模电二三两章习题及答案
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模拟电路部分习题答案第二章晶体二极管及应用电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会增大。
（3）PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。
（4）晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。
在放大电路中，晶体管通常工作在放大区区。
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该反偏。
（正偏、反偏）2-2．判断下列说法正确与否。
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。
（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。
（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。
（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。
（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。
（8）错。
绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术基础答案完整版
模拟电子技术基础答案第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
浙大模电2篇3章习题解答
第二篇 第3章习题题2.3.1 某集成运放的一个偏置电路如图题2.3.1所示，设T 1、T 2管的参数完全相同。
问：(1) T 1、T 2和R REF 组成什么电路？(2) I C2与I REF 有什么关系？写出I C2的表达式。
图题2.3.1解：(1) T 1、T 2和R 2组成基本镜像电流源电路。
(2) I C2与参考电流I REF 相同，REFBECC REF C R V V I I -==2题2.3.2 在图题2.3.2所示的差分放大电路中，已知晶体管的β =80，r be =2 k Ω。
(1) 求输入电阻R i 和输出电阻R o ；(2) 求差模电压放大倍数vdA 。
图题 2.3.2解：(1) 该电路是双端输入双端输出电路，所以差模输入电阻：1.4)05.02(2)(2=+⨯=+=e be i R r R k Ω差模输出电阻为：R o =2R c =10 k Ω(2) 差模电压放大倍数为：6605.0812580)1(-=⨯+⨯-=β++β-=ebe cvdR r R A题2.3.3 在图题2.3.3所示的差动放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，β1=β2=100，V BE =0.7V ，且r bb ′=200Ω，其余参数如图中所示。
(1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ ，若将R c1短路，其它参数不变，则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化？(2) 计算差模输入电阻R id 。
当从单端（c 2）输出时的差模电压放大倍数2d A =?； (3) 当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数2c A 和共模抑制比K CMR ； (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，问v C2相对于静态值变化了多少？e 点电位v E 变化了多少？图题2.3.3解：(1) 求静态工作点：mA56.0102101/107122)1/(1=⨯+-=+β+-=eb BE EE CQ R R V V IV7.07.01010056.01-≈-⨯-=--=BE b BQ E V R I VV1.77.01056.012=+⨯-=--=E c CQ CC CEQ V R I V V若将R c1短路，则mA56.021==Q C Q C I I （不变）V7.127.0121=+=-=E CC Q CE V V VV1.77.01056.0122=+⨯-=--=E c CQ CC Q CE V R I V V （不变）(2) 计算差模输入电阻和差模电压放大倍数：Ω=⨯+=β++=k 9.456.026101200)1('EQT bb be I V r rΩ=+⨯=+=k 8.29)9.410(2)(2be b id r R R5.338.2910100)(22=⨯=+β=be b c d r R R A(3) 求共模电压放大倍数和共模抑制比：5.0201019.410101002)1(2-=⨯++⨯-=β+++β-=ebe b cc R r R R A675.05.3322===c d CMRA A K （即36.5dB ） (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，mV 109510521=-=-=I I Id v v v mV100295105221=+=+=I I Ic v v vmV 285100)5.0(105.33222=⨯-+⨯=⋅+⋅=∆Icc Id d O v A v A v 所以，V O2相对于静态值增加了285 mV 。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时，三极管的电流放大系数β增大，反向饱和电流I CBO增大，正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管：A管β=200，I CEO=200μA；B管β=80，I CEO=10μA，其他参数大致相同，一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态，其在特性曲线上的点称为静态工作点；有输入信号时的状态称为动态，动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处，幅度的放大倍数为中频处的0.707倍，这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流（输出电流），所以它是一个电压控制电流源（或电压控制）器件。
二、判断题1.由于放大的是变化量，所以在输入直流信号时，任何放大电路的输出量都没有变化。
（×）提示：直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立，（√）它只能放大交流信号。
（√）3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。
（×）提示：增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常，JFET在漏极与源极互换时，仍有正常放大作用。
（√）三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则三极管三个电极为（B）。
A.①管脚为发射极，②管脚为基极，③管脚为集电极；B.①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极；C.①管脚为集电极，②管脚为基极，③管脚为发射极；D. ①管脚为发射极，②管脚为集电极，③管脚为基极。
2.在共射基本放大电路中，集电极电阻R C的作用是（C）。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短，把放大了的电流转换成电压。
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
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1、(1) 输入端a点的电位接近于0，若把a点接地，试问运算放大器能否正常工作？为什么？
(2)输入电流接近于0，若把输入端a断开，试问运放能否正常工作？为什么？
2、用集成运放设计出能完成以下功能的电路
(1) uo=2us1-us2 (2) u0=5ui
3、如图，已知Ui1=0.5V，Ui2=-2V，Ui3=1V，
（1）A1、A2构成何种单元电路？(2)求Uo (3)确定R3的大小
4、试求电路的输出电压
1、二极管的正向电阻( )，反向电阻( )
a)大b)小
2、锗二极管的导通电压( )，死区电压( )
硅二极管的导通电压( )，死区电压( )
a)0.7V b)0.2V c)0.3V d)0.5V
3、二极管的导通条件是外加电压U D( )
a)U D>0 b)U D>死区电压c)U D>击穿电压d)U D<死区电压
4、当温度升高后，二极管的反向电流（）
a)增大b)减小c)基本不变
5、稳压管工作在（）状态
a)正向导通b)反向截止c)反向击穿
6、在并联式稳压电路中限流电阻的作用是（）
a)作为负载b) 提高电压c)限定工作电流
7、稳压管电路如图，U Z＝6.3V，正向导通压降U D＝0.7V，其输出电压为（）
a)6.3V b)0.7V c)7V d)14V
8、稳压管电路如图，U S1＝7V，U S2＝3V，其输出电压为（）
a)0.7V b)1.4V c)3V d)7V
9、稳压管电路如图，U S1＝U S2＝7V，正向导通压降U D＝0.7V，其输出电压为（）
a)1.4V b)7V c)10V d)14V
2.已知一个BJT的ICEO为200μA，当基极电流为20μA时，集电极电流为1mA，则该管的ICBO 约等于( )
a)8mA b)10mA c)5μA d)4μA
3.NPN管工作在放大区时，三个极的电位特点是( )
a)UC>UB>UE b)UC<UB<UE c)UE>UB<UC
4.测得NPN硅三极管VBE＝-0.3V,VBC＝-10V判断该管工作在什么区？
5.图所示BJT的输出特性，该管的UCE=6V、IC=3mA处的电流放大倍数β为（）
a)60 b)80 c)100 d)10
6.要获得一个PNP复合管，可选用下图的哪种接法（）
a) b) c) d)
7.放大电路如图（a)所示，若要使静态工作点从输出特性曲线（b)上的Q1移到Q2，应使( ）
a)RB↑b)RB↓c)RC↑d)RC↓e)RL↑f)RL↓
8.放大电路如（a) ，工作点为Q2，若减小VCC(其它参数不变)，则工作点（）
a)不变b)移至Q3 c)移至Q1
9.放大电路如图(a),其输入输出波形a)产生失真，应如何调节参数（）
a)减小RB b)增加RB c)增加RC
10.放大电路输入输出波形如图b)所示，试叛断该放大电路产生的失真为（）失真
a)饱和b)截止
11.放大电路如图，这一电路与固定偏置的共射极放大电路相比，能够（）
a)确保电路工作在放大区b)提高电压放大倍数
c)稳定静态工作点d)提高输入电阻
13.放大电路如(a) ，电容CE断开则电路的电压放大倍数将（）,输入电阻（）
a)不变b)减小c)增大d)不确定
a.
1.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是
2.放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的原因是，而低高频信号作用时放大倍数下降的原因是。
3.当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的，即增益下降。
4.对单管共射放大电路主，当f＝fL时，相位关系是。
5.对单管共射放大电路主，当f＝fH时，相位关系是
1.答：(1)若将a点接地，则输入信号不能送入放大器，且使放大器静态基极电流严重不对称，另漂严重
答：(2)若将a点断开，则输入信号电流不能送入放大器，且使放大器静态基极电流为0，电路不对称，另漂严重使电路无法正常工作。
2.
解：(1)考虑用减法器完成
由关系式知：RF/R1=1 (1+RF/R1)*[R3/(R2+R3)]=2,外电路电阻R1 = RF =50KΩ ，R3可不加，则平衡电阻R2 =R1∥RF =25KΩ 画出下列电路
3.解: （1）A1反相求和电路A2差动比例放大电路(减法器）
(2)
(3)
4.解：
由1、2式得：
第三章
1. ba
2. Cb ad
3. B
4. A
5. C
6. C
7. C
8. C
9. D
第五章
1. ace
2. D
3. A
4. 解：VBE＝-0.3V＜0 知发射结反向偏置；VBC＝-10V＜0,知集电结为反向偏置,所以该管工作在截止区
5. c d b c a a c bc
第六章
A ba ba c c。