半导体材料的历史现状及研究进展(精)
半导体材料发展的历程
半导体材料发展的历程一、早期阶段半导体材料的发展始于20世纪初。
早期的半导体材料主要是以硒和碲等元素为基础的化合物。
这些化合物在电导率方面介于导体和绝缘体之间,因此被称为半导体。
然而,由于制备方法的限制以及材料本身的不稳定性,早期的半导体材料在实际应用中并不常见。
二、晶体管的发明20世纪40年代,晶体管的发明引领了半导体材料的发展。
晶体管是一种利用半导体材料的特性进行信号放大和开关控制的设备。
最早的晶体管是用硅和锗等材料制成的。
这些材料具有稳定的晶格结构和较高的电导率,使得晶体管能够稳定地工作在高频率下,为电子技术的发展提供了基础。
三、集成电路的诞生20世纪60年代,集成电路的诞生推动了半导体材料的进一步发展。
集成电路是将多个晶体管和其他电子元件集成在一块半导体芯片上的技术。
为了实现集成电路的制造,半导体材料的质量和稳定性提出了更高的要求。
这促使科学家不断改进制备方法,探索新的半导体材料,如硅和化合物半导体。
四、化合物半导体的崛起化合物半导体在半导体材料发展中扮演着重要的角色。
与硅相比,化合物半导体具有更高的电子迁移率,更适合高频和高速应用。
此外,化合物半导体还具有较宽的能带隙,使其在光电器件领域具有广阔的应用前景。
例如,氮化镓材料被广泛应用于发光二极管和激光器等光电器件中,其高效的发光性能为光通信和显示技术的发展做出了重要贡献。
五、新型材料的涌现近年来,随着科技的不断进步,一些新型半导体材料开始涌现。
例如,石墨烯作为一种二维材料,具有优异的电子输运性能和独特的光学特性,被认为是下一代半导体材料的候选者之一。
另外,钙钛矿材料由于其优异的光电性能,也引起了广泛的关注和研究。
这些新型材料的涌现为半导体技术的进一步发展提供了新的机遇。
六、应用领域的拓展随着半导体材料的不断发展,其应用领域也得到了广泛的拓展。
除了传统的电子器件领域,如计算机、手机和电视等,半导体材料还在能源、医疗和环境等领域发挥着重要作用。
半导体技术的现状与发展趋势
半导体技术的现状与发展趋势近年来,随着新能源、智能制造、云计算、人工智能等新技术的快速普及,对电子信息产品的需求量不断增多,而半导体技术就是这些新技术的基石之一。
半导体技术主要包括晶体管、集成电路、ASIC、MEMS、LED等多个领域,涵盖了通信、计算、存储、制造、照明、医疗等多个领域,具有广泛的应用和市场。
半导体技术的现状中国半导体产业已迈入快速发展的新阶段,全球半导体产业的格局也在不断地重构,主要包括以下几个方面:一、应用领域不断扩大目前,半导体产业的应用领域已从计算机和通信领域扩展到了汽车、家电、航空、医疗等多个领域。
在智能手机普及的背景下,移动互联网和物联网快速发展,对半导体的需求量持续增加。
智能汽车、人工智能和5G等新技术快速发展,也将催生半导体市场的不断扩大。
二、技术升级带动创新发展半导体技术的升级换代,催生了许多新的创新和技术突破。
目前,半导体产业的技术发展向着芯片微型化、智能化、安全化、节能化、工艺复杂化等方向快速发展。
同时,新的材料、工艺、器件结构的不断涌现,也在推进行业的技术革新。
三、国产成果不断涌现中国的半导体产业已经从跟随者转变为追赶者,目前在技术和市场方面都取得了很大的进展。
2019年底,中国的8英寸晶圆厂数量已经增加到了15家,国际其他地区的8英寸晶圆产能有望继续向中国转移。
在半导体材料、设备、器件、技术等方面,国产成果不断涌现,为中国半导体产业的快速发展提供了坚实的支撑。
半导体技术的发展趋势未来,半导体市场仍然会发生深刻的变化,主要趋势可能包括以下几个方面:一、先进制程不断普及目前,20纳米、16纳米和10纳米以下的制程已经逐渐成为半导体产业的主流,而7纳米的制程已经进入了量产的阶段。
未来,半导体行业将持续推进往纳米级别的晶圆制程技术,为智能制造、新能源、5G等新技术的应用提供更加完善的解决方案。
二、人工智能产业的推动人工智能是目前半导体产业的主要推动力之一。
在目前半导体领域最火热的人工智能芯片领域,华为、海思、寒武纪、云天励飞等国内企业已经推出了多款产品。
半导体历史状况及应用论文
半导体历史状况及应用论文半导体历史状况及应用论文半导体是一类能够在一定条件下既能导电又能绝缘的材料。
半导体技术的发展对现代电子技术、通信技术、信息技术等领域产生了深远的影响。
下面将从半导体的历史状况和应用两个方面展开,进行论述。
一、半导体历史状况半导体的历史可以追溯到19世纪末。
1883年,美国科学家霍尔斯特(Holst)通过对铜砷矿石的研究,首次发现了半导体的性质。
1897年,赖特(Wright)发现了由硒制成的曲面薄膜能够产生电流。
但是,当时对半导体的潜在应用并没有太多认识。
20世纪初,德国科学家恩斯特·约瑟夫·罗素(Ruska)发明了电子显微镜,使得人们可以直接观察到物质的微观结构。
这对于半导体研究起到了重要的推动作用。
此后,人们对半导体材料性质的研究取得了突破性进展。
20世纪50年代,半导体材料的研究进入了一个新的阶段。
德国物理学家布朗(Georg von Bogdanovich Brown)首次提出“掺杂”这个概念,通过在半导体材料中引入杂质元素,改变了材料的导电性质。
这一发现使半导体材料的应用领域得到了极大的拓展。
1951年,美国贝尔实验室的三位科学家肖克利(William Shockley)、巴丁(John Bardeen)和布瑞顿(Walter H. Brattain)合作发明了第一台晶体管,这一发明被认为是半导体技术的重要里程碑。
晶体管的发明使得电子技术进入了一个新时代,开启了半导体技术的广泛应用。
二、半导体应用半导体技术的应用广泛涉及到电子技术、通信技术、信息技术等多个领域。
1. 电子技术领域:半导体是电子器件的重要组成部分。
从最早的晶体管到如今的集成电路,半导体技术在电子技术领域得到了广泛应用。
半导体材料的导电性能可以通过不同掺杂方式进行调控,从而实现不同类型的电子器件。
2. 通信技术领域:半导体技术在通信领域的应用主要体现在光通信领域。
光通信是一种通过光信号进行数据传输的技术,而半导体激光器就是其中的关键设备。
半导体技术的发展历程
半导体技术的发展历程随着科技的不断进步,半导体技术在当今的信息时代扮演着重要的角色。
从最早的晶体管到如今的集成电路,半导体技术经历了一个漫长而辉煌的发展历程。
本文将从半导体的起源开始,梳理出半导体技术的发展脉络。
20世纪初,半导体技术的雏形开始显露出来。
当时,人们对电子运动的研究已经取得了一定的成果,而半导体材料的特殊性质引起了科学家们的兴趣。
1904年,德国物理学家赫尔曼·冯·辛诺发现了半导体材料的电导率与温度之间的关系,为后来的半导体研究奠定了基础。
1926年,美国物理学家朱利安·赫尔茨发现了硅晶体的半导体性质,并提出了半导体理论。
这一发现引发了人们对半导体材料的深入研究。
然而,在当时,由于材料制备和加工工艺的限制,半导体技术的应用范围非常有限。
直到1947年,贝尔实验室的威廉·肖克利和沃尔特·布拉顿偶然发现了晶体管效应,半导体技术才真正进入了实用化阶段。
晶体管的发明使得电子设备的体积大大减小,性能得到了极大的提升。
这一发现被誉为电子技术史上的重大突破,也为半导体技术的快速发展奠定了基础。
20世纪50年代,半导体技术开始进入了集成电路时代。
1958年,杰克·基尔比发明了第一块集成电路,将多个晶体管集成在一块芯片上。
这一突破彻底改变了电子设备的制造方式,使得电子产品的性能提升和体积缩小成为可能。
随后的几十年间,半导体技术不断取得突破。
1960年代,人们开始尝试使用光刻技术制造集成电路,从而提高了电路的复杂度和可靠性。
1971年,英特尔公司推出了第一款微处理器,开创了个人电脑时代。
微处理器的问世将计算能力集成到了一个芯片上,为电子产品的普及奠定了基础。
20世纪80年代和90年代,半导体技术迎来了飞速发展。
制程工艺的不断进步使得集成电路的集成度越来越高,功耗和体积也得到了大幅度的降低。
此外,半导体材料的研究也取得了重要进展,如硅基光电子技术和新型半导体材料的应用,进一步拓宽了半导体技术的应用领域。
半导体材料的历史现状及研究进展(精)
半导体材料的历史现状及研究进展(精)半导体材料的研究进展摘要:随着全球科技的快速发展,当今世界已经进入了信息时代,作为信息领域的命脉,光电子技术和微电子技术无疑成为了科技发展的焦点。
半导体材料凭借着自身的性能特点也在迅速地扩大着它的使用领域。
本文重点对半导体材料的发展历程、性能、种类和主要的半导体材料进行了讨论,并对半导体硅材料应用概况及其发展趋势作了概述。
关键词:半导体材料、性能、种类、应用概况、发展趋势一、半导体材料的发展历程半导体材料从发现到发展,从使用到创新,拥有这一段长久的历史。
宰二十世纪初,就曾出现过点接触矿石检波器。
1930年,氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用,是半导体材料开始受到重视。
1947年锗点接触三极管制成,成为半导体的研究成果的重大突破。
50年代末,薄膜生长激素的开发和集成电路的发明,是的微电子技术得到进一步发展。
60年代,砷化镓材料制成半导体激光器,固溶体半导体此阿里奥在红外线方面的研究发展,半导体材料的应用得到扩展。
1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功,是的半导体器件的设计与制造从杂志工程发展到能带工程,将半导体材料的研究和应用推向了一个新的领域。
90年代以来随着移动通信技术的飞速发展,砷化镓和磷化烟等半导体材料成为焦点,用于制作高速高频大功率激发光电子器件等;近些年,新型半导体材料的研究得到突破,以氮化镓为代表的先进半导体材料开始体现出超强优越性,被称为IT产业的新发动机。
新型半导体材料的研究和突破,常常导致新的技术革命和新兴产业的发展.以氮化镓为代表的第三代半导体材料,是继第一代半导体材料(以硅基半导体为代表和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表之后,在近10年发展起来的新型宽带半导体材料.作为第一代半导体材料,硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的飞跃,并广泛应用于信息处理、自动控制等领域,对人类社会的发展起了极大的促进作用.硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用,但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电子领域的应用.随着以光通状态所需的能量。
世界半导体产业发展历史及
世界半导体产业发展历史及引言:半导体产业是当今信息技术领域的核心,也是世界经济的重要组成部分。
本文将回顾世界半导体产业的发展历程,并探讨其对社会经济的影响。
一、早期发展阶段20世纪初,半导体领域的研究刚刚起步。
1904年,德国物理学家伯纳德·福斯特利特发现了半导体的导电性质,为半导体研究奠定了基础。
随后的几十年里,科学家们陆续发现了半导体材料的特性,如硅、锗等。
然而,由于技术限制和应用需求的缺乏,半导体产业的发展一度停滞。
二、半导体技术的突破1947年,贝尔实验室的肖克利团队发现了晶体管效应,这是半导体领域的一次重大突破。
晶体管的发明使得电子元件的制造和使用变得更加便捷和可靠,为半导体产业的快速发展打下了基础。
随后,随着集成电路技术的出现,半导体产业进入了快速发展的黄金时期。
三、半导体产业的崛起20世纪60年代,半导体产业开始在全球范围内兴起。
美国、日本和欧洲等地的企业纷纷投入到半导体领域的研发和生产中。
在这一时期,美国的硅谷地区逐渐成为全球半导体产业的中心。
同时,日本的半导体企业也快速崛起,迅速缩小了与美国的差距。
到了20世纪70年代,日本超过了美国,成为全球最大的半导体生产国。
四、半导体产业的全球化20世纪80年代,半导体产业进入了全球化阶段。
美国、日本、韩国、台湾等地的企业开始在全球范围内建立生产基地,并进行技术合作和市场开拓。
随着中国改革开放的推进,中国也逐渐成为全球半导体产业的重要参与者。
中国政府大力支持半导体产业的发展,并出台了一系列政策措施,吸引了大量国际半导体企业的投资。
五、半导体产业的现状与未来当前,全球半导体产业正处于高速发展的阶段。
新一代半导体技术,如量子计算、三维芯片等,正在不断涌现。
同时,人工智能、物联网、5G等新兴技术的快速发展也对半导体产业提出了新的挑战和机遇。
为了应对竞争和提高市场份额,各国半导体企业纷纷加大研发投入,推动技术创新和产业升级。
总结:世界半导体产业经历了从起步阶段到技术突破,再到全球化发展的过程。
(整理)半导体材料发展简史
半导体材料的发展简史半导体材料是半导体工业的基础,它的发展对半导体工业的发展具有极大的影响。
如果按化学成分及内部结构,半导体材料大致可以分为以下几类:一是元素半导体材料,包括锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)、硼(B)等。
20世纪50年代,锗在半导体工业中占主导地位,但锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差,到20世纪60年代后期逐渐被硅材料取代。
用硅制造的半导体器件,耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作大功率器件。
因此,硅已成为应用最多的一种半导体材料,目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。
二是化合物半导体,它是由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。
它的种类很多,重要的有砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硫化镉(CdS)等。
其中砷化镓是除硅之外研究最深入、应用最广泛的半导体材料。
由于砷化镓是一种直接带隙的半导体材料,并且具有禁带宽度宽、电子迁移率高的优点,因而砷化镓材料不仅可直接研制光电子器件,如发光二极管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器、红外探测器和高效太阳能电池等,而且在微电子方面,以半绝缘砷化镓(Si-GaAs)为基体,用直接离子注入自对准平面工艺研制的砷化镓高速数字电路、微波单片电路、光电集成电路、低噪声及大功率场效应晶体管,具有速度快、频率高、低功耗和抗辐射等特点。
碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好,在航天技术领域有着广泛的应用。
氮化镓材料是近十年才成为研究热点,它是一种宽禁带半导体材料(Eg=3.4eV),具有纤锌矿结构的氮化镓属于直接跃迁型半导体,是制作绿光、蓝光、紫光乃至紫外发光二极管、探测器和激光器的材料。
氮化镓可以与氮化铟(Eg=1.9eV)、氮化铝(Eg=6.2eV)形成合金InGaN、AlGaN,这样可以调制禁带宽度,进而调节发光管、激光管等的波长。
三是非晶半导体。
上面介绍的都是具有确定晶格结构的半导体材料,在这些材料中原子排列具有对称性和周期性。
半导体技术的发展现状与趋势
半导体技术的发展现状与趋势一、发展现状1.1半导体技术的历史半导体技术是20世纪最重要的技术之一,它改变了人类社会的方方面面。
20世纪50年代晶体管技术的发明让半导体技术获得了飞速发展的契机,之后的半个世纪里,半导体技术经历了晶体管、集成电路、微处理器等多个阶段的发展,不断推动着信息产业的发展。
1.2主要应用领域半导体技术已经深入到各个领域,如电子通信、计算机、电子消费品、汽车、医疗设备等。
在电子通信领域,半导体芯片是移动通信网络的核心部件;在计算机领域,半导体技术推动了计算机的不断升级和发展;在电子消费品领域,半导体技术使得电子产品变得更加小巧、功能更加强大;在汽车领域,半导体技术实现了智能化驾驶和无人驾驶技术;在医疗设备领域,半导体技术改进了医疗设备的性能,提高了医疗水平。
1.3技术发展水平半导体技术的当前发展水平已经非常成熟,主要表现在以下几个方面:(1)集成度不断提高。
半导体技术的集成度从最初的几个晶体管到现在的数十亿甚至上百亿个晶体管,集成度的提高使得芯片的功能越来越强大。
(2)工艺精度持续提高。
半导体制造工艺的微观化、精细化和复杂化是半导体技术不断发展壮大的基础,如工艺已经进入纳米尺度,工艺的精度已经达到了几十个纳米。
(3)新材料不断涌现。
半导体技术的发展离不开各种新型材料的推动,如氮化镓、碳化硅等材料的应用正在推动半导体技术的发展。
1.4产业现状半导体产业已经成为国民经济的支柱产业,在全球范围内有着巨大的影响力。
当前,全球半导体产业呈现以下几个特点:(1)全球产业集中度逐步提高。
全球主要的半导体企业集中在美国、韩国、日本等国家,这些国家的半导体企业占据了全球市场的绝大部分份额。
(2)产业链日趋完善。
半导体产业链已经形成完整的生产体系,从设备制造到芯片设计、生产、封装测试等环节,各个环节的企业都在不断努力提高产品水平和降低成本。
1.5发展机遇与挑战半导体技术的发展面临着一系列的机遇和挑战:(1)人工智能、物联网等新兴领域的兴起为半导体技术带来了新的发展机遇,这些新的领域对于半导体芯片的要求更高,也为半导体技术提供了更广阔的应用场景。
化合物半导体的发展现状
化合物半导体的发展现状1. 介绍化合物半导体是一种具有特殊能带结构和良好电学特性的半导体材料。
随着半导体技术的发展,化合物半导体在光电子、光伏、纳米电子等领域中扮演着重要角色。
本文将全面、详细、完整且深入地探讨化合物半导体的发展现状。
2. 历史回顾2.1 早期发展早在20世纪初,人们就开始研究化合物半导体。
例如,砷化镓(GaAs)在20世纪50年代首次用于半导体器件。
然而,早期的化合物半导体技术受到材料的缺陷和制造工艺的限制,限制了其应用范围和性能。
2.2 近期进展随着材料科学和制备技术的进步,化合物半导体取得了重要进展。
例如,氮化镓(GaN)材料的发展使得高亮度LED的商业化成为可能。
此外,砷化铟镓(InGaAs)材料的应用在高速通信和红外探测中取得了突破。
3. 化合物半导体的优势3.1 宽带隙材料化合物半导体与传统的硅材料相比,具有更大的能带隙。
这意味着化合物半导体在高温、高频率和高功率等条件下表现出更好的电学性能。
3.2 光电转换效率高由于化合物半导体的带隙能够匹配太阳光谱的特性,因此在光伏领域具有重要应用。
例如,砷化镓材料的光伏转换效率已经超过30%,将成为太阳能技术的重要组成部分。
3.3 优异的电子迁移率化合物半导体具有优异的电子迁移率,使其在高速电子器件中有广泛应用。
这对于实现高速、低功耗的电子设备至关重要。
4. 化合物半导体的应用4.1 光电子领域化合物半导体在光电子领域中有广泛的应用。
例如,半导体激光器广泛应用于光通信和激光切割。
此外,太阳能电池、光电二极管和光探测器等光电子器件的发展也离不开化合物半导体。
4.2 光伏领域化合物半导体的广泛应用使得高效率光伏电池的商业化成为可能。
砷化镓太阳能电池、硫化镉太阳能电池等已经取得了较高的光电转换效率,促进了可再生能源的发展。
4.3 纳米电子领域化合物半导体的优异电学性能使其在纳米电子领域中有重要应用。
例如,砷化铟镓材料可实现高速、低功耗的纳米电子器件,有望推动新一代高性能计算机的发展。
有机半导体材料的研究进展
有机半导体材料的研究进展随着人们对绿色化、可持续发展的重视,有机半导体材料作为一种新型材料,近年来受到了越来越多的关注。
有机半导体材料不同于传统的无机半导体材料,具有可调制导电性,柔性可塑性,低成本等优点,使它在柔性电子器件、有机光伏、发光二极管等领域中展现了广阔的应用前景。
本文将从有机半导体材料的概念和特点、研究现状、应用前景等方面进行论述。
一、有机半导体材料的概念和特点有机半导体材料是指含有有机分子构成,并具有半导体性质的化合物。
与传统的无机半导体相比,有机半导体材料的特点主要有以下几个方面。
1.可调制导电性有机半导体材料的导电性能可以通过控制电子和空穴的注入和跳跃来实现,在一定电场作用下,可以实现导电性的可调制性。
2.柔性可塑性有机半导体材料是一类柔性的材料,适合于制备柔性电子器件,并且可以通过改变材料的分子结构和化学组成,实现材料的柔性可塑性。
3.低成本相对于传统无机半导体材料,有机半导体材料的制备成本要低得多。
二、有机半导体材料的研究现状有机半导体材料的研究自上世纪80年代以来逐渐展开。
目前,国内外已有不少研究机构和企业投入到了有机半导体材料领域的研究中,从而推动了该领域的不断发展。
1.有机半导体材料的合成有机半导体材料的合成是该领域的一项关键研究内容,也是有机半导体材料研究的基础。
目前,有机半导体材料的合成方式主要有物理气相沉积法、有机分子溶液法等多种方式。
2.有机半导体材料的性质表征有机半导体材料的性质表征是研究该材料性质的一个重要手段。
常用的表征方法主要有X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱等方法。
3.有机半导体材料的应用研究有机半导体材料的应用研究是该领域的另一个重要研究方向。
有机半导体材料在柔性电子器件、有机光伏、发光二极管等领域都具有重要的应用价值。
三、有机半导体材料的应用前景有机半导体材料由于其独特的性质和优点,在某些领域具有广泛的应用前景。
1.柔性电子器件由于有机半导体材料具有柔性可塑性,使其非常适合用于柔性电子器件的制备。
半导体技术的发展现状与趋势
半导体技术的发展现状与趋势第一部分:半导体技术的发展现状半导体技术是当前信息产业中最重要的技术之一,涉及到电子器件、集成电路、光电子器件等多个领域,对于现代化社会的发展起到了至关重要的作用。
在当前的发展状态下,半导体技术正呈现出以下的发展现状:1.制程工艺不断进步:随着纳米技术的发展,半导体制程工艺也在不断进步。
当前主流的芯片制造工艺已经达到了7nm级别,甚至有望进一步发展到5nm及以下。
这种超高密度的制程工艺为半导体器件的性能提升提供了强大的支持。
2.新材料的应用:除了传统的硅基材料之外,半导体技术还在不断探索和应用新材料,如碳化硅、氮化镓等,这些新材料大大拓展了半导体器件的应用范围,并且有望带来更高的性能和更低的功耗。
3.应用领域不断扩展:随着半导体技术的不断发展,其应用领域也在不断扩展。
除了传统的通信、计算、消费电子领域之外,半导体技术还在汽车、医疗、工业控制等领域得到了广泛的应用。
4.大规模集成电路的发展:当前的半导体技术已经能够支持大规模集成电路的制造,从而可以实现更高性能、更低功耗的芯片设计,为现代化社会的发展提供了强大的支持。
第二部分:半导体技术的发展趋势在当前的发展趋势下,半导体技术正呈现出以下的发展趋势:1.纳米技术的深入发展:纳米技术是当前半导体技术发展的重要方向之一,未来的芯片制造工艺有望进一步发展到3nm甚至更低的水平,这将为半导体器件的性能提升带来更大的空间。
2.新材料的广泛应用:在半导体技术的发展趋势中,新材料的应用将占据重要地位。
碳化硅、氮化镓等新材料的广泛应用将为半导体器件的性能提升提供更大的空间。
3.人工智能芯片的发展:随着人工智能技术的迅猛发展,人工智能芯片也成为了当前半导体技术的热门领域之一。
未来的半导体技术将更加专注于人工智能芯片的设计和制造。
4.多功能集成电路的应用:未来的半导体技术有望实现更高性能、更低功耗的多功能集成电路设计,为智能手机、物联网等领域的发展提供更大的支持。
半导体技术的发展历程
半导体技术的发展历程半导体技术是当今电子信息领域中最重要的技术之一。
它的发展历程十分漫长而且具有持续性。
在技术创新、经济全球化、智能化等趋势的驱动下,半导体技术成为逐渐壮大的重要产业之一,继续推动科技和社会的发展。
本文将探究半导体技术的发展历程。
一、半导体技术的发展初期半导体最初在电学实验中出现。
20世纪初,德国科学家费曼(Fechner)发现,半导体材料的电导率比纯净的绝缘体高,但是远远不能与金属相比。
接下来,半导体学领域进一步得到了发展。
青年科学家威尔逊(Wilson)和布里格斯(Briggs)开始了半导体材料的研究和分析,并最先发现了硅材料的半导体性质。
20世纪20年代末期,德国的癌症诊断技术首先采用了半导体外延生长技术。
20世纪30年代,美国纽约的顾问公司贝尔实验室(Bell Labs)为了研究固体物体的特性,开展了一项大规模的半导体研究,华盛顿邮报更是在头版发表了这一成果。
二、半导体的集成化技术和商业化进程20世纪50年代末期,美国贝尔实验室的肯尼思·坦纳与杰克·基尔比通过将半导体材料与各种元器件结合在一起,率先实现了面向大众的晶体管集成电路。
半导体工业的商业化进程拉开了帷幕。
20世纪70年代,各大企业开始了芯片制造技术的商业化运营,IBM、英特尔、AMD等大企业相继涌现。
三、半导体技术的快速发展和产业化千千万万个半导体芯片的跻身人类工业的生产和生活的各个方面,成为当今科技创新的重要驱动力。
半导体技术在数码、移动通讯、电子游戏、家电、工厂、汽车制造等领域中得到广泛应用,半导体产业已经成为当前全球电子产业的前沿领域。
四、半导体技术的未来发展趋势目前半导体业的发展趋势有以下几点:1.高性能芯片制造技术的进一步发展;2.3D芯片的大规模应用;3.移动通讯的快速改变,能量质量的巨大提升;4.半导体电子产品的研发与应用;5.大数据的兴起和互联网的普及,以及人工智能技术的崛起。
半导体行业的材料科学了解半导体材料科学的研究进展和创新应用
半导体行业的材料科学了解半导体材料科学的研究进展和创新应用半导体行业的材料科学:了解半导体材料科学的研究进展和创新应用半导体材料科学是指研究半导体材料及其在半导体行业中的应用的学科。
在当今科技飞速发展的背景下,半导体材料科学的研究进展和创新应用对于推动半导体行业的发展起到了至关重要的作用。
本文将就半导体材料科学的研究进展和创新应用进行探讨。
半导体材料科学的研究进展主要体现在以下几个方面。
首先,新型半导体材料的研发与应用是当前半导体材料科学的关键研究方向。
传统的硅基半导体作为主要材料已经达到其物理极限,因此研究人员开始寻找新的材料,如氮化镓、碳化硅等,以开拓新的应用领域。
这些新型半导体材料具有优异的性能,能够满足高频、高温和高功率等特殊应用要求。
其次,半导体材料的纳米化和量子效应的研究也是当前热门的课题。
通过将半导体材料制备成纳米尺寸的结构,可以改变其电子结构和物理性质,从而实现对光、电、磁等信号的更加精确控制。
此外,量子效应的研究也在半导体材料的纳米尺度下取得了非常重要的突破,为新型量子器件的发展提供了基础。
再者,半导体材料科学与生物医学的交叉研究也日益受到关注。
半导体材料在生物医学领域的应用,比如生物传感器、药物传递系统等,为医学诊断和治疗提供了新的手段。
同时,生物材料的引入也促进了半导体材料领域的创新,例如基于DNA或蛋白质的纳米结构的研究,为构建更高性能的半导体器件打开了新的可能性。
最后,半导体材料科学的研究进展也涉及到可持续发展与环境保护的问题。
随着资源的日益枯竭和环境问题的凸显,绿色、可再生的半导体材料研究成为了当前的热点。
例如,有机半导体材料因其可溶性和可加工性被广泛应用于柔性电子器件中,具有较低的能耗和环境影响。
在半导体材料科学的研究进展基础上,创新应用的推广也助力半导体行业的进一步发展。
首先,新材料的应用为半导体行业注入了新的活力。
以氮化镓和碳化硅为代表的新型半导体材料,具备了较高的电子迁移率、较低的功耗和更宽的带隙等优点,可以用于制备高性能的微电子器件,如功率放大器、高速传输器件等。
半导体材料的历史
半导体材料的历史
1.发现半导体特性:1833年,德国物理学家费利克斯·伊曼努尔·霍普夫在对半导体材料的研究中,首次发现了半导体的电学特性,即电导率介于导体和绝缘体之间。
2.光敏效应的发现:1873年,威廉·亨利·佩克雷尔发现了光照对硒的电阻率的影响,这是光敏效应的首次观察。
3.二极管的发明:1906年,美国物理学家李·德福瑞斯和乔治·西蒙斯在实验中发现了砷化镓晶体的半导体性质,首次制造出了硒鼓型二极管。
4.光电效应的研究:1921年,爱因斯坦提出光电效应理论,揭示了光照射对半导体电子能级的影响,奠定了光电子学的理论基础。
5.半导体材料的研究:20世纪上半叶,随着对半导体材料的研究不断深入,人们陆续发现了硅、锗、砷化镓等半导体材料,并探索了它们的电学性质和应用潜力。
6.晶体管的发明:1947年,美国贝尔实验室的威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉丁发明了第一台晶体管,标志着半导体技术的革命性突破。
7.集成电路的诞生:1958年,杰克·基尔比等人在美国德州仪器公司成功制造出了第一块集成电路芯片,开创了现代集成电路技术的先河。
8.微电子工艺的发展:20世纪60年代至70年代,随着微电子工艺的不断发展,人们逐渐实现了对半导体材料的精密加工和微观结构的控制,推动了半导体技术的迅速发展。
9.半导体产业的崛起:20世纪后期至21世纪初,半导体产业迅速发展,成为全球电子信息产业的核心和支柱,推动了信息技术的快速进步和社会经济的发
展。
半导体材料文献综述
半导体材料文献综述半导体材料是一类电子特性介于导体和绝缘体之间的材料,具有广泛应用于电子器件、光电子器件和能源转换等领域。
在过去的几十年中,半导体材料的研究取得了重大进展,为各种应用领域提供了新的可能性。
本文综述了半导体材料的研究进展,并重点探讨了其在电子器件和能源转换等领域的应用。
半导体材料的研究可以追溯到上世纪50年代,最早的半导体材料是硅和锗。
随着研究的深入,人们发现了新的半导体材料,如氮化镓、碳化硅和磷化铟等。
这些新材料具有更好的电子特性和热特性,广泛应用于电子器件领域。
此外,半导体材料的研究还包括光电子和能源转换等领域。
在电子器件领域,半导体材料被广泛应用于晶体管、太阳能电池和发光二极管等器件中。
晶体管是现代电子器件中最重要的组成部分之一、它可以放大和开关电信号,广泛应用于计算机、手机和其他电子设备中。
近年来,石墨烯等新型二维材料也被提出用于制备晶体管,以提高器件性能。
太阳能电池是将太阳能转化为电能的装置,其中半导体材料是核心部分。
常见的太阳能电池材料有硅、硫化镉和铜铟镓硒等。
不同材料具有不同的光吸收特性和电荷传输特性,影响着太阳能电池的效率和稳定性。
近年来,半导体纳米材料和有机-无机杂化材料也被广泛用于太阳能电池的研究中,以提高器件效率和降低成本。
此外,半导体材料在光电子器件领域也有重要应用。
光电二极管、激光二极管和光电探测器等器件都是利用半导体材料的光电转换特性来实现的。
例如,光电二极管通过光电效应将光信号转化为电信号,广泛应用于光通信和光传感器等领域。
激光二极管则是利用半导体材料在电流激发下发射激光光束,用于激光打印、激光切割和医学激光等领域。
光电探测器则通过光电效应将光信号转化为电信号,广泛应用于光学成像和光学通信系统中。
近年来,磷化铟和锗等新型半导体材料的发展也为光电子器件带来了新的可能性。
半导体材料在能源转换领域也有广泛应用。
例如,半导体材料在光催化水分解中可以吸收太阳能,将水分解为氢气和氧气,用于氢燃料电池等能源装置。
世界半导体行业发展史
世界半导体行业发展史1、半导体材料的发现与研发半导体的概念可以追溯到19世纪末,当时人们开始研究导体和绝缘体的区别。
随着科技的发展,研究人员逐渐发现了半导体的特性,如热敏性、光敏性等,并开始对其进行研究。
20世纪中期,半导体材料的研究取得了突破性进展,硅和锗等元素被发现并开始被应用于电子工业。
2、晶体管的出现1947年,贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿和威廉·肖克利发明了晶体管,这是电子工业历史上的一个里程碑。
晶体管的应用范围非常广泛,包括收音机、电视机、计算机、手机等。
它的发明使得电子设备变得更加便携、高效和小型化。
3、集成电路的发明1958年,德州仪器公司的杰克·基尔比发明了集成电路。
集成电路的出现改变了电子设备的设计方式,将多个电子元件集成到一个小块半导体材料上,大大提高了设备的性能和可靠性,也降低了生产成本。
4、摩尔定律的推进1965年,英特尔公司的戈登·摩尔提出了摩尔定律,预测了半导体行业未来的发展趋势。
根据这个定律,每隔18-24个月,半导体芯片上集成的电子元件数量就会翻一番。
这个定律一直有效,直到现在仍在影响着半导体行业的发展。
5、多元化的应用发展随着半导体技术的发展,半导体应用领域也不断扩大。
在生活方面,半导体应用在各种消费电子产品中,如手机、电视等;在工业方面,半导体应用在各种自动化设备和仪器中,如机器人、数控机床等;在医疗方面,半导体应用在各种医疗设备和器械中,如医学影像设备和植入式医疗设备等。
此外,半导体还在军事、航空航天等领域得到广泛应用。
6、产业整合与转型随着半导体技术的发展和市场需求的不断变化,半导体行业也不断地进行整合和转型。
一方面,由于半导体制造过程复杂,需要大量的资金和技术投入,因此一些有实力的公司开始通过并购和合作来增强自身实力,提高市场份额。
另一方面,由于智能手机、物联网等新兴领域的发展,半导体行业也在不断探索新的应用领域和商业模式,例如基于云计算的半导体设计平台等。
半导体技术的发展现状与趋势
半导体技术的发展现状与趋势一、引言半导体技术是当今世界信息科技中的关键技术之一,它的发展对于整个信息产业有着举足轻重的作用。
近年来,随着信息产业的快速发展,半导体技术也在不断地迭代更新,其发展现状和未来趋势备受关注。
本文将就半导体技术的发展现状和未来趋势进行探讨,以期为读者对这一领域的了解提供帮助与指导。
二、半导体技术的发展现状1.器件尺寸不断缩小随着半导体技术的发展,芯片的制程技术也不断在迭代升级。
现在,我们已经看到了7纳米、5纳米级别的芯片问世,一方面这些芯片具有了更高的集成度和更小的功耗,另一方面,也给生产工艺带来了更大的难度。
在制程技术的不断提升下,芯片的尺寸将会越来越小,这也将成为半导体技术发展的重要趋势。
2.新材料的应用除了不断缩小器件尺寸,半导体技术的发展还在不断探索新材料的应用。
例如,石墨烯材料的出现为半导体行业带来了新的发展机遇,其在电子材料的应用领域中展现出了极高的潜力。
与此同时,氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料的应用也在不断扩大,这些新材料的出现为半导体技术的发展提供了新的思路和方向。
3. 5G和人工智能的发展推动半导体技术在5G和人工智能的发展推动下,半导体技术也得到了迅猛的发展。
新兴的5G通信技术需要更高速、更高性能的芯片来支撑,而人工智能技术的应用也需要更大规模、更高效率的计算能力。
因此,半导体技术在这两个领域的发展将会成为未来的重要趋势。
4.新型晶圆制造技术的发展在半导体技术的发展中,晶圆制造技术一直是一个重要环节。
现在,新型的晶圆制造技术如EUV光刻技术、多层三维集成等技术已经在逐渐应用到实际生产中,这些技术的应用将为半导体技术的发展带来新的突破点。
5.芯片设计与制造的集成化随着半导体行业的发展,芯片设计与制造的集成化也成为了一种趋势。
这种趋势的出现,一方面是为了提高芯片设计与制造的效率和质量,另一方面也是为了跟上制程技术的发展。
芯片设计与制造的集成化将会成为未来半导体技术发展的一个重要驱动力。
半导体技术论文高分子材料论文半导体材料的发展现状(精)
半导体技术论文高分子材料论文:半导体材料的发展现状摘要在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。
本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。
关键词半导体材料;多晶硅;单晶硅;砷化镓;氮化镓1 前言半导体材料是指电阻率在107Ω·cm~10-3Ω·cm,界于金属和绝缘体之间的材料。
半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料[1],支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。
电子信息产业规模最大的是美国和日本,其2002年的销售收入分别为3189亿美元和2320亿美元[2]。
近几年来,我国电子信息产品以举世瞩目的速度发展,2002年销售收入以1.4亿人民币居全球第3位,比上年增长20%,产业规模是1997年的2.5倍,居国内各工业部门首位[3]。
半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。
半导体材料的种类繁多,按化学组成分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体;按组成元素分为一元、二元、三元、多元等;按晶态可分为多晶、单晶和非晶;按应用方式可分为体材料和薄膜材料。
大部分半导体材料单晶制片后直接用于制造半导体材料,这些称为“体材料”;相对应的“薄膜材料”是在半导体材料或其它材料的衬底上生长的,具有显著减少“体材料”难以解决的固熔体偏析问题、提高纯度和晶体完整性、生长异质结,能用于制造三维电路等优点。
许多新型半导体器件是在薄膜上制成的,制备薄膜的技术也在不断发展。
薄膜材料有同质外延薄膜、异质外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等。
在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓、砷化铟、砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材料[4]。
半导体技术的发展现状与趋势
半导体技术的发展现状与趋势随着信息技术的快速发展,半导体技术作为现代电子技术的基石,得到了广泛的关注和推广。
半导体技术的快速发展推动了整个信息产业的繁荣发展,成为21世纪最重要的产业之一。
本文将介绍半导体技术发展的现状和未来的趋势。
一、半导体技术发展现状半导体技术依靠先进的微纳加工工艺和材料制备技术,使得半导体器件的尺寸越来越小,并且性能越来越优越。
摩尔定律指出,每隔18至24个月,半导体元器件上可集成的晶体管数量翻一番,其主要原因是制造工艺的不断改进和半导体材料的优化。
半导体材料、器件和工艺三者相互作用,是半导体技术不断发展的动力。
在半导体材料方面,现代半导体器件的大规模生产已经使用了各种半导体材料,包括硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅等。
随着人工智能和5G等技术的发展,高频、超高频和毫米波集成电路的需求将会越来越高,因此新型半导体材料的研究和开发仍然是非常重要的。
在半导体器件方面,CMOS技术是目前最常用的半导体器件技术,以其高密度、低功耗等优越的性能而被广泛应用。
随着新模拟和多媒体应用的需求增加,各种新型CMOS器件也得到了广泛的关注。
比如如今半导体领域发展趋势之一是MEMS,其通过微机械加工在芯片上制造了微观的机械元件,可用于传感器、加速度计、惯性导航等方面。
在半导体工艺方面,微纳加工工艺是现代半导体加工的主要手段,这种工艺将光刻、腐蚀、镀膜、离子注入、退火等多种步骤有机地结合起来。
各种新型的工艺流程的出现为半导体器件的制造提供了新的技术保障,比如CVD、ALD等化学气相沉积技术,可以制造出更高性能、特殊结构的器件,而纳米加工技术则可以把器件的尺寸缩小到更细微的尺度,从而增强器件的性能,进而使得芯片的计算速度更高。
二、半导体技术发展趋势(1)新型半导体材料的快速发展半导体材料是半导体器件发展的基础。
随着科学技术的发展,人们不断寻找、开发新型材料,以满足不同领域的需求。
例如,氮化镓、碳化硅、氮化铝等材料具有其它材料所不具备的优越性能,因此它们被广泛用于高功率电子和高频电子器件中。
半导体材料与器件发展趋势总结
半导体材料与器件发展趋势总结材料是人类社会发展的物质基础与先导。
每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。
材料已成为人类发晨的里程碑。
本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功,导致了电子工业大革命。
使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。
从20世纪70年代的初期,石英光纤材料和光学纤维的研制成功,以及GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明,使光纤通信成为可能,目前光纤已四通八达。
我们知道,每一束光纤,可以传输成千上万甚至上百万路电话,这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。
超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。
彻底改变了光电器件的设计思想。
使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。
出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴,使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构为特征的固态量子器件和电路的新时代,并极有可能触发新的技术革命。
半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会的二大支柱高技术产业的基础材料。
它的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。
一、几种重要的半导体材料的发展现状与趋势1.硅单晶材料硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。
目前微电子的器件和电路,其中有90%到95%都是用硅材料来制作的。
那么随着硅单晶材料的进一步发展,还存在着一些问题亟待解决。
硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的,它用石墨作为加热器。
所以,来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染,使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。
过饱和氧的污染,随着硅单晶直径的增大,长度的加长,它的分布也变得不均匀;这就是说材料的均匀性就会遇到问题。
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半导体材料的研究进展摘要:随着全球科技的快速发展,当今世界已经进入了信息时代,作为信息领域的命脉,光电子技术和微电子技术无疑成为了科技发展的焦点。
半导体材料凭借着自身的性能特点也在迅速地扩大着它的使用领域。
本文重点对半导体材料的发展历程、性能、种类和主要的半导体材料进行了讨论,并对半导体硅材料应用概况及其发展趋势作了概述。
关键词:半导体材料、性能、种类、应用概况、发展趋势一、半导体材料的发展历程半导体材料从发现到发展,从使用到创新,拥有这一段长久的历史。
宰二十世纪初,就曾出现过点接触矿石检波器。
1930年,氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用,是半导体材料开始受到重视。
1947年锗点接触三极管制成,成为半导体的研究成果的重大突破。
50年代末,薄膜生长激素的开发和集成电路的发明,是的微电子技术得到进一步发展。
60年代,砷化镓材料制成半导体激光器,固溶体半导体此阿里奥在红外线方面的研究发展,半导体材料的应用得到扩展。
1969年超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功,是的半导体器件的设计与制造从杂志工程发展到能带工程,将半导体材料的研究和应用推向了一个新的领域。
90年代以来随着移动通信技术的飞速发展,砷化镓和磷化烟等半导体材料成为焦点,用于制作高速高频大功率激发光电子器件等;近些年,新型半导体材料的研究得到突破,以氮化镓为代表的先进半导体材料开始体现出超强优越性,被称为IT产业的新发动机。
新型半导体材料的研究和突破,常常导致新的技术革命和新兴产业的发展.以氮化镓为代表的第三代半导体材料,是继第一代半导体材料(以硅基半导体为代表和第二代半导体材料(以砷化镓和磷化铟为代表之后,在近10年发展起来的新型宽带半导体材料.作为第一代半导体材料,硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的飞跃,并广泛应用于信息处理、自动控制等领域,对人类社会的发展起了极大的促进作用.硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用,但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电子领域的应用.随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展,第二代半导体材料崭露头角,砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键元器件.同时,砷化镓高速器件也开拓了移动通信的新产业。
第三代半导体材料的兴起,是以氮化镓材料P-型掺杂的突破为起点,以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的.它将在光显示、光存储、光照明等领域有广阔的应用前景.二、半导体材料的性能半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。
靠电子和空穴两种载流子实现导电,室温时电阻率一般在10-5~107欧·米之间。
通常电阻率随温度升高而增大;若掺入活性杂质或用光、射线辐照,可使其电阻率有几个数量级的变化。
1906年制成了碳化硅检波器。
1947年发明晶体管以后,半导体材料作为一个独立的材料领域得到了很大的发展,并成为电子工业和高技术领域中不可缺少的材料。
特性和参数半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。
纯度很高的半导体材料称为本征半导体,常温下其电阻率很高,是电的不良导体。
在高纯半导体材料中掺入适当杂质后,由于杂质原子提供导电载流子,使材料的电阻率大为降低。
这种掺杂半导体常称为杂质半导体。
杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体,靠价带空穴导电的称P 型半导体。
不同类型半导体间接触(构成PN结或半导体与金属接触时,因电子(或空穴浓度差而产生扩散,在接触处形成位垒,因而这类接触具有单向导电性。
利用PN结的单向导电性,可以制成具有不同功能的半导体器件,如二极管、三极管、晶闸管等。
此外,半导体材料的导电性对外界条件(如热、光、电、磁等因素的变化非常敏感,据此可以制造各种敏感元件,用于信息转换。
半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。
禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。
电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。
非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。
位错是晶体中最常见的一类缺陷。
位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度,对于非晶态半导体材料,则没有这一参数。
半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别,更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下,其特性的量值差别。
三、半导体材料的种类半导体材料按化学成分和内部结构,大致可分为以下几类。
1、元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。
50 年代,锗在半导体中占主导地位,但锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差,到 60 年代后期逐渐被硅材料取代。
用硅制造的半导体器件,耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作大功率器件。
因此,硅已成为应用最多的一种增导体材料,目前的集成电路大多数是用硅材料制造的。
2、化合物半导体由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。
它的种类很多,重要的有砷化镓、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。
其中砷化镓是制造微波器件和集成电的重要材料。
碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好,在航天技术领域有着广泛的应用。
3、无定形半导体材料用作半导体的玻璃是一种非晶体无定形半导体材料,分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种。
这类材料具有良好的开关和记忆特性和很强的抗辐射能力,主要用来制造阈值开关、记忆开关和固体显示器件。
4、有机半导体材料已知的有机半导体材料有几十种,包括萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,目前尚未得到应用。
四、主要的半导体材料1、半导体硅材料从目前电子工业的发展来看,尽管有各种新型的半导体材料不断出现,半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等综合优势而成为了当代电子工业中应用最多的半导体材料。
硅是集成电路产业的基础,半导体材料中98%是硅。
半导体器件的95%以上是用硅材料制作的,90%以上的大规模集成电路(LSI、超大规模集成电路(VLSI、甚大规模集成电路(ULSI都是制作在高纯优质的硅抛光片和外延片上的。
硅片被称作集成电路的核心材料,硅材料产业的发展和集成电路的发展紧密相关。
半导体硅材料分为多晶硅、单晶硅、硅外延片以及非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅等。
现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅烷热分解法。
主要产品有棒状和粒状两种,主要是用作制备单晶硅以及太阳能电池等。
生长单晶硅的工艺可分为区熔(FZ和直拉(CZ两种。
其中,直拉硅单晶(CZ-Si广泛应用于集成电路和中小功率器件。
区域熔单晶(FZ-Si目前主要用于大功率半导体器件,比如整流二极管,硅可控整流器,大功率晶体管等。
2、gaas和inp单晶材料gaas和inp是直接带隙材料,具有电子饱和漂移速度高,耐高温,抗辐照等特点;在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路,特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。
gaas和inp单晶的发展趋势是:增大晶体直径,目前4英寸的si-gaas已用于生产,预计本世纪初的头几年直径为6英寸的si-gaas也将投入工业应用;提高材料的电学和光学微区均匀性;降低单晶的缺陷密度,特别是位错;gaas 和inp单晶的vgf生长技术发展很快,很有可能成为主流技术。
3、宽带隙半导体材料宽带隙半导体材主要指的是金刚石,iii族氮化物,碳化硅,立方氮化硼以及氧化物(zno等及固溶体等,特别是sic、gan和金刚石薄膜等材料,因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点,成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料;在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。
另外,iii族氮化物也是很好的光电子材料,在蓝、绿光发光二极管(led和紫、蓝、绿光激光器(ld以及紫外探测器等应用方面也显示了广泛的应用前景。
宽带隙半导体异质结构材料往往也是典型的大失配异质结构材料,所谓大失配异质结构材料是指晶格常数、热膨胀系数或晶体的对称性等物理参数有较大差异的材料体系,如gan/蓝宝石(sapphire,sic/si和gan/si等。
大晶格失配引发界面处大量位错和缺陷的产生,极大地影响着微结构材料的光电性能及其器件应用。
如何避免和消除这一负面影响,是目前材料制备中的一个迫切要解决的关键科学问题。
这个问题的解泱,必将大大地拓宽材料的可选择余地,开辟新的应用领域。
4、低维半导体材料实际上这里说的低维半导体材料就是纳米材料,之所以不愿意使用,主要是不想与现在热炒的所谓的纳米衬衣、纳米啤酒瓶、纳米洗衣机等混为一谈、从本质上看,发展纳米科学技术的重要目的之一,就是人们能在原子、分子或者纳米的尺度水平上来控制和制造功能强大、性能优越的纳米电子、光电子器件和电路,纳米生物传感器件等,以造福人类。
可以预料,纳米科学技术的发展和应用不仅将彻底改变人们的生产和生活方式,也必将改变社会政治格局和战争的对抗形式。
这也是为什么人们对发展纳米半导体技术非常重视的原因。
电子在块体材料里,在三个维度的方向上都可以自由运动。
但当材料的特征尺寸在一个维度上比电子的平均自由程相比更小的时候,电子在这个方向上的运动会受到限制,电子的能量不再是连续的,而是量子化的,我们称这种材料为超晶格、量子阱材料。
量子线材料就是电子只能沿着量子线方向自由运动,另外两个方向上受到限制;量子点材料是指在材料三个维度上的尺寸都要比电子的平均自由程小,电子在三个方向上都不能自由运动,能量在三个方向上都是量子化的。
基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已经发展得很成熟,广泛地应用于光通信、移动通讯、微波通讯的领域。
量子级联激光器是一个单极器件,是近十多年才发展起来的一种新型中、远红外光源,在自由空间通信、红外对抗和遥控化学传感等方面有着重要应用前景。
它对MBE制备工艺要求很高,整个器件结构几百到上千层,每层的厚度都要控制在零点几个纳米的精度,中国在此领域做出了国际先进水平的成果;又如多有源区带间量子隧穿输运和光耦合量子阱激光器,它具有量子效率高、功率大和光束质量好的特点,中国已有很好的研究基础;在量子点(线材料和量子点激光器等研究方面也取得了令国际同行瞩目的成就。
5、半导体超晶格、量子阱材料半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术(MBE,MOCVD的新一代人工构造材料。
它以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想,出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴,是新一代固态量子器件的基础材料Ⅲ-V族超晶格、量子阱材料GaAIAs/GaAs,GaInAs/GaAs,AIGaInP/GaAs;GalnAs/InP,AlInAs/InP,InGaAsP/InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟,已成功地用来制造超高速,超高频微电子器件和单片集成电路。