常用晶体管参数
晶体管常用型号
+15V 100mA稳压
7815
+15V 1A稳压
79L15
-15V 100mA稳压
7915
-15V 1A稳压
78L18
+18V 100mA稳压
7818
+18V 1A稳压
79L18
-18V 100mA稳压
7918
-18 1A稳压
78L24
+24V 100mA稳压
7824
+24V 1A稳压
79L24
12A 600V双向硅
CR8AM
8A 600V单向硅
BTA16·600
16A 600V双向硅
BT151
10A 600V单向硅
BTA26·600
26A 600V双向硅
BTA41·600
41A 600V双向硅
型号
参数
单价
型号
参数
单价
场
效
应
管
IRF530
NMOS 100V 14A 79W
IRFP9530
PMOS 100V 12A 75W
D669
NPN 180V 1.5A 1W
MJE13003
NPN 400V 1.5A 14W
B772
PNP 40V 3A 10W
MJE13005
NPN 400V 4A 60W
D882
NPN 40V 3A 10W
MIE13007
NPN 1500V 2.5A 60W
BU406
型号
参数
单价
型号
参数
单价
达林顿
三极管
TIP31C
NPN 100V 3A 40W
常用晶体管参数表
0.5A 1.5A 17A 12A 2A 1A 15A 0.4A 0.1A 0.1A 0.5A 0.5A 0.05A 0.05A 0.1A 1.5A 0.8A 1.5A 1.5A 0.5A 7A 20A 3A 0.7A 2A 3A 2A 15A 4A 3A 6A 15A 25A 3.5A 0.05A 0.2A 1A 1.5A 4A 7A 6A 8A
0.3W 2W 200W 130W 25W 1W 150W 0.3W 0.25W 0.25W 0.4W 0.4W 0.2W 0.2W 0.9W 1.5W 0.6W 0.9W 25W 0.3W 40W 100W 25W 1W 1W 1W 10W 150W 30W 2W 150W 120W 22W 0.25W 0.4W 0.9W 1W 40W 40W 60W 80W
35V 100V 200V 180V 200V 400V 230V 30V 25V 30V 50V 50V 180V 90V 50V 150V 150V 30V 160V 30V 100V 100V 60V 80V 40V 40V 100V 180V 80V 60V 120V 180V 120V 50V 45V 60V 120V 180V 70V 60V 100V 120V
50W 30W 0.6W 100W 0.3W 0.8W 0.9W 25W 1W 0.75W 0.75W 10W 0.2W 0.2W 0.9W 10W 0.9W 10W 0.6W 10W 0.8W 1.25W 10W 0.4W 15W 0.9W 10W 7.5W 0.3W 0.1W 0.4W 15W 0.8W 1.2W 0.2W 100W 0.4W 0.2W 5W 0.75W 100W 40W
3
2SC2125 2SC2168 2SC2188 2SC2190 2SC2216 2SC2229 2SC2236 2SC2238 2SC2258 2SC227 2SC2271N 2SC2371 2SC2377 2SC2377C 2SC2383Y 2SC2456 2SC2482 2SC2568 2SC2570A 2SC2594 2SC2610 2SC2611 2SC2621 2SC2636Y 2SC2653H 2SC2655Y 2SC2688 2SC2717 2SC2785 2SC2839 2SC2878 2SC2923 2SC304CD 2SC3063 2SC3114 2SC3153 2SC3198G 2SC3265Y 2SC3271 2SC3279 2SC3300 2SC3310
常用各种晶体管型号及参数
电流Icm 电流Icm
0.05A 0.1A 0.1A 0.5A 0.5A 0.03A 10A 10A 8A 8A 8A 6A 6A 25A 25A
功率Pcm 功率Pcm
0.4W 0.4W 0.4W 0.6W 0.6W 0.4W 125W 125W 65W 65W 2W 65W 65W 125W 125W
电流Icm 电流Icm
6A 0.1A 1.5A 0.7A 0.03A 0.05A 0.2A 0.03A 1.5A 25A 15A 6A 3A 4A 15A
功率Pcm 功率Pcm
40W 0.25W 10W 0.8W 0.25W 0.25W 0.25W 0.25W 15W 120W 150W 25W 2W 30W 150W
放大系数
* * * * * * * * * * * * 200 * 45
反压Vbe Vbe0 晶体管型号 反压Vbe0
9018 9015 9014 9013 9012 9011 TIP147 TIP142 TIP127 TIP122 TIP102 TIP42C TIP41C TIP36C TIP35C 30V 50V 50V 50V 50V 50V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 100V
电流Icm 电流Icm
15A 4A 4.7A 12A 19A 20A 14A 8A 14A 16A 10A 33A 19A 40A
功率Pcm 功率Pcm
42W 150W 150W 150W 150W 250W 180W 150W 180W 180W 150W 180W 150W 180W
放大系数
* * * * * * * * * * * * * *
10W 150W 100W 200W 30W 200W
各种MOSFET参数大全
各种MOSFET参数大全MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，具有广泛的应用领域。
下面是MOSFET的各种重要参数的详细解释。
1. Drain-Source电压（VDS）：这是MOSFET管脚之间的电压差。
当VDS超过MOSFET的额定电压，会导致器件损坏。
2. Gate-Source电压（VGS）：这是MOSFET的控制电压。
改变VGS可以控制MOSFET的导通和截止。
3. 阈值电压（Vth）：这是MOSFET的开启电压。
当VGS超过阈值电压时，MOSFET开始导通。
4.静态漏极电流（IDSS）：这是在VGS=0时，MOSFET的漏极电流。
它是关闭时的最大漏极电流。
5. on状态电阻（RDS(on)）：这是MOSFET导通时的电阻。
较低的RDS(on)意味着更好的导通特性。
6.峰值漏极电流（IDP）：这是MOSFET能够承受的最大漏极电流。
如果超过此电流，MOSFET可能会损坏。
7. 雅各比增益（gfs）：这是MOSFET的小信号增益。
它决定了MOSFET的放大能力。
8. 输入电容（Ciss）：这是MOSFET输入端的总电容。
较高的Ciss将导致较高的输入电容负载。
9. 输出电容（Coss）：这是MOSFET输出端的总电容。
较高的Coss将导致较高的输出电容负载。
10.反向传导（GDS）：这是MOSFET导通时的反向电导。
它表示了在反向电压下电荷从漏极到源极的流动。
11. 速度参数（gm）：这是MOSFET的跨导。
它表示在VDS控制下的电流变化率。
12.破坏电压（BV）：这是MOSFET能够承受的最大电压。
超过该电压可能会导致器件击穿和损坏。
13.空载损耗（Pd）：这是MOSFET在导通状态下消耗的功率。
它取决于MOSFET的导通电阻和电流。
14.电压转移特性（VTC）：这是描述MOSFET开启和关闭之间的关系的曲线。
它显示了在不同VGS情况下MOSFET的导通特性。
晶体管的参数
晶体管的参数晶体管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视以及各种电子仪器仪表中。
在电子技术领域，晶体管的参数是评估其性能与特性的重要指标。
本文将介绍晶体管的一些常见参数及其相关参考内容。
1. 器件类型：晶体管根据其结构和工作原理可以分为多种类型，包括普通二极管、NPN型和PNP型晶体管、场效应晶体管等。
对于不同类型的晶体管，其参数也会有所不同。
2. 极间电容（Cj）：晶体管的结构中存在着不同电势的极之间的电容，极间电容即指的是这种电容。
它会对高频特性产生影响。
Cj的值越小，晶体管的高频性能越好。
可以参考不同型号晶体管的数据手册，寻找其Cj值。
3. 最大耗散功率（Pd）：晶体管的最大耗散功率是指器件能承受的最大功率，过多的耗散功率会导致晶体管工作不稳定，甚至损毁器件。
因此，选择一个适合工作条件的晶体管时，必须注意其最大耗散功率的额定值。
可以在晶体管的数据手册中查找相关信息。
4. 比输入电容（Cin）：晶体管接收输入信号时的输入电容，其值与晶体管的增益、频率响应等有关。
较大的输入电容会导致信号源与晶体管之间的不匹配，影响信号的输入和输出。
数据手册中可以找到晶体管的输入电容值。
5. 最大搜线速度（fT）：最大搜线速度是指晶体管的最高工作频率。
它是晶体管的一个重要参数，直接影响到晶体管在高频电路中的应用能力。
查阅数据手册可以找到晶体管的最大搜线速度。
6. 饱和电流（Isat）：在晶体管的饱和区工作时，其主电流达到的最大值。
饱和电流取决于晶体管的材料和结构，并直接影响晶体管的功耗和工作特性。
可以在晶体管数据手册中找到相应的饱和电流值。
7. 最大集电极电流（Icmax）：晶体管集电极能承受的最大电流。
超过最大集电极电流时，晶体管可能会烧毁或损坏。
因此，在使用晶体管时，需要根据实际需求选择合适的最大集电极电流值。
8. 失真参数：晶体管在工作过程中会引入一定的失真，如基极电流的非线性变化导致的失真。
常用晶体管参数大全查询
常用晶体管参数大全查询晶体管是一种最常见的电子器件，用于控制电流和放大信号。
它有许多参数需要掌握，这些参数对于选购和设计电路非常重要。
以下是一些常用晶体管参数的详细说明。
1.三极管类型（NPN/PNP）：晶体管有两种常见的类型分别为NPN和PNP。
NPN晶体管中，发射极和基极之间的电子流是由发射极到集电极的，而PNP晶体管中是由集电极到发射极的。
2.最大击穿电压（BVCEO/BVCBO）：指晶体管的最大集电极-发射极或集电极-发射极间可以承受的电压。
超过这个电压时，晶体管可能会发生击穿而损坏。
3.最大连续电流（IC）：指晶体管可以承受的最大电流。
超过这个电流值，晶体管可能会被加热过热而损坏。
4.最大功耗（PD）：指晶体管可以承受的最大功率，计算方法为PD=VCE×IC。
超过这个功率值，晶体管可能会被过热而损坏。
5.DC增益（hFE）：也称放大倍数，它表示晶体管的放大能力。
hFE的值越高，晶体管放大能力越强。
6.基极电流（IB）：晶体管的输入电流。
通过改变基极电流，可以控制晶体管的输出电流。
7. 饱和电压（VCEsat）：晶体管处于饱和状态时，发射极-集电极间的电压。
饱和电压越低，晶体管的开关速度越快。
8. 输入电容（Cib/Cie）：晶体管输入端的电容。
输入电容越小，晶体管对输入信号的响应越快。
9. 输出电容（Cob/Coe）：晶体管输出端的电容。
输出电容越小，晶体管的输出速度越快。
10.射极电阻（Re）：晶体管的射极电阻。
射极电阻越小，晶体管的集电极电流更容易流过。
11. 震荡频率（ft）：晶体管的最高工作频率。
这是指晶体管可以正常工作的最高频率。
12.噪声系数（NF）：噪声系数是指晶体管引入电路的噪声水平。
噪声系数越小，晶体管的噪声性能越好。
以上是一些常用的晶体管参数的详细说明，了解这些参数可以帮助我们在选购和设计电路时作出正确的决策。
常用晶体管参数查询
常用晶体管参数查询晶体管是一种用于放大、开关和调整电信号的电子元件，广泛应用于电子设备和通信系统中。
晶体管的各种参数对其性能影响很大，因此对于设计和选择晶体管的工程师来说，了解和查询常用晶体管参数非常重要。
下面将介绍几个常用的晶体管参数。
1. 最大工作频率（fmax）：晶体管可以工作的最高频率。
这个参数对于高频通信和雷达应用非常重要，通常以GHz为单位。
2. 最大功率（Pmax）：晶体管能够承受的最大功率。
这个参数通常以瓦特（W）为单位，并且与晶体管的封装和散热系统有关。
3.最大工作电压（VCEO）：晶体管可以承受的最大集电极至发射极电压。
这个参数对于功率放大应用非常重要。
4. 最大工作电流（ICmax）：晶体管可以承受的最大集电极电流。
这个参数对于功率放大和开关应用非常重要。
5. 饱和压降（VCEsat）：晶体管在饱和状态下的集电极至发射极压降。
这个参数对于开关应用和数字逻辑电路非常重要。
6. 放大倍数（hfe或β）：晶体管的放大倍数，即集电极电流与基极电流的比值。
这个参数对于放大应用非常重要。
7. 输入电阻（Rin）：晶体管输入电阻，即基极电阻。
这个参数对于信号输入和电路匹配非常重要。
8. 输出电阻（Rout）：晶体管输出电阻，即集电极电阻。
这个参数对于信号输出和电路匹配非常重要。
9.噪声系数（NF）：晶体管的噪声性能，表示增益下降的程度。
这个参数对于接收机和低噪声放大器应用非常重要。
10.温度系数（TC）：晶体管参数随温度变化的变化率。
这个参数对于在高温环境下的应用非常重要。
常用场效应管和晶体管全参数大全
常用场效应管和晶体管全参数大全1.常用场效应管参数：(1)静态参数：a.离子阱截止电压（Vp）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流为零的栅极-源极电压。
b. 饱和漏极电流（Idss）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流的最大值。
c. 调整电压（Vto）：指在栅极与源极间电压为零时，栅极与源极间的电流。
d. 输入电容（Ciss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极之间的电容。
e. 输出电容（Coss）：指当栅极-源极电压为零时，漏极之间的电容。
f. 反馈电容（Crss）：指当栅极-源极电压为零时，栅极与漏极之间的电容。
(2)动态参数：a.输入电导（Gm）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与栅极-源极电压之比。
b. 输入电阻（Rin）：指在栅极-源极电压为零时，输入电阻的值。
c. 输出电导（Gds）：指在栅极-源极电压为零时，漏极电流与漏极电压之比。
d. 输出电阻（Rout）：指在栅极-源极电压为零时，输出电阻的值。
e. 转封闭电压（Breakdown Voltage）：指在栅极-源极电压为零时，输出特性曲线开始变弯的电压。
2.晶体管参数：(1)静态参数：a. 饱和电压（Vce）：指在负载线上工作时，集电极与发射极之间的电压。
b.饱和电流（Ic）：指在负载线上工作时，通过集电极的电流。
c. 漏电流（Iceo）：指在基极与集电极之间断开时，通过集电极的漏电流。
d. 输入电容（Cib）：指输入电容的值。
e. 输出电容（Cob）：指输出电容的值。
(2)动态参数：a. 横向混频增益（hfe）：指输入电流与输出电流之比。
b. 纵向封闭电流放大因数（hie）：指基极-发射极之间的电阻。
c.输出电流（Ib）：指基极电流。
d. 纵向式封闭输出电阻（hre）：指输出电流与输入电流之比。
值得一提的是，晶体管比场效应管多一种参数：工作频率。
此参数指示了晶体管在给定频率下的性能。
这些是常见的场效应管和晶体管的主要参数。
不同的型号和规格的场效应管和晶体管可能会有其他额外的参数依赖于具体应用和要求。
晶体管参数大全
晶体管参数大全晶体管是一种重要的电子元件，包括三极管和场效应管两种类型。
以下是关于晶体管参数的详细介绍。
1.三极管参数：(1)直流参数：- 静态放大倍数（hfe）：表示输入电流和输出电流之间的放大倍数；- 饱和电流（Isat）：在基极电流最大的情况下，由集电极和发射极之间的饱和电流；- 集电极-发射极饱和电压（Vce_sat）：集电极和发射极之间的饱和电压；- 输入电阻（Rin）：表示三极管的输入端电阻；- 输出电阻（Rout）：表示三极管的输出端电阻。
(2)动态参数：- 最大切换频率（ft）：表示三极管可以切换的最高频率；- 输入电容（Cin）：表示三极管的输入电容；- 输出电容（Cout）：表示三极管的输出电容；- 开关时间（ts/tf）：分别表示三极管的上升和下降时间。
2.场效应管参数：(1)直流参数：- 静态放大倍数（gm）：表示输出电流和输入电压之间的增益；- 饱和电流（Idss）：在栅压为零时，漏极电流最大的情况下，由源极和漏极之间的饱和电流；- 开启电压（Vgs_th）：栅极电压与源极电压之间的临界电压，开始导通的电压；- 漏极-源极饱和电压（Vds_sat）：漏极电压与源极电压之间的饱和电压；- 输入电阻（Rin）：表示场效应管的输入端电阻；- 输出电阻（Rout）：表示场效应管的输出端电阻。
(2)动态参数：- 最大切换频率（ft）：表示场效应管可以切换的最高频率；- 输入电容（Cin）：表示场效应管的输入电容；- 输出电容（Cout）：表示场效应管的输出电容；- 开关时间（ts/tf）：分别表示场效应管的上升和下降时间。
以上是晶体管参数的一些常见指标，不同型号的晶体管具体参数可能会有所不同。
在实际应用中，根据具体电路设计和需求，选择合适的晶体管参数非常重要。
同时，要注意不同厂家制造的晶体管参数可能存在差异，需要仔细查阅相关型号的数据手册。
常用晶体管参数
2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP
2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿）
2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿）
2SB686 100V 6A 60W * * PNP
2SC2190 450V 5A 100W * * NPN
2SC2216 50V 0.05A 0.3W * * NPN
2SC2229 200V 0.05A 0.8W * * NPN
2SC2236 30V 1.5A 0.9W * * NPN
2SC2238 160V 1.5A 25W * * NPN
2SA1302 200V 15A 150W * * PNP
2SA1304 150V 1.5A 25W * * PNP
2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP
2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP
2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP
2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN
2SC1875 50V 0.15A 0.4W * * NPN
2SC1890A 120V 0.05A 0.3W * * NPN
2SC1906 30V 0.05A 0.3W * * NPN
2SC1923 40V 0.02A 0.1W * * NPN
2SB1429 180V 15A 150W * * PNP
2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿）
2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP
常用MOSFET技术参数
常用MOSFET技术参数MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的电子器件，在现代电子设备中广泛应用。
以下是常见的MOSFET技术参数：1.基本参数：- 导通电阻（Rds(on)）：指在MOSFET导通状态下，漏源之间的电阻。
导通电阻越小，表示MOSFET在导通状态下的能耗越低。
- 关断电阻（Rds(off)）：指在MOSFET关断状态下，漏源之间的电阻。
关断电阻越大，表示MOSFET在关断状态下的能耗越低。
- 阈值电压（Vth）：指控制MOSFET导通的门极电压。
当门极电压高于阈值电压时，MOSFET导通。
- 最大漏极电流（Id(max)）：指MOSFET可以承受的最大漏极电流。
超过这个电流值，MOSFET可能会损坏。
-动态电阻（Rd）：指在MOSFET导通过程中，漏源之间电压变化与电流变化的比值。
动态电阻越小，表示MOSFET开关速度越快。
2.耐压参数：- 漏源击穿电压（V(br)dss)）：指MOSFET可以承受的最大漏源电压。
超过这个电压值，MOSFET可能会损坏。
- 门源击穿电压（V(br)gss)）：指MOSFET可以承受的最大门源电压。
超过这个电压值，MOSFET可能会损坏。
3.功率参数：- 最大功率耗散（Pd(max)）：指MOSFET可以承受的最大功率耗散。
超过这个功率值，MOSFET可能会过热并损坏。
- 最大功率耗散温度（Tj(max)）：指MOSFET可以承受的最高结温。
超过这个温度值，MOSFET可能会过热并损坏。
4.开关参数：- 共源极电容（Ciss）：指MOSFET漏源极之间的输入电容。
共源极电容越大，表示MOSFET的开关效率越低。
- 输出电容（Coss）：指MOSFET漏源电容。
输出电容越大，表示MOSFET的开关速度越慢。
5.温度参数：- 热阻（Rth）：指MOSFET的导热性能，即单位功率耗散时，MOSFET的结温上升的温度差。
热阻越小，表示MOSFET的散热效果越好。
各种MOSFET参数大全
各种MOSFET参数大全MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管）是一种常用的功率晶体管，用于控制电流流动和电压增益。
MOSFET具有许多参数，每个参数都对其性能和应用起着重要作用。
以下是一些重要的MOSFET参数的详细描述。
1. 导通电阻（Rds(on)）：这是MOSFET在导通状态时的电阻。
较低的导通电阻意味着MOSFET在导通状态下可以通过更多的电流，从而减小功耗和发热。
2. 阈值电压（Vth）：这是MOSFET开启的电压。
Vth的高低决定了控制MOSFET导通状态所需的控制电压。
低阈值电压可以实现更有效的控制。
3.最大耗散功率（Pd）：这是MOSFET可以处理的最大功率。
超过这个值会导致MOSFET的过热和损坏。
4. 最大漏极电压（Vds）：这是MOSFET可以承受的最大电压。
超过这个值会导致击穿和损坏。
5.最大漏源电流（Id）：这是MOSFET可以承受的最大电流。
超过这个值会导致过载和烧毁。
6. 开启时间（ton）和关断时间（toff）：这是MOSFET从导通到关断状态或从关断到导通状态所需的时间。
较低的开启和关断时间意味着MOSFET可以更快地切换，从而提高开关效率和响应时间。
7.耗散电导（Gd）：这是MOSFET关断状态时的内部导纳。
较高的耗散电导会导致电源功耗的增加。
8. 输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）：这些是MOSFET的输入和输出电容。
输入电容对输入信号的响应时间产生影响，而输出电容对输出信号的响应时间和失真率产生影响。
9.热阻（θJA和θJC）：这些是MOSFET的热阻值。
它们表示MOSFET散热的能力，较低的热阻值意味着更好的散热性能。
10. 反向转导（gm）：这是MOSFET的转导增益，表示输入信号和输出信号之间的关系。
较高的反向转导意味着MOSFET具有更好的放大性能。
11.温度系数：这是MOSFET参数随温度变化的程度。
温度系数对MOSFET的稳定性和性能起着重要作用。
常用晶体管参数
2N3773 12 NPN 音频功放开关 160V 16A 50W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
HQ1F3P 贴片 NPN 功放开关 20V 2A 2W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
TIP132 28 NPN 音频功放开关 100V 8A 70W TIP137 xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
A1020 21 PNP 音频 开关 50V 2A 0.9W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
MPS2222A 21 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
9013 贴片 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
3DK2B 7 NPN 开关 30V 0.03A 0.2W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
3DD15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
3DD102C 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
3522V 5V稳压管 xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ xuY中国家电维修资料网-电路图纸,数据总线资料大全
晶体管参数有哪些-晶体管的参数
晶体管参数有哪些-晶体管的参数晶体管参数有哪些-晶体管的参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
下面，我具体地为大家讲讲晶体管的参数，希望能关怀到大家!最高频率fM最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率f，而特征频率fT则高于共基极截止频率f、低于共集电极截止频率f。
放大系数直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无转变信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或表示。
沟通放大倍数沟通放大倍数，也即沟通电流放大系数、动态电流放大系数，是指在沟通状态下，晶体管集电极电流转变量△IC与基极电流转变量△IB的比值，一般用hfe或表示。
hFE或既有区分又关系亲热，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。
耗散功率耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数转变不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高允许结温顺集电极最大电流有亲热关系。
晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。
通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
特征频率fT晶体管的.工作频率超过截止频率f或f时，其电流放大系数值将随着频率的升高而下降。
特征频率是指值降为1时晶体管的工作频率。
通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
最大电流集电极最大电流(ICM)是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。
当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的值等参数将发生明显转变，影响其正常工作，甚至还会损坏。
晶体管的参数
晶体管的参数晶体管是一种半导体器件，广泛应用于电子设备中，例如电子计算机、通信设备、放大器、开关等。
晶体管的性能特征由多个参数来描述，下面将介绍一些与晶体管相关的重要参数。
1. 最大电流和功率：最大电流指的是晶体管能够承受的最大电流值，一般以直流或者脉冲形式表示。
最大功率是指晶体管能够承受的最大功率值，它与最大电流和工作电压有关。
2. 最大工作频率：最大工作频率指的是晶体管能够正常工作的最高频率。
这是由于晶体管内部的电容和电感等元件所引起的传输延迟，导致高频信号衰减和相位失真。
3. 转导系数：转导系数也称为电流增益，是指输入和输出电流之间的比值。
这个参数是用来衡量晶体管放大器的增益能力的，一般以倍数表示，如hfe、h21e等。
4. 饱和电流：饱和电流是指当晶体管处于饱和状态时的电流值。
在饱和状态下，进一步增加基极驱动电流不会再引起集电极电流的增加。
饱和电流的大小与晶体管内部的结构和材料有关。
5. 饱和压降：饱和压降是指当晶体管处于饱和状态时的集电极与发射极之间的电压降。
饱和压降与晶体管的材料、温度以及工作电流等因素有关，一般在规格书中给出。
6. 硬开关能力：硬开关能力是指晶体管在开关操作时的能力，即能够快速地从导通状态转变为截止状态，或者从截止状态转变为导通状态。
硬开关能力对于实现高效能、低功耗的电子设备至关重要。
7. 噪声系数：噪声系数是衡量晶体管噪声性能的一个参数。
晶体管的噪声主要分为热噪声、功率噪声和互流调制噪声等。
噪声系数越小，表示晶体管的噪声性能越好。
8. 热阻：热阻是指晶体管中热量传导的阻力。
热阻越小，晶体管在工作时产生的热量能够更快地散发出去，降低器件的温度。
以上是晶体管的一些重要参数，它们可以用来评估晶体管的性能和适用范围。
在使用晶体管时，我们需要根据具体的应用需求选择合适的晶体管，确保其性能满足要求。
全系列三极管应用参数和代换大全
全系列三极管应用参数和代换大全1. npn晶体管（列举几个常见型号：2N3904、2N2222、BC547）应用参数：- 最大集电极电流（Icmax）：通常为100mA，但可能会因不同型号而有所不同。
- 最大集电极-发射极电压（Vceo）：一般为40V，也可能因型号而有所不同。
- 最大发射极-基极电压（Vebo）：通常为5V，也有一些型号为6V 或者其他值。
- 直流放大因子（hfe）：一般在100至300之间。
代换方法：- 可以用相同极性的其他npn晶体管代替。
-需要注意封装类型和极性。
-同一型号的三极管可能有不同的生产厂家，其参数有些微差异，但一般可以互换使用。
2. pnp晶体管（列举几个常见型号：2N3906、2N2907、BC557）应用参数：- 最大集电极电流（Icmax）：通常为100mA，但可能会因不同型号而有所不同。
- 最大集电极-发射极电压（Vceo）：一般为40V，也可能因型号而有所不同。
- 最大发射极-基极电压（Vebo）：通常为5V，也有一些型号为6V或者其他值。
- 直流放大因子（hfe）：一般在100至300之间。
代换方法：- 可以用相同极性的其他pnp晶体管代替。
-需要注意封装类型和极性。
-同一型号的三极管可能有不同的生产厂家，其参数有些微差异，但一般可以互换使用。
3.增强型n沟道场效应晶体管（列举几个常见型号：2N7000、BS170、IRF5305）应用参数：- 最大漏源电压（Vdss）：通常为60V至200V之间。
-最大漏极电流（Id）：一般在200mA至500mA之间。
- 门源电压范围（Vgs）：-10V至-20V。
- 漏源电阻（Rds(on)）：一般在0.1Ω至1Ω之间。
代换方法：-可以用相同极性的其他增强型n沟道场效应晶体管代替。
-需要注意封装类型和极性。
-同一型号的晶体管可能有不同的生产厂家，其参数有些微差异，但一般可以互换使用。
4.增强型p沟道场效应晶体管（列举几个常见型号：J113、J175、2SK117）应用参数：- 最大漏源电压（Vdss）：通常为20V至200V之间。
常用场效应管及晶体管参数
常用场效应管及晶体管参数场效应管（FET）和晶体管（BJT）是现代电子设备中常见的两种半导体器件。
它们广泛应用于放大器、开关和逻辑电路等各种电子设备中。
下面将介绍常用的场效应管和晶体管的参数。
一、场效应管参数1. 栅极截止电压（VGS(off)）：当栅极、源极之间的电压低于这个截止电压时，场效应管处于截止状态，不导电。
2. 栅极漏极饱和电压（VGS(sat)）：当栅极、源极之间的电压高于这个饱和电压时，场效应管处于饱和状态，完全导通。
3. 输出导通电阻（RDS(on)）：当场效应管处于导通状态时，源极、漏极之间的电阻。
这个电阻越小，场效应管的导通性能越好。
4. 最大漏源电压（VDS(max)）：场效应管允许的最大漏源电压。
超过这个电压，场效应管可能被击穿损坏。
5. 最大漏极电流（ID(max)）：场效应管允许的最大漏极电流。
超过这个电流，场效应管可能被烧毁。
6.负温度系数（TC）：场效应管的温度特性参数。
它表示场效应管的电流与温度的关系。
一般来说，希望它越小越好，以保证工作温度下的稳定性。
7. 栅源电容（Cgs）：栅极与源极之间的电容。
它会影响场效应管的频率特性。
1.基极开路电流（ICBO）：当集电极、基极之间没有连接负载时，基极开路电流就会通过晶体管。
它可以看作是一个小的反向饱和电流。
2.发射极开路电流（IEBO）：当基极、发射极之间没有连接负载时，发射极开路电流就会通过晶体管。
它也可以看作是一个小的反向饱和电流。
3.饱和电流增益（hFE）：晶体管的放大倍数。
它表示晶体管的集电极电流与基极电流之间的比例关系。
4.最大集电极电压（VCEO）：晶体管允许的最大集电极电压。
超过这个电压，晶体管可能被击穿损坏。
5. 最大集电极功耗（PC(max)）：晶体管允许的最大功耗。
超过这个功耗，晶体管可能被烧毁。
6. 最大结温（Tj(max)）：晶体管允许的最大结温。
超过这个温度，晶体管可能出现热敏失效。
7. 输入电阻（Rin）：晶体管的输入电阻。
晶体管的参数
晶体管的参数晶体管是一种常见的电子元器件，广泛应用于电子设备和电路中。
在电路设计和分析中，了解晶体管的参数是十分重要的。
本文将介绍晶体管的几个重要参数，包括增益、阈值电压、输出电阻和频率响应等。
1. 增益：晶体管的增益是指输入和输出信号之间的放大倍数。
以BJT晶体管为例，常用的增益参数有直流电流增益（hFE）和交流电流增益（hfe）。
直流电流增益表示输入电流与输出电流的比值，在常用的晶体管参数手册中一般给出一个范围值。
交流电流增益则表示在交流条件下输入电流与输出电流的比值。
2. 阈值电压：阈值电压是指在晶体管进行开关动作时所需要的输入电压。
对于MOSFET晶体管，阈值电压是控制沟道开启状态的关键参数。
当输入电压高于阈值电压时，晶体管会被打开，允许电流通过。
当输入电压低于阈值电压时，晶体管处于关闭状态。
3. 输出电阻：输出电阻是指晶体管的输出端对外部电路的阻抗。
输出电阻越大，对外部电路的影响越小。
输出电阻可以描述晶体管输出信号的稳定性和负载能力。
对于BJT晶体管，输出电阻是一个重要的参数，可以影响放大器的性能。
4. 频率响应：频率响应是指晶体管在不同频率下的输出特性。
晶体管作为放大器时，输出信号在不同频率下的增益可能会有所变化。
频率响应参数通常以增益-频率图（Bode图）的形式给出，可以帮助设计工程师了解晶体管在不同频率下的性能表现。
除了以上几个常见参数之外，晶体管的参数还包括输入电阻、输出电容和温度特性等。
输入电阻是指晶体管的输入端对外部电路的阻抗，它可以影响信号的输入效果。
输出电容是指晶体管的输出端与输入端之间存在的电容效应，它可能会影响电路的带宽和相应速度。
需要注意的是，晶体管的参数可能存在一定的变化和尺寸差异。
因此，在实际电路设计中，选型和匹配晶体管时要结合具体使用场景和需求，同时参考厂家提供的参数手册和数据表。
总结起来，晶体管的参数是电路设计与分析过程中不可忽视的一部分。
熟悉晶体管的参数可以帮助工程师更准确地选取合适的晶体管，并优化电路设计。
常用场效应管和晶体管参数大全
常用场效应管和晶体管参数大全一、常用场效应管参数：1.管脚标号和功能：- Gate（栅）：控制场效应管的导通与截止状态；- Drain（漏）：负责从管子中吸引和收集载流子；- Source（源）：提供电子流和空穴流；2. 漏电流（Id）：指在栅源电压（Vgs）和漏源电压（Vds）确定的情况下，从源极到漏极的电流值。
在截止区域，漏电流非常小，而在导通区域，漏电流较大。
3. 饱和漏源电压（Vdsat）：指在栅源电压（Vgs）确定的情况下，达到漏电流（Id）饱和状态所需的漏源电压值。
饱和状态下，增加漏源电压已无法继续提高漏电流。
4. 转导（gm）：指场效应管的输出电流（Id）与输入电压（Vgs）之间的变化率。
转导越大，场效应管的放大能力越强。
5.耗散功率（Pd）：指在工作过程中场效应管所消耗的功率。
通常需要根据该参数来选择散热器以确保器件不会过热。
6. 压降（Vgs th）：指栅极与源极之间的电压差，当超过该电压差的时候，管子开始导通。
常用作管子导通状态的判断依据。
二、常用晶体管参数：1.管脚标号和功能：-集电极（C）：负责收集电流；-基极（B）：控制集电极电流；-发射极（E）：通过向基极注入电子来产生电流。
2.负载特性：负载特性是指晶体管输出特性曲线。
负载特性能够代表晶体管放大的能力。
晶体管常用的负载特性有共发射、共基、共集三种。
3.比例系数：比例系数是指集电极电流变化与基极电流变化的比例关系。
常用的比例系数有α（电流放大系数），β（电流转移放大系数）和γ（电导放大系数）。
4. 最大漏电流（Ic max）：在给定的电压和温度下，晶体管允许通过的最大集电极电流。
超过该值将会烧毁晶体管。
5. 切换频率（ft）：指晶体管能够正常工作的最高频率。
一般来说，切换频率越高，晶体管能够承载的高频信号越多。
6. 射频放大系数（hfe）：指晶体管的电流放大倍数，也就是集电极电流与基极电流之间的比值。
以上是常用场效应管和晶体管参数的一些主要介绍，不同型号和规格的场效应管和晶体管可能还有其他一些特殊参数或性能指标。
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D13008 NPN 12 100 300 600
D13009 NPN 12 100 400 700
二、功 放 对 管
型号 极性 Ptot lc VCBO
(W) (A) (V)
2SC3455 NPN 25 160 800/500 800/500
2SC5200 NPN 15 150 230 280
2SC1140(..1) NPN 15 150 800/400 800/400
器件型号 极性 lc Pcm Vceo Vcbo
(A) (W) (V) (V)
3CF10 100W -10A 0-250V -250V TO-3P
3CF15 150W -15A -250V -250V TO-3PⅡ
3CF20 200W -20A -250V -250V TO-3PⅡ
3CD6 50W -5A -300V TO-220
3CD8 100W -10A -300V TO-3PⅡ
2SA982 PNP -8 80 -140 -160
2SA1672 PNP -10 80 -140 -160
2SA1673 PNP -15 80 -180 -200
2SA1672 PNP -8 75 -120 -150
2SA745A PNP -8 70 -120 -150
2SA1292 PNP -15 70 -80 -100
2SA1216 PNP 200 -20 -180
2SC2922 NPN 200 20 180
2SA1301 PNP 120 -12 -160
2SC3280 NPN 120 12 160
2SA1302 PNP 150 -15 -200
2SC3281 NPN 150 15 200
3DF7 75W 7.5A 50-300V 80-450V TO-220
2SA1047 PNP -15 150 -160 -200
2SA1943 PNP -15 150 -230 -250
2SA1294 PNP -15 130 -230 -250
2SA1003 PNP -12 120 -150 -200
2SA1065 PNP -10 120 -150 -200
2SC806A NPN 10 125 700 700
2SC1142 NPN 10 125 800/400 800/400
2SC2751 NPN 15 120 500 500
2SC1322 NPN 15 100 250 280
2SC1079 NPN 12 100 150 200
2SC2304 NPN 12 100 500/400 500/400
3CD5880 160W 15A -80V -80V TO-3PⅡ
3CD15002 200W 15A -140V -140V TO-3PⅡ
3CD1618 200W 20A -160V -180V TO-3PⅡ
3CD15004 250W 20A -140V -160V TO-3PⅡ
3DF5 50W 5A 50-300V 80-450V TO-220
3CD9 150W -15A -300V TO-3PⅡ
3CD4399 200W -30A -60V -60V TO-3PⅡ
3CD5884 200W -25A -80V -80V TO-3PⅡ
3CD6609 150W 16A -140V -80V TO-3PⅡ
3CD4352 125W 16A -140V -140V TO-3PⅡ
3CD5684 PNP -50 300 -230 -280
2SA1494 PNP -30 250 -200 -250
2SA1109 PNP -10 200 -180 -200
2SA1117 PNP -17 200 -200 -250
2SA1493 PNP -15 200 -200 -250
2SC5242 NPN 130 15 200
2SC1579 NPN 150 15 400
2SC1580 NPN 150 15 500
2SC2761 NPN 200 15 400
2SD1037 NPN 100 12 140
2SD1047 NPN 100 12 160
2SB688 PNP 80 -10 -120
(A) (W) (V) (V)
3DF50C NPN 50 500 200 250
3DD5686 NPN 50 300 200 250
2SC1435 NPN 40 300 600 800-1200
2SC2445 NPN 30 250 300/200 400/300
BUX48A NPN 200 20 800-1200
BUS13A NPN 175 15 450-1000
BU508A NPN 125 8 800-1500
BUV48A NPN 150 15 450-1000
四、NPN硅特大功率三极管
型号 极性 lc Pcm Vceo Vcbo
2SC3990 NPN 35 250 800/500 900/600
2SC1437 NPN 50 200 230 230
2SC2921 NPN 50 200 160 200
2SC2147 NPN 50 200 400 600
2SC431(….6) NPN 30 200 150-300 180-500
2SC1136 NPN 30 200 200/150 200/150
2SC1138 NPN 30 200 800/400 800/400
2SC1139 NPN 30 200 600/300 600/300
2SC1300(.02) NPN 30 200 500/250 500/250
2SC2128 NPN 30 200 200 200
2SC3858 NPN 20 200 200 250
2SC2507 NPN 20 200 500/400 500/400
2SC2922 NPN 17 200 180 200
2SC3281 NPN 15 200 200 280
2SC1145 NPN 20 175 700/400 700/400
2SA626 PNP -5 60 -80 -100
2SA627 PNP -5 60 -100 -120
2SA649 PNP -7 60 -150 -200
2SC1513 PNP -15 60 -100 -120
2SA1746 PNP -12 60 -70 -100
2SA757 PNP -7 60 -120 -150
CF50C 500W -50A -200V -250V TO-3PⅢ
3DD5686 300W 50A 200V 250V TO-3PⅡ
3CD5684 300W -50A -200V -250V TO-3PⅡ
3CF5 50W -5A -250V -250V TO-220
3CF7 75W -7A -250V -250V TO-220
2SC768(..771) NPN 10 50 60-250 100-350
2SC758(..760) NPN 8 50 100-280 200-350
2SC270 NPN 5 50 270 380
2SC862 NPN 5 50 650 700
五、PNP硅特大功率三极管
器件型号 极性 lc(A) Pcm(W) Vceo (V)Vcbo(V)
一、开关晶体管
型号 极性 Ic Pcm VCEO VCBO
(A) (W) (V) (V)
D13003 NPN 1.5 40 400 700
D13004 NPN 4 75 400 600
D13005 NPN 4 75 400 700
D13006 NPN 8 80 400 600
2SC1477 NPN 9 100 230 280
2SC902 NPN 10 75 150 200
2SC1403A NPN 8 70 180 230
2SC1463 NPN 4 70 450 550
2SC1051(L) NPN 7 60 200 230
2SC4122 NPN 7 60 1500/800 1500/800
2SC1469A NPN C407(..12) NPN 10 100 150-300 150-300
2SC102 NPN 7 100 200 200
2SC1764 NPN 12 80 65 150
2SC2303 NPN 10 100 500/400 500/400
2SA1695 PNP -10 100 -140 -160
2SA1042 PNP -15 100 -70 -100
2SA1007 PNP -10 100 -150 -150
2SA1180 PNP -10 100 -180 -200
2SA751 PNP -7 80 -130 -150
2SD718 NPN 80 10 120
2SB817 PNP 100 -12 -140
2SD1047 NPN 100 12 140
2SA1106 PNP 100 -10 -140
2SC2581 NPN 100 10 200
2SA1215 PNP 150 -4 -160
2SC2921 NPN 150 15 160
2SA1492 PNP 130 -15 -180
2SC3856 NPN 130 15 200
2SA1494 PNP 200 -20 -200