模拟电子(第四版华成英主编)习题答案第八章

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模拟电子技术基础第四版课后标准答案-童诗白

模拟电子技术基础第四版课后标准答案-童诗白

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

习题1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时,I C从l mA变为2mA,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( A ) 。

模拟电子技术 清华华成英第四版 第八章

模拟电子技术 清华华成英第四版 第八章

Xf Xi
+
Xf Xi
XO Xi

Xf XO
AF 1
AF AF 1 幅值平衡条件
Arg AF Arg A Arg F A F 相位平衡条件 2n (n 0、1、 2)
二、起振和稳幅
起振的条件: Xf 稍大于 Xi 即
Xf Xi
..
AF
1
稳幅的条件: Xf Xi 即
Xf Xi
..
AF 1
2M 2 Ri2 2 L22

L2
优点: 容易振荡
缺点: 能量损耗大,变压器 器件笨重
例:分别标出图所 示各电路中变压器 的同名端,使之满 足正弦波振荡的相 位条件。
三、电感反馈式振荡电路(电感三点式)
判定原则:
中间交流接地,首尾反向, 首或尾端交流接地,另两端 同向
振荡频率: f0
2
1 LC
(本题10分)一电压比较器电路及参数如图所示。请求出 该电路的阈值电压,画出电压传输特性曲线,并说明是何 种类型的电压比较器
2解:所示电路为反相输入的滞回比较器 (3分)
uO=±UZ=±6V。令
uP
R1 R1 R2
uO
R2 R1 R2
U REF
uN
uI
(2分)
求出阈值电压:UT1=0 V UT2=4 V (2分)
U = T
R
R 1
+R
•U Z
1
2
uo从+UZ跃变到-UZ的 阈值电压为+UT
uo从-UZ跃变到+UZ的 阈值电压为-UT
uI在-UT与+UT之间增加或减 小, uO不发生变uO化
+UZ

模电(第四版)习题解答

模电(第四版)习题解答

实用文档模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

模拟电子技术基础第四版习题解答完整版

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模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √)GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第八章精编资料

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第八章精编资料

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第八章第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错:改正图T8.1所示各电路中的错误,使电路可能产生正弦波振荡。

要求不能改变放大电路的基本接法(共射、共基、共集)。

(a) (b)图T8.1解:(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。

(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同名端。

二、试将图T8.2所示电路合理连线,组成RC桥式正弦波振荡电路。

图T8.2解:④、⑤与⑨相连,③与⑧相连,①与⑥相连,②与⑦相连。

如解图T8.2所示。

解图T8.2三、已知图T8.3(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示,填写各电路的名称。

电路1为正弦波振荡电路,电路2为同相输入过零比较器,电路3为反相输入积分运算电路,电路4 为同相输入滞回比较器。

(a)(b)图T8.3四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。

(a) (b)图T8.4解:图(a)所示电路为同相输入的过零比较器;图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器,两个阈值电压为±U T =±U Z。

两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。

解图T8.4五、电路如图T8.5所示。

图T8.5(1)分别说明A1和A2各构成哪种基本电路;(2)求出u O1与u O的关系曲线u O1=f(u O);(3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1);(4)定性画出u O1与u O 的波形;(5)说明若要提高振荡频率,则可以改变哪些电路参数,如何改变?解:(1)A 1:滞回比较器;A 2:积分运算电路。

(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++ 可得:8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图T8.5 (a)所示。

(3) u O 与u O1的运算关系式1211121141()()2000()()O O O O O u u t t u t u t t u t R C=--+=--+ (4) u O1与u O 的波形如解图T8.5(b)所示。

模拟电电子技术基础第8章(第四版)童诗白 华成英

模拟电电子技术基础第8章(第四版)童诗白 华成英

2. RC串并联选频网络的选频特性
FV 32 ( 1
模拟电子技术基础
0 2 ) 0
(
f arctg
RC
0 ) 0
3
当 0 1 或 f f0 幅频响应有最大值
FVmax 1 3
1 2RC
相频响应
f 0
模拟电子技术基础
Rds 1k
模拟电子技术基础
桥式振荡电路如图所示, 设A为理想运放, (1)标出A的极性 (2)场效应管的作用 是什么?其d、s 间的等效电阻的 最大值为多少? (3)电路的振荡频率为 多少?
1 1 f 6 3 1061Hz 2 RC 2 0.003 10 50 10
1. 单门限电压比较器 特点:
开环,虚短和虚断不成立 增益A0大于105
vI
模拟电子技术基础
+VCC + A -VEE vO
VEE vO VCC
运算放大器工作在非线性状态下
8.2 电压比较器
1. 单门限电压比较器
(1)过零比较器
vI
模拟电子技术基础
+VCC + A -VEE vO
假设 V
1. 单门限电压比较器 (2)门限电压不为零的比较器 电压传输特性
vO VOH
模拟电子技术基础
+VCC vI + VREF A -VEE vO
O VOL
VREF
vI
输入为正负对称的正弦波 时,输出波形如图所示。
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础
分析任务及方法
求传输特性 方向
输出电平VOH 、VOL
又,放大器为反相比例电路 a = 180° 所以: a + f = 360°或0°

模拟电子技术基础(第四版)_华成英_518页

模拟电子技术基础(第四版)_华成英_518页
综合应用所学知识的能力
清华大学 华成英 hchya@
华成英 hchya@
第一章 半导体二极管和三极管
华成英 hchya@
第一章 半导体二极管和三极管
§1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管
反向饱 和电流
开启 电压
温度的 电压当量
反向饱和电流 1µA以下 几十µA
华成英 hchya@
华成英 hchya@
利用Multisim测试二极管伏安特性
华成英 hchya@
从二极管的伏安特性可以反映出: 1. 单向导电性 u UT i I ( e 1) 正向特性为 S
华成英 hchya@
二、模拟信号与模拟电路
1. 电子电路中信号的分类
数字信号:离散性 “1”的电 压当量 “1”的倍数
介于K与K+1之 间时需根据阈值 确定为K或K+1
任何瞬间的任何 值均是有意义的

模拟信号:连续性。大多数物理量为模拟信号。
2. 模拟电路
模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大,有功能和性能各异的放 大电路。 其它模拟电路多以放大电路为基础。
• 广播通信:发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电 话、手机 • 网络:路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器 • 工业:钢铁、石油化工、机加工、数控机床 • 交通:飞机、火车、轮船、汽车 • 军事:雷达、电子导航 • 航空航天:卫星定位、监测 • 医学:γ刀、CT、B超、微创手术 • 消费类电子:家电(空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照 相机、电子表)、电子玩具、各类报警器、保安系统

根据需求,最适用的电路才是最好的电路。 要研究利弊关系,通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

1第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。

uu ouu o图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。

(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。

(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。

(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。

画出o u 波形如图所示。

2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为 5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V 。

如果要得到0.5V ,3V,6V ,9V和14V几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。

解:各电路图如图所示。

(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V 。

uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?3图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。

1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。

1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。

模拟电子技术基础第四版课后答案第八章

模拟电子技术基础第四版课后答案第八章

第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错:改正图所示各电路中的错误,使电路可能产生正弦波振荡。

要求不能改变放大电路的基本接法(共射、共基、共集)。

(a) (b)图解:(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。

(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容,改同名端。

二、试将图所示电路合理连线,组成RC桥式正弦波振荡电路。

图解:④、⑤与⑨相连,③与⑧ 相连,①与⑥ 相连,②与⑦相连。

如解图所示。

解图三、已知图(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示,填写各电路的名称。

电路1为正弦波振荡电路,电路2为同相输入过零比较器,电路3为反相输入积分运算电路,电路4 为同相输入滞回比较器。

(a)(b)图四、试分别求出图所示各电路的电压传输特性。

(a) (b)图解:图(a)所示电路为同相输入的过零比较器;图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器,两个阈值电压为±U T =±U Z。

两个电路的电压传输特性如解图所示。

解图五、电路如图所示。

图(1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路; (2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O ); (3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1); (4)定性画出u O1与u O 的波形;(5)说明若要提高振荡频率,则可以改变哪些电路参数,如何改变?解:(1)A 1:滞回比较器;A 2:积分运算电路。

(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++可得:8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图 (a)所示。

(3) u O 与u O1的运算关系式1211121141()()2000()()O O O O O u u t t u t u t t u t R C=--+=--+ (4) u O1与u O 的波形如解图(b)所示。

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第8章 波形的发生和信号的转换

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第8章 波形的发生和信号的转换

GAGGAGAGGAFFFFAFAF第8章 波形的發生和信號的轉換習題8.1判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結果。

(1)在圖T8.1所示方框圖中,產生正弦波振蕩的相位條件是A F ϕϕ=。

( × )(2)因為RC 串并聯選頻網絡作為反饋網絡時的0o Fϕ=,單管共集放大電路的0o A ϕ=,滿足正弦波振蕩電路的相位條件πϕϕn A F 2=+,故合理連接它們可以構成正弦波振蕩電路。

( × )(3)在RC 橋式正弦波振蕩電路中,若RC 串并聯選頻網絡中的電阻均為R ,電容均為C ,則其振蕩頻率1/o f RC =。

( × )(4)電路只要滿足1=F A ,就一定會產生正弦波振蕩。

( × ) (5)負反饋放大電路不可能產生自激振蕩。

( × )(6)在LC 正弦波振蕩電路中,不用通用型集成運放作放大電路的原因是其上限截止頻率太低。

( √ )8.2判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結果。

(1) 為使電壓比較器的輸出電壓不是高電平就是低電平,就應在其電路中使集成運放不是工作在開環狀態,就是僅僅引入正反饋。

( √ )(2)如果一個滯回比較器的兩個閾值電壓和一個窗口比較器的相同,那么當它們的輸入電壓相同時,它們的輸出電壓波形也相同。

( × )(3)輸入電壓在單調變化的過程中,單限比較器和滯回比較器的輸出電壓均只躍變一次。

( √ )(4)單限比較器比滯回比較器抗干擾能力強,而滯回比較器比單限比較器靈敏度高。

( × )8.3選擇合適答案填入空內。

A.容性B.阻性C.感性(1)LC并聯網絡在諧振時呈( B );在信號頻率大于諧振頻率時呈( A );在信號頻率小于諧振頻率時呈( C )。

(2)當信號頻率等于石英晶體的串聯諧振頻率時,石英晶體呈( B );當信號頻率在石英晶體的串聯諧振頻率和并聯諧振頻率之間時,石英晶體呈 ( C );其余情況下,石英晶GAGGAGAGGAFFFFAFAFGAGGAGAGGAFFFFAFAF 體呈( A )。

模拟电子技术基础(第四版)_华成英_518页

模拟电子技术基础(第四版)_华成英_518页
物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气 体、液体、固体均有之。
P区空穴 浓度远高 于N区。 N区自由电 子浓度远高 于P区。
扩散运动 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面 N区的自由电子浓度降低,产生内电场。
华成英 hchya@
PN 结的形成
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内 电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、 自由电子从P区向N 区运动。 漂移运动 因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
2. P型半导体
多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电, 掺入杂质越多,空穴浓度越高, 导电性越强,
3
在杂质半导体中,温度变化 时,载流子的数目变化吗?少子 与多子变化的数目相同吗?少子 与多子浓度的变化相同吗?
硼(B)
华成英 hchya@
三、PN结的形成及其单向导电性
华成英 hchya@
§1 半导体基础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应
华成英 hchya@
一、本征半导体
1、什么是半导体?什么是本征半导体?
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。 绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导 电。 半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 无杂质 稳定的结构

根据需求,最适用的电路才是最好的电路。 要研究利弊关系,通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用

模拟电路 童诗白第四版习题配套答案

模拟电路 童诗白第四版习题配套答案

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS点。

( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

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&F & > 1, 故 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡 。 f= f0 时 有 可 能 满 足 起 振 条 件 A
图 ( b) 所 示 电 路 有 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡 。 因 为 共 射 放 大 电 路 输 出 电 压 和 输 入 电 压 反 相 ( φ A = - 180 ˚ ) ,且图中三级移相电路为滞后网络,在信号 频 率 为 0 到 无 穷 大 时 相 移 为 0 ˚ ~ - 270 ˚ , 因 此 存 在 使 相 移 为 - 180 ˚ ( φ F = - 180 ˚ ) 的 频 率 , 即 存 在 满 足 正 弦 波 振 荡 相 位 条 件 的 频 率 f 0 ( 此 时 φ A + φ F
f 0 max = f 0 min =
1 ≈ 1.6kHz 2π R1C 1 ≈ 145Hz 2π ( R1 + R2 )C
第八章 波形的发生和信号的转换
自测题
一 、 判 断 下 列 说 法 是 否 正 确 , 用 “ √ ” 或 “ ×” 表 示 判 断 结 果 。 ( 1 ) 在 图 T8.1 所 示 方 框 图 中 , 若 φ F = 1 80 °, 则 只 有 当 φ A = ± 180 ° 时,电路才能产生正弦波振荡。 ( )
( 5) 负 反 馈 放 大 电 路 不 可 能 产 生 自 激 振 荡 。 ( )
( 6 )在 LC 正 弦 波 振 荡 电 路 中 ,不 用 通 用 型 集 成 运 放 作 放 大 电 路 的 原 因 是其上限截止频率太低。 ( 解: ( 1) √ ( 2) × ) ( 3) × ( 4) × ( 5) × ( 6) √
uO = −
1 uO1 (t2 − t1 ) + uO (t1 ) R4C
= −2000uO1 (t2 − t1 ) + uO (t1 )
解 图 T8.6
第八章题解-5
( 4 ) u O 1 与 u O 的 波 形 如 解 图 T8 .6 ( b ) 所 示 。 ( 5) 要 提 高 振 荡 频 率 , 可 以 减 小 R4、 C、 R1 或 增 大 R2。
解 图 T8.5
第八章题解-4
六 、 电 路 如 图 T8.6 所 示 。
图 T8.6
( 1) 分 别 说 明 A1 和 A2 各 构 成 哪 种 基 本 电 路 ; ; ( 2) 求 出 uO1 与 uO 的 关 系 曲 线 uO1= f( uO) ; ( 3) 求 出 uO 与 uO1 的 运 算 关 系 式 uO= f( uO1) ( 4) 定 性 画 出 uO1 与 uO 的 波 形 ; ( 5) 说 明 若 要 提 高 振 荡 频 率 , 则 可 以 改 变 哪 些 电 路 参 数 , 如 何 改 变 。 解: ( 1) A1: 滞 回 比 较 器 ; A2: 积 分 运 算 电 路 。 ( 2 ) 根 据 u P1 =
图 P8.5
第八章题解-7
解 : 图 ( a) 所 示 电 路 有 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡 。 因 为 共 射 放 大 电 路 输 出 电 压 和 输 入 电 压 反 相 ( φ A = - 180 ˚ ) ,且图中三级移相电路为超前网络,在 信 号 频 率 为 0 到 无 穷 大 时 相 移 为 + 270 ˚ ~ 0 ˚ , 因 此 存 在 使 相 移 为 + 180 ˚ ( φ F = + 180 ˚ )的 频 率 ,即 存 在 满 足 正 弦 波 振 荡 相 位 条 件 的 频 率 f 0 ( 此 时 φ A + φ ;且在 F= 0˚)
( 3 ) 在 RC 桥 式 正 弦 波 振 荡 电 路 中 , 若 RC 串 并 联 选 频 网 络 中 的 电 阻 均 为 R , 电 容 均 为 C , 则 其 振 荡 频 率 f 0 = 1 / RC 。 ( ) )
&F & =1 , 就 一 定 会 产 生 正 弦 波 振 荡 。 ( 4) 电 路 只 要 满 足 A (
( 3) 一 般 情 况 下 , 在 电 压 比 较 器 中 , 集 成 运 放 不 是 工 作 在 开 环 状 态 , 就是仅仅引入了正反馈。 ( )
( 4) 如 果 一 个 滞 回 比 较 器 的 两 个 阈 值 电 压 和 一 个 窗 口 比 较 器 的 相 同 , 那么当它们的输入电压相同时,它们的输出电压波形也相同。 ( )
图 T8.1
( 2) 只 要 电 路 引 入 了 正 反 馈 , 就 一 定 会 产 生 正 弦 波 振 荡 。 ( ( 3) 凡 是 振 荡 电 路 中 的 集 成 运 放 均 工 作 在 线 性 区 。 ( ) Nhomakorabea)
( 4) 非 正 弦 波 振 荡 电 路 与 正 弦 波 振 荡 电 路 的 振 荡 条 件 完 全 相 同 。 ( 解: ( 1) √ ( 2) × ( 3) × ( 4) ×
第八章题解-6
8.3 现 有 电 路 如 下 : A . RC 桥 式 正 弦 波 振 荡 电 路 B . LC 正 弦 波 振 荡 电 路 C. 石 英 晶 体 正 弦 波 振 荡 电 路 选 择 合 适 答 案 填 入 空 内 , 只 需 填 入 A、 B 或 C。 ( 1 ) 制 作 频 率 为 20Hz ~ 20k Hz 的 音 频 信 号 发 生 电 路 , 应 选 用 ( 2 )制 作 频 率 为 2 MHz ~ 20MHz 的 接 收 机 的 本 机 振 荡 器 ,应 选 用 ( 3) 制 作 频 率 非 常 稳 定 的 测 试 用 信 号 源 , 应 选 用 解: ( 1) A ( 2) B ( 3) C 。 。 。
( 5) 在 输 入 电 压 从 足 够 低 逐 渐 增 大 到 足 够 高 的 过 程 中 , 单 限 比 较 器 和 滞回比较器的输出电压均只跃变一次。 ( )
( 6) 单 限 比 较 器 比 滞 回 比 较 器 抗 干 扰 能 力 强 , 而 滞 回 比 较 器 比 单 限 比 较器灵敏度高。 ( 解: ( 1) × ) ( 2) √ ( 3) √ ( 4) × ( 5) √ ( 6) ×


8.1 判 断 下 列 说 法 是 否 正 确 , 用 “ √ ” 或 “ ×” 表 示 判 断 结 果 。 ( 1 )在 图 T8.1 所 示 方 框 图 中 ,产 生 正 弦 波 振 荡 的 相 位 条 件 是 φ F = ± φ ( A。 ) ( 2 ) 因 为 RC 串 并 联 选 频 网 络 作 为 反 馈 网 络 时 的 φ F = 0 °, 单 管 共 集 放 大 电 路 的 φ A = 0 °,满 足 正 弦 波 振 荡 的 相 位 条 件 φ A + φ F = 2n π( n 为 整 数 ) , 故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。 ( )
间时,石英晶体呈
( 3 ) 当 信 号 频 率 f = f 0 时 , RC 串 并 联 网 络 呈 解: ( 1) B A C ( 2) B C A
8.5 判 断 图 P8.5 所 示 各 电 路 是 否 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡 ,简 述 理 由 。设 图 ( b) 中 C4 容 量 远 大 于 其 它 三 个 电 容 的 容 量 。
8.4 选 择 下 面 一 个 答 案 填 入 空 内 , 只 需 填 入 A 、 B 或 C 。 A. 容 性 B. 阻 性 C. 感 性 ,在信号频率大于谐振频率时 。
( 1 ) LC 并 联 网 络 在 谐 振 时 呈 呈 ,在信号频率小于谐振频率时呈
( 2) 当 信 号 频 率 等 于 石 英 晶 体 的 串 联 谐 振 频 率 或 并 联 谐 振 频 率 时 , 石 英晶体呈 ;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之 ;其余情况下石英晶体呈 。 。 ( 3) B
&F & > 1, 故 可 能 产 生 正 弦 波 振 = - 360 ˚ ) ; 且 在 f= f0 时 有 可 能 满 足 起 振 条 件 A
荡。
8.6 电 路 如 图 P8.5 所 示 , 试 问 : ( 1 )若 去 掉 两 个 电 路 中 的 R 2 和 C 3 ,则 两 个 电 路 是 否 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡?为什么? ( 2 )若 在 两 个 电 路 中 再 加 一 级 RC 电 路 ,则 两 个 电 路 是 否 可 能 产 生 正 弦 波振荡?为什么? 解: ( 1) 不 能 。 因 为 图 ( a) 所 示 电 路 在 信 号 频 率 为 0 到 无 穷 大 时 相 移 为 + 180 °~ 0 °, 图 ( b ) 所 示 电 路 在 信 号 频 率 为 0 到 无 穷 大 时 相 移 为 0 °~ - 180 °, 在 相 移 为 ± 180 °时 反 馈 量 为 0 , 因 而 不 可 能 产 生 正 弦 波 振 荡 。 ( 2 )可 能 。因 为 存 在 相 移 为 ± 180 °的 频 率 ,满 足 正 弦 波 振 荡 的 相 位 条 件 , 且电路有可能满足幅值条件,因此可能产生正弦波振荡。
R2 R1 1 ⋅ u O1 + ⋅ u O = (u O1 + u O ) = u N1 = 0 , 可 得 R1 + R2 2 R1 + R2
± U T = ± 8V
u O 1 与 u O 的 关 系 曲 线 如 解 图 T8.6 ( a ) 所 示 。 ( 3) uO 与 uO1 的 运 算 关 系 式
8.2 判 断 下 列 说 法 是 否 正 确 , 用 “ √ ” 或 “ ×” 表 示 判 断 结 果 。 ( 1) 只 要 集 成 运 放 引 入 正 反 馈 , 就 一 定 工 作 在 非 线 性 区 。 ( )
( 2) 当 集 成 运 放 工 作 在 非 线 性 区 时 , 输 出 电 压 不 是 高 电 平 , 就 是 低 电 平。 ( )
三 、 试 将 图 T8.3 所 示 电 路 合 理 连 线 , 组 成 RC 桥 式 正 弦 波 振 荡 电 路 。
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