模拟电子练习题
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模拟电子习题集
一.选择题
1.半导体中的空穴是(B):
A .半导体晶格中的缺陷
B 电子脱离共价键后留下的空位
C 带正电的离子
2.工作在放大状态的晶体管,流过集电结的主要是( B )
A 扩散电流
B 漂移电流
3.下列元、器件中有源器件是(C):
A 电阻器
B 电容器
C 晶体管
4.多级放大电路与单管放大电路相比,频带( B )
A 变宽
B 变窄
C 差不多
5 .差动输入信号与两个输入信号的(A)有关。
A差B和C比值D平均值
6. 输出级的互补电路常用的接法是(B):
A 共射或共源
B 共集或共漏
C 共基或共栅
7. 具有下列情况的就一定是反馈放大电路(B):
A 输出与输入之间有信号通路
B 电路中存在反向传输的信号通路
C 除放大电路以外还有信号通路
8. 为了抑制漂移,集成运放的输入级一般是差动放大电路,因此对于由双极型三极管构成输入级的集成运
放,两个输入端的外接电阻应(B)
A 较大
B 对称
C 较小
9. 在输入电压从足够低逐渐上升到足够高和从足够高下降到足够低两种不同变化过程中,
( B )的输出电压随uI 变化的曲线是不同的。
A 简单电压比较器
B 滞回比较器
C 窗口比较器
10 .滤波可利用(C)实现
A .二极管
B 变频电路
C 低通滤波电路
D 高通滤波电路
11 .本征半导体温度升高后(C)
A 自由电子数目增多,空穴数目基本不变
B 空穴数目增多,自由电子数目基本不变
C 自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
D 自由电子和空穴数目不变
12 .二极管的正向电阻(B),反向电阻(A)
A大B小
13. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是(C)
A 由两种不同材料硅和锗制成的
B 渗入的杂质元素不同
C P 区和N 区的位置不同
14. 某个处于放大状态的电路,当输入为10mV 时,输出电压为7V ;输入电压为15mV 时,输出电压为 6.5V 。它的电压放大倍数为(C)
A700 B100 C-100
1 5 .放大电路与单管放大电路相比,高频时附加相移(A)
A 变大
B 变小
C 基本不变
16 .差模放大倍数Ad是(B)之比,共模放大倍数Ac是(C)比。
A 输出的变化量与输入变化量
B 输出差模量与输入差模量
C 输出共模量与输入共模量
D 输出直流量与输入直流量
17. 复合管组成的电路可以(B):
A 展宽频带
B 提高电流放大系数
C 减小温漂
18. 所谓开环是指具有以下主要特点的电路(B):
A无信号源B无反馈通路C无电源D无负载
19 •当集成运放处于(A)状态时,可运用(。)和(E)概念。
A. 线性放大B 开环C 深负反馈D 虚短E 虚断
20.功率放大电路的输出功率大是由于(C):
A 电压放大倍数大或电流放大倍数大
B 输出电压高且输出电流大
C 输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大
A 电子
B 硼元素(三价)
C 锑元素(五价)
21.N 型半导体是纯净半导体加入以下(C)物质后形成的半导体:
22.二极管的伏安特性时I= (C)
A KU2
B KU3/2
C K (EU/UT-1 )
23 •当温度升高时,晶体管的 3 (A),反向电流(A), UBE (B)
A 变大
B 变小
C 基本不变
24 .两个AU=100的放大电路I和U分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大时得到U01=4.85V , U02=4.95V。由此可知放大电路H比较好,因为它的(B)。(设所接负载电阻相同)
A 放大倍数大
B 输入电阻大
C 输出电阻小
25 •直接耦合放大电路能放大(C),阻容耦合电路能放大(B)
A 直流信号
B 交流信号
C 交直流信号
26 .电路的Ad越大表示(B), Ac越大表示(A )。
A 温漂越大
B 有用信号的放大倍数越大
C 仰制温漂能力越强
27 •为了提高ri,减小温漂,通用型集成运放的输入级大多采用(C)电路。
A 共射或共源
B 共集或共漏
C 差动放大
28 •所谓闭环是指(B):
A 考虑信号源内阻
B 有反馈通路
C 接入电源
D 接入负载
29 . (B )是(A)的特殊情况
A 虚短
B 虚地
C 虚断
30.功率放大电路与电压放大电路或电流放大电路的主要区别是(A):
A 功放电路的输出功率比较大,而电压或电流放大电路的输出功率一般比较小
B 功放电路的效率比较高,电压或电流放大电路的效率很低
C 功放电路的输出电压幅值比电压放大电路的大
31N 型半导体中多数载流子是(B),P 型半导体中多数载流子是(A)
A 空穴
B 自由电子
32.二极管电压从0.65V 增大10% ,流过的电流增大(B)
A 10%
B 大于10%
C 小于10%