艺采用离子束入射角度≥30度时，在刻蚀时间到达预定值10s前，必须将工件台转回水平位置• 为更好的传递热量，放片时需在片子背面涂硅脂放片、取片过程中应尽量避免油脂玷污片子图形表面• 取片后用异丙醇擦去工件台上硅脂• 抽真空次序不能错，开主阀前要确认真空度达到-1级14 / 43反应离子刻蚀（RIE）刻蚀原理一种采用化学反应和物理离子轰击去除晶片表面材料的技术•刻蚀速率高、可控•各向异性，形貌可控•选择比高15 / 43排放分离解吸扩散等离子体工艺反应表面扩散16 / 4317 / 43TEGAL PLASMA ETCHER, MODEL 903e 适用于150mm单片晶片上的SiO2和Si3N4的刻蚀；刻蚀温度能控制在20－35度之间主机显示器射频源18 / 431 2SiO2刻蚀光刻胶掩膜Profirle 85-90°刻蚀均匀性 <+/-5% Si3N4刻蚀光刻胶掩膜刻蚀均匀性 <+/-5%Profile 85-90°典型刻蚀速率：PSG 6000Å/min热氧化SiO2 4000 Å/min 典型刻蚀速率：Si3N4 4000 Å/min PSG 6000 Å/min选择比：SiO2: PR >5:1SiO2: silicon/polysilicon >=10:1选择比：Si3N4: PR >3:1Si3N4: aluminum >100:119 / 43RIE操作注意事项• 初始设置为6寸片刻蚀，必须放在两侧片架里，左侧进片，右侧出片• 每次程序运行前要将两边片架重新手动定位• 射频源功率不宜设置过高，小于500W20 / 43电感耦合等离子体（ICP）刻蚀原理包括两套通过自动匹配网络控制的13.56MHz射频电源一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场，在电场作用下，刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。
功率的大小直接影响等离子体的电离率，从而影响等离子体的密度。
第二套射频电源连接在腔室内下方的电极上，此电极为直径205mm的圆形平台，机械手送来的石英盘和样品放在此台上进行刻蚀。
21 / 4322 / 43RIE 与ICP 比较RIEICP离子密度低( ~109 ~10 /cm 10 3) 离子密度高 (>10 /cm )（刻蚀速率11 3高） 离子密度与离子能量不能分别控制（ 离子密度由ICP 功率控制，离子能量由RF 功率控制 离子密度大，离子能量也大） 离子能量低，刻蚀速率低 在低离子能量下可控离子流量达到 高刻蚀速率（形貌控制） 低压下刻蚀速率低 低压下由于高离子流量从而维持高 刻蚀速率 DC Bias 高损伤大低DC bias 损伤小Oxford Plasma lab System 100 ICP 180温控能量产生真空气路Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.将有毒气体及危险气体与超净室隔离开23 / 43ICP刻蚀原理及设备•ICP功率: 0-3000W•RF功率：0-1000W•压力范围: 1-100mT•加工范围：6寸•工艺气体：Cl2,BCl3,HBr,CH4,He,O2,H2,N224 / 43氦气冷却原理藉由氦气良好的热传导特性,能将芯片上温度均匀化25 / 4326 / 4327 / 43ICP 相关刻蚀数据MaterialUniformity Repeatability2” Etch rate Process (µm/min) GasMask SelectivityProfile <±2% (1 x <±2%80°±2°2”) <±4% (4 x2”) GaN 0.5~1 >0.3 BCl 3 /Cl 2 SiO2 5~10:1<±3% (1 x <±3%2”) 90°±2° BCl 3 /Cl 2 PR>5:1GaAs<±3% (1 x <±3%2”)75°-90°±3 °Controllable GaAsVia>2>2 BCl 3 /Cl 2 HBrPR>20:1>10:1<±3% (1 x <±3%2”)90°±2°InPSiO 2GaAs刻蚀28 / 43GaAs穿孔刻蚀29 / 43GaN刻蚀30 / 43InP刻蚀31 / 43ICP操作注意事项• 小片刻蚀时需要在片子背面涂真空油脂，放片、取片过程中应尽量避免油脂玷污片子图形表面，可用异丙醇擦除• ICP Service模式权限很大，为避免误操作，仅限关闭真空装置时操作• 在手动模式下进行托盘定位时，一定要注意门阀的开启状态及卡盘的升起与否，以免造成机械手、阀门、卡盘损坏• 射频源功率不宜设置过高,ICP小于2000W,RF小于500W32 / 4333 / 43加工过程中参数调节刻蚀速率，化学反应 温度功率 离子密度，离子能量离子密度，离子方向性，化学刻蚀 气体流量，反应物材料，反应物洁净度，掩膜材料压力其他− 刻蚀前的准备要点操作者必须仔细认真阅读操作说明，并明确每个部件在刻蚀系统中的作用检查水、电、气是否接好，并打开电源，冷却循环水，N2及压缩空气− 检查所刻蚀的样品情况，掩膜厚度光学显微镜-表面洁净度，粗糙度SEM-掩膜形貌，表面粗糙度膜厚仪/台阶仪/光学轮廓仪-掩膜/薄膜厚度− 若工作腔室处于真空，须先放气然后再放入刻蚀样品。
进入真空室系统的样品或零件，绝对要求外部干净，尤其防止将水和易挥发性的固体或液体带入系统，放好样品后，即可开始抽真空刻蚀过程中密切关注监控系统，程序运行中不稳定情况，记录所有参数（功率，气体流量等）34 / 43刻蚀后的检查(1) 正面颜色是否异常及刮伤(2) 有无缺角及Particle• 测量台阶高度——台阶仪，• 测量膜厚——膜厚仪，• 剖面形貌——SEM/光学轮廓仪35 / 43• 刻蚀上机操作培训400元（暂定）• 上机操作培训后有实习期实习期间需在平台刻蚀组人员在场的情况下进行操作查强王瑗Email：Email：TEL：，36 / 43谢谢37 / 43附件• IBE操作流程装片1 关闭真空计“POWER”开关。
2关闭工作台上的“主阀”按钮。
3 打开“放气阀”按钮。
4 等待1分钟左右，待N2充满整个真空室后，打开真空室门板，关闭“放气阀”按钮。
5 粘片：将样品台中间区域均匀的涂上为样片大小薄薄一层“7501”硅脂，用镊子夹住样片，将样片一边贴在硅脂上，慢慢地放下另一边，用镊子按住样片一端，在硅脂上稍稍移动样片，以便赶走样片与硅脂之间的气泡，使得样片与硅脂紧密粘在一起。
（注意：如果用力过大，片子可能会碎裂）6 完成粘片操作后，关闭真空室门板。
7 关闭“下道阀”按钮，打开“上道阀”按钮，此时机械泵对真空室抽取真空。
等两分钟后，打开真空计“POWER”开关。
8待真空计上显示“9E-1”时,打开“下道阀”按钮关闭第一组合单元上的“上道阀”按钮。
9开启“主阀”，等待第三单元右边的真空计到达“5E-4”以下时，便可进行下面的刻蚀操作了38 / 43刻蚀1开启“气体流量显示及控制”这一栏下方的截止阀，并将截止阀上方的开关拨向“阀控”，旋其右方的旋钮根据需要设定Ar气的气体流量。
（一般稳定在4.7Sccm）2开启“刻蚀时间显示及控制”在这一栏下方“旋转”与“冷却”按钮，并设定所需要的刻蚀时间。