半导体工艺原理实验报告
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半导体工艺原理实验附录
姓名：xxx
学号：xxx
指导教师：xxx
目录
实验一.工艺设备模拟--氧化仿真实验 (1)
详细实验步骤 (1)
实验结果 (4)
实验二.工艺设备模拟--离子注入仿真实验 (5)
操作步骤 (5)
实验结果 (5)
第一组 (5)
第二组 (6)
第三组 (7)
第四组 (8)
其他组实验 (10)
实验三.刻蚀仿真实验 (13)
实验步骤 (13)
实验结果 (15)
实验四.超净间参观 (17)
参观过程 (17)
超净间定义 (17)
实验一.工艺设备模拟--氧化仿真实验
详细实验步骤
（1）（2）
（3）（4）
（5）（6）
（7）（8）
（9）（10）
（11）（12）
（13）（14）
（15）（16）
（17）（18）
实验结果
晶片晶向时间（min）温度方式
1 100 1 890 900 880 2,3
表 1 参考参数
晶片号类型晶向氧化时间（min）氧化温度(⁰C)氧化厚度(A) 1Dry1102900180
2Dry11021000924
4Dry1112900183
3Dry11010900173
5Wet10010900669
6Wet10020900449
7Wet10030900660
8Wet110210001136
10Wet11010900902
9Wet11029003536
11Wet11129001310
表 2 实验数据
图 1 各组参数柱状图对比效果实验二.工艺设备模拟--离子注入仿真实验实验时间：2015年12月4日星期五
操作步骤
操作步骤大体与实验一类似，按照提示操作即可。
实验结果
第一组
深度（130）
浓度
（13）
深度
（130）
浓度
（13）
深度
（130）
浓度
（13）
0.0015.450.7013.49 1.408.75 0.0517.080.7513.09 1.458.47 0.1017.680.8012.69 1.508.20 0.1517.790.8512.31 1.557.94 0.2017.630.9011.94 1.607.68 0.2517.330.9511.58 1.657.43 0.3016.95 1.0011.23 1.707.18 0.3516.53 1.0510.89 1.75 6.94 0.4016.10 1.1010.56 1.80 6.71 0.4515.65 1.1510.24 1.85 6.49 0.5015.20 1.209.92 1.90 6.27 0.5514.76 1.259.62 1.95 6.06 0.6014.33 1.309.32 2.00 5.87 0.6513.90 1.359.03
表 3 离子注入第一组数据
图2离子注入第一组数据浓度-衬底深度曲线图第二组
深度（120）
浓度
（12）
深度
（120）
浓度
（12）
深度
（120）
浓度
（12）
0.0014.370.7012.45 1.408.05 0.0516.200.7512.07 1.457.80 0.1016.760.8011.70 1.507.55 0.1516.790.8511.34 1.557.31 0.2016.570.9011.00 1.607.08 0.2516.230.9510.66 1.65 6.85 0.3015.83 1.0010.34 1.70 6.63 0.3515.40 1.0510.02 1.75 6.42 0.4014.96 1.109.72 1.80 6.21 0.4514.52 1.157.42 1.85 6.02 0.5014.08 1.209.13 1.90 5.84 0.5513.66 1.258.85 1.95 5.67 0.6013.24 1.308.57 2.00 5.52 0.6512.84 1.358.31
表4离子注入第二组数据
图3离子注入第二组数据浓度-衬底深度曲线图第三组
深度（110）
浓度
（11）
深度
（110）
浓度
（11）
深度
（110）
浓度
（11）
0.0013.410.7011.41 1.407.43 0.0515.330.7511.06 1.457.21 0.1015.820.8010.72 1.507.00 0.1515.780.85 1.39 1.55 6.79 0.2015.500.9010.08 1.60 6.58 0.2515.120.959.77 1.65 6.39 0.3014.69 1.009.48 1.70 6.20 0.3514.25 1.059.19 1.75 6.02 0.4013.81 1.108.92 1.80 5.86 0.45 1.38 1.158.65 1.85 5.70 0.5012.96 1.208.39 1.90 5.56 0.5512.55 1.258.14 1.95 5.44 0.6012.15 1.307.90 2.00 5.34
表5离子注入第三组数据