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MOS管封装分析报告

MOS管封装分析报告（含主流厂商封装）在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。

该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。

而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。

封装的重要性不言而喻。

MOS管封装分类按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。

插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。

常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。

插入式封装表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。

典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。

表面贴装式封装随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。

1、双列直插式封装(DIP)DIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDIP(Shrink DIP)，即紧缩双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。

DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式)等。

DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。

但由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差;同时由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个，因此在电子产业高度集成化过程中，DIP封装逐渐退出了历史舞台。

mos管封装技术

mos管封装技术
以下是常见的mos管封装技术：
1.D-PAK（Dual Package-Axial Leaded Package）：是一种常见的封装形
式，用于中等功率和高功率的应用。

D-PAK的管脚间距通常为2.54毫米，管脚数量可以从3到8个不等。

这种封装形式的优点是易于安装和散热性能良好。

2.SOT（Small Outline Transistor）：是一种小型封装形式，常用于低功率
应用。

SOT的管脚间距通常为1.27毫米，管脚数量可以从2到6个不等。

这种封装形式的优点是体积小、重量轻、价格低。

3.SOP（Small Outline Package）：是一种中等到大型封装形式，常用于高
功率应用。

SOP的管脚间距通常为1.27毫米或2.54毫米，管脚数量可以从4到10个不等。

这种封装形式的优点是易于安装、散热性能良好、可以容纳较大的芯片。

4.TO（Transistor Outline）：是一种常见的封装形式，用于各种功率的应
用。

TO的管脚间距通常为1.27毫米或2.54毫米，管脚数量可以从2到8个不等。

这种封装形式的优点是易于安装、散热性能良好、价格低。

常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE IRF440500V8A125W**NMOS场效应MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF230200V9A79W**NMOS场效应MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE BUZ20100V12A75W**NMOS场效应MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应DISCRETE BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPNDISCRETE2SC4517550V3A30W**NPNMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPNDISCRETE2SC4297500V12A75W**NPNMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPNDISCRETE2SC4242450V7A40W**NPNMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPNDISCRETE2SC41191500V15A250W**NPNMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPNDISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPNMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPNMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPNMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPNDISCRETE2SC39971500V15A250W**NPNMOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPNMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPN DISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPNMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPN DISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPNMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPNDISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPNMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN DISCRETE2SC3783900V5A100W**NPNMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPNMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPNDISCRETE2SC3679900V5A100W**NPNMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPNDISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPNMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPNDISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPNMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPNDISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPNMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPNMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPNDISCRETE2SC3300100V15A100W**NPNMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPNDISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPNMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPNMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPNMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN DISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPNMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPNDISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPNMOS FET IRFU410A 500V I-PAK2SC38035V0.03A0.25W**NPNDISCRETE2SC10660V1.5A15W**NPNMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿DISCRETE2SB1429180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ20A TO-2202SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿DISCRETE2SB137560V3A2W**PNPMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-2202SB133580V4A30W**PNPDISCRETE2SB1317180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ30 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-2202SB124340V3A1W*70MHZPNPDISCRETE2SB124040V2A1W*100MHZPNPMOS FET IRFZ40 TO-2202SB123880V0.7A1W*100MHZPNPDISCRETE2SB118560V3A25W*75MHZPNPMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-2202SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿DISCRETE2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F2SB83460V3A30W**PNPDISCRETE2SB817160V12A100W**PNPMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F2SB77240V3A10W**PNPDISCRETE2SB74470V3A10W**PNPMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-2202SB73460V1A1W**PNPDISCRETE2SB688120V8A80W**PNPMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-2202SB67560V7A40W**PNP(达林顿DISCRETE2SB66970V4A40W**PNP(达林顿MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB649180V1.5A1W**PNPMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-2202SB647120V1A0.9W*140MHZPNPDISCRETE2SB44950V3.5A22W**PNPMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-2202SA1943230V15A150W**PNPDISCRETE2SA1785400V1A1W*140MHZPNPMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-2202SA1668200V2A25W*20MHZPNPDISCRETE2SA1516180V12A130W*25MHZPNPMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-2202SA1494200V17A200W*20MHZPNP DISCRETE2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-2202SA1358120V1A10W*120MHZPNPDISCRETE2SA1302200V15A150W**PNPMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK2SA1301200V10A100W**PNPDISCRETE2SA1295230V17A200W**PNP MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK2SA1265140V10A30W**PNP DISCRETE2SA1216180V17A200W**PNP MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK2SB649180V1.5A1W**PNPDISCRETE2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F2SB44950V3.5A22W**PNP DISCRETE2SA1943230V15A150W**PNP MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F2SA1785400V1A1W*140MHZPNPDISCRETE2SA1668200V2A25W*20MHZPNP MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK2SA1516180V12A130W*25MHZPNPDISCRETE2SA1494200V17A200W*20MHZPNP MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPDISCRETE2SA1358120V1A10W*120MHZPNP MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP2SA1302200V15A150W**PNP DISCRETE2SA1301200V10A100W**PNP MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP2SA1295230V17A200W**PNPDISCRETE2SA1265140V10A30W**PNP MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P2SA1216180V17A200W**PNP DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P如有出入请明示,争取完善、正确!功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型 *PNP(达林顿）功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型。

mos管封装类型

mos管封装类型MOS管封装（Metal-OxideSemiconductor）是一种常见的集成电路封装，它由多层金属薄膜和夹紧材料组成，通常用于集成电路芯片以及磁性头印刷电路板（PCB）上的元件、部件和其他元件的封装。

封装的主要功能是使电路板上的元件可靠地与外部电路连接，并且结构上做到密封和降低散热发热量。

MOS管封装类型有很多种，它们的形状大小正方形、圆形和多边形，像普通的条形芯片封装一样，可以根据用户的需求进行定制。

MOS 封装类型最常用的部分包括：1. TO-92(三脚插件)：采用单一的外部封装，由一个半圆型的框、三个螺纹芯和一个型号定义的热焊接销组成，用于引出元件的脚。

2. TO-220（四脚插件）：标准封装，主要用于高功率、高热量保护元件。

它由一个椭圆形框、两个螺纹芯和两个焊接螺丝组成，设计用于引出元件的四个腿。

3. DIP（双列插件）：具有较低的均匀度，以及可以容纳电极管或其他封装类型的不同组件，是最常用的组件封装产品。

它由垂直双列引线，金属支架和型号定义的焊接钉组成，可供引出数字IC的脚位。

4. SOT-23（双列型）：双列型封装，3脚和5脚型，结构紧凑，空间小，提供一个紧凑而密封的方案，有助于降低功耗，而且可以采用多种技术来封装多达8个引脚。

5. SMD（小型管件）：表面贴装的封装，包括全封装、框架和附件等，适用于普通的表面贴装元件，它们的外形要求较为严格，可以进行更大规模的封装。

MOS管封装的优势在于其表面贴装的技术，能够实现紧凑的外形、高密度的封装，并可以采用机械装配以及自动安装，这有助于降低产品生产成本，提高生产效率，并且它们可以通过良好的电气特性，实现自动测试和自动贴装，更好地提高了制造质量和可靠性。

此外，MOS管封装与其他封装相比，还具有其他优点，例如具有较高的热稳定性，可以有效降低因应用程序的温度变化而导致的失效，而且可以使用金属支架有效减少封装温度和震动的影响，从而比其他封装类型更加高效地传输热量。

mos管封装类型

mos管封装类型
MacOS管封装类型有以下几种：
1. PVC管封装：PVC管封装是使用聚氯乙烯（PVC）制成的管封装，具有良好的耐腐蚀性，耐温性和耐腐蚀性，常用于水处理、空气净化和污水处理等应用。

2. 聚氯乙烯（PVC）管封装：聚氯乙烯（PVC）管封装是使用聚氯乙烯（PVC）制成的管封装，具有良好的耐腐蚀性，耐温性和耐腐蚀性，常用于水处理、空气净化和污水处理等应用。

3. 硅胶管封装：硅胶管封装是使用硅胶制成的管封装，具有良好的耐温性和耐腐蚀性，常用于电子行业、医疗设备、汽车行业等应用。

4. 聚四氟乙烯（PTFE）管封装：聚四氟乙烯（PTFE）管封装是使用聚四氟乙烯（PTFE）制成的管封装，具有良好的耐温性、耐腐蚀性和抗氧化性，常用于石油化工、化学制药、食品加工等行业应用。

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料常用的全系列场效应管MOS管型号参数封装资料有很多，以下是一些常见的型号和参数封装资料：1.IRF3205IRF3205是一种常见的N沟道MOSFET管，栅极电压为20V，漏极电流为110A，最大功耗为200W，电阻为8mΩ。

2.IRF4905IRF4905是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为55V，漏极电流为74A，最大功耗为200W，电阻为0.02Ω。

3.IRF540NIRF540N是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为33A，最大功耗为150W，电阻为0.077Ω。

4.IRF520IRF520是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为9.2A，最大功耗为75W，电阻为0.27Ω。

5.IRLB3034PBFIRLB3034PBF是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为40V，漏极电流为195A，最大功耗为200W，电阻为1.4mΩ。

6.IRL540IRL540是一种N沟道MOSFET管，栅极电压为100V，漏极电流为28A，最大功耗为150W，电阻为0.05Ω。

这些型号的MOSFET管通常都具有三个主要的参数，即栅极电压（Vgs），漏极电流（Id），以及最大功耗（Pd）或电阻（Rds(on)）。

栅极电压指的是在正常操作时栅极和源极之间的电压，超过这个电压可能会损坏器件。

漏极电流指的是从漏极流出的最大电流，超过这个电流可能会损坏器件。

最大功耗或电阻指的是在正常操作时器件能够承受的最大功耗或电阻。

此外，还有一些其他的参数可以帮助选择合适的MOSFET管，例如电流增益（hfe）和恢复时间（tr、tf）。

电流增益是指当栅极电压变化时，漏极电流的变化率。

恢复时间指的是从开关状态到非开关状态的时间。

这些型号的封装通常包括TO-220、TO-262、D2PAK、TO-247等。

每种封装都有其自身的特点和适用范围，需要根据具体的应用来选择合适的封装。

贴片dfn封装mos管晶圆构造

贴片dfn封装mos管晶圆构造
贴片DFN（Dual Flat No-lead）封装是一种表面贴装技术，常用于MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的封装。

下面是贴片DFN 封装MOS管晶圆的构造。

1. 晶圆选择：首先选择适合MOS管生产的硅晶圆。

晶圆的直径通常为8英寸或12英寸，具有稳定的晶格结构和高纯度的硅材料。

2. 清洗和去除杂质：将晶圆进行清洗，去除表面的杂质和污染物。

这可以通过浸泡在酸碱溶液中、超声波清洗等方法实现。

3. 管芯制备：在净化后的晶圆表面沉积一层氧化硅（SiO2），形成绝缘层。

然后，在绝缘层上使用光刻技术定义出MOS管的形状，并利用化学腐蚀或离子注入技术控制区域的电性。

4. 金属电极制备：通过光刻技术，在MOS管的上方和下方分别形成源极和漏极电极的金属层。

通常使用铝或铜作为电极材料，通过蒸发或溅射方法在晶圆上沉积金属。

5. 通孔和接触制备：使用光刻技术，在绝缘层上刻蚀出通孔和接触孔。

这些孔将用于连接管芯和外部元件的引脚。

6. 封装：完成MOS管的构造后，将晶圆切割成单个芯片。

然后，将每个芯片放置在DFN封装的基板上，并使用微焊技术将芯片与基板连接。

最后，使用环氧树脂或其他封装材料覆盖芯片和基板，以提供保护和机械强度。

7. 测试和质量控制：对封装好的MOS管进行功能测试和性能评估。

确保其符合设计规格和可靠性要求。

以上是贴片DFN封装MOS管晶圆的一般构造过程。

该封装形式具有体积小、重量轻、引脚密集等优势，适用于高密度集成电路的应用。

MOS管(金属氧化物半导体场效应管)的封装结构

MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的封装结构MOS管（金属氧化物半导体场效应管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的封装结构一般采用以下几种形式：
1.TO封装（Tin-Can Outline Package）：这是一种传统的封装形
式，外观类似金属罐。

TO封装通常具有3个引脚，通过引脚与电路进行连接。

MOS管内部的芯片被放置在金属罐体内，并通过引脚与外部电路连接。

2.DIP封装（Dual Inline Package）：DIP封装是一种常见的直插
式封装形式。

它通常包含了两排引脚，引脚与MOS管内部芯片相连。

DIP封装的主要优点是容易安装和替换。

3.SMD封装（Surface Mount Device Package）：SMD封装是一
种表面贴装封装形式，常用于表面贴装技术（SMT）的电子设备制造中。

SMD封装通常具有平面外形，方便在PCB （Printed Circuit Board）上进行组装。

常见的SMD封装类型包括SOIC、QFN和QFP等。

4.Power Package（功率封装）：功率MOS管通常需要具备较大
的功率承受能力和散热性能，因此采用特殊的功率封装结构。

常见的功率封装形式包括TO-220、TO-247和D2PAK等，具有较大的引脚和散热片。

常用全系列场效应管_MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1)DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE IRF440500V8A125W**NMOS场效应MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE IRF230200V9A79W**NMOS场效应MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应DISCRETE BUZ20100V12A75W**NMOS场效应MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应DISCRETE BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPNDISCRETE2SC4517550V3A30W**NPNMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPNDISCRETE2SC4297500V12A75W**NPNMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPNDISCRETE2SC4242450V7A40W**NPNMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPNDISCRETE2SC41191500V15A250W**NPNMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPNDISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPNMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPNMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPNMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPNDISCRETE2SC39971500V15A250W**NPNMOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿) DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPNMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPN DISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPNMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPNDISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPNMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPNDISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPNMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPNDISCRETE2SC3783900V5A100W**NPNMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPNMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPNDISCRETE2SC3679900V5A100W**NPNMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPNDISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPNMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPNDISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPNMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPNDISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPNMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPNMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPNDISCRETE2SC3300100V15A100W**NPNMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPN DISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPNMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPNMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPNMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPNDISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPNMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPNDISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPNMOS FET IRFU410A 500V I-PAK2SC38035V0.03A0.25W**NPNDISCRETE2SC10660V1.5A15W**NPNMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿）DISCRETE2SB1429180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ20A TO-2202SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿）DISCRETE2SB137560V3A2W**PNPMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-2202SB133580V4A30W**PNPDISCRETE2SB1317180V15A150W**PNPMOS FET IRFZ30 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿）MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-2202SB124340V3A1W*70MHZPNPDISCRETE2SB124040V2A1W*100MHZPNPMOS FET IRFZ40 TO-2202SB123880V0.7A1W*100MHZPNPDISCRETE2SB118560V3A25W*75MHZPNPMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-2202SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿）DISCRETE2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿）MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F2SB83460V3A30W**PNPDISCRETE2SB817160V12A100W**PNPMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F2SB77240V3A10W**PNPDISCRETE2SB74470V3A10W**PNPMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-2202SB73460V1A1W**PNPDISCRETE2SB688120V8A80W**PNPMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-2202SB67560V7A40W**PNP(达林顿）DISCRETE2SB66970V4A40W**PNP(达林顿）MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系DISCRETE2SB649180V1.5A1W**PNPMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-2202SB647120V1A0.9W*140MHZPNPDISCRETE2SB44950V3.5A22W**PNPMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-2202SA1943230V15A150W**PNPDISCRETE2SA1785400V1A1W*140MHZPNPMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-2202SA1668200V2A25W*20MHZPNPDISCRETE2SA1516180V12A130W*25MHZPNPMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-2202SA1494200V17A200W*20MHZPNPDISCRETE2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNPMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-2202SA1358120V1A10W*120MHZPNPDISCRETE2SA1302200V15A150W**PNPMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK2SA1301200V10A100W**PNPDISCRETE2SA1295230V17A200W**PNP MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK2SA1265140V10A30W**PNP DISCRETE2SA1216180V17A200W**PNP MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK2SB649180V1.5A1W**PNP DISCRETE2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F2SB44950V3.5A22W**PNP DISCRETE2SA1943230V15A150W**PNP MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F2SA1785400V1A1W*140MHZPNP DISCRETE2SA1668200V2A25W*20MHZPNP MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK2SA1516180V12A130W*25MHZPNP DISCRETE2SA1494200V17A200W*20MHZPNP MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNP DISCRETE2SA1358120V1A10W*120MHZPNP MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP2SA1302200V15A150W**PNP DISCRETE2SA1301200V10A100W**PNP MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP2SA1295230V17A200W**PNP DISCRETE2SA1265140V10A30W**PNP MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P2SA1216180V17A200W**PNP DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3PDISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3PDISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P)如有出入请明示，争取完善、正确！放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型林顿）放大系数特征频率管子类型放大系数特征频率管子类型。

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列：IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管，具有低电源电流和高开关速度特点，可以工作在高频率下。

常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。

-IRF540N参数：导通电阻：0.077Ω最大耗散功率：150W最大漏电流：50μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：49nC-IRF840参数：导通电阻：0.85Ω最大耗散功率：125W最大漏电流：10μA最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：90nC-IRF3205参数：导通电阻：8mΩ最大耗散功率：110W最大漏电流：250μA最大栅源电压：20V最大漏源电压：55V最大栅极电荷：75nC2.IRFP系列：IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合高频率下的应用。

常用的封装有TO-247、TO-3P等。

-IRFP250N参数：导通电阻：0.095Ω最大耗散功率：200W最大漏电流：250μA最大栅源电压：100V最大漏源电压：200V最大栅极电荷：73nC-IRFP460参数：导通电阻：0.27Ω最大耗散功率：180W最大栅源电压：500V最大漏源电压：500V最大栅极电荷：123nC3.IRL系列：IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管，具有低导通电阻和高开关速度特点，适合低电平驱动电路。

常用的封装有TO-220、D2-Pak等。

-IRL540N参数：导通电阻：0.054Ω最大耗散功率：120W最大漏电流：50μA最大栅源电压：55V最大漏源电压：100V最大栅极电荷：32nC-IRL3713参数：导通电阻：7.5mΩ最大耗散功率：60W最大漏电流：50μA最大栅源电压：20V最大栅极电荷：20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍，不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景，用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。

TOP252-262系列封装区分

3.。

控制引脚电压VC是控制电路（包括MOSFET栅极驱动在内）的供电电压。

应在控制极及源极引供瞬时栅极驱动电流。

连接到控制脚的所有电容也用于设定自动重启动定时，同时用于环路补偿注意：1.P、G和M封装以及TOP259-261 Y封装在全频PWM模式下只能以66 kHz开关频率工作。

2.在TOP254-258 Y、E封装中，频率引脚(F)与源极相连时全频PWM模式下的开关频率设置为132 频率减半为66 kHz。

此引脚最好不要悬空。

相同管脚功能同上。

X:外部流限调节和远程部流限(X)引脚功能于一体。

是过压(OV)、欠脚则开关频率为6 6 kHz 。

P、G和M封装以及管脚P (DIP-8C)E (eSIP-7C),L同E 类型G (SMD-8C)D,S,C,M D,S,C,X,V,G 以66 kHz开关频率工作。

D,S,C,X,V,F 相同管脚功能如上。

G:信号接地引脚(G)（仅相同管脚功能如上。

F:如果连接到源极引脚使用一个信号接地(G)引脚替换了F引脚（TO Y (TO-220-7C)D,S,C,X,V,F相同管脚功能同上。

TOP254---TOP258Y (TO-220-7C)，E TOP系列封装压(OV)、欠压(UV)、降低DCMAX的线电压前馈和器件重置的输入引脚。

D,S,C,X,VM (SDIP-10C)输出过压保护(OVP)、外部流限调节、远程开D,S,C,M 功能D:MOS管漏极。

S:MOS管源级。

C:MOS管控制级相同管脚功能同上。

功能控制级。

M:引脚集Y封装的电压监测(V)及外V)、欠压(UV)、降低DCMAX的线电压前馈、远程开／关和器件重置的输入引脚。

和远程开／关控制的输入引脚。

V:是过压压前馈、输出过压保护(OVP)、远程开／关G)（仅限TOP259YN、TOP260YN和TOP261YN）脚（TOP259-261YN的开关频率固定在66kHz）极引脚则开关频率为132 kHz，连接到控制引装以及TOP259YN、TOP260YN和TOP261YN只能为132 kHz的缺省值。

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220DISCRETEMOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3PDISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAKDISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAKDISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220FDISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAKDISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAKDISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220FDISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220FDISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAKDISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAKDISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAKDISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220FDISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220FDISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAKDISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOPDISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOPDISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOPDISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3PDISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3PDISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3PDISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAKDISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAKDISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAKDISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P)DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P)DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220FDISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P)。

MOS管的引脚，G、S、D分别代表什么？

MOS管的引脚，G、S、D分别代表什么？
MOS管是电路设计中常用的功率开关器件，是压控型的，有三个电极，分别是：栅极G、源极S、漏极D。

MOS管分为NMOS和PMOS，其电路符号如下图所示。

栅极G
MOS管的栅极G是控制端，名字为gate，在G端加入高低电平即可控制MOS管的开断。

对于NMOS而言，要求Vgs>0时，MOS 管导通，否则MOS关断；对于PMOS而言，要求Vgs<>
源极S
源极，名字为Source，简称S。

对NMOS而言，源极S是流出端，对PMOS而言，源极S是流入端。

漏极D
漏极，名字为Drain，简称D。

对NMOS而言，漏极D是流入端，对PMOS而言，源极S是流出端。

MOS管常用的封装有TO-220,TO-263,SOT23等，一般从左往右的顺序为G、S、D，对于具体的芯片大家可以查阅其datasheet。

2302(MOS管封装资料)中文版

20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
电特性
参数
符号
测试条件
静电
漏源击穿电压漏源电阻
BVDSS RDS(on)
VGS = 0V, ID = 250uA VGS = 4.5V, ID = 2.8A VGS = 2.5V, ID = 2.0A
栅极阈值电压栅源短路时，漏极电流漏极短路时截止栅电流漏源二极管
0.079
0.022 REF.
0.012
0.020
0°
8°
第3页共3页
典型
-40.0 50.0 0.7
---
--
最大
单位
--
V
60.0 mΩ
70.0
1.2
V
1
uA
±100
nA
1.3
V
V DD
S wi tc h in g
V IN
Test Circuit
RD D
V OU T
S wi tc hi ng Waveforms td (o n)
to n
tr
td (o ff )
9 0%
2302(文件编号：S&CIC0799)
20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
符号
A A1 A2 b c D E E1 e e1 L L1 θ
毫米
最小
最大
0.900
1.150
0.000
0.100
0.900
1.050
0.300
0.500
0.080
0.150
2.800
3.000
1.200
1.400
2.250
VGS(th) IDSS IGSS

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料场效应管（MOS管）是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。

在设计和选择MOS管时，我们通常需要考虑一些参数，如型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。

下面是一些常用的全系列MOS管型号参数封装资料：1.型号：MOS管有许多不同的型号，每个型号都有不同的特性和应用场景。

常见的MOS管型号有IRF44N、IRFP22N、IRF520N等。

2.封装形式：MOS管的封装形式有多种，常见的封装形式有TO-220、TO-247、DPAK、SOT-23等。

不同的封装形式适用于不同的应用场景，如TO-220适用于高功率应用，SOT-23适用于小功率应用等。

3.工作电压：MOS管的工作电压范围是选择MOS管时需要注意的一个重要参数。

常见的工作电压范围有10V、30V、60V、100V等。

4.电流：MOS管的电流处理能力也是一个重要的参数。

通常以最大电流（ID）来表示，最大电流是指在特定的工作条件下，MOS管能够承受的最大电流。

常见的最大电流有1A、5A、10A、20A等。

5.功率：MOS管的功率参数也需要考虑，在一定的工作电压和电流下，MOS管能够承受的最大功率是通过最大电流和额定工作电压计算得出的。

常见的功率参数有10W、50W、100W等。

6.频率特性：MOS管的频率特性也是一个重要的参数，表示MOS管在特定频率下的响应能力。

常见的频率特性有数十kHz、数百kHz、MHz等。

综上所述，常用全系列MOS管型号参数封装资料包括型号、封装形式、工作电压、电流、功率、频率特性等。

在选择MOS管时，我们需要根据具体的应用场景和需求，综合考虑这些参数，并选择最适合的型号和封装形式。

通过合理选择和使用MOS管，可以有效地满足电路设计和应用需求。

工程师常用mos管封装及图片

MOS管简介MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。

因此，MOS管有时被称为场效应管。

在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。

而在板卡上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位。

MOS管的作用是什么MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用。

目前板卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。

由于MOS 管主要作用是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、GPU和插槽等附近。

MOS 管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。

MOS管封装形式MOSFET芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。

MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。

按照安装在PCB方式来区分，MOS管封装主要有两大类：插入式（Through Hole）和表面贴装式（Surface Mount）。

插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。

表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。

常见的插入式封装MOSFET典型的表面贴装式封装MOSFET随着技术的革新与进步，主板和显卡的PCB板采用直插式封装的MOSFET越来越少了，而多改用表面贴装式封装的MOSFET。

故而本文中重点讨论表面贴装式封装MOSFET，并从MOS管外部封装技术、MOS管内部封装改进技术、整合式DrMOS、MOSFET发展趋势和MOSFET实例讲解等进行详细介绍。

MOS管外部封装-标准封装形式概览MOS管外部封装-标准封装形式概览下面我们对标准的封装形式进行如下简要的介绍。

场效应管封装说明

场效应管封装说明一、封装类型场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）封装类型根据其应用场景和性能需求有多种类型，常见的主要包括：TO-220：一种常见的封装类型，适用于大部分电力电子应用。

TO-92：一种较小的封装类型，常用于小型电子设备中。

SIP/DIP：这些是引脚插入式封装，适用于需要更高可靠性的应用。

扁平封装（Surface Mount，简称SMT）：适用于高密度装配和空间受限的应用。

二、引脚定义场效应管的引脚定义通常会根据不同的封装类型而有所不同。

一般来说，场效应管的引脚定义包括以下三个引脚：源极（Source）：场效应管的控制栅极（Gate）与源极相连。

栅极（Gate）：通过施加电压来控制源极和漏极之间的通断。

漏极（Drain）：与源极相对，形成场效应管的电流通道。

三、尺寸参数场效应管的尺寸参数主要取决于其封装类型和应用需求。

主要的尺寸参数包括：封装尺寸：这包括封装体的长、宽和高的尺寸。

引脚间距：引脚之间的距离，对于插针式封装，通常为2.54mm（1/16英寸）或1.0mm（1/32英寸）。

引脚长度：插针式封装的引脚从封装顶部到插孔的距离。

四、电气特性场效应管的电气特性主要包括以下几个方面：电流-电压特性（Current-Voltage Characteristics）：场效应管是一种电压控制型器件，其漏极电流与栅极电压及源极与漏极之间的电压有关。

转移特性（Transfer Characteristics）：描述栅极电压对漏极电流的影响。

增益（Gain）：场效应管的电压增益等于输出电压与输入电压的比值。

开关特性（Switching Characteristics）：场效应管在开关状态下的性能表现，包括导通电阻、开关时间、反向恢复时间等。

最大额定值（Maximum Ratings）：场效应管的实际工作电压、电流、功率等不应超过最大额定值。

五、热特性场效应管的热特性主要包括以下几个方面：热阻（Thermal Resistance）：衡量场效应管散热性能的指标，热阻越低，散热性能越好。

场效应管封装类型和标识_解释说明以及概述

场效应管封装类型和标识解释说明以及概述1. 引言1.1 概述场效应管（MOSFET）是一种常用的电子元件，广泛应用于电路设计和功率控制系统中。

在实际应用中，不同的场效应管需要使用不同的封装类型和标识来满足特定的需求。

1.2 文章结构本文将重点介绍场效应管封装类型和标识的相关知识。

首先，我们将解释说明什么是场效应管封装类型，包括其定义、特点和主要分类。

然后，我们将详细讨论场效应管封装标识，介绍其作用、使用方法以及常见的标识符号含义。

最后，我们将对场效应管封装进行概述，总结各种封装的主要特点和适用范围。

1.3 目的通过本文对场效应管封装类型和标识进行详细说明和概述，旨在帮助读者更好地理解场效应管及其相关标识信息，并为正确选择合适的封装类型提供参考依据。

此外，本文还将为读者提供一个全面了解场效应管封装领域发展动态的基础，在电子领域中有关设计、测试和选型方面提供实用指导。

2. 场效应管封装类型和标识2.1 场效应管封装类型解释说明场效应管（MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。

场效应管的封装类型决定了其外观形状、引脚布局以及安装方式等特征。

常见的场效应管封装类型有TO-92、TO-220、SOT-23等。

TO-92是一种较小型的封装，通常具有三个引脚。

其中一个引脚是栅极（Gate），另外两个引脚分别是漏极（Drain）和源极（Source）。

这种封装适用于低功率的电路应用，如小型信号放大器和开关等。

TO-220是一种较大型的封装，通常具有三个或四个引脚。

其中一个引脚是栅极，其他引脚则用于漏极和源极之间的电流传输以及导热至散热器。

这种封装适用于中高功率的电路应用，如交流驱动器、开关稳压器和电机控制等。

SOT-23是一种更小型的表面贴片封装，通常具有三个引脚。

与TO-92相比，SOT-23封装更适用于小型空间集成电路和低功耗应用，如便携式设备和手机等。

2.2 场效应管封装标识解释说明场效应管的封装标识通常是指封装型号或代号，其目的是方便对不同类型的场效应管进行识别和选择。

to263封装的mos管塑封壳与晶圆的热阻参数

to263封装的mos管塑封壳与晶圆的热阻参数TO-263封装是一种表面安装技术（SMT）封装，也被称为D2PAK封装。

它是一种带有金属外壳的功率MOSFET封装，用于高功率应用。

TO-263封装具有较低的热阻特性，使其能够有效地将热量传递至外部环境，以确保器件正常工作。

现在我们来讨论TO-263封装与晶圆的热阻参数。

首先，让我们了解一下热阻的概念。

热阻是材料或结构对热传导的阻碍程度的度量。

它表示单位面积或体积内的温度差异。

热阻的单位通常是度/瓦特（°C/W）。

TO-263封装主要由金属外壳和塑封材料组成。

金属外壳通常由铜或铝制成，具有良好的热导性能。

塑封材料通常是环氧树脂，它们在热传导性能上相对较差。

TO-263封装与晶圆之间的热阻主要取决于以下几个因素：1.封装结构：TO-263封装的金属外壳能够有效地吸收并传导器件产生的热量。

其结构相对简单，通过金属外壳将热量引导到封装的底部，然后通过PCB板传导至散热器。

2.封装材料：TO-263封装通常使用环氧树脂作为塑封材料，其热传导性能相对较差。

由于塑封材料的热传导性能限制，TO-263封装与晶圆之间的热阻较高。

3.散热器：在高功率应用中，为了进一步降低热阻，通常会在TO-263封装上安装散热器。

散热器能够有效地增加散热表面积，并提高热量传递效率。

通过选择合适的散热器材料和设计优化散热器结构，可以进一步降低TO-263封装与晶圆之间的热阻。

总的来说，TO-263封装具有相对较低的热阻特性。

尽管塑封材料的热导性能相对较差，但金属外壳和散热器的设计可以有效地降低热阻。

此外，通过合理的散热设计和散热规范，也可以改善TO-263封装与晶圆的热导性能。

总结起来，TO-263封装具有良好的热阻特性，能够将热量有效地传导到外部环境。

然而，为了进一步优化散热性能，需要综合考虑封装结构、材料选择和散热设计等因素。

通过合理的设计和优化，可以获得较低的热阻，确保器件正常工作。