磁控溅射台技术参数
磁控溅射仪主要技术指标
磁控溅射仪主要技术指标
真空室尺寸：视窗不锈钢真空室，Ф200 x200mm
真空系统：配置涡轮分子泵、机械泵（带防返油过滤器）
极限压力：≤1.0 x 10-5Pa
恢复真空时间：恢复工作背景真空6×10-4Pa：35分钟左右（充干燥氮气）
磁控靶组件：配置两个直径2英寸溅射靶枪，带独立挡板，共焦溅射，可以溅射小于等于4英寸的工件；有一个靶枪为磁场增强型，可以溅射厚度不小于3mm的Ni靶材；直流电源和射频电源可以自动切换到两个靶枪实现直流和射频溅射；4英寸工件溅射均匀性优于±5%；溅射重复性优于±3%。
样品尺寸：≤4 inches (约100mm)
运动方式： 0~20RPM
气路系统：配置两路进气，采用知名品牌流量计控制（最大流量50sccm）
计算机控制系统：触摸屏控制系统，可以在触摸屏上实现所有设备操作。
磁控溅射ti的工艺参数
磁控溅射ti的工艺参数嘿，朋友！咱们今天来聊聊磁控溅射 Ti 的工艺参数，这可是个相当有趣又重要的话题哟！你知道吗，磁控溅射 Ti 就像是一场精心编排的舞蹈，而工艺参数就是指挥这场舞蹈的节拍和旋律。
先来说说溅射功率。
这玩意儿就好比是舞者的力量，功率越大，溅射出的粒子就像充满活力的舞者，跳得更高、更远，沉积的速度也就越快。
但要是功率太大了，那可就像舞者用力过猛，容易出现“乱了阵脚”的情况，导致薄膜质量下降。
所以，控制好溅射功率，那可是关键中的关键呐！再讲讲工作气压。
它就像是舞台上的氛围，气压合适，粒子们就能在“舞台”上有序地表演，形成均匀、致密的薄膜。
要是气压太低，粒子们就像在空旷的舞台上找不到伙伴，孤单又迷茫；气压太高呢，它们又像在拥挤的人群中挤来挤去，乱成一团。
你说这是不是很有趣？还有靶基距。
这相当于舞者和观众的距离。
距离适中，观众能欣赏到精彩的表演，也就是能得到质量良好的薄膜。
距离太近，就像观众贴到舞者跟前，会影响表演效果；距离太远，观众又看不清楚，薄膜的质量也就难以保证啦。
至于溅射时间，那就是舞蹈的时长。
时间短了，薄膜还没成型，就像舞蹈刚刚开场就结束，能精彩吗？时间太长，又可能会出现过度沉积，就像舞者跳得太久累得不行，影响整体效果。
还有靶材的纯度，这可关乎着“舞者”的出身。
纯度高的靶材，就像出身名门的舞者，基础好，表演自然精彩；纯度低的靶材，就像半路出家的舞者，总会有些小瑕疵。
温度也是个重要的参数。
它就像舞台的温度，合适的温度能让舞者发挥得更好，让粒子们更活跃，形成的薄膜性能也就更优越。
总之，磁控溅射 Ti 的工艺参数就像是一场精妙的交响乐，每个参数都是一个独特的音符，只有相互协调，才能演奏出美妙的乐章，得到理想的薄膜。
所以，在实际操作中，咱们可得像个经验丰富的指挥家，精心调整每个参数，让这场“磁控溅射之舞”完美呈现！。
磁控溅射设备说明书教材
磁控溅射沉积系统用户手册声明：感谢您购买中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（以下简称沈阳科仪公司）的设备，请您在使用该设备之前认真阅读本说明书，当您拿到该说明书时，请认真阅读以下声明。
如不接受本声明，请立即与本公司联系，否则视为全部接受本声明。
1.本说明书所有内容，未经沈阳科仪公司书面同意，任何人均不得以任何方式（复制、扫描、备份、转借、转发、转载、上传、摘编、修改、出版、展示、翻译成其它语言、传播以及任何其它方式）向第三方提供本说明书的部分或全部内容。
如有违反，沈阳科仪公司将保留一切权利。
2.本说明书仅供使用者参考，可作为使用者所在公司学习、培训的内部资料。
3.本说明书所详述的内容，不排除有误或遗漏的可能性。
如对本说明书内容有疑问，请与沈阳科仪公司联系。
4.关于知识产权，请严格遵守知识产权保护的相关法律法规。
5.本说明书解释权归中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司所有。
保护知识产权、促进创新发展；运用知识产权、发展知识经济；打击盗版侵权、繁荣文化事业；保护知识产权、激励自主创新；加强知识产权保护、规范市场经济秩序；保护知识产权从你我做起！人人应该做到这样！前言：首先感谢购买我们的设备，本着对您负责的精神，并为了确保给您提供最优质的售后服务，特别为您准备了本手册，请您耐心读取相关信息。
您的义务请您在使用过程中，将发生故障的操作步骤填写在用户反馈问题清单中，我们将参考此表内容尽我们最大的能力在最短的时间内完成维修。
如何使用本手册如果您是初次使用该设备，那么您需要通读用户手册。
如果您是一位有经验的用户，则可以通过目录查找相关信息。
本手册涉及的字体及符号说明：字体的大小直接反应父、子关系，符号说明见下表：符号指示性说明代表意义➢描述性说明没有先后顺序之分，是比❑和■高一级目录❑详细描述性说明没有先后顺序之分■详细描述性说明有先后顺序之分提示性说明有利于深刻认识系统，并且可以避免不必要的故障发生警告性说明必须严格遵守的内容，否则会发生严重事故目录绪言 (1)一、系统简介 (1)1、概述 (1)2、工作原理以及技术指标 (2)工作原理： (2)技术指标： (2)3、系统主要组成 (3)溅射真空室组件： (3)上盖组件： (4)真空获得和工作气路组件： (5)安装机台架组件： (7)4、设备安装 (7)安装尺寸： (7)配套设施： (7)二、系统主要机械机构简介 (8)1、磁控溅射靶组件 (8)2、单基片加热台组件 (9)3、基片加热公自转台组件 (10)4、基片挡板组件 (11)三、操作规程： (11)1、开机前准备工作 (11)2、开机（大气状态下泵抽真空） (12)启动总电源： (12)大气状态下溅射室泵抽真空： (12)3、溅射室处于真空状态时抽真空： (13)4、工作流程： (13)➢装入样品： (13)➢磁控溅射镀膜： (14)5、靶材的取出和更换: (15)6、停机： (16)四、电源及控制 (16)分类： (17)供电要求： (17)使用说明 (18)电控单元使用说明： (19)五、注意事项 (20)1、安全用电操作注意事项: (20)2、操作注意事项： (21)六、常见故障及排除 (22)七、紧急状况应对方法 (23)1、突然断电 (23)2、突然断水 (24)3、出现严重漏气 (24)八、用户反馈问题清单 (25)九、维护与维修 (26)绪言磁控溅射沉积系统是高真空多功能磁控溅射镀膜设备。
磁控溅射镀膜机等设备技术参数
磁控溅射镀膜机/电子束蒸发镀膜仪技术参数一、电子束蒸发镀膜仪技术要求：1. 整机需采用柜式一体化集成封闭结构。
高压强电系统需密封在柜内。
2. 镀膜技术：采用高真空电子束镀膜和电阻式热蒸发镀膜两种技术。
3. 电子枪及热蒸发源：3.1）1台E型电子枪（功率≥8KW）3.2）四穴水冷坩埚（无氧铜材料）。
与基片的距离必须350～400mm可调。
3.3）3套水冷电极柱3.4）3套电阻热蒸发源3.5）4套挡板。
4. 真空腔体：4.1）需用真空专用奥氏体，304不锈钢。
立式D形前开门结构；4.2）真空室内外全部电化学抛光。
4.3）必须预留膜厚仪接口及两个CF35接口；4.4）腔体上要有≥Φ100mm观察窗，需配不锈钢挡板。
观察窗。
4.5）极限真空≤8×10-5Pa4.6）不锈钢金属波纹管路，真空规管用金属规，需用微机型复合真空计。
5. 真空系统：真空系统需采用分子泵（抽速≥1200L/S）+机械泵真空机组（抽速≥8L/S）。
6. 控制系统：采用PLC控制。
同时具有手动操控方式和半自动运行方式。
7. 电源系统：恒流，0～300A，可控可调。
能在三套热蒸发源之间切换使用。
8. 基片台：8.1）需配1套尺寸不小于Ф200mm可水冷样品台。
8.2）4块独立挡板，可通过磁控拉杆独立控制4部分区域镀膜；8.3）基片转速2～20转/分，可控可调。
基片台可旋转、可升降。
9. 膜厚仪：四通道，分辨率≥0.1埃；至少配1支水冷膜厚探头。
10. 水冷系统：需配1台循环制冷恒温水箱，确保能满足冷却要求。
11. 动力气源：需配1台低噪声气泵，确保系统能正常工作。
12. 安全及报警系统：具有完善的真空互锁及保护系统，对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况报警并执行相应保护措施。
至少配6台水流流量计，观察窗必须加装铅玻璃和滤光片。
二、磁控溅射镀膜机技术要求：1. 整机需采用柜式一体化集成封闭结构。
高压强电系统需密封在柜内。
2. 镀膜形式：三个磁控溅射靶向心溅射镀膜。
高真空磁控溅射仪技术参数
高真空磁控溅射仪技术参数1用途该系统适用于实验室制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜、电极材料等。
2 工作条件2．１环境温度: 0 —４０℃；２.２相对湿度: 2０-5０％;2．3适用电源规格：3８0Ｖ（ＡC),50。
3 技术参数3．1真空腔室采用前开门，选用优质不锈钢，牌号不低于3０4★３.2 前级机械泵：抽速不小于8．3L/ｓ★３。
3 复合分子泵:抽速不小于1300L/ｓ；包含可控蝶阀★３．4 溅射室极限真空度≤8x１０—6Pa（经烘烤除气后）３．5系统真空检漏漏率≤５x10—7Pa.l／S★３。
6系统停泵关机12小时后真空度≤6Ｐa3.7 反磁控皮拉尼真空计★测试范围： 10—9ｍbａｒ至1000mbａr精度：不超过±3０%可重复性：不超过±5%反应时间：P１0-6mｂar:小于10毫秒3.８电容膜片真空计测试范围:10—2Pa至10２Pa精度:0。
2%分辨率:０。
003％压强最大：260ＫPa反应时间：不超过３０毫秒温度效应:在满量程：0.01％读值/℃3．9配备三靶溅射系统,含一个强磁靶。
靶大小为60mm或3英寸,XX靶可/顺次／共同工作,电源和靶可自动切换,XX靶含旋转气动控制挡板组件3.１0 全自动匹配直流电源2台★功率输出：单输出 0～500W,最大可输出到500W输出电流: 0～１A模式:功率调节、电流调节或电压调节显示精度:小于实际输出值的0。
2％，或小于最大输出值的2％多级弧抑制及灭弧３。
11 ★全自动匹配射频溅射电源1套(包括600w射频电源、1000VA匹配器、射频电缆、数据电缆）频率：１3.５６０Ｍ，误差不超过± 0。
００5 %最大输出功率（W）： 600W，５0Oｈｍ负载最小输出功率(W）: 6Ｗ， 50Ｏhm负载反射功率极限(W）: 小于200W射频输出接头：N－ｔype（fem.）最低启辉气压:1０—5Ｐa射频匹配器最大工作功率：1０0０W射频匹配器阻抗调节范围：－j220到j5０3。
磁控溅射系统基本技术要求
磁控溅射系统基本技术要求磁控溅射技术是一种常用的表面涂层技术，其主要应用于金属和陶瓷等材料的制备和涂装工艺。
该技术具有高效、环保、省能等优点，在航空、航天、电子、建材和汽车等领域得到广泛的应用。
以下是关于磁控溅射系统基本技术要求的介绍。
磁控溅射系统构成磁控溅射系统主要由以下几个部分组成：1.溅射源：是磁控溅射系统中最主要的组成部分，其目的是通过电弧或其他方法将目标材料加热，使其变成蒸汽或离子的形式，并将其喷射到表面上。
2.磁控装置：是系统中必要的部件，其作用是将带电的粒子引导到基底表面，并控制沉积厚度和成膜质量。
3.基底清洗装置：磁控溅射系统必备的组成部分之一，其作用是清洗基底表面，以确保良好的粘附质量并减轻表面缺陷。
4.惰性气体供应系统：惰性气体一般用于气氛控制和作为扩散气体。
主要供应氖气、氦气等。
5.辅助设备：如抽真空系统、高压直流电源、电极、调节装置等。
磁控溅射技术要求基底处理在进行磁控溅射涂装时，亲和力高、表面光洁度好、无油污和控制参量稳定的基底表面是必须的。
基底的表面光洁度和氧化状态均会影响后续的磁控溅射涂装工艺。
因此，应对基底表面进行一系列的清洗、去油、抛光、脱氧等处理工艺，以便使得其表面达到所要求的状况。
物质选择选择合适的溅射材料，对于保证磁控溅射涂装质量来说是至关重要的。
在进行溅射材料的选择时，应考虑其化学成分、物理特性、结构性能等因素，以便确保溅射材料能够满足工艺要求，并保证其与表面的粘附性。
溅射条件对于溅射条件的选择，其主要依据是溅射材料的物理性质和目标涂层的质量标准。
在溅射过程中，应对各项参量予以严格控制，如气氛、溅射电流、溅射功率、沉积速度等，以保证成膜速度、膜层厚度、颗粒大小等参数的准确控制和调节。
喷涂设备磁控溅射涂装设备应具有高度的自动化程度和稳定性，以确保溅射涂装的全过程不受外界因素的干扰。
在选购喷涂设备时，应根据溅射涂装工艺和工艺参数综合考虑设备的各项指标，如溅射功率、电子束束流密度、溅射效率、撞击速度、设备稳定性等因素。
2019年磁控溅射说明书-推荐word版 (8页)
本文部分内容来自网络整理，本司不为其真实性负责，如有异议或侵权请及时联系，本司将立即删除！== 本文为word格式，下载后可方便编辑和修改！ ==磁控溅射说明书篇一：溅射台说明书超高真空磁控溅射设备使用说明书沈阳奇汇真空技术有限公司一设备简介该设备是用于在真空状态下进行磁控溅射试验的科学仪器。
设备的密封采用金属密封与氟胶圈密封相结合的方式，电极采用陶封技术，运动采用金属焊接波纹管结构。
设备整体用优质不锈钢制造，系统可靠，运动灵活，定位准确。
1 设备的主要结构及介绍设备按外观结构可分为三部分，磁控溅射室、磁控靶、工作台如图（一）2.1磁控溅射室磁控溅射室由加热水冷样品架、真空获得及测量系统等组成。
如图（二）。
2.1.1 加热及其水冷样品台加热样品台安装在磁控溅射室的上方，采用陶瓷炉盘及高温炉丝盘制而成，升温与降温速度快，温度均匀性良好。
可加热到600℃，长时间在500℃条件下工作，控温精度±2℃。
水冷样品台可以和加热样品台更换使用，安装在磁控溅射室上方，采用不锈钢焊接而成，冷却效果良好。
（如图三）加热样品台（图三）水冷样品台2.1.2真空获得系统由2X—4B机械泵1台，620C分子泵（中科科仪KYKY 620C）1台，上海三井的100L离子泵一台，K-100扩散泵一台，CF150超高真空闸板阀1台，CF100超高真空闸板阀1台，CF35超高真空角阀1只。
通断蝶阀一只，KF40电磁真空阀3只，Ф32金属波纹管路3段，(总长6.5米)构成。
详见配套部分的《插板阀说明书》《110A分子泵说明书》《2XZ-4B机械泵使用说明书》，《三井离子泵使用说明书》2.1.3真空获得系统真空测量系统由测量规管和超高真空真空计组成。
该机配有KF电阻规、超高真空金属电离规。
详见《正华真空计说明书》。
2.2 磁控靶3寸磁控溅射靶，靶体采用无氧铜加工而成，无磁力干扰，磁场部分模拟，提高靶材利用率，内置水冷结构，保证靶材使用寿命，水冷结构特殊设计，抗污染能力强（建议还是要使用纯净水，水中的杂质太多，大大的缩短靶水道清洗的周期。
pvd 磁控溅射 参数
pvd 磁控溅射参数
PVD磁控溅射是一种先进的薄膜沉积技术，广泛应用于制备功能性薄膜和涂层。
在PVD磁控溅射过程中，通过控制一系列参数来实现对涂层性能的精确调控，这些参数包括溅射功率、溅射时间、气体流量、基底温度等。
首先，溅射功率是影响溅射速率和涂层成分的重要参数。
通过调节溅射功率，可以控制溅射材料的离子化程度和沉积速率，从而影响涂层的致密性和结晶度。
其次，溅射时间也是影响涂层厚度和成分均匀性的关键参数。
合理的溅射时间可以确保涂层的厚度均匀性和稳定性，同时避免过度溅射导致材料损耗过多。
此外，气体流量和基底温度也对涂层质量起着重要作用。
适当的气体流量可以调节沉积速率和涂层成分，而基底温度则影响涂层的结晶度和附着力。
综合来看，PVD磁控溅射参数的精确控制对于薄膜涂层的制备至关重要。
通过合理调节这些参数，可以实现对涂层微观结构、力
学性能和光学特性的精确调控，从而满足不同领域对于功能性涂层的需求。
随着技术的不断进步，PVD磁控溅射技术将在材料科学、电子器件、光学涂层等领域发挥越来越重要的作用。
磁控溅射设备
磁控溅射镀膜机产品型号：TSV1200-S用途：磁控溅射PVD镀膜，氮化钛（TiN）、氮碳化钛（TiCN）、氮化锆（ZrN）、氮化铬（CrN）、氮化铝钛（TiAIN）、碳化钛（TiC）等基材：不锈钢,锌合金,塑料应用：手机外壳，MP3外壳，数码相机外壳，各种标牌的装饰改性加硬镀膜颜色：白色，金色，银色，黑色，兰色等基本参数：● 真空室尺寸：1210mm（直径）×1200mm（高）；● 抽气时间速：大气到5×10-3Pa≤20min (空载, 冷态,洁净)；● 最高烘烤温度:300℃● 采用侧面对开门方式,便于工件装卸；● 2台φ400mm口径分子泵、1台ZJP300型罗茨泵，2台2X-70型机械泵抽气；● 一套公、自转工转机构，采用下驱动方式的二维平面行星机构；自转轴20根；● 所有驱动引入采用带水冷套磁流体密封；● 四对磁控溅射靶平行安装且成圆周分布，靶材尺寸：910mm×120mm（长×宽）；● 4路进口质量流量计进气；● 预溅射小车挡板，控制预溅射工艺；● 三台30KW中频电源及一台30KW脉冲偏压电源；● 控制系统采用触摸屏上位机（工控机）+下位机（PLC）的控制形式● 控制系统有手动和自动，全系统具有互保护, 泵阀互锁。
主要技术参数和配置：（一）真空系统技术指标1. 极限真空：优于2x10-3Pa；2. 抽速:大气到5x10-3Pa≤30mm（空载、冷态，洁净）；3. 压升率：小于0.5Pa/hr.(二) 真空室和真空系统配置1.度模式尺寸：1210mm（直径）x1200mm(高);2.采用侧面对开门方式,便于工件装卸；3.外壁通冷却水，冷却水管采用半圆管焊接方式，焊缝美观、平整；4. 3个观察窗口，左右门上各一个，室体正前方一个；5. 抽气室内安装一个旋转挡气挡板，旋转角度范围0~90°6．两台φ400mm口径分子泵；7. 1台ZJP300型罗茨泵，增加气动旁通阀；8. 2台2x-70型机械泵，一台为粗抽泵，一台为分子泵维持泵；9. φ400mm口径高真空气动阀门2套；（三）工件架以及驱动装置1. 一套公、自转工转机构，采用下驱动方式的二维平面行星机构；自转轴20根；2. 转速0-8圈/分钟可控可调；3. 驱动引入采用带水冷套磁流体密封；(四) 真空测量系统1. 采用一台数字式复合真空计；2.一路高真空测量，两路低真空测量（室体一路，低真空管道一路）（五）磁控溅射阴极靶1. 四对磁控溅射靶（四只外装靶，四只内装靶，共八只靶）2. 磁控溅射靶靶材尺寸：912mm x120mm（长x宽）(六)加热系统1. 6只加热器，沿室壁圆周分布，每只功率3kw，加热总功率18kw;2. 金属铠装热电偶1只，安装于室体顶部；3. 最高烘烤温度300℃，能实现温度自动控制；4. 加热器引入采用金属密封。
磁控溅射样本
Magnetron Ion Sputter Metal Coating Device 日本V ACUUM DEVICE 公司成立于1985年，主要为生命科学、半导体工业和纳米材料等领域使用的电子显微镜实验用样品的制备生产仪器，这其中包括离子溅射仪、冷冻干燥仪等。
MSP-1S磁控离子溅射仪
用途：为SEM样品喷金，增加二次电子产量，同时减少获取SEM图像时样品损伤。
特性：
阳极磁控型靶材水平装入：超低放电电压减小样品所受离子损伤以及热损伤；
低真空喷镀与浮动样品台设计：电流无需通过样品，升温幅度小，减弱样品损伤；
操作简便易行：打开EV AC抽真空按钮，喷镀即可短时间内自动进行。
技术参数：
注意：辅助台与靶材和样品的距离由工作台高度决定。
附件：说明书一份和200 ml旋转油泵一个。
磁控溅射沉积系统技术参数.doc
磁控溅射沉积系统技术参数.doc磁控溅射沉积系统技术参数一、功能及基本要求设备能够用于沉积纳米级的单层及多层功能膜和复合膜。
要求可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其它化学反应膜等。
要求设备工作的稳定性高、实验重复性好、多次实验结果误差小，从大气抽至工作真空度时间短，设备自动化程度高，操作简便，占地面积小，真空泵工作时噪音小。
二、技术指标1 工作条件：1.1 正常室温（10℃-40℃）下，室内操作1.2 电源：220V，50Hz1.3 相对湿度：10—75%主要技术指标2 磁控靶2.1 至少有2套永磁共焦磁控溅射靶2.2 溅射靶角度连续可调2.3 各溅射靶可独立/顺次/共同工作2.4 磁控靶能够通水冷却以维持在较低温度2.5 磁控靶RF、DC、MF兼容以满足不同种类的溅射需求2.6 至少有一个靶位可以溅射磁性材料2.7 磁控靶与基片的距离可调，以满足不同种类的溅射需求3 真空条件3.1 极限真空度≤6*10-5Pa（经烘烤除气后）3.2 有负载情况下从大气抽至工作真空度时间小于等于35分钟3.3 系统停泵关机12小时后真空度≤5Pa4 样品台4.1 样品台可放置样品的尺寸≥4英寸4.1 样品台具有旋转功能，转速0-30rpm（或以上）可调4.2 样品台具有加热功能，加热温度室温-500℃（或以上）可控可调5 气路系统至少配备有两路进气系统，包含惰性气体和反应气体，且带有流量控制计6 镀膜均匀性对样品镀膜的不均匀度≤±4.5%7 反溅清洗要求设备能够施加负方向的偏压，在开始沉积之前能够对基片进行清洗三、技术服务和培训卖方须到买方提供的现场免费安装、调试设备，进行操作试验，直至运行正常，为仪器操作人员提供免费的操作及维护培训。
四、质量保证测试验收合格后至少1年的整机质保。
磁控溅射仪主要技术指标
磁控溅射仪主要技术指标
磁控溅射仪主要技术指标
真空室尺寸：视窗不锈钢真空室，Ф200 x200mm
真空系统：配置涡轮分子泵、机械泵（带防返油过滤器）
极限压力：≤1.0 x 10-5Pa
恢复真空时间：恢复工作背景真空6×10-4Pa：35分钟左右（充干燥氮气）
磁控靶组件：配置两个直径2英寸溅射靶枪，带独立挡板，共焦溅射，可以溅射小于等于4英寸的工件；有一个靶枪为磁场增强型，可以溅射厚度不小于3mm的Ni靶材；直流电源和射频电源可以自动切换到两个靶枪实现直流和射频溅射；4英寸工件溅射均匀性优于±5%；溅射重复性优于±3%。
样品尺寸：≤4 inches (约100mm)
运动方式： 0~20RPM
气路系统：配置两路进气，采用知名品牌流量计控制（最大流量50sccm）
计算机控制系统：触摸屏控制系统，可以在触摸屏上实现所有设备操作。
高真空磁控溅射薄膜沉积系统技术指标
高真空磁控溅射薄膜沉积系统技术指标一、系统的主要组成及技术指标溅射室极限真空度：W6.6xl0-spa（经烘烤除气后）；（洁净真空环境）系统从大气开始抽气：溅射室40分钟可达到6.6x10-4Pa;（抽速快，缩短实验准备时间）系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa;膜厚均匀性：优于±5%,铜膜，200nm1、溅射真空室真空室为圆筒形前开门结构，尺寸e450mmx400mm,全不锈钢结构。
可内烘烤到IOO〜150℃,选用不锈钢材料制造，氮弧焊接，表面进行电化学抛光国内首家钝化处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封；手动前开门结构；靶安装在上盖，基片转台安装在下底盘（靶台与样品台可以实现上下互换）。
真空室组件上焊有各种规格的法兰接口与功能部件相连接2、磁控被射系统：3套2.1靶材尺寸：60mm；2.2提供靶材：不锈钢、钛、铁各一块（仅供测试靶材用）；2.3强磁靶可溅射磁性材料，射频溅射与直流溅射兼容，靶内水冷；2.4每个靶都配备气动控制挡板组件1套；2.5靶在上，向下溅射，具有单独溅射、轮流溅射、共溅射功能（靶与样品台的位置可以调换；2.6暴露大气下，磁控靶可手动调节共溅射角度；2.7磁控靶与基片的距离可调，调节距离为：90730mm。
3、旋转加热基片台3.1基片尺寸和数量：最大可放置1片6英寸圆形样品；4英寸范围内膜厚均匀性：优于±5%,铜膜，200nm（注：工艺部分在乙方现场完成，甲方现场只做安装、调试本机）；3.2基片通过进口加热丝加热方式，样品加热温度：≥700o C,连续可调；加热装置在真空室上法兰上，对基片托板进行加热，通过热电偶控制控温电源实现闭环控制，系统由加热器和1个加热控温电源组成，加热电源配备控温表，控温方式为PlD自动控温及数字显不；3.3基片自转速度5〜20转/分连续可调；3.4气动控制样品挡板组件1套；3.5样品台安装-200V偏压电源（辅助沉积）。
磁控溅射台技术参数
磁控溅射台技术参数磁控溅射台技术参数一、设备名称：磁控溅射台二、采购数量：1台三、技术参数及配置要求：1.真空室：不锈钢真空室2.极限真空：6.7×10-5 Pa（环境湿度≤55%）；3.真空室漏气率：≤5.0×10-7 Pa?L/s；4.抽气速率：系统短时间暴露大气并充干燥N2开始抽气，溅射室30分钟可达到9.0×10-4 Pa；5.真空室保压：系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa；6.溅射材料：至少3inch向下兼容；各种金属、合金、化合物、陶瓷、超导、铁磁、铁电、热电、磁性材料薄膜7.溅射靶：Φ60mm可弯曲磁控溅射靶三只（其中一只为强磁靶），上置安装，靶基距6~10cm范围内可调；8.溅射不均匀性：≤±5%（共溅工位Φ75mm范围内，直溅工位Φ37.5mm范围内）9.溅射室规格：内空容量≥0.1m310工件台旋转：中心工位自转，转速5~30rpm可调，11样品加热：样品衬底可加热，共溅加热温度≥600℃，直溅三工位加热温度均达到≥400℃，多段控温模式，控温精度±1%，12．载片量：Φ75mm 样片一片。
13．高效实验模式。
一炉可以完成不少于3次的相互无污染的独立工艺试验。
14．进口射频电源：600W，一台。
15．进口直流电源，1000W，一台。
16．偏压电源，一台。
17．质量流量控制器2台，气路三条Ar、O2、N2，并提供气体Ar、O2、N2各一瓶，以及相关减压阀。
18．复合分子泵，600升/秒，设备选用不低于中科科仪产品。
19．外企生产机械泵：8升/秒，设备选用不低于日本真空独资宁波爱发科产品。
20．超高真空插板阀。
21．自动压力控制系统，配套进口规管。
22．全自动控制系统，包括进口控制模块、工控机、控制软件。
23．配套循环冷却水机、静音空气压缩机。
24. 配套靶材7种：Al、Cu、Cr、Ti、Si、SiO2、Au（其中靶材Au为Φ60mm*3mm，纯度不低于99.99%，其他6种为Φ60mm*5mm，高纯）。
磁控溅射仪 (2)
磁控溅射仪 Magnetron Sputtering Apparatus
型 号：JGP450 主 要 功 能：磁控溅射法制备各类薄膜材料 主要技术参数： 镀膜室尺寸：φ 450×450 mm；极限真空：6.6×10-5Pa；RF 射频电源：N≦1000W， f=13.56MHz； 直流稳压电源： N≦1000W， 2000W 各一台； 直流偏压电源： N≦2000W， -200V； 气路流量：0~100SCCM 两路，0~50SCCM 一路 操作注意事项： 1 磁控靶、分子泵工作时必须开冷却水。 2 镀膜室暴露大气前须关闭闸板阀，以免损坏分子泵；同时要关闭气路截至阀，以免气 路受污染。 3 镀膜室烘烤时，真空壁面及观察窗温度不得超过 100℃。 4 样品溅射完毕后随炉冷却，真空室温度降至 60℃后才Ar
e Ar＋
E
靶原子
e
溅射靶 N S N
真空室
BMS500B型超高真空磁控溅射设备技术方案
BMS500B型超高真空磁控溅射设备技术方案一、MS500B型设备技术方案1、本设备的实验目的为用于制备半导体薄膜及金属及金属化合物薄膜，用于薄膜光电效应的研究。
工作方式为单靶独立工作、双靶共溅射、三靶共溅射和四靶共溅射。
2、设备的组成：由超高真空磁控溅射镀膜室、进样室、隔断阀门、送样机构、电源及控制系统和真空系统组成。
镀膜室和进样室之间由GV100超高真空手动闸板阀隔断。
3、磁控溅射镀膜室1个，3.1梨型溅射镀膜室1个，尺寸为Φ500㎜×450㎜，其上安装有：真空室大法兰盖1个。
上大法兰盖有装有高温样品架接口法兰1个。
底板上有4个靶法兰接口，用于安装4个Φ50（Φ2″）的磁控靶。
下面有CF200法兰接口1个用于连接真空系统和2个CF35真空测量法兰接口。
前和左面2个方向各有1个CF100观察窗口和观察窗挡板。
左侧有CF100进样法兰接口1个。
有照明用电极法兰1个。
CF16工作气体和干燥氮气充气口1个，由3路质量流量计和1路充气气路汇合到1个CF16超高真空截止阀。
备用CF63、CF35法兰各2个。
3.2真空获得与测量溅射镀膜室采用FB1200涡轮分子泵+2XZ-8机械泵，极限真空优于6.0×10-6Pa，系统漏率：≤1.3×10-8Pa·L/S，测量采用北京大学产DL-70数显复合真空计。
3.3 高温样品架组件：⑴基片尺寸：ф30mm。
⑵基片加热温度：≥600℃±1℃。
⑶基片台相对磁控靶距离在50-100mm范围内可调,沿轴向移动。
⑷基片可连续回转,0～30转/分。
⑸设置样品挡板组件。
⑹为避免其他地方过热，加热器隔热屏。
3.4磁控靶:4个Φ2英寸磁控靶，靶射频和直流兼容。
靶安装位置为在真空室下底板上做共溅射。
3.5磁控靶挡板:每个磁控靶都有各自挡板，以防止在其不工作时靶材受到污染。
3.6 镀膜室采用外烘烤，设置室内照明。
3.7充气气路：在镀膜室上有3路通过质量流量计的进气气路，实现进气控制，另外有1路充氮气气路。
磁控溅射系统基本技术要求
磁控溅射镀膜机技术规格1.货物名称、数量磁控溅射镀膜机1套2.工作条件及用途2.1工作条件2.1.1能在电源电压380±10%V、50±2%Hz、室温0℃~40℃的环境下连续正常工作。
2.1.2连续工作时间能力不应少于168小时，设备服役期限15年。
2.2用途主要用于镀制多层金属及金属化合物薄膜。
3.技术规格卖方所提供的磁控溅射镀膜机必须是技术先进，经济合理，成熟可靠的产品。
本条中带*技术指标为关键指标，不允许有超标。
3.1基本要求磁控溅射镀膜机由无油真空系统、溅射系统、气体压强控制装置、气体流量控制装置以及烘烤旋转系统等组成。
可满足样品尺寸为φ50mm，多片（4片以上）同时镀制要求，可满足三靶共溅射要求；溅射室采用1Cr18Ni9Ti不锈钢制造；气体管路采用不锈钢硬管；所有设备要求为集装式。
溅射室的观察窗不少于2个；备用接口不少于2个，溅射室内部应有照明装置。
3.1.1样品尺寸：≥φ50mm，*3.1.2膜厚不均匀性：≤±5%；*3.1.3膜厚重复性≤±3%；3.2真空系统3.2.1真空室直径≥φ500mm。
3.2.2极限真空度：≤6.0⨯10-5Pa*3.2.3恢复抽真空时间：从大气~4×10-3Pa小于15分钟*3.2.4真空测量装置范围：大气~1×10-5Pa3.2.5系统漏率：停泵关机12小时后真空度≤5Pa。
3.2.6真空测量：宽量程真空计（用于真空监测）和精度优于1.5%的薄膜规（用于工艺真空控制，建议采用美国MKS产品）；3.3溅射系统3.3.1溅射材料：Ti，Pt，Au，钛酸锶钡等；还可溅射其它金属、氧化物等；*3.3.2溅射靶：溅射靶的数量不少于4个，可满足三靶共溅射要求；要求共溅射和单靶溅射模式转换调节方便；预留一个靶的空位和接口，作为离子源安装备用接口；3个直流靶为高真空型、1个射频靶，其中一个直流靶为磁场增强靶；靶位置：向上溅射；溅射靶与基片距离可调节，每只溅射靶分别配有挡板；4个永磁靶均为摆头靶，可分别实现多层镀膜和掺杂镀膜。
磁控溅射镀膜机技术要求
向上溅射（基片台在腔室顶部，靶在腔室底部）
膜厚不均匀性
≤±5%（靶材匹配范围内）
报警及保护
对泵、靶、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统
设备质保
需要供应商提供不少于1年的设备免费保修服务。
磁控溅射镀膜机技术要求
设备用途
能够进行磁控溅射、蒸发，基片台可用射频电源加负偏压对基片进行反溅清洗活化、辅助溅射功能。该设备主要用来开发纳米级导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性膜等。
主要技术指标
真空腔室
304优质不锈钢真空腔室，上开盖结构；观察窗1套
真空系统
涡轮分子泵+直联旋片泵准无油真空系统，数显复合真空计
真空极限大气抽至6.0×10-3Pa≤15min
基片台尺寸
最大可镀基片尺寸/面积：Ф100mm范围内可装卡各种规格基片
基片加热与旋转
基片台加热：室温～400℃，PID控温；基片旋转：0-20转/分钟连续可调；基片台有负偏压装置，可切换射频电源反溅清洗样片
溅射靶及电源
2英寸圆形平面靶1只，靶的角度可调，1对水冷蒸发电极；配冷却循环水机；该靶兼容直流溅射/中频溅射/射频溅射；配2000VA直流溅射电源1台、500VA射频溅射电源1台、2000VA直流蒸发电源1台
手套箱等设备技术参数
高真空磁控溅射仪等设备技术参数
序号
主要技术要求及配置要求
设备名称及采购数量：高真空磁控溅射仪 1 台
一、技术参数：
1、系统全自动控制方式，具有一键式配方自动功能和参数以及程序的自动控制。
★2、溅射室极限真空度：≤7×10-6 Pa（经烘烤除气后），系统从大气开始抽气到 6.0×10-4
Pa≤25 分钟；
6、设备验收用的标准金属靶材 3 种：Au 靶 1 个（2 mm 厚）；（2 mm 厚）。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
磁控溅射台技术参数
一、设备名称：磁控溅射台
二、采购数量：1台
三、技术参数及配置要求：
1.真空室：不锈钢真空室
2.极限真空：6.7×10-5 Pa（环境湿度≤55%）；
3.真空室漏气率：≤5.0×10-7 Pa•L/s；
4.抽气速率：系统短时间暴露大气并充干燥N2开始抽气，溅射室30分钟可达到9.0×10-4 Pa；
5.真空室保压：系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa；
6.溅射材料：至少3inch向下兼容；各种金属、合金、化合物、陶瓷、超导、铁磁、铁电、热电、磁性材料薄膜
7.溅射靶：Φ60mm可弯曲磁控溅射靶三只（其中一只为强磁靶），上置安装，靶基距6~10cm范围内可调；
8.溅射不均匀性：≤±5%（共溅工位Φ75mm范围内，直溅工位Φ37.5mm范围内）
9.溅射室规格：内空容量≥0.1m3
10工件台旋转：中心工位自转，转速5~30rpm可调，
11样品加热：样品衬底可加热，共溅加热温度≥600℃，直溅三工位加热温度均达到≥400℃，多段控温模式，控温精度±1%，
12．载片量：Φ75mm 样片一片。
13．高效实验模式。
一炉可以完成不少于3次的相互无污染的独立工艺试验。
14．进口射频电源：600W，一台。
15．进口直流电源，1000W，一台。
16．偏压电源，一台。
17．质量流量控制器2台，气路三条Ar、O2、N2，并提供气体Ar、O2、N2各一瓶，以及相关减压阀。
18．复合分子泵，600升/秒，设备选用不低于中科科仪产品。
19．外企生产机械泵：8升/秒，设备选用不低于日本真空独资宁波爱发科产品。
20．超高真空插板阀。
21．自动压力控制系统，配套进口规管。
22．全自动控制系统，包括进口控制模块、工控机、控制软件。
23．配套循环冷却水机、静音空气压缩机。
24. 配套靶材7种：Al、Cu、Cr、Ti、Si、SiO2、Au（其中靶材Au为Φ60mm*3mm，纯度不低于99.99%，其他6种为Φ60mm*5mm，高纯）。
四、安装、售后及培训：
1、交货期：合同正式生效后30天内到货。
2、质保期：自验收之日起，仪器设备至少免费保修三年。
3、包含该设备运输，上楼搬运，所需气路实验室内部铺设。
仪器安装、验收：专业工程师提供免费的安装调试，并按照出厂指标验收。
4、培训：免费提供该仪器设备培训；提供本设备全套操作教学视频。