模电第五版康华光第三章课后答案
数字电路第五版(康华光)课后答案
第一章数字逻辑习题1．1 数字电路与数字信号图形代表的二进制数1．1．4 一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%数制将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于24（2）127 （4）解：（2）（127）D= 27 -1=（）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（）D=B=O=H二进制代码将下列十进制数转换为 8421BCD 码：（1）43 （3）解：（43）D=（01000011）BCD试用十六进制写书下列字符繁荣 ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的 ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的 ASCⅡ码为 0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的 ASCⅡ码为 1000000,(01000000)B=(40)H(3)you 的 ASCⅡ码为本 1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为 79,6F,75(4)43 的 ASCⅡ码为 0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为 34,33逻辑函数及其表示方法在图题 1. 中，已知输入信号 A，B`的波形，画出各门电路输出 L 的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答用真值表证明下列恒等式(3)A⊕ =B AB AB+ （A⊕B）=AB+AB解：真值表如下由最右边2栏可知，A⊕B与AB+AB的真值表完全相同。
用逻辑代数定律证明下列等式(3)A+ABC ACD C D E A CD E+ + +( ) = + +解：A+ABC ACD C D E++ +( )=A(1+BC ACD CDE)+ += +A ACD CDE+= +A CD CDE+ = +A CD+ E用代数法化简下列各式(3)ABC B( +C)解：ABC B( +C)= + +(A B C B C)( + )=AB AC BB BC CB C+ + + + +=AB C A B B+ ( + + +1)=AB C+(6)(A+ + + +B A B AB AB) ( ) ( )( )解：(A+ + + +B A B AB AB) ( ) ( )( )= A B + A B +(A + B A )( +B )=AB(9)ABCD ABD BCD ABCBD BC + + + +解：ABCD ABD BCD ABCBD BC +++ +=ABC D D ABD BC D C ( + +) + ( + ) =B AC AD C D ( + + + ) =B A C A D ( + + + ) =BA C D ( + + ) =AB BC BD + +画出实现下列逻辑表达式的逻辑电路图，限使用非门和二输入与非门B AB AB = + + AB B = + A B = +(1)L AB AC = +(2) ( ) L DAC= +已知函数L （A ，B ，C ，D ）的卡诺图如图所示，试写出函数L 的最简与或表达式用卡诺图化简下列个式(3) ()() L ABCD =++解： ( , , , ) L ABCDBCDBCDBCDABD= + + +（1）ABCD ABCD AB AD ABC+ + + +解：ABCD ABCD AB AD ABC+ + + +=ABCD ABCD ABC C D D AD B B C C ABC D D+ + ( + )( + +) ( + )( + +) ( + )=ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD+ + + ++ +（6）L A B C D( , , , )=∑m(0,2,4,6,9,13)+∑d(1,3,5,7,11,15)解：L= +A D∑m(0,13,14,15)+∑d(1,2,3,9,10,11)（7）L A B C D( , , ,) =解:已知逻辑函数L AB BC CA= + + ，试用真值表,卡诺图和逻辑图（限用非门和与非门）表示解:1>由逻辑函数写出真值表A B C L0 0 0 00 0 1 10 1 0 10 1 1 11 0 0 11 0 1 11 1 0 11 1 1 0用摩根定理将与或化为与非表达式L = AB + BC + AC = AB BC AC4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图2> 由真值表画出卡诺图3> 由卡诺图,得逻辑表达式 LABBCAC = + +第三章习题MOS 逻辑门电路根据表题所列的三种逻辑门电路的技术参数，试选择一种最合适工作在高噪声环境下的门电路。
康光华第五版答案电子技术基础(模拟部分)
第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求vo的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示，温度 T＝300 K。
VDD-2vD(10-2⨯0.7)V==8.6⨯10-3A=8.6mA3R1⨯10ΩVO=2VD=2⨯0.7V=1.4V ID=当rd1=rd2=rd时，则rd=VT26mV=≈3.02ΩID8.6mA2rd2⨯3.02Ω=±1V⨯=±6mVR+2rd(1000+2⨯3.02Ω)vO的变化范围为(VO+∆vO)~(VO-∆vO)，即1.406V～1.394V。
∆vO=∆VDD2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。
设二极管是理想的。
解图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。
图b：D的阳极电位为－15V，阴极电位为－12V，D对被反向偏置而截止，VAO＝－12V。
图c：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。
图d：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO ＝－6V。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有VA=10kΩ⨯15V=1V(140+10)kΩVB=D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有2kΩ5kΩ⨯10V+⨯15V=3.5V(18+2)kΩ(25+5)kΩVA=10kΩ⨯15V=1V(140+10)kΩ2kΩ5kΩ⨯(-10V)+⨯15V=1.5V(18+2)kΩ(25+5)kΩ VB=D被反偏而截止。
电子技术基础-模拟部分(第五版)康华光-课后答案
幻灯片89
4
幻灯片90
5
幻灯片91
6
幻灯片92
7
幻灯片93
8
幻灯片94
9
幻灯片95
10
幻灯片96
11
幻灯片97
12
幻灯片98
13
幻灯片99
14
幻灯片100
15
5
幻灯片44
6
幻灯片45
7
幻灯片46
8
幻灯片47
9
幻灯片48
10
幻灯片49
11
幻灯片50
12
幻灯片51
13
幻灯片52
14
幻灯片53
15
幻灯片54
16
幻灯片55
17
幻灯片56
18
幻灯片57
19
幻灯片58
20
幻灯片59
21
幻灯片60
22
幻灯片61
23
幻灯片62
24
幻灯片63
25
幻灯片64
26
幻灯片65
27
幻灯片1
电子技术基础模拟部分
第五版
主编 康华光
高等教育出版社
幻灯片2
2
幻灯片3
3
幻灯片4
4
幻灯片5
5
幻灯片6
6
幻灯片7
7
幻灯片8
８
幻灯片9
幻灯片10
幻灯片11
湖南人文科技学院
田汉平
幻灯片12
12
幻灯片13
13
幻灯片14
14
幻灯片15
15
幻灯片16
16
幻灯片17
17
模拟电子技术第三章习题与答案
模拟电子技术第三章习题与答案第三章习题与答案3.1 问答题：1．什么是反馈？答：在电子线路中，把输出量（电压或电流）的全部或者一部分，以某种方式反送回输入回路，与输入量（电压或电流）进行比较的过程。
2．什么是正反馈？什么是负反馈？放大电路中正、负反馈如何判断？答：正反馈：反馈回输人端的信号加强原输入端的信号，多用于振荡电路。
负反馈：反馈回输入端的信号削弱原输入端的信号，使放大倍数下降，主要用于改善放大电路的性能。
反馈极性的判断，通常采用瞬时极性法来判别。
通常假设某一瞬间信号变化为增加量时．我们定义其为正极性，用“+”表示。
假设某一瞬间信号变化为减少量时，我们定义其为负极性，用“-”表示。
首先假定输入信号某一瞬时的极性，一般都假设为正极性．再通过基本放大电路各级输入输出之间的相位变化关系，导出输出信号的瞬时极性；然后通过反馈通路确定反馈信号的瞬时极性；最后由反馈信号的瞬时极性判别净输入是增加还是减少。
凡是增强为正反馈，减弱为负反馈。
3．什么是电压负反馈？什么是电流负反馈？如何判断？答：根据反馈信号的取样方式，分为电压反馈和电流反馈。
凡反馈信号正比于输出电压，称为电压反馈；凡反馈信号正比于输出电流，称为电流反馈。
反馈信号的取样方式的判别方法，通常采用输出端短路法，方法是将放大器的输出端交流短路时，使输出电压等于零，如反馈信号消失，则为电压反馈，如反馈信号仍能存在，则为电流反馈。
这是因为电压反馈信号与输出电压成比例，如输出电压为零，则反馈信号也为零；而电流反馈信号与输出电流成比例，只有当输出电流为零时，反馈信号才为零，因此，在将负载交流短路后，反馈信号不为零。
4．什么是串联负反馈？什么是并联负反馈？如何判断？答：输入信号与反馈信号分别加在两个输入端，是串联反馈；加在同一输入端的是并联反馈。
反馈信号使净输入信号减小的，是负反馈。
判断反馈的极性，要采用瞬时极性法。
3.2 填空题：1．放大电路中，为了稳定静态工作点，可以引入直流负反馈；如果要稳定放大倍数，应引入交流负反馈；希望扩展频带，可以引入交流负反馈；如果增大输入电阻，应引入串联负反馈；如果降低输比电阻，应引入电压负反馈。
模拟电子技术 第五版 康光华 课后答案共102页文档
模拟电子技术 第五版 康光华 课后答案
61、辍学如磨刀之石，不见其损，日 有所亏 。 62、奇文共欣赞，疑义相与析。
63、暧暧远人村，依依墟里烟，狗吠 深巷中 ，鸡鸣 桑树颠 。 64、一生复能几，倏如流电惊。 65、少无适俗韵，性本爱丘山。
46、我们若已接受最坏的，就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会，使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功，谁就会和我一样成功。——莫扎特
《电子技术基础》康华光第五版模电课后问答题答案
第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即Vvo 很大，直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成，此时的Vo达到极值，等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。
2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。
2.输出电阻很小，接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使Vn自动的跟从Vp，使Vp≈Vn，或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端，R2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。
由虚短的概念可知，Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地Vp,Vn接近是零。
2.3.2答：由于净输入电压Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以Vo为正值，Vo等于R1和R2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，Vn增大了，Vp不变，所以Vid变小了，Vo 变小了，电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知Vp≈Vn,也即虚短。
康光华第五版答案电子技术基础(模拟部分)
第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求vo的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示，温度 T＝300 K。
VDD-2vD(10-2⨯0.7)V==8.6⨯10-3A=8.6mA3R1⨯10ΩVO=2VD=2⨯0.7V=1.4V ID=当rd1=rd2=rd时，则rd=VT26mV=≈3.02ΩID8.6mA2rd2⨯3.02Ω=±1V⨯=±6mVR+2rd(1000+2⨯3.02Ω)vO的变化范围为(VO+∆vO)~(VO-∆vO)，即1.406V～1.394V。
∆vO=∆VDD2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。
设二极管是理想的。
解图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。
图b：D的阳极电位为－15V，阴极电位为－12V，D对被反向偏置而截止，VAO＝－12V。
图c：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。
图d：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO ＝－6V。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有VA=10kΩ⨯15V=1V(140+10)kΩVB=D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有2kΩ5kΩ⨯10V+⨯15V=3.5V(18+2)kΩ(25+5)kΩVA=10kΩ⨯15V=1V(140+10)kΩ2kΩ5kΩ⨯(-10V)+⨯15V=1.5V(18+2)kΩ(25+5)kΩ VB=D被反偏而截止。
电子技术基础数字部分第五版康光华主编第1~6章章节详细习题答案
第一章习题答案1.1.4 一周期性信号的波形如图题1.1.4所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比012（ms）图题1.1.4解： 周期T=10ms 频率f=1/T=100Hz 占空比q=t w /T ×100%=1ms/10ms ×100%=10%1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数和十六进制数，要求误差不大于2-4： （1）43 （2）127 （3）254.25 （4）2.718 解：1. 转换为二进制数：（1）将十进制数43转换为二进制数，采用“短除法”，其过程如下：2 43 ………………………余1……b 02 21 ………………………余1……b 12 1 ………………………余1……b 52 2 ………………………余0……b 42 5 ………………………余1……b 32 10 ………………………余0……b20高位低位从高位到低位写出二进制数，可得（43）D =（101011）B（2）将十进制数127转换为二进制数，除可用“短除法”外，还可用“拆分比较法”较为简单： 因为27=128，因此（127）D =128-1=27-1=（1000 0000）B -1=（111 1111）B（3）将十进制数254.25转换为二进制数，整数部分（254）D =256-2=28-2=（1 0000 0000）B -2=（1111 1110）B 小数部分（0.25）D =（0.01）B （254.25）D =（1111 1110.01）B（4）将十进制数2.718转换为二进制数 整数部分（2）D =（10）B小数部分（0.718）D =（0.1011）B 演算过程如下：0.718×2=1.436……1……b-1 0.436×2=0.872……0……b-2 0.872×2=1.744……1……b-3 0.744×2=1.488……1……b-4 0.488×2=0.976……0……b-5 0.976×2=1.952……1……b-6高位低位要求转换误差小于2-4，只要保留小数点后4位即可，这里算到6位是为了方便转换为8进制数。
模拟电子技术基础第五版华成英答案第3章
第3章 多级放大电路自 测 题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B（5）C ，B二、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
A .克服温漂B . 提高输入电阻C .稳定放入倍数 （4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。
A .差B .和C .平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解：（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）Cr=100三、电路如图PT3.3所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bbΩ，静态时｜U B E Q｜≈0.7V。
模拟电子技术教程第3章习题答案2汇总
第3 章习题1. 观点题：（1）在放大电路中，三极管或场效应管起的作用就是将一种形式的电量变换为另一种形式的电量。
（2）电源的作用是为能量变换供给能源，假如走开电源，放大器能够工作吗？（不能）（3）单管放大器的解说从电容耦合形式开始，这是由于阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点，假如信号和负载直接接入，其工作点的计算将要复杂的多。
（4）在共射放大器的发射极串接一个小电阻，还可以以为是共射放大器吗？（能）在共集放大器的集电极串接一个小电阻，还可以以为是共集放大器吗？（能）（5）在模电中以下一些说法是等同的，（A、C、F）另一些说法也是等同的。
（B、D、E）A. 直流剖析B. 沟通剖析C. 静态剖析D. 动向剖析E. 小信号剖析F. 工作点剖析（6）PN 结拥有单导游电性，信号电压和电流的方向是随时间变化的，而沟通信号却能在放大电路中经过并获取放大，这是由于放大器输出端获取的沟通信号其实就是电流或电压的相对变化量。
（7）β大的三极管输入阻抗也大，小功率三极管的基本输入阻抗可表示为UTr r (1 ) 。
be bb' IEQ（8）画直流通路比画沟通通路复杂吗？（不）在画沟通通路时直流电压源可以为短路，直流电流源可以为开路，二极管和稳压管只考虑其动向内阻即可。
（9）求输出阻抗时负载R L 一定断开，单管放大器输出阻抗最难求的是共集电极放大器，其次是共源放大器。
（10）对晶体管来说，直流电阻指晶体管对所加电源体现的等效电阻，沟通电阻指在必定偏置下晶体管对所经过的信号体现的等效电阻，对纯电阻元件有这两种电阻之划分吗？（无）（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻R C 或R D 的作用是把电流I C 或I D 的变化变换为电压的变化。
（12）放大电路的非线性失真包含饱和失真和截止失真，惹起非线性失真的主要原由是放大器工作点偏离放大区。
（13）三极管构成的三种基本放大电路中，共基放大电路的高频特征最好，预计这与晶体管的结电容相关。
电子技术基础数字部分第五版康光华主编第3章习题答案
第三章作业答案3.1.2（2）求74LS 门驱动74ALS 系列门电路的扇出数解：首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ,两者中的最小值就是扇出数。
从教材附录A 可查得74LS 系列门电路的输出电流参数为I OH =0.4mA,I OL =8mA ，74ALS 系列门电路的输入电流参数为I IH =0.02mA,I IL =0.1mA拉电流工作时的扇出数..0420002OH OH IH I mAN I mA===灌电流工作时的扇出数.88001OL OL IL I mAN I mA===因此，74LS 门驱动74ALS 系列门电路的扇出数N O 为20。
3.1.4已知图题3.1.4所示各MOSFET 管的∣V T ∣=2V ，忽略电阻上的压降，试确定其工作状态（导通或截止）。
解：图（a ）和（c ）为N 沟道场效应管，对于图（a ），V GS =5V>V T ,因此管子导通对于图（c ），V GS =0V<V T ,因此管子截止图（b ）和（d ）为P 沟道场效应管，对于图（b ），V GS =5V-5V=0>V T ,因此管子截止对于图（d ），V GS =0V-5V=-5V<V T ,因此管子导通3.1.7写出图题3.1.7所示电路的输出逻辑表达式.解：L AB BC D E=A A A 3.1.12试分析图题3.1.12所示的CMOS 电路，说明他们的逻辑功能。
解：从图上看，这些电路都是三态门电路，分析这类电路要先分析使能端的工作情况，然后再分析逻辑功能。
（a ）当=0时，T P2和T N2均导通，由T P1和T N1组成的反相器正常工作，；EN L A =当=1时，T P2和T N2均截止，此时无论输入端A 为高电平还是低电平，输出端均EN 为高阻态；因此该电路为低电平使能三态非门。
（b ）当=0时，或门的输出为，T P2导通，由T P1和T N1组成的反相器正常工作，EN A ；L A =当=1时，或门的输出为0,T P2和T N1均截止，此时无论输入端A 为高电平还是低EN 电平，输出端均为高阻态；因此该电路为低电平使能三态缓冲器。
电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章_康华光
(a)符号
(b) 伏安特性
稳压原理
R
+
IR
IO
IZ
+
VI
DZ
VO
RL
-
-
RL↓→IO↑→IR↑→↓VO=VI-VR VO↑←IR↓←IZ↓
稳压管的应用
①、稳压管外接正向电压时,导通。 ②、稳压管外接反向电压，且该电压
的幅值小于VBR时，截止。 ③、稳压管外接反向电压，且该电压
于空穴数，因此，N型半导
体又称为电子半导体。
3、多子和少子
数目较多的载流子叫多数载流子，简 称多子。同样，数目较少的载流子叫少数 载流子，简称少子。
在P型半导体中，空穴是多子，而自 由电子是少子。
在N型半导体中，自由电子是多子， 而空穴是少子。
第二节、PN结的形成及特性 一、PN结的形成 二、PN结的特性 三、PN结的伏安特性及表达式
本征激发时，自由电子和空穴总是成对产生， 称为电子空穴对。因此本征激发又叫做电子空穴 对的产生。
3、载流子 能够自由运动的带电粒子。
只有两种载流子：自由电子和空穴。 自由电子带负电 空穴带正电
4、本征浓度
自由电子和空穴相遇时，成对消失的现象称为 载流子的复合。
电子空穴对的产生和复合总是不停地进行着， 最终处于一种平衡，使半导体中载流子的浓度一 定。一定温度下，单位体积内（1cm3）的载流子 个数称为本征浓度。
正偏时，二极管两端短路 反偏时，二极管开路 2、恒压模型 正偏时,二极管从阳极到阴极
VD=VON(导通电压) 反偏时，二极管开路
➢ 图解分析法
1. 理想模型
2. 恒压降模型
第五节、特殊二极管
第三章习题解答(模电康第五版)
+
VO
—
RL
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
解：当15V≥vi≥8V时，vo1 = 8V 当-0.7V< vi < 8V时，vo1 = vi 当-15V≤vi ≤-0.7V时，vo1 = -0.7V
15
v
8
vi vo1
t
3k
3k
+
vi
—
R
DZ
+
+
R
D Z1 D Z2
+
vo2
—
0.7
0
vo1 vi
— —
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
6
200
D
+
vI t
—
+
200
vI t 3
vo t
—
6V
vo t V
8 6
vI t V
10
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
0
3
5 t ms
0
5 t ms
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
3.5.1 电路如图，所有稳压管均为硅管，且稳定电 压VZ=8V，设vi=15sinωtV，试绘出vo1和vo2的波形。
—
+
200
D截止，vo (t)=6V ；
当vI(t)≥6V，即3ms≤t≤5ms时， D导通，于是
iD vI t 6 200 200
vo t
—
6V
vI t V
10
0
5 t ms
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
vo t 200 1 2
模电课后(康华光版)习题答案3
第三章部分习题解答3.4.5 二极管电路如图题2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压V AO。
设二极管是理想的。
图题2.4.3解:图b：D的阳极电位为-15V，阴极电位为-12V，D被反向偏置而截止，V AO=-12V。
图c：对D1有阳极电位为0V，阴极电位为-12V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为-15V，故D2反偏截止，V AO=0V。
3.4.2 电路如图题2.4.5所示，电源v S为正弦波电压，试绘出负载R L两端的电压波形。
设二极管是理想的。
图题2.4.5解:图题2.4.5a中，v s>0时，D导通，v L= v S；v S<0时，D 截止，v L=0。
故v L波形如图解2.4.5中v La所示。
图题2.4.5b中v S〉0时，D2、D4导通，v L= v S；v S〈0时，D1、D3导通，v L=- v S。
故v L波形如图解2.4.5中v Lb所示。
图解2.4.53.4.7 二极管电路如图题2.4.8a所示，设输入电压vⅠ（t）波形如图b所示，在0〈t〈5ms的时间间隔内，试绘出v o（t）的波形，设二极管是理想的。
图题2.4.8解:vⅠ（t）<6V时，D截止，v o（t）=6V；vⅠ（t）≥6V时，D导通；vⅠ（t）=10V时，v o（t）=8V。
v o波形如图解2.4.8所示。
图解2.4.82．4．13 电路如图题2.4.13所示，设二极管是理想的。
（a ）画出它的传输特性；（b ）若输入电压v I =v i =20sin ωt V ，试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o 的波形。
图题2.4.13 图解2.4.13解:（a ）画传输特性0<v I <12V 时，D 1、D 2均截止，v o = v I ； v I ≥12V 时，D 1导通，D 2截止V v Vk k v k k v I I o 43212)126(6)126(12+=⨯Ω+Ω+Ω+Ω=-10V<v I <0时，D 1、D 2均截止，v o =v I ； v I ≤-10V 时，D 2导通，D 1截止31032)10()126(6)126(12-=-⨯Ω+Ω+Ω+Ω=I I o v V k k v k k v传输特性如图解2.4.13中a 所示。
模拟电路康华光第五版版第三章
6
3.2.3 PN结的单向导电性
(3) PN结V-I 特性表达式
3.2.4 PN结的反向击穿
当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电 流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。
i D I S (e vD / VT 1)
其中
IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量
且在常温下（T=300K）
PN结面积小，结 电容小，用于检波和 变频等高频电路。
(2) 面接触型二极管
PN结面积大，用于 工频大电流整流电路。
(b)面接触型
（a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 二极管的结构示意图 (a)点接触型
7
半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
3.3.2 二极管的伏安特性
PN结的形成，从无到有，逐渐变宽变粗，最后，PN结保持宽度不变， 预示着多子扩散和少子漂移达到动态平衡，两者作用互相抵消。
5
3.2.3 PN结的单向导电性
当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正 向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 (1) PN结加正向电压时 变 薄 －+ －+ + P －+ N 外 － +内 电 电 场 场
3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3 3 半导体二极管 3.3 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管
学习时的苦痛是暂时的，未学到的痛苦是终生的。
Time the study pain is temporary, has not learned the pain is life life-long.
N型半导体