整流桥 T20XB(20~80)
整流装置整流柜_NEW
第1篇整流柜第一章整流柜介绍大容量整流装置是一种将三相工频交流电转换成电压可调的直流电的装置。
本整流柜承担该装置中的转换功能。
其适用场合主要有：A. 镁、铝电解；B. 盐电解；C. 其它金属电解；D. 石墨电炉；E. 碳化硅电炉；F. 其它类似的负载。
第二章结构简述整流柜为户内式结构，基本由槽钢、角铁及薄钢板焊接而成，并设有带玻璃窗的门。
柜内装有12个整流臂及12个快速熔断器臂。
柜内配有继电、配电、保护等系统，并装有端子排，以便对外连接。
柜内装有用于冷却用的水管，水压测量头装在进水水管口附近，水温测量头装在出水水管口附近,引出水压、水温信号至控制柜。
可控硅整流柜内还装有脉冲变压器板及脉冲指示板，从控制柜来的脉冲信号经脉冲变压器分配给同电位整流排上的晶闸管，当脉冲正常时，脉冲指示板上的发光二极管会发光。
第三章环境要求A．海拨不超过1500M；B. 环境温度不低于-10℃；不高于+40℃；C. 整流器安装于户内使用, 并应通风良好；D. 一次冷却水的温度不低于+5℃，不高于+35℃，水质为纯水；E. 整流器停止使用期间，环境温度不低于-30℃（无冷却水时），+1℃（有冷却水时）；F. 空气最大相对湿度不超过90%（相当于空气温度20±5℃时）；G. 没有导电、易爆易燃尘埃、没有腐蚀金属、破坏绝缘的气体；K. 无强烈振动和冲击以及垂直倾斜度不超过5°的场所。
第四章型号代表的意义□ □ S □/ □第五章工作原理本柜主电路采用同相逆并联三相桥式整流电路，其基本原理：把两个相同三相桥式整流联结，从结构上按相位相同、电流方向相反组合在一起，构成自二次绕组直到整流臂的两组相反极性引线尽可能靠近的配置，其通过的电流在任何瞬间都大小相等、方向相反，使各自所产生的交变磁通在两逆并导体的外部相互抵消之机理，从而大大减少各部分线路电抗，并增加相间、臂间阻抗的对称性，从根本上解决大电流的交变磁通所引起的壳体局部过热，电抗压降增大，并联元件均流下降，损耗增大等特殊问题，有利于提高机组效率与功率因素。
80开关工作原理详解解析
1996年技工学校井下电钳专业毕业后，进入煤矿从事防爆低压电器设备的维修工作，至今已有16年了。
16年来，从一个什么也不懂的新工人，到现在熟练掌握了各种防爆设备的原理结构以及常见故障的维修。
这期间，走了不少的弯路。
每当我遇到疑难问题，想从书上找到答案的时候，却找不到关于维修防爆开关的图书，而网上的资料也是少之又少。
只能抱着产品说明书、原理图、再结合其他的电工类图书对遇见的故障进行分析、解决。
为了让在煤矿工作的电工朋友们，尤其是新进入煤矿的电工朋友，尽快的了解防爆磁力启动器以及其他防爆设备的原理、结构、用途和常见的故障与维修。
我将这16年来学习到的关于防爆电器的知识以及在工作中总结的维修经验与技巧在这里与整理出一套教程《防爆磁力启动器原理与维修》与大家分享。
我计划这套教程从简单的80防爆开关开始讲、然后讲解80N、照明综保、煤电钻综保、低压馈电开关、QJZ系列智能型开关、各种组合开关和移动变电站的高低压馈电开关。
目前考虑是这些，以后根据情况可能还会增加。
这将是一个漫长的过程，所以也请你耐心的等候，没事就来看看。
这套教程会不断的更新……总目录34510、矿用隔爆型移动变电站原理与维修11、对《煤矿电器原理与维修》系列教程编写的一次总结煤矿防爆开关简述【2011年12月14日】最近几天比较忙，所以没能及时的更新帖子，让大家久等了。
那么现在就开讲吧。
从哪里开始呢？就从防爆开关的作用开始吧。
我想可能很多坛友都知道防爆开关的作用，但是我还是要讲一下的。
因为我刚开始参加工作的时候，很长一段时间，都不知道这些防爆开关的具体用途。
每天都在修开关，学习这些开关的原理、结构、维修方法。
但是就是不知道它们是做什么用的。
因为我不下井。
防爆开关的用途防爆开关的作用，就像我们家里的开关用来开灯、关电灯一样。
主要用于接通与断开井下用电设备的电源，像耙装机电机、绞车电机、皮带机电机等。
有的坛友疑惑了，我们家里的开关这么小，而这里的开关怎么这么大，还有个笨重的外壳？家里的开关只有一对触点，而这个开关里面怎么这么多原件？我们知道，煤矿井下经常会有瓦斯涌出，瓦斯属于易燃气体，当瓦斯的浓度在5%～16% 且氧气浓度达到12%以上，在这样的环境中，万一出现明火，就会引起爆炸。
t2kb80整流桥参数 -回复
t2kb80整流桥参数 -回复整流桥参数是指在电子电路中使用的一种整流电路，常用于将交流电转换成直流电。
本文将一步一步回答关于整流桥参数的问题。
第一步：什么是整流桥？整流桥是一种由四个二极管组成的电路，用于将交流电转换为直流电。
它的基本原理是利用二极管的单向导电性，在正半周时将正向电流导通，而在负半周时将反向电流截断。
通过四个二极管的组合，整流桥可以达到将所有的交流电转换为单向的直流电的目的。
第二步：整流桥参数有哪些？整流桥的参数通常包括以下几个方面：1. 最大工作电流（Maximum working current）：整流桥可以承受的最大电流。
这个参数决定了整流桥的电流承载能力。
2. 最大反向电压（Maximum reversev o l t a g e）：整流桥可以承受的最大反向电压。
这个参数决定了整流桥的电压承受能力。
3. 转换效率（Conversion efficiency）：指整流桥将交流电转换为直流电的效率。
转换效率越高，整流桥的能耗越低。
4. 尺寸和重量（Size and weight）：整流桥的尺寸和重量直接影响了其在实际应用中的安装和使用。
5. 热效应（Thermal effects）：整流桥在工作时会产生一定的热量，其热效应会影响整流桥的可靠性和寿命。
第三步：整流桥参数如何选择？选择整流桥参数的关键在于根据具体应用需求进行综合考虑。
以下是一些常见的选择因素：1. 工作电流需求：根据所需的电流大小选择整流桥的最大工作电流。
如果工作电流超过整流桥的承受范围，可能导致整流桥过热或损坏。
2. 输入电压：根据所需的输入电压确定整流桥的最大反向电压。
如果输入电压超过整流桥的承受范围，可能导致整流桥失效。
3. 转换效率要求：根据应用的要求选择转换效率。
一般来说，转换效率越高，整流桥的能耗越低，但也会带来更高的成本。
4. 空间限制和重量约束：根据实际应用中的空间限制和重量要求选择合适的整流桥。
常见的快充整流桥堆KBP310、UD4KB80等型号大全
（neya）ASEMI品牌旗下常用于快充行业的，使用氮化镓材料的整流桥有多款，相比传统充电器，有哪些优势？1、充电效率高。
氮化镓的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。
带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。
2、散热快。
氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。
而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能性降低。
3、体积小。
氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。
此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。
今天就为大家详细列出常见的快充整流桥堆型号大全：NO.型号参数封装封装形式1DB207S2A 1000V DBS-4贴片2ABS2102A 65W ABS-4贴片3RABS2102A 1000V ABS-4贴片4TMBF3103A 65W TMBF贴片5TMBFR3103A 65W TMBF贴片6RYBS30103A 65W TMBF贴片7D4KB1004A 45W D3K插件8TT8M8A 65W TT贴片9MSB3073A 65W MSBL贴片10DBF3103A 50W DBF贴片11DBF4104A 65W DBF贴片12GBP-4插件13GBP-4插件14GBP-4插件15KBP-4插件16GBL4064A 600V GBL-4插件17GBL4084A 800V GBL-4插件18GBL4104A 1000V GBL-4插件19GBL6066A 600V GBL-4插件20GBL6086A 800V GBL-4插件21GBL6106A 1000V GBL-4插件22GBL8068A 600V GBL-4插件23GBL8088A 800V GBL-4插件24GBL8108A 1000V GBL-4插件25UD4KB804A 800V DIP-4插件。
整流桥
整流桥有多种方法可以用整流二极管将交流电转换为直流电，包括半波整流、全波整流以及桥式整流等。
整流桥，就是将桥式整流的四个二极管封装在一起，只引出四个引脚。
四个引脚中，两个直流输出端标有＋或－，两个交流输入端有～标记。
应用整流桥到电路中，主要考虑它的最大工作电流和最大反向电压。
图一 整流桥（桥式整流）工作原理图二 各类整流桥（有些整流桥上有一个孔，是加装散热器用的）半波整流；全波整流；桥式整流一、半波整流电路图１ 图1是一种最简单的整流电路。
它由电源变压器B、整流二极管D和负载电阻Rfz组成。
变压器把市电电压变换为所需要的交变电压e2，D 再把交流电变换为脉动直流电。
下面从图2的波形图上看看二极管是怎样整流的。
图２ 变压器次级电压e2，是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压，它的波形如图2（a）所示。
在0～π时间内，e2 为正半周即变压器上端为正下端为负。
此时整流二极管承受正向电压而导通，e2 通过它加在负载电阻Rfz上，在π～2π 时间内，e2 为负半周，变压器次级下端为正，上端为负。
这时D承受反向电压，不导通，Rfz上无电压。
在2π～3π 时间内，重复0～π 时间的过程，而在3π～4π时间内，又重复π～2π 时间的过程…这样反复下去，交流电的负半周就被"削"掉了，只有正半周通过Rfz，在Rfz上获得了一个单一右向（上正下负）的电压，如图2（b）所示，达到了整流的目的，但是，负载电压Usc 。
以及负载电流的大小还随时间而变化，因此，通常称它为脉动直流。
这种除去半周、留下半周的整流方法，叫半波整流。
不难看出，半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的，电流利用率很低（计算表明，整流得出的半波电压在整个周期内的平均值，即负载上的直流电压Usc =0.45e2 ）因此常用在高电压、小电流的场合，而在一般无线电装置中很少采用。
二、全波整流电路 如果把整流电路的结构作一些调整，可以得到一种能充分利用电能的全波整流电路。
满身优点GBU408,这款ASEMI桥堆整流界中堪称...
编辑人：MM摘要:GBU408ASEMI大功率超薄扁桥，这款型号自推出以来便占据了整流桥热销榜前十位置，堪称整流界的“抖S”！GBU408，是ASEMI品牌GBU系列4安培电流的一款超薄整流桥扁桥，这款型号自推出以来便成为线上线下都十分热销的整流桥产品。
毫不夸张的说，它堪称整流界的“抖S”！GBU408参数规格样式详情强势来袭，您，准备好了么？首先，GBU408的电性参数是4A800V，GBU代表的是这一款整流桥的外形塑封规格。
GBU系列整流桥共有的一个特点是，兼备了高频大功率和超薄优散热性能两大优势特点。
这也是GBU408为众多电源电器生产厂家所喜爱的原因。
接下来，就详细的为大将讲解这两大优势特点。
一、高频大功率整流桥GBU408所采用的是台湾原装进口的玻峰GPP大芯片，稳定性、一致性超级强悍，标准一体化生产测试确保了足够的耐压性能，不会像普通的国产整流桥出现恐怖的炸机情况。
优质的进口芯片恢复时间更短、过电损耗极小。
经台湾健鼎一体化测试监测数据分析，一件ASEMI品牌的GBU408，它的恢复时间（Trr）只有500ns，漏电流更是仅仅只有5微安。
有数据有真相，选择ASEMI GBU408，让您的产品更高效，品质更具优越性！二、超薄扁桥，散热性能好GBU408的厚度只有4.2mm，在电源电路设计安装上能够节省很大的空间，提高PCB板的空间利用率，也具备了极好的散热性能，为高档品质的产品设计提供更加优越的性能选择，因此工程师更加倾向于GBU系列封装的整流桥。
这是市场所需工艺生产的选择，也是产业发展的必然。
由此可见，ASEMI品牌整流桥站在整流行业的前端引领浪潮！相信GBU408这款ASEMI大功率超薄扁桥是整流界的“抖S”了吧！台湾ASEMI品牌，12年专业专注电源整流领域，选择强元芯，让您更放心。
ASEMI整流桥KBP210参数，KBP210规格书，KBP210尺寸
ASEMI整流桥KBP210参数，KBP210规格书，KBP210尺⼨编辑-Z
ASEMI整流桥KBP210参数：
型号：KBP210
最⼤重复峰值反向电压（VRRM）：1000V
最⼤RMS电桥输⼊电压（VRMS）：700V
最⼤直流阻断电压（VDC）：1000V
最⼤平均正向整流输出电流（IF(AV)）：2.0A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：60A
每个元件的典型热阻（ReJA）：10℃/W
每个元件的典型结电容（Cj）：25pF
⼯作结和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to +150℃
最⼤瞬时正向压降（VF）：1.1V
最⼤直流反向电流（IR）：10uA
KBP210封装规格：
总长度：23.9mm
本体长度：11.2mm
引脚长度：12.7mm
宽度：14.7mm
⾼度：3.73mm
脚间距：3.85mm
KBP210特征：
使⽤的塑料材料带有美国保险商实验室可燃性识别94V-0
印刷电路板安装的理想选择
内置印刷电路板⽀架
⾼外壳介电强度
⾼温焊接保证265 /10秒。
各类主板参数
技嘉G1-Killer Assassin 详细参数查看：更多信息| 产品图片4999
主要参数
型号G1-Killer Assassin
适用类型台式机
芯片厂商英特尔(Intel)
北桥芯片Intel X58
CPU插槽LGA 1366
支持CPU类型支持Core i7系列处理器
主板架构XL-ATX
总线技术QPI(6.4GT/s)
特色功能全固态电容,SLI技术,CrossFire技术,SATA 6Gbps,USB 3.0 外形尺寸345×262mm
其它性能支持3路SLI,4路CrossFire,Driver MOSFET, X-Fi,EAX, Dolby,DTS,3TB+ HDD On/Off charge,USB 3.0,USB 3x power,Smart6,UD3,DES2
数据来源：太平洋电脑网产品报价()
微星Eclipse Plus 详细参数查看：更多信息| 产品图片
主要参数
型号Eclipse Plus
技嘉G1-Killer Sniper 详细参数查看：更多信息| 产品图片
主要参数
型号G1-Killer Sniper
适用类型台式机
芯片厂商英特尔(Intel)
北桥芯片Intel X58
CPU插槽LGA 1366
支持CPU类型支持Core i7系列处理器
主板架构ATX
总线技术QPI(6.4GT/s)
支持内存类型DDR3
On/Off charge,USB 3.0,USB 3x power,Smart6,UD3,DES2
数据来源：太平洋电脑网产品报价()。
ABS210、ABS10 ASEMI工程揭秘,桥堆不同芯片性能如此悬殊!
编辑人：MM挑战3A贴片整流桥，1.5A贴片DB157S、2A贴片DB207S与ABS210仍需更进一步摘要:3A的贴片整流桥有没有呢？在哪里能够找到？ASEMI微课堂开课，为您解答身边的整流难题！开宗明义，今天的ASEMI微课堂要为大家讲解的主题是：为什么整流行业当中至今没有3A贴片整流桥？首先来介绍一下常见的贴片整流桥型号（大家可以具体参照ASEMI品牌整流桥型号大全），以贴片封装系列来划分，有DBS 系列的DB107S、DB157S、DB207S，有MBS系列的MB2S、MB4S、MB6S、MB8S、MB10S，有MBF系列的MB2F、MB4F、MB6F、MB8F、MB10F，有HD系列的HD02、HD04、HD06、HD08、HD10以及ABS 系列的ABS10、ABS210。
在以上型号中，能够满足2A的通电电流的大芯片迷你贴片只有DB207S与ABS210这两款型号，其余的型号电性参数多为电流1A或者1.5A。
而超出2A电流的贴片整流桥型号，这个是没有的，在行业中也没有把这一参数需求的生产。
那么为什么行业中不生产3A的贴片整流桥呢？接下来ASEMI小编将从芯片和塑封这两个方面为您细细讲解。
从芯片上看，贴片的规格一般为小型超薄的，因此对引线粗细、芯片的规格都有相应的限制。
像ASEMI品牌DB207S与ABS210这两款型号，已经使用了现有整流行业内最大规格的60mil玻璃钝化GPP大芯片，品质稳定性好，实用安全耐高压。
从塑封来说，要考虑到产品的散热性能，因此对整流元器件产品的通导电流有相当严格的要求。
同样的型号，如果使用的塑封材料品质低劣，就会直接影响产品的散热性能，严重的就会引发炸机问题。
ASEMI品牌为了避免出现炸机，从生产原材料上就用了国际最严格的Rosh和CL认证，采用进口环保树脂进行封装，产品的密封性散热性能俱佳。
AsemiABS贴片整流桥相关型号：ABS2,ABS4,ABS6,ABS8,ABS10ABS,ABS2,ABS4,ABS6,ABS8,ABS10。
桥堆型号与参数对照表
桥堆型号与参数对照表力邦电磁炉故障代码E1:无锅.每隔3秒一声短笛音报警.连续性分钟转入待机.E2:电源电压过低.两长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E3:电源电压过高.两长四短笛音报警.间隔5秒响一次.E4:锅超温.三长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E6:锅空烧.两长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E0:IGBT超温.四长三短笛音报警.响两次转入待机.(间隔5秒).E7:TH开路(管温传感器).四长五短笛音报警.间隔5秒响一次.E8:TH短路(管温传感器).四长四短笛音报警.间隔5秒响一次.E9:锅传感器开路.三长五短笛音报警.间隔5秒响一次.EE:锅传感器短路.三长四短笛音报警.间隔5秒响一次.E5:VCE过高.无声.重新试探启动.定时结束:响一长声转入待机.无时基信号.灯不亮.响两秒停两秒.连续.美联电磁炉自动保护出错屏显代码:E---0 输入电压过低]E---1 输入电压过高E---2 IGBT温度传感器开路或温度过低保护E---3 IGBT温度传感器短路或温度过高保护E---4 灶面温度传感器开路或温度过低保护E---5 灶面温度传感器短路或温度过高保护]开机自动关机:机内超温保护.澳柯玛电磁炉数码管显示故障代码及排除故障（无数码显示的电磁炉不在范围之内）现象故障原因检修方法显示E1 炉面温度超过235℃并持续3S 电磁炉炉面温度冷却后再开机显示E2 IGBT温度超过85℃并持续3S 电磁炉内部温度冷却后再开机显示E3 检测电流过大检测电压是否正常或负载是否过大显示E4 输入电压过低调节电源电压或更换主控板显示E5 输入电压过高调节电源电压或更换主控板显示E6 炉面上热敏电阻短路检查线路或更换热敏电阻显示E7 炉面上热敏电阻断路检查线路或更换热敏电阻显示E8 IGBT处的热敏电阻短路检查线路或更换热敏电阻显示E9 IGBT处的热敏电阻断路检查线路或更换热敏电阻注：线路板为PD版本的机型，增加E0代码，缺少E5、E6、E9代码，E0表示内部故障，E4表示电源欠压/过压，E7表示炉面的热敏电阻断路/开路，E8表示IGBT处的热敏电阻短路/短路。
ASEMI整流桥GBU3010,让电源的设计事半功倍
ASEMI整流桥GBU3010,让电源的设计事半功倍编辑・z隔离式开关电源一般采用由整流管组成的整流桥，也可以直接选用成品整流桥完成桥式整流。
全波桥式整流器简称硅整流桥。
GBU3010是将四个硅整流管连接成桥式电路，然后用塑料封装而成的半导体器件。
GBU3010具有体积小、使用方便、各整流管参数一致性好等优点，GBU3010可广泛应用于开关电源的整流电路中。
GBU3010硅整流桥有4个接线端，其中有两个交流输入端和两个直流输出端。
GBU3O1O参数描述型号:GBU3010封装：GBU-4特性：大功率电源专用整流桥电性参数：30A 1000V正向电流(Io)： 30A正向电压(VF)： 1.1V浪涌电流∣fsm: 300A漏电流(lr)： 5uA工作温度：∙55~+150°C引线数量：4ΛSEMllGBU3010整流桥的导通时间和选通特性50Hz交流电压经全波整流后转换为脉动直流电压ul,再通过输入滤波电容得到直流高压Ulo理想情况下，整流桥的导通角应为180。
(导通范围从0。
到180。
)，但由于滤波电容C 的作用，只能在短时间内接近峰值交流电压，才有输入电流流过整流桥给C充电。
50Hz交流电的半周为10ms,整流桥的导通时间tC≈3ms,其导通角仅为54。
(导通范围为36o-90o)o 因此，整流桥实际上是通过一个窄脉冲电流。
桥式整流滤波电路原理如下图(a)所示，整流滤波电压和整流电流波形分别如图(b)和(c)所示。
(c)SI燮淮海及电区及堂渡电谟的武布总结几点：(1)整流桥的上述特性可以等效为对应于输入电压频率的约30%的占空比。
(2)整流二极管的一次导通可视为〃选通脉冲〃，其脉冲重复频率等于交流电网频率(50Hz)。
⑶开关电源中为了降低500kHz以下的传导噪声，有时采用两个普通硅整流器(如1N4OO7)⅛两个快恢复二极管(如FR106)组成整流桥。
FR106的反向恢复时间为trr≈250ns.以上就是关于ASEMI整流桥GBU3010,让电源的设计事半功倍的详细介绍。
正负可调直流稳压电源设计
正负可调直流稳压电源设计正负可调直流稳压电源设计姓名：张平学号：141900143专业：电子信息工程指导老师：李继强学院：电气信息学院日期：2015年01月01日摘要在电子电路设计中，最离不开的就是电源。
不管是调试测试电路，还是驱动电路，这些都离不开电源的应用。
在本设计中采用5W，220V—12V的变压器来将220V电压降压。
用三端可调节正电压稳压器LM317和三端可调节负电压稳压器LM337形成正负电压生成电路。
正负可调直流稳压电源由电源变压器、整流电路、前级滤波电路、稳压电路和后级滤波电路共五部分组成。
设计的可调电源具有电压正负可调、电路简单、成本低廉的优点。
在电路中由于需要交流变直流，所以采用各种电容，运用电容充放电的原理来调整交流电到直流电。
关键词：可调电源电容滤波稳压AbstractedAdjustable DC regulated power supply is a DC power supply is often used in the real experiment, its main principle is divided into four parts, transformer, rectifier, filter, adjustable output. The four part is the title of one step one step, are indispensable. After the regulation and role of the four sector, will put the 220V AC sinusoidal into positive and negative adjustable DC power supply voltage regulator. To act with voltage of the chip LM317 and LM337. The two chip can lead in the middle bridge rectifier, voltage can be adjusted to achieve positive and negative.Key word:adjustable power source;Capacitance smoothing ;voltage stabilization ;目录摘要 (I)Abstracted.................................................................................................................... I I 目录 .. (III)第一章方案论证和比较 (1)1.1 设计任务 (1)1.2 设计方案与选择 (1)1.2.1 设计方案比较 (1)1.2.2 方案选择确定 (1)1.3 设计流程图 (2)1.4 方框图 (2)第二章设计原理与分析 (3)2.1 变压器的原理与分类 (3)2.1.1 变压器工作原理 (3)2.1.2 变压器分类 (3)2.2 桥式整流 (4)2.3.1 整流二极管 (4)2.3.1 整流桥 (5)3.3 滤波电路 (7)2.3.1 滤波电路的概念 (7)2.3.1 滤波电路的性能 (9)2.4 稳压及调节电路 (10)2.4.1 主流器件 (10)2.4.2 稳压与输出可调原理 (13)第三章电路设计 (14)3.1 变压与整流电路 (14)3.1.1 变压器的选择 (14)3.1.2 整流电路设计与二极管选择 (15)3.2 前级滤波电路设计 (16)3.3 稳压电路设计 (17)3.4 后级滤波电路设计 (18)3.5整体电路 (19)第四章调试方案与测试结果 (20)4.1 变压器降压检测 (20)4.2 整流桥整流检测 (21)4.3 滤波电路检测 (22)4.4 稳压可调电路检测 (24)4.4.1 稳压波形检测 (24)4.4.2 电压调节检测 (25)总结 (27)附录一 (28)第一章方案论证和比较1.1 设计任务设计并制作一个正负可调直流稳压电源，实现电压从正1.25V—正16.97V 可调和电压从负1.25V—负16.97V 可调；最大电流不超过0.5A。
ASEMI整流桥DB207S的结构，DB207S的应用方向
ASEMI整流桥DB207S的结构，DB207S的应⽤⽅向编辑-Z隔离型开关电源⼀般采⽤整流管组成的整流桥，或直接选⽤成品整流桥DB207S完成桥式整流。
那么ASEMI整流桥DB207S的结构是怎样的呢？DB207S全波桥式整流器称为硅整流桥，它是将四个硅整流管连接成桥式电路，然后⽤塑料封装⽽成的半导体器件。
DB207S具有体积⼩、使⽤⽅便、各整流管参数⼀致性好等优点，可⼴泛应⽤于开关电源的整流电路中。
DB207S参数描述型号：DB207S封装：DBS-4 (SOP-4)特性：⼩⽅桥、贴⽚桥堆电性参数：2A 1000V芯⽚材质：GPP正向电流(Io)：2A芯⽚个数：4正向电压(VF)：1.1V芯⽚尺⼨：60MIL浪涌电流Ifsm：60A漏电流(Ir)：5uA⼯作温度：-55~+150℃恢复时间(Trr)：500ns引线数量：4硅整流桥有4个端⼦，包括两个交流输⼊端和两个直流输出端。
整流桥通常由两⽚或四⽚整流硅⽚连接，DB207S也不例外。
两个称为半桥，四个称为全桥。
外部采⽤绝缘塑料封装，⼤功率整流桥在绝缘层外⽤锌⾦属壳封装，增强散热。
DB207S的应⽤⽅向有哪些？DB207S主要应⽤于⼩电流产品：⼩功率开关电源、充电器、电源适配器、LED灯整流器等相关电器产品。
硅整流桥的平均最⼤整流电流分为0.5~40A等多种规格，最⼤反向⼯作电压有50~1000V等多种规格。
⼩功率硅整流桥可以直接焊接在印制板上，⽽⼤功率⾼倍率的硅整流桥要⽤螺丝固定，并安装合适的散热⽚。
因此，整流桥的参数选择⾮常重要。
如果选型不好，可能会造成烧机的危险。
ASEMI GBU简约实例之GBU2508桥堆规格
台湾 ASEMI 品牌 GBU 系列 25A（安培）整流桥整流桥产品主要应用于： 中小功率开关电源，LED 灯驱动器，电冰箱、洗衣机、电视机、空调机、高档厨 具等用电设备中。 GBU 系列 25A 整流桥相关型号： GBU25005、 GBU2501、 GBU2502、 GBU2504、 GBU2506、
编辑人：MM
深圳市强元芯电子有限公司 供应台湾 ASEMI 品牌整流桥 GBU 系列 25A（安培）PDF 电性参数规格书介绍： 正向最大输出电流 IO：25A； 正向压降 VFM：1.1V； 最大反向电流 IR：10A； 封装形式：GBU-4、DIP-4； 最大反向耐压 PRV：50V-1000V； 正向峰值电流 IFSM：400A； 工作温度范围：-55to+150； 漏电流：5ua
GBU2508、GBU2510、GBU2504G、GBU2506G、
GBU2508G、GBU2510G、GBU25J、GBU25K、GBU25M。 深圳强元芯公司专业生产与销售“ASEMI”著名品牌，长期大量现货供应。 公司主营产品有：整流桥堆、肖特基二极管、快恢复二极管、单相/三相整流模 块、线路板、汽车电子等，并为客户提供全面的技术支持！
三相整流桥
α＞60°时 uwu电感性负载输出电压平均值 u u u
wv uv
eL
0°＜α≤90°时 6 uuv2 3 U 6 U 2 sin td (t ) 1.35 d Ud 2.34U cos U cos v ωt2 2L 2 3 电感性负载移相范围为 90° 2.34U 2 cos
三相桥式全控
电感性负载 v u u v w 1 u 3 v 6
电感性负载 控制角α＝30 60°
1 1 11 33 33 55 4 2 44 u 2 2 6 2 4 u u6 ｖ u ｗ 55 66
5 w 2
w u v u w v ud
id
R L
11 6 6 u u
ωt ωt
4
uuv uuw uvw uvu uwu uwv uuv
Ud 2U2 cost
√2 U2
π π
m
m
据傅氏级数展开
ud 0 Ud 0
n mk
a
n
sinnt
n mk
b
n
cosnt
多相整流电路的一般分析 电压波形纵轴对称
ud0 Ud0
n mk
b
n
cosnt
π π
m m
√2 U2
nd0 应为 m的整数倍 u 以2π/m 为周期
LＢ
1
2 3
L
w LＢ
R
iv=ik
iu=Id-ik
uu uｖ
di k di k uｄ ud uu LB u v LB dt dt
uｗ
uu
uu u v ud 2 di k u v u u 2L B dt
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
T20XB(20~80)
橋式整流器Bridge Rectifier
■特徵 Features ■外形尺寸和印記 Outline Dimensions and Mark
● I o
20A 單位Unit ：mm ● V RRM 200V~800V
● 玻璃鈍化芯片 Glass passivated chip ● 耐正向浪湧電流能力高
■用途 Applications
● 作一般電源單相橋式整流用 rectifier applications
■極限值（絕對最大額定值） 2.2±0.2
T20XB60934.0±0.2
17.5±0.5
10±0.2
7.5±0.27.5±0.2
5
20±0.3
+0.15 Limiting Values （Absolute Maximum Rating ）
T20XB
參數名稱
Item
符號 Symbol 單位Unit
條件 Conditions
20 40
60
80
貯存溫度
Storage Temperature T stg ℃ -40 ~+150 结温
Junction Temperature T j ℃
+150
反向重復峰值電壓
Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM
V 200 400600800
用散熱片 T c =87℃
With heatsink T c =87℃
20 平均整流輸出電流
Average Rectified Output Current I o A
50H z 正弦波，電阻負載50H Z sine wave, R-load 無散熱片 T a =25℃
Without heatsink T a =25℃
3.5 正向（不重復）浪涌電流
Surge(Non-repetitive)Forward Current I FSM
A 50H Z 正弦波，一個周期，T a =25℃
50H Z sine wave, 1 cycle, T a =25℃ 240 绝缘耐压
Dielectric Strength Vdis kV
端子與外殼之間外加交流電，一分鐘
Terminals to case ，AC 1 minute
2.5 安装扭矩
Mounting Torque
TOR kg ·cm
推荐值：5kg ·cm
Recommend torque ：5kg ·cm
8
■電特性 （T a =25℃ 除非另有規定） Electrical Characteristics （T a =25℃ Unless otherwise specified ）
參數名稱 Item 符號 Symbol 單位 Unit 測試條件 Test Condition
最大值 Max
正向峰值電壓
Peak Forward Voltage V FM V I FM =10A, 脈衝測試，單個二極管的額定值 I FM =10A, Pulse measurement, Rating of per diode
1.1 反向峰值電流
Peak Reverse Current
I RRM μA
V RM =V RRM ,脈衝測試，單個二極管的額定值
V RM =V RRM , Pulse measurement, Rating of per diode
10 R θJ-A
結和環境之間，無散熱片
Between junction and ambient, Without heatsink
22 R θJ-L 結和引線之間，無散熱片
Between junction and lead, Without heatsink
5 熱阻
Thermal Resistance
R θJ-C
℃/W
結和管殼之間，用散熱片
Between junction and case, With heatsink
1.5。