红外光电探测器的设计

合集下载

以红外技术为基础的火灾检测系统设计

以红外技术为基础的火灾检测系统设计一、绪论火灾是一种严重的自然灾害，不仅危害人类的生命财产，而且在很多情况下会造成难以逆转的损失。

因此，对火灾进行预防和控制是极为必要的。

作为防火控制的关键环节，火灾检测系统在现代市场中占据着越来越重要的地位。

红外技术在火灾检测系统中被广泛采用，其原理是通过红外探测器捕捉被检测物体发出的红外辐射，传递到控制中心并自动启动的火灾报警警报。

因此，本文主要探讨基于红外技术的火灾检测系统的设计问题。

二、红外技术基础红外辐射是介于可见光和微波辐射的电磁波，其波长范围为0.8μm到1000μm。

以温度为参考点，将红外辐射分为以下三个区域：1. 远红外区（波长：8-15μm），涵盖了人与物体之间的热辐射；2. 中红外区（波长：3-5μm），可检测物体的呼吸和表面温度；3. 近红外区（波长：0.8-1.5μm），检测物体表面反射的红外辐射。

三、红外火灾探测器设计原理基于红外辐射原理，火灾探测器可分为光电型和热敏型两种类型。

1. 光电型探测器该型探测器利用感光材料和红外反射材料配合产生探测效应。

当感光材料受到火焰或烟雾的刺激时，产生微弱的电流，以此来判断是否出现火灾。

典型的光电型火灾探测器有烟感探测器、点型探测器等。

2. 热敏型探测器热敏型火灾探测器根据被探测物体温度的变化来判断是否出现火灾。

常见的热敏型火灾探测器有铂电阻温度传感器、热敏电阻温度传感器和热电偶温度传感器。

四、红外火灾检测系统设计红外火灾检测系统主要由控制中心、探测器和信号处理器组成。

控制中心负责接收、分析、处理探测器传输过来的数据，并根据结果启动相应的火警报警和灭火装置。

1. 系统结构设计基于系统的实际需求，设计师需要对系统造型、布局、材质和位置等方面的问题进行仔细考虑以设计出最优方案。

此外，必须注意探测器与其他区域的联通性。

2. 报警方式设计火灾检测系统的报警方式通常有声警报、视觉提示和电气控制等几种。

设计师需要根据实际需求来确定最合适的报警方式，最大限度地减少火灾造成的损失。

红外光电探测器的设计

积件 2-2-3：集成电路LM567结构及应用
3.2超声波遥控电扇变速器一、工作原理 (图3)为发射电路。它采用的是国产蝙蝠牌FS—A5A型电风扇的遥控发射器。这种发射器具有体积小、耗电省、工作可靠、电路简单等特点。在使用时，每按一下发射键，发射器发出约为500ms的40KHZ的超声波。发射电路的工作原理如下。
天津市红星职业中等专业学校
Tianjin Hongxing Vocational Secondary School
电子技能与实训
积件 2-2-3：集成电路LM567结构及应用
制作老师：李光彩
全国职业教育电子与信息技术专业数字化资源共建共享
积件 2-2-3：集成电路LM567结构及应用
1. 通用音调译码器集成电路LM567的原理及应用
农业是国民经济的基础先进的植保技术是农业生产丰收的保障现代植物病虫害防治仍然以化学药剂防治为主我国常规施药方法和施药器械落后大量农药流失到水体土壤和大气中农药的利用率低防治成本高并造成严重的环境污染对某些害虫防治效果欠佳先进的施药方法和施药器械的研究与开发对我国农业的持续发展降低生产成本特别是保护环境具有重要的作用
积件 2-2-3：集成电路LM567结构及应用
图片4-1
积件 2-2-3：集成电路LM567结构及应用
图片4-2
积件 2-2-3：集成电路LM567结构及应用
图片4-3
积件 2-2-3：集成电路LM567结构及应用
图4为红外接收解调控制电路。图中，IC1是LM567。LM567是一片锁相环电路，采用8脚双列直插塑封。其⑤、⑥脚外接的电阻和电容决定了内部压控振荡器的中心频率f2，f2≈1/1.1RC。其①、②脚通常分别通过一电容器接地，形成输出滤波网络和环路单级低通滤波网络。②脚所接电容决定锁相环路的捕捉带宽：电容值越大，环路带宽越窄。①脚所接电容的容量应至少是②脚电容的2倍。③脚是输入端，要求输入信号≥25mV。⑧脚是逻辑输出端，其内部是一个集电极开路的三极管，允许最大灌电流为100mA。LM567的工作电压为4.75～9V，工作频率从直流到500kHz，静态工作电流约8mA。LM567的内部电路及详细工作过程非常复杂，这里仅将其基本功能概述如下：当LM567的③脚输入幅度≥25mV、频率在其带宽内的信号时， ⑧脚由高电平变成低电平，②脚输出经频率/电压变换的调制信号；如果在器件的② 脚输入音频信号，则在⑤脚输出受②脚输入调制信号调制的调频方波信号。在图4的电路中我们仅利用了LM567接收到相同频率的载波信号后⑧脚电压由高变低这一特性，来形成对控制对象的控制。

红外光伏探测器的设计与制造

红外光伏探测器的设计与制造随着科技的不断发展，红外光伏探测器在工业和军事领域已经变得越来越重要。

红外光伏探测器具有很高的灵敏度，能够探测到人体和机器发出来的红外辐射，广泛应用于夜视仪、红外线热像仪、安防监控等领域。

本文将探讨红外光伏探测器的设计与制造。

一、红外光伏探测器的工作原理红外光伏探测器是一种基于光电效应的探测器，可以将红外辐射转化为电信号。

当红外光射入探测器中时，光子将激发出一定数量的电子。

这些电子将被收集到探测器表面的电极上，形成微弱的电信号。

通过放大和处理电信号，可以得到好的红外图像。

二、红外光伏探测器的设计1、选择红外光伏探测器的材料红外光伏探测器使用不同的材料来探测特定的红外波段。

硒化镉 (CdSe) 是最常用的材料，可用于感应至850μm。

另外，锗 (Ge) 和硅 (Si) 的探测器可感应至100μm 和1μm。

2、设计红外光伏探测器的电路图红外光伏探测器的电路图包括电极和数据放大器等元器件，一般设计的目标是提高探测器的灵敏度并减小噪声。

3、注重信号处理红外光伏探测器的信号处理包括噪声的降低，信噪比的提高、放大时间的优化以及快速反应等。

三、红外光伏探测器的制造1、硒化物的制造红外光伏探测器制造的第一步是生产硒化镉。

通过氢气和二甲基硒，可以将镉片转化为硒化物。

2、制造探测器元件制造探测器元件的过程包括将制作好的硒化物放置在硅基板上并进行微影技术以分离出电极和器件连接点这些步骤。

3、测试和校准红外光伏探测器的测试和校准是重要的步骤，可以保证探测器的精度和准确性。

测试和校准的方法包括波段选择、灵敏度分析和光谱测量。

四、红外光伏探测器的应用红外光伏探测器的应用包括以下几个方面：1、夜视仪夜视仪利用红外光伏探测器感应可见红外辐射来观察低亮度环境中的物体。

普通夜视仪的工作原理是在光学目镜上使用红外辐射夜视境组来增加光线并提高图像质量。

2、红外线热像仪红外线热像仪利用红外光伏探测器探测发出的红外辐射来发射可见光且不会加热目标，从而得到发射源的分布状况图像。

红外光探测器的设计与制造技术

红外光探测器的设计与制造技术红外光探测器是一种利用红外光谱检测物质特性的器件，因其具有光谱范围广、能量大、波长分辨率高等特点，被广泛应用于光电子学、环境监测、医疗设备和军事领域等众多领域。

在光探测技术的发展方面，红外光探测器技术尤为重要，为本文探讨之重点。

红外光探测技术的分类根据应用领域的不同，红外光探测器主要分为热释电型、光电二极管型、金属氧化物半导体型、超导型等多类别。

热释电型红外光探测器利用黑体辐射光学原理，使用金属膜或半导体膜制成红外光探测器，电极和探测器本体通过透明导电体相连接，以实现对特定波长光的检测。

光电二极管型红外光探测器的作用原理是将红外辐射能量转换为电子，通过光电转换原理实现检测功能。

它主要由光电探测器和前置放大器组成，前置放大器被用于集中检测电源，提升信号输出。

金属氧化物半导体型红外光探测器则利用金属氧化物半导体薄膜材料制成，当薄膜暴露在光线下时，氧化物表面的偏压可以随光线的明暗波动而发生显著变化。

超导型红外光探测器是由遇冷金属电路建造而成的超导电性材料，具有强磁性和超导性，被广泛应用于红外光谱仪和红外遥感器等方面的应用。

红外光探测器的设计红外光探测器的设计与制造技术的发展性质上是相辅相成的，前者的不断革新可以推动后者的发展。

红外光探测器的设计目标通常是要用于检测特定波长的红外光，因此选择红外光敏元件一般需要注意以下几个问题：频率响应、灵敏度、输出电阻、偏置电压、暗电流、噪音等。

在设计时可以从材料选择、工艺流程、结构、偏置方案等方面进行考虑。

材料在红外光探测器中起到了关键作用，适当的材料选择可以提高探测器的性能和可靠性。

如铟化铊（InSb）材料的基于半导体元素的铸造制造工艺通常用于制造高效的热释电型红外光探测器，而硒化镉（CdSe）和硫化镉（CdS）等元素晶体的材料结构通常用于制造高效的金属氧化物半导体型红外光探测器。

在工艺流程方面的创新可以使红外光探测器的效率提高，设计中通常需注意族化、晶体受损、杂质浓度等问题。

红外线自动探测门控制电路系统设计毕业设计1 精品

毕业设计红外线自动探测门控制电路系统设计一、设计要求（1）要求用单片机来实现本电路系统的控制功能。

（2）用555定时器来提供开门触发信号，用红外线感应开关对管检测人体信号。

（3）用5V直流电机来模拟开门拖动电机。

（4）用三位七段码数码管显示，来监控模拟开门时间，及开门状态。

红外线自动探测门控制电路系统设计前言自动门从理论上理解应该是门的概念的延伸，是门的功能根据人的需要所进行的发展和完善。

自动门是指：可以将人接近门的动作（或将某种入门授权）识别为开门信号的控制单元，通过驱动系统将门开启，在人离开后再将门自动关闭，并对开启和关闭的过程实现控制的系统。

自动门开始在建筑物上使用，是在二十世纪年以后。

二十年代后期，美国的超级市场的开放，自动门开始被使用，受此影响，世界第一自动门品牌多玛在1945年开发出油压式、空气式自动门，新建大楼的正门也开始使用了。

到了1962年，电气式开始出现，之后伴随着城市的建设，自动门技术的领域每年都在增加。

当初，用供给建筑物用电源进行电动机的速度控制很难，只好进行油压、空压速度控制，转换但因能源利用效率很低，然而伴随着电气控制的技术发展，现在电气控制技术已经成熟，直接控制电动机的电气式自动门逐渐成为主流。

例如：各种用可识别控制的自动专用门，如：感应自动门(红外感应，微波感应，触摸感应，脚踏感应)、刷卡自动门等 21世纪的今天，门更加突出了安全理念，强调了有效性：有效地防范、通行、疏散，同时还突出了建筑艺术的理念，强调门与建筑以及周围环境整体的协调、和谐。

门大规模专业化生产始于150年前，在不断发展和完善的过程中，涌现出大批独具规模的专业制造商。

门的高级形式--自动门起源在欧美，迅速发展至今天，已经形成了种类齐全、功能完善、造工精细的自动门家族。

整体来说国外的自动门控制系统性能比较优良,但是价格偏高；国内的同类产品价格便宜但是性能较差,故障率较高。

在国外,进入20世纪90年代以来，自动化技术已经很成熟，技术发展很快，并取得了惊人的成就，自动门是自动化技术的典型代表。

高性能PtS2

第42卷　第1期吉林大学学报(信息科学版)Vol.42　No.12024年1月Journal of Jilin University (Information Science Edition)Jan.2024文章编号:1671⁃5896(2024)01⁃0074⁃07高性能PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器收稿日期:2023⁃01⁃12基金项目:上海市自然科学基金资助项目(15ZR1627300)作者简介:潘生生(1995 ),男,合肥人,上海理工大学硕士研究生,主要从事二维光电材料研究,(Tel)86⁃187****3664(E⁃mail)2351948787@;通讯作者:袁涛(1983 ),女,上海人,上海理工大学教授,博士,主要从事新能源材料研究,(Tel)86⁃181****3228(E⁃mail)4673250167@㊂潘生生1,袁　涛1,周孝好2,王　振2(1.上海理工大学理学院,上海200093;2.中国科学院上海技术物理研究所,上海200092)摘要:由于光电探测器的工作性能直接关系到系统数据采集质量,为此,对高性能PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器进行了研究㊂通过选取材料㊁试剂和设备制作了PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器㊂搭建探测器性能测试环境,并利用光响应度㊁探测率㊁响应时间和光电导增益4个指标,分析探测器性能㊂结果表明,随着测试时间的推移,PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器的光响应度数值始终处于5A /W 限值以上;无论对采集何种材质反射的红外光,探测器探测率均大于10cm㊃Hz1/2W -1;无论光生电流是处于上升还是下降时间,其响应时间始终在限值150μs 以下;光电导增益值保持在80%以上㊂关键词:PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器;光响应度;探测率;光电导增益中图分类号:TP365.66文献标志码:AHigh Performance PtS 2/MoTe 2Heterojunction Infrared PhotodetectorPAN Shengsheng 1,YUAN Tao 1,ZHOU Xiaohao 2,WANG Zhen 2(1.College of Science,Shanghai University of Technology,Shanghai 200093,China;2.Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200092,China)Abstract :As one of the important components of the detection system,the performance of photoelectric detector is directly related to the quality of system data acquisition.In order not to affect the final detection result,it is essential to ensure the detector performance.The performance of high performance PtS 2/MoTe 2heterojunction infrared photodetector is studied.First,the materials,reagents and equipment are prepared to make PtS 2/MoTe 2heterojunction infrared photodetectors.The detector performance test environment,the four indicators of light response,detection rate,response time and photoconductivity gain are set up,and the detector performance is analyzed.The results show that the optical responsivity of PtS 2/MoTe 2heterojunction infrared photodetector is always above the 5A /W limit with the passage of test time.The detection rate of the detector is greater than 10cm㊃Hz1/2W -1regardless of the infrared light reflected from any material.Whether the photocurrent is in the rising time or the falling time,its response time is always below the limit of 150μs;The photoconductivity gain value has been kept above 80%.Key words :PtS 2/MoTe 2heterojunction infrared photodetector;optical responsivity;detection rate;photoconductivity gain0　引　言目标检测是一个确定目标缺陷㊁故障㊁属性㊁类型的过程,其是很多领域的研究重点课题㊂在目标检测过程中,基础数据采集是首要环节,其质量直接关系到目标检测结果的准确性[1]㊂针对目标的不同,基础数据的采集手段也各不相同,如振动传感㊁雷达㊁光电探测系统等㊂其中,光电探测系统根据发射光的颜色不同,又分为紫外光㊁可见光及红外光等[2]㊂而其中红外光由于探测范围较为广泛,使其成为光电探测系统中的重要组成部分㊂其工作原理是反射光照射到半导体材料上后,会吸收光能量,则会触发光电导效应,从而将红外光转换为电信号[3]㊂红外光电探测器是整个探测系统的核心”,因此其性能会直接影响数据采集质量,进而影响整个探测工作质量㊂基于上述分析,人们对红外光电探测器性能进行了大量分析研究㊂周国方等[4]以石墨烯材料为基础并利用碱刻蚀法合成金字塔状硅,形成异质结,制备近红外光探测器,并针对其响应速度㊁比探测率㊁光电流等性能进行了检测㊂秦铭聪等[5]首先选取探测器制备所需要的材料并制备了各个组成元件,然后将这些元件组合,构成了高性能近红外有机光探测器件,最后针对响应度和比探测率㊁线性动态范围LDR(Low Dynamic Range)㊁光开关特性和响应时间等性能进行了分析㊂皇甫路遥等[6]以二硫化钼和二硒化钨为基础,利用蒸镀机热蒸镀法制备成异质结光电探测器,然后针对该设备进行了拉曼荧光㊁输出㊁光电特性的分析㊂在上述研究基础上,笔者制备高性能PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器并对其性能进行研究,以期为红外光电探测器设计和应用提供参考㊂1　高性能PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器设计1.1　材料制备二硫化铂(PtS 2)是一种过渡金属硫族层间化合物,其光响应特性优秀,因此广泛用于光电探测器的设计中;二碲化钼(MoTe 2)是一种N 型半导体材料,具有良好的光吸收性㊁半导体特性以及同质结效率,可保证电子在其中迅速运动[7]㊂这两种材料是形成探测器光电导效应的主要原料㊂其基础性质如表1所示㊂表1　PtS 2和MoTe 2的性质　2和MoTe 2两种主要材料外,还需要衬底材料,以承载PtS 2和MoTe 2氧化硅,来自浙江精功科技股份有限公司,该硅片基础参数如下:氧化层厚度:50~200μm;晶向:〈100〉;掺杂类型:P;电阻率:1~3Ω㊃cm㊂1.2　试剂制备PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器制备所需试剂如表2所示㊂表2　探测器制备所需试剂57第1期潘生生,等:高性能PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器1.3　设备选取PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器制备所需设备如表3所示㊂表3　探测器制备所需设备Tab.3　Equipment required for detector preparation设备名称型号生产厂家旋涂仪SPIN200i⁃NPP 北京汉达森机械技术有限公司电子束蒸发系统FC /BCD⁃2800上海耀他科技有限公司扫描电子显微镜WF10X /23上海锦玟仪器设备有限公司鼓风干燥箱xud 东莞市新远大机械设备有限公司超声清洗机SB⁃50江门市先泰机械制造有限公司无掩模光刻机Micro⁃Writer ML3英国DMO 公司氮气枪沈阳广泰气体有限公司双温区管式炉MY⁃G3洛阳美优实验设备有限公司紫外曝光系统UVSF81T007356复坦希(上海)电子科技有限公司三维转移平台SmartCART北京昊诺斯科技有限公司1.4　红外光电探测器制作工艺基于表1~表3给出的制备材料㊁试剂和设备,制备出高性能PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器用于性能测试[9]㊂具体过程如下㊂步骤1)　制作衬底㊂①氧化硅片切割成直径为1cm 的圆形硅片;②将圆形硅片放入准备好的烧杯容器中;③在其中加入丙酮溶液,浸泡10min;④取出硅片后,放入乙醇溶液中,再次浸泡10min;⑤将硅片放入去离子水中并同时利用超声清洗机清洗5min,用氮气枪吹干表面的水分,完全去除附着在硅片表面的有机物和杂质;⑥利用氢氟酸溶液去除氧化层;⑦通过外延生长技术得到p 型硅;⑧进行紫外臭氧处理20min,得到衬底[10]㊂步骤2)　利用热辅助硒化法制备PtS 2和MoTe 2薄膜㊂步骤3)　将PtS 2薄膜贴到衬底上,得到薄层PtS 2样品㊂步骤4)　在薄层PtS 2样品上均匀旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯㊂步骤5)　在显微镜和三维转移平台下将MoTe 2薄膜进行精确定位,然后对准并贴合在一起㊂步骤6)　利用鼓风干燥箱干燥处理㊂步骤7)　浸泡氢氟酸溶液㊁捞取㊁烘烤㊁去胶和退火,完成PtS 2/MoTe 2异质结制备[11]㊂图1　PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器示意图Fig.1　Schematic diagram of PtS 2/MoTe 2heterojunction infrared photodetector步骤8)　在PtS 2/MoTe 2异质结上光刻出图形,形成微结构㊂步骤9)　利用紫外曝光和湿法刻蚀工艺制备出晶体管栅极㊂步骤10)　利用电子束曝光结合电子束蒸发系统制备出源漏电极㊂步骤11)　完成高性能PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器的制作如图1所示㊂67吉林大学学报(信息科学版)第42卷2　光电探测器性能测试对制备好的PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器进行性能测试㊂其测试工作分为两部分,一是设定测试环境,二是确定测试指标[12]㊂2.1　设定测试环境图2　红外光电探测器测试环境Fig.2　Test environment of infrared photodetector 红外光电探测器是光电探测系统中的重要组成部分,光电探测系统主要用于目标检测,因此为测试所制备的PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器性能,需要搭配其他系统构成测试环境,如图2所示[13]㊂应用所设计的PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器采集反射信号,测试持续10min㊂记录期间内探测器的相关工作参数,以便性能指标的计算[14]㊂2.2　性能测试指标针对所设计的PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器,选用以下4个指标进行性能评定,即光响应度㊁探测率㊁响应时间和光电导增益[15]㊂1)光响应度㊂描述探测器光电转换能力的指标,该指标越大,说明探测器的光电转换能力越好㊂计算如下:A =a 1/B ,(1)其中A 表示光响应度,a 1表示光照射下产生的光生电流,B 表示入射光功率㊂光响应度大于5A /W 为高性能标准㊂2)探测率㊂反射的光信号中部分信号是十分微弱的,并不容易被采集到,因此要求探测器具有良好的针对微弱信号的探测能力,探测率就是描述该能力的最直观指标,该指标越大,说明探测器的针对微弱信号的探测能力越好[16]㊂计算如下:C =a 2L /D ,(2)其中D =G 1/A ,(3)其中C 表示探测率,大于10cm㊃Hz1/2W -1为高性能标准,a 2表示器件有效面积,L 表示带宽,D 表示噪声等效功率,G 1表示1Hz 带宽的噪声电流㊂红外光电探测器常用于不同材质目标的检测,因此保证其适用性是非常重要的㊂为此,在文中设置3种材质或属性的探测目标,即混凝土材质㊁金属材质以及人体㊂针对这3种材质或属性的探测目标,测试其探测率变化情况㊂3)响应时间㊂其反映了光电探测器对入射光信号响应的快慢,包括上升和下降时间㊂上升时间是指光生电流从10%上升到90%的这段时间,而下降时间则相反㊂实际应用中对光照快速响应的需求为小于等于150μs,且时间越短,表示器件响应越快㊂计算如下:E =~A[1+(2πeg )2]1/2T ,(4)其中E 表示响应时间,~A表示静态光照下的光响应度,e 表示电子电荷的数值,T 表示时间长度㊂4)光电导增益㊂其指标描述了光作用下外电路电流的增强能力㊂计算如下:H =(a 1/N )MP×100%,(5)其中H 表示光电导增益,该值越大,说明探测器工作越稳定,以80%为标准,大于该值认为探测器达到高性能标准;N 表示光电子的电荷量,P 表示探测器的电子转移效率,M 表示光电子数目㊂77第1期潘生生,等:高性能PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器3　性能测试结果与分析3.1　光响应度图3为光响应度测试结果㊂从图3可看出,随着测试时间的推移,光响应度波动较小,基本保持稳定㊂并且光响应度数值始终处于5A /W 限值以上,说明所设计的PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器达到了高性能标准㊂3.2　探测率图4为探测率测试结果㊂从图4可看出,无论是采集何种材质反射的红外光,所设计的探测器探测率均大于10cm㊃Hz1/2W -1,说明该探测器针对微弱信号具有较强的检测能力,达到高性能标准㊂图3　光响应度测试结果图4　探测率测试结果 Fig.3　Optical responsivity test results Fig.4　Detection rate test results3.3　响应时间图5为响应时间测试结果㊂从图5可看出,无论光生电流处于上升还是下降时间,其响应时间始终在限值150μs 以下,说明所设计的探测器能快速检测入射光信号,完成信号采集工作㊂图5　响应时间测试结果Fig.5　Response time test results图6　光电导增益测试结果Fig.6　Photo conductivity gain test results3.4　光电导增益图6为光电导增益测试结果㊂从图6可看出,随着时间的推移,光电导增益值并没有随之下降,虽然有所波动,但也一直保持在80%以上,证明了所设计探测器的性能㊂4　结　语红外探测器是光电探测系统中的最重要组成部分,起到数据收集的重要作用,而收集的数据质量越高,探测结果越准确㊂因此,保证探测器的工作性能87吉林大学学报(信息科学版)第42卷对于数据收集工作具有重要作用㊂为此,进行了高性能PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器性能研究㊂并以PtS 2/MoTe 2为基础设计一款探测器,同时测定了探测器的4个指标,分析了其探测性能㊂实验结果表明,tS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器的光响应度㊁探测率㊁光电导增益均较高,响应时间在限值150μs以下㊂通过本研究以期为PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器的研究和应用提供参考㊂参考文献:[1]林亚楠,吴亚东,程海洋,等.PdSe 2纳米线薄膜/Si 异质结近红外集成光电探测器[J].光学学报,2021,41(21):184⁃192.LIN Y N,WU Y D,CHENG H Y,et al.Near⁃Infrared Integrated Photodetector Based on PdSe 2Nanowires Film /Si Heterojunction [J].Acta Optica Sinica,2021,41(21):184⁃192.[2]支鹏伟,容萍,任帅,等.g⁃C 3N 4/CdS 异质结紫外⁃可见光电探测器的制备及其性能研究[J].光子学报,2021,50(9):252⁃259.ZHI P W,RONG P,REN S,et al.Preparation and Performance Study of g⁃C 3N 4/CdS Heterojunction Ultraviolet⁃Visible Photodetector [J].Acta Photonica Sinica,2021,50(9):252⁃259.[3]翁思远,蒋大勇,赵曼.P3HT ∶PC(61)BM 作为活性层制备无机/有机异质结光电探测器的研究[J].光学学报,2022,42(13):17⁃24.WENG S Y,JIANG D Y,ZHAO M.P3HT ∶PC(61)BM as Active Layer for Preparation of Inorganic /Organic Heterojunction Photodetector [J].Acta Optica Sinica,2022,42(13):17⁃24.[4]周国方,蓝镇立,余浪,等.高性能石墨烯/金字塔硅异质结近红外光探测器[J].激光与红外,2022,52(4):552⁃558.ZHOU G F,LAN Z L,YU L,et al.High⁃Performance Graphene /Pyramid Silicon Heterojunction near Infrared Photoelectric Detector [J].Laser &Infrared,2022,52(4):552⁃558.[5]秦铭聪,李清源,张帆,等.基于窄带系DPP 类聚合物的高性能近红外有机光探测器件[J].高分子学报,2022,53(4):405⁃413.QIN M C,LI Q Y,ZHANG F,et al.High Performance Near⁃Infrared Organic Photodetectors Based on Narrow⁃Bandgap Diketopyrrolopyrrole⁃Based Polymer [J].Acta Polymerica Sinica,2022,53(4):405⁃413.[6]皇甫路遥,戴梦德,南海燕,等.二维MoS 2/WSe 2异质结的光电性能研究[J].人工晶体学报,2021,50(11):2075⁃2080.HUANGFU L Y,DAI M D,NAN H Y,et al.Optoelectronic Properties of Two⁃Dimensional MoS 2/WSe 2Heterojunction [J].Journal of Synthetic Crystals,2021,50(11):2075⁃2080.[7]陶泽军,霍婷婷,尹欢,等.基于碳管/石墨烯/GaAs 双异质结自驱动的近红外光电探测器[J].半导体光电,2020,41(2):164⁃168,172.TAO Z J,HUO T T,YIN H,et al.Self⁃Powered Near⁃Infrared Photodetector Based on Single⁃Walled Carbon Nanotube /Graphene /GaAs Double Heterojunctions [J].Semiconductor Optoelectronics,2020,41(2):164⁃168,172.[8]高诗佳,王鑫,张育林,等.光敏层厚度与退火温度调控对聚3⁃己基噻吩光电探测器性能的影响[J].高分子学报,2020,51(4):338⁃345.GAO S J,WANG X,ZHANG Y L,et al.Effects of Annealing Temperature and Active Layer Thickness on the Photovoltaic Performance of Poly (3⁃Hexylthiophene)Photodetector [J].Acta Polymerica Sinica,2020,51(4):338⁃345.[9]郭越,孙一鸣,宋伟东.多孔GaN /CuZnS 异质结窄带近紫外光电探测器[J].物理学报,2022,71(21):382⁃390.GUO Y,SUN Y M,SONG W D.Narrowband Near⁃Ultraviolet Photodetector Fabricated from Porous GaN /CuZnSHeterojunction [J].Acta Physica Sinica,2022,71(21):382⁃390.[10]王月晖,张清怡,申佳颖,等.ε⁃Ga 2O 3/SiC 异质结自驱动型日盲光电探测器[J].北京邮电大学学报,2022,45(3):44⁃49.WANG Y H,ZHANG Q Y,SHEN J Y,et al.Self⁃Driven Solar⁃Blind Photodetector Based on ε⁃Ga 2O 3/SiC Heterojunction [J].Journal of Beijing University of Posts and Telecommunications,2022,45(3):44⁃49.[11]何峰,徐波,蓝镇立,等.基于石墨烯/硅微米孔阵列异质结的高性能近红外光探测器[J].红外技术,2022,44(11):1236⁃1242.HE F,XU B,LAN Z L,et al.High⁃Performance Near⁃Infrared Photodetector Based on a Graphene /Silicon Microholes Array97第1期潘生生,等:高性能PtS 2/MoTe 2异质结红外光电探测器08吉林大学学报(信息科学版)第42卷Heterojunction[J].Infrared Technology,2022,44(11):1236⁃1242.[12]张翔宇,陈雨田,曾值,等.自供能Bi2O2Se/TiO2异质结紫外探测器的制备与光电探测性能[J].激光与光电子学进展,2022,59(11):177⁃182.ZHANG X Y,CHEN Y T,ZENG Z,et al.Preparation and Photodetection Performance of Self⁃Powered Bi2O2Se/TiO2 Heterojunction Ultraviolet Detectors[J].Laser&Optoelectronics Progress,2022,59(11):177⁃182.[13]朱建华,容萍,任帅,等.ZnO纳米棒/Bi2S3量子点异质结的制备及光电探测性能研究[J].光学精密工程,2022,30 (16):1915⁃1923.ZHU J H,RONG P,REN S,et al.Preparation and Photodetection Performance of ZnO Nanorods/Bi2S3Quantum Dots Heterojunction[J].Optics and Precision Engineering,2022,30(16):1915⁃1923.[14]何登洋,李丹阳,韩旭,等.垂直型g⁃C3N4/p++⁃Si异质结器件的光电性能[J].半导体技术,2021,46(3):203⁃209. HE D Y,LI D Y,HAN X,et al.Photoelectric Property of Vertical g⁃C3N4/p++⁃Si Heterojunction Device[J].Semiconductor Technology,2021,46(3):203⁃209.[15]陈荣鹏,冯仕亮,郑天旭,等.Ag纳米线增强硒微米管/聚噻吩自驱动光电探测器性能[J].发光学报,2022,43(8): 1273⁃1280.CHEN R P,FENG S L,ZHENG T X,et al.Ag Nanowires Enhance Performance of Self⁃Powered Photodetector Based on Selenium Microtube/Polythiophene[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(8):1273⁃1280.[16]梁雪静,赵付来,王宇,等.硫硒化亚锗光电探测器的制备及光电性能[J].高等学校化学学报,2021,42(8): 2661⁃2667.LIANG X J,ZHAO F L,WANG Y,et al.Preparation and Photoelectric Properties of Germanium Sulphoselenide Photodetector [J].Chemical Journal of Chinese Universities,2021,42(8):2661⁃2667.(责任编辑:刘东亮)。

红外探测设计报告

一、综述随着时代的不断进步，人们对自己所处环境的安全性提出了更高的要求，尤其是在家居安全方面，不得不时刻留意那些不速之客。

现在现在很多小区都安装了智能报警系统，因而大大提高了小区的安全程度，有效保证了居民的人身财产安全。

由于红外线是不见光很强的隐蔽性和保密性，因此在防盗、警戒等安保装置中得到了广泛的应用。

此外，在电子防盗、人体探测等领域中，被动式热释电红外探测器也以其价格低廉、技术性能稳定等特点而受到广大用户和专业人士的欢迎。

1、基于红外技术报警器的种类目前国内使用的各类防盗、保安报警器基本都是以超声波、主动式红外发射／接收以及微波等技术为基础。

与被动式红外入侵报警器比较，主动式具有灵敏度高，探测距离远，对气候与气象变化有良好的适应能力等优点，比较适合室外或某些特殊警戒使用。

但其不足之处是视场角小，警戒区狭窄，安装比较复杂，价格稍贵。

主动式红外入侵报警器也由探测器和监控器两部分组成。

将一台红外发射机和接收机组合在一起就可以构成一种简单的非可见光束入侵物探测器或报警系统DJ。

上述的主动和被动入侵报警器是利用一种传感或探测方式，即单探测技术进行报警的。

虽然其结构简单，价格低廉，但由于易受各种因素的影响，如环境温度、震动、光强变化、电磁干扰、小动物活动等的影响，在某些情况下的误报，漏报率会相当高，所以只有采用多种探测技术，才能较好的解决误报率高这一难题。

多技术复合入侵报警器是将两种或两种以上的探测技术结合在一起，以“相与”的关系来触发报警装置，即只有当两种或两种以上探测器同时或相继在短暂时间内都探测到入侵日标时，才发出报警信号。

在双探测技术的报警器中，以热释电红外一微波双探测技术组合的误报率最低。

而这里所设计的被动式红外报警器则采用了美国的传感元件——热释电红外传感器。

这种热释电红外传感器能以非接触形式检测出人体辐射的红外线，并将其转变为电压信号，同时，它还能鉴别出运动的生物与其它非生物。

热释电红外传感器既可用于防盗报警装置，也可以用于自动控制、接近开关、遥测等领域。

非制冷红外光电探测器真空封装用金属外壳设计

Ｄｉ０９９ｊｉｎ１０ｏ：１．３６／．ｓ．００—６３．２１．０．０３ｓ１３０２５０中图分类号：Ｔ７４Ｎ８文献标识码：Ａ文章编号：１０６３（０２００１０００— １３２１）５— ０２— ４
ｅｐａｎｅｉｄｔｃｉｓｉｈｅｅｏｍｅｔｐｏｅｓｓｘｌｉｓｄｓｇａｅｈｎｃｎｔｅｄｖｌｐｎｒｃｓｅ．ｎｎＫｅｗｏｄｓｎｒｒｄｏｔｙｒ：Ｉｆａｅｐｏ—ｅｅｔｃｄｔｃｏ；ｏｔａｎｏｌｃｒｅｅｔｒｉｓｐｉｌｗｄｗ；ｍｅａｎｌｓｒｃｉｔｅｃｏｕｅ；ｖｃｕｐｃａｅｌａｕｍａｋｇ
第５期
蒙高安等：非制冷红外光电探测器真空封装用金属外壳设计
ｐｒｄｗｔｏｅｇｏｎｅａｔｈｅｈｉａｅｅｆｏｔａｅｈｆｒｉｎｃｕｔｒｒ，ｔｅｔｃｎｃｌｌｖｌｏｐｏ—ｅｅｔｃｄｔｉｅｃｏｕｅｉｕｏｎｒｓｒｌｔｅｙｌｗ，ｉｐｌｃｒｅａｌｎｌｓｒｎｏｒｕｔｉｅａｉｌｏｉｃｙｖｗｈｌｈｅｈｉａｐｃｆａｉｎｏｅｃｒｕｔｐｃａｅｉｖｒｉｈ，ＳｏｔｅｒｑｉｍｅｔｏｔｅｃｎｔｃｉｎｏｉｔｅｔｃｎｃｌｓｅｉｃｔｓｆｒｔｉｉａｋｇｓｅｈｇｅｉｏｈｃｙＯｄｈｅｕｒｅｎｈｏｓｒｔ．Ｆｒｔｕｏｔｉｒａｏｈｓｅｓｎ，ｗｒａｉｕｔｆａｃｍｐｉｅｔｃｕｅｏａｕｍｐｏ—ｅｅｔｃｍｅａｅｃｏｕｅＴｉａｅｅｏｇｎｚｏｒｓａｃｏｌｈａｎｗｓｕｔｒｆｖｃｕｏｔｅｓｒｌｃｒｔｌｎｌｓｒ．ｈｓｐｐｒｉ

红外光电探测器的工作原理

红外光电探测器的工作原理红外光电探测器是一种能够感受和测量红外辐射的仪器，被广泛应用于人体检测、火灾报警、安防监控等领域。

本文将介绍红外光电探测器的工作原理及其常见类型。

工作原理红外光电探测器的工作原理基于与光电效应相关的物理现象。

光电效应是指当光子照射到金属表面时，会使得金属中的电子受到光子能量的激发而被激发出来。

这些激发的电子可以通过电路被收集和处理，从而实现对光电效应的测量。

红外光电探测器则是利用了众多的半导体材料可以感受不同频段的红外辐射的特性，以此实现对红外光辐射的探测。

当红外辐射照射到探测器的一个电极上时，会产生电子-空穴对，从而产生电流。

这个电流可以作为信号来记录红外光的强度及其他特征。

红外光电探测器的核心是一个叫做“红外探测器元件”的半导体结构。

这种半导体材料中加入了稀缺元素或杂质，使得其带活性能够感应到红外光辐射。

常见的红外光电探测器有单元探头式探测器、线性阵列探测器、面阵列探测器等多种类型。

面阵列探测器由多个探测器元件组成，可以识别红外图像，常用于红外成像和热成像的应用。

类型介绍热式红外探测器热式红外探测器是指通过温度变化来感应红外光。

这种探测器被广泛应用于温度测量和非接触式热成像测量中。

常见的热式红外探测器有热电偶、热敏电阻、铂电阻温度计等。

光电式红外探测器光电式红外探测器，也叫光敏红外探测器，是指通过光电效应来感应红外光。

光电式红外探测器被广泛应用于安防、人体检测、火灾报警等领域。

常见的光电式红外探测器有金属氧化物半导体（MOX）、钙钛矿等。

基于MEMS技术的红外探测器MEMS（Microelectromechanical Systems）技术是指微机电系统技术，其技术应用于探测器中，可实现非常小型化的红外探测模块，同时由于制造成本低廉，因此得到了广泛应用。

常见的基于MEMS技术的红外探测器有：铟锡氧化物探测器、毫米波阵列探测器、光子晶体探测器等。

总结红外光电探测器是一种利用众多半导体材料对红外辐射的感应和测量原理设计制造而成的高新技术探测器。

光电探测器的设计与优化

光电探测器的设计与优化光电探测器是一种用于测量光信号的设备，被广泛应用于光学通信、光谱分析、生物医学和环境监测等领域。

为了提高探测器的灵敏度和性能，科学家们一直在不断研究和优化光电探测器的设计。

光电探测器主要由光电二极管、光电晶体管和光电倍增管等元件组成。

在设计光电探测器时，需考虑以下几个关键因素：灵敏度、响应速度、噪声水平、线性度和功耗。

首先，灵敏度是评估光电探测器性能的重要指标。

提高灵敏度的关键是增加光电二极管或晶体管的光电流增益。

可以通过增加探测器的光活性面积、优化光电二极管或晶体管的结构和材料选择来实现。

另外，合理选择光电二极管或晶体管的工作电压和偏置电流也是提高灵敏度的关键。

其次，光电探测器的响应速度也是设计中需要考虑的重要因素。

响应速度取决于光电转换过程的速度和器件内部的电子传输速度。

为了提高响应速度，可以采用高速光电二极管或晶体管，或者采用一些特殊的结构和材料来减少电子的转移时间。

另外，噪声是影响光电探测器性能的一个重要因素。

噪声可以分为两种类型：热噪声和暗噪声。

热噪声是由器件内部的热涨落引起的，可以通过降低温度和减小器件尺寸来减少热噪声。

暗噪声是由器件内部的非光电效应引起的，可以通过优化材料和工艺来减小暗噪声。

此外，线性度是评估光电探测器的另一个重要指标。

线性度指的是输入光信号和输出电流之间的关系。

在正常工作范围内，光电探测器的输出电流应该与输入光信号成线性关系。

为了提高线性度，可以采用负反馈和调制技术来消除非线性效应。

最后，功耗也是设计光电探测器时需要考虑的重要因素之一。

为了提高功耗效率，可以采用低功耗材料和低功耗电路设计。

此外，还可以利用集成电路技术来减小器件的尺寸和功耗。

总结起来，光电探测器的设计与优化是一个综合考虑灵敏度、响应速度、噪声水平、线性度和功耗的过程。

通过合理选择材料、结构和工艺，优化器件的性能，可以提高光电探测器的灵敏度和性能，为各个应用领域提供更好的光信号测量解决方案。

红外探测器的设计和性能测试

红外探测器的设计和性能测试红外探测器是一种用于检测红外光的光学器件，具有广泛的应用领域，比如夜视仪、红外热成像、燃气检测等。

在设计红外探测器时，需要考虑几个关键因素，包括敏感元件、前端电路、后端电路等。

本文将从这几个方面来论述红外探测器的设计和性能测试。

一、敏感元件的选择红外探测器的敏感元件一般采用半导体材料，如硒化铋（Bismuth selenide,Bi2Se3）、氧化物（如铝氧化物Al2O3）、硅等。

其中，硒化铋是最常用的红外探测器材料之一，因其敏感度高、响应速度快、可制备大面积等优点，被广泛用于热成像、生命体征监测、火探测等领域。

二、前端电路的设计红外探测器的前端电路需要将光信号转换成电信号，通常采用前置放大器来放大信号。

前置放大器需要具有高增益、低噪声、低失真等特点。

为了降低电路中的噪声，还可以采用冷源或低噪声放大器等技术。

三、后端电路的设计红外探测器的后端电路需要将前端放大器输出的信号进行处理，以得到所需的物理量。

比如，需要将输出电压转换为负载电阻上的电流值，以便于测量和分析。

同时，还需要进行滤波、增益控制、放大器校准等操作。

四、性能测试红外探测器的性能测试是检验其设计效果的重要环节。

常用的性能参数包括响应度、频率响应、时域性能、非线性度等。

响应度是指在一定的光照条件下，探测器输出的信号强度。

频率响应是指探测器对不同频率的光信号的响应能力。

时域性能是指探测器响应时间的快慢。

非线性度是指探测器输出信号的非线性程度。

总之，红外探测器的设计与性能测试涉及多个方面，需要综合考虑各种因素，才能得到满意的效果。

在实际设计中，还需要采取有效的措施来降低噪声、提高信噪比等，以获得更加准确、可靠的测量结果。

热释电红外线探测器设计

3. 1热释电效应热释电红外传感器是一种非常有应用潜力的传感器。

它能检测人或某些动物发射的红外线并转换成电信号输出。

早在1938年，有人就提出利用热释电效应探测红外辐射，但并未受到重视。

直到六十年代，随着激光、红外技术的迅速发展，才又推动了对热释电效应的研究和对热释电晶体的应用开发。

近年来，伴随着集成电路技术的飞速发展，以及对该传感器的特性的深入研究，相关的专用集成电路处理技术也迅速增长。

热释电红外传感器是利用红外辐射的热辐射作用引起元件本身的温度变化检测信号，其探测率、响应速度都不如光子型传感器。

但由于热释电型传感器可在室温下使用，灵敏度与波长无关，所以应用领域广。

通用性好的热型传感器有热电堆、热敏电阻、高莱管等。

其中，利用铁电体热释电效应的热释电型红外传感器灵敏度高，可以广泛地用于民用领域。

考虑到实际情况，即主要用于保护人身安全问题，而不是用于非常精密的场合，故本课题选用热释电红外线传感器，既能利用此传感器的优势，又能满足要求，从经济上和实用价值综合考虑来看是一理想的选择。

但要其正常使用，既要防止漏报，又要减少误报，特别是如何将误报现象降到最低的限度是一个摆在广大工程设计人员面前的一个课题。

要做到这一点，必须首先要了解被动红外探测器的一些基本概念及其技术特点，这样才能根据这些基本的技术特点，从安装、调试、使用等各个环节，按照探测器的基本技术特点，最大限度的发挥探测器的功效。

3. 4热释电红外探测器基本原理热释电红外传感器通过接收移动人体辐射出的特定波长的红外线，可以将其转化为与人体运动速度、距离、方向等有关的低频电信号。

传感器的电压响应度与入射光辐射变化的频率成反比，因此，当恒定的红外辐射照射在探测器上时，探测器没有电信号输出，所以恒定的红外辐射不能被检测到；而物体移动速度越快，同样的入射功率下，输出电压就会越小。

只有电压达到报警阀值电平时，探测器才会有电压信号输出。

根据该特性，选择热释电红外探测器适用于盗情信号的检测。

红外光电探测器系统电路设计

光轴与４Ｘ４ｃ００ｍ香樟样本角度叶板探测距离单位：ｍ
９０。５２．０
敏度，当运放的反相输入端电位越低，检波电路的灵敏度越高；反之，灵敏度越低。
３Ｘ３ｃ００ｍ香樟叶板探测距离单位：ｍ
通过电容
￣
Ｕ３
，
Ｕ４
信号增益约为１２这两级放大器的幅频响应曲００线以２ｋ０Ｈｚ为中心由Ｃ、Ｃ０８１、提供低频段的二次衰减曲线而高频段的三次衰减曲线由Ｃ５和运放内部的电容来提供此电路中光敏三极管Ｑ２将接收到的红外线
发射、采用滤波和选通方法接收，增强了探测系
后，５充电，７⑥脚的电位上升，在未达到ＶｃＣ１ｕｃ
Ｊ
之前，电路仍然处于暂稳态，如果此时，Ｕ７②脚
统在工作时的抗干扰能力，适用于距离探测应用。
控制，当Ｕ１的 ③ 脚为高电平时，Ｕ２开始振荡，
换。探测器输出的信号经处理电路检出。在此过程中，背景噪声和系统内部的探测器噪声及电路噪声等都与信号一起进入系统 …。
本文设计的红外光电探测系统应用探测目标物距离。用红外线作为媒质进行探测时，首先要有能够产生红外线的光源和接收红外线信号的探
探测器是光敏三极管３Ｕ５Ｄ。

一种新的红外线探测报警器的设计

科技信息
一
专题论述
种新昀红１线搽测报警器的设计７『
皇甫玉宛毕论峰谢永勋。（．马实业股份有限公司电仪厂２平能化集团氯碱股份公司３神马股份帘子布公司电仪厂）１神冲．
［摘要］文介绍了本一种新的简易防盗报警器，非常适合用于家庭，仓库等地方，设计中把红外线主动式和被动式探测技术结合起来，泛采用低功耗元器件，广同时优化了设计电路，强抗干扰功能，高了设备报警的准确率，增提简单、实用，成本低。［关键词］功耗红外线报警器低
Ｓ０Ｄ２型热释电红外探测器的组成和工作原理Ｓ０型热释电红外探测器由热释电敏感元件（Ｄ２两个）场效应管、、
高阻值电阻和滤波片（Ｔ等组成。Ｄ２Ｆ）Ｓ０型热释电红外探测器的内部电气连接如图３１－所示。
图３１Ｄ２型热释电红外探测器内部电气连接图－０Ｓ敏感元件采用热释电材料锆钛酸铅（Ｚ制成。ＺＰＴ）ＰＴ是一种强介电质晶体材料。先把ＰＴＺ材料制成小薄片，再在薄片两面镀上小电极，形成两个串联的有极性的小电容（）ｃ。由于环境温度的变化（Ｔ，晶Ａ）导致体自发产生极化电荷（ｐ， △ ）则元件两电极间的电压Ａ＝ｐ。这种热ＵＡ／Ｃ释电信号是有极性的。将两个极性相反的热释电敏感元相串接，就可以使由于环境温度的影响而在两个传感元上产生的热释电信号相互抵消，而起到补偿作用。当环境温度的变化趋于稳定后，从敏感元上不再有信号输出。只有当外界有红外辐射时，才会引起敏感元本身产生温度变化，而产生出一个相应的电信号。从双敏感元的Ｓ０Ｄ２型热释电红外探测器产生的热释电信号只与它本身温度的变化率成正比，或者说热释电效应只对运动着的人体有反应。根据维司位移定律，绝对黑体对应于最大光谱辐出量Ｍ的波长与其绝对温度成反比，即ｂ（）１式中：为黑体辐射辐出量的峰值波长（）Ｔ为绝对温度（）ｂｍ；Ｋ；为维思位移常数，＝８７８０１Ｋｂ２９．．ｘ￣４ｍ・。由式（）１可见，黑体辐射辐出量的峰值波长与绝对温度成反比。般人的体温ｔ３ｏ，＝６即绝对温度Ｔ３９。Ｔ值代入上式，Ｃ＝０Ｋ将可得

中红外波段光电探测器工作原理

中红外波段光电探测器工作原理介绍中红外波段光电探测器是一种重要的光电探测器，广泛应用于军事、航空航天、能源等领域。

本文将详细探讨中红外波段光电探测器的工作原理。

光电探测器概述光电探测器是利用半导体材料的光电效应将光信号转化为电信号的器件。

根据波段的不同，光电探测器可以分为可见光、红外光和紫外光等类型。

而中红外波段光电探测器主要用于探测波长在3-5μm和8-14μm的红外光。

中红外波段光电探测器的工作原理中红外波段光电探测器的工作原理主要基于半导体材料的光电效应和热电效应。

光电效应当光照射到半导体材料上时，光子的能量被吸收并激发半导体中的电子从价带跃迁至传导带。

这个过程产生的电子-空穴对会导致在半导体中形成电流。

中红外波段的光电探测器一般采用窄禁带宽的半导体材料，如掺杂硅(Si)、掺杂锗(Ge)等。

热电效应中红外波段光电探测器还利用热电效应实现灵敏探测。

当探测器吸收红外光时，光能量会使探测器中的温度上升。

探测器中设置了热敏元件，如热电偶、热敏电阻等，这些元件会受到温度的影响而产生电压或电流信号。

综合光电效应和热电效应，中红外波段光电探测器能够对红外光进行高灵敏度、高分辨率的探测。

中红外波段光电探测器的结构中红外波段光电探测器一般由以下几个部分组成：1.红外感光层：用于吸收中红外光的能量，通常使用掺杂硅或掺杂锗材料。

2.电流增益层：将感光层产生的微弱电流进行放大。

3.输入层：保护探测器不受外界影响，如光学窗口。

4.输出层：将探测器产生的电信号输出到外部电路。

中红外波段光电探测器的应用中红外波段光电探测器在军事、航空航天、能源等领域有着广泛的应用。

1.军事领域：中红外光电探测器可以用于夜视仪、导弹导航、红外成像等军事装备中，实现对夜间或低能见度环境下的目标探测和识别。

2.航空航天领域：中红外光电探测器用于飞机、卫星等空中器材中，可以实时监测大气中的气象变化和火灾等情况。

3.能源领域：中红外光电探测器可以用于太阳能发电、能源开采等领域，监测设备工作状态和环境温度等参数。

红外光电探测器的工作原理

红外光电探测器的工作原理
光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。

光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。

红外光电探测器从本质上来说可以非常有效率的，与其可以防止周围可见光的干扰有极大地关系，它的特点就在于可以进行无接触的探测，而且不损伤被测物体，这是很多消费者都希望的。

目前的市面上来讲，它们由发送器、接收器和检测电路三个部分组成开来。

首先要让红外光电探测器的发送器部分对准目标进行光束的发射，如果探测的前方具有检测物体，这时发出的红外信号就会返回接收器，这样就感知到了物体的存在，接着输出信号。

这样看来，红外光电探测器的制作就很简单了，其实不然，它没有想象中的那么简单，生活中红外线无处不在，我们平时所用到的日光灯都会存在红外光，太阳光线中也会有很强的红外光，人体也会发出红外光，对于红外光电探测器来说，这些都是干扰源，一旦红外光电探测器检测到的物体的红外线没有被接收到，这不就是误动作么，解决办法还是有的。

如果其他红外光照射到红外光电探测器上后，探测器的误动作就会发生，这个时候我们只要将红外光电探测器的红外光变成具有一定频率的红外光之后，那么我们在接受器上九只会接收到具有此种频率的红外光，误报的几率就会大大缩小，其他红外光被拒之门外，这样一来，抗干扰能力也就有了迅速的提高。

总而言之，红外光电探测器的普及也会伴随着人们的需求来进行改变，通过进一步的改善性能，相信红外光电探测器的未来将会更加明朗。

1。

光电探测器的设计与制作

光电探测器的设计与制作光电探测器是一种利用半导体材料、光电子学和光学技术相结合制造的电子器件，它能够将光信号转化为电信号，并可计算出光信号的数量。

光电探测器广泛应用于通信、半导体、医疗、军事等领域中，并且在科技研究中也扮演着极为重要的角色。

对于科研工作以及产业技术深度发展，光电探测器的设计和制作无疑是重中之重。

本文将深入探讨光电探测器的设计和制作，帮助读者更好地了解这一领域。

一、光电探测器的分类光电探测器的种类繁多，根据不同的工作原理和应用场景，主要可分为以下几类：1. 光电二极管（Photodiode）：能够将入射光转换成电流输出的光电器件。

常用于通信、信息采集和物体检测等领域。

2. 光电晶体管（Photo transistor）：在晶体管的基础上增加光敏电极，通过电压控制光电极的电流输出。

因为其灵敏性、速度和稳定性等优势，常用于视频摄像和光学计量领域。

3. 光电倍增管（PMT）：由光阴极、透镜、光阱和倍增器等多个部件组成，专门用于昏暗、极微弱光的检测和质谱学研究。

4. 光电效应器件（Photoemitter）：由吸收光子而释放出电子的部件，由于其响应时间小，常用于LIDAR雷达、激光打标和激光束测距等领域。

因此，在设计和制作光电探测器时，需要针对具体应用场景选择不同的光电探测器。

二、光电探测器的制作过程在研制和制作光电探测器过程中，工艺步骤和技术应用的科学性和正确性对提高光电探测器的性能至关重要。

下面将介绍制作光电探测器的主要步骤：1. 半导体材料制备选择合适的半导体材料非常关键，常用的有：硅、镓砷化物、砷化镓和硒化镉等。

不同的材料有不同的光敏性能和应用范围，需要根据具体需求选择。

2. 材料表面清洗和处理将材料表面清洗干净，并做必要的氧化、蚀削等表面处理，保证材料的好质量。

3. 制备p-n结在硅材料中，通过在n型硅中掺杂杂质，生成与n型硅相邻的p型硅。

在p-n结两边形成不同浓度的电子空穴对，通过施加电压使其产生反向偏置，此时p-n结中电子空穴受到准定状态下的光子激发，从而产生电流信号。