单向晶闸管HCR2C60
各种晶闸管(可控硅)的检测方法
各种晶闸管(可控硅)的检测方法1．单向晶闸管的检测(1)判别各电极：根据普通晶闸管的结构可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A 与门极之间有两个反极性串联的PN结。
因此，通过用万用表的R×100或R×1 k Q档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。
具体方法是：将万用表黑表笔任接晶闸管某一极，红表笔依次去触碰另外两个电极。
若测量结果有一次阻值为几千欧姆(kΩ)，而另一次阻值为几百欧姆(Ω)，则可判定黑表笔接的是门极G。
在阻值为几百欧姆的测量中，红表笔接的是阴极K，而在阻值为几千欧姆的那次测量中，红表笔接的是阳极A，若两次测出的阻值均很大，则说明黑表笔接的不是门极G，应用同样方法改测其他电极，直到找出三个电极为止。
也可以测任两脚之间的正、反向电阻，若正、反向电阻均接近无穷大，则两极即为阳极A和阴极K，而另一脚即为门极G。
普通晶闸管也可以根据其封装形式来判断出各电极。
例如：螺栓形普通晶闸管的螺栓一端为阳极A，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为阴极K。
平板形普通晶闸管的引出线端为门极G，平面端为阳极A，另一端为阴极K。
金属壳封装(T0—3)的普通晶闸管，其外壳为阳极A。
塑封(T0—220)的普通晶闸管的中间引脚为阳极A，且多与自带散热片相连。
图1为几种普通晶闸管的引脚排列。
(2)判断其好坏：用万用表R×1 kΩ档测量普通晶闸管阳极A与阴极K之间的正、反向电阻，正常时均应为无穷大(∞)；若测得A、K之间的正、反向电阻值为零或阻值均较小，则说明晶闸管内部击穿短路或漏电。
测量门极G与阴极K之间的正、反向电阻值，正常时应有类似二极管的正、反向电阻值(实际测量结果要较普通二极管的正、反向电阻值小一些)，即正向电阻值较小(小于2 kΩ)，反向电阻值较大(大于80 kΩ)。
若两次测量的电阻值均很大或均很小，则说明该晶闸管G、K极之间开路或短路。
晶闸管的参数说明
晶闸管（thyristor）其派生器件有，快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管，是一种大功率开关型半导体器件，V，Vt ，旧标准中用的是SCR，重要参数说明1．断炉重复峰值电压，udrm ,，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A,K 间的电压。
此电压为不重复峰值电压udsm的90%。
2．反向重复峰值电压urrm，在控制极断路时，允许重复加在晶闸管上的反向峰值电压，称为反向阻断峰值电压。
此电压约为不重复峰值电压udsm的90%。
udrm ,和urrm在数值上一般相近，统称为晶闸管的阻断峰值电压，通常把其中较小的那个数值作为该型号器件上的额定电压值，由于瞬时过电压也会使晶闸管损坏，因此晶闸管的乖宝宝电压应选为正常工作峰值电压的，2-3倍以确保安全。
3．额定正向平均电流if在规定的标准散热条件和环境温度40度下，晶闸管的阳极和阴极间允许连接贯通过的工频正统半波电流的平均值。
称为额定正向平均电流。
由于晶闸管的过载能力小，选用晶闸管的额定正向平均电流时，至少应大于正常工作平均电流的1.5-2倍以留有一定的余地。
4．维持电流ih：在室温下，控制极开路时，维持晶闸管继续导通所必须的最小电流，称为维持电流，当正向电流于ih值时，晶闸管就自行判断，ih值一般为几十至一百多毫安。
5．控制极触发电压VG，触发电流IG在室温下，阳极加正向电压为直流6V 时，使晶闸管由阻断变为导通所需要的最小控制极电压和电流，称为控制极触发电压和触发电流。
VG一般为1/ 23.5-5V，IG约为几十至几百毫安。
实际应用时，加到控制极的触发电压和触发电流应比额定值稍微大点，以保证可靠触发。
6．电压上升率DV/DT，晶闸管阻断时其阴阳极之间相当于一个结电容当突加阳极电压时会产生充电电容电流，此电流可能导致晶闸管误导通，因此对管子的最大正向电压上升率，必须加愉限制，一般采用阻容吸收元件并联在晶闸管两端的办法加以限制。
7．电流上升率DI/DT，晶闸管开通时电流是从靠近门极区的阴极开始然后逐渐2/ 2。
常见电子元件晶闸管的定义、参数及注意事项介绍
常见电子元件晶闸管的定义、参数及注意事项介绍
晶闸管是电子元件的一种，它能在高电压、大电流的条件下工作，旧称可控硅，是一种以小控大的功率电流型器件。
生活中常见的晶闸管类型多样，主要有单向晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管、光控晶闸管等。
在未加说明的情况下，通常晶闸管或可控硅指的是单向晶闸管，且应用较多的是单向晶闸管和双向晶闸管。
今天小编将主要对单向晶闸管的一些常识进行详细地解说。
单向晶闸管
单向晶闸管，简称SCR，常见的单向晶闸管在可控整流、交流调压、逆变器和开关电源电路中广泛应用，其外形结构和等效电路如图1、图2 所示。
单向晶闸管
单向晶闸管三个电极，分别为阳极(A)、阴极(K)和控制极又称门极(G)。
由图1 可见，它是一种PNPN 四层半导体器件，其中控制极是从P 型硅层上引出，供触发晶闸管用。
晶闸管一旦导通，即使撤掉正向触发信号，仍能维护通态。
欲使晶闸管关断，必须使正向电流低于维持电流，或施以反向电压强迫其关断。
普通晶闸管的工作频率一般在400 Hz 以下，随着频率的升高，功耗将增大，器件会发热。
快速晶闸管一般可工作在5 kHz 以上，最高达40kHz
单向晶闸管特性参数
表征单向晶闸管性能的参数也很多，在实际应用中，最关心的是它在阻断状态下能承受多大正向与反向电压，它在导通时能够通过多大的电流，要使它触发导通控制极需加多大的电压(电流)，要使它关断时阳极电流要减小到多少等。
1.额定通态平均电流I T(AV)。
双向晶闸管
三、在功率管领域，逐步有国内的企业技术水平上升到MOS工艺，MOSFET的产业有一定规模，进入21世纪后， 这类器件的产品已批量进入市场，几十安培、200V的器件在民用产品上获得了广泛应用，进口替代已然开始。
工作原理
结构示意图双向晶闸管与单向晶闸管一样，也具有触发控制特性。不过，它的触发控制特性与单向晶闸管有 很大的不同，这就是无论在阳极和阴极间接入何种极性的电压，只要在它的控制极上加上一个触发脉冲，也不管 这个脉冲是什么极性的,都可以使双向晶闸管导通。由于双向晶闸管在阳、阴极间接任何极性的工作电压都可以实 现触发控制，因此双向晶闸管的主电极也就没有阳极、阴极之分，通常把这两个主电极称为T1电极和T2电极，将 接在P型半导体材料上的主电极称为T1电极，将接在N型半导体材料上的电极称为T2电极。由于双向晶闸管的两个 主电极没有正负之分，所以它的参数中也就没有正向峰值电压与反同峰值电压之分，而只用一个最大峰值电压， 双向晶闸管的其他参数则和单向晶闸管相同。
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产品简介
双向晶闸管的伏安特性曲线具有对称性，如图1所示 。 图1结构图
的伏安特性曲线
由于双向晶闸管正、反特性具有对称性，所以它可在任何一个方向导通，是一种理想的交流开关器件。 伏安特性曲线
检查方法
检查双向晶闸管的好坏：双向晶闸管作电子开关使用，能控制交流负载(例如白炽灯)的通断，根据白炽灯的 亮灭情况，可判断双向晶闸管的好坏。将220V交流电源的任意一端接T2，另一端经过220V、100W白炽灯接T1。触 发电路由开关S和门极限流电阻R组成。S选用耐压220VAC的小型钮子开关或拉线开关。R的阻值取100~330Ω，R 值取得过大，会减小导通角。
单相半控桥式晶闸管整流电路设计(反电势、电阻)
单相半控桥式晶闸管整流电路设计(反电势、电阻)1. 背景在电力系统中，直流电源是非常重要的一种电源。
晶闸管在电力控制方面拥有广泛的应用，因为它能够提供高效的控制机制，包括在半导体设备上实现电流开关，以及实现定时控制等功能。
单相半控桥式晶闸管整流电路是一种非常常见的整流电路类型，也非常适合用于小功率应用。
本文将介绍如何设计一种单相半控桥式晶闸管整流电路，同时还会探讨反电势电路和电阻的设计问题。
2. 基本原理单相半控桥式晶闸管整流电路是一种将交流信号转换为直流信号的电路。
它通过将半桥整流电路和反电势电路组合在一起，完美地解决了整流电流方向的问题。
在这种电路中，半桥整流电路利用两个反相并联的晶闸管实现半波整流，而反电势电路则通过电感、电容的组合实现对负载电流的控制。
3. 电路设计3.1 半桥整流电路如图所示，首先需要设计半桥整流电路。
在这种电路中，使用两个反相并联的晶闸管V1和V2以及两个并联的负载电阻R1和R2实现单向导电性。
在负载电阻R1和R2上加上一个串联电感L1，可以有效地抑制负载电流的突变。
+---->Vout|Vin ---+--->V1------+| || R1 || |+-----+------+------>GND| || || L1| || |+------+------>Vout|R2||GND3.2 反电势电路接下来需要安装反电势电路。
反电势电路通过控制电感、电容并结合晶闸管V3的使能脚，实现对负载电流的控制。
+----+-------+| | |C1| | || L2 G|+----|---TT-+--->Vout| |V3-----D-+| |+-------+值得一提的是，在选择元器件时，需要注意反电势电路的电感和电容的选取，因为它们显著影响反电势电路的性能。
3.3 电阻最后需要考虑的是电阻。
这个简单的部分是整个电路设计的最后一步。
需要根据设计参数以及所需功率和工作电压等因素来确定电阻的取值，并按照电路图所示的方式将其安装在负载电路的两端。
几种特殊的晶闸管介绍
几种特殊的晶闸管介绍晶闸管是一种电子器件，常用于控制交流电谷值以上的电流，也被称为可控硅或二极晶闸管。
在普通的直流控制电路中，晶闸管工作得很好，但在噪声和电磁干扰的严重环境下，最好使用一些特殊的晶闸管。
1. 反并连通晶闸管反并联通晶闸管（Reverse Parallel Thyristor，RPT）是一种特殊的晶闸管，由两个晶闸管反向并联而成。
这种晶闸管的引出端在正向电压下的电阻很低，同时在反向电压下则会被击穿，变成高阻态。
反并连通晶闸管广泛应用于交流电控制装置，可以通过其引出端对交流负载进行可控的加工和开关，具有很高的稳定性和可靠性。
此外，这种晶闸管还有较高的速度，使其能够对快速变化的电压响应。
2. 闸流触发二极管闸流触发二极管（Gated Current Triggered Diode，GCT）也被称为双读指挥者（Bidirectional Reading Conductor，BRC）。
它和其他晶闸管不同在于，它是一种由三个PN结组成的二极管结构。
这个结构允许该晶闸管能够双向导通，并且还允许它通过其控制端被“打开”或浪费让其导通。
闸流触发二极管能够在回路中起到保护电路的作用，并且承载着不同电源的电流量。
这种晶闸管无需连续电流触发即可控制，其独特的设计还使它能够在工作时具有很高的速度和控制精度，在很多交流电控制电路中得到了广泛的应用。
3. 光闸晶闸管光闸晶闸管是一种采用光耦合器来触发的晶闸管，它通过发射的光线信号从LED到光敏传感器中的光触发电路来控制电流的导通。
这样的方案使其能够在高噪声和高频率环境下运行，并有望克服由于电磁干扰引起的异常工作。
光闸晶闸管应用领域广泛，特别是在电力电路中。
它的响应速度很快，而且能够在非对称、多级、复合及混和触发方式中选择，进一步改善了适应性和广泛性。
以上三种晶闸管都是在特定情况下需要使用的，它们在电路中有丰富的应用。
在控制负载，对于电磁干扰抵抗，以及在高频率环境下工作时，这些晶闸管都表现出了其优异的特性。
单向晶闸管的基础常识
单向晶闸管的基础常识
晶闸管(Thyristor)是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。
单向晶闸管是其中的一种，通常也叫可控硅或整流元件，它既有单向导电的整流作用,又有可以控制的开关作用.利用它可用较小的功率控制较大的功率。
以下内容，我们主要看看晶闸管有什么特性及作用。
单向晶闸管的特性及作用
单向晶闸管属于PNPN 四层半导体器件，共有三个电极，即控制极(门极) G、阳极A 和阴极K，只能单向导通。
单向晶闸管种类很多，常用的有3CT 系列和KP 系列，广泛地用于可控整流、交流调压、逆变器和开关电源电路中。
常见单向晶闸管的外形见图1(a)，其内部结构及电路符号见图(b)。
单向晶闸管的导通条件是：除在阳、阴极间加上一定大小的正向电压外，还要在控制极和阴极间加正向触发电压。
一旦管子触发导通，控制极即失去控制作用，即使控制极电压变为零，单向晶闸管仍然保持导通。
要使单向晶闸管关断，必须去掉阳极正向电压，或者给阳极加反向电压，或者降低阳极正向电压，使通过单向晶闸管的电流降低到维持电流(单向晶闸管导通的最小电流)以下。
单向晶闸管按功率大小，可分为小功率、屮功率和大功率三种。
一般从外观上即可进行识别：小功率管多采用塑封或金属壳封装;中功率管控制极引脚比阴极引脚细，阳极带有螺栓;大功率管控制极上带有金厉编织套，像一条辫子。
一般额定电流小于200A 的多为螺栓形晶闸管，大于200A 的多为平板形晶闸管。
由于螺栓形和平板形单向晶闸管的三个电极外部形状有很大的区别，因此可。
双向晶闸管(triac)说明
双向晶闸管(triac)说明引言双向晶闸管（Tr ia c）是一种用于交流电路的半导体器件。
它具有双向导通的特性，可以在正半周和负半周均实现导通，广泛应用于调光、速度控制、温度控制等领域。
本文将全面介绍双向晶闸管的结构、工作原理、特性以及应用。
一、双向晶闸管的结构双向晶闸管是一种四层P NP N结构的器件，由两个晶闸管串联组成。
它有三个电极：主端子M T1、M T2和门控端子G。
这些电极通过金属触点与P NP N结构连接。
二、双向晶闸管的工作原理1.双向导通当M T1和M T2之间施加正向电压时，两个晶闸管中的一个将进入导通状态，电流可以从MT1流向MT2，也可以从MT2流向M T1。
双向晶闸管因此可以实现双向导通。
2.门控信号双向晶闸管的工作状态由门控信号控制。
当门控端施加正脉冲电压时，晶闸管进入导通状态；当门控端施加负脉冲电压时，晶闸管进入关断状态。
3.触发方式的选择双向晶闸管可以通过两种方式触发：-零电压触发：只有在交流电压的绝对值为零时，才能实现双向晶闸管的导通。
触发方式简单，但对电压变化敏感，容易误触发。
-零电流触发：只有在电流为零时，才能实现双向晶闸管的导通。
它能够减少对电压变化的敏感度，更为可靠。
三、双向晶闸管的特性1.导通特性双向晶闸管具有低导通压降和高调制深度的特点。
在导通状态下，双向晶闸管的电压降低，从而减少了功耗；同时，它还具有较高的调制深度，可以实现更精确的控制。
2.关断特性双向晶闸管在关断状态下具有较高的绝缘耐压和快速关断能力。
在关断状态下，它可以有效地隔离电路，防止电流的回流。
3.温度特性双向晶闸管的导通能力随着温度的升高而改变。
在高温环境下，它的导通能力会降低，因此在实际应用中需要考虑散热措施。
四、双向晶闸管的应用双向晶闸管广泛应用于以下领域：1.调光控制：双向晶闸管可以通过控制导通时间来实现调光功能，被广泛应用于家庭照明和舞台灯光等领域。
2.电动工具调速：利用双向晶闸管的调光特性，可以实现电动工具的调速和输出功率控制。
中车晶闸管规格书
中车晶闸管规格书中车晶闸管规格书晶闸管是一种电子元件，被广泛应用于各种电力电子设备中。
作为世界领先的轨道交通装备和解决方案供应商，中国中车公司推出的晶闸管产品具有优异的性能和稳定的质量，备受行业和用户的信赖和青睐。
为了让用户更加直观地了解中车晶闸管产品的规格和参数，中车公司特别开发了晶闸管规格书，以下是该规格书的详细内容：1. 产品型号：中车晶闸管产品根据不同的应用场景和需求，分为多个型号，包括ZCT30DA、ZCT50DA、ZCT100DA等。
用户在选择晶闸管产品时，需要根据电气负载条件和工作环境来选择合适的产品型号。
2. 额定电压：晶闸管产品的额定电压是指在正常工作条件下，晶闸管产品所能承受的最大电压值，对于中车晶闸管产品而言，额定电压范围从30V到1600V不等。
3. 额定电流：晶闸管产品的额定电流是指在正常工作条件下，晶闸管产品所能承受的最大电流值，对于中车晶闸管产品而言，额定电流范围从10A到3000A不等。
4. 封装形式：晶闸管产品的封装形式是指晶闸管产品外壳的形状和尺寸，不同的封装形式适用于不同的应用场景和需求。
中车晶闸管产品的封装形式主要包括TO-247、TO-220、TO-126等多种封装形式。
5. 工作温度范围：晶闸管产品的工作温度范围是指晶闸管产品在正常工作条件下能够承受的温度范围，对于中车晶闸管产品而言，工作温度范围通常在-40℃至125℃之间。
6. 其他参数：晶闸管产品还有其他重要的参数，如控制电压范围、导通压降、绝缘电阻、贮存温度范围等。
中车晶闸管规格书中涵盖了全面、详细、准确的参数描述，用户在使用晶闸管产品时，可根据规格书的参数信息来进行选型和应用。
中车晶闸管规格书为用户提供了全方位的晶闸管产品信息和参数数据，是用户选择和应用中车晶闸管产品的重要参考资料。
作为中车公司晶闸管产品的一部分，规格书的发布也彰显了中车公司对用户的贴心和关怀。
晶闸管的类型及应用
晶闸管的类型及应用晶闸管（Thyristor）是一种半导体器件，是由四个层状结构的PNPN结构组成的，其中两个PN结为控制极，另外两个PN结为输出极。
常见的晶闸管有三个主要类型，分别为可控硅（SCR）、双向可控硅（Triac）和反向可控三极晶闸管（RCT）。
可控硅（SCR）是晶闸管的一种常见类型，它只允许电流在一个方向上流动。
当控制极施加一个正脉冲时，SCR被打开并允许电流通过，直到电流降至零或检测到负脉冲为止。
SCR具有非常高的电流承载能力和耐压能力，因此在高功率控制和电力系统应用中被广泛使用。
它们常用于电机调速、电压调节、充电电路等领域。
双向可控硅（Triac）是一种双向可控晶闸管，它可以在电流的正半周期和负半周期中都可以导通。
Triac可以用来控制交流电设备的功率，如调光器、热控器、电动工具等。
由于Triac具有双向导通性，它也可以用于交流电的改变相位控制。
反向可控三极晶闸管（RCT）是一种在一定的工作原理下使用的特殊晶闸管，它具有单向导通的特性。
在电流正半周期时，RCT工作状态与普通SCR相同，但在电流负半周期时，它会停止导通。
因此，RCT通常用于需要有选择地控制交流电流的电路，如液压泵控制、交流电弧焊机等。
晶闸管是半导体器件的一种，优点包括可靠性高、寿命长、易于控制，并且可承受高电流和高压。
因此，晶闸管在许多应用中都发挥了重要作用。
首先，晶闸管常用于交流电控制。
例如，通过对晶闸管的触发电压和触发角进行调整，可以精确地控制交流电的导通时间，从而实现交流电的调光、温度控制等功能。
其次，晶闸管广泛应用于电机控制。
通过晶闸管，可以实现电动机的调速和反转控制。
这在许多工业和家用设备中都有应用，如风扇、空调、洗衣机等。
此外，晶闸管还常用于直流变交流的逆变电路中。
逆变器将直流电转换为交流电，使得直流电源可以用于交流设备。
晶闸管的可控性和高电流承载能力使其成为逆变器的关键组件之一。
除此之外，晶闸管还有一些特殊应用。
晶闸管的极性判别
晶闸管的极性判别
单向晶闸管有阳极A阴极K控制极G三个引出脚。
只有当单向晶闸管阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时AK间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向晶闸管导通后，控制极G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向晶闸管继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时，单向晶闸管才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向晶闸管一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍须在控制极G和阴极K 间重新加上正向触发电压方可导通。
所以单向晶闸管的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
如果是大功率晶闸管，用肉眼即可判断出控制极，即外形最小的为控制极。
用万用表测量该极与其他两极，不通的是A极;相反,导通(虽然有电阻)的是K极。
如果不能根据外形判断，晶闸管的管脚判别可用下述方法:先用万用表RX1K挡(数字式万用表用二极管挡，且表棒与指针式万用表相反使用)测量三脚之间的阻值，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，该两脚分别为控制极和阴极，但尚不能判断出哪个是控制极，哪个是阴极，可以肯定的是所剩的一脚为阳极;再将万用表置于RX10K挡(数字式万用表仍用二极管挡,且表棒与指针式万用表相反使用)，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下
的一脚，若表针向右摆动，阻值读数为10Ω左右，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。
单向晶闸管HCN6C60
汕头华汕电子器件有限公司SiliconControlledRectifier对应国外型号 SCR6C60HCN6C60█ 主要用途单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。
█ 极限值（Tj=25℃）Tstg ——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃ Tj ——结温 …………………………………………………………-40~125℃ VDRM ——重复峰值断态电压 …………………………………………600V█ 外形图及引脚排列IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）……………………………… 6A IT(AV) ——平均通态电流（半正弦波，TC=111℃）…………………… 3.8AITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) ………………66AVRGM —反向峰值门极电压 ………………………………………………5V IFGM ——正向峰值门极电流 …………………………………………2.0A PGM——峰值门极功耗……………………………………………………5.0W█ 电参数（Tc=25℃）参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 VAK=VDRM 试 条 件IDRM重复峰值断态电流 10 200 uA uA V mA V V 20 2003.12 89Tc=25℃ Tc=125℃VTM IGT VGTVGD IH (dv/dt)c峰值通态电压(1) 门极触发电流(2) 门极触发电压(2) 门极不触发电压(1) 维持电流 最低电压上升率 热阻 热阻 0.21.6 15 1.5ITM=9A，tp=380usVAK =6V（DC）, RL=10 ohm Tc=25℃ VAK =6V（DC）, RL=10 ohm Tc=25℃ VAK =12V, RL=100 ohmTc=125℃ mA V/us℃/W ℃/W IT=100mA, 栅极开路Tc=25℃线 性 倾 斜 上 升 至 VD=VDRM 67%, 栅极开路,Tj=125℃ Rth(j-c) Rth(j-a) 结到外壳 结到环境汕头华汕电子器件有限公司SiliconControlledRectifier对应国外型号 SCR6C60HCN6C60█ 特性曲线图一、栅极特性 图二、最大外壳温度栅极电流(mA)最大允许外壳温度(°c)栅极电压(V)平均通态电流(A)图三、典型正向压降图四、热响应通态电流（A）通态电压（V）瞬态热阻（°c/W）时间（sec）图五、典型栅极触发电压----结温图六、典型栅极触发电流----结温结温（℃）结温（℃）汕头华汕电子器件有限公司SiliconControlledRectifier对应国外型号 SCR6C60HCN6C60█ 特性曲线图七、典型维持电流图八、功耗结温（℃）最大平均功耗（W）平均通态电流(A)注： 1、 2、 脉冲宽度等于 1.0ms, 占空因数小于等于 1% 测量时不包括 RGK 电流。
单向晶闸管原理
单向晶闸管原理晶闸管习惯上称可控硅(整流元件)，英文名为Silicon Controlled Rectifier，简写为SCR.这是一种大功率的半导体器件。
它既有单向导电的整流作用,又有可以控制的开关作用.利用它可用较小的功率控制较大的功率。
在交、直流电动机调速系统，调功系统，随动系统和无触点开关等方面均获得广泛的应用。
如图所示，它的外部有三个电极：阳极A、阴极C、控制极（门极）G。
与二极管不同的是当两端加上正向电压而控制极不加电压时，晶闸管并不导通，其正向电流很小，处于正向电流阻断状态；当加上正向电压，且控制极上（与阴极间）也加上一个正向电压时，晶闸管便进入导通状态，这时管压降很小（1V 左右），这时即使控制电压消失仍能保持导通状态。
所以控制电压没有必要一直存在。
通常采用脉冲形式, 以降低触发功耗。
它不具有自关断能力。
要切断负载电流,只有使阳极电流减小到维持电流以下,或加上反向电压实现关断。
若在交流回路中应用，当电流过零和进入负半周时，自动关断，为了使其再次导通, 必须重加控制信号。
二、双向控制开关晶闸管应用于交流电路控制时，如图所示，采用两个器件反并联，以保证电流能够沿正反两个方向流通。
如果把两只反并联的SCR 制作在同一块硅片上，便构成双向可控硅，控制极共用一个，使电路大大简化，其特性如下：控制极G 上无信号，A1，A2 之间呈高阻抗，管子截止。
V1.5V 时，不论极性如何，便可利用G 触发电流控制其导通。
A1A2 工作于交流电时，当每一半周交替时，纯电阻负载一般能够恢复截止；但在感性负载情况下，电流相位落后于电压。
电流过零，可能反向电压超过转折电压，使管子反向导通。
所以要求管子能够承受这种反向电压，而且一般要加上RC 吸收回路。
A1，A2。
无线电知识分享晶闸管之单向晶闸管（二十七）
无线电知识分享晶闸管之单向晶闸管（二十七）晶闸管也称可控硅，是一种能够像闸门一样控制电流大小的半导体器件。
因此，晶闸管具有开关控制、电压调整和整流等功能。
晶闸管的种类较多，强电电路采用的晶闸管主要有单向晶闸管和双向晶闸管两种。
晶闸管单向晶闸管也叫单向可控硅，它的英文缩写为SCR。
由于单向晶闸管具有成本低、效率高、性能可靠等优点，所以被广泛应用在开关控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源等电路中。
单向晶闸管的构成是由PNPN 4 层半导体构成，而它等效为2个三极管，它的3个引脚（电极）的功能分别是：G极为控制极（或称门极）、A极为阳极、K极为阴极。
单向晶闸管的结构、等效电路和电路符号如下图所示。
单向晶闸管它的基本特性是通过单向晶闸管的等效电路可知，单向晶闸管由一只NPN型三极管VT1和一只PNP型三极管VT2组成。
当单向晶闸管的A极和K极之间加上正极性电压时，它并不能导通，只有它的G 极有触发电压输入后，它才能导通。
这是因为单向晶闸管G极输入的电压加到VT1的基极，使它导通，它的集电极电位为低电平，致使VT2导通，此时VT2 集电极输出的电压又加到VT1的基极，维持VT1的导通状态。
因此，单向晶闸管导通后，即使G极不再输入导通电压，它也会维持导通状态。
只有使A极输入的电压足够小或为A、K极间加反向电压，单向晶闸管才能关断。
晶闸管整流上图所示是一种典型的晶闸管整流电路。
控制电路产生的矩形触发脉冲加到两个单向晶闸管VS1、VS2的G极。
当触发脉冲为高电平时，VS1、VS2导通，对变压器T输出的交流电压进行整流；当触发脉冲为低电平期间，VS1、VS2在交流电过零时截止。
这样，在触发脉冲的作用下VS1、VS2就可以完成整流工作。
另外，通过控制VS1、VS2的导通时间，就可以改变输出电压的大小。
单向晶闸管的特性及其参数
单向晶闸管的特性及其参数单向晶闸管的伏安特性曲线如图17-3 所示。
从特性曲线上可以看出它分五个区，即反向击穿区、反向阻断区、正向阻断区、负阻区和正向导通区。
大多数情况下，晶闸管的应用电路均工作在正向阻断和正向导通两个区域。
晶闸管A 、K 极间所加的反向电压不能大于反向峰值电压，否则有可能使其烧毁。
单向晶闸管的上述特性，可以用以下几个主要参数来表征。
①额定平均电流IT: 在规定的条件下，晶闸管允许通过的50Hz 正弦波电流的平均值。
②正向转折电压VBO : 是指在额定结温及控制极开路的条件下，在阳极和阴极间加以正弦技半波正向电压，使其由关断状态发生正向转折变为导通状态时所对应的电压峰值。
③正向阻断峰值电压VDRM: 定义为正向转折电压减去100V后的电压值。
④反向击穿电压VBR : 是指在额定结温下，阳极和阴极间加以正弦波反向电压，反向漏电流急剧上升时所对应的电压峰值。
⑤反向峰值电压VRRM:定义为反向击穿电压减去100V后的电压值。
⑥正向平均压降VT : 是指在规定的条件下，当通过的电流为其额定电流时，晶闸管阳极、阴极间电压降的平均值。
⑦维持电流IH: 是指维持晶闸管导通的最小电流。
⑧控制极触发电压VGT和触发电流lGT: 在规定的条件下，加在控制极上的可以便晶闸管导通的所必需的最小电压和电流。
⑨导通时间tgt(ton): 从在晶闸管的控制极加上触发电压VGT 开始到晶闸管导通，其导通电流达到90% 时的这一段时间称为导通时间-⑩关断时间tg ( toff) :从切断晶闸管的正向电流开始到控制极恢复控制能力的这一段时间称为关断时间。
此外，晶闸管还有一些其他参数.例如，为了使晶闸管能可靠地触发导通，对加在控制极上的触发脉冲宽度是有一定要求的;为使晶闸管能可靠地关断，对晶闸管的工作频率也有一定的规定;为避免晶闸管损坏，对控制极的反向电压也有一定的要求。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数之五兆芳芳创作(1) 断态不重复峰值电压UDSM门极开路时，施加于晶闸管的阳极电压上升到正向伏安特性曲线急剧转折处所对应的电压值UDSM .它是一个不克不及重复，且每次持续时间不大于10ms的断态最大脉冲电压. UDSM值应小于转折电压Ub0.(2) 断态重复峰值电压UDRM晶闸管在门极开路而结温为额外值时，允许重复加于晶闸管上的正向断态最大脉冲电压.每秒50次每次持续时间不大于10ms，规则UDRM为UDSM的90%.(3) 反向不重复峰值电压URSM门极开路，晶闸管承受反向电压时，对应于反向伏安特性曲线急剧转折处的反向峰值电压值URSM.它是一个不克不及重复施加且持续时间不大于10ms的反向脉冲电压.反向不重复峰值电压URSM应小于反向击穿电压.(4) 反向重复峰值电压URRM晶闸管在门极开路而结温为额外值时，允许重复加于晶闸管上的反向最大脉冲电压.每秒50次每次持续时间不大于10ms.规则URRM为URSM的90%.(5) 额外电压UR断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM两者中较小的一个电压值规则为额外电压UR.在选用晶闸管时，应该使其额外电压为正常任务电压峰值UM的2~3倍，以作为平安裕量.(6)通态峰值电压UTM规则为额外电流时的管子导通的管压降峰值.一般为1.5~2.5V，且随阳极电流的增加而略为增加.额外电流时的通态平均电压降一般为1V左右.(7) 通态平均电流IT(AV）在情况温度为+40℃和规则的散热冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载的单相、工频正弦半波导电，结温稳定在额外值125°时，所允许通过的最大电流平均值.——允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值.选用一个晶闸管时，要按照所通过的具体电流波形来计较出容许使用的电流有效值，该值要小于晶闸管额外电流对应的有效值.晶闸管才不会损坏.设单相工频正弦半波电流峰值为Im时通态平均电流为：正弦半波电流有效值为：有效值与通态平均电流比值为：则有效值为：按照有效值相等原则来计较晶闸管的额外电流.若电路中实际流过晶闸管的电流有效值为I，平均值Id，定义波形系数： 则由于晶闸管的热容量小，过载能力低，因此在实际选择时，一般取1.5~2倍的平安系数，(8) 维持电流IH (针对关断进程)——是指晶闸管维持导通所必须的最小电流.一般为几十到几百毫安.维持电流与结温有关，结温越高，维持电流越小，晶闸管越难关断.(9) 断态电压临界上升率du/dt——电压上升率过大，就会使晶闸管误导通.——指在额外结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率.(10) 通态电流临界上升率di/dt——如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏 f dI K I。
晶闸管的主要电参数
晶闸管的主要电参数晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
(一)晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下，在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K(或T1、T2)极间最大的峰值电压。
此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
(三)晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。
(四)反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。
此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
(六)晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
(七)晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V 左右。
(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。
晶闸管的电路符号和图片识别
之杨若古兰创作晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，之前被简称为可控硅.它是由PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G，晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛利用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中.可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,而且不象继电器那样控制时有火花发生,而且动作快、寿命长、可靠性好.在调速、调光、调压、调温和其他各种中都有它的身影.可控硅分为单向的和双向的,符号也分歧.单向可控硅有三个PN 结,由最外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由两头的P极引出一个控制极.一、晶闸管的品种晶闸管有多种分类方法.（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种.（二）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管.（三）按封装方式分类晶闸管按其封装方式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三品种型.其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种.（四）按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种.通常，大功率晶闸管多采取金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采取塑封或陶瓷封装.（五）按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管.二：晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反朝阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断形态.2. 晶闸管承受正朝阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通.3. 晶闸管在导通情况下，只需有必定的正朝阳极电压，不管门极电压如何，晶闸管坚持导通，即晶闸管导通后，门极失去感化.4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断.三：晶闸管的电路符号。
可控硅单相
可控硅单相
可控硅单相
一、简介
可控硅单相（SCR）是一种电子控制元件，它是一种可控硅，它可以控制大电流，大电压，大功率的电路，并通过触发信号的改变来控制电路的开关。
可控硅单相的触发信号可以是电压或电流，其电压范围一般为0-10V，电流范围一般为0.2mA-2mA。
二、工作原理
可控硅单相是一种“晶闸管”，它由一个电阻和一个可控硅构成。
当外部信号（电压或电流）输入到可控硅电极时，可控硅就会打开，通过电阻，外部电路的电流就可以流过可控硅，从而控制外部电路的开关。
三、应用
1、可控硅单相可以应用于驱动电机，控制灯的可调光和调速，调节加热器的温度，改变发电机的频率，控制通信设备的信号输出等。
2、可控硅单相还可以用于家用电器，如电洗衣机、电视机、加热器等。
3、可控硅可以用于汽车中的控制系统，可以调节发动机的转速。
4、可控硅单相可以用于温控器件，它可以控制温控器件的电流，从而控制空调的温度。
四、优点
1、可控硅单相具有良好的可靠性，可以长时间工作，并且能够
精确控制电路的开关。
2、可控硅单相具有更好的热稳定性，可以在高温下工作，具有更高的可靠性。
3、可控硅单相具有较低的消耗功率，可以节省能源，降低成本。
4、可控硅单相具有快速的响应时间，可以快速控制电路的开关。
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█ 主要用途
单向可控硅, 用于继电器与灯控制、小型马达控制、较大晶闸管的门极 驱动、传感与检测电路等
对应国外型号 SCN2C60,MCR22-8
█ 极限值（Ta=25℃）
Tstg ——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃ Tj ——结温 …………………………………………………………-40~125℃ VDRM ——重复峰值断态电压…………………………………………… 600V IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）…………………………… 1.5A IT(AV) ——平均通态电流（半正弦波，TC=45℃）…………………… 1.0A
█ 外形图及引脚排列
ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 15A
VRGM —反向峰值门极电压 ………………………………………………5V IFGM ——正向峰值门极电流 ……………………………………………1.0A PGM——峰值门极功耗……………………………………………………2W
█ 电参数（Ta=25℃）
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件
IDRM
重复峰值断态电流 10 200 uA uA V uA V 0.8 1.2
VAK=VDRM, RKG=1000 ohm Ta=25℃ Ta=125℃
VTM IGT
峰值通态电压（1） 门极触发电流（2）
1.2
1.7 200 500
ITM=3.0A, 峰值
VAK =6V, RL=100 ohm Ta=25℃
Ta=-40℃
VAK =6V, RL=100 ohm Ta=25℃
VGT
门极触发电压（2）
Ta=-40℃ V mA
VAK =12V, RL=100 ohm
VGD
门 极 不 触 发 电 压 0.2 （1） 维持电流 2 5 10
50.0 160
Ta=125℃
VAK =12V，门极开路 Ta=25℃
IH
Ta=-40℃
℃/W ℃/W
Rth(j-c) Rth(j-a)
热阻 热阻
结到外壳 结到环境
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对应国外型号
SCN2C60,MCR22-8
HCR2C60
█ 特性曲线
图一、栅极特性 图二、最大外壳温度
栅极电流(mA)
最大允许外壳温度(°c)
栅极电压(V)
平均通态电流(A)
图三、典型正向压降
图四、热
响
应
通态电流（A）
通
态
电
压（V）
瞬态热阻（°c/W）
时
间（sec）
图五、典型栅极触发电压----结温
图六、典型栅极触发电流----结温
结
温（℃）
结
温（℃）
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对应国外型号 SCN2C60,MCR22-8
HCR2C60
█ 特性曲线
图七、典型维持电流 图八、功
耗
结
温（℃）
最大平均功耗（W）
平均通态电流(A)
注： 1、 2、 脉冲宽度等于 1.0ms, 占空因数小于等于 1% 测量时不包括 RGK 电流
。