第9章模拟电路习题答案
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第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。
(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
(×)(3)线性电路一定是模拟电路。
(√)(4)模拟电路一定是线性电路。
(×)(5)放大器一定是线性电路。
(√)(6)线性电路一定是放大器。
(×)(7)放大器是有源的线性网络。
(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。
(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。
(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。
(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。
(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。
(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。
(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。
(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。
(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。
(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。
(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。
(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。
3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。
(华北电力大学主编)模拟电子技术基础习题答案
(华北电⼒⼤学主编)模拟电⼦技术基础习题答案模拟电⼦技术基础习题答案电⼦技术课程组2018.8.15⽬录第1章习题及答案 (1)第2章习题及答案 (14)第3章习题及答案 (36)第4章习题及答案 (45)第5章习题及答案 (55)第6章习题及答案 (70)第7章习题及答案 (86)第8章习题及答案 (104)第9章习题及答案 (117)第10章习题及答案 (133)模拟电⼦技术试卷1 (146)模拟电⼦技术试卷2 (152)模拟电⼦技术试卷3 (158)第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。
(1)在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体,加⼊元素可形成P型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价(2)PN结加正向电压时,空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(3)当温度升⾼时,⼆极管的反向饱和电流将。
A. 增⼤B. 不变C. 减⼩(4)稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿解:(1)A、C (2)A (3)A (4)C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值,设⼆极管是理想的。
(1)(2)(3)图P1.2.1解:(1)⼆极管导通U O1=2V (2)⼆极管截⽌U O2=2V (3)⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值,设⼆极管导通电压U D=0.7V。
(1)(2)(3)图P1.2.2解:(1)⼆极管截⽌U O1=0V (2)⼆极管导通U O2=-1.3V (3)⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰,设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各⼆极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解:⼆极管D1截⽌,D2导通,U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。
设⼆极管正向导通电压可忽略不计。
模电(李国立)9章习题答案
9 功率放大电路自我检测题一.选择和填空1.甲类功放电路中功放管的导通角等于 360°,乙类功放电路的导通角等于 180° ,甲乙类功放电路的导通角等于180360θ︒<<︒。
2.乙类互补对称功放电路的 效率 较高。
在理想情况下,其数值可达到 78.5% ,但是这种电路会产生一种被称为 交越 失真的特有非线性失真现象,为了消除这种失真,应当使互补对称功放电路工作在 甲乙 类状态。
3.由于功放电路 A (A 、输出信号幅值大,B 、电压增益高,C 、频带宽),所以常常利用三极管的 A (A 、特性曲线,B 、H 参数,C 、混合型),通过 A (A 、图解法,B 、等效电路法,C 、相量法)来分析计算的。
4.在双电源乙类互补对称功放电路中,设输入信号为正弦波,在忽略三极管的饱和压降情况下,三极管的最大管耗出现在 D (A 、输出功率最大时,B 、电路没有输出时,C 、输出电压幅度为CC V 5.0时,D 、输出电压幅度为πCC V 2时)。
5.功率放大电路常作为多级放大电路的 C 使用。
(A 、输入级,B 、中间级,C 、输出级)6.乙类互补对称功率放大电路中的两个三极管都是 B 接法(A 、共射,B 、共集,C 、共基),电压放大倍数近似为 1 。
7.乙类互补对称功率放大电路中,忽略管子的饱和压降V CES 时,输出电压的最大幅值是 V CC 。
8.单电源甲乙类互补对称功放电路中,输出端耦合电容C 2的作用是 充当一组负电源 。
二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画×)1.当甲类功放电路的输出功率为零时,功率管消耗的功率最大。
( × ) 2.当乙类功放电路在输出功率最大时,功放管消耗的功率最大。
( × ) 3.在输入电压为零时,甲乙类推挽功放电路中的电源所消耗的功率是两个管子的静态电流与电源电压的乘积。
( √ )4.在功放管的极限参数中,集电极最大允许耗散功率CM P 是集电极最大电流CM I 与基极开路时集电极-发射极间反向击穿电压)(CEO BR V 的乘积。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第九章理想运算放大电路及应用
第九章理想运算放大电路及应用9-1.填空(1)理想集成运放的A od= ,r id= ,r od= ,K CMR= 。
(2)运算放大器组成运算电路必须引入反馈,在电压比较器中则应。
(3)欲实现电压放大倍数Au=-100应该选用电路。
(4)欲实现电压放大倍数Au=+100应该选用电路。
(5)比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地。
答案:(1)∞,∞,0,∞。
(2)负反馈,开环或加入正反馈。
(3)反相比例放大电路。
(4)同相比例放大电路。
(5)反相。
9-2.判断下列说法是否正确。
(1)运算电路中集成运放一般工作在线性区。
()(2)反相比例运算电路输入电阻很大,输出电阻很小。
()(3)虚短是指集成运放两个输入端短路。
()(4)同相比例运算电路中集成运放的共模输入电压为零。
()(5)单限比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
()(6)无源滤波电路带负载后滤波特性将发生变化。
()(7)因为由集成运放组成的有源滤波电路往往引入深度电压负反馈,所以输出电阻趋于零。
()(8)由于有源滤波电路带负载后滤波特性基本不变,即带负载能力强,所以可将其用作直流电源的滤波电路。
()(9)无源滤波器不能用于信号处理。
()(10)按照将积分运算电路置于集成运放的负反馈通路中就可实现微分运算的思路,将低通滤波电路置于集成运放的负反馈通路中就可实现高通滤波。
()答案:(1)对;在运算电路中,为使集成运放工作在线性区,一定要引入负反馈,只有在引入深度负反馈的条件下,输出电压与输入电压运算关系才几乎仅仅决定于反馈网络和输入网络。
(2)错;反相运算电路输入电阻与反相输入端所接电阻大小有关。
(3)错;“虚短”的含义不是说两个端短路,而是指两个端电位近似相等。
(4)错;同相比例运算电路输入单端输入模式。
(5)错;迟滞比较器的抗干扰能力强于单限比较器。
(6)对;本题考查是否理解“有源”和“无源”滤波电路的特点。
有源滤波电路有其局限性,主要表现在:一是频率响应受组成它的晶体管、集成运放频率参数的限制。
《电机学》习题解答(吕宗枢)09章.docx
第 9 章思考题与习题参考答案9.1试比较异步电动机中主磁通和漏磁通的区别。
答: 主磁通是由基波旋转磁动势产生的基波旋转磁通,它经主磁路(定子铁心—气隙—转子铁心—气隙—定子铁心)而闭合。
其穿过气隙而同时交链定子、转子绕组,并分别在定子、转子绕组中产生感应电动势。
转子感应电动势产生的转子电流与定子磁场相互作用产生电磁转矩,驱动转子旋转,异步电动机从而实现将定子侧的电能传递给转子并转换成机械能输出。
因此,主磁通起能量传递和转换的媒介作用。
漏磁通不穿过气隙,它只与自身绕组相交链。
漏磁通包括槽部漏磁通和端部漏磁通。
另外由高次谐波磁动势所产生的高次谐波磁通虽然穿过气隙,但是对转子并不产生有效转矩,与槽部漏磁通和端部漏磁通具有同样的性质,所以也将其作漏磁通处理,称为谐波漏磁通。
由于漏磁通路径磁阻很大,因此它比主磁通小很多。
漏磁通仅在绕组上产生漏电动势,起电抗压降作用,不参与能量传递和转换。
9.2和同容量的变压器相比,为什么三相异步电动机的空载电流较大?答:变压器的主磁路由铁心构成,其磁阻很小,建立一定的主磁通所需要的磁动势很小,即励磁电流很小,通常为额定电流的2%~ 10%。
异步电动机的主磁路除了定、转子部分为铁心外,还有两段空气隙,这使得主磁路的磁阻很大,建立一定的主磁通所需要的磁动势就很大,即励磁电流很很大,通常为额定电流的20%~ 50%。
所以和同容量的变压器相比,三相异步电动机的空载电流较大。
9.3增大异步电动机的气隙,对空载电流、漏抗有何影响?答:增大异步电动机的气隙,主磁路磁阻增大,励磁电抗减小,空载电流增大。
气隙增大后,漏磁面积增加,单位电流产生的漏磁通增加,漏抗增大。
9.4异步电动机空载和负载时的气隙主磁通是否变化,为什么?答:主磁通几乎不变化。
虽然异步电动机空载运行时,气隙主磁通仅由定子励磁磁动势F0产生,而负载运行时,气隙主磁通由定子磁动势F1和转子磁动势 F2共同产生,但是因为外施电压U 1不变,根据U1 E1 4.44 fNk w1可知,空载和负载时的主磁通基本是同一数值。
单片机原理及接口技术课后习题第9章 答案
第九章复习思考题1. 计算机系统中为什么要设置输入输出接口输入/输出接口电路是CPU与外设进行数据传输的桥梁。
外设输入给CPU的数据,首先由外设传递到输入接口电路,再由CPU从接口获取;而CPU输出到外设的数据,先由CPU 输出到接口电路,然后与接口相接的外设获得数据。
CPU与外设之间的信息交换,实际上是与I/O接口电路之间的信息交换。
2. 简述输入输出接口的作用。
I/O接口电路的作用主要体现在以下几个方面:(1)实现单片机与外设之间的速度匹配;(2)实现输出数据锁存;(3)实现输入数据三态缓冲;(4)实现数据格式转换。
3. 在计算机系统中,CPU与输入输出接口之间传输数据的控制方式有哪几种各有什么特点在计算机系统中,CPU与I/O接口之间传输数据有3种控制方式:无条件方式,条件方式,中断方式,直接存储器存取方式。
在无条件方式下,只要CPU执行输入/输出指令,I/O接口就已经为数据交换做好了准备,也就是在输入数据时,外设传输的数据已经传送至输入接口,数据已经在输入接口端准备好;输出数据时,外设已经把上一次输出的数据取走,输出接口已经准备好接收新的数据。
条件控制方式也称为查询方式。
CPU进行数据传输时,先读接口的状态信息,根据状态信息判断接口是否准备好,如果没有准备就绪,CPU将继续查询接口状态,直到其准备好后才进行数据传输。
在中断控制方式下,当接口准备好数据传输时向CPU提出中断请求,如果满足中断响应条件,CPU则响应,这时CPU才暂时停止执行正在执行的程序,转去执行中断处理程序进行数据传输。
传输完数据后,返回原来的程序继续执行。
直接存储器存取方式即DMA方式,它由硬件完成数据交换,不需要CPU的介入,由DMA 控制器控制,使数据在存储器与外设之间直接传送。
4. 采用74LS273和74LS244为8051单片机扩展8路输入和8路输出接口,设外设8个按钮开关和8个LED,每个按钮控制1个LED,设计接口电路并编制检测控制程序。
模拟电子技术答案 第9章 功率放大电路
第9章 功率放大电路自测题一、选择合适的答案填入括号内。
(1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大( A )。
A.交流功率B.直流功率C.平均功率(2)功率放大电路的转换效率是指( B )。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比;B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比;C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。
(3) 在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有( BDE )。
A .βB .I CMC .I CBOD .U CEOE .P CMF .f T(4) 若图T9.1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为CES U ,则最大输出功率P OM =( C )。
A.2()2CC CES LV U R - B.21()2CC CES L V U R - C.21()22CC CES L V U R -图T9.1 图T9.2二、电路如图T9.2 所示,已知T l 和T 2的饱和管压降2CES U V =,直流功耗可忽略不计。
回答下列问题:(1)R 3、R 4 和T 3的作用是什么?(2)负载上可能获得的最大输出功率P om 和电路的转换效率η各为多少?(3)设最大输入电压的有效值为1V 。
为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V ,电阻R 6至少应取多少千欧?解:(1)消除交越失真。
(2)最大输出功率和效率分别为:2()162CC CES omLV U P W R -==, 69.8%4CC CES CC V U V πη-=⋅≈ (3)由题意知,电压放大倍数为:61111.3u R A R =+≥== ∴61(11.31)10.3R R k ≥-=Ω习题9.1判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果。
(1)在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大。
( × )(2)功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好? 解:二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中,u1=10sin ωt(V),R L =1k Ω,试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形,并在波形图上标出幅值,设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解:波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性,它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数,大一些好还是小一些好?解:动态内阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,即稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻r Z 愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中,已知电源电压V =10V ,R=200Ω,R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V,试求: ①稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ,I Z 将变为多少? ③当V 仍为10V ,但R L 改为2 k Ω时,I Z 将变为多少? 解:① mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k V V V R U R U U IL Z ZZ2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k V V V R U RU U ILZ ZZ1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管,稳压仁政值均为6V ,当工作在正向时管压降均为0.7V ,如果将它们用不同的方法串联后接入电路,可能得到几种不同的稳压值?试画出各种不同的串联方法。
电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版
《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路;1.4.2 1-n ,)1(--n b ;1.4.3 不变;1.4.4 21W ,负载;1.4.5 Ω1.65A , ; 1.4.6 1A 3A , ; 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=; 1.4.8 1A ;1.4.9 Ω4.0,A 5.12;1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源;1.4.11 3A ;1.4.12 3A ;1.4.13 Ω2;1.4.14 15V ,Ω5.4;1.4.15 V 6S =U 。
二、单 项 选 择 题1.4.16 C ; 1.4.17 B ; 1.4.18 D ; 1.4.19 A ;1.4.20 A ; 1.4.21 C ; 1.4.22 B ; 1.4.23 D 。
第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路,开路;2.4.2 零输入响应;2.4.3 短路,开路;2.4.4 电容电压,电感电流;2.4.5 越慢;2.4.6 换路瞬间;2.4.7 三角波;2.4.8 s 05.0,k Ω25; 2.4.9 C R R R R 3232+; 2.4.10 mA 1,V 2。
二、单 项 选 择 题2.4.11 B ; 2.4.12 D ; 2.4.13 B ;2.4.14 D ; 2.4.15 B ; 2.4.16 C 。
第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10, , ; 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ;3.4.3 容性, A 44;3.4.4 10V ,2V3.4.5 相同;3.4.6 V 30,20V ;3.4.7 A 44,W 7744;3.4.8 A 5;3.4.9 减小、不变、提高;3.4.10 F 7.87μ;3.4.11 20kVA ,12kvar -;3.4.12 不变、增加、减少;3.4.13 电阻性,电容性; 3.4.14 LC π21,阻抗,电流;3.4.15 1rad/s ,4;3.4.16 Ω10;3.4.17 P L U U =,P L 3I I =,︒-30; 3.4.18 P L 3U U =,P L I I =,超前。
模拟电子线路习题习题答案解析
第一章1.1 在一本征硅中,掺入施主杂质,其浓度D N =⨯21410cm 3-。
(1)求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值,并说明半导体为P 型或N 型。
(2 若再掺入受主杂质,其浓度A N =⨯31410cm 3-,重复(1)。
(3)若D N =A N =1510cm 3-,,重复(1)。
(4)若D N =1610cm 3-,A N =1410cm 3-,重复(1)。
解:(1)已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =⨯5.11010 cm3-,施主杂质D N =⨯21410cm 3->> i n =⨯5.11010 cm 3-,所以可得多子自由浓度为0n ≈D N =⨯21410cm 3-少子空穴浓度0p =02n n i =⨯125.1610cm 3-该半导体为N 型。
(2)因为D A N N -=14101⨯cm 3->>i n ,所以多子空穴浓度 0p ≈14101⨯cm 3-少子电子浓度0n =02p n i =⨯25.2610cm 3-该半导体为P 型。
(3)因为A N =D N ,所以0p = 0n = i n =⨯5.11010cm 3-该半导体为本征半导体。
(4)因为A D N N -=10-161014=99⨯1014(cm 3-)>>i n ,所以,多子自由电子浓度0n =⨯991410 cm 3-空穴浓度0p =02n n i =142101099)105.1(⨯⨯=2.27⨯104(cm 3-)该导体为N 型。
1.3 二极管电路如图1.3所示。
已知直流电源电压为6V ,二极管直流管压降为0.7V 。
(1) 试求流过二极管的直流电流。
(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少?解:(1)流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流,即 D I =A 1007.06-=53mA (2) D R =AV310537.0-⨯=13.2Ω D r =D T I U =AV3310531026--⨯⨯=0.49Ω1.4二极管电路如题图1.4所示。
模拟电路课后习题答案(康华光版)
第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解(1)求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==(2)求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即1.406V ~1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。
图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。
图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。
图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止,为什么? 解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
模拟电子技术 随堂练习
模拟电子技术随堂练习第1章常用半导体器件4. 电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin tV时,输出电压最大值为10V的电路是( )。
参考答案:C5. 电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值3. 晶体管的电流放大系数是指( )。
A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案:B4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。
A. B.C.参考答案:B5. 某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在( )。
参考答案:B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为( )。
A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管参考答案:B7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压约为( )。
A.0VB.+2VC.-2VD.-1V参考答案:C8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为( )。
A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V参考答案:A9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是( )。
A.RLB.RBC.C1D.C2参考答案:B10. 放大电路如图所示,由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是( )。
A.适当增加RB2,减小RB1B.保持RB1不变,适当增加RB2C.适当增加RB1,减小RB2D.保持RB2不变,适当减小RB1参考答案:C11. 图示电路,已知晶体管,,忽略UBE,如要将集电极电流IC调整到1.5mA.,RB应取( )。
模拟电路习题配套答案
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS点。
( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEBbV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电路习题解答
第一章晶体二极管及其大体电路1—1 半导体二极管伏安特性曲线如图N—l所示,求图中A、B点的直流电阻和交流电阻。
解:从图中量得A、B点坐标别离为A(0.6V,5mA), B(0.58V,2mA),故得1—2 二极管整流电路如图P1—2所示,已知ui=200sinωt(V),试画出uo的波形。
解:因变压器的匝数比为10:1,因此次级端电压为20 V,即u2=10 slnωt (V)。
当u2为正半周且大于等于0.7V时,Vl导通,V2截止,u。
=u2一0.7。
而u2为负半周且小于等于一0.7V时,那么V2导通,Vl截止,uo=|u2|一0.7。
当|u2|<0.7V时,V一、V2均截止,现在uo=0.由此画出的uo波形如图P1-2’所示,1—3 二极管电路如图P1—3所示,设二极管均为理想二极管(1)画出负载RL两头电压uo的波形(2)假设V3开路,试重画uo的波形。
(3)假设V3被短路,会显现什么现象?解:(1)u2为正半周时,V一、V2导通,V3、V4截止,uo=u2; u2为负半周时,V一、V2截止,V3、V4导通,uo=-u2即uo=-u2。
uo波形如图P1—3’(a)所示。
(2)假设V3开路,那么u2的为负半周时,uo=0,即uo变成半波整流波形,如图Pl—3’(b)所示。
(3)假设V3短路,那么u2为正半周时,将V1短路烧坏。
1—4 在图P1—4所示各电路中,设二极管均为理想二极管。
试判定各二极管是不是导通,并求Uo的值。
解:(1)在图(a)中,V2导通,V1截止,Uo=5V。
(2)在图(b)中,V1导通,V2截止,Uo=0V。
(3)在图(c)中,v一、v2均导通,现在有1—5 二极管限幅电路如图Pl—5(a)、(b)所示。
假设ui=5sinωt(V),试画出uo的波形。
解:(1)在图(a)中:当ui>一2.7V时,V管截止,uo=一2V;当ui≤一2.7V时,V管导通,u。
=ui。
当ui=5sinωt(V)时,对应的uo波形如图P1—5’(a)所示。
组合逻辑电路《模拟电路与数字电路》第3版 寇戈 第9章习题解答
1)根据所给电路图,写出逻辑函数表达式、进行化简:
———————
———————
———————
F= A*B*C *A+ A*B*C *B+ A*B*C *C
———————
= B*C *(A+B+C)
————————
=A*B*C+ A+B+C
—— —— ——
——
= A *(B○+ C)+A*B○+ C
=A○+ B○+ C
4)根据化简后的逻辑函数表达式列出真值表:
A
B
C
F
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
1
0
1
0
0
1
1
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
1
5)根据真值表分析可知,该电路实现的是三个输入变量
的 1 的个数为偶数时,输出信号为 0;当三个输入变量的
1 的个数位奇数时,输出信号为 1;因此,该电路可用于
Y8 Y9 Y10 Y11 Y12 Y13 Y14 Y15
74LS138
U3
1 2 3
A B C
6 4 5
E1 E2 E3
Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
15 14 13 12 11 10 9 7
Y16 Y17 Y18 Y19 Y20 Y21 Y22 Y23
74LS138
U4
1 2 3
模拟电子-8-9章题+答案
第8章信号处理电路一、填空题1.有源滤波电路中的集成运放工作在线性区,集成运放的作用是作为放大元件,电路中通常引入一个负反馈。
2.电压比较器中的集成运放工作在非线性区,集成运放的作用是作为开关元件,集成运放一般工作在开环状态。
3. 信号处理电路中,为了在有效信号中抑制50Hz的工频干扰,应该选用带阻滤波器;为了抑制频率高于20MHz的噪声,应该选用低通滤波器。
4. 信号处理电路中,为了保证有效信号为20Hz至200kHz的音频信号,而消除其他频率的干扰及噪声,应该选用带通滤波器;为了抑制频率低于100Hz的信号,应该选用高通滤波器。
二、选择题1. 某一滤波电路,只允许频率低于200Hz或者高于300kHz的信号通过,则该电路是(D )A、高通滤波器B、低通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器2. 某一滤波电路,能够将频率高于800KHz的信号全部过滤掉,则该电路是(B )A、高通滤波器B、低通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器3. 某一滤波电路,只有频率在80Hz至120kHz之间的信号才能通过,则该电路是(C )A、高通滤波器B、低通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器4. 某一滤波电路,能够将频率低于50MHz的信号全部过滤掉,则该电路是(A )A、高通滤波器B、低通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器三、判断题1、电压比较器的输出只有两种状态:高电平和低电平。
(对)2、在电压比较器中,集成运算放大器常工作在非线性区。
(对)3、在电压比较器中,集成运算放大器常工作在线性区。
(错)4、从电路结构看,电压比较器中的集成运算放大器常处于开环状态。
(对)5、从电路结构看,电压比较器中的集成运算放大器常处于闭环状态。
(错)6、过零比较器的门限电平等于零。
(对)7、单限比较器是指只有一个门限电平的比较器。
(对)8、为了使电压比较器输出状态的转换更加快速,可以在电路中引入正反馈。
(对)9、为了使电压比较器输出状态的转换更加快速,可以在电路中引入负反馈。
电路与模拟电子技术基础 第9章习题解答
第9章负反馈放大电路习题99.1 什么叫反馈?反馈有哪几种类型?解:在电子系统中,将输出回路的输出量(输出电压或电流)通过一定形式的电路网络,部分或全部馈送到输入回路中,并能够影响其输入量(输入电压或电流),这种电压或电流的回送过程称为反馈。
负反馈可分为4种类型的反馈组态(或称反馈类型):电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈和电流并联负反馈。
9.2 某放大电路的信号源内阻很小,为了稳定输出电压,应当引入什么类型的负反馈?解:应该引入电压串联负反馈9.3 负反馈放大电路一般由哪几部分组成?试用方框图说明它们之间的关系?解:根据反馈放大器各部分电路的主要功能,可将其分为基本放大电路和反馈网络两部分,如图所示。
9.4 要求得到一个电流控制的电流源,应当引入什么负反馈?解:应该引入电流并联负反馈9.5 在图9.1所示的各电路中,请指明反馈网络是由哪些元件组成的,判断引入的是正反馈还是负反馈?是直流反馈还是交流反馈?设所有电容对交流信号可视为短路。
解:(a)R e、C e,直流电流串联负反馈;(b)R f交、直流电压并联负反馈;(c)R f1、R f2、C,直流电压并联负反馈;R e1级间交、直流电流串联负反馈,R e2本级交、直流电流串联负反馈;(d)R f、R e2级间交、直流电流并联正反馈;(e)R2、R f交、直流电压并联负反馈;(f)R2、R5本级的交、直流电压并联负反馈;R6级间交、直流电流串联负反馈;(g)R1、R f交、直流电压串联正反馈;(h)R3交、直流电流并联负反馈9.6 试判断图9.1所示电路的级间交流反馈的组态。
解:(a)无交流负反馈(b)R f交流电压并联负反馈;(c)R e1级间交流电流串联负反馈;(d)R f、R e2级间交流电流并联正反馈;(e)R2、R f交流电压并联负反馈;(f)R6级间交流电流串联负反馈;(g)R1、R f交流电压串联正反馈;(h)R3交流电流并联负反馈图9.1 习题9.5电路图9.7 某反馈放大电路的方框图如图9.2所示,已知其开环电压增益u 2000A ∙=,反馈系数u 0.0495F ∙=。
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者,而要使 R4或C,使
' fmax 10 fmax ,则应保持
R1 R2
不变,同时减小
R4 0.1150K 15K ,或 C 0.1 0.1 F 0.01 F
一般用电位器代替R4来调节f。 5、调节RP使n增大,输出电压频率升高,但幅值不变。
uI / V
5V
2.5V
t
5V
uO / V 13V
t
13V
(a)
9-16 集成运放的最大输出电压是13V,输入信 号是uI=5sinωt的低频信号。按理想情况画出UR= +2.5V、0V、 -2.5V时输出电压的波形。
uI / V
5V
t
5V
uO / V
13V
t
13V
9-16 集成运放的最大输出电压是13V,输入信 号是uI=5sinωt的低频信号。按理想情况画出UR= +2.5V、0V、 -2.5V时输出电压的波形。
和
(U o )max
R2 R1 U z U REF R1 R2 R1 R2
由此解得:(Uo )min 3 1.5U REF
(Uo )max 3 1.5U REF
uo= 的峰-峰
但uo的平均值
(Uo ) p p (Uo )max (Uo )min 6V
,大小不变,
第9章 波形发生电路和集成运放的非 线性应用
作业: 9-5、 9-6、 9-16 、9-17 、 9-22(1. 2. 3.)
9-5将图9-41合理连线,组成RC正弦波振荡电路。
正弦波振荡电路的组成应包括四个部分:宽频 带放大电路、引入正反馈的反馈网络、选频网络 和稳幅环节。在电路中,带负反馈的双入单出差 动放大电路为宽频带放大电路和稳幅环节,RC串 并联网络为选频网络和正反馈网络。因此,求解 本题的关键是合理的引入两路反馈。 4接5,2接7、6接1、9接4、8接3。
9-6试用产生正弦波振荡的相位平衡条件 判断图9-42中的各电路能否产生正弦振荡。
(-) (+) (-)
电路引入负反馈,不 能产生正弦振荡。
(-) (+) (-) (-)
电路引入负反 馈,不能产生正 弦振荡。
(+) (-) (+) (+)
电路引入正反馈,能 产生正弦振荡。
(+)
(-) (+)
满足产生正弦振荡 的相位条件。
9-9 判断图9-20各电路能否满足产生正弦 振荡的相位平衡条件。
满足产生正弦振荡 的相位条件。
9-9 判断图9-20各电路能否满足产生正弦 振荡的相位平衡条件。
不满足产生正弦振 荡的相位条件。
9-9 判断图9-20各电路能否满足产生正弦 振荡的相位平衡条件。
满足产生正弦振荡 的相位条件。
9-9 判断图9-20各电路能否满足产生正弦 振荡的相位平衡条件。
满足产生正弦振荡 的相位条件。
9-9 判断图9-20各电路能否满足产生正弦 振荡的相位平衡条件。
不满足产生正弦振 荡的相位条件。
9-16 集成运放的最大输出电压是13V,输入信 号是uI=5sinωt的低频信号。按理想情况画出UR= +2.5V、0V、 -2.5V时输出电压的波形。
Uo( AV ) 1.5UREF
,因此,当UREF>0,
uo的波形往上移,当UREF<0, uo的波形往下移。
如果要求三角波和方波的峰-峰值相同,即
R1 2 U z 2U z R2
或R1=R2 =20KΩ
, fmax
R2 4 R1R4C 。不改变前
R1 4、三角波原来的幅值为 R U z 2
(+)
电路引入正反馈,能产生 正弦振荡。
电路引入正反馈,能产生 正弦振荡。
(+)
(+)
(+)
9-6 试用产生正弦波振荡的相位平衡条件 判断图9-42中的各电路能否产生正弦振荡。
RC移相式正弦波发生电 路,需要三节或三节以 上的RC移相环节。 不能产生正弦振荡。 详见书p250。
9-9 判断图9-20各电路能否满足产生正弦 振荡的相位平衡条件。
1、求出调节RP时所能获得的fmax。
方波发生电路输出信号周期,
R2 f n 4 R1 R4C
f f max
R2 33Hz 4 R1 R4C
2.画出u01和u 的波形,标明峰-峰值。如果A1的 反相端改接UREF,方波和三角波的波形有何 变化?
0
u /V
6 3 15
3 6
uO1 uO
uI / V
5V
2.5V
t
2.5V
5V
uO / V
13V
t
13V
(c)
9-17图9-52是理想集成运放,VS的UZ为6V, VD的正向电压降可略去不计。试求比较电路的 阈值,并画出它的传输特性。
解: U+=U-=0
u I 3 10 20
3 u I V U TH 2
3 uI V 2
t
30
45
(U01)p-p可按下法求出:在uo= Uom时, uo1一定发生跳 变,所以u+≈ 0;即
U om U z , R1 R2 U om R1 U,而 z R2
(U om ) p p 2
R1 U z 6V R2
如果A1反相端改接UREF , uo1的峰值发生在
(U o )min R2 R1 Uz U REF R1 R2 R1 R2
3 uI V 2
uO U Z 6V
uO U D 0V
传输特性如右图:
UO / V 6V
U如图9-57所示。 1、求出调节RP时所能获得的fmax。 2、画出u01和u0的波形,标明峰-峰值。如果A1的反相 端改接UREF,方波和三角波的波形有何变化? 3、要求三角波和方波的峰-峰值相同,R1应为多大?