单金铜键合引线成套生产技术项目
元器件的互连封装技术—引线键合技术
应用范围
低成本、高可靠、高产量等特点使得它成为芯片 互连的主要工艺方法，用于下列封装：
• 陶瓷和塑料BGA、单芯片或者多芯片 • 陶瓷和塑料 (CerQuads and PQFPs) • 芯片尺寸封装 (CSPs) • 板上芯片 (COB)
芯片互连例子
采用引线键合的芯片互连
两种键合焊盘
球形键合
铝合金线为超音波最常见的线材；金线亦可用于超音 波接合，它的应用可以在微波元件的封装中见到。
楔形键合
其穿丝是通过楔形劈刀 背面的一个小孔来实现 的，金属丝与晶片键合 区平面呈30～60°的角 度，当楔形劈刀下降到 焊盘键合区时，楔头将 金属丝按在其表面，采 用超声或者热声焊而完 成键合。
超音波接合只能产生楔形接点(Wedge Bond)。它所能 形成的形成的连线弧度(称为Profile)与接点形状均小于其 他引线键合方法所能完成者。因此适用于焊盘较小、密度 较高的IC晶片的电路连线；但超音波接合的连线必须沿著 金属迴绕的方向排列，不能以第一接点为中心改变方向， 因此在连线过程中必须不断地调整IC晶片与封装基板的位 置以配合导线的迴绕，不仅其因此限制了键合的速度，亦 较不利于大面积晶片的电路连线。
元器件的互连封装技术 —引线键合技术
Review
电子封装始于IC晶片制成之 后，包括IC晶片的粘结固定、电 路连线、密封保护、与电路板之 接合、模组组装到产品完成之间 的所有过程。
电子封装常见的连接方法有 引线键合(wire bonding，WB)、载 带自动焊（tape automated bonding, TAB）与倒装芯片(flip chip, FC)等 三种，倒装芯片也称为反转式晶 片接合或可控制塌陷晶片互连 (controlled collapse chip connection ,C4 ) 。
集成电路封装中的引线键合技术
集成电路封装中的引线键合技术集成电路封装中的引线键合技术2007-03-29 13:17集成电路封装中的引线键合技术黄⽟财1 程秀兰1 蔡俊荣2上海交通⼤学微电⼦学院（1. 上海交通⼤学微电⼦学院，上海200030 2. 星科⾦朋（上海）有限公司201702）摘要: 在回顾现⾏的引线键合技术之后,本⽂主要探讨了集成电路封装中引线键合技术的发展趋势。
球形焊接⼯艺⽐楔形焊接⼯艺具有更多的优势，因⽽获得了⼴泛使⽤。
传统的前向拱丝越来越难以满⾜⽬前封装的⾼密度要求，反向拱丝能满⾜⾮常低的弧⾼的要求。
前向拱丝和反向拱丝⼯艺相结合，能适应复杂的多排引线键合和多芯⽚封装结构的要求。
不断发展的引线键合技术使得引线键合⼯艺能继续满⾜封装⽇益发展的要求，为封装继续提供低成本解决⽅案。
关键词: 引线键合；球形焊接；楔形焊接；反向键合分类号：TN305 ⽂献标志码：BWire Bonding Technology in IC PackagingHuang Yucai1 Cheng Xiulan1 Cai Junrong2(1. School of Microelectronics, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 2000302. STATS ChipPAC Shanghai Co., Ltd, Shanghia, 201702)Abstract:After reviewing current wire bonding technology, wire bonding technology development trends are discussed. Ball bonding has more advantages than wedge bonding, so that it is widely used in IC Packaging. Traditional forward looping technology is becoming hard to meet high-density requirements of IC Packaging, and reverse looping can comparatively achieve very low loop height. Integrated forward looping and reverse looping, complex multi layer wire bonding and multi chip packaging can be achieved. Summarily, with continuously developing wire bonding technology, it can meet advanced packaging requirement and provide a low cost solution for packaging.Key words: Wire Bonding; Ball Bonding; Wedge Bonding; Reverse Bonding1. 封装技术简介IC封装就是将晶圆切割下来，再安装⾄引线框架（基板）上，并以⾦属丝或凸点连接裸芯⽚及引线框架或基板的线路，接着在晶粒外⾯包装绝缘的塑料或陶瓷外壳，就完成IC的封装，完成后再做⼀次测试，将不合格品挑出来。
金丝球键合工艺
金丝球键合工艺1、课题背景1. 随着集成电路的发展，先进封装技术不断改进变化以适应各种半导体新工艺和新材料的要求和挑战.半导体封装内部芯片内部管脚以及芯片之间的连接起着确立芯片和外部的电气连接、确保芯片和外界之间的输入／输出畅通的重要作用，是整个后道封装过程中的关键。
引线键合以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位，目前所有封装管脚的９０％以上采用引线键合连接。
引线键合是以非常细小的金属引线的两端分别与芯片和管脚键合而形成电气连接。
引线键合前，先从金属带材上截取引线框架材料（外引线),用热压法将高纯ｓｉ或Ｇｅ的半导体元件压在引线框架上所选好的位置，并用导电树脂如银浆料在引线框架表面涂上一层或在其局部镀上一层金；然后借助特殊的键合工具用金属丝将半导体元件（电路）与引线框架键合起来，键合后的电路进行保护性树脂封装。
无论是封装行业多年的事实还是权威的预测都表明，引线键合在可预见的未来(目前到２０２０年）仍将是半导体封装尤其是低端封装内部连接的主流方式。
基于引线键合工艺的硅片凸点生成可以完成倒装芯片的关键步骤并且具有相对于常规工艺的诸多优势，是引线键合长久生命力和向新兴连接方式延伸的巨大潜力的有力例证。
2。
引线键合大约始源于1947年。
如今已成为复杂，成熟的电子制造工艺。
根据引线不同，又可分为金线、铜线、铝线键合等. 根据键合条件不同，球键合可分为热压焊、冷超声键合和热超声键合。
热压焊(TC)是引线在热压头的压力下，高温加热（>250℃）发生形变焊热压超声焊(TS）焊接工艺包括热压焊与超声焊两种形式的组合。
在焊接工具的压力下，加热温度较低（低于TC温度值，大约150℃），与楔焊工具的超声运动，发生形变焊接。
热超声键合常为金丝球键合,因同时使用热压和超声能量，能够在较低的温度下实现较好的键合质量，从而得到广泛使用。
3. 键合工具负责固定引线、传递压力和超声能量、拉弧等作用。
铜线键合
铜丝键和
WIRE BONDING
PRESENT SITUATION
PERIOD IV
COPPER
BONDING
铜丝键和与其他键和对于BONDINGPAD的设计也会有所 差异，在焊盘的构造、大小、厚度方面的参数要求会有很大 不同。
铜丝键和
WIRE BONDING
PRESENT SITUATION
PERIOD IV
ＣＯＰＰＥＲ ＷＩＲＥ ＢＯＮＤＩＮＧ
铜丝引线键合
·铜丝键合的意义
·铜丝键和的现状 ·铜丝键和的困扰
INDEX
铜丝键和
目前，很大一部分集成电路的生产是依靠引线键和 来完成的。 引线键和（wire bounding）是指使用细金属丝 将 半导体芯片的电极焊区与电子封装外壳的I/O引线或基板 上技术布线焊区连接起来的工艺技术。 COPPER 焊接方式主要有热压焊 、超声键和焊和金丝球焊。 原理是采用加热、加压 WIRE BONDING 和超声等方式破坏被焊表面 MEANING Period 的氧化层和污染，产生塑性 I 变形，使得引线与被焊面亲 密接触，达到原子间的引力 BACKGROUND 范围并导致界面间原子扩散 而形成焊合点。
铜丝键和
WIRE BONDING
PRESENT SITUATION
PERIOD V
COPPER
可靠性
铜丝焊球的退火后力学 性能，抗剪强度会随着退 火时间增加而变大。 将铜丝与金丝在同一 温度下工作，经受相同温 度范围下的热循环实验。 収现铜丝的热疲劳寽命至 少不低于金丝键和。
随着市场对高纯度、耐高温、超微细、超长度的键合丝需 求迅速增长,使键合铜丝的収展面临机遇与挑战。 目前键合铜丝生产与应用仍然存在一些的突出问题有待迚 行深入的研究。 1.超微细铜线的拉制
铜丝在引线键合技术的发展及其合金的应用
铜丝在引线键合技术的发展及其合金的应用一、简介目前超过90%的集成电路的封装是采用引线键合技术,引线键合,又称线焊。
即用金属细丝将裸芯片电极焊区与电子封装外壳的输入，输出引线或基板上的金属布线焊区连接起来。
连接过程一般通过加热、加压、超声等能量，借助键合工具“劈刀”实现。
按外加能量形式的不同，引线键合可分为热压键合、超声键合和热超声键合。
按劈刀的不同，可分为楔形键合和球形键合。
引线键合工艺中所用导电丝主要有金丝、铜丝和铝丝，由于金丝价格昂贵、成本高，并且Au/Al金属学系统易产生有害的金属间化合物，使键合处产生空腔，电阻急剧增大，导电性破坏甚至产生裂缝，严重影响接头性能。
因此人们一直尝试使用其它金属替代金，由于铜丝价格便宜、成本低、具有较高的导电导热性，并且Cu/Al金属间化合物生长速于Au/Al，不易形成有害的金属间化合物。
近年来，铜丝引线键合日益引起人们的兴趣。
二、铜丝键合的工艺当今，全球的IC制造商普遍采用3种金属互连工艺，即：铜丝与晶片铝金属化层的键合工艺，金丝与晶片铜金属化层的键合工艺以及铜丝与晶片铜金属化层的键合工艺。
近年来第一种工艺用得最为广泛，后两者则是今后的发展方向。
1. 铜丝与晶片铝金属化层的键合工艺近年来，人们对铜丝焊、劈刀材料及新型的合金焊丝进行了一些新的工艺研究，克服了铜易氧化及难以焊接的缺陷。
采用铜丝键合不但使封装成本下降，更主要的是作为互连材料，铜的物理特性优于金。
特别是采用以下’3种新工艺，更能确保铜丝键合的稳定性。
（1）充惰性气体的EFO工艺：常规用于金丝球焊工艺中的EFO是在形成焊球过程中的一种电火花放电。
但对于铜丝球焊来说，在成球的瞬间，放电温度极高，由于剧烈膨胀，气氛瞬时呈真空状态，但这种气氛很快和周围的大气相混合，常造成焊球变形或氧化。
氧化的焊球比那些无氧化层的焊球明显坚硬，而且不易焊接。
新型EFO工艺是在成球过程中增加惰性气体保护功能，即在一个专利悬空管内充入氮气，确保在成球的一瞬间与周围的空气完全隔离，以防止焊球氧化，焊球质量极好，焊接工艺比较完善。
引线键合（WireBonding）
引线键合（WireBonding）引线键合(Wire Bonding)——将芯片装配到PCB上的方法 | SK hynix Newsroom结束前工序的每一个晶圆上，都连接着500~1200个芯片（也可称作Die）。
为了将这些芯片用于所需之处，需要将晶圆切割(Dicing)成单独的芯片后，再与外部进行连接、通电。
此时，连接电线（电信号的传输路径）的方法被称为引线键合（Wire Bonding）。
其实，使用金属引线连接电路的方法已是非常传统的方法了，现在已经越来越少用了。
近来，加装芯片键合（Flip Chip Bonding）和硅穿孔（Through Silicon Via，简称TSV）正在成为新的主流。
加装芯片键合也被称作凸点键合（Bump Bonding），是利用锡球（Solder Ball）小凸点进行键合的方法。
硅穿孔则是一种更先进的方法。
为了了解键合的最基本概念，在本文中，我们将着重探讨引线键合，这一传统的方法。
一、键合法的发展历程图1. 键合法的发展史：引线键合(Wire Bonding)→加装芯片键合(Flip Chip Bonding)→硅穿孔（TSV）下载图片为使半导体芯片在各个领域正常运作，必须从外部提供偏压（Bias voltage）和输入。
因此，需要将金属引线和芯片焊盘连接起来。
早期，人们通过焊接的方法把金属引线连接到芯片焊盘上。
从1965年至今，这种连接方法从引线键合(Wire Bonding)，到加装芯片键合(Flip Chip Bonding)，再到TSV，经历了多种不同的发展方式。
引线键合顾名思义，是利用金属引线进行连接的方法；加装芯片键合则是利用凸点（bump）代替了金属引线，从而增加了引线连接的柔韧性；TSV作为一种全新的方法，通过数百个孔使上下芯片与印刷电路板（Printed Circuit Board，简称PCB）相连。
二、键合法的比较：引线键合(Wire Bonding)和加装芯片键合(Flip Chip Bonding)图2. 引线键合(Wire Bonding) VS加装芯片键合(Flip Chip Bonding)的工艺下载图片三、引线键合（Wire Bonding）是什么？图3. 引线键合的结构（载体为印刷电路板（PCB）时）下载图片引线键合是把金属引线连接到焊盘上的一种方法，即是把内外部的芯片连接起来的一种技术。
引线框架铜合金
引线框架铜合金材料1）介绍引线框架：作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。
2）优势所在：科学技术现代化对铜及铜合金材料提出越来越多的新要求,引线框架的作用是导电、散热、联接外部电路,因此要求制作引线框架材料具有高强度、高导电、良好的冲压和蚀刻性能。
目前全世界百分之八十的引线框架使用铜合金高精带材制作,据不完全统计,引线框架合金约77种,按合金系划分主要有铜-铁-磷、铜-镍-硅、铜-铬-锆Cu-Fe-P、Cu-Ni-Si、Cu-Cr-Zr 三大系列,按着性能可分为高导电、高强度、中强中导等系列所有这些新要求,将推动铜及铜合金材料的现代化进程。
常用的铜基引线框架材料主要有C194和KFC合金,其中C194（Cu-2.3Fe-0.1Zn-0.03P）属于Cu-Fe-P系合金,具有高导电、高导热性以及好的热稳定性,大量应用于电子封装（安装集成电路内置芯片外用的管壳,起着安放固定密封,保护集成电路内置芯片,增强环境适应的能力,并且集成电路芯片上的铆点也就是接点,是焊接到封装管壳的引脚上的）领域。
C194合金(Cu-2.35%Fe-0.12%Zn-0.03% P)是美国奥林公司20世纪60年代开发生产的引线框架材料,因其优良的导电性、导热性和低价格等特点成为引线框架材料的主导产品。
目前日本和德国是世界上最大的引线框架铜带出口国, 我国虽然可以自行生产一定量的C194合金材料,但合金性能与国外产品相比存在一定差距,国外合金性能为:抗拉强度500MPa,硬度151HV,电导率3.77×10-2S/m;而国内合金性能为:抗拉强度≥410 MPa,硬度120～145HV,电导率≥3.48×10 -2S/m。
铜丝引线键合技术的发展
铜丝引线键合技术的发展摘要铜丝引线键合有望取代金丝引线键合，在集成电路封装中获得大规模应用。
论文从键合工艺﹑接头强度评估﹑键合机理以及最新的研究手段等方面简述了近年来铜丝引线键合技术的发展情况，讨论了现有研究的成果和不足，指出了未来铜丝引线键合技术的研究发展方向，对铜丝在集成电路封装中的大规模应用以及半导体集成电路工业在国内高水平和快速发展具有重要的意义。
关键词集成电路封装铜丝引线键合工艺1.铜丝引线键合的研究意义目前超过90%的集成电路的封装是采用引线键合技术。
引线键合（wire bonding）又称线焊，即用金属细丝将裸芯片电极焊区与电子封装外壳的输入/输出引线或基板上的金属布线焊区连接起来。
连接过程一般通过加热﹑加压﹑超声等能量借助键合工具（劈刀）实现。
按外加能量形式的不同，引线键合可分为热压键合﹑超声键合和热超声键合。
按劈刀的不同，可分为楔形键合（wedge bonding）和球形键合(ball bonding)。
目前金丝球形热超声键合是最普遍采用的引线键合技术，其键合过程如图1所示。
由于金丝价格昂贵﹑成本高，并且Au/Al金属学系统易产生有害的金属间化合物，使键合处产生空腔，电阻急剧增大，导电性破坏甚至产生裂缝，严重影响接头性能。
因此人们一直尝试使用其它金属替代金。
由于铜丝价格便宜，成本低，具有较高的导电导热性，并且金属间化合物生长速率低于Au/Al，不易形成有害的金属间化合物。
近年来，铜丝引线键合日益引起人们的兴趣。
但是，铜丝引线键合技术在近些年才开始用于集成电路的封装，与金丝近半个世纪的应用实践相比还很不成熟，缺乏基础研究﹑工艺理论和实践经验。
近年来许多学者对这些问题进行了多项研究工作。
论文将对铜丝引线键合的研究内容和成果作简要的介绍，并从工艺设计和接头性能评估两方面探讨铜丝引线键合的研究内容和发展方向。
图1 金丝球形热超声键和过程2.铜丝引线键合的研究现状2.1工艺研究2.1.1防止铜丝氧化与金丝不同的是，铜丝在空气中极易氧化在表面形成一层氧化膜，而氧化膜对铜球的成形与质量有害，并且还有可能导致接头强度低，甚至虚焊（Non-Stick），因此必须采取措施防止铜丝氧化。
金、铜丝球键合焊点的可靠性对比研究
金、铜丝球键合焊点的可靠性对比研究徐慧,杭春进,王春青,田艳红（哈尔滨工业大学材料科学与工程学院微连接研究室，黑龙江哈尔滨 150001）摘要：金丝球焊是电子工业中应用最广泛的引线键合技术，但随着高密度封装的发展，铜丝球焊日益引起人们的关注。
采用热压超声键合的方法，分别实现Au引线和Cu引线键合到Al-1%Si-0.5%Cu金属化焊盘。
对焊点进行200 ℃老化实验的结果表明：铜丝球焊焊点的金属间化合物生长速率比金丝球焊焊点慢的多；铜丝球焊焊点具有比金丝球焊焊点更稳定的剪切断裂载荷，并且在一定的老化时间内铜丝球焊焊点表现出更好的力学性能；铜丝球焊焊点和金丝球焊焊点在老化后的失效模式不同。
关键词：丝球焊；可靠性；金属间化合物；力学性能；失效模式中图分类号：TN305.96 文献标识码：A 文章编号：1004-4507(2006)05-0023-051 引言丝球焊是引线键合中最具代表性的焊接技术，它是在一定的温度下，作用键合工具劈刀的压力，并加载超声振动，将引线一端键合在IC芯片的金属法层上，另一端键合到引线框架上或PCB便的焊盘上，实现芯片内部电路与外围电路的电连接，由于丝球焊操作方便、灵活、而且焊点牢固，压点面积大（为金属丝直径的2.5－3倍），又无方向性，故可实现高速自动化焊接[1]。
丝球焊广泛采用金引线，金丝具有电导率大、耐腐蚀、韧性好等优点，广泛应用于集成电路，铝丝由于存在形球非常困难等问题，只能采用楔键合，主要应用在功率器件、微波器件和光电器件，随着高密度封装的发展，金丝球焊的缺点将日益突出，同时微电子行业为降低成本、提高可靠性，必将寻求工艺性能好、价格低廉的金属材料来代替价格昂贵的金，众多研究结果表明铜是金的最佳替代品[2-6]。
铜丝球焊具有很多优势：（1）价格优势：引线键合中使用的各种规格的铜丝，其成本只有金丝的1/3－1/10。
（2）电学性能和热学性能：铜的电导率为0.62（μΩ/cm）－1，比金的电导率[0.42（μΩ/cm）－1]大，同时铜的热导率也高于金，因此在直径相同的条件下铜丝可以承载更大电流，使得铜引线不仅用于功率器件中，也应用于更小直径引线以适应高密度集成电路封装；（3）机械性能：铜引线相对金引线的高刚度使得其更适合细小引线键合；（4）焊点金属间化合物：对于金引线键合到铝金属化焊盘，对界面组织的显微结构及界面氧化过程研究较多，其中最让人们关心的是"紫斑"（AuAl2）和"白斑"（Au2Al）问题，并且因Au和Al两种元素的扩散速率不同，导致界面处形成柯肯德尔孔洞以及裂纹。
引线键合工艺介绍及质量检验
引线键合工艺介绍及质量检验引线键合工艺是一种广泛应用于电子元器件制造的连接技术，它通过金属引线的熔融连接实现芯片与外部电路的连接。
这种工艺具有高可靠性、低成本、高生产效率等优点，因此在电子产业中得到广泛应用。
本文将详细介绍引线键合工艺的过程、质量检验方法及其应用实例。
准备：包括芯片贴装、引线框架设计、选择合适的引线材料和键合设备等。
键合：通过加热或超声波能量使金属引线与芯片和外部电路键合。
检测：对键合后的产品进行外观和功能性检测。
封装：将检测合格的产品进行封装，以保护其内部电路并提高可靠性。
质量检验是保证引线键合工艺成品质量的重要环节。
以下是一些建议的质量检验步骤和方法：外观检测：通过目视或显微镜检查产品外观，判断是否有键合不良、毛刺、断线等问题。
功能性检测：利用检测仪器进行电气性能测试，确保产品在规定范围内正常运行。
X光检测：利用X光无损检测技术对产品内部结构进行观察，以发现潜在的内部缺陷。
可靠性测试：进行环境试验、寿命测试等，以评估产品的长期性能和可靠性。
微处理器封装：在微处理器封装中，引线键合工艺用于将芯片与外部电路进行连接，以确保微处理器能够正常工作。
传感器制造：在传感器制造中，引线键合工艺用于将敏感元件与信号处理电路进行连接，以提高传感器的精度和可靠性。
医疗设备制造：在医疗设备制造中，引线键合工艺用于将电子元件与医疗器械进行连接，以确保医疗器械的安全性和有效性。
引线键合工艺作为电子元器件制造中重要的连接技术，具有不可替代的地位。
通过对其工艺过程的了解和对其质量检验方法的掌握，有助于提高电子元器件制造的整体水平和产品的可靠性。
随着科技的不断发展，我们有理由相信，引线键合工艺将继续在未来的电子产业中发挥重要作用。
超声引线键合点是指通过超声波振动将金属导线与芯片或基板连接起来的连接点。
超声引线键合点的形态包括圆形、椭圆形、扁平形等，其中圆形是最常见的形态。
超声引线键合点的形态受多种因素影响，如键合工艺参数、金属导线材料、芯片或基板材料等。
福建省龙翔半导体制造有限公司单晶铜键合引线项目可行性研究报告5
****有限公司单晶铜键合引线生产项目可行性研究报告****有限公司编制*****二〇一〇年九月二十八日目 录第一章 总论一、项目总论二、编制依据及研究范围二、项目区位基本情况三．项目承办单位概况四、项目建设背景第二章 市场预测一、项目所属行业或区域经济发展的地位、发展现状（一）产业整体状况（二）我省半导体产业发展状况二、单晶铜键合导线在全球的发展情况三、国内市场四、公司市场区域分析第三章 项目建设有利条件及建设必要性一、项目建设有利条件二、项目建设必要性第四章 项目建设方案一、建设规模二、建设内容（一）厂区基础设施建设 (19)（二）厂房及生活服务用房建设三、建设地点选择四、产品方案第五章 技术设备工程方案一、生产方法（工艺路线）二、项目构成范围三、产品及采用标准四、主要工艺技术参数五、主要技术经济指标单晶铜成分分析六、主要工艺设备七、单位产品消耗定额第六章 主要原材料燃料供应和运输一、原材料、燃料来源、需要量（一）3mm的单晶铜线（二）金刚模具（三）保护性气体二、运输方式第七章 总平面布置、土建建筑与公共工程一、总平面布置和土建二、用地及建筑面积指标（一）生活办公及服务设施（三）绿化面积（四）项目建筑物和构筑物总面积。
第八章 节能、节水一、节能措施综述二、单项节能工程三、能耗指标和节能评价四、建筑节能（一）室内热环境和建筑节能设计指标（二） 建筑和建筑热工节能第九章 环境保护一、产污环节及治理整治措施（一）施工期主要污染工序为：（二）运营期主要污染工序为：二、环境绿化三、环境评价第十章 安全生产与消防1、设计依据2、 工程概述第十一章 项目实施进度安排一、项目实施的各阶段（一）建立项目实施管理机构（二）资金筹集安排（三）勘察设计和设备订货（四）施工准备：12月份开始施工准备（五）施工和生产准备（六）竣工验收二、项目实施进度表第十二章 组织机构与人力资源配置一、组织管理机构（一）企业组织形式（二）企业工作制度二、人员配置（一）本项目的总用工（二）年总工资和职工年平均工资估算（三）人员培训及费用估算三、项目招标管理第十三章 投资估算与资金来源一、投资估算二、总投资估算汇总表（一）固定资产总额10892万元（二）流动资金估算三、资金来源（一）资金来源：（二）项目筹资方案（三）投资使用计划第十四章 财务评价一、产品销售收入和增值税、销售税金及附加值估算二．总成本费用估算三、利润总额及分配二、财务盈利能力分析（一）投资利润率（二）产值利润率（三）固定资产投资回收期（五）盈亏平衡点分析（六）税后财务净现值二、不确定性分析三、财务评价结论第十五章 经济效益和社会效益一、本项目经济效益二、项目的社会效益第十六章 项目结论附表一表二…………………………………………………………………………………第一章 总论一、项目概况1、项目名称：单晶铜键合引线生产项目2、建设单位：****有限公司3、项目负责人：***4、建设地址：***县工业新5、建设性质：扩建6、建设规模及内容：年产单晶铜导线500万K（折合4.26吨）7、本项目投资利润率：31.49% ，产值利润率：34.9%8、固定资产投资回收期2.9年（静态） 动态为4年（含建设期），9、财务净现值为34485万元（折现率为10%）；税后财务内部收益率为40.2%,税前财务内部收益率为42%。
第二讲微系统封装技术-引线键合
键合技术的发展： 1.键合间距进一步减小，到40微米 2.键合弧度低于150微米 3.高可靠的Cu键合 4.快速的键合周期和低温（<170ºC）键合技术 5.高精度的摄像和位置反馈系统和伺服系统 6.多旋转头的键合设备。
柯肯达尔效应（kirkendall effect）是 指两种扩散速率不同的金属在扩散 过程中会形成缺陷 。
柯肯达尔空洞，裂缝。
紫斑：主要是指引线键合中Au-Al焊接界面上所产生的Au-Al 化合物，其成分为AuAl2，它的存在会严重影响到引线键合的 质量和可靠性 ， 300ºC，紫色金属间化合物AuAl2 白斑：Au2Al
返工容易，高纯净低放气性
温度膨胀系数高，
环氧树脂类[Epoxies]
采用加热和机械方法容易进 - 腐蚀性浸析性和放气 行返工，添加60-70% 导电 性，与粘结剂固化温度有关 或导热微粉，工艺简单， 低放气性•
氢基-丙稀酸树脂类 [Cyanocrylates]
501/502胶固化速快 </=[10sec]，连接强度非常 高。
4）导电性、导热性好：单晶铜丝的导电率、导热率比金丝 提高20%，因此在和金丝径相同的条件下可以承载更大的电流， 键合金丝直径小于0.018mm时，其阻抗或电阻特性很难满足封 装要求。
5）低成本：单晶铜键合线成本只有键合金丝的1/3-1/10， 可节约键合封装材料成本90%；比重是键合金丝的1/2，1吨单晶 铜丝可替代2吨金丝； 当今半导体行业的一些显著变化直接影 响到了IC互连技术，其中成本因素也是推动互连技术发展的主 要因素。目前金丝键合长度超过5mm，引线数达到400以上，其 封装成本超过0.2美元。而采用单晶铜丝键合不但能降低器件制 造成本，提高竞争优势。对于1密耳（0.001英寸）焊线，成本 最高可降低75%，2密耳可达90%。
引线键合技术
引线键合技术
引线键合技术是一种微电子制造中常用的连接技术，其主要原理是通过高温、高压下将金属线与芯片内部电路连接起来。
这种技术具有高可靠性、高密度、低成本等优点，已经成为现代电子制造领域中不可或缺的一部分。
引线键合技术主要分为金线键合和铜线键合两种。
其中，金线键合适用于高端芯片，其使用金属线作为连接材料，可以实现更高的导电性能和更好的耐腐蚀性。
而铜线键合则适用于低端芯片，其使用铜线作为连接材料，成本更低，但相对导电性能和耐腐蚀性略有不足。
引线键合技术的发展是电子制造业不断进步的重要标志。
随着科技的不断发展，引线键合技术也在不断升级，成为连接芯片和封装的主流技术之一。
未来，引线键合技术将会更加高效、智能化，为电子制造业的发展带来更大的推动力。
- 1 -。
单晶铜
单晶铜单晶铜（简称OCC）用于音响线材的制作，是近年音响线材制造业的一项重大突破。
科学实验证明：单晶铜是一种高纯度无氧铜，其整根铜杆仅由一个晶粒组成，不存在晶粒之间产生的“晶界”（“晶界”会对通过的信号产生反射和折射，造成信号失真和衰减），因而具有极高的信号传输性能。
与之相比，被广泛用于音响线材制作的无氧铜（简称OFC），其内部晶粒数量众多，“晶界”造成信号失真和衰减，以至信号传输性能比单晶铜逊色。
一、单晶铜定义单晶铜因消除了作为电阻产生源和信号衰减源的晶界而具有优异的综合性能: 卓越的电学和信号传输性能，良好的塑性加工性能；优良的抗腐蚀性能；显著的抗疲劳性能；减少了偏析、气孔、缩孔、压杂等铸造缺陷；光亮的表面质量；因而主要用于国防高技术、民用电子、通讯以及网络等领域。
单晶铜，是经过“高温热铸模式连续铸造法”所制造的导体技术，因为铸造过程经过特殊加热处理，所以可以获得单结晶状铜导体，每一结晶可以延伸数百米以上，在实际应用之长度上结晶粒仅有一个，并没有所谓“晶粒界面”存在，在讯号传讯时，无需透过晶粒与晶粒之间的“晶界”，讯号更易于穿透与传导，因此损耗极低，堪称是相当完美的线材。
其物理性能接近白银。
二、单晶铜特性：用单晶连铸技术拉出的铜材仅由一个晶粒组成，具有超常的机械加工性能和电学特性。
其特点有三： a.单晶铜纯度达到99.9999%； b.电阻比普通铜材低8%到13%； c.韧性极高，普通铜材扭转16圈即断，单晶铜材可扭转116圈。
如此优势，使单晶铜产品成为制作高保真音视频信号、高频数字信号传输线缆和微电子行业用超微细丝的顶级材料，可用于手机、音响、电脑等领域，使微电子器件性能更佳、体积更小、寿命更长。
1.传输音视频信号线各种音频视频信号在传输过程中通过晶界时,都会产生反射、折射等现象使信号变形、失真衰减,而单晶铜极少的晶界或无晶界使传输质量得到根本改善。
因此,单晶铜在音视频信号传输方面得到广泛的应用。
锡业股份7.5亿元建设年产10万t铜冶炼项目
麦达斯铝业 １ ．亿元扩建三期项 目 ０６ ２ １年下半年投产 ００
据 辽源市 工信局 副局长 王大海介绍 ， 中国高精铝加 工
投 资３ 元 的单 晶铜 键 合 引 线项 目 亿 射 阳开 工
在 江 苏 射 阳 ５月 ８ 日举 办 的 第 九 届 经 贸 洽 谈 会 上 ， 计 划 投 资 ３亿 元 的 单 晶 铜 键 合 引 线 项 目开 工 。
基地 正在加快建 设 ， 总投资 １ ．亿 元的麦达斯铝 业有 限公 ０６
司三期 扩建项 目和利源铝业 公司总投 资 ３ ８ ．亿元 的硬铝合 金加 工及 铝材 深加 工项 目将在 ２ １ 年下 半年 全部建 成投 ００ 产。 中国有色金属工业协会 ） （
据 了解 ， 该项 目产 品主要 应用于半 导体 、 集 成 Ｌ Ｅ Ｄ、 电路封 装引线、 高频传输领域 、 国防军工领域和超 细微 电子 基础材 料等高端 电子产 业。 有科技含 量高 、 具 投资 回报大、 生产见效快 的特 点。 在此 次洽谈 会上 ， 阳县 ５ 产业专题 射 大 招商 揽资 ｌ ３ ８ ７ ． 亿元 ， 目成 果呈 现 出规 模大 、 次高 、 项 层 特 色 明等诸多 亮点 。 中开工 重大项 目２ 个 ， 晶铜键 合引 集 １ 单 线、 中石 油油库等 ８ 个项 目投资都在 亿元 以上 。 新华 ） （
建 成 投 产 。天 山 网 ） （
项 目的湿法 冶金系统、 炉渣选矿 系统、 烟气 制酸及污 酸污水
处理 系统工程ＥＰＣ 总承包 。 目自２ １年 ４ 项 ０ ０ 月开工 ， 工期 １ ４ 个 月。 公司表 示 ， 项 目的实施 对公 司 ２ １年 后 的财务状 该 ０１ 况及经营成果有积极影响 。 中国证券报 ） （
芯片互连-引线键合技术
3
4
压头上升
压头高速运动到第二键合点，形成弧形
第 一 键 合 点 的 形 状
5
6
在压力、温度作用下形成第二点连接
压头上升至一定位置，送出尾丝
7
8
夹住引线，拉断尾丝
引燃电弧，形成焊球进入下一键合循环
第二键合点
球形焊点
契形焊点
丝球焊点形状
热压球焊点的外观
超声键合作用机理
超声波发生器使劈刀发生水平弹性振动，同时施加向下压 力。劈刀在两种力作用下带动引线在焊区金属表面迅速摩 擦，引线发生塑性变形，与键合区紧密接触完成焊接。常 用于Al丝键合，键合点两端都是楔形 。 热超声键合（金丝球）：用于Au和Cu丝的键合。采用超 声波能量，键合时要提供外加热源。
超声压头
Al 丝
加压 超声波振动
芯片电极
基板电极
1. 定位（第一次键合）
2. 键合
拉引
3. 定位（第2次键合）
4. 键合－切断
超声键合法工艺过程
超声键合实物图
引线键合接点外形
球形键合
第一键合点
第二键合点
楔形键合
第一键合点
第二键合点
引线键合技术实例
采Hale Waihona Puke 导线键合的芯片互连特点及应用范围
低成本、高可靠、高产量等特点使得WB成为芯片互 连主要工艺方法，用于下列封装: · 陶瓷和塑料BGA、SCP和MCP · 陶瓷和塑料封装QFP · 芯片尺寸封装 (CSP)
微互连技术之
引线键合技术
微互联技术
引线键合技术(WB)
引线键合技术是将半导体裸芯片（Die）焊区与 微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区 （Pad）用金属细丝连接起来的工艺技术。
铜线键合
一般情况下,经过退火热处理 的键合铜丝,无论是在室温下还是 在高温环境里,所表现出来的抗拉 强度和延伸率都接近或优于金丝。
另外,由于铜的强度较大、刚 性较好,在存储和运输过程中可以 降低由于人为误操作而造成的对铜 丝的损坏。这不仅会在一定程度上 降低生产成本,对保证键合焊点质 量具有重要意义。
FEATURE OF COPPER
但是由于金丝昂贵、 成本高，而且Au/Al金属学 系统易产生有害的金属间 化合物，使键合处产生空 腔，电阻极急剧增大，导 电性破坏甚至产生裂缝， 严重影响接头性能。因此 人们一直尝试寻找其他金 属代替金。
与金丝相比，铜丝拥有一些更为优秀的特性，这使 其拥有替代金作为新型键和材料的可行性。 铜丝主要拥有以下几个优点：成本低廉、机械性能 优越、电阻低、导热好以及金属间化合物生长缓慢。
引线键和的金属丝主要是使用数十微米至数百微米 的金（Au）丝、铝（Al）丝或硅铝（Si-Al）丝。其中， 使用最广泛的是金丝。 金丝具有非常好的延展性，而且质地柔软。在引线 键合工艺中，Au-Al键合具有非常高的可靠性
铜丝键和
WIRE BONDING MEANING
Period IICOPPERຫໍສະໝຸດ Au wire铜丝键和
WIRE BONDING
TROUBLE
PERIOD I
COPPER
目前,特别是拉制线径在l mil以下的超 微细丝,对拉线的断头率、表面质量和单轴 长度(重量)都有较高的要求,同时为了提高 生产率、扩大品种、增加技术经济效益,在 线材的拉线速度和头数的要求越来越高;为 键合铜丝的制备提出更为苛刻的要求。目 前,对于普通无氧铜来说,由于其存在大量晶 界和铸造缺陷,当线径达到0.025mm以下时, 其内部的杂质、铸造缺陷、晶界等会对裂 纹变得非常敏感,使得超细微丝拉制非常困 难。近年来,用低纯度(3N)电解铜生产的单 晶铜杆,虽然具有致密的定向凝固组织,消除 了横向晶界,大大降低缩孔、气孔等铸造缺 陷,结晶方向与拉丝方向相同,能承受更大的 塑性变形能力,从理论上分析是拉制键合丝 (线径小于0.O25mm)的理想材料。
引线键合(电子制造技术ppt)分解
11
影响内引线键合可靠性的因素
界面上绝缘层的形成 金属化层缺陷 表面沾污, 原子不能互扩散 材料间的接触应力不当 环境不良 键合引线与电源金属条之间放电引起失效(静电损伤)
12
改进键合质量的措施
严格器材检验, 认真处理管壳及芯片
加强金属化工艺蒸发的前处理
清洁保护措施
3
三种键合工艺比较
键合温度 超声波 键合工艺 键合压力 （℃） 能量 热压型 超声型 热超声型 高 低 低 300-500 25 100-150 无 有 有 适用 适用 引线材料 焊盘材料 Au Au、Al Au Al、Au Al、Au Al、Au
4
两种键合形式比较
速度 键合形式 键合工艺 键合工具 引线材料 焊盘材料 v/ N·s - 1 球键合 楔键合
超声功率对键合质量和外观影响最大，因为它对键合 球的变形起主导作用。 过小的功率会导致过窄、未成形的键合或尾丝翘起； 过大的功率导致根部断裂、键合塌陷或焊盘破裂。 增大超声功率通常需要增大键合力使超声能量通过键 合工具更多的传递到键合点处
8
引线键合材料
焊接工具
焊接工具负责固定引线、传递压力和超声能量、拉弧 等作用。 楔键合所使用的焊接工具叫楔形劈刀,通常是钨碳或是 碳钛合金,在劈刀尾部有一个呈一定角度的进丝孔; 球键合使用的工具称为毛细管劈刀,它是一种轴形对称 的带有垂直方向孔的陶瓷工具。
热压 热超声
劈刀 楔
Au Au、Al
Al、Au Al、Au
10(热超 声） 4
热超声 超声波
基本步骤：
芯片表面
5
第一焊点，线弧
引线框架/基板
第二焊点
主要工艺参数介绍
引线键合详解
Au-Al 系：1. 是最常见的键合搭配, 2. 容易形成AuAl金属间化合物,如Au 5 Al 2 (棕褐色), Au 4 Al (棕褐色),Au 2 Al (灰色), AuAl (白色), and AuAl 2(深紫色), 3. AuAl 2即使在室温下也能在接触界面下形成,然后转变成其他IMC,带来可靠性 问题 4. 这些IMC晶格常数、机械、热性能不同,反应时会产生物质移动,从而在交 界层形成可见的柯肯达尔效应(Kirkendall voids.),或者产生裂纹。
成都工业学院1024107第一章概论11简介12工艺方法121超声焊接122热压焊接123热声焊接13特点第二章线材21纯金属211金丝212铝丝213铜丝22金属冶金系221auau系222aual223aucu系224auag225alal226alag227alni228cual23材料选择231引线232焊盘材料24选材要求33键合工具331楔形劈刀332毛细管劈刀34键合点设计341输入因素35键合参数36键合评价37细间距能力比较38弧度走线方向第三章键合31键合方式311球形键合312楔形键合313比较32键合设备第四章失效41键合失效411焊盘清洁度4111卤化物4112镀层涂覆时的污染41134114多种有机物污染4115其他导致腐蚀或者破4117人为因素412焊盘产生弹坑413键合点开裂和翘起4131开裂原因414键合点尾部不一致415键合点剥离416引线框架腐蚀42可靠性失效421imc的形成4211原因4212空洞形成422丝线弯曲疲劳423键合点翘起424键合点腐蚀425金属迁移426振动疲劳第五章清洗51概述52清洗方法521等离子体清洗522紫外臭氧清洗第六章应用61范围62实例第七章未来发展第一章11简介用金属丝将芯片的io端与对应的封装引脚或者基板上布线焊区互连固相焊接过程采用加热加压和超声能破坏表面氧化层和污染产生塑性变形界面亲密接触产生电子共享和原子扩散形成焊点键合区的焊盘金属一般为al或者au等金属细丝是直径为几十到几百微米的aual或者sial丝
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
单金铜键合引线成套生产技术项目可行性分析报告一、概述众所周知，在超大规模集成电路（VLSI）和甚大规模集成电路（VLSI）的芯片与外部引线的连接方法中，无论何时引线键合均是芯片连接的主要技术手段，因而键合引线已成为电子封装业四大重要结构材料之一。
鉴于键合引线的智能更新作用是将一个封装器件或两个部分焊接好并导电，以及封装设计中键合引线焊接所需间隙主要取决于丝的直径，因此对键合引线的单位体积导电率有很高的要求，同时，所选用之金属必须具有足够的延伸率，必须能够被拉伸到Ф0.016~0.050mm，且为了避免破坏晶片，该金属必须能够在足够低的温度下进行热压焊接和超声波焊接，其化学性能、抗腐蚀性能和冶金特性必须与它所焊接的材料相熔合。
基于上述技术特性需求，所以用作键合引线的材料就被局限于Au、Ag、Cu、AI 四种金属之中。
迄今为止，在微电子键合封装业中，最为广泛应用的键合引线是键合金丝。
随着微电子工业的蓬勃发展，集成电路电子封装业正向体积小、高性能、高密集、多芯片方向快捷推进，从而对键合引线的直径提出了超细（Ф0.018mm）的要求。
由于超细的键合金丝在键合工艺中已不能胜任窄间距、长间距离键合技术指标的要求，同时也因黄金市值一路飙升，导致使用键合金丝的厂家生产成本猛增，制约了整个行业的技术提升及规模发展，因此，键合金丝无论从质量上、数量上和成本上，均一不能满足集成电路电子封装也发展的需要。
于是，开发和推广应用新型微电子封装材料势在必行，迫在眉睫。
正是在这种背景下，我们决定联合开发单金铜键合引线成套生产技术，以满足不断发展的微电子封装业的需要。
顾名思义，单晶铜，即单晶体铜材，其整根铜材仅由一个晶粒组成，不存在晶粒之间产生的“晶界”。
单金铜材料是经过“高温热铸模式连续铸造法”所制造的导体，也即运用凝固理论，通过热型连续铸造技术改变普通铜材微观多晶体结构而获得的一种新型材料，系无氧铜技术升级换代的新材料。
该材料由于不存在“晶界”，不会对通过的信号产生折射和反射，故不会造成信号失真和衰减，因为具有稳定而优异的导电性、导热性、极好的高保真信号传输性，同时又具有稳定的化学性能及超常的物理机械加工性能，在加上过程中损耗量极低。
基于这些特点，单金铜键合丝现在成为机电工业、微电子集成电路封装业相当完美极具应用价值的重要材料。
具体来说，单金铜丝用于键合引线的优势主要表现在以下几个方面：1.单晶粒：单金铜丝只有一个晶粒，内部无晶界。
单晶铜杆有致密的定向凝固组织，消除了横向晶界，很少有缩孔、气孔等铸造缺陷，且结晶方向控丝方向相同，能够承受巨大的塑性变形能力。
另外，由于没有阻碍位错滑移的晶界，变形、冷作、硬化恢复快，所以是拉制Ф0.016~0.03mm键合引线的理想材料；2.高纯度：目前，在我国的单晶铜丝原材料可以做到99.999%（5N）或99.9999%（6N）的纯度；3.机械性能好：与纯度相同的金丝相比，单晶铜丝具有良好的拉伸、剪切强度和延展性，可将其加工至Ф0.016~0.03mm的单晶铜微细丝代替金丝，从而供引线键合间距更小、更稳定，以满足封装新技术工艺需要；4.导电性、导热性好：单晶铜丝的导电率、导热率比金丝高20%，因此在丝径相同的条件下，可承载更大的电流，而键合金丝直径小于0.018mm时，其阻抗或电阻特性很难满足封装要求；5.成本低：单晶铜丝成本只有金丝的1/3~1/10，可节约键合封装材料成本90%，比重是金丝的1/2,一顿单晶铜丝可替代两吨金丝；6.单晶铜键合丝已展现出比金丝更为优异的特性，从而具有了非常广阔的发展空间。
二、单晶铜键合丝应用领域1.集成电路封装领域：目前，在微电子封装业，如大规模、超大规模和甚大规模集成电路、二极管、三极管等半导体分主器件及LED灯发光芯片封装业中，单晶铜键合丝正逐步取代键合金丝。
南通富士通、天津摩托罗拉、上海英特尔等国内较大的集成电路封装测试企业已开始将单晶铜键合丝运用于IC封装技术发展。
对器件超细间距的要求成为降低焊丝直径的主要驱动力。
因此，在今后的集成电路封装业中，单晶铜丝球焊技术是目前国际上正在兴起的用于微电子器件芯片内引线连接的一种高科技创新技术，并且球焊技术工艺中今后必将成为主流技术，而单晶铜键合丝作为键合引线材料也必将成为电封装业的发展趋势。
加之，黄金价格的暴涨，更加快了单晶铜键合丝代替键合金丝的步伐。
因此，单晶铜键合丝，无论国内外、无论现在和未来，均有着巨大的潜在市场和发展商机。
2.高标准音频视频传输领域：由于单晶铜丝独特的高保真传输功能，所以国际市场上首先用于音频视频传输线，多集中于音响喇叭线、电源线、音频连接线、平衡线、数码同轴线、麦克风线、DVD色差视频线、DVI和HDMI线缆级各种接插件等；3.高标准通信网络线缆传输领域：随着电脑网络技术的发展，对网络传输线的传输速度要求越来越高。
传输速度高也就是线的使用频率范围高，但以现使用的网络线缆，频率范围越高，则信号衰减就越严重。
较早的5类线只可用到100MHZ，而超5类线也只有120MHZ，自推出单晶铜丝制作的网络线后，使用频率可达350MHZ以上。
超过6类线标准（250MHZ）很多。
因为单晶铜丝网络线的需求平均每年以百分之十几的速度持续增长。
目前六类以上线缆基本上是国外产品，这就为国产单晶铜丝网络线的应用提供了非常巨大的空间。
三、单晶铜键合引线市场需求及前景分析在过去的十年，随着微电子信息产品制造业的蓬勃发展，对电子材料的需求也在高速增长。
2000年，我国境内键合引线的需求量为4500kg，2005年急剧增加到25000kg，而到2010年，则又翻了一翻，达到了50000kg，与2000年相比，十年间意增加了10倍以上，非常惊人。
预计到2012年，我国将成为世界第二大半导体市场，对键合引线的需求必将有更大的增幅。
然而迄今为止，键合引线的供应商居于统治地位的则是少数几家外国及台湾公司，如美国的K8CS公司、德国的贺利氏公司、日本左河电工株式会社、佳友电工株式会社及台湾ASM公司。
我国生产键合引线的单位主要有：宁波康强电子材料有限公司，北京有色金属研究院，华微电子有限公司及昆明贵金属研究所。
这些单位的产品质量较低，且性能不稳定，又主要从事键合金丝的生产（其中华微键合金丝已被德国贺利氏收购），而单晶铜键合引线的开发和生产，在国内仅有个别单位，如合肥谊群科技电子材料有限公司和安徽恒正线缆有限公司等在进行。
于是一方面是微电子信息产品制造业对单晶铜键合引线日益增加的需要，一方面是国内又暂无具有竞争的厂家，国外产品的价格又过高这就为我们即将成功开发的产品提供了巨大的商机和潜在的广阔的市场，并且可以预见，在一个相当长的时期内，我们的产品必将始终保持强大的竞争力。
此外应该指出国家的发展规划曾明确要求对核心电子器件，高端通用芯片要加大开发力度，因此作为微电子产业配套材料的单晶铜键合引线的开发，不仅具有明显的经济效益，也具有明显的社会意义，符合国家产业技术政策。
四、单晶铜键合引线技术分析该项目系高新技术项目，我们依托四十三所封装协会等高等研究所的技术优势，并与之联合开发，从而确保了技术装备及生产工艺进入了世界先进行列。
产品经信息部五所全项目测试，多项指标达到国家标准。
产品合格率达到98%以上。
产品通过四十三所及封装协会组织的专家评审鉴定，并进行了9001、2008国际认证及行业认证。
该项目生产工艺融合了金属材料制备工艺、热处理工艺、金刚石模具工艺，保证了生产一性、可靠性、解决了规模化生产问题，确保了产品合格率达到98%以上。
工艺流程如下：修模原材料————制线设备、正火设备————复绕成品包装气体保护设备原材料一次性制成Ф0.02mm的微细线，并可进行连续性生产。
五、项目投资1.该项目投资后年生产φ0.02mm—φ0.04mm单晶铜键合线0.5吨。
2.基建配套厂房500㎡，装机容量50KW，厂房环境达到净化级，密闭、洁净、光亮、无尘。
3.设备配套智能控制中拉机1台、细拉机4台、退火设备3套、复绕机10台、真空包装机1台、氮气储藏柜5台、氢气瓶组3组、氮气瓶组3组。
电流、电阻、拉伸、线径测试设备1套。
4.生产用工2~6人5.项目总投资、国定资产130万元，流动资金60万元。
六、项目经济分析该项目初期投资规模以年产单晶铜键合引线（规格为φ0.02mm~0.04mm）0.5吨。
（注：1g=300m）计1.3亿米。
1、投资预算：国定资产投资130万元流动资金：60万元总投资额：190万元2、成本核算：1、原材料：进口单晶铜丝1.2mm。
70万/吨，年用量0.5吨*70万=35万材料损耗15%。
材料总成本37.6万2.辅助材料、能耗、工、税、水、油、气折合每生产一米线0.03元*1.3亿米=390万3.企业成本，租金、工资、办公、税金折合每生产一米线0.03元*1.3亿米=390万4.利润分析：以1.3亿米进行分析1.销售收入1.3亿米*销售价0.12元/米=1560万2.生产成本780万3.销售利润1560万-780万=780万4.毛利润率（780/1560）*100%=50%5.所得率780*25%=195万6.净利率780-195=585万7.净利润率（585/1560）*100%=37.5%5.项目投资回收期项目设备投资130万年净利润585万总投资回收期585万/12月=48.75万/月130万/48.75约等于3个月即以年产1.3亿米计，投产三个月后即可收回全部设备投资。
七、投资风险1、技术风险本项目设备全部采用国内先进的计算机同服控制系统，工艺水平处以国内领先水平，技术先进，产品质量稳定可靠，已完全达到国家标准，且具有很高的性价比，故无任何技术风险。
2管理风险单晶铜键合引线属于高科技产品，技术含量很高，对生产工人和管理要求比较严格，管理的好坏关系着产品的质量及生产成本，因此要加强培训不断提高生产及管理人员的综合素质。
3市场风险目前，单晶铜键合引线系高科技新产品，市场需求量大，货源非常紧张，且因其性能的特殊性，又无可替代的产品，因而在一个相对长的时间内，至少在10年内市场不会饱和。
故基本无市场风险。
八、环境保护与安全生产1，环境保护生产过程中无“三废”排放，对环境不会产生不良影响，生产过程中排水、排气不含有害物质。
本项目可通过合肥市环保局环评认证。
2、劳动安全与工业卫生本项目生产安全过程，无原材料化学变化发生，均为物理变化，同时生产过程自动化程度高，操作化境洁净，低噪音，对员工不会产生有害影响及危险。
九、结论1、本项目生产工艺先进环保，产品开发符合国家经济技术政策，产品质量优良可靠，市场预期广阔长远，经济效益好，因此从技术经济角度评价可行。
2、本项目投资利润率，投资回收期，内部效益各项指标均高于其他行业的经济指标。