CN105336500A一种ZnO纳米棒薄膜原位改性处理方法及其获得的改性薄膜
zno纳米棒及化学修饰电极的制备与表征
zno纳米棒及化学修饰电极的制备与表征ZnO纳米棒是一种有着广泛应用前景的纳米材料，其独特的形态，高比表面积和优异的光电特性使其在生物医学、催化剂、传感器等领域有很大的应用潜力。
本文将介绍ZnO纳米棒的制备与表征方法。
ZnO纳米棒的制备方法主要有物理法、化学法及其复合法。
其中化学法是制备ZnO纳米棒最常用的方法，常见的化学方法包括水热法、溶胶-凝胶法、共沉淀法等。
这些方法可以通过调节反应条件，如反应温度、反应时间、反应体系等，控制ZnO纳米棒的尺寸、形态、晶体结构等性质，进而满足不同的应用需求。
在ZnO纳米棒的修饰方法中，化学修饰是最常用的方法，其主要包括静电吸附法、共价键结合法、配位修饰法和共振能量转移修饰法等。
这些方法可以使ZnO纳米棒表面具有不同的化学性质和生物活性，拓展了其在生物医学、环境监测等领域的应用。
同时，表征ZnO纳米棒和化学修饰电极的方法也十分重要。
在ZnO纳米棒的表征方法中，传统的方法包括透射电镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）等。
这些方法可以确定纳米棒的形貌、尺寸和晶体结构等。
另外，傅里叶变换红外光谱（FTIR）和紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）可以用于分析ZnO纳米棒的表面化学基团和光电特性等。
在化学修饰电极的表征方法中，电化学分析技术是最常用的方法。
通过循环伏安法、交流阻抗法、恒电位法等技术，可以分析电极的电化学性能，比如电化学交换电容、电导率和表面反应速率等。
这些方法可以用于测试电极对特定分子或离子的选择性和灵敏度等。
综上，ZnO纳米棒及其化学修饰电极的制备与表征方法特别复杂，需要掌握一定的化学和仪器分析知识。
由于ZnO纳米棒在能源、环境和健康等领域具有重要的应用价值，这些方法对应用研究具有重要意义，并可以为其他相关纳米材料的制备和表征提供参考。
表面活性剂下制备ZnO纳米棒的介绍
表面活性剂下制备ZnO纳米棒的介绍表面活性剂下制备ZnO纳米棒的介绍摘要：ZnO纳米材料因其优良的物理化学性质在在各个方面都广泛的应用。
本文介绍了在低温水溶液中，使用表面活性剂能成功合成单分散的ZnO纳米棒。
这种方法不需要高温煅烧，添加表面活性剂例如水合联氨和油酸钠就能合成六方晶相纤锌矿结构的ZnO粉末。
本文主要对ZnO纳米棒的结构和构型、晶体生长机理进行综述。
关键词：ZnO纳米棒表面活性剂晶体生长机理引言目前，ZnO在紫外探测器、紫外半导体激光器、透明导电薄膜、ZnO异质结、场发射、液晶显示和稀磁半导体等方面具有广泛的应用前景，使得ZnO成为继氮化镓、碳化硅之后光电子技术中的又一热点研究领域[1]。
区别于传统大尺寸材料，低维度的ZnO纳米材料如纳米线、纳米棒和纳米带，具有很多良好的物理化学性能。
它因为具有优良的介电、铁电[2,3]、压电、热电性能，所以在光催化、化学传感器、记忆电阻器和光电方面有广泛应用，。
此外，宽的禁带宽度（3.37eV）、高激子束缚能（60meV）和高表面体积比[4,5]使一维（1D）ZnO纳米晶体被公认为一种在紫外区[6]的光子材料。
因此，合成不同形态和尺寸的一维ZnO纳米结构在基础理论研究和新型设备发展当面具有重大发展意义[7,8]。
到目前为止，合成ZnO 纳米材料的方法主要有水热法[9]、模板法、溶胶凝胶法[10]、气固液相生长法、金属有机气相外延生长法、磁控溅射法[11]、电化学沉积法等[12]。
液相法处理温度低、成本低、效率高和具有扩大生产潜力。
为了得到分散的纳米粒子，表面活性剂往往起着重要的作用。
因为晶体生长过程中，溶质的扩散过程是晶体形成速率的控制步骤，而表现活性剂可以减缓溶质在晶核表面的扩散速度。
此外，表面活性剂可以均匀地吸附在晶体表面作为形状主导者[13]。
1 纳米棒的结构和构型通过酸性、中性、碱性条件下对比实验，得出碱性条件为形核的重要因素；通过分析不同水热时间ZnO纳米棒的形核和长大过程，实验得出60℃碱性条件下，ZnO纳米棒的表观生长速率约为0.7 μm / h，表观形核时间约为3 min；光催化活性随着水热时间的增加而增强[14]。
ZnO纳米柱结构的制备与改性及其在太阳能电池中的应用中期报告
ZnO纳米柱结构的制备与改性及其在太阳能电池中的应用中期报告1. 研究背景随着能源危机的日益突出，太阳能作为一种最为广泛、最为理想的可再生清洁能源备受关注。
太阳能电池是太阳能应用最广泛、最为成熟的技术之一，其核心是光电转换材料。
因此，寻求新型、高效、稳定的光电转换材料是太阳能电池发展的重要研究方向。
近年来，纳米技术在太阳能电池领域的应用和研究取得了骄人的成绩。
ZnO作为一种重要的直接带隙、范德华力弱的半导体材料，具有良好的光电性能，并且由于其良好的可控性和电化学可逆性，已经成为太阳能电池中的重要光电转换材料。
相对于传统的ZnO纳米颗粒，ZnO纳米柱结构具有更大的表面积和较短的电子传输路径，从而能够提高其吸光度和光电转换效率。
2. 研究目的本研究旨在通过控制ZnO纳米柱的制备方法和改性手段，进一步提高其在太阳能电池中的光电转换性能。
具体目标如下：（1）制备高质量的ZnO纳米柱结构材料；（2）探究不同改性手段对材料光电转换性能的影响；（3）研究掺杂元素对ZnO纳米柱结构材料光电性能的影响；（4）评估所制备的ZnO纳米柱在太阳能电池中的应用潜力。
3. 研究内容（1）制备高质量的ZnO纳米柱结构通过氧化锌蒸汽沉积法制备ZnO纳米柱结构，并通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）分析材料形貌和结构特征。
优化制备参数，进一步提高纳米柱的光电性能。
（2）探究不同改性手段对材料光电性能的影响引入表面修饰分子或利用超支化学法套壳对ZnO纳米柱进行改性，以提高其光电性能。
对改性前后的ZnO纳米柱进行表征，探究改性对其结构和光学性质的影响。
（3）研究掺杂元素对ZnO纳米柱结构材料光电性能的影响以掺杂铟、锡和氮等元素的ZnO纳米柱为研究对象，探究掺杂元素对ZnO纳米柱光电性能的影响，以此来优化材料的光电转换性能。
（4）评估所制备的ZnO纳米柱在太阳能电池中的应用潜力将制备合成的ZnO纳米柱应用于染料敏化太阳能电池（DSSC）或量子点敏化太阳能电池（QDSSC）等太阳能电池中，评价其在太阳能电池中的光电性能和应用潜力。
在位化学改性制备氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法及其用途[发明专利]
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专利名称：在位化学改性制备氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法及其用途
专利类型：发明专利
发明人：黄忠兵,尹光福,姚亚东,廖晓明,康云清
申请号：CN200710048373.6
申请日：20070201
公开号：CN101234855A
公开日：
20080806
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种采用溶胶－凝胶方法在位化学改性制备ZnO纳米棒阵列薄膜的方法，其依次步骤如下：(1)将Zn(NO)6HO与六次甲基四胺溶解在去离子水中并搅拌均匀；(2)将经过清洗干净的基底材料进入到溶液中，并加热；(3)在加热一段时间后加入化学改性剂；(4)继续保温，将基底材料取出并用去离子水清洗，最后用暖风吹干，得到化学改性ZnO纳米棒阵列薄膜。
本发明在一定浓度下，既能有效控制六方相ZnO纳米棒的生长而形成阵列薄膜，又能在ZnO纳米棒表面实现化学改性，缩短了工艺流程，实现了廉价大规模生产，使ZnO纳米棒更具有实用意义。
本发明在电子信息、光电信号、生物信息检测及疾病诊断等领域具有广泛的应用价值。
申请人：四川大学
地址：610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号四川大学材料科学与工程学院
国籍：CN
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一种氧化锌(ZnO)纳米棒的制备方法[发明专利]
![一种氧化锌(ZnO)纳米棒的制备方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/6c4dc771a9956bec0975f46527d3240c8447a1b9.png)
[19]中华人民共和国国家知识产权局[12]发明专利申请公布说明书[11]公开号CN 101514029A [43]公开日2009年8月26日[21]申请号200910048958.7[22]申请日2009.04.08[21]申请号200910048958.7[71]申请人东华大学地址201620上海市松江区松江新城区人民北路2999号[72]发明人李耀刚 刘志福 王宏志 张青红 [74]专利代理机构上海泰能知识产权代理事务所代理人黄志达 谢文凯[51]Int.CI.C01G 9/02 (2006.01)权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 4 页[54]发明名称一种氧化锌(ZnO)纳米棒的制备方法[57]摘要本发明涉及一种氧化锌(ZnO)纳米棒的制备方法，包括：(1)在室温下，称取摩尔比为1∶2～1∶4的可溶性锌盐和氢氧化物，加入到去离子水中，然后加入体积比为1∶5～5∶1的乙二胺和乙醇胺的混合溶剂；机械搅拌20～40分钟，得到澄清的反应溶液，其中加入的混合溶剂与去离子水的体积比为1∶6～1∶1；(2)将步骤(1)反应溶液放入反应釜中，进行溶剂热反应，反应温度为110～150℃，反应6～12h，自然冷却至室温；(3)将产物离心分离，洗涤，在40～60℃，5～12h烘干，得到ZnO纳米棒。
本方面的制备方法简单，容易控制，制得的氧化锌纳米棒大小均匀；另外纳米颗粒在有机相中更稳定，不易生成杂质相。
200910048958.7权 利 要 求 书第1/1页 1.一种氧化锌ZnO纳米棒的制备方法，包括：(1)在室温下，称取摩尔比为1∶2～1∶4的可溶性锌盐和氢氧化物，加入到去离子水中，然后加入体积比为1∶5～5∶1的乙二胺和乙醇胺的混合溶剂；机械搅拌20～40分钟，得到澄清的反应溶液，其中可溶性锌盐和氢氧化物的总量与去离子水的比为0.07g-0.5g∶1ml，加入的混合溶剂与去离子水的体积比为1∶6～1∶1；(2)将步骤(1)反应溶液放入反应釜中，进行溶剂热反应，反应温度为110～150℃，反应6～12h，自然冷却至室温；(3)将产物离心分离，洗涤，在40～60℃，5～12h烘干，得到Z n O纳米棒。
一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法[发明专利]
![一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/7f9334d1a32d7375a517809f.png)
专利名称：一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法专利类型：发明专利
发明人：于爱芳,江鹏,郜展,李宏宇,唐浩颖
申请号：CN201010238835.2
申请日：20100726
公开号：CN102339756A
公开日：
20120201
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法。
该修饰方法，包括以下步骤：1)配制ZnO前驱体溶液；2)把所述ZnO薄膜晶体管悬浮于该溶液中，再放入烘箱中反应，以在所述ZnO薄膜上生长一层ZnO修饰层，其中所述烘箱中的反应温度为75℃～90℃。
该修饰方法不仅增加了ZnO薄膜晶体管输出电流和迁移率，而且制备过程简单、无需高温、可控性好，适合于基于柔性衬底的器件制备，为开发大面积柔性平板显示提供了一种新的途径。
申请人：国家纳米科学中心
地址：100190 北京市海淀区中关村北一条11号
国籍：CN
代理机构：北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人：王勇
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纳米ZnO层状硅酸盐纳米复合改性剂及其制备方法和应用[发明专利]
![纳米ZnO层状硅酸盐纳米复合改性剂及其制备方法和应用[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/763046d5bb0d4a7302768e9951e79b8969026850.png)
专利名称：纳米ZnO/层状硅酸盐纳米复合改性剂及其制备方法和应用
专利类型：发明专利
发明人：张恒龙,段海辉,罗欢,曹佳文,黄立葵,张帅,朱崇政,陈子豪
申请号：CN202110553374.6
申请日：20210520
公开号：CN113336261B
公开日：
20220614
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种纳米ZnO/层状硅酸盐纳米复合改性剂及其制备方法和在沥青中的应用。
本发明利用纳米复合技术将纳米ZnO与膨胀蛭石、蒙脱石或累托石等层状硅酸盐中的任一种进行复合，形成纳米ZnO/层状硅酸盐复合改性剂，不仅有效地减少了纳米ZnO的团聚作用，而且也保证了纳米ZnO与层状硅酸盐间的相对均匀性。
最终添加至沥青中，可实现纳米ZnO与层状硅酸盐的协同增效作用，同时提高了沥青的抗热氧老化和抗紫外老化性能，降低了沥青变硬变脆和沥青路面性能劣化速率，并增强了沥青抵抗永久变形的能力。
因而，本发明对于扩展纳米材料在沥青路面中的应用范围、减少沥青路面病害和路面修补养护次数、延长路面服役寿命和节省道路投资建设具有重要意义。
申请人：湖南大学
地址：410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门
国籍：CN
代理机构：北京金智普华知识产权代理有限公司
代理人：董明艳
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---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------CN105336500A一种ZnO纳米棒薄膜原位改性处理方法及其获得的改性薄膜(10)申请公布号(43)申请公布日(21)申请号201910672461.8(22)申请日2019.10.16H01G 9/20 (2006.01)H01G 9/042 (2006.01)B82Y 30/00 (2019.01)B82Y 40/00 (2019.01)(71)申请人景德镇陶瓷学院地址 333001 江西省景德镇市珠山区陶阳南路景德镇陶瓷学院(72)发明人孙健王艳香黄丽群范学运杨志胜陈凌燕(74)专利代理机构广州广信知识产权代理有限公司 44261代理人李玉峰(54) 发明名称一种 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法及其获得的改性薄膜(57) 摘要本发明公开了一种 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，首先将二水乙酸锌溶解于甲醇溶液中，并将溶液搅拌均匀，得到二水乙酸锌甲醇溶液；然后将预先制备的 ZnO 纳米棒薄膜放入二水乙酸锌甲醇溶液中，在密封情况下进行恒温反应，反应温度60℃；反应结束后进行清洗、干燥、煅烧，即得到原位改性的ZnO纳米棒薄膜。
此外，还公开了利用上述改性处理方法获得的改性 ZnO 纳米棒薄膜。
本发明通过对ZnO纳米棒薄膜进行表面改性，增加了比表面积、同时改善了薄膜的光电等性能，从而有效提高了其适用性，扩大了其应用范围。
而且，制备工艺简单、合成温度低、成本低、ZnO 纳米棒结构不1 / 13易被破坏，具有良好的可控性和重复性。
(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页说明书5页附图1页CN 105336500 A2019.02.17CN 105336500 A 1/1 页21.一种 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，其特征在于包括以下步骤：(1) 将二水乙酸锌溶解于甲醇溶液中，并将溶液搅拌均匀，得到二水乙酸锌甲醇溶液；(2) 将预先制备的 ZnO 纳米棒薄膜放入所述二水乙酸锌甲醇溶液中，在密封情况下进行恒温反应，反应温度60℃；反应结束后进行清洗、干燥、煅烧，即得到原位改性的 ZnO 纳米棒薄膜。
2.根据权利要求 1 所述的 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，其特征在于：所述步骤(1) 二水乙酸锌在甲醇溶液中的浓度为 0.05 ～0.25M。
3.根据权利要求 1 所述的 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，其特征在于：所述步骤(2) 预先制备的 ZnO 纳米棒薄膜以竖直的形式放入二水乙酸锌甲醇溶液中。
4.根据权利要求 1 所述的 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，其特征在于：所述步骤(2) 中反应温度为 25 ～60℃，反应时间为 10 ～96h。
---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 5.根据权利要求 1 所述的 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，其特征在于：所述步骤(2) 中干燥温度为 60 ～100℃。
6.根据权利要求 1 所述的 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，其特征在于：所述步骤(2) 中煅烧温度为 250 ～350℃。
7.根据权利要求 1 所述的 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，其特征在于：所述步骤(2) 中预先制备的 ZnO 纳米棒薄膜，其制备方法如下：(a)ZnO 种子层的制备将二水乙酸锌、以及单乙醇胺或二乙醇胺溶解在乙二醇甲醚溶液中制备得到 ZnO 溶胶；采用渍浸法，将导电基底垂直浸入到所述 ZnO 溶胶中，使得导电基底表面涂覆有 ZnO 溶胶；然后将涂有 ZnO 溶胶的导电基底烘干、煅烧，即得到附着于导电基底表面的 ZnO 种子层；(b) 生长液的配制将聚乙烯亚胺、六水硝酸锌和六次甲基四胺溶解于去离子水中作为生长液，然后置于水热反应釜中、并在烘箱中进行预热；(c)ZnO 纳米棒的生长将所述附着有 ZnO 种子层的导电基底放入所述预热后的生长液中，并置于烘箱中进行生长反应；反应结束后取出，用去离水冲洗、干燥；(d) 重复所述步骤 (b)、(c) 二次，然后进行煅烧，即制得预先制备的 ZnO 纳米棒薄膜。
3 / 138.根据权利要求 7 所述的 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，其特征在于：所述步骤(a) 中二水乙酸锌、以及单乙醇胺或二乙醇胺在乙二醇甲醚溶液中的浓度分别为 0.20 ～0.60M ；所述步骤 (b) 中聚乙烯亚胺在生长液中的浓度为 0.005 ～ 0.007M，六水硝酸锌在生长液中的浓度为 0.01 ～ 0.06M，六次甲基四胺在生长液中的浓度为0.01 ～ 0.06M，生长液的预热温度为 60 ～95℃，预热时间为 1 ～6h ；所述步骤 (c) 中生长反应的温度为 60 ～90℃，反应时间为24 ～ 48h。
9.利用权利要求 1-8 之一所述改性处理方法获得的改性 ZnO 纳米棒薄膜。
10.根据权利要求 9 所述的改性 ZnO 纳米棒薄膜，其特征在于：所述改性 ZnO 纳米棒薄膜具有由 ZnO 纳米棒和 ZnO 纳米粒组成的多级结构，其中原位改性所生成的 ZnO 纳米粒直径为 20 ～25nm、附着于 ZnO 纳米棒的表面。
权利要求书CN 105336500 A2 1/5 页3一种 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法及其获得的改性薄膜技术领域[0001] 本发明涉及纳米薄膜技术领域，尤其涉及一种 ZnO 纳米棒薄膜改性处理方法及其获得的改性薄膜。
背景技术[0002] 氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族的具有纤锌矿结构的半导体功能材料，室温下禁带宽度为 3.37eV，激---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 子束缚能高达 60meV，并具有良好的化学稳定性及优良的抗氧化和耐高温性能，是一种重要的半导体材料。
高度取向排列的一维的 ZnO 纳米棒薄膜，具有独特的电学和光学性能，在多种电子和光子的纳米器件如太阳能电池、紫外探测器、发光二极管、激光二级管、传感器等技术领域中获得了广泛的研究和应用。
但是，ZnO 纳米棒薄膜比表面积比较小，从而限制了其应用。
例如，在染料敏化太阳能电池 (Dye Sensitized Solar Cell，简称DSSC)方面，虽然ZnO纳米棒垂直导电衬底，有利于光生电子的传输，但是由于 ZnO 纳米棒薄膜的比表面积较小，因此吸附的染料少，这样导致光生电子数少而限制了其效率的提升；此外，在光催化领域方面，由于 ZnO 纳米棒薄膜较小的比表面积，使得其催化性能减弱，从而限制了其适用性。
发明内容[0003] 本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，通过对 ZnO 纳米棒薄膜进行表面改性，从而增加比表面积、同时改善薄膜的光电等性能。
本发明的另一目的在于提供利用上述方法获得的改性薄膜。
[0004] 本发明的目的通过以下技术方案予以实现：[0005] 本发明提供的一种 ZnO 纳米棒薄膜原位改性处理方法，包括以下步骤：[0006] (1) 将二水乙酸锌溶解于甲醇溶液中，并将溶液搅拌均5 / 13匀，得到二水乙酸锌甲醇溶液；[0007] (2) 将预先制备的 ZnO 纳米棒薄膜放入所述二水乙酸锌甲醇溶液中，在密封情况下进行恒温反应，反应温度60℃ ；反应结束后进行清洗、干燥、煅烧，即得到原位改性的ZnO 纳米棒薄膜。
[0008] 上述方案中，本发明所述步骤 (1) 二水乙酸锌在甲醇溶液中的浓度为 0.05 ～0.25M。
[0009] 进一步地，本发明所述步骤 (2)ZnO 纳米棒薄膜以竖直的形式放入二水乙酸锌甲醇溶液中。
[0010] 进一步地，本发明所述步骤 (2) 中反应温度为 25 ～60℃，反应时间为 10 ～ 96h。
[0011] 进一步地，本发明所述步骤 (2) 中干燥温度为 60 ～100℃ ；煅烧温度为 250 ～350℃。
[0012] 本发明通过对 ZnO 纳米棒薄膜进行原位改性，在 ZnO纳米棒表面原位生成ZnO 纳说明书CN 105336500 A3 2/5 页4米粒，增加了比表面积、并改善了薄膜的光电等性能，从而有效提高了其适用性，扩大了其应用范围。
在染料敏化太阳能电池的应用中，可预先在导电基底上制备出ZnO 纳米棒薄膜，然后使用本发明对其进行原位改性，预先制备的ZnO 纳米棒薄膜，其制备方法可采取如下具体措施：[0013] (a)ZnO 种子层的制备[0014] 将二水乙酸锌、以及单乙醇胺或二乙醇胺溶解在乙二醇甲醚溶液中制备得到 ZnO溶胶；采用渍浸法，将导电基底垂直浸入到所述 ZnO 溶胶中，使得导电基底表---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 面涂覆有 ZnO溶胶；然后将涂有 ZnO 溶胶的导电基底烘干、煅烧，即得到附着于导电基底表面的 ZnO 种子层；[0015] (b) 生长液的配制[0016] 将聚乙烯亚胺、六水硝酸锌和六次甲基四胺溶解于去离子水中作为生长液，然后置于水热反应釜中、并在烘箱中进行预热；[0017] (c)ZnO 纳米棒的生长[0018] 将所述附着有 ZnO 种子层的导电基底放入所述预热后的生长液中，并置于烘箱中进行生长反应；反应结束后取出，用去离水冲洗、干燥；[0019] (d) 重复所述步骤(b)、(c) 二次，然后进行煅烧，即制得预先制备的 ZnO 纳米棒薄膜。
[0020] 上述方案中，本发明所述步骤 (a) 中二水乙酸锌、以及单乙醇胺或二乙醇胺在乙二醇甲醚溶液中的浓度分别为 0.20 ～0.60M ；所述步骤 (b) 中聚乙烯亚胺在生长液中的浓度为 0.005 ～0.007M，六水硝酸锌在生长液中的浓度为 0.01 ～ 0.06M，六次甲基四胺在生长液中的浓度为 0.01 ～ 0.06M，生长液的预热温度为60 ～95℃，预热时间为 1 ～ 6h ；所述步骤 (c) 中生长反应的温度为 60 ～90℃，反应时间为 24 ～ 48h。