CRYSTAL, 10MHZ,12PF ±30ppm, SMD-4
Leshan Radio Company 有限公司，高功率透电器件 MAXIMUM RATINGS
Symbol PD
T j , TS t g
Max 225
-55 to +150
Unit mW °C
LH8550PLT1G Series
S-LH8550PLT1G Series
3
1 2
SOT–23
COLLECTOR 3
1 BASE
2 EMITTER
Rev.C 1/4
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LH8550PLTIG Series,S-LH8550PLTIG Series
Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
(S-)LH8550PLT1G
KIO
0.60
PIN 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
0.035 0.9
0.079 2.0
0.031 0.8
inches mm
Rev.C 4/4
3000/Tape&Reel
(S-)LH8550PLT3G
KIO
10000/Tape&Reel
(S-)LH8550QLT1G
KIY
3000/Tape&Reel
(S-)LH8550QLT3G
KIY
10000/Tape&Reel
MAXIMUM RATINGS Rating
Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-continuoun
SMD常见封装类型
SMD常见封装类型SMD常见封装类型1、BGA(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。
光电晶体的参数说明
光电晶体的参数说明光电晶体是一种具有光控电特性的半导体器件，广泛应用于光电转换、光电放大、光电开关等领域。
本文将从光电晶体的参数说明入手，介绍光电晶体的主要参数及其作用。
1. 光电流增益（Responsivity）：光电流增益是光电晶体对入射光信号的响应能力的度量，通常用单位辐射功率（W）所产生的输出电流（A）来表示。
光电流增益越高，表示光电晶体对光信号的响应越敏感。
2. 光电流响应时间（Response Time）：光电流响应时间是光电晶体从接收到光信号到产生输出电流的时间延迟。
光电流响应时间越短，表示光电晶体对光信号的响应速度越快，适用于高速光电转换应用。
3. 光电流饱和值（Saturation Current）：光电流饱和值是光电晶体在光照强度达到一定程度时，输出电流达到饱和状态的数值。
光电流饱和值越高，表示光电晶体对光信号的响应范围越宽，能够接收更强的光信号。
4. 光电电流线性度（Linearity）：光电电流线性度是光电晶体输出电流与光信号之间的线性关系程度。
光电电流线性度越高，表示光电晶体输出电流与光信号之间的关系越稳定和可靠。
5. 光电晶体的噪声系数（Noise Figure）：光电晶体的噪声系数是衡量光电晶体在转换光信号过程中引入噪声的大小。
噪声系数越低，表示光电晶体在信号转换过程中噪声干扰越小，输出信号质量越好。
6. 光电晶体的波长响应范围（Wavelength Range）：光电晶体的波长响应范围是指光电晶体对光信号波长的响应范围。
不同波长的光信号对应不同的能量和频率，光电晶体的波长响应范围决定了其能够接收的光信号波长范围。
7. 光电晶体的功耗（Power Consumption）：光电晶体的功耗是指光电晶体在工作状态下所消耗的能量。
低功耗的光电晶体能够提高设备的能源利用效率，延长设备的使用寿命。
8. 光电晶体的工作温度范围（Operating Temperature Range）：光电晶体的工作温度范围是指光电晶体能够正常工作的温度范围。
AX88178_RTL8251CN_RGMII
64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33
MAC_VDD25
DP USB_5V MAC_VDD33
R44 MAC_VDD25
47K
GND
MAC_VDD25
A A
4.Please contact Realtek's support guys to get the latest RTL8251CN reference schematic and Layout Guide and further suggestions before making your PCB board.
1
5
4
3
2
1
TX_EN
TXD0 TXD1 TXD2 TXD3
12MHz +- 30ppm Crystal for USB interface
C4,C6 : Must be 12pF
R11 1M Y1 1 C6 12pF 4 2 3 C4 12pF U1 AX88178 R10 0R XOUT12M C5
C64 0.1uF
C57 4.7uF/10V
97 98 99 100 PHY125MO 101 102 RGMII_EN 103 RX_CLK 104 RX_DV 105 106 RXD0 107 RXD1 108 RXD2 109 RXD3 110 111 112 113 R2 47K 114 115 116 INT_RXDLY R12 0R 117 MAC_VDD25 118 119 MDIO 120 MDC R1 22R MDC_T 121 122 MAC_VDD25 123 124 USBACT 125 USBSPEED 126 127 MAC_VDD33 128 MAC_VDD25
32768晶振
9 带有增加的电阻器 RQ的负电阻方法 ...................................................................................... 9
图表列表
1 针对 32kHz 振荡器的典型振荡裕度....................................................................................... 5 2 安全因子...................................................................................................................... 9
图片列表
1 一个音叉晶振的机械振荡................................................................................................... 2 2 一个晶振的等效电路 ........................................................................................................ 2 3 一个晶振的电抗.............................................................................................................. 2 4 主皮尔斯振荡器电路 ........................................................................................................ 3 5 针对一个 0ppm 晶振的频率与负载电容间的关系........................................................................ 4
爱普生(EPSON)晶体振荡器(可编程)SG-8018系列规格书
Cycle to Cycle Jitter Peak - Peak (ps)
Period Jitter Peak - Peak (ps)
0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 fo (MHz)
300 280 260 240 220 200 180 160 140 120 100
功能
晶体振荡器
产品名称
SG-8018CG 170.000000MHz T J H P A
①②
③
④⑤⑥⑦⑧
①型号 ②包装类型 ③频率 ④电源电压 ⑤频率稳定度 ⑥工作温度 ⑦功能 ⑧上升/下降时间
②包装类型 CA: 7.0 mm x 5.0 mm CB: 5.0 mm x 3.2 mm CE: 3.2 mm x 2.5 mm CG: 2.5 mm x 2.0 mm
4.7 mA Typ.
5.7 mA Typ.
3.2 mA Max. 3.2 mA Max. 3.3 mA Max.
0.9 μA Max. 1.0 μA Max. 1.5 μA Max.
0.3 μA Typ.
0.4 μA Typ.
0.5 μA Typ.
45 % ~ 55 %
VOH
90 % VCC Min.
VOL L_CMOS
10 % VCC Max. 15 pF Max.
3.5 mA Max. 3.0 mA Typ. 8.1 mA Max. 6.8 mA Typ. 3.5 mA Max. 2.5 μA Max. 1.1 μA Typ.
T_use = +105 ºC T_use = +25 ºC
无负载条件, fO = 20 MHz
CG
VL812 QFN76 Reference SCH_V1.4
R19
0 /X
SPI Flash ROM
U2
3_3V C6
USBDPUSBDP+ SSTX0SSTX0+ SSRX0SSRX0+
USBDP-
5
USBDP+
5
SSTX0-
5
SSTX0+
5
SSRX0-
5
SSRX0+
5
2012-08-29 UPDATE L1 10uH
ZAD-2512MES-100M
1_2V
Joshua
0921767750
加加加加 劉劉劉 Hele
Ken
0936484258
國國ห้องสมุดไป่ตู้國加昌 賈賈賈 ITTI
Steven
0936229680
亞亞國亞 張張張 Saronix-ecera
AMB1 SPISO AMB2 SPISI AMB3 SPISCLK AMB4 SPICSn VBUSDET
USBDPUSBDP+
SSRX0+ SSRX0-
SSTX0+ SSTX0-
3_3V
C8 4.7uF
16V X5R
D1
CAP0805 MMGZ5232BPT /X
5T12
DGND Cin
1_2V
SSTX3+
5
SSRX3-
5
SSRX3+
5
USBHP4USBHP4+
USBHP4-
5
SSTX4SSTX4+ SSRX4SSRX4+
USBHP4+
5
SSTX4-
5
SSTX4+
AX88178_RTL82X1CL_RGMII_REFEREN-5
FORCEF#
R25
4.7K
GND
MAC_VDD33 GND INT_REG + C8 4.7uF/10V C10 0.1uF + C9 4.7uF/10V C11 0.1uF
RGMII_EN
R26
15K
MAC_VDD33
RGMII mode enable (GMII mode: R26 NC) The DB pin should be pulled up for normal operation
*Note2-5
MAC_VDD33A MAC_VDD25
MAC_VDD33
*Note2-2: The C1 12pF capacitor between the DP and DM signals is optional to filter the common-mode noise and should be placed as close as pin #31 and #32.
GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND GND AGND AGND AGND AGND AGND AGND AGND AGND AGND AGND
DB
R27
47K
MAC_VDD25
127 124 119 100 98 87 81 75 40 25 18 17 7 69 67 63 60 55 54 50 38 33 29
80 86 123 16 24 74 99 118 49 53 57 64 66 68
MAC_VDD25
USBSPD
D2
LED_G
R22
330
C5 12pF
MAC_VDD33
湖北泰晶电子科技股份有限公司40.000MHZ 12PF ±10PPM TKD 晶体管说明书
管理号：T5-E08 STANDARD SPECIFICATION产品规格书客户Customer：客户料号Customer P/N NO.：产品描述Product Description：SX-3225 40.000MHZ 12PF ±10PPMTKD料号TKD P/N. NO.： SX32Y040000BC1T客户批准Customer Approval :(请批准后回签一份PLEASE RETURN A COPY WITH APPROVAL)湖北泰晶电子科技股份有限公司HUBEI TKD CRYSTAL ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY CO.,LTD.随州泰华电子科技有限公司SUIZHOU TAIWARD ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD批准APPROVED审核CHECK制作DESIGNER杨勇周芮颜庆庆地址：湖北省随州市经济开发区深圳工业园REVISION RECORDRev Date NO. Description of Revision History0001 2018-07-022018-07-17New PublicationChange format version : C地址：湖北省随州市经济开发区深圳工业园Spec Sheet ContentsNO. Content Page1 石英晶体参数规格QUARTZ CRYSTAL UNIT SPECIFICATION 4-52 产品图纸DIMENSIONS 63 印字内容MARKING 64 内部结构INSIDE STRUCTURE 75 等效电路图EQUIVALENT CIRCUIT 76 包装PACKING 87 回流焊温度曲线REFLOW PROFILES 98 可靠性试验RELIABILITY SPECIFICATIOND 10-119 工艺流程图FLOW CHART 1210 有害物质含量声明HARMFUL SUBSTANCE CONTENT STATEMENT 13 地址：湖北省随州市经济开发区深圳工业园1. 石英晶体参数规格QUARTZ CRYSTAL UNIT SPECIFICATION ※描述Description ：Quartz Crystal※产品型别Product Type ：SX-3225※水晶切割模式Crystal cutting type ：AT-CUT※测量设备Measure equipment ：S&A 250B※电气特性Electrical Characteristics项目Item 代码Symbol电气特性规格Electrical Specification 备注Notes 下限Min.中心Typ.上限Max.单位Units1 一般频率Nominal FrequencyF0 40.000000 MHz2 振荡模式Oscillation Mode- Fundamental -3 负载电容Load CapacitanceCL 12 pF4 频率公差Frequency Tolerance- -10 - 10 ppm At 25℃±3℃5 等效串联电阻Equivalent SeriesResistanceESR - - 20 Ω6 驱动功率Drive LevelDL - - 100 μW7 频率稳定度Frequency StabilityTC -30 - 30 ppmOver OperatingTemp.Range(Ref.to25℃)8 动作温度Operating Temperature- -40 - 85 ℃9 储存温度Storage Temperature- -40 - 85 ℃10 年老化率Aging- -3 - 3 ppm Per Year11 绝缘阻抗Insulation Resistance- 500 - - MΩAt DC 100V12 并联电容Shunt CapacitanceC0 - - 3 pF地址：湖北省随州市经济开发区深圳工业园备注Notes:1.超音波清洗Ultrasonic cleaning一般的清洁液或超声波清洗方法可以用来清洗我们的产品。
DST310S 32.768KHZ
晶振 DST310S 32.768KHZDST310S主要参数频率：32.768KHZ封装：SMD 3.2*1.5mm负载电容：9pf、12.5pf频率精度： 10ppm、20ppm、30ppm工作温度： -40-+85°C（宽温）DST310S 32.768KHZ系列晶振是日本大真空株式会社（DASHINKU CORP）即KDS生产的32.768KHZ晶振。
KDS即是日本大真空株式会社（DASHINKU CORP），成立于1951年，至今已有50多年的历史。
是全球领先的三大晶振制造商之一。
其制造工场主要分布在日本本土、中国大陆、中国台湾、泰国、印度尼西亚等十个制造中心。
其中天津工场是全球晶振行业最大的单体制造工厂。
也是全球最大的TF型（主要是32.768KHz）晶振制造工厂。
应用范围工控主板、电脑主板、MID、电表、水表、燃气表、煤气表、流量表、热量表、PDA、数码相机、GPS 模块、FM 调谐模块、Zigbee、血糖值测量仪、信用卡结算机、各种微机的预备时钟、无绳电话、移动设备等。
KDS还拥有遍布全球的销售网络，另外在大陆地区有极少数的代理商。
上海唐辉电子是日本KDS大真空株式会社大中华区的授权代理商，他们在晶振领域有超过10年的经验。
专业的市场、销售和FAE团队。
能够为客户提供全方位的服务和支持。
唐辉电子在通信、通信终端、导航、仪器仪表、汽车电子、医疗电子、工业控制系统、光电产品和金融微电子领域极具优势。
整合了频率元件、线路保护元件、电源类IC、LCD及模、二三极管、阻容感等优势产品线。
可以为客户天提供完整的元器件产品解决方案。
AX88179_PCB20_DEMO_BOARD_REFERENCE_SCHEMATIC_V203
R19 NC,10K
*Note2-7 *Note2-8
R24 R7 2.49K1% EECS EECK EED IO
XTL25N XTL25P CK25_OUT CK25_IN RSET_BG EECS EECK EEDIO RESET_N EXTWAKE_N TCLK_1 TCLK_0 TCLK_EN TEST0 TEST1 VCC12A_RX VCC12A_TX VCC12A_X VCC12A VCC12A VCC33A VCC33A_X VCC33A_G VCC3IO VCC3IO VCC33IO
L4 R9
GB100505D110TW
M DI0-
1 2
1 4
LECM2012H-900QT,Choke MDI0-_T 4 2
C33 0.1uF
C37 1uF
*Note2-3
20 21 23 24 27 29 32 34
U2
40 35 33 30 28 22 9
1M
R20
P10 P9 P8 P7 P6 P5 P4 P3 P2 P1
MFA_0 DVCC_33
USB CHASSIS GND
13
C N1
1 2
4 3
R2 C16 15pF 200 XTL25N
1 2 3 4 5
D
VBUS D+ DSSRXSSRX+ AGND GND SSTXSSTX+
SHIELD
1 3 2 5 6 7 4 8 9
SHIELD
LINE_1 NC_1 LINE_2 NC_2 GND_1 GND_2 LINE_3 NC_3 LINE_4 NC_4 NC,ESD Protect
DVCC_33
常用25MHZ晶振型号封装大全
-40℃~+85 ℃
±25PPM ±50PPM
3.3V
3.2*2.5mm （3225）
Q33310N70002711 Q33310N70008911
SG310SCN
有源贴片 晶振
EPSON
25MH Z
-40℃~+85 ℃
±50PPM
2.7~3.6V
3.2*2.5mm （3225）
Q33310F70032100
O503225MEDC6MI O705025MEDB6MI
TSX-3225
无源贴片 晶振
EPSON
25MH Z
-40℃~+85 ℃
±10PPM
9PF 10PF 12PF 16PF 18PF 20PF
3.2*2.5mm （3225）
X1E000021062112 X1E000021013300 X1E000021013312 X1E000021013900 X1E000021064800 X1E000021014012 X1E000021064812 X1E000021035200
-20℃~+70
无源贴片 YSX531SL 晶振
YXC
25MH ℃ Z -40℃~+85
±10PPM ±20PPM
℃
20PF
5.0*3.2mm （5032）
X503225MSB4SI X503225MSD4SC
YSX530GA 陶瓷晶振
YXC
25MH -40℃~+85
Z
℃
±10PPM
20PF
5.0*3.2mm （5032）
OP252025MADA4SI-u OP252025MEDA4SI-u OP322525MEDA4SI-u OP503225MEDA4SI-u OP705025MADA4SI-u OP705025MEDA4SI-u
KDS常用晶振型号频率指标技术规格
KDS常用晶振型号频率指标技术规格KDS常用晶振型号频率指标技术规格产品名称常用晶振型号频率指标技术规格温补晶振 1.25MHZ DIP14 2PPM SINE -20-70 3.3V晶体谐振器 2.176MHz 5030 4P 3.3V 50ppm晶体谐振器 3.57954MHz HC-49S 20PPM 20PF晶体谐振器 3.57MHz 5070 5V 30PPM 20PF 无电压晶体谐振器 3.58mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 3.58mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator温补晶振 3.6864MHZ DIP14 -55-+85℃ 10PPM 5V TTL温补晶振4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.温补晶振 4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.温补晶振4.096MHZ DIP14 HCMOS ±0.5ppm@（-20-+70℃）压控 3.恒温晶振4.0MHz DIP36X27 ±1×10-7 0-50 TTL 5V AT 压控 125d 恒温晶振4.0MHz DIP36X27 ±1×10-9 0-50 TTL 5V SC 压控 125d 晶体谐振器 4.0mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 4.0mhz ZTTCC3.58MG SMD Ceramic resonator晶体谐振器 5.0688MHZ HC-49SMD 20PF +/-50PPM恒温晶振 5.0MHz DIP36X27 SINE 3PPB 0-60 -145DBC 1K 12V 5X10?钟振 5.12MHZ DIP14 5V 30PPM数字温补 5.12MHz DIP40X25 0.1ppm 12V 方波 -20+70 机械微温补晶振 5.12MHz DIP40X25 0.5ppm 12V 方波 -20+70 机械微晶体谐振器 6.0MHZ CSTCC6M00G53-R0 Crystal晶体谐振器 6.0MHZ CSTCC6M00G53-R0 Crystal晶体谐振器 6.0MHz HC-49SMD 20PPM 20PF晶体谐振器7.3728MHZ HC-49SMD 20PF +/-50PPM晶体谐振器7.68MHz 5030 4P 3.3V 50ppm晶体谐振器8.0MHZ HC-49SMD 30PPM 16pF晶体谐振器8.0MHZ 5032 10PF 20PPM温补晶振8.0MHZ 5070 准确度在1PPM以下 -40～85度方波 3.晶体谐振器8.0MHZ HC-49S 18PF 30ppm 无电压晶体谐振器8.0MHz SMD8045 2脚 30PPM温补晶振8.388608MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃晶体谐振器9.8304MHz HC-49S 20pF 30PPM 温补晶振10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM SMI温补晶振10.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振10.0MHZ 5032 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振10.0MHZ 5032 3.3V 1PPM SMI温补晶振10.0MHZ 5032 DAS535SD 0.5ppm温补晶振10.0MHZ 5032 DS5032TC温补晶振10.0MHZ 5032 方波 2ppm 3.3v -40-85温补晶振10.0MHZ 5070 -40-85 1PPM 削峰正旋波不带压控温补晶振10.0MHZ 5070 TCXO 0.5ppm -40 to +85度，方波温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.28ppm -30 to +85度，方波温补晶振10.0MHZ 5070 4P 3.3V HCMOS 0.5ppm VCTCXO -35—65 温补晶振10.0MHZ 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85 HCMOS温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波温补晶振10.0MHZ 5070 VCTCXO 泰艺 2.5ppm -40+85 clippedsine 控晶体谐振器10.0MHz CSTCC10M0G53-R0 Resonator Murata 数字温补10.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO数字温补10.0MHZ DIP14 0.1ppm 3.3V -40—85温补晶振10.0MHZ DIP14 0.3PPM SINE 5V恒温晶振10.0MHZ DIP14 1*10-7 12V -10-+60° 电平极：0dB 温补晶振10.0MHZ DIP14 1ppm 3.3v 正弦波机械调节调节范围几温补晶振10.0MHZ DIP14 1PPM -30-+70 0.5PPM 5V SINE VCTCXO温补晶振10.0MHZ DIP14 1PPM SINE 3.3V 机械微调温补晶振10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14 -40~85C LVCMOS -1 1KHz温补晶振10.0MHZ DIP14 5V <0.28PPM ±0.14-40~85C LVCMOS -131KHz恒温晶振10.0MHZ DIP14 OCXO ±0.2ppm -40-+85 5V 方波恒温晶振10.0MHZ DIP14 OCXO ±0.2ppm -40-+85 5V 正玄波温补晶振10.0Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率0.5ppm SC 温补晶振10.0MHZ DIP14 TCXO ±0.5ppm SINE -40-+85 5V恒温晶振10.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmo 恒温晶振10.0Mhz DIP20X20 sine 0~10dBm 0.05ppm 年老化率 0.5恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振10.0MHZ DIP25X25 0.1ppm 3.3V -40—85恒温晶振10.0MHz DIP25X25 3.3V -10-60±10ppb 准确20ppb SIN -140@1KHz恒温晶振10.0MHz DIP25X25 3.3V -10-60±10ppb 准确20ppb SIN -140@1KHz恒温晶振10.0MHZ DIP36X27 小于0.05PPM -55-85 10K -160DBC 温补晶振10.0MHZ SMD11X9 3.3V CMOS -10-+60℃ ±1PPM VCTCX 温补晶振10.0MHZ SMD11X9 电压3.3V 带压控方波1PPM -55-85C温补晶振10.0MHz SMD14X9 ±0.5ppm －20℃ +70℃ 3.3V sine输调整恒温晶振10.0MHz SMD25X22 SINE 0.02PPM -145 1K 5V -20-70 温补晶振10.24MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振10.36MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75℃温补晶振10.386MHz DIP14 3ppm 3.3V -40-+85C HCOMS 频率调整晶体谐振器11.0592MHZ HC49/U 30PPM 20PF 晶体谐振器11.0592MHZ HC-49S 20PPM 20PF晶体谐振器11.0592MHZ HC49U 20PF 30PPM 无电压晶体谐振器11.2896MHz HC-49SMD 30ppm 20pf温补晶振12.0MHz 2520 20ppm 1.8V 3mA -40-+85℃钟振12.0MHZ 3225 30ppm 3.3v 4脚晶体谐振器12.0Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF钟振12.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚钟振12.0MHZ 5032 3.3V 30PPM TXC钟振12.0MHZ 5070 5V 30PPM TXC晶体谐振器12.0MHZ 6035 18PF 20PPM钟振12.0MHz SMD2520 3V 50ppm晶体谐振器12.288MHz 5032 2P 18pF 20ppm NDK恒温晶振12.288MHz DIP36X27 SINE 0.005PPM 0.01PPM -20-60 5V恒温晶振12.288MHz 短稳 +-5E-9 长期绝对精度1us -150dBc 1KH 温补晶振12.8MHz 3225 3.3V 0.5PPM KDS温补晶振12.8MHz 3225 3.3V 1PPM SMI温补晶振12.8MHZ 3225 1.5PPM SMI温补晶振12.8MHz 3225 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85 clippedsine 温补晶振12.8MHz 5032 1.5ppm温补晶振12.8MHz 5032 1.5PPM 3.3V(3V) -40~85 clippedsine 温补晶振12.8MHZ 5070 -40-85 1PPM 削峰正旋波带压控库存TAITIEN温补晶振12.8MHz 5070 TCXO 0.5ppm -40 to +85度，方波温补晶振12.8MHz 5070 VCTCXO 0.5ppm -40+85 方波数字温补12.8MHz DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO恒温晶振12.8MHZ DIP14 0.025PPM 5V 0.1PPM 1K 135DB HCMOS温补晶振12.8MHz DIP14 3.3V 1PPM 4脚 -30-85 长方形正弦波恒温晶振12.8MHz DIP14 -40-70 0.1PPM SC切年老化0.1PPM 全尺恒温晶振12.8MHz DIP14 -40-85 0.1PPM SC切年老化0.1PPM 全尺温补晶振12.8Mhz DIP14 sine 0~10dBm 1ppm 年老化率 0.5ppm SC恒温晶振12.8MHz DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcm 控恒温晶振12.8Mhz DIP20X20 sine 0~10dBm 0.05ppm 年老化率 0.5恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHz DIP21X21 0.05PPM 0.03PPM -20-70 5V SINE 1K 恒温晶振12.8MHZ DIP60X60 ±2X10-8 ±20PPB -20+80 12V SINE S 温补晶振13.0MHZ 3225 3.3V 0.5PPM KDS 温补晶振13.0MHZ 3225 3.3V 1PPM KDS温补晶振13.0MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED温补晶振13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN温补晶振13.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN晶体谐振器13.0MHZ 5070 3.3V/5V 30PPM/50PPM恒温晶振13.0MHz DIP36X27 SINE 0.01PPM -30-70 12V 150DBC 1K 晶体谐振器13.52127MHz 6035 10pF ±20ppm -40-85 ±30ppm晶体谐振器13.560MHz 3225 18pF ±20ppm -40-85 ±30ppm 晶体谐振器13.56MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器13.56MHZ 5032 4P 30PPM 16PF NDK钟振13.5MHZ 5070 3.3V ±20PPM晶体谐振器14.31818MHz SMD6035 +/-50PPM KDS晶体谐振器14.318MHZ SMD6035 2P +/-50PPM晶体谐振器14.318MHz 5032 4p 不带电压 30ppm晶体谐振器14.4MHZ 5032 四脚的小于10PPM 10PF 对讲机温补晶振14.7456MHZ 5070 4PIN -40-85 1PPM 3.3V TC 温补晶振14.7456MHZ DIP14 3PPM -55℃-+85℃ 3.3V晶体谐振器14.7456MHZ HC-49S 30PPM 20PF晶体谐振器14.7456MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器15.0MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器16.0Mhz 3225 50ppm 12PF FA-238 EPSON晶体谐振器16.0MHZ 3225 12PF 9PF 20PF 20PPM 无电压 NDK EPSON 晶体谐振器16.0MHZ 3225 30ppm 12pf温补晶振16.0MHZ 5070 准确度在1PPM以下 -40～85度方波 3温补晶振16.0MHZ DIP38X38 DIP 5V TTL 0-70℃ 1ppm 不带调晶体谐振器16.0MHZ HC-49U ±100PPM -20-+70 公差±20PPM 18晶体谐振器16.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SA NDK 温补晶振16.32MHZ 5032 DSA535SD 3.3V ±0.5ppm -40-80℃ CLIP 晶体谐振器16.3676MHZ 3225 10PF +-10ppm温补晶振16.3676MHZ 5032 DSB535SD 0.5ppm温补晶振16.368mhz 3225 ±0.5ppm SMD3225 KSS温补晶振16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm温补晶振16.368mhz 3225 DSB321SDA ±0.5ppm温补晶振16.369MHZ 3225 1.8V 0.5ppm -30-85 GPS温补晶振16.384MHz 3225 2.5ppm -40～80 3.3V 销峰正弦波温补晶振16.384MHz 5070 2.5ppm -40～80 3.3V 销峰正弦波温补晶振16.777216MHZ 5070 3.3V 1PPM CMOS 调节8ppm -10-+75温补晶振16.8MHz 5032 0.5ppm SMD SMI晶体谐振器16.9344MHz 5032 20PPM 18PF 4脚温补晶振17.28MHz DIP14 1.5ppm 3.3V HCMOS -40-+85C温补晶振18.285714MHz DIP14 ±1.0ppm温补晶振18.285714MHz DIP14 ±2.5ppm温补晶振18.432MHz 5070 2ppm －40-85 CLIPPED SINE 3.3V 温补晶振18.432MHz 5070 2ppm －40-85 HCMOS 3.3V晶体谐振器18.432MHZ SMD4025 ±20PPM无电压温补晶振18.651429MHz DIP14 ±1.0ppm温补晶振18.651429MHz DIP14 ±2.5ppm温补晶振19.2MHZ 3225 3.3V CLIPPED -30-+85 0.5PPM DSB321S 温补晶振19.2MHZ 5032 3.3V 2.5PPM -3075 clipped TAITIEN VC-温补晶振19.2MHZ 5032 DSA535SD 0.5ppm clipped sine温补晶振19.44MHZ 3225 3V 2.5PPM CLIPPED压控晶振19.44MHZ 贴片和直插VCXO 牵引范围+/-50或100PPM 3.恒温晶振19.68MHZ DIP14 0.01ppm 正弦波－20－70 数字温补19.68MHZ DIP14 0.05ppm DIP20*20*10 正弦波－20－70恒温晶振19.68MHZ DIP20X20 0.01ppm 正弦波－20－70 温补晶振20.0MHZ 3225 ±0.5ppm VC-TCXO -40-85 3.0V KDS SM 温补晶振20.0MHZ 5032 0.5PPM钟振20.0MHZ 5032 3.3V 30PPM TXC温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5032 DSA535SGA 0.28ppm温补晶振20.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C恒温晶振20.0MHZ D1P14 21*13*12 5V 方波±0.05ppm -20—70 温补晶振20.0MHZ DIP14 -55℃ 1.5ppm数字温补20.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA HcmosDTXO钟振20.0MHZ DIP14 3.3V ±30ppm ±30ppm -20-+70℃钟振20.0MHZ DIP14 4插脚长方5V ±30ppm ±30ppm -20-+输出温补晶振20.0MHZ DIP14 CMOS 5V 1*10-7 年老化率1×10-温补晶振20.0MHZ DIP14 CMOS 5V 1*10-7 年老化率1×10-恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmo 恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155 恒温晶振20.0MHZ DIP20X20 -40-85 0.05PPM 相躁1K -155 温补晶振20.0MHZ DIP8 TCXO 不带压控1ppm -20-70 sine 3.3v 半温补晶振20.0MHZ SMD11X9 -55℃ 2PPM温补晶振20.48MHZ 3225 0.5PPM 3V 削顶正弦波温补晶振20.48MHz 3225 3.3V -25-55 0.5PPM 方波温补晶振22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 0.5PPM HCMOS 带压温补晶振22.4MHz 5070 TCXO 3.3v -40-+85 1PPM HCMOS 带压晶体振荡器22.576MHz 3225 3.3V 50PPM恒温晶振22.5792MHZ DIP25X25 SC切正弦压调-20-60 ±0.5PPM 晶体振荡器22.579MHz 3225 3.3V 50PPM晶体谐振器24.0Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF晶体谐振器24.0MHz 5032 50ppm 16PF晶体谐振器24.0MHz 3225 30PPM HOSONIC 无电压晶体谐振器24.0MHz 5032 ±30ppm, 18p SMD 4-pad温补晶振24.0MHZ 5070 0.5ppm HCMOS 3.3V -40-+85钟振24.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚晶体谐振器24.0MHZ HC-49S 18PF 30ppm晶体谐振器24.0MHZ SMD6035 4P +/-30PPM晶体振荡器24.5535MHZ 3225 3.3V 20PPM晶体振荡器24.576MHz 3225 3.3V 50PPM温补晶振24.576MHZ 5070 0.5ppm sine 3.3V -40-+85温补晶振24.576MHZ DIP14 5ppm 正弦波 3.3V -20-+70温补晶振24.576MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波 3.3V -40-+85恒温晶振24.576MHZ DIP25X25 SC切正弦压调-20-60 ±0.5PPM 温补晶振24.704MHz 5070 3.3V HCMOS SINE 2.5ppm 钟振24.704MHz 5070 +/-100PPM晶体谐振器25.0MHz HC-49SMD 18pF +-30ppm晶体谐振器25.0MHz HC-49SMD 30ppm 20pf晶体谐振器25.0MHZ SMD6035 +/-50PPM KDS晶体振荡器25.0MHz 3225 1.8V 30PPM温补晶振25.0MHZ 3225 3V 0.5PPM VCTCXO DSA321SDA KDS晶体谐振器25.0MHz 5032 ±30ppm, 20PF SMD 4-pad温补晶振25.0Mhz 5070 2.5PPM 3.3V HCMOS -40-85° 带压控温补晶振25.0MHz 5070 TCVCXO 1PPM 3.3v -40-+85 HCMOS 晶体谐振器25.0MHZ HC-49S 20PF 20PPM晶体谐振器25.0MHZ SMD6035 2P +/-50PPM 无电压温补晶振25.6MHZ 5070 0.5PPM 3.3V HCMOS温补晶振26.0MHz 3225 4-SMD ±2.5ppm 3V VCTCXO 晶体振荡器26.0MHZ 3225 2.8V 20PPM 京瓷晶体振荡器26.0MHz 3225 2.8V 50PPM NDK温补晶振26.0MHz 3225 DSA321SCA/L KDS温补晶振26.0MHz 3225 DSB321SCL温补晶振26.0MHZ 3225 DSB321SDA-3.0V TCXO晶体谐振器26.0MHZ 3225 NX3225SA 10PPM 12.5PF温补晶振26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN 温补晶振26.0MHZ 5032 -20-+70 3ppm 3.3v 5*3.2 TAITIEN 晶体谐振器26.0MHZ 5032 4P 25PPM 12PF 无电压即无源钟振26.0Mhz 5032 4p 3.3v ±2.5PPM温补晶振26.0MHZ 5070 -20-+70 3ppm 3.3v 5*7 TAITIEN温补晶振26.0MHZ DIP14 3.3V 0.5PPM sine 带压控数字温补26.0MHZ DIP14 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcmos DTXO恒温晶振26.0MHZ DIP20X20 ±0.05ppm－40℃85℃ 3.3V 20MA Hcm 控晶体谐振器26.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SANDK 无钟振27.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚钟振27.0MHZ 5032 4P 3.3V 25ppm -20 - +70C HCMOS晶体谐振器27.0MHZ 5070 ±50ppm; -20+70 15pF 3.3V钟振27.0MHZ DIP8 半尺寸工业级 -40-85 3.3V 30PPM温补晶振27.0MHz SMD2520 20ppm 1.8V 3mA 2.5*2.0mm -40-+85℃晶体谐振器27.0MHZ SMD6035 2P +/-50PPM 晶体谐振器27.12Mhz 5032 2p ±30PPM 18PF晶体谐振器27.12MHZ 3225 8PF 15PPM epson温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS温补晶振29.4912MHZ 3225 3V 2.5PPM -30~85 KDS压控晶振30.0MHZ 11X11 3.3V -20-+70 20PPM VCXO恒温晶振30.0MHZ -20-+70 频率稳定度小于0.004ppm晶体谐振器30.0MHZ 3225 ±30PPM -20-70 12PF温补晶振30.0MHZ 3225 0.5PPM 方波 3.3V 工业级 -40-85 不带压晶体谐振器30.0MHZ 3225 4PAD 30PPM 12PF -0-+70 钟振30.0MHZ 5032 5V 30PPM CTZ温补晶振30.0MHz 5070 HCMOS 2PPM -30-80 3.3V温补晶振30.0MHZ DIP14 0.5PPM 方波 3.3V 工业级 -40-85 不带压温补晶振30.24MHZ 5070 3.3V -20 +70 1PPM温补晶振30.72MHZ 5070 1ppm 3.3V 方波 -20—+70°C晶体谐振器31.996314MHz 5032 4P 16pF +/10ppm温补晶振32.0MHZ 5032 TCXO 3.3V clippedsine 10PPM KTS533EG-温补晶振32.0MHZ 5070 TCXO 3.3V HCMOS 1PPM 温补晶振32.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC温补晶振32.0MHZ SMD11X9 -40-85 0.5PPM 3.3V SINE温补晶振32.0MHZ SMD25X25 -40-85 0.5PPM 3.3V SINE温补晶振32.512MHZ 5070 1PPM -40~85 方波TT 相位 115DBC 温补晶振32.51MHZ 5070 2ppm 3.3v HCMOS晶体谐振器32.768KHZ SMD4.9X1.8 2P 12.5PF +-10ppm晶体谐振器32.768KHZ SMD8x3.8 12.5PF +-20ppm晶体振荡器32.768KHZ 5032 4P 有源 10PPM晶体谐振器32.768Khz DIP2X6MM ±20PPM -10-+60 12.5PF 晶体谐振器32.768kHZ MS1V-T1K 2*6MM 12.5PF晶体谐振器32.768KHZ 3225 +/-20PPM 9PF KDS 无电压晶体谐振器32.768KHZ 3225 2P 20PPM 12.5PF晶体谐振器32.768KHz 3225 3.3V 50PPM晶体谐振器32.768KHZ 3225 3.3V ±25ppm晶体谐振器32.768KHZ 3225 4P 20PPM 3.3V晶体谐振器32.768KHz 5070 3.3V 50PPM晶体谐振器32.768KHZ CM200C/12.5PF/20PPM/ROHS CITIZEN数字温补32.768KHZ DIP14 0.1PPM 3.3V -20-70恒温晶振32.768KHZ DIP14 温度稳定1E-8 温度特性0.01PPM -20-晶体谐振器32.768KHZ DIP2X6 12.5PF 20PPM晶体谐振器32.768KHZ DIP2X6 20ppm 12.5pF晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 20ppm 12pF 镀镍晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 20ppm 12pF 镀锡晶体谐振器32.768KHZ DIP3X8 12.5PF 20PPM晶体谐振器32.768KHZ SMD3.2X1.5MM ±20PPM 12.5PF 70KΩ晶体谐振器32.768KHz SMD4.1X1.5 12.5pF + -20PPM晶体谐振器32.768KHZ SMD4.1X1.5 70PPM KDS晶体谐振器32.768KHZ SMD6.9x1.4mm ±20ppm 12.5pF 4-SM 温补晶振32.768MHZ 3225 0.5ppm 3.3v 常温DSA321SDA-32.768MH温补晶振32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v HCMOS或SINE -30-8控温补晶振32.768MHZ DIP14 ±0.5ppm 3.3v HCMOS或SINE -40-8控温补晶振32.768MHZ DIP14 1PPM 5V -40-+85温补晶振32.768MHZ DIP14 2PPM 5V -40-+85 机械微调温补晶振32.768MHZ DIP14 -40-+85 0.2PPM 5V Sine VCTCXO 钟振33.0Mhz 5032 4p 3.3v ±30PPM 18PF钟振33.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚温补晶振33.0MHZ 5070 ±1PPM 3.3V HCMOS-40-+85℃温补晶振34.6822MHZ DIP14 2PPM恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -20-70 5V 1K 140 SINE 恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.001PPM -40-85 5V 1K 140 SINE 恒温晶振38.4MHz DIP36X27 ±0.01PPM -20-70 5V 1K 140 SINE 压控晶振39.4917MHZ DIP-14 电压5V ±100PPM VCXO 温补晶振39.95MHz SMD14.4x9.5 3ppm 5V -40-+85C HCOMS SMD1晶体谐振器40.0MHz 3225 20ppm 3.3V EPSON 钟振40.0MHZ 5070 30ppm 3.3v 4脚温补晶振40.0mhz 3225 0.5ppm 3.3v 常温DSA321SDA-40MHz温补晶振40.0MHz 3225 DSA321SDA KDS温补晶振40.0MHZ 5070 VCTCXO +-2ppm 3.3v HCMOS -40-+85C恒温晶振40.0MHz DIP36X27 SINE 5.5V 0.01PPM -40-80 -150DBC 温补晶振40.96MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PP 钟振44.645MHz DIP14 20PPM温补晶振45.0MHZ 5070 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85 温补晶振45.0MHZ 5070 -30-80 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ 5070 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 ±2PPM HCMOS +3.3VDC -30 to +85温补晶振45.0MHZ DIP14 -30-80 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm温补晶振45.0MHZ DIP14 -40-85 方波 3.3V 带压控±2.0ppm钟振48.0mhz 5032 3.3V 20ppm 四脚温补晶振48.0MHZ DIP38X38 DIP 5V TTL 0-70℃ 1ppm 不带调晶体振荡器50.0MHZ 3225 3.3V +-50ppm -40-+85C钟振50.0MHZ 3225 3.3V ±50ppm台湾亚陶钟振50.0MHz 5032 3.3V 30ppm钟振50.0MHZ 5032 3.3V ±50ppm温补晶振50.0MHz 5070 0.5ppm HCMOS 3V 0-50度钟振50.0MHZ 5070 3.3V ±50ppm晶体振荡器50.0MHZ 5070 3V 20PPM SMD温补晶振50.0MHz DIP14 0.5ppm Sine 3V 0-50度恒温晶振50.0MHZ DIP14 3.3V 1KHZ 125 10KHZ 130 +-200PPB +-10温补晶振50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波温补晶振50.0MHZ DIP14 3.3V -20+70 1.0ppm 正弦波恒温晶振50.0MHZ DIP25X25 5PPB 0.005ppm 5.0V 0-+75℃ HCMO 恒温晶振50.0MHz DIP36X27 TTL 0.05PPM -20-70 140DBC 1K 5V压温补晶振51.2MHZ 5070 -30℃~+85℃ ±1PPM 3.3V 压控范围±5PP 恒温晶振52.0Mhz DIP20X20 0.05PPM@-20~70 5V 方波晶体谐振器54.0MHZ SMD2520 10ppm 8PF -20-75 NX2520SA NDK钟振54MHZ 5070 3.3V 30ppm温补晶振55.296MHZ 5070 4PIN -40-85 2PPM 3.3V TCV 压控晶振61.44MHZ SMD14X9温补晶振62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85 5v clipped sine 温补晶振62.0Mhz SMD11X9 0.5ppm -40-+85 5v clipped sine 温补晶振62.0MHz SMD11X9 0.5PPM SINE -40-85 105DBC 1K 3.3V 温补晶振64.0MHz DIP14 HCMOS 1.5PPM -20-70 3.3V 1K 120DBC 恒温晶振65.536MHZ DIP36X27 -40-80 1E-10 0.2ppb 30ppb 5VHC 钟振66.666MHz 5070 3.3V ±25PPM温补晶振67.584MHz DIP14 HCMOS ±1.5 5V -20-70 机械微调温补晶振70.455MHz DIP14 1PPM -35-70 5V SINE 1KHZ 110DBC 温补晶振72.448MHZ DIP14 0.5ppm 正弦波－20－70恒温晶振76.8MHz 0.05PPM 5V电压工业级 OCXO恒温晶振78.0MHZ DIP36X27 SC 0.02PPM 0-40 5V SINE VCOCXO 恒温晶振78.0MHZ DIP36X27 稳定性+-0.2PPM 压控可调恒温晶振78.6432MHz DIP25X25 2*10-8 0.02ppm -20-70 0.1ppm/年1K/-135dBc恒温晶振78.6432MHz DIP25X25 2*10-8 0.02ppm -20-70 0.1ppm/年1K/-150dBc温补晶振80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS温补晶振80.0MHZ 5070 1PPM -40-+85 3.3V HCMOS温补晶振80.0MHZ DIP14 1PPM 3.3V 0-65℃温补晶振80.0MHz SMD11X9 0.3PPM -40-85 SINE 3.3 -110DBC 温补晶振80.0MHz SMD11X9 3PPM -55-90 CLIPP SINE 3.3 -110D 钟振81.360MHz DIP14 ±30 ppm 0＋70 5V CMOS TTL ≤5nS 恒温晶振97.536MHZ DIP25X25 1×10-7 -55℃～90℃温补晶振100.0MHZ 5070 1PPM -30~80 相噪 1KHz -100 方波3.3V 晶体振荡器100.0MHZ 5070 3.3V -40-85 50PPM TXC温补晶振*****************************.3VSINE-20-60 温补晶振100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V 温补晶振100.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V温补晶振100.0MHZ DIP20X20 5V SINE HCMOS -30-85 0.5PPM -130温补晶振******************************* 3.3V SINE -20-7恒温晶振100.0MHz DIP25X25 0.1ppm Sine 3.3V -30--+80C 1KHz/恒温晶振100.0MHZ DIP25X25 1×10-7 -55℃～90℃恒温晶振100.0MHz DIP25X25 SINE 0.5PPM -10-60 135DBC 1K 压控恒温晶振100.0MHz DIP36X27 SINE 0.01PPM 0.05PPM 1K-155DBC 9差分晶振100.0MHz DIP8 13X13 LVPECL 0.5PPM 3.3V 5PPM -4恒温晶振100.02MHz DIP14 + -0.1ppm 0-70 1kHZ -155dbc/HZ 恒温晶振102.4MHZ DIP25X25 0.1PPM 正弦波方波OCXO温补晶振102.4MHZ DIP25X25 0.3PPM 正弦波方波 TCXO压控晶振122.88MHZ SMD14X9压控晶振122.88mhz SMD14X9 VCXO LV-PECL VC3D4B210-122.8压控晶振122.88mhz SMD14X9 VCXO LV-PECL VC3D4B210-122.8温补晶振124.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V 温补晶振125.0MHZ DIP14 1PPM -10-60 HCMOS 3.3V差分晶振125.0MHz DIP8 13X13 LVPECL 0.5PPM 3.3V 5PPM -4温补晶振127.5MHz DIP14 不压控温特性1ppm 年老化1ppm 3.3V 温补晶振140.0MHz DIP14 -20-70 1PPM 5V 5X10-6秒稳输出幅度大于欧姆差分晶振148.5MHZ 5070 2.5V/3.3V 输出LVDS PECL工业级温补晶振299.792458MHZ DIP14 1PPM -20-70 5V TTL HCMOS 温补晶振300.0MHZ DIP14 1PPM -20-70 5V TTL HCMOS。
32K晶振理论分析全解
MICRO CRYSTALQuartz, a natural gem and mother of timing...Slide 1Table of Contents• General Info and Production Technology • Packaging Technologies • Equivalent Crystal Parameters FS – FL • Pierce Oscillator • Test Method to Measure Oscillator’s Performances • Layout ConsiderationsSlide 2MICRO CRYSTALGeneral Info and Production TechnologySlide 3Hydrothermal Growth of QuartzCoverGrowth Zone: T1Nutrient Dissolving Zone: T2 T2 > T1• The autoclave is filled with water plus mineralizer (NaOH or Na2CO3). Closure area • The seeds are thin slices of Autoclave (usually) Z-cut single crystals. • The nutrient consists of small Seeds (2.5 to 4 cm) pieces of single crystal quartz: “lascas”. Baffle • Temperatures and pressures are typically about 350°C and Solute-nutrient 800 to 2000 atmospheres. T2-T1 is about 4 to 10°C. • The nutrient dissolves slowly: Nutrient 30 to 260 days per run.Slide 4Manufacturing ProcessAssembly Metal Package DS / MX / MSQuartz BarCrystals on Wafer Assembly Ceramic Package CCSlide 5Oscillation Modes of Quartz CrystalTuning Fork•Flexure Mode: < 200 kHz fundamental 200 to 560 kHz overtone •Extensional Mode: 0.56 to 2.1 MHz •Thickness Shear Mode: 2 to 30 MHz fundamental > 30 MHz: 3rd, 5th, 7th harm. 30 to 250 MHz inv. mesaFlexure Mode AT-CutExtensional ModeThickness Shear Fundamental Mode Mode Thickness Shear3rd Harmonic Thickness ShearSlide 6Motion of a Tuning Fork CrystalFundamental Mode Overtone Mode6 x times fund-modeSlide 7Motion of a Tuning Fork CrystalCrystal in PackageSlide 8Motion of a Tuning Fork CrystalMovie of the Real Motion of a Tuning Fork CrystalSlide 9Motion of an AT-Cut CrystalSlide 10FlexureExtension 10 toA A‘0.490 mmMICRO CRYSTALI m p e d a n c eMICRO CRYSTALMICRO CRYSTALMICRO CRYSTALMICRO CRYSTAL。