常见变容2极管参数
二级管的基础知识
二、极管基础知识1.二极管的主要参数正向电流I F：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）I OM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压V B：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压V RM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
反向电流I R：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。
结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
最高工作频率F M：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
2.常用二极管（1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
（a)全密封金属结构（b）塑料封装（2）? 检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
（3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。
图3、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装（4）稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4图4、稳压二极管的图形符号稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。
二极管的主要参数
二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。
结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
2.常用二极管（1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
2.常用二极管（1）整流二极管将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
（3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。
4）稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。
(整理)常用变容二极管
常用变容二极管变容二极管（Varactors ），又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors ，VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes ），当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning ），方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1（a ）所示。
图1 （a ）变容二极管的等效电路 （b ）变容二极管的简化等效电路其中，R p ——反向偏压的结电阻（Junction Resistance ）；'s L ——外部引线电感； s L ——内部引线电感； c C ——封装电容； s R ——二极管体电阻； j C ——结电容。
通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图1（b ）所示。
一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V γ=- (1) j C 为变容二极管的结电容，0j C 为变容管加零偏压时的结电容；V D 为变容管PN 结内建电位差（硅管V D =0.7V ，锗管V D =0.3V ）；γ为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下，选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选γ=2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。
变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，可得曲线的斜率为/c k C V =∆∆。
图2 变容二极管的j C v -特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与Q 值（1）变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为C R ，可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V γ⎛⎫=≈ ⎪⎝⎭(2)式中，min ()C V ——在偏压最小时的结电容值；max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种1.阈值电压（VT）：变容二极管的工作电压范围，一般以伏特（V）为单位。
2.最大顶峰电流（IPK）：变容二极管能够承受的最大电流峰值，通常以安培（A）为单位。
3.最大连续电流（IO）：变容二极管能够持续承受的最大电流值，通常以安培（A）为单位。
4.最大反向电流（IR）：在反向偏置时，变容二极管所能承受的最大反向电流值，通常以安培（A）为单位。
5. 回复时间（TRR）：变容二极管从正向偏置到反向偏置的时间延迟，通常以纳秒（ns）为单位。
6.反向导电性（RR）：变容二极管在反向偏置时的导电能力，通常以欧姆（Ω）为单位。
7.串联电阻（RS）：变容二极管正向电压条件下的串联电阻，通常以欧姆（Ω）为单位。
8.导通电压（VF）：变容二极管正向偏置时的导通电压，通常以伏特（V）为单位。
9.导通电流（IF）：变容二极管正向偏置时的导通电流，通常以安培（A）为单位。
10.最大反向耐压（VR）：变容二极管能够承受的最大反向电压，通常以伏特（V）为单位。
11.最大耗散功率（PD）：变容二极管能够耗散的最大功率，通常以瓦特（W）为单位。
12.最大峰值倒换电流（IFSM）：变容二极管在瞬态工作条件下能够承受的最大倒换电流，通常以安培（A）为单位。
13. 最大工作温度（TJ max）：变容二极管能够工作的最高温度，通常以摄氏度（°C）为单位。
14. 最小存储温度（TSTG min）：变容二极管能够存储的最低温度，通常以摄氏度（°C）为单位。
15.包装类型：变容二极管的封装形式，如导线封装、表面封装、贴片封装等。
16. 尺寸：变容二极管的尺寸，通常以毫米（mm）为单位。
17.重量：变容二极管的重量，通常以克（g）为单位。
18.可靠性：变容二极管的可靠性参数，如寿命、失效率等。
以上是常见的变容二极管参数，不同型号的变容二极管可能具有不同的参数组合。
根据具体的应用需求，选择适合的变容二极管型号进行设计和应用。
变容二极管参数
型号电容量（工作电压）电容比率工作频率最小值最大值303B 3~5p(25V) 18p(3V) >6 1000MHz2AC1 2p(25V) 27p(3V) >7 50MHz2CC1 3.6p(25V) 20p(3V) 4~6 50MHz2CB14 3p(25V) 18~30p(3V) 5~7 50MHz2CC-32 2.5p(25V) 25p(3V) 4.5 >800MHzISV-101 12p(10V) 32p(2.5V) 2.4 100MHzAM-109 30p(9V) 460p(1V) 15 AMBB-112 17p(6V) 12p(3V) 1.8 AMISV-149 30p(8V) 540p(1V) 18 AMS-153 2.3p(9V) 16p(2V) 7 >600MHzMV-209 11p(9V) 33p(1.5V) 3 UHFKV-1236 30p(8V) 540p(1V) 20 AMKV-1310 43p(8V) 93p(2V) 2.3 >100MHzIS149 30p(8V) 540p(1V) 18 AMS208 2.7p(9V) 17p(4V) >4.5 >900MHzMV2105 6p(9V) 22p(4V) 2.5 UHFDB300 6.8p(25V) 18p(3V) 1.8 50MHzBB112 10p(25V) 180p(3V) >16 AM变容二极管(Varactor Diodes)又称可变电抗二极管。
是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。
所用材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。
反偏电压愈大，则结电容愈小。
A TMEL代理变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。
主要参量是：零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围（以皮法为单位）以及截止频率等，对于不同用途，应选用不同C和Vr特性的变容二极管，如有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等。
常见变容二极管参数18种
常见变容二极管参数18种慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05型号电容量（工作电压）电容比率工作频率最小值最大值303B3～5p(25V)18p(3V)>61000MHz2AC12p(25V)27p(3V)>750MHz2CC1 3.6p(25V)20p(3V)4～650MHz2CB143p(25V)18～30p(3V)5～750MHz2CC-32 2.5p(25V)25p(3V) 4.5>800MHzISV-10112p(10V)32p(2.5V) 2.4100MHzAM-10930p(9V)460p(1V)15AMBB-11217p(6V)12p(3V) 1.8AMISV-14930p(8V)540p(1V)18AMS-153 2.3p(9V)16p(2V)7>600MHzMV-20911p(9V)33p(1.5V)3UHFKV-123630p(8V)540p(1V)20AMKV-131043p(8V)93p(2V) 2.3>100MHzIS14930p(8V)540p(1V)18AMS208 2.7p(9V)17p(4V)>4.5>900MHzMV21056p(9V)22p(4V) 2.5UHFDB300 6.8p(25V)18p(3V) 1.850MHzBB11210p(25V)180p(3V)>16AM信息来源：常见铝电解电容器的套管颜色与含义慧聪电子元器件商务网2003-09-12 14:42:05一般情况下，铝电解电容器的铝壳外面都有一个塑料套管。
塑料套管的颜色有多种，例如浅蓝色的、橙色的、黄色的等。
生产厂家之所以把铝电解电容器的套管制成五颜六色，其目的并非仅仅为了美观，而是具有特定的意义，在选用和更换铝电解电容器时应重视这一特点。
现给出常见铝电解电容器的套管颜色与含义如下表所示，供广大的电子爱好者参考。
附表：铝电解电容器的套管颜色与其代表的特性系列特点通用小型薄型低阻双极低漏用途电压范围容量范围管套颜品化化抗性电色MG 小型标准品y y 一般电路6V3~250V 0y22~10000μF 黑MT105℃小型标准品y y高温一电路6V3~100V 0y22~1000μF 橙SM 高度为7㎜y y y 微型机6V3~63V 0y1~190μF 蓝MG-9 高度为9㎜y y y 薄型机6V3~50V 0y1~470μF 黑BP 双极性品y y极性反转回路6V3~50V 0y47~470μF 浅蓝EP 高稳y y 定时电路, 16~50V 0y1~470μF 浅蓝定品代替钽电容LL 低漏电电流y y 定时电路, 10~50V 0y1~1000μF 黄小信号电路BPC耐高波纹电流y y y 电视机S 25~50V 1~12μF 深蓝校正用BPA 音质改善用y y y y 音频电路25~63V 1~10μF 海蓝HF 低阻抗y y 开关电路6V3~63V 22~2200μF 灰HV 高耐压高压电路160~4000V 1~100Μf西太青蓝常用稳压二极管技术数据82种慧聪电子元器件商务网2003-09-04 9:02:06。
各种二级管介绍
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1200
1400
Q
R
S
T
U
V
W
X
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3变容二极管
变容二极管使利用PN结空间电荷具有电容特性的原理制成的特殊二极管。变容二极管为反偏二极管，其结电容就是耗尽层的电容，一次可以近似把耗尽层看作为平行板电容，且导电板之间有介质。一般的二极管多数情况下，其结电容很小，不能有效利用。变容二极管的结构特殊，它具有相当大的内部电容量，并可像电容器一样地运用于电子电路中。
主要参数：
⑴最大工作电流
是指稳压二极管长时间工作时，允许通过的最大反向电流值。在使用稳压二极管时，其工作电流不能超过这个数值，否则，可能会把稳压管烧坏。为了确保安全，在电流中必须采取限流措施，使通过稳压管的电流不超过允许值。
⑵稳定电压
稳压二极管在起稳定作用的范围内，其两端的反向电压值，称为稳定电压。不同型号的稳压二极管，稳定电压是不同的。
⑶动态电阻
稳压二极管在直流电压的基础上，再加上一个增量电压，稳压二极管就会有一个增量电流。增量电压于增量电流的比值，就是稳压管的动态电阻。动态电阻反映了稳压二极管的稳压特性，其值越小，稳压管性能越好。
2整流二极管
整流二极管的内部结构为一个PN结，外形封装有金属壳封、塑料封装和玻璃封装等多种形式。其管性大小随整流管的参数而异。整流二极管主要用于整流电路，利用二极管的单项导电性，将交流电变为直流电。由于整流管的正向电流较大，所以整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。
常用二极管型号及参数手册
查询 >> 二极管资料 >> 二极管资料大全硅双向触发二极管参数二极管资料大全常用快速恢复二极管资料稳压二极管参数变容二极管参数电视机\VCD\DVD用二极管发光二极管参数发光二极管符号显示圆形发光二极管参数激光二极管参数特殊模型发光二极管光电二极管参数七段发光二极管参数九段发光二极管参数字母发光二极管参数4×4圆矩发光二极5×7圆矩发光二极5×8圆矩发光二极6×8圆矩发光二极8×8圆矩发光二极16×16圆矩发光装饰式七段发光二极裸发光二极管灯参数裸发光二极管显示器圆形发光二极管参数闪烁圆形发光二极管通用激光二极管参数带监视器激光二极管圆形发光二极管参数金属封装发光二极管圆柱平顶发光二极管1.塑封整流二极管序号型号I F V RRM V F Trr 外形A V V μs1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-12 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-413 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-154 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-155 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-67 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-68 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.09 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-4110 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-4111 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-4112 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-4113 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-4114 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-1515 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-517 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-121 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-1522 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-1523 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-1524 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-1526 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-1527 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-1528 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-1529 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD2.快恢复塑封整流二极管序号型号I F V RRM V F Trr 外形A V V μs〔1〕快恢复塑封整流二极管圆柱V形发光二极管轴型外表发光二极管雪崩光电二极管参数蓝光光电二极管参数视敏光电二极管参数通用光电二极管参数红外光电二极管参数激光光电二极管参数插件式光电二极管参紫外光电二极管参数红外发光二极管参数光敏二极管参数变阻二极管参数硅整流二极管参数锗二极管与硒二极管隧道二极管参数稳流二极管参数混频二极管参数检波二极管参数P-I-N结构二极二极管阵列参数瞬变抑制二极管应用指南1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02～10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02～10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02～10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02～10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1515 ERC18-02～10 1.2A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02～10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02～10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02～10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13～15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5〔2〕SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02～30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02～30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02～30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02～30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41〔3〕快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1.0 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-153.超高频塑封二极管1 ERA34-10 0.1A 1000V 3 0.15 R-12 ERA32-02～10 1A 200-1000V 1.3 0.1 DO-413 ERB32-02～10 1.2A 200-1000V 1.3 0.1 DO-15会员中心 | 联系我们 | 留言建意 | 免责声明 | 广告服务 | 网站建设 | 相关执照 | 生产厂家 | 帮助工具 | 友情连接。
很全的二极管参数
很全的二极管参数二极管是一种常见的电子元器件，用于电子电路中的整流、开关、放大和限幅等多种应用。
下面将详细介绍二极管的各种参数。
1.电压参数：- 最大反向电压（Reverse Voltage, VR）：二极管在反向工作时所能承受的最大电压。
- 顶部反向电压（Peak Reverse Voltage, VRM）：二极管在瞬态工作条件下所能承受的最大反向电压。
- 额定反向电压（Rated Reverse Voltage, VRRM）：二极管在稳态工作条件下所能承受的最大反向电压。
- 触发电压（Trigger Voltage, VT）：在正向偏置条件下，二极管开始导通的最小电压。
2.电流参数：- 最大直流正向电流（Maximum DC Forward Current, IF）：二极管在正向工作时所能承受的最大电流。
- 顶部正向电流（Peak Forward Current, IFM）：二极管在瞬态工作条件下所能承受的最大正向电流。
- 额定正向电流（Rated Forward Current, IFRM）：二极管在稳态工作条件下所能承受的最大正向电流。
- 最大反向电流（Maximum Reverse Current, IR）：二极管在反向工作时所能承受的最大电流。
- 最大反向浸泡电流（Maximum Reverse Surge Current, IFSM）：二极管在瞬态工作条件下所能承受的最大反向浸泡电流。
3.频率参数：- 额定反向恢复时间（Rated Reverse Recovery Time, trr）：二极管从导通状态到截止状态所需的时间。
- 最大反向恢复时间（Maximum Reverse Recovery Time, trr）：二极管从截止状态回到导通状态所需的最长时间。
4.功率参数：- 最大功耗（Maximum Power Dissipation, PD）：二极管能够承受的最大功耗。
- 最大脉冲功耗（Maximum Pulse Power Dissipation, PDM）：二极管能够承受的瞬态脉冲功耗。
二级管参数 -回复
二级管参数-回复二级管参数是指二极管的一些重要特性和规格参数，主要包括硅二极管和锗二极管的参数。
这些参数对于电子工程师来说非常重要，因为它们直接影响着电子电路的性能和稳定性。
在本文中，我将详细介绍一些常见的二级管参数，并解释它们的意义和应用。
第一个重要的二级管参数是额定电流（IF）。
额定电流是指二极管能够承受的最大连续电流。
超过这个电流值，二极管可能会烧坏或失效。
因此，在设计电子电路时，我们必须确保二极管不会超过额定电流。
接下来是最大反向电压（VR）。
最大反向电压是指二极管能够承受的最大反向电压。
当电压超过这个值时，二极管会发生击穿现象，电流会迅速增加，可能会损坏其他部件。
因此，在选择二极管时，我们必须确保最大反向电压不会超过电路中的最高电压。
第三个参数是导通电压（VF）。
导通电压是指二极管开始导通的电压。
在正向偏置情况下，当电压超过导通电压时，电流开始流过二极管。
导通电压可以通过数据手册或测试获得，并且通常在设计电路时需要考虑。
正向电导（IFM）是第四个重要的参数。
正向电导是指二极管正向电流和正向电压之间的关系。
它表示二极管在导通状态下的电压降。
正向电导可以通过测量二极管的导通电压和正向电流来计算，通常用来评估功耗和效率。
反向漏电流（IRM）是第五个重要的参数。
反向漏电流是指二极管在反向偏置状态下的漏电流。
即使在反向偏置情况下，二极管也会有一定的电流流过，这是由于材料的特性所致。
较低的反向漏电流意味着二极管具有较高的反向击穿电压和更好的绝缘性能。
最后一个重要的参数是响应时间（tr和tf）。
响应时间是指二极管由导通到截止或由截止到导通的时间。
这个参数对于需要高速切换的电子电路非常重要。
较低的响应时间意味着二极管能够更快地切换，从而提供更快的电路响应速度。
除了上述参数，还有一些其他常见的二极管参数，如温度范围、最大功率耗散和封装类型等。
这些参数通常可以从二极管的数据手册中获取。
在设计电路时，了解这些参数非常重要，因为它们可以帮助我们选择适当的二极管，并确保电路的性能和稳定性。
常用变容二极管
常用变容二极管变容二极管（Varactors ），又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors ，VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes ），当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning ），方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1（a ）所示。
图1 （a ）变容二极管的等效电路 （b ）变容二极管的简化等效电路其中，R p ——反向偏压的结电阻（Junction Resistance ）； 's L ——外部引线电感；s L ——内部引线电感； c C ——封装电容； s R ——二极管体电阻； j C ——结电容。
通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图1（b ）所示。
一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V=(1) j C 为变容二极管的结电容，0j C 为变容管加零偏压时的结电容；V D 为变容管PN 结内建电位差（硅管V D =0.7V ，锗管V D =0.3V ）； 为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下，选 =1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选 =2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。
变容二极管的j C v 特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t = + =时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，可得曲线的斜率为/c k C V = 。
图2 变容二极管的j C v 特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与Q 值（1）变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为C R ，可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V=(2)式中，min ()C V ——在偏压最小时的结电容值；max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。
ku波段变容二极管
ku波段变容二极管
Ku波段变容二极管是一种用于Ku波段通信系统的重要元件，它具有调制、解调和信号处理等功能。
Ku波段是一种微波频段，频率在12至18 GHz之间，主要用于卫星通信、雷达系统、无线电通信等领域。
变容二极管是一种电子元件，具有电容可变性，可用于频率调谐、信号调制、频率混频等应用。
Ku波段变容二极管在Ku波段通信系统中扮演着重要的角色，主要用于频率调谐和信号处理。
它可以根据需要调整电容值，实现对信号频率的调节和调整，从而实现信号的传输和处理。
在卫星通信系统中，Ku波段变容二极管常用于信号调制和解调，可以实现对信号频率的精确控制，保证信号传输的稳定性和可靠性。
Ku波段变容二极管具有频率响应快、调节范围广、调节精度高等特点，适用于各种频率调谐和信号处理应用。
它在Ku波段通信系统中可以实现信号的调频、调幅、调相等功能，提高系统的灵活性和性能。
同时，Ku波段变容二极管还具有体积小、功耗低、可靠性高等优点，适合在各种复杂环境下使用。
总的来说，Ku波段变容二极管是Ku波段通信系统中不可或缺的重要元件，它能够实现信号的调频、调谐和信号处理等功能，为通信系统的稳定运行和信号传输提供了可靠的支持。
随着通信技术的不断发展，Ku波段变容二极管的应用范围将进一步扩大，为通信领域的发展和进步做出更大的贡献。
2极管参数及符号意义
一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
常用变容二极管
常用变容二极管变容二极管（Varactors ），又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors ，VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes ），当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。
变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning ），方便遥控的电子调谐器的设计。
如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。
1、 变容二极管工作原理变容二极管的等效电路如图1（a ）所示。
图1 （a ）变容二极管的等效电路 （b ）变容二极管的简化等效电路其中，R p ——反向偏压的结电阻（Junction Resistance ）；'s L ——外部引线电感； s L ——内部引线电感； c C ——封装电容； s R ——二极管体电阻； j C ——结电容。
通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图1（b ）所示。
一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为(1)j j DC C v V γ=- (1) j C 为变容二极管的结电容，0j C 为变容管加零偏压时的结电容；V D 为变容管PN 结内建电位差（硅管V D =0.7V ，锗管V D =0.3V ）；γ为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压。
在小频偏情况下，选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选γ=2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。
变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。
当加入的反向电压为cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，可得曲线的斜率为/c k C V =∆∆。
图2 变容二极管的j C v -特性曲线2、变容二极管重要参数：变容比率与Q 值（1）变容比率，实际上就是在两个不同偏压下的电容量比值，设为C R ，可得近似的变容比率为max min max min ()C ()R V C V C V V γ⎛⎫=≈ ⎪⎝⎭(2)式中，min ()C V ——在偏压最小时的结电容值；max ()C V ——在偏压最大时的结电容值。
二级管的主要参数指标
肖特基二极管的作用肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通讯电源、变频器等中比较常见。
供参考。
电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通讯电源、变频器等中比较常见。
供参考。
<br><br>我知道的一个应用是在BJT的开关电路里面, 通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截至状态.从而提高晶体管的开关速度.这种方法是74LS,74ALS, 74AS等典型数字IC TTL内部电路中使用的技术. <br><br> <br><br>三、晶体二极管<br>晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。
<br>1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；<br>而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常<br>把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
<br>电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如<br>1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。
常见变容二极管的参数
常见变容二极管的参数1. 峰值反向电压（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压指变容二极管能够承受的最大反向电压。
超过这个电压，变容二极管会发生击穿，破坏其正常工作状态。
因此，在选择变容二极管时，需要根据实际应用场景确定所需的峰值反向电压。
2. 最大稳态电流（Maximum Steady State Current）：最大稳态电流指的是变容二极管能够正常工作的最大电流值。
超过这个电流，会导致变容二极管的电容性能发生变化，影响其正常工作。
在电路设计中，需要保证所选用的变容二极管的最大稳态电流大于实际应用中的电流需求。
3. 容量变化范围（Capacitance Variation Range）：容量变化范围是指变容二极管的电容值可以变动的范围。
变容二极管的电容值会随着施加的电压不同而变化，而这个变化范围需要在设计中进行考虑。
变容二极管的容量变化范围决定了其在不同电压下能够提供的电容值。
4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：反向漏电流是指当变容二极管处于反向电压下时，通过二极管的反向电流。
反向漏电流越小，说明变容二极管的绝缘性能越好，能够更好地保持其电容性能。
5. 响应时间（Response Time）：响应时间是指从变容二极管的输入信号发生变化到其电容值发生相应变化的时间。
响应时间越短，说明变容二极管对输入变化的响应速度越快，适用于高频应用。
6. 串联电阻（Series Resistance）：串联电阻是指变容二极管的引线和结构引起的电阻。
串联电阻越小，说明变容二极管的功耗越低，包括在高频应用中的能量损耗也会减小。
7. 温度特性（Temperature Characteristics）：温度特性是指变容二极管电容值随温度变化的程度。
温度变化会导致电容值的波动，温度特性可以描述这种变化的情况。
对于一些应用中对电容值变化敏感的场合，温度特性是一个重要的参数。
常见变容二极管参数
常见变容二极管参数1. 最大主偏压（Vfmax）：最大主偏压是指在正向工作状态下，变容二极管可以承受的最大电压。
超过这个电压，变容二极管可能会损坏。
2. 最大副偏压（Vrmax）：最大副偏压是指在反向工作状态下，变容二极管可以承受的最大电压。
超过这个电压，变容二极管可能会损坏。
3. 最大通过电流（Ifmax）：最大通过电流是指变容二极管在正向工作状态下，可以通过的最大电流。
超过这个电流，变容二极管可能会过载而烧坏。
4.反向漏电流（Ir）：反向漏电流是指在副偏压下，没有施加正向电压时，变容二极管会有一个微小的反向电流。
反向漏电流越小，表示变容二极管的质量越好。
5.容量比：容量比是指变容二极管的电容值与DC电压值的比值。
容量比越大，表示变容二极管的变化范围越大。
6.交流响应时间：交流响应时间是指变容二极管在响应信号时的速度。
交流响应时间越小，表示变容二极管在变化时的快速响应能力越强。
常见的变容二极管有PIN二极管和反变容二极管。
其参数如下：1.PIN二极管：最大主偏压：一般在数百伏特到几千伏特之间。
最大副偏压：一般在数伏特到数十伏特之间。
最大通过电流：一般在几十毫安到几百毫安之间。
反向漏电流：一般在几微安到几十微安之间。
容量比：一般在0.01至1之间。
交流响应时间：一般在纳秒级以上。
2.反变容二极管：最大主偏压：一般在数十伏特到几百伏特之间。
最大副偏压：一般在几伏特到几十伏特之间。
最大通过电流：一般在几毫安到几十毫安之间。
反向漏电流：一般在几百纳安到几微安之间。
容量比：一般在0.1至10之间。
交流响应时间：一般在微秒级以上。
需要注意的是，不同的变容二极管具体参数可能会有所不同，生产商也可能会提供更为详细和精确的参数。
因此，在使用变容二极管时，需要参考其具体型号的参数手册或者数据表来确定具体的参数。
二极管的主要参数
二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
??反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。
结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
2.常用二极管（1）?整流二极管?将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
2.常用二极管（1）?整流二极管?将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
2）?检波二极管?检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
（3）开关二极管?在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。
4）稳压二极管?稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4?稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。