常用晶体管介绍
mosfet的基本参数
mosfet的基本参数MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的场效应晶体管，广泛应用于电子设备中。
它具有许多基本参数，这些参数对于了解和设计电路至关重要。
本文将重点介绍MOSFET的基本参数，包括漏极电流、漏极电压、栅极电流、栅极电压和沟道电阻。
1. 漏极电流（ID）：漏极电流是MOSFET中最基本的参数之一，它表示通过漏极的电流。
漏极电流的大小取决于栅极电压和漏极电压之间的差异，以及MOSFET的结构和工作状态。
漏极电流可以通过控制栅极电压来调节，从而实现对MOSFET的控制。
2. 漏极电压（VDS）：漏极电压是MOSFET的另一个重要参数，它表示在漏极和源极之间的电压。
漏极电压的大小对MOSFET的工作状态和性能具有重要影响。
当漏极电压超过一定值时，MOSFET将进入饱和区，此时漏极电流基本保持不变。
如果漏极电压进一步增加，MOSFET将进入截止区，漏极电流将急剧减小。
3. 栅极电流（IG）：栅极电流是通过栅极的电流，它对MOSFET的控制起着重要作用。
栅极电流的大小取决于输入信号的特性以及MOSFET的工作状态。
通过控制栅极电流的大小，可以调节MOSFET的导通能力和开关速度。
4. 栅极电压（VGS）：栅极电压是MOSFET的另一个关键参数，它表示栅极与源极之间的电压。
栅极电压的变化可以改变MOSFET的导通能力和截止状态。
当栅极电压超过一定值时，MOSFET将开始导通，形成一个通路。
如果栅极电压低于一定值，MOSFET将截止，电流无法通过。
5. 沟道电阻（RDS(on)）：沟道电阻是MOSFET的内部电阻，它表示MOSFET导通状态下沟道的电阻大小。
沟道电阻的大小对于MOSFET的导通能力和功耗具有重要影响。
较小的沟道电阻意味着更好的导通性能和更低的功耗。
MOSFET的基本参数包括漏极电流、漏极电压、栅极电流、栅极电压和沟道电阻。
这些参数对于设计和控制电路至关重要，可以通过调节栅极电压和栅极电流来改变MOSFET的工作状态和性能。
常用的npn管型号
常用的npn管型号介绍NP(Negative Positive)极性型晶体管是一种常用的三极管，广泛应用于电子电路中。
在电子技术中，npn管被用于放大、开关和稳流等功能。
不同的npn管型号具有不同的特性参数，可根据具体需求选择合适的型号。
本文将介绍几种常用的npn 管型号及其特点。
常用的npn管型号1. 2N2222•极限参数:–集电极-基极击穿电压：60 V–集电极-发射极击穿电压：30 V–集电极电流：800 mA–功率：500 mW•特性:–噪声系数低：适用于音频放大电路–高频性能好：适用于射频放大电路–可靠性高–常用于大量通用用途2. BC546•极限参数:–集电极-基极击穿电压：80 V–集电极-发射极击穿电压：40 V–集电极电流：100 mA–功率：500 mW•特性:–高电压能力–输入输出频带宽–适用于音频放大器和开关电路3. BC547•极限参数:–集电极-基极击穿电压：50 V–集电极-发射极击穿电压：45 V–集电极电流：100 mA–功率：500 mW•特性:–高电压能力–动态范围广–噪声系数低–适用于音频放大器和开关电路4. 2N3904•极限参数:–集电极-基极击穿电压：60 V–集电极-发射极击穿电压：30 V–集电极电流：200 mA–功率：625 mW•特性:–高电流放大倍数–高频性能佳，可用于射频放大电路–原理图上常用的型号5. 2N3906•极限参数:–集电极-基极击穿电压：40 V–集电极-发射极击穿电压：40 V–集电极电流：200 mA–功率：625 mW•特性:–作为pnp型三极管的补充使用，常与npn型三极管配对–高电流放大倍数总结本文介绍了几种常用的npn管型号，包括2N2222、BC546、BC547、2N3904和2N3906。
这些管子在电子电路中应用广泛，每个型号都有其独特的特性和适用范围。
选择合适的型号需根据具体的应用需求和电路要求，在功率、电流、噪声系数、频率响应等方面进行综合考虑。
常用晶体管参数
D13008 NPN 12 100 300 600
D13009 NPN 12 100 400 700
二、功 放 对 管
型号 极性 Ptot lc VCBO
(W) (A) (V)
2SC3455 NPN 25 160 800/500 800/500
2SC5200 NPN 15 150 230 280
2SC1140(..1) NPN 15 150 800/400 800/400
器件型号 极性 lc Pcm Vceo Vcbo
(A) (W) (V) (V)
3CF10 100W -10A 0-250V -250V TO-3P
3CF15 150W -15A -250V -250V TO-3PⅡ
3CF20 200W -20A -250V -250V TO-3PⅡ
3CD6 50W -5A -300V TO-220
3CD8 100W -10A -300V TO-3PⅡ
2SA982 PNP -8 80 -140 -160
2SA1672 PNP -10 80 -140 -160
2SA1673 PNP -15 80 -180 -200
2SA1672 PNP -8 75 -120 -150
2SA745A PNP -8 70 -120 -150
2SA1292 PNP -15 70 -80 -100
2SA1216 PNP 200 -20 -180
2SC2922 NPN 200 20 180
2SA1301 PNP 120 -12 -160
2SC3280 NPN 120 12 160
MOSFET基础知识介绍
MOSFET基础知识介绍MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，用于在电子电路中控制电流的流动。
它由金属氧化物半导体结构组成，具有高输入阻抗、低功耗和高电压承受能力等优点，因此在各种应用中广泛使用。
MOSFET的结构包括有源区、漏源区、栅极和绝缘层等部分。
有源区通常由P型半导体材料组成，而漏源区则是N型或P型半导体材料。
两个区域之间的绝缘层是一个非导电的氧化物层，通常是二氧化硅。
栅极是一个金属或多晶硅的电极，用于控制电流的流动。
MOSFET的工作原理基于栅极电压的控制。
当栅极电压为零或低于临界电压时，MOSFET处于截止状态，无法通过电流。
当栅极电压高于临界电压时，介质中的电场会引起有源区附近的载流子（电子或空穴）移动，形成导电路径。
这时，MOSFET处于饱和状态，可以通过电流。
MOSFET有两种常用的工作模式，分别是增强型和耗尽型。
在增强型MOSFET中，栅极电压高于临界电压时，会导致有源区中的载流子浓度增加，从而提高电流的导电能力。
而在耗尽型MOSFET中，栅极电压低于临界电压时，会减少有源区中的载流子浓度，从而减小电流的导电能力。
另一个重要的参数是漏极漏电流。
当MOSFET处于截止状态时，理想情况下应该没有电流通过，但实际上会存在微小的漏电流。
漏极漏电流越小，MOSFET的性能越好。
MOSFET还有一些特殊类型，例如增压型MOSFET和均衡型MOSFET。
增压型MOSFET通过增加外加电压来提高导电能力。
均衡型MOSFET则可以在两个有源区之间实现均衡的电流分布，以提高功率放大器的线性度。
MOSFET在各种应用中都有重要的作用。
在数字电路中，MOSFET可以作为开关使用，用于控制逻辑门和存储器等器件的操作。
在模拟电路中，MOSFET可以作为放大器使用，用于控制电压和电流的变化。
此外，MOSFET还常用于功率放大器、电源和开关模式电源等领域。
总而言之，MOSFET是一种重要的半导体器件，具有高输入阻抗、低功耗和高电压承受能力等优点。
常用各种晶体管型号及参数
电流Icm 电流Icm
0.05A 0.1A 0.1A 0.5A 0.5A 0.03A 10A 10A 8A 8A 8A 6A 6A 25A 25A
功率Pcm 功率Pcm
0.4W 0.4W 0.4W 0.6W 0.6W 0.4W 125W 125W 65W 65W 2W 65W 65W 125W 125W
电流Icm 电流Icm
6A 0.1A 1.5A 0.7A 0.03A 0.05A 0.2A 0.03A 1.5A 25A 15A 6A 3A 4A 15A
功率Pcm 功率Pcm
40W 0.25W 10W 0.8W 0.25W 0.25W 0.25W 0.25W 15W 120W 150W 25W 2W 30W 150W
放大系数
* * * * * * * * * * * * 200 * 45
反压Vbe Vbe0 晶体管型号 反压Vbe0
9018 9015 9014 9013 9012 9011 TIP147 TIP142 TIP127 TIP122 TIP102 TIP42C TIP41C TIP36C TIP35C 30V 50V 50V 50V 50V 50V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V
电流Icm 电流Icm
15A 4A 4.7A 12A 19A 20A 14A 8A 14A 16A 10A 33A 19A 40A
功率Pcm 功率Pcm
42W 150W 150W 150W 150W 250W 180W 150W 180W 180W 150W 180W 150W 180W
放大系数
* * * * * * * * * * * * * *
10W 150W 100W 200W 30W 200W
常用晶体管参数大全查询
常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。
它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。
以下是一些常用晶体管参数的详细说明。
1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。
NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。
2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。
超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。
3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。
超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。
4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。
超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。
5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。
hFE的值越高，晶体管放大能力越强。
6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。
通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。
7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。
饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。
8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。
输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。
9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。
输出电容越小，晶体管的输出速度越快。
10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。
射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。
11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。
这是指晶体管可以正常工作的最高频率。
12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。
噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。
以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。
aax (mmbta42)晶体管 技术参数
AAX (MMBTA42) 晶体管技术参数摘要：AAX (MMBTA42) 是一种常用的 NPN 型晶体管，它具有优良的性能和稳定性，广泛应用于各种电子设备中。
本文将对 AAX (MMBTA42) 晶体管的技术参数进行详细介绍，包括其主要特性、电气参数、尺寸和封装形式等方面的内容。
通过对这些技术参数的了解，可以更好地应用和选用 AAX (MMBTA42) 晶体管，为电子设备的设计和制造提供可靠的技术支持。
一、主要特性AAX (MMBTA42) 晶体管具有以下主要特性：1. 高频率响应：AAX (MMBTA42) 晶体管具有出色的高频率响应特性，适用于高频放大和振荡电路。
2. 低噪声系数：AAX (MMBTA42) 晶体管的噪声系数较低，可以有效减小信号的干扰和失真。
3. 高电流增益：AAX (MMBTA42) 晶体管具有较高的电流增益，适用于需要较大信号放大的电路设计。
4. 低饱和电压：AAX (MMBTA42) 晶体管的饱和电压较低，可以减小功耗和提高电路效率。
二、电气参数AAX (MMBTA42) 晶体管的典型电气参数如下：1. 最大耐压：AAX (MMBTA42) 晶体管的最大耐压为 75V，可以满足大多数电子设备的工作电压要求。
2. 最大电流：AAX (MMBTA42) 晶体管的最大连续电流为 500mA，最大脉冲电流为 1A，能够满足电路的大电流要求。
3. 最大功率：AAX (MMBTA42) 晶体管的最大功率为 625mW，在一定的散热条件下可以实现可靠的工作。
4. 管脚电阻：AAX (MMBTA42) 晶体管的管脚电阻较小，有利于降低传输线的损耗和提高电路的稳定性。
三、尺寸和封装形式AAX (MMBTA42) 晶体管的尺寸和封装形式如下：1. 封装类型：AAX (MMBTA42) 晶体管常见的封装类型为 SOT-23，便于在电路板上进行焊接和安装。
2. 外形尺寸：AAX (MMBTA42) 晶体管的外形尺寸为 2.9mm x1.3mm x 1.1mm，适合于紧凑型电子设备的设计和布局。
常用的npn管型号
常用的npn管型号常用的npn管型号作为一种常见的晶体管，NPN型号的器件被广泛应用于电子电路中。
NPN晶体管常用于放大、开关、瞬态保护等电路中，具有高增益、低噪声和较高的频率响应等优势。
下面将介绍一些常见的NPN管型号及其特点。
1. 2N22222N2222是一种经典的NPN型三极管，常用于低功耗的放大电路中。
它具有高频响应、低噪声和较大的电流承受能力。
2N2222在通用放大电路、开关电路以及数字逻辑电路中得到了广泛应用。
2. PN2222PN2222是2N2222的替代型号，在性能上与2N2222非常相似。
它可以用作2N2222的直接替代型号，适用于类似的应用。
3. BC547BC547是一种常见的低功耗NPN晶体管，适用于放大、开关和线性稳压等电路中。
BC547具有较高的电流放大倍数和频率响应，广泛应用于音频放大器、信号调理电路和低功耗电子设备中。
4. BC337BC337是一种中功率的NPN型晶体管，具有较大的电流和功率容量。
它在开关电路、直流-直流转换器和电源稳压器等应用中表现出色。
5. MPSA42MPSA42是一种高压NPN型晶体管，适用于高频放大、能量转换和开关电路等应用。
它具有较高的集电极峰值电压和较大的电流承受能力，在高压环境下表现优异。
6. 2SC9452SC945是一种小功率NPN型晶体管，适用于低功耗放大和开关电路等应用。
它在电池供电设备、无线电接收器和家用电器等领域得到了广泛应用。
总结回顾：NPN管型号涵盖了各种不同功率和特性的晶体管。
其中，2N2222和PN2222适用于低功耗应用，BC547和BC337适用于一般放大和开关电路，MPSA42适用于高压和高频应用，而2SC945适用于小功耗应用。
在选择合适的NPN管型号之前，我们需要根据具体的应用需求来评估电流、功率、频率响应、噪声等方面的要求。
还需要考虑到器件的可获得性和成本等因素。
1. 2N2222：2N2222是一种常用的低功耗NPN型晶体管，广泛应用于低频放大和开关电路中。
晶体管的基本特性与分类概述
晶体管的基本特性与分类概述晶体管是现代电子技术中最重要的器件之一。
它的发明和应用对计算机、通信和电子设备的发展起到了重要的推动作用。
本文将介绍晶体管的基本特性和分类，旨在让读者对晶体管有一个基本的了解。
一、晶体管的基本特性晶体管是一种半导体器件，它具有放大、开关和逻辑控制等功能。
具体来说，晶体管的基本特性包括：1. 管子：晶体管通常由三层半导体材料构成。
这三层分别被称为发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
2. 构造：晶体管的外形类似于一个小型的晶体管，并且有几个引脚用于外部电路连接。
3. 工作原理：当向发射极施加电流时，由于P-N结的存在，电流会从发射极到基极，进而控制集电极上的电流。
二、晶体管的分类晶体管根据不同的材料、结构和工作方式可以分为多种类型。
下面介绍几种常见的晶体管分类：1. 按材料分：a. 硅晶体管：硅晶体管是最常用的晶体管类型之一。
它具有成本低、可靠性好、耐高温等特点，在各种电子设备中得到广泛应用。
b. 砷化镓晶体管：砷化镓晶体管是一种高频率的晶体管，适用于射频放大器等高频率应用。
2. 按结构分：a. NPN晶体管：NPN晶体管由两个P型掺杂的半导体层包裹一个N型掺杂的半导体层组成。
它是最常用的晶体管结构之一。
b. PNP晶体管：PNP晶体管与NPN晶体管结构相反，由两个N 型掺杂的半导体层包裹一个P型掺杂的半导体层组成。
3. 按工作方式分：a. 放大型晶体管：放大型晶体管可以将微弱的信号放大到较大的幅度，常用于放大电路中。
b. 开关型晶体管：开关型晶体管可以控制电流的通断，常用于数字电路和开关电源等应用。
除了以上几种分类，还有一些特殊类型的晶体管，比如场效应晶体管（FET）和金属-绝缘体-半导体（MIS）晶体管等。
综上所述，晶体管作为一种重要的半导体器件，具有放大、开关和逻辑控制等功能。
根据材料、结构和工作方式的不同，晶体管可以分为多种类型。
常用的npn管型号
常用的npn管型号常用的npn管型号概述NPN晶体管是一种三极管，由三个掺杂不同材料的半导体层组成，其中两个外层为P型半导体，中间为N型半导体。
它是最常见的晶体管之一，广泛应用于各种电路中。
本文将介绍几种常用的NPN晶体管型号及其特点。
1. 2N39042N3904是一种通用的低功耗NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达300MHz。
其最大集电极电压为40V，最大集电极电流为200mA。
2. BC547BC547是一种通用的NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为45V，最大集电极电流为100mA。
3. BC548BC548是一种通用的低功耗NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为30V，最大集电极电流为100mA。
4. 2N22222N2222是一种通用的NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达300MHz。
其最大集电极电压为30V，最大集电极电流为800mA。
5. BD139BD139是一种低功耗NPN晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为80V，最大集电极电流为1.5A。
6. BD140BD140是一种低功耗PNP晶体管，具有高电流增益和低噪声系数。
它适用于各种放大器和开关电路中，工作频率可达100MHz。
其最大集电极电压为80V，最大集电极电流为1.5A。
7. TIP31TIP31是一种通用的NPN晶体管，具有高功率和高频率特性。
它适用于各种放大器、开关、稳压等场合中。
其最大集电极电压为40V，最大集电极电流为3A。
8. TIP32TIP32是一种通用的PNP晶体管，具有高功率和高频率特性。
mosfet管工作原理
mosfet管工作原理MOSFET管是一种常用的晶体管，其工作原理基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的特性。
MOSFET管以其高速度、低功耗和可靠性等优点，在现代电子器件中得到广泛应用。
本文将从MOSFET 管的结构、工作原理和特性等方面进行详细介绍。
一、MOSFET管的结构MOSFET管的结构主要由源极、漏极、栅极和绝缘层组成。
其中，源极和漏极是两个注入材料的区域，栅极则是一层金属或者多晶硅的薄膜。
绝缘层主要是由氧化硅构成，起到隔离栅极和半导体材料的作用。
二、MOSFET管的工作原理MOSFET管的工作原理基于栅极电压的变化来控制漏极和源极之间的电流。
当栅极电压为零时，绝缘层会阻止电流的流动，此时MOSFET 处于截止状态。
当栅极电压增加，绝缘层会形成一个电场，使得漏极和源极之间形成一个导电通道，电流开始流动，MOSFET处于放大状态。
当栅极电压继续增加，电流也会增加，MOSFET处于饱和状态。
通过调节栅极电压，可以精确地控制MOSFET的导通和截止，从而实现对电流的精确控制。
三、MOSFET管的特性1. 高输入阻抗：MOSFET管的绝缘层能有效地隔离栅极和半导体材料，使得栅极输入电阻非常高，从而减小了对输入信号的负载效应。
2. 低输出阻抗：MOSFET管的漏极和源极之间形成的导电通道具有低阻抗特性，能够输出较大的电流。
3. 高速度：由于MOSFET管的结构简单，电流的流动速度快，因此其响应速度较快。
4. 低功耗：MOSFET管在截止状态时，几乎没有功耗，只有在放大状态时才会有一定的功耗。
5. 可靠性高：MOSFET管的结构简单，且由于绝缘层的存在，能够有效地防止电路短路和漏电现象，提高了器件的可靠性。
四、MOSFET管的应用由于MOSFET管具有高速度、低功耗和可靠性高等特点，因此在现代电子器件中得到了广泛应用。
例如，在数字集成电路中，MOSFET管常用于构建逻辑门电路和存储器单元；在模拟集成电路中，MOSFET 管则用于构建放大器和开关电路等。
各种三极管放大倍数
各种三极管放大倍数三极管是一种电路元器件，经常被用来放大电信号和控制电流。
在实际应用中，三极管的放大倍数是很重要的参数，它决定了电路的放大效果和性能。
不同种类的三极管放大倍数也不同，接下来我们就来了解一下常见三极管的放大倍数。
一、NPN型晶体管放大倍数NPN型晶体管是常用的三极管之一。
在放大作用中，NPN晶体管被用来放大小电荷变化以产生更大的电流。
NPN晶体管的放大倍数也称为其电流放大系数。
它通常等于型号后面带的数字。
例如，BC547B型号的三极管的放大倍数为200，而2N3904型号的放大倍数则为100。
为了计算NPN晶体管的放大倍数，可以使用以下公式：β = Ic / Ib其中，β是NPN晶体管的放大倍数，Ic是晶体管的输出电流，Ib是晶体管的输入电流。
一般来说，Ib的数值应该要小于Ic的数值。
如果Ib大于Ic，晶体管将失去其放大作用。
PNP型晶体管是另一种常用的三极管。
PNP晶体管的结构与NPN晶体管相似，但输入信号的极性相反。
在使用PNP晶体管放大电流或控制电流时，电流流向就是从正极到负极。
PNP晶体管的放大倍数也称为其共射放大系数。
三、JFET放大倍数JFET（结型场效应晶体管）是一种非常常见的三极管，其放大倍数基于JFET管的特性曲线和输入-输出电阻之间的关系。
JFET的放大倍数通常被称为转移电导（gm）。
其公式如下：gm = ΔId / ΔVgs其中，gm是JFET的转移电导，ΔId是JFET的源-漏电流变化量，ΔVgs是JFET的门电压变化量。
JFET放大倍数的计算非常有用，因为它可以帮助设计者预测电路的放大效果和性能。
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种具有很高输入阻抗和低输出阻抗的晶体管。
在放大电流或控制电流方面，MOSFET的放大倍数也是转移电导。
MOSFET的转移电导计算公式如下：综上所述，常见的三极管放大倍数包括了NPN型晶体管、PNP型晶体管、JFET和MOSFET。
如何选择合适的晶体管类型
如何选择合适的晶体管类型在现代电子技术中，晶体管是一种重要的元件，广泛应用于各种电子设备中。
选择合适的晶体管类型对于设计和制造高性能电子设备至关重要。
本文将介绍如何选择合适的晶体管类型。
一、了解不同晶体管类型在选择合适的晶体管类型之前，首先需要了解不同种类的晶体管。
常见的晶体管类型包括：BJT (双极型晶体管)、MOSFET (金属-绝缘体-半导体场效应晶体管)、JFET (结型场效应晶体管)和IGBT (绝缘栅双极型晶体管)等。
1. BJT：双极型晶体管是最早被广泛应用的一种晶体管类型，常用于低功率和中功率应用。
它具有较高的放大倍数和较低的输入电阻，适用于放大和开关电路。
2. MOSFET：金属-绝缘体-半导体场效应晶体管是基于金属氧化物半导体结构的一种晶体管类型。
它具有高输入电阻、低功耗和快速开关速度，适用于高频和功率应用。
3. JFET：结型场效应晶体管是一种基于pn结构的一种晶体管类型。
它具有低噪声、高输入电阻和低失真的特点，适用于低噪声放大和开关电路。
4. IGBT：绝缘栅双极型晶体管是一种结合了MOSFET和BJT的特性的晶体管类型。
它具有高电压耐受能力和低开关损耗，适用于高功率应用。
二、根据应用需求选择晶体管类型在选择合适的晶体管类型时，需要根据具体的应用需求进行判断。
1. 功率需求：如果需要高功率应用，MOSFET和IGBT常常是首选，因为它们具有较高的电流和电压耐受能力。
2. 噪声要求：如果需要低噪声应用，JFET是一个较好的选择，因为它具有较低的噪声系数。
3. 高频应用：对于高频应用，MOSFET通常是首选，因为它具有较快的开关速度。
4. 成本因素：BJT是一种普遍易得且成本较低的晶体管类型，适合对成本要求较高的应用。
三、考虑参数和性能选择合适的晶体管类型还需要考虑一些参数和性能指标。
1. 最大耐压：根据需求选择适当的最大电压耐受能力。
2. 最大电流：根据电路需求选择适当的最大电流能力。
三极管9011-9018的参数
三极管9011-9018的参数三极管9011-9018是一种常用的晶体管器件，具有不同的参数和特性。
下面将分别介绍这些参数及其应用。
1. 9011型三极管9011型三极管是一种NPN型晶体管，其主要参数如下：- 最大集电极电压（Vceo）：-50V- 最大发射极电流（Ic）：-500mA- 最大功率耗散（Pd）：-625mW- 最大封装功率温度（Tj）：-150℃9011型三极管具有高频特性，适用于射频放大器、中频放大器、混频器、振荡器等电路。
2. 9012型三极管9012型三极管也是一种NPN型晶体管，其主要参数如下：- 最大集电极电压（Vceo）：-40V- 最大发射极电流（Ic）：-500mA- 最大功率耗散（Pd）：-625mW- 最大封装功率温度（Tj）：-150℃9012型三极管具有高电流放大倍数和低噪声特性，适用于低噪声放大器、音频放大器、振荡器等电路。
3. 9013型三极管9013型三极管是一种PNP型晶体管，其主要参数如下：- 最大集电极电压（Vceo）：-20V- 最大发射极电流（Ic）：-500mA- 最大功率耗散（Pd）：-625mW- 最大封装功率温度（Tj）：-150℃9013型三极管具有低噪声、高电流放大倍数和高电流能力的特性，适用于音频放大器、功率放大器、开关电路等。
4. 9014型三极管9014型三极管也是一种PNP型晶体管，其主要参数如下：- 最大集电极电压（Vceo）：-40V- 最大发射极电流（Ic）：-100mA- 最大功率耗散（Pd）：-300mW- 最大封装功率温度（Tj）：-150℃9014型三极管具有低噪声、高电流放大倍数和低功耗的特性，适用于音频放大器、功率放大器、开关电路等。
5. 9015型三极管9015型三极管是一种PNP型晶体管，其主要参数如下：- 最大集电极电压（Vceo）：-20V- 最大发射极电流（Ic）：-100mA- 最大功率耗散（Pd）：-300mW- 最大封装功率温度（Tj）：-150℃9015型三极管具有低噪声、高电流放大倍数和低功耗的特性，适用于音频放大器、功率放大器、开关电路等。
三极管型号及参数大全
三极管型号及参数大全三极管（Transistor）是一种由半导体材料制成的电子器件，常用于放大和开关电路中。
根据导电类型的不同，可以将三极管分为NPN型和PNP型。
以下是一些常见的三极管型号及其参数：1.2N2222:是一种NPN型小功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为600mA，最大击穿电压（VCEO）为40V，最大功耗（PD）为600mW，封装形式一般为TO-922.2N2907:是一种PNP型小功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为600mA，最大击穿电压（VCEO）为40V，最大功耗（PD）为600mW，封装形式一般为TO-923.BC547:是一种NPN型小功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为100mA，最大击穿电压（VCEO）为45V，最大功耗（PD）为500mW，封装形式一般为TO-924.BC557:是一种PNP型小功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为100mA，最大击穿电压（VCEO）为45V，最大功耗（PD）为500mW，封装形式一般为TO-925.2N3055:是一种NPN型功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为15A，最大击穿电压（VCEO）为60V，最大功耗（PD）为115W，封装形式一般为TO-36.2N3906:是一种PNP型小功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为200mA，最大击穿电压（VCEO）为40V，最大功耗（PD）为625mW，封装形式一般为TO-928.BD136:是一种PNP型中功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为1.5A，最大击穿电压（VCEO）为45V，最大功耗（PD）为12.5W，封装形式一般为TO-1269.TIP31C:是一种NPN型功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为3A，最大击穿电压（VCEO）为40V，最大功耗（PD）为40W，封装形式一般为TO-220。
10.TIP32C:是一种PNP型功率晶体管，它的最大集电极电流（IC）为3A，最大击穿电压（VCEO）为40V，最大功耗（PD）为40W，封装形式一般为TO-220。
常用晶体管介绍课件
目录
• 晶体管工作原理 • 常用晶体管类型 • 晶体管应用领域 • 晶体管发展趋势与展望
晶体管概述
晶体管定 义
晶体管
晶体管由三个电极组成
晶体管分 类
双极型晶体管（BJT）
双极型晶体管是电流控制型器件，通过基极电流控制集电极和发射极之间的电流。 常见的有NPN和PNP型。
场效应晶体管（FET）源自晶体管工作原理晶体管结构
NPN型晶体管
由三个半导体元件组成，包括两个N 型和一个P型半导体，中间是基极（B） ，两端分别是集电极（C）和发射极 （E）。
PNP型晶体管
晶体管尺寸
晶体管的尺寸通常以晶体管的外形尺 寸和电极数目来描述。
与NPN型晶体管相似，只不过PNP型 晶体管的电流方向与NPN型相反。
场效应晶体管（FET）
总结词
详细描述
场效应晶体管（FET）
场效应晶体管（FET）
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
总结词
详细描述
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
总结词：工作原理
VS
详细描述：绝缘栅双极型晶体管的工 作原理基于电子和空穴的复合运动以 及电压对通道的调制。当施加正栅极 电压时，形成N型通道，电子从发射 极注入到集电区，空穴从集电极注入 到N型基区，形成较大的电流。当负 栅极电压施加时，通道消失，电流减 小。
晶体管工作状 态
截止状态
当基极输入的信号电压小于阈值 电压时，晶体管处于截止状态， 集电极和发射极之间无电流通过。
放大状态
当基极输入的信号电压大于阈值 电压时，晶体管进入放大状态， 集电极和发射极之间的电流按一
定比例放大。
饱和状态
当基极输入的信号电压继续增大， 晶体管进入饱和状态，此时集电 极和发射极之间的电流不再按比 例放大。
晶体管知识介绍
Iceo,又称为漏电流，是指基极开路（Ib=0)时，集电极和发射极间加上规定的反向电压Uce时的 集电极反向电流，此电流值越小，三极管的性能越好。
Iebo，是指集电极（Ic=0）开路时,在发射极和基极间加上规定的反向电压时发射极的电流。
3.反向基穿电压（BUceo和BUcbo)
BUceo，是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。 BUcbo，是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。
当uBE<UBE(on)时，iB≈0。 UBE(on)为三极管的导通电压或死区电 压，硅管约为0.5-0.6V，锗管约为0.1V。
当uBE>UBE(on)时，随着uBE的增大，iB开始按指数规律增加，而 后近似按直线上升。
2.当uCE=0时，三极管相当于两个并联的二极管，所以 be间加正向电压时，iB很大，对应的曲线明显左移。
外形图片
第二章: MOS管
MOS管
定义：MOS管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的一种电压控制型器件，是 只依靠一种载流子导电的晶体管，它具有三个电极：栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。
工作原理：利用改变栅源电压VGS，来改变导电沟道的宽度和高度，从而改变沟道电阻，最 终达到对漏极电流ID 的控制作用。 如下VGS与ID的特性曲线可知：VDS不变时，ID随着VGS电压的增大而增大。
计算公式：
gm
diD dVGS
VDS 常数
MOS管的特性参数
极限参数
最大漏极电流 IDM，是指管子在工作时允许的最大漏极电流。 最大耗散功率 PDM，是指管子性能正常时所允许的漏源极间的最大耗散功率，
最大耗散功率PDM＝VDS·IDM，它受管子最高工作温度的限制。 漏源极击穿电压 V(BR)DS，是指漏源极间所能承受的最大电压，也就是使ID开始急剧上升
常用功率器件MOSFET的基础知识介绍
常用功率器件MOSFET的基础知识介绍MOSFET，即金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的功率器件。
它广泛应用于电子系统、电源和各种电路中，用于控制、放大和开关电信号。
下面是关于MOSFET基础知识的介绍。
MOSFET由金属-氧化物-半导体结构组成。
它具有三个电极：栅极(Gate)，源极(Source)和漏极(Drain)。
通过调节栅极上的电压，可以控制MOSFET的导通和截止。
MOSFET的工作原理是基于半导体中的场效应，利用电场控制电荷的通道。
MOSFET可以分为两种类型：N型MOSFET和P型MOSFET。
N型MOSFET 中，半导体材料的主要载流子是电子，而P型MOSFET中，主要载流子是空穴。
根据不同的应用需求，可以选择适合的MOSFET类型。
MOSFET的导通电压和电流特性由其栅极和漏极电压之间的关系决定。
当栅极和源极之间的电压增加到一定值时，形成了一个电子通道，电流可以通过MOSFET流动。
而当电压低于这个值时，通道将关闭，电流无法通过。
MOSFET的主要优点之一是高输入电阻。
由于栅极到绝缘层的电容很小，栅极输入信号的功耗很小。
另一个优点是低开关功耗。
与双极晶体管相比，MOSFET的开关速度更快，而且在关闭状态下消耗的功率更小。
MOSFET还有很多其他特性，如低电压操作、低噪声、高温操作能力等。
这些特性使得MOSFET在各种应用中具有广泛的用途。
在电子系统中，MOSFET可用作放大器、开关和电压控制器。
在放大器中，MOSFET可以增加电流的幅度和功率。
在开关电路中，MOSFET可用于控制电路的通断。
在电源中，MOSFET常用于稳压器和逆变器中。
为了保护MOSFET免受电压和电流的损坏，可以使用限流电阻、热敏电阻和电压变压器等保护电路。
此外，正确选择适合的散热器也是保证MOSFET稳定运行的关键。
总结起来，MOSFET是一种常用的功率器件，具有高输入电阻、低开关功耗和其他一些优点。
晶体管的分类及符号
晶体管的分类及符号
晶体管是一种重要的电子器件，常用于电子电路中的放大、开关和控制等功能。
根据结构和工作原理的不同，可以将晶体管分为以下几种常见类型：
1. NPN 晶体管：NPN 晶体管是一种双向导电的晶体管，由两个N 型半导体层夹着一个P 型半导体层构成。
其符号为三个箭头，其中两个箭头指向P 型半导体，一个箭头指向N 型半导体。
2. PNP 晶体管：PNP 晶体管也是一种双向导电的晶体管，与NPN 晶体管相比仅改变了半导体层的类型。
其符号与NPN 晶体管相比，箭头的方向相反。
3. MOSFET：MOSFET 是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的简称。
它由金属门极、氧化物绝缘层和半导体基区构成。
根据结构和工作原理的不同，MOSFET 又可以分为N 沟道型和P 沟道型两种类型。
4. JFET：JFET 是结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor）的简称。
它有N 型和P 型两种型号。
N 型JFET 的符号为一个箭头指向内部N 型层，P 型JFET 的符号为一个箭头指向内部P 型层。
这些都是晶体管中最常见的类型，每种类型的晶体管都有不同的应用场景和特点。
在电子电路设计中，正确选择和使用适当的晶体管类型非常重要。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
在P型半导体中，由于杂质原子可以接收 一个价电子而成为不能移动的负离子，故称为 受主原子。
应注意：
不论是N型半导体还是P型半导体，虽然 都有一种载流子占多数，但晶体中带电粒子的 正、负电荷数相等，仍然呈电中性而不带电。
正负空间电荷在交界面两侧形成一个由N区指向P区的电场，称为内电场，它对 多数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。同时，内电场对
少数载流子起推动作用，把少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。
PN结中的扩散和漂移是相互联系，又是相互矛盾的。在一定条 件（例如温度一定）下，多数载流子的扩散运动逐渐减弱，而少数 载流子的漂移运动则逐渐增强，最后两者达到动态平衡，空间电荷
空穴
自由 电子
显然在外电场的作用下，半导体中将出现两 部分电流：一是自由电子作定向运动形成的电子 电流，一是仍被原子核束缚的价电子（不是自由
电子）递补空穴形成的空穴电流。
在半导体中同时存在自由电子和空穴两种载流子
参与导电，这种导电机理和金属导体的导电机理具有 本质上的区别。
（2）杂质半导体
相对金属导体而言，本征半导体中载流子数目极少，因此导电能力仍然很低。 在如果在其中掺入微量的杂质，将使半导体的导电性能发生显著变化，我们把这些
当半导体的温度升高或受到光照等外界因素的影量，因而能脱离共价键的束缚成为自 由电子，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴” 。
本征半导体中产生电子—空穴对的现象称为本征激发。
共价键中失去电子出现空穴时，相邻原子的价 电子比较容易离开它所在的共价键填补到这个空 穴中来，使该价电子原来所在的共价键中又出现 一个空穴，这个空穴又可被相邻原子的价电子填 补，再出现空穴，如右图所示。
第4章 常用晶体管
4.1 半导体的基本知识
物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和 绝缘体3类。日常生活中接触到的金、银、铜、铝 等金属都是良好的导体，它们的电导率在105S·cm-1 量级；而像塑料、云母、陶瓷等几乎不导电的物质 称为绝缘体，它们的电导率在10-22~10-14S·cm-1量级 ；导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导 体，它们的电导率在10-9~102S·cm-1量级。自然界中 属于半导体的物质有很多种类，目前用来制造半导 体器件的材料大多是提纯后的单晶型半导体，主要 有硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓（GaAs)等。
2. 本征半导体与杂质半导体 （1）天然的硅和锗提纯后形成单晶体，称为本征半导体
硅和锗 的简化 原子模 型。
一般情况下，本征半导体中的载流子浓度 很小，其导电能力较弱，且受温度影响很 大，不稳定，因此其用途还是很有限的。
这是硅和锗构成的 共价键结构示意图
晶体结构中的 共价键具有很强的 结合力，在热力学 零度和没有外界能 量激发时，价电子 没有能力挣脱共价 键束缚，这时晶体 中几乎没有自由电 子，因此不能导电
（3）光照不仅可改变半导体的电导率，还可以产生电动势， 这就是半导体的光电效应。利用光电效应可制成光敏电阻、 光电晶体管、光电耦合器和光电池等。光电池已在空间技术 中得到广泛的应用，为人类利用太阳能提供了广阔的前景。
由此可以看出：半导体不仅仅是电导率与导体有所
不同，而且具备上述特有的性能，正是利用这些特性， 使今天的半导体器件取得了举世瞩目的发展。
P型半导体
在硅（或锗）晶体中掺入微量的三价元素杂质硼（或其他），硼原 子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，将因缺少一个价电子而 形成一个空穴。当相邻共价键上的电子受到热振动或在其他激发条件下 获得能量时，就有可能填补这个空穴，使硼原子得电子而成为不能移动 的负离子；而原来的硅原子共价键则因缺少一个电子，出现一个空穴。 于是半导体中的空穴数目大量增加。空穴成为多数载流子，而自由电子 则成为少数载流子。
3. PN结
P型和N型半导体并不能直接用来制造半导体器件。通常是在N型或 P型半导体的局部再掺入浓度较大的三价或五价杂质，使其变为P型或N 型半导体，在P型和N型半导体的交界面就会形成PN结。
PN结是构成各种半导体器件的基础。
左图所示的是一块晶片，两边分别形成P 型和N型半导体。为便于理解，图中P区仅 画出空穴（多数载流子）和得到一个电子的 三价杂质负离子，N区仅画出自由电子（多 数载流子）和失去一个电子的五价杂质正离 子。根据扩散原理，空穴要从浓度高的P区 向N区扩散，自由电子要从浓度高的N区向P 区扩散，并在交界面发生复合(耗尽），形 成载流子极少的正负空间电荷区如图中间区 域，这就是PN结，又叫耗尽层。
杂质离子产生的自由电子不是共价键中的价电子， 因此与本征激发不同，它不会产生空穴。
由于多余的电子是杂质原子提供的，故将杂质原子 称为施主原子。
掺入五价元素的杂质半导体，其自由电子的浓度远远大于空穴的浓度，因此称 为电子型半导体，也叫做N型半导体。
在N型半导体中，自由电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载 流子（简称少子）；不能移动的离子带正电。
1. 半导体的独特性能
半导体之所以得到广泛的应用，是因
为它具有以下特性。
（1）通过掺入杂质可明显地改变半导体的电导率。例如，室 温30°C时，在纯净锗中掺入一亿分之一的杂质（称掺杂）， 其电导率会增加几百倍。
（2）温度可明显地改变半导体的电导率。利用这种热敏效应 可制成热敏器件，但另一方面，热敏效应使半导体的热稳定 性下降。因此，在半导体构成的电路中常采用温度补偿及稳 定参数等措施。
掺入杂质的半导体称为杂质半导体。杂质半导体可以分为N型和P型两大类。
N型半导体
在纯净的硅（或锗）中掺入微量的磷或砷等五价元
素，杂质原子就替代了共价键中某些硅原子的位置，杂 质原子的四个价电子与周围的硅原子结成共价键，剩下 的一个价电子处在共价键之外，很容易挣脱杂质原子的 束缚被激发成自由电子。同时杂质原子由于失去一个电 子而变成带正电荷的离子，这个正离子固定在晶体结构 中，不能移动，所以它不参与导电。