半导体的光电效应共34页文档
光电效应对半导体器件性能的影响分析
光电效应对半导体器件性能的影响分析引言：光电效应是指在光照条件下，物质吸收光能后，产生电子束的现象。
在半导体器件中，光电效应是一项至关重要的物理现象，对其性能产生重大影响。
本文将探讨光电效应对半导体器件性能的影响，并分析其中的机制、类型和应用。
第一部分：光电效应的机制和原理光电效应是基于光子的量子行为，当光子与物质相互作用时，能量和动量的转移会导致电子的激发和发射。
光电效应的机制主要包括光吸收、电子激发和电子释放三个过程。
首先，光吸收是光电效应的起始步骤。
来自光源的光子能量可以被半导体吸收，使得物质内部的电子从基态跃迁到激发态。
接下来，电子激发是指吸收光射后，电子的能级跃迁。
在半导体中，电子激发可能会导致载流子生成以及电子和空穴的寿命延长。
最后，电子释放是指光吸收后，电子从高能级返回基态并重新辐射光子的过程。
通过这种方式，光电效应将电子能量转化为光能量。
第二部分：光电效应的类型和应用光电效应可以分为光电导效应、理研电效应和光电效应三种类型。
首先，光电导效应是指当光照射在半导体器件中时，光子能量激发了电子和空穴，形成电导效应。
这种效应常用于可见光传感器、光电导开关和光电传感器等器件中。
其次，理研电效应是指光照射后产生电场效应。
在半导体器件中，由于光激发电荷分离，会形成一个电场，从而影响器件的电学性能。
例如，太阳能电池就是通过理研电效应将光能转化为电能的。
最后，光电效应是指光子激发了光电子，将光能转化为电能。
这种效应广泛应用于半导体光电器件，如光电二极管、光电晶体管和光电场效应等。
第三部分：光电效应对半导体器件性能的影响光电效应对半导体器件性能产生了多重影响。
首先，光电效应可以增加半导体器件的灵敏度和响应速度。
当光照射到器件表面时，光子的能量可以激发更多的载流子，并加速其移动速度。
这样一来，器件可以提高其信号检测灵敏度，并提高其响应速度。
其次，光电效应可以影响器件的电学特性。
通过光电效应，电子和空穴会产生电场和电流，并改变器件的电子能带结构和电荷分布。
高二物理竞赛课件：半导体的光电效应
1.满足能量守恒和动量守恒，电子跃迁必然伴随声子的吸收或发射。
2.吸收能量较小，一般为红外吸收。
3.随着波长的增大，吸收强度增强。
杂质吸收
束缚在杂质能级上的电子或空穴也可以引起光的吸收。电子吸收光子跃迁到导 带；空穴吸收光子跃迁到价带，这种光吸收称为杂质吸收。
由于束缚态没有一定的准动量，电子（空穴）可以跃迁到任意的导带（价带） 能级，因而Fra bibliotek起连续的吸收光谱。
其它吸收过程
波长比本征吸收限λ0长的光波在半导体中往往也能被吸收，这说明除了本征吸 收外还存在其它的光吸收过程，主要有激子吸收，杂质吸收，自由载流子吸收和 晶格振动吸收等。
激子吸收
光子能量小于禁带宽度，价带电子受激发后跃出价带但是未进入导带，仍然受 到空穴的库伦场作用。受激电子和空穴束缚结合在一起，形成激子，这样的光吸 收称为激子吸收。
光电导为： q(nn pp )
实际半导体，本征吸收中，Δn= ΔP，但是并不是光生电子和光生空穴都对光 电导有贡献。
光照经过一定的时间才达到定态光电导；同样光照停止后，光电导逐渐消失。 这种光照下光电导率逐渐上升和光照停止后光电导率逐渐下降的现象，称为光电 导的弛豫现象。
2 PN结的光生伏特效应
激发方式包括：电致发光、光致发光和阴极发光等。
电子从高能级向低能级跃迁时，必然释放一定的能量，如果跃迁 过程伴随着放出光子，这种跃迁称为辐射跃迁。
半导体发光材料，辐射跃迁占优势。
辐射跃迁主要包括以下几种： 1.本征跃迁（带与带之间的跃迁）
导带电子跃迁到价带，与价带空穴相复合，伴随着发射光子，称 为本征跃迁。
发光效率
电子跃迁过程中，除了发射光子的辐射跃迁外，还存在无辐射跃迁。 无辐射复合机理比较复杂，主要有两种： 1.俄歇过程：电子从高能级向低能级跃迁时，将多余的能量传递给第三 个载流子，使其受激跃迁到更高能级。 2.发射热声子：电子和空穴复合，可以将能量转变为晶格振动能量。
半导体辐照效应
半导体辐照效应
半导体的光电效应是指当半导体被光照射时，其价带和导带中的电子和空穴被光子激发，产生光生载流子。
这些光生载流子可以在半导体中移动，产生光电流。
半导体的光电效应是半导体材料重要的物理特性之一。
当半导体被强光照射时，光的能量超过其禁带宽度，导致价带和导带之间的能级压降增大。
这样，光生载流子的浓度就会急剧增加，产生大量的光电流。
此外，半导体中的杂质也会影响光电效应的发生。
例如，在锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质能级上的电子很容易激发到导带成为电子载流子。
而掺入三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，则会产生空穴载流子。
半导体辐照效应可以用来制造太阳能电池、光电子器件、光电探测器等光学器件。
在这些应用中，半导体的光电效应是实现光能量转化为电能的关键。
半导体的光电效应
半导体的光电效应发布日期:2008-04-25 我也要投稿!作者:网络阅读: 787[ 字体选择：大中小]一、半导体的能带结构按照量子力学理论,由于物质内原子间靠得很近,彼此的能级会互相影响,而使原子能级展宽成一个个能带。
又由于电子是费米子,遵从泡利不相容原理。
电子以能量大小为序,从基态开始,每个量子态上一个电子向上填充,直填到费米能εF为止。
再上面的能级都是空的。
被电子填满的能带叫满带。
满带中的电子如同很多人挤在一个狭小的空间,谁也动不了。
所以,虽然有许多电子,但是不能形成定向移动,因而满带中的电子不是载流子,是不能导电的。
全部空着的能带称为空带。
能带间的间隔叫带隙(用Eg表示)或禁带,禁带不允许有电子存在。
图1所示的是导体、绝缘体、半导体的能带结构示意图。
如图1(a)所示,导体的费米能级εF在一个能带的中央,该能带被部分填充。
由于能带的亚结构之间的能量相差很小,因此这时只需很少的能量(如一外加电场),就能把电子激发到空的能级上,形成定向移动的电流。
这正是具有这种能带结构的物质被称为导体的原因。
如果某一能带刚好被填满,它与上面的空带间隔着一个禁带,此时大于带隙间隔的能量才能把电子激发到空带上去。
一般带隙较大(大于10eV数量级)的物质,被称为绝缘体,如图1(b)所示;而带隙较小(小于1eV数量级)的物质,被称为半导体,如图1(c)所示。
半导体的费米能级位于满带与空带之间的禁带内,此时紧邻着禁带的满带称为价带,而上面的空带称为导带。
如果由于某种原因将价带顶部的一些电子激发到导带底部,在价带顶部就相应地留下一些空穴,从而使导带和价带都变得可以导电了。
所以半导体的载流子有电子和空穴两种。
可见,半导体介于导体与绝缘体之间的特殊的导电性是由它的能带结构决定的。
二、半导体的内光电效应当光照射到半导体表面时,由于半导体中的电子吸收了光子的能量,使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。
利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。
光电效应实验原理
光电效应实验原理光电效应是指当金属或半导体表面受到光照射时，会产生电子的行为。
这一现象的发现对于量子物理学的发展产生了深远的影响，也为光电器件的应用提供了理论基础。
光电效应实验是物理学实验中的经典实验之一，通过实验可以直观地观察光照射对金属或半导体产生的电子行为，从而验证光电效应的原理。
光电效应实验的原理可以通过以下几个方面来解释：首先，光的粒子性。
根据光的粒子性理论，光子是光的基本单位，其能量与频率成正比。
当光照射到金属或半导体表面时，光子的能量会被传递给金属或半导体中的自由电子，使其获得足够的能量从而跳出金属或半导体表面，产生电子。
这一过程说明了光的粒子性对光电效应的影响。
其次，光的波动性。
根据光的波动性理论，光是一种电磁波，其波长和频率决定了光的能量。
当光照射到金属或半导体表面时，光的电磁波会与金属或半导体中的电子发生相互作用，从而激发电子跳出金属或半导体表面，产生电子。
这一过程说明了光的波动性对光电效应的影响。
最后，光电子的动能。
根据光电效应的实验结果，我们可以得知光照射到金属或半导体表面时，产生的电子具有一定的动能。
这一动能与光的频率成正比，与金属或半导体的性质有关。
通过实验测量电子的动能，我们可以验证光电效应的原理，从而深入理解光的粒子性和波动性对光电效应的影响。
光电效应实验的原理不仅可以帮助我们理解光的性质，还可以为光电器件的应用提供理论基础。
通过对光电效应的深入研究，我们可以开发出更加高效的光电器件，如光电池、光电二极管等，从而推动光电技术的发展，为人类社会的可持续发展做出贡献。
总之，光电效应实验原理是一个非常重要的物理学原理，通过实验可以直观地观察光照射对金属或半导体产生的电子行为，从而验证光电效应的原理。
光的粒子性和波动性对光电效应的影响，以及产生的光电子的动能，都是光电效应实验原理的重要方面。
通过深入研究光电效应实验原理，我们可以更好地理解光的性质，推动光电技术的发展，为人类社会的可持续发展做出贡献。
半导体的光电效应
半导体的光电效应发布日期:2008-04-25 我也要投稿!作者:网络阅读: 787[ 字体选择：大中小]一、半导体的能带结构按照量子力学理论,由于物质内原子间靠得很近,彼此的能级会互相影响,而使原子能级展宽成一个个能带。
又由于电子是费米子,遵从泡利不相容原理。
电子以能量大小为序,从基态开始,每个量子态上一个电子向上填充,直填到费米能εF为止。
再上面的能级都是空的。
被电子填满的能带叫满带。
满带中的电子如同很多人挤在一个狭小的空间,谁也动不了。
所以,虽然有许多电子,但是不能形成定向移动,因而满带中的电子不是载流子,是不能导电的。
全部空着的能带称为空带。
能带间的间隔叫带隙(用Eg表示)或禁带,禁带不允许有电子存在。
图1所示的是导体、绝缘体、半导体的能带结构示意图。
如图1(a)所示,导体的费米能级εF在一个能带的中央,该能带被部分填充。
由于能带的亚结构之间的能量相差很小,因此这时只需很少的能量(如一外加电场),就能把电子激发到空的能级上,形成定向移动的电流。
这正是具有这种能带结构的物质被称为导体的原因。
如果某一能带刚好被填满,它与上面的空带间隔着一个禁带,此时大于带隙间隔的能量才能把电子激发到空带上去。
一般带隙较大(大于10eV数量级)的物质,被称为绝缘体,如图1(b)所示;而带隙较小(小于1eV数量级)的物质,被称为半导体,如图1(c)所示。
半导体的费米能级位于满带与空带之间的禁带内,此时紧邻着禁带的满带称为价带,而上面的空带称为导带。
如果由于某种原因将价带顶部的一些电子激发到导带底部,在价带顶部就相应地留下一些空穴,从而使导带和价带都变得可以导电了。
所以半导体的载流子有电子和空穴两种。
可见,半导体介于导体与绝缘体之间的特殊的导电性是由它的能带结构决定的。
二、半导体的内光电效应当光照射到半导体表面时,由于半导体中的电子吸收了光子的能量,使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。
利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。
半导体的光电效应
光明电阻
光谱响应率 时间常数 线性 前历效应 温度特性 常用的光明电阻： 常用的光明电阻： 了解各种光明电阻的特性，用途，使用范围等 了解各种光明电阻的特性，用途，
光敏电阻的偏置电路
基本偏置电路图：
光 明 电 R
p
1 1 R= = G Gd + G p Gd 电 GP S g E S g Φ
阻
RL
1 f = Am
f
A ( f )df
f
∫
∞
0
说明：噪声均方电流或均方电压时，用此等效带宽。
探测器的主要参数 响应率（积分灵敏度） 响应率（积分灵敏度）
Vs = Φ s
Sv
或
IS Sv = Φs
光谱响应率
探测器在波长为 λ的单色光照射下，输出 的电压 Vs (λ )或电流 I s (λ ) 与入射光功率 Φ S 之比：
E0 Ef
金属表面势垒 E0 W
Ef
W = E0 E f
半导体光电反射
E0
半导体的光电发射逸出供为：
EA
W
w = Eg + E A
（其中EA为电子亲和势） 为电子亲和势）
Eg 半导体光电发射
Ec Ef
注意：在光电效应里面： 注意 在光电效应里面：包括内电光与外电光 在光电效应里面 效应， 效应，都存在着一个阀值波长问题
Vb I = RL + R
P 2
RP VbS g R PV b I ≈ = Φ 2 2 (RL + RP ) (RL + RP ) R
P
= R
2 P
S
g
Φ
常用的偏置方法
恒流偏置：
RL >> RP时 I = S gVb ( RP 2 ) Φ RL
半导体的光电效应
半导体的光电效应
半导体的光电效应是指当光线照射到半导体材料上时，会产生电子和空穴的对应数量的载流子，从而产生电流的现象。
这种现象是半导体材料的重要特性之一，也是现代电子技术中广泛应用的基础。
半导体的光电效应是由光子与半导体材料中的电子和空穴相互作用而产生的。
当光子能量与半导体材料中的电子能级相匹配时，光子会被吸收，电子会被激发到导带中，形成自由电子，同时在价带中留下一个空穴。
这些自由电子和空穴可以在半导体中自由移动，从而形成电流。
半导体的光电效应在现代电子技术中有着广泛的应用。
例如，太阳能电池就是利用半导体的光电效应将太阳能转化为电能的装置。
太阳能电池的工作原理就是将太阳光照射到半导体材料上，产生电子和空穴，从而形成电流。
此外，半导体激光器、光电传感器、光通信等领域也都是利用半导体的光电效应实现的。
半导体的光电效应还有一些特殊的应用。
例如，光电二极管就是一种利用半导体的光电效应制成的器件。
光电二极管可以将光信号转化为电信号，广泛应用于光通信、光电测量等领域。
此外，半导体的光电效应还可以用于制作光电晶体管、光电场效应晶体管等器件，这些器件在光电子学、光电计算等领域有着广泛的应用。
半导体的光电效应是现代电子技术中不可或缺的一部分。
它不仅是
太阳能电池、光电二极管等器件的基础，还为光通信、光电测量等领域的发展提供了重要的支持。
随着科技的不断进步，半导体的光电效应还将有更广泛的应用前景。
半导体物理--第八章 半导体的光电性质及光电效应
定态光电导与光强的关系，存在两种情况：
n＝1， s I s I n＝0.5， s I
（3）杂质吸收
杂质能级上的电子(或空穴)吸收光子跃迁到导带 (或价带)能级中，称为杂质吸收。 所以吸收的长波限为： h c ＝E i
0
（4）晶格吸收 光子能量直接转换为晶格振动能。
第八章 半导体的光电性质及光电效应
• 8.1 半导体的光学常数 • 8.2 半导体的光吸收 • 8.3 半导体的光电导
k k
E＝E －E h
跃迁前后动量改变为：
hk＝hk hq k k q
二. 其他吸收过程 （1）激子吸收 电子和空穴互相束缚形成 一个新的电中性系统。 特点： * h E g * 激子是电中性的。 * 激子能在晶体中运动。 * 激子消失形式：分离；复合
（2）自由载流子吸收 电子在导带中不同能级间的跃迁，或空穴 在价带中不同能级间的跃迁。
hk＋光子动量 hq＝hk
通常， h h a 光子的动量比 hq 小得多，所以
E h＝E hk hq＝hk
（1）直接跃迁
一个电子只吸收 一个光子，不与 晶格交换能量。
跃迁前后能量改变为：
E＝E －E h
跃迁前后动量没有改变：
hk hk
（2）间接跃迁
跃迁前后能量改变为：
（2）复合中心和多数载流子陷阱的综合作用 对光电导的影响。 （a）如果同时存在多数载流子陷阱，陷阱效应对 半导体光电导的弛豫时间有决定性的影响，延长 了光电导的上升和下降的弛豫时间，并且可使两 者很不相同。
半导体物理与光电效应-0925
电子从N型半导体到金属 N 型 P 型 释放能量
升温 加热
电子从金属到N型半导体
？
制冷
吸收能量
降温
半导体制冷
电子从金属到N型半导体 降温 制冷 吸收能量 电子从P型半导体到金属 吸收能量
降温 制冷
电子从N型半导体到金属
释放能量
升温 加热
N型
P型
电子从金属到P型半导体
释放能量
升温
加热
电子方向
半导体制冷
Eg
禁带 价带
h
hc
Eg
光敏电阻
光电效应
内光电效应
光生伏特效应
接触的半导体和PN结中，当光线照射其接触区域时，便引起光电动势。
以PN结为例，光线照射PN结时，设光子能量大于禁带宽度Eg， 使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内 电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，空穴移向P区 外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。 光电池、光敏二极管和光敏三极管
半导体制冷
导带
EC EV
禁带 Eg
价带
EC N 型 P 型 EV
导带底，导带最低能量层 价带顶，价带最高能量层
半导体制冷
半导体制冷
导带
金属
EF
EC
P型掺杂
E
EF - EV EV
导带
价带
EF - EV+E
N 型
P 型
电子从P型半导体到金属所需能量为 EF - EV+E 吸收能量
降温 制冷
电子在半导体中流动所需的平均能量
塞贝克效应
在两种金属的结点处，由于电子扩散的结果而产生接触 电势差，其热端和冷端的总接触电势差为：
光电效应的原理
光电效应的原理一、引言光电效应是指金属或半导体表面受到光照射时，会发生电子的发射现象。
这个现象在物理学的历史上具有重要的意义，它不仅证实了量子论的正确性，而且也是光电技术等现代科技的基础。
二、经典物理学对光电效应的解释在经典物理学中，我们可以通过麦克斯韦方程组来解释光电效应。
根据麦克斯韦方程组，当一个电磁波通过一个介质时，它会激发介质中的自由电子振动。
这个振动会导致自由电子向外移动，并产生感应电流。
然而，在实验中我们发现，当我们改变入射光的频率时，所观察到的最大反向电压并不随着入射光强度的增加而增加。
这个结果与经典物理学预测出来的结果不符。
三、量子力学对光电效应的解释在量子力学中，我们可以通过波粒二象性来解释这个结果。
根据波粒二象性理论，所有微观粒子都具有波动性和粒子性。
因此，光也可以被看作是粒子（光子）的流动。
当一个光子与金属或半导体表面相互作用时，它会将一部分能量传递给表面上的电子。
如果这个能量大于电子所绑定的能量，那么这个电子就可以逃离金属或半导体表面，并形成自由电子。
四、光电效应的公式根据量子力学对光电效应的解释，我们可以得到以下公式：E = hf其中，E表示一个光子的能量，h为普朗克常数，f为光的频率。
这个公式说明了入射光的频率和电子逸出所需的最小能量之间存在着一种线性关系。
另外，我们还可以得到以下两个公式：Kmax = hf - φI ∝ I0e-αd其中，Kmax表示逸出电子所具有的最大动能，φ为金属或半导体表面对于自由电子的束缚势垒高度。
第二个公式则是描述了入射光穿过介质时衰减程度与介质厚度之间存在着指数关系。
五、结论通过以上分析，我们可以得出结论：在金属或半导体表面受到入射光照射时，光子会将一部分能量传递给表面上的电子，如果这个能量大于电子所绑定的能量，那么这个电子就可以逃离金属或半导体表面，并形成自由电子。
这个现象被称为光电效应。
在量子力学中，我们可以用波粒二象性来解释这个现象，并得到相应的公式。
光电效应与半导体电子学
光电效应与半导体电子学光电效应和半导体电子学是现代科学的重要组成部分，它们在光学和电子学领域都起着关键作用。
本文将探讨光电效应和半导体电子学的基本原理、应用和未来发展趋势。
一、光电效应光电效应是指当光照射到金属或半导体表面时，会引起电子的发射现象。
这一现象在20世纪初被发现并首次解释，为现代物理学的基本理论打下了基础。
光电效应的基本原理可以用经典物理学和量子物理学两个层面来解释。
从经典物理的角度看，光电效应可以被理解为光子（光的量子）将能量传递给金属或半导体材料上的电子，使其跃迁到导带中，从而产生电流。
这一解释在解释一些简单的光电效应现象时是有效的。
但是，在解释一些复杂的光电现象时，量子物理理论更为适用。
根据量子理论，光子具有粒子性和波动性，它的能量被分为量子，光电效应是因为光子能量足够大，可以将电子从材料原子的束缚态中解放出来，从而形成电流。
光电效应的应用十分广泛。
例如，太阳能电池就是利用光电效应将光能转化为电能。
此外，光电探测器、图像传感器、光电二极管等设备都是基于光电效应原理工作的。
光电效应的研究对于理解光和电的相互作用、光电材料的性质和光学器件的设计都具有重要意义。
二、半导体电子学半导体电子学研究的是半导体材料的电学特性和电子设备的设计与制造。
半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，具有良好的导电性和导热性。
半导体材料的导电性是由其特殊的电子结构决定的，其中的电子饱和水平决定了电子的跃迁规律和导电能力。
在半导体电子学中，最核心的理论是能带理论。
能带理论认为，在半导体中存在着价带和导带，其中电子在能量较低时处于价带中，不能自由移动；而在能量较高时，处于导带中，并可以自由移动。
通过半导体内部掺杂、外加电场和边界条件等手段，可以调节半导体的导电性能。
利用半导体材料的特性，人们发展出了各种半导体器件和电子技术。
最常见的半导体器件是晶体管，它是一种控制电流的器件，起到放大和开关的作用。
此外，还包括二极管、场效应晶体管、光电二极管等。
光电效应与半导体器件的工作原理
光电效应与半导体器件的工作原理人们对于光电效应和半导体器件的使用已经非常熟悉了，但是对于其背后的工作原理，却不一定了解得很清楚。
本篇文章将从光电效应的发现开始，深入探讨光电效应与半导体器件的工作原理。
一、从光电效应到半导体器件光电效应是指在光照射下，物质中的电子受到激发，从而产生电流的现象。
这一现象最早由爱因斯坦在1905年解释，他提出了光子理论，认为光有颗粒性，光子携带能量，当光子的能量足够大时，可以将金属中的电子从束缚态激发到自由态，从而形成电流。
这一理论的提出奠定了现代光电子学的基础。
而半导体器件，如二极管和晶体管等，是利用了固体材料在不同温度和电场条件下的导电性能不同的特点制造而成的。
它们既可以起到整流和放大等基本功能，也可以作为光电转换器件使用。
因此，光电效应与半导体器件的关系密切。
二、光电效应的原理光电效应的发生基于光子与物质相互作用的原理。
当光照射到物质表面，光子的能量可以被物质中的电子吸收。
如果光子的能量大于物质中电子的束缚能，电子被激发出来，形成电流。
对于金属而言，电子处于自由状态，可以自由移动。
当光照射到金属表面时，光子携带的能量足够大，可以将金属表面的电子激发到自由态，形成电流。
这就是金属的光电效应。
对于半导体物质而言，情况稍有不同。
半导体内部存在着价带和导带。
当光照射到半导体表面时，光子的能量可以使得半导体内部的电子从价带跃迁到导带，形成电流。
此时，光电效应就发生在半导体中。
光电效应的发生使得半导体器件得以应用于光电转换和光电探测等领域。
三、半导体器件的工作原理在了解了光电效应的基本原理之后，我们来探讨一下半导体器件的工作原理。
首先，我们来看二极管。
二极管是一种基本的半导体器件，包括一个P型半导体和一个N型半导体。
当二极管处于正向偏置时，也就是P型半导体的P区连接正电源，N型半导体的N区连接负电源时，电子从N区流向P区，空穴从P区流向N区，形成电流。
而在反向偏置时，电子从P区流向N区的过程被禁止，形成了一个正向截止态。
半导体物理与光电效应-0925.
半导体与光电效应2013-9-25上节回顾半导体物理与光电效应量子力学简述能带理论半导体与光能量量子化波粒二象性不确定原理波动力学理论能级能带半导体与光与半导体有关的几组名词本征半导体 杂质半导体 本征激发 P 型半导体 N 型半导体 PN 结势垒电容扩散电容结电容禁带载流子 内电场正偏 反偏 单向导电性 击穿 上节回顾与半导体有关的几组名词本征半导体 杂质半导体 本征激发 P 型半导体 N 型半导体 PN 结势垒电容扩散电容结电容禁带载流子 内电场正偏 反偏 单向导电性 击穿与半导体有关的几组名词势垒电容dUdQC UQ C ==或电压变化将引起电荷变化, 从而反映出电容效应PN 结的电容效应势垒电容C B 和扩散电容C D 两部分组成而PN 结两端加上电压, 结内就有电荷的变化PN 结具有电容效应与半导体有关的几组名词扩散电容扩散电容：扩散电容是PN结在正偏时, 多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的。
外加正向电压增大扩散增强两个区域电荷堆积外加正向电压减小扩散减弱两个区域电荷量减少PN结正向偏置时，N区和P区形成一定的非平衡载流子的浓度分布。
P区积累了电子，即存贮了一定数量的负电荷；N区也积累了空穴，即存贮了一定数量的正电荷。
与半导体有关的几组名词势垒电容势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷变化，这样所表现出的电容是势垒电容。
外加反向电压增大耗尽层变宽空间电荷量增加外加反向电压减小耗尽层变窄空间电荷量减少与半导体有关的几组名词势垒电容C B 随外加反向电压增大而增大 势垒电容和扩散电容都是非线性的电容扩散电容C D 随正向电压增大而增大C B 在正向和反向偏置时均不能忽略。
而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容CD 可忽略。
与半导体有关的几组名词结电容PN结上的总电容C J ——结电容C J＝ＣB＋ＣＤ一般说来：PN结正偏时, 扩散电容起主要作用, C J≈C D当PN结反偏时, 势垒电容起主要作用, 即CJ ≈CB半导体物理与光电效应量子力学简述能带理论半导体与光半导体二极管简介光电效应二极管 = PN 结 + 管壳 + 引线NP结构符号阳极+阴极-基本结构、种类与符号分类(1) 点接触型二极管PN 结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。
Microsoft Word - 光电效应讲义
三、 WS-WP5 微机光电效应实验仪后面板功能说明
1、 交流电源插座，用于连接交流 220V 电压，插座上自带有保险管座； 2、 光电管工作电压直流输出接口，兰色接口为输出电压参考地； 3、 如果实验仪已升级为微机型，则通信插座可连计算机，否则该插座不可使用； 4、 光电管微电流信号输入接口，用于连接光电管微电流输入。
2) 自动测试完成后，设置查询电压点； 按下左/右键，循环移动当前电压值的设置位,选取的位闪烁,提示目前在设置的电压位 置。按下上/下键，电压值在当前设置位递增/递减一个增量单位。 注意： 1) 如果当前电压值加上一个单位电压值后的和值超过了允许输出的最大电压值,再
按下↑键,电压值只能设置为该电压的最大允许电压值。 2) 如果当前电压值减去一个单位电压值后的差值小于零,再按下↓键,电压值只能设
[实验目的] 1、通过测试光电效应基本特性曲线，使学生进一步认识理解光的量子性。
[ ] 2、通过对五种不同频率的反向遏止电压的测定，由 U S -n 直线图形，求出“红限”频率。
3、验证爱因斯坦光电方程，求普朗克常数。 [实验仪器]
普朗克常数测量仪(光电管、干涉滤色片、光源、微电流放大器 ) [实验原理]
[ ] 的截止电位U s 。作 U S -n 图可得一直线。此直线的斜率为
DU s = h Dn e
（8）
e 为电子的电量，由此可算出 h 。 3．光电管的实际 I - U 特性曲线
由于：（1）光电管中总存在某种程度的漏电；（2）不管是阴极，还是阳极，在任何温度 下都有一定数量的热电子发射；（3）受光照射（包括杂散光）时，不单阴极发射电子，阳极
(4) 测伏安特性曲线。在光电管的入口处换上不同波长的滤色片,测出从反向光电流饱 和起到正向光电流饱和值得光电管极间电压和电流值，在电流变化较快的地方，测点要密集。