模电二三两章习题及答案
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模拟电路部分习题答案第二章晶体二极管及应用电路2-1.填空(1)N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素;P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素。
(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流会增大。
(3)PN结的结电容包括势垒电容和扩散电容。
(4)晶体管的三个工作区分别是放大区、截止区和饱和区。
在放大电路中,晶体管通常工作在放大区区。
(5)结型场效应管工作在恒流区时,其栅-源间所加电压应该反偏。
(正偏、反偏)2-2.判断下列说法正确与否。
(1)本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。
()(2)P型半导体带正电,N型半导体带负电。
()(3)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R GS大的特点。
()(4)只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。
()(5)晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
()(6)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
()(7)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
()(8)若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零,则其输入电阻会明显减小。
()答案:(1)对;温度升高后,载流子浓度会增加,但是对于本征半导体来讲,电子和空穴的数量始终是相等的。
(2)错;对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时,处于电中性的状态。
(3)对;结型场效应管在栅源之间没有绝缘层,所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R GS大的特点。
(4)错;稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。
(5)错;晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过,只有在截止状态时没有电流流过。
(6)对;N型半导体中掺入足够量的三价元素,不但可复合原先掺入的五价元素,而且可使空穴成为多数载流子,从而形成P型半导体。
(7)对;PN结在无光照、无外加电压时,处于动态平衡状态,扩散电流和漂移电流相等。
(8)错。
绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有SiO2绝缘层而使栅源间电阻非常大。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。
(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。
此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。
已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。
试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。
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模拟电子技术基础答案第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I的单位一致;V为外加电压; VT=kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
浙大模电2篇3章习题解答
第二篇 第3章习题题2.3.1 某集成运放的一个偏置电路如图题2.3.1所示,设T 1、T 2管的参数完全相同。
问:(1) T 1、T 2和R REF 组成什么电路?(2) I C2与I REF 有什么关系?写出I C2的表达式。
图题2.3.1解:(1) T 1、T 2和R 2组成基本镜像电流源电路。
(2) I C2与参考电流I REF 相同,REFBECC REF C R V V I I -==2题2.3.2 在图题2.3.2所示的差分放大电路中,已知晶体管的β =80,r be =2 k Ω。
(1) 求输入电阻R i 和输出电阻R o ;(2) 求差模电压放大倍数vdA 。
图题 2.3.2解:(1) 该电路是双端输入双端输出电路,所以差模输入电阻:1.4)05.02(2)(2=+⨯=+=e be i R r R k Ω差模输出电阻为:R o =2R c =10 k Ω(2) 差模电压放大倍数为:6605.0812580)1(-=⨯+⨯-=β++β-=ebe cvdR r R A题2.3.3 在图题2.3.3所示的差动放大电路中,设T 1、T 2管特性对称,β1=β2=100,V BE =0.7V ,且r bb ′=200Ω,其余参数如图中所示。
(1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ ,若将R c1短路,其它参数不变,则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化?(2) 计算差模输入电阻R id 。
当从单端(c 2)输出时的差模电压放大倍数2d A =?; (3) 当两输入端加入共模信号时,求共模电压放大倍数2c A 和共模抑制比K CMR ; (4) 当v I1=105 mV ,v I2=95 mV 时,问v C2相对于静态值变化了多少?e 点电位v E 变化了多少?图题2.3.3解:(1) 求静态工作点:mA56.0102101/107122)1/(1=⨯+-=+β+-=eb BE EE CQ R R V V IV7.07.01010056.01-≈-⨯-=--=BE b BQ E V R I VV1.77.01056.012=+⨯-=--=E c CQ CC CEQ V R I V V若将R c1短路,则mA56.021==Q C Q C I I (不变)V7.127.0121=+=-=E CC Q CE V V VV1.77.01056.0122=+⨯-=--=E c CQ CC Q CE V R I V V (不变)(2) 计算差模输入电阻和差模电压放大倍数:Ω=⨯+=β++=k 9.456.026101200)1('EQT bb be I V r rΩ=+⨯=+=k 8.29)9.410(2)(2be b id r R R5.338.2910100)(22=⨯=+β=be b c d r R R A(3) 求共模电压放大倍数和共模抑制比:5.0201019.410101002)1(2-=⨯++⨯-=β+++β-=ebe b cc R r R R A675.05.3322===c d CMRA A K (即36.5dB ) (4) 当v I1=105 mV ,v I2=95 mV 时,mV 109510521=-=-=I I Id v v v mV100295105221=+=+=I I Ic v v vmV 285100)5.0(105.33222=⨯-+⨯=⋅+⋅=∆Icc Id d O v A v A v 所以,V O2相对于静态值增加了285 mV 。
《模拟电子技术基础》习题答案
模拟电子技术基础答案 第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。
oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。
(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。
(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。
(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。
画出o u 波形如图所示。
Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ,正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ,3V ,6V ,9V 和14V 几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。
解:各电路图如图所示。
(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V。
R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?U图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。
1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。
1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。
四、解:U O1=6V,U O2=5V。
五、解:u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解:u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解:1、当U I=10V时,若U O=U Z=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V同理,当U I =35V 时,U O =U Z =6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解:波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ;硅,锗;电子和空穴。
模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时,三极管的电流放大系数β增大,反向饱和电流I CBO增大,正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管:A管β=200,I CEO=200μA;B管β=80,I CEO=10μA,其他参数大致相同,一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值,说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态,其在特性曲线上的点称为静态工作点;有输入信号时的状态称为动态,动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处,幅度的放大倍数为中频处的0.707倍,这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流(输出电流),所以它是一个电压控制电流源(或电压控制)器件。
二、判断题1.由于放大的是变化量,所以在输入直流信号时,任何放大电路的输出量都没有变化。
(×)提示:直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立,(√)它只能放大交流信号。
(√)3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。
(×)提示:增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常,JFET在漏极与源极互换时,仍有正常放大作用。
(√)三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V,U2=6V,U3=2.7V,则三极管三个电极为(B)。
A.①管脚为发射极,②管脚为基极,③管脚为集电极;B.①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极;C.①管脚为集电极,②管脚为基极,③管脚为发射极;D. ①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极。
2.在共射基本放大电路中,集电极电阻R C的作用是(C)。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短,把放大了的电流转换成电压。
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S 大的特点。
( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S -T U U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(5)U G S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z m i n=5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模电训练题和答案第二章
【1】电路如图(a)所示。
设为A理想的运算放大器,稳压管DZ的稳定电压等于5V。
(1)若输入信号的波形如图(b)所示,试画出输出电压的波形。
(2)试说明本电路中稳压管的作用。
图(a) 图(b)【相关知识】反相输入比例器、稳压管、运放。
【解题思路】(1)当稳压管截止时,电路为反相比例器。
(2)当稳压管导通后,输出电压被限制在稳压管的稳定电压。
【解题过程】(1)当时,稳压管截止,电路的电压增益故输出电压当时,稳压管导通,电路的输出电压被限制在,即。
根据以上分析,可画出的波形如图(c)所示。
图(c)(2)由以上的分析可知,当输入信号较小时,电路能线性放大;当输入信号较大时稳压管起限幅的作用。
【2】在图(a)示电路中,已知, ,,设A为理想运算放大器,其输出电压最大值为,试分别求出当电位器的滑动端移到最上端、中间位置和最下端时的输出电压的值。
反馈类型?图(a)【相关知识】反相输入比例器。
【解题思路】当时电路工作闭环状态;当时电路工作开环状态。
【解题过程】(1)当的滑动端上移到最上端时,电路为典型的反相输入比例放大电路。
输出电压(2)当的滑动端处在中间位置时,画出输出端等效电路及电流的参考方向如图(b)所示。
图中。
图(b)由图可知以上各式联立求解得代入有关数据得(3)当的滑动端处于最下端时,电路因负反馈消失而工作在开环状态。
此时,反相输入端电位高于同相输入端电位,运放处于负饱和状态。
输出电压。
【3】电压-电流转换电路如图所示,已知集成运放为理想运放,R2=R3=R4=R7=R,R5=2R。
求解i L与u I之间的函数关系。
【相关知识】集成运放工作在线性区的特点,“虚短”和“虚断”的分析方法,基本运算电路的识别。
【解题思路】(1)由图判断出集成运放A1和A2分别引入的局部电压反馈为负反馈。
(2)识别集成运放A1和A2分别组成的基本运算电路类型。
(3)根据运算电路类型以及“虚短”和“虚断”的分析方法分别求解u O1以及u O2的表达式,从而得到i L与u I之间的函数关系。
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模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题(满分100分)1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。
()2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
()3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。
()4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。
()5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
()6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
()7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。
()8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。
()9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。
()10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。
()11.温度升高后,在纯净的半导体中()。
A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B.空穴增多,自由电子数目不变C.自由电子增多,空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。
A.阻当层不变,反向电流基本不变B.阻当层变厚,反向电流基本不变C.阻当层变窄,反向电流增大D.阻当层变厚,反向电流减小作业1-2一、习题(满分100分)1.N型半导体()。
A.带正电B.带负电C.呈中性D.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。
A.正常B.断路C.被击穿D.短路3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。
A.正向偏置时导通,反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。
流出三极管 e、c、b 流进三极管 e、c、b流出三极管 c、e、b 流进三极管 c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。
模电习题
模拟电子技术课程习题第一章习题1-1 PN 结上存在内电场,用导线将P 区端和N 区端短接起来,导线中是否有电流流过?若加光照或加热,导线中是否有电流?为什么?1-2 如用万用表的电阻档测量二极管的正向电阻时,发现用R ×10档测出的电阻值较用R ×100档测得的电阻值小,试用伏安特性曲线解释。
1-3 如图题1.3所示,试判断电路中哪个二极管导通,哪个二极管截止?设各二极管导通时的正向压降为0.7V ,求U 0。
(a) (b )题1-3图1-4一个二极管工作在正向导通阶段是否有稳压作用?稳压管工作在正向导通阶段是否有稳压作用。
为什么?1-5两只稳压管的稳定电压分别是4V 和6V ,它们的正向导通电压为O .7V ,试问用它们串联和并联可以得到几种稳压值?1-6 如图1-6所示,若电源电压的有效值为12V , A 、B 、C 为三只相同的灯泡,问哪只灯泡最亮,并求各灯泡两端电压的平均值。
题1-6图1-7 有人用万用表测量二极管反向电阻时,为了使表棒和二极管引线接触好一些,用双手把两端捏紧,结果测得二极管的反向电阻比较小,认为不合格,但在设备上却正常工作,这是什么原因?这样的操作和判断是否正确?为什么?1-8要使稳压性能好,稳压管的稳压值是大一些好还是小一些好?工作电流是大一些好还是小一些好?温度系数是大一些好还是小一些好?1-9既然三极管有两个PN 结,可否用两个二极管相联以构成一只三极管?说明理由。
1-10 一只NPN型的三极管,具有e、b、c三个电极,能否将e、c两个电极交换使用?为什么?1-11一块正常工作的放大电路板上,测得某晶体管的三只管脚对地电压分别为-6V,-6.2V,-9V,试问这只晶体三极管是PNP型还是NPN型?是锗管还是硅管?并确定各管脚哪个是基极、发射极、集电极。
1-12 测量某硅三极管的各极对地电压值如下:1)V C=6V,V B=7V,V E=0V;2)V C=6V,V B=67V,V E=5.4V; V C=3.6V,V B=47V,V E=3.40V 试判别管子工作在什么区域?1-13能不能用鉴别晶体管的简易方法来鉴别场效应管的三个电极和它的性能好坏?1-14 场效应管的跨导是大一些好还是小一些好?如果管子已经确定,为了使跨导大一些应该如何改变U GS的变化范围?第二章习题2-1 说明如图2-1放大电路中的R B和R C的作用。
模电试题库和答案解析
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题(满分100分)1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。
()2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
()3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。
()4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。
()5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
()6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
()7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。
()8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。
()9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。
()10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。
()11.温度升高后,在纯净的半导体中()。
A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B.空穴增多,自由电子数目不变C.自由电子增多,空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。
A.阻当层不变,反向电流基本不变B.阻当层变厚,反向电流基本不变C.阻当层变窄,反向电流增大D.阻当层变厚,反向电流减小作业1-2一、习题(满分100分)1.N型半导体()。
A.带正电B.带负电C.呈中性D.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。
A.正常B.断路C.被击穿D.短路3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。
A.正向偏置时导通,反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。
A.0.03mA 流出三极管e、c、bB.0.03mA 流进三极管e、c、bC.0.03mA 流出三极管c、e、bD.0.03mA 流进三极管c、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。
模电第2章_作业答案
模拟电子技术作业答案班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路1.简答题:(1)放大电路中为何设立静态工作点?静态工作点的高、低对电路有何影响?答:设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。
Q点过高易使传输信号部分进入饱和区;Q点过低易使传输信号部分进入截止区,其结果都是信号发生失真。
(2)说明利用三极管组成放大电路的基本原则。
答:不论那种组态的放大电路,如果希望能够正常放大信号,必须遵守以下原则。
①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数,以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点,使三极管工作在放大区。
②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上,经过三极管放大后,又能传给放大电路的下一级或负载。
(3) 分析放大电路有哪几种方法?几种方法分别有什么特点?答:分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。
近似法简洁、精确,工程上常用来分析放大电路的静态工作点;微变等效法方便分析放大电路的动态;图解法直观,可同时用于分析放大电路的静态和动态。
(4)共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法,而反相电压放大器,电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系,如何从物理概念上来理解?答:共射电路有电压放大作用,且输出电压与输入电压相位相反。
为此,称这种放大电路为反相电压放大器。
共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。
因此,可将这种放大电路称为电压跟随器。
共基电路有输出电流与输入电流接近相等。
为此,可将它称为电流跟随器。
2.图1所示电路中,已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V, =100,临界放大饱和时三极管压降(集电极-发射极之间)为0.3V。
判断电路中各晶体管的工作状态。
(a) (b) (c)图1解:分析:判断晶体三极管的工作状态并计算各级电流问题的分析方法如下。
方法一:1. 对于NPN 管,若U BE <0.7V ,则管子截止;对于PNP 管,若U BE >-0.7V ,或U EB <0.7V则管子截止;2. 若NPN 管,U BE >0.7V ,PNP 管U EB >0.7V ,则说明三极管处于放大状态或饱和状态。
模电课后习题答案
V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得:U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA,U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。
2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V,所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE,45.4小I B七、T1 :恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。
1.4 u i和U o的波形如图所示。
1.5 u o的波形如图所示。
1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。
1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。
1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。
1.9(1 )当U I = 10V时,若U O=U Z = 6V,则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
模电习题与答案
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2、填空题:I. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。
2•信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量、基波分量以及无穷多项高次谐波分量组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8.在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路四类。
10. 输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
II. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示,其表达式分别是电压增益 =20lgA v dB 、电流增益 =20lgA i dB 。
13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化的稳态响应。
14.幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率_______ 之间的关系 。
10pA 时,输出为500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电 路? 三、某电唱机拾音头内阻为 1M Q ,输出电压为1V (有效值),如果直接将它与10Q 扬声器 连接,扬声器上的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路, 它的输入电阻R i =1M Q ,输出电阻R o =10 Q,电压增益为1,试求这时扬声器上的电压。
该放大电路使用 哪一类电路模型最方便?解:直接将它与10Q 扬声器连接,扬声器上的电压V =10 QOVsz 10 Q X1V=10iV o.61 M Q +10 Q10 Q第一章绪论、某放大电路输入信号为 解:A rV 。
模电习题答案(第五版)
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电子技术基础模拟部分 第五版
第九章作业题解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
第五章作业题解答
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模电第二章习题参考答案
第二章自我检测题参考答案一、填空题1.三极管用来放大时,应使发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。
2.型号为3CG4D的三极管是PNP型高频小功率管。
3.温度升高时,三极管的电流放大系数β增大,反向饱和电流I CBO增大,正向结电压U BE下降。
4. 有两只三极管:A管β=200,I CEO=200μA;B管β=80,I CEO=10μA,其他参数大致相同,一般应选B管。
5.共射基本电路电压放大倍数为负值,说明输出信号与输入信号相位相差180o。
6.放大电路未输入信号时的状态称为静态,其在特性曲线上的点称为静态工作点;有输入信号时的状态称为动态,动态工作点移动的轨迹称为交流负载线。
7.在放大电路的下限截止频率处,幅度的放大倍数为中频处的0.707倍,这主要是由电路的频率失真引起的。
8.场效应晶体管是通过改变栅源电压来改变漏极电流(输出电流),所以它是一个电压控制电流源(或电压控制)器件。
二、判断题1.由于放大的是变化量,所以在输入直流信号时,任何放大电路的输出量都没有变化。
(×)提示:直接耦合放大电路就有变化。
2.阻容耦合多级放大电路的点相互独立,(√)它只能放大交流信号。
(√)3.放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。
(×)提示:增加的幅度所需能量是由直流电源提供的。
4.通常,JFET在漏极与源极互换时,仍有正常放大作用。
(√)三、选择题1.测得某放大电路中三极管三个管脚对地电压分别为U1=2V,U2=6V,U3=2.7V,则三极管三个电极为(B)。
A.①管脚为发射极,②管脚为基极,③管脚为集电极;B.①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极;C.①管脚为集电极,②管脚为基极,③管脚为发射极;D. ①管脚为发射极,②管脚为集电极,③管脚为基极。
2.在共射基本放大电路中,集电极电阻R C的作用是(C)。
A.放大电流B.调节I BQC.防止输出信号交流对地短,把放大了的电流转换成电压。
模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)
第二章训练题一、判断题:1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
(×)3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(× )4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
5. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)6. 当单级放大电路的静态工作点过高时,根据I b=I c/β,可选用β大的晶体三极管来减小I b 。
(×)7. 只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型,输出电压的底部失真时为饱和失真。
(√)9. 在共射放大电路中,若晶体管为NPN,输出电压u o出现底部失真,则该失真为截止失真。
(×)10. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)11.可以说任何放大电路都有功率放大作用;(√)12.若单管共射放大电路出现截止失真,可适当增大基极电阻R B消除失真。
( × )13.某二级电压放大电路中,已知A u1=-10、A u2=-50 ,则总的电压放大倍数为500。
(√)14. 某二级电压放大电路中,已知Au1=50、Au2=100 ,则总的电压放大倍数为150。
(√)15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
(×)16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA,因此推算出:be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。
(×)17.放大电路如图1所示,已知:U CC=12V,R B=240kΩ,R C=3kΩ,晶体管β=40,且忽略U BE。
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1、(1) 输入端a点的电位接近于0,若把a点接地,试问运算放大器能否正常工作?为什么?
(2)输入电流接近于0,若把输入端a断开,试问运放能否正常工作?为什么?
2、用集成运放设计出能完成以下功能的电路
(1) uo=2us1-us2 (2) u0=5ui
3、如图,已知Ui1=0.5V,Ui2=-2V,Ui3=1V,
(1)A1、A2构成何种单元电路?(2)求Uo (3)确定R3的大小
4、试求电路的输出电压
1、二极管的正向电阻( ),反向电阻( )
a)大b)小
2、锗二极管的导通电压( ),死区电压( )
硅二极管的导通电压( ),死区电压( )
a)0.7V b)0.2V c)0.3V d)0.5V
3、二极管的导通条件是外加电压U D( )
a)U D>0 b)U D>死区电压c)U D>击穿电压d)U D<死区电压
4、当温度升高后,二极管的反向电流()
a)增大b)减小c)基本不变
5、稳压管工作在()状态
a)正向导通b)反向截止c)反向击穿
6、在并联式稳压电路中限流电阻的作用是()
a)作为负载b) 提高电压c)限定工作电流
7、稳压管电路如图,U Z=6.3V,正向导通压降U D=0.7V,其输出电压为()
a)6.3V b)0.7V c)7V d)14V
8、稳压管电路如图,U S1=7V,U S2=3V,其输出电压为()
a)0.7V b)1.4V c)3V d)7V
9、稳压管电路如图,U S1=U S2=7V,正向导通压降U D=0.7V,其输出电压为()
a)1.4V b)7V c)10V d)14V
2.已知一个BJT的ICEO为200μA,当基极电流为20μA时,集电极电流为1mA,则该管的ICBO 约等于( )
a)8mA b)10mA c)5μA d)4μA
3.NPN管工作在放大区时,三个极的电位特点是( )
a)UC>UB>UE b)UC<UB<UE c)UE>UB<UC
4.测得NPN硅三极管VBE=-0.3V,VBC=-10V判断该管工作在什么区?
5.图所示BJT的输出特性,该管的UCE=6V、IC=3mA处的电流放大倍数β为()
a)60 b)80 c)100 d)10
6.要获得一个PNP复合管,可选用下图的哪种接法()
a) b) c) d)
7.放大电路如图(a)所示,若要使静态工作点从输出特性曲线(b)上的Q1移到Q2,应使( )
a)RB↑b)RB↓c)RC↑d)RC↓e)RL↑f)RL↓
8.放大电路如(a) ,工作点为Q2,若减小VCC(其它参数不变),则工作点()
a)不变b)移至Q3 c)移至Q1
9.放大电路如图(a),其输入输出波形a)产生失真,应如何调节参数()
a)减小RB b)增加RB c)增加RC
10.放大电路输入输出波形如图b)所示,试叛断该放大电路产生的失真为()失真
a)饱和b)截止
11.放大电路如图,这一电路与固定偏置的共射极放大电路相比,能够()
a)确保电路工作在放大区b)提高电压放大倍数
c)稳定静态工作点d)提高输入电阻
13.放大电路如(a) ,电容CE断开则电路的电压放大倍数将(),输入电阻()
a)不变b)减小c)增大d)不确定
a.
1.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是
2.放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的原因是,而低高频信号作用时放大倍数下降的原因是。
3.当信号频率等于放大电路的f L或f H时,放大倍数的值约下降到中频时的,即增益下降。
4.对单管共射放大电路主,当f=fL时,相位关系是。
5.对单管共射放大电路主,当f=fH时,相位关系是
1.答:(1)若将a点接地,则输入信号不能送入放大器,且使放大器静态基极电流严重不对称,另漂严重
答:(2)若将a点断开,则输入信号电流不能送入放大器,且使放大器静态基极电流为0,电路不对称,另漂严重使电路无法正常工作。
2.
解:(1)考虑用减法器完成
由关系式知:RF/R1=1 (1+RF/R1)*[R3/(R2+R3)]=2,外电路电阻R1 = RF =50KΩ ,R3可不加,则平衡电阻R2 =R1∥RF =25KΩ 画出下列电路
3.解: (1)A1反相求和电路A2差动比例放大电路(减法器)
(2)
(3)
4.解:
由1、2式得:
第三章
1. ba
2. Cb ad
3. B
4. A
5. C
6. C
7. C
8. C
9. D
第五章
1. ace
2. D
3. A
4. 解:VBE=-0.3V<0 知发射结反向偏置;VBC=-10V<0,知集电结为反向偏置,所以该管工作在截止区
5. c d b c a a c bc
第六章
A ba ba c c。